檢測(cè)方法
【專利摘要】一種檢測(cè)方法，適用于量測(cè)膠膜上已彼此劈裂的數(shù)個(gè)晶粒，包含以下步驟：提供一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)間距范圍與一個(gè)臨界間距范圍，并量測(cè)及記錄所述晶粒彼此間的間距，再將所記錄的所述晶粒的間距與所提供的間距范圍比較，以判斷是否依序?qū)λ鼍Я＿M(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)明在檢測(cè)前，預(yù)先量測(cè)并記錄所述晶粒彼此間的間距，并利用標(biāo)準(zhǔn)間距范圍與臨界間距范圍而可選擇對(duì)間距差異過大的相鄰晶粒不檢測(cè)或整片晶粒不檢測(cè)，以減少檢測(cè)誤差，若要檢測(cè)，也能考慮相鄰晶粒之間的間距，而能對(duì)晶粒的光性檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行補(bǔ)正以提高檢測(cè)結(jié)果的正確性，因此，本發(fā)明有助于獲得更正確的檢測(cè)數(shù)據(jù)。
【專利說明】檢測(cè)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制程，特別是涉及一種晶粒(die)的檢測(cè)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]以往的一種晶粒的檢測(cè)方法，適用于量測(cè)黏著于膠膜上且已彼此劈裂的數(shù)個(gè)晶粒，由于以往在檢測(cè)晶粒時(shí)，并不考慮到晶粒之間彼此的間距所造成的影響，也就是說，以往皆將晶粒間的間距視為相同，但實(shí)際上的情況為，在劈裂擴(kuò)張后，晶粒彼此間的間距并不相同。而且晶粒之間不同的間距在進(jìn)行光性檢測(cè)(optics measurement)時(shí),會(huì)對(duì)檢測(cè)結(jié)果
產(chǎn)生一定的誤差影響。
[0003]因此，一種可以將晶粒的間距納入晶粒檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)以減少誤差影響，及晶粒依據(jù)晶粒間距而加入光性檢測(cè)補(bǔ)正的檢測(cè)方法，已成為目前相關(guān)業(yè)者的研發(fā)目標(biāo)之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的在于提供一種可以將晶粒的間距作為是否要對(duì)晶粒進(jìn)行檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)，及晶粒依據(jù)晶粒彼此間的間距而加入光性檢測(cè)補(bǔ)正的檢測(cè)方法。
[0005]本發(fā)明檢測(cè)方法，適用于量測(cè)黏著于膠膜上且已彼此劈裂的數(shù)個(gè)晶粒，該檢測(cè)方法包含以下步驟:
[0006](A)提供一個(gè)針對(duì)晶粒間距的標(biāo)準(zhǔn)間距范圍，及一個(gè)大于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的臨界間距范圍；
[0007](B)量測(cè)并記錄所述晶粒彼此間的間距；
[0008](C)將所記錄的所述晶粒彼此間的間距分別與該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍及該臨界間距范圍進(jìn)行比較；及
[0009](D)依比較結(jié)果判斷是否對(duì)所述晶粒進(jìn)行檢測(cè)；
[0010]其中，步驟(A)與步驟(B)的順序可互換。
[0011]本發(fā)明的檢測(cè)方法，包含一個(gè)實(shí)施于該步驟(B)后的步驟(E)，在該步驟(E)中，是依據(jù)該步驟(B)所測(cè)得的晶粒彼此間的間距關(guān)系繪制出一個(gè)對(duì)應(yīng)圖面。
[0012]本發(fā)明的檢測(cè)方法，包含一個(gè)實(shí)施于該步驟(D)后的步驟(F)，在該步驟(F)中，針對(duì)間距超過該臨界間距范圍的晶粒省略檢測(cè)。
[0013]本發(fā)明的檢測(cè)方法，包含一個(gè)實(shí)施于該步驟(D)后的步驟(G)，在該步驟(G)中，對(duì)間距未超出該臨界間距范圍的晶粒進(jìn)行檢測(cè)。
[0014]本發(fā)明的檢測(cè)方法，包含一個(gè)實(shí)施于該步驟(G)后的步驟(H)，在該步驟(H)中，根據(jù)已記錄的所述晶粒彼此間的間距，對(duì)間距超過該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的晶粒的檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行換算補(bǔ)正。
[0015]本發(fā)明的檢測(cè)方法，該步驟(G)所進(jìn)行的檢測(cè)為光性檢測(cè)。
[0016]本發(fā)明檢測(cè)方法的有益效果在于:在進(jìn)行檢測(cè)以前，就先量測(cè)并記錄所述晶粒彼此間的間距，因此，可以在檢測(cè)前就先判斷相鄰晶粒的間距是否超出標(biāo)準(zhǔn)間距范圍或臨界間距范圍，作為晶粒是否檢測(cè)的判斷依據(jù)。接著，依判斷結(jié)果依序?qū)λ鼍Я＿M(jìn)行檢測(cè)，并根據(jù)所述晶粒彼此間的間距對(duì)晶粒的光性檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行補(bǔ)正，因而能提高檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0017]圖1是一個(gè)流程圖，說明本發(fā)明檢測(cè)方法的一個(gè)較佳實(shí)施例；
[0018]圖2是一個(gè)示意圖，說明本較佳實(shí)施例的數(shù)個(gè)晶粒；
[0019]圖3是一個(gè)示意圖，說明本較佳實(shí)施例依據(jù)所記錄的晶粒的間距關(guān)系繪制出的對(duì)應(yīng)圖面，本圖由計(jì)算機(jī)軟件繪制，僅為說明本發(fā)明一種對(duì)應(yīng)圖面的繪制態(tài)樣，因此對(duì)于權(quán)利要求的保護(hù)范圍并無影響，僅起到說明功效的作用。
【具體實(shí)施方式】
[0020]下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0021]參閱圖1與圖2，本發(fā)明檢測(cè)方法的一個(gè)較佳實(shí)施例，適用于量測(cè)黏著于膠膜I上且已彼此劈裂的數(shù)個(gè)晶粒2，由于間距大小對(duì)晶粒的光性檢測(cè)數(shù)據(jù)影響較大，以下的檢測(cè)方法是以光性檢測(cè)為例進(jìn)行說明，需要進(jìn)行光性檢測(cè)的晶粒主要是應(yīng)用于LED等發(fā)光元件上。該檢測(cè)方法包含以下步驟:
[0022]首先，進(jìn)行一步驟101，針對(duì)晶粒2間距，提供一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)間距范圍，及一個(gè)大于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的臨界間距范圍。該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍及該臨界間距范圍可依據(jù)所用的晶粒類型、晶粒的用途或設(shè)計(jì)需求分別設(shè)定，并使標(biāo)準(zhǔn)間距范圍被涵蓋在臨界間距范圍內(nèi)。
[0023]再進(jìn)行一步驟100，量測(cè)并記錄所述晶粒2彼此間的間距。其中，步驟101與步驟100的順序不受限，即使互換，仍然能夠獲得預(yù)定的效果。
[0024]接續(xù)地，進(jìn)行一步驟200，依據(jù)該步驟100所測(cè)得的晶粒2彼此間的間距關(guān)系繪制成對(duì)應(yīng)圖面，以讓使用者可以觀看對(duì)應(yīng)圖面掌控檢測(cè)流程。
[0025]而后，進(jìn)行一步驟300，將所記錄的所述晶粒彼此間的間距分別與該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍及該臨界間距范圍進(jìn)行比較。
[0026]步驟400是依比較結(jié)果判斷是否對(duì)所述晶粒進(jìn)行檢測(cè)。在本實(shí)施例中，將出現(xiàn)兩種判斷結(jié)果，當(dāng)所述晶粒的間距超出該臨界間距范圍時(shí)，表示間距差異過大，進(jìn)行檢測(cè)將增加檢測(cè)時(shí)間而影響制程效率，此時(shí)將選擇進(jìn)行步驟401，對(duì)間距超出該臨界間距范圍的相鄰晶粒省略檢測(cè)。當(dāng)所述晶粒的間距未超出該臨界間距范圍時(shí)，則進(jìn)行步驟500，依序?qū)﹂g距符合檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)的所述晶粒進(jìn)行光性檢測(cè)。
[0027]步驟600，是依據(jù)步驟100所測(cè)得并記錄的所述晶粒2彼此間的間距，對(duì)步驟500所量測(cè)的所述晶粒2的光性檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行換算補(bǔ)正，以提高所述晶粒2檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確度。其中，換算補(bǔ)正主要依晶粒的類型或客戶設(shè)計(jì)需求不同而設(shè)定不同的補(bǔ)正因子。例如，可以設(shè)定對(duì)間距在該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的晶粒乘以100%的補(bǔ)正因子(相當(dāng)于不進(jìn)行補(bǔ)正)，對(duì)間距小于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍下限的晶粒乘以一數(shù)值大于100%的補(bǔ)正因子，并對(duì)間距大于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍上限的晶粒乘以一數(shù)值小于100%的補(bǔ)正因子。另外，也可以再將間距小于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍下限及大于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍上限的間距進(jìn)一步細(xì)分為不同的次間距范圍，并對(duì)每一個(gè)次間距范圍分別規(guī)定補(bǔ)正因子，通常距離該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍越遠(yuǎn)的次間距范圍所指定的補(bǔ)正因子與標(biāo)準(zhǔn)間距范圍內(nèi)所對(duì)應(yīng)的補(bǔ)正因子的差值也會(huì)越大。借由增加標(biāo)準(zhǔn)間距范圍外的次間距范圍的數(shù)目，可以再提升檢測(cè)數(shù)據(jù)的正確性等級(jí)，并能適用于對(duì)質(zhì)量要求更高的廣品的晶粒的檢測(cè)。
[0028]值得說明的是，步驟200可與步驟300結(jié)合，也就是在繪制所述晶粒2彼此間的間距關(guān)系的對(duì)應(yīng)圖面時(shí)，可依所述間距與該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍及該臨界間距范圍的比較結(jié)果，以不同的符號(hào)分別標(biāo)示間距在該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍內(nèi)的相鄰晶粒2、間距超過(包含大于上限與小于下限)該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的相鄰晶粒2，及間距超過該臨界間距范圍的相鄰晶粒2，借此，可依間距好(位于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍內(nèi)或接近該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍)或壞(超出該臨界間距范圍或遠(yuǎn)離該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍)，繪制成與間距好壞有關(guān)的對(duì)應(yīng)圖面，讓使用者可以再依據(jù)圖面快速地判定是否對(duì)特定晶粒2繼續(xù)后續(xù)的量測(cè)。
[0029]參閱圖2與圖3，其中圖3是根據(jù)步驟200與步驟300所述方式，針對(duì)一檢測(cè)區(qū)域10內(nèi)的晶粒2量測(cè)間距后，依所記錄的晶粒2的間距繪制的對(duì)應(yīng)圖面的一示意圖，該圓形的檢測(cè)區(qū)域10中的每一個(gè)檢測(cè)點(diǎn)2'分別對(duì)應(yīng)一個(gè)晶粒2，在圖3中雖然只是以灰階方式呈現(xiàn)所述檢測(cè)點(diǎn)2'，但實(shí)際繪制時(shí)是根據(jù)該檢測(cè)點(diǎn)2'所對(duì)應(yīng)的晶粒2與其相鄰晶粒2的間距范圍，而以不同顏色的彩色點(diǎn)標(biāo)示該檢測(cè)點(diǎn)2'，借此，使用者可根據(jù)所述檢測(cè)點(diǎn)2'的顏色，快速辨識(shí)出與該檢測(cè)點(diǎn)2，對(duì)應(yīng)的晶粒2與相鄰晶粒2之間的間距范圍，而能快速判斷是否對(duì)該晶粒2進(jìn)行檢測(cè)，而且進(jìn)行檢測(cè)后也能依顏色提供的區(qū)別效果而能較快速地對(duì)晶粒2的檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行相應(yīng)的換算補(bǔ)正，除了能獲得較正確的檢測(cè)結(jié)果外，也有助于快速完成檢測(cè)作業(yè)。另外，圖3中左側(cè)的長(zhǎng)條形圖標(biāo)主要以不同顏色的方格對(duì)應(yīng)不同間距范圍，并記錄了不同間距范圍分別對(duì)應(yīng)的晶粒數(shù)量，例如，第5個(gè)方格對(duì)應(yīng)間距范圍0.6?0.8μπι的晶粒2，其顏色為藍(lán)色，方格中的數(shù)字表示該間距范圍的晶粒2數(shù)量有20個(gè)，也就是說在該圓形的檢測(cè)區(qū)域10中的藍(lán)色檢測(cè)點(diǎn)2'所對(duì)應(yīng)的晶粒2與相鄰晶粒2的間距落在0.6?0.8 μ m的范圍，且量測(cè)結(jié)果顯示該檢測(cè)區(qū)域10中共有20個(gè)呈現(xiàn)該種藍(lán)色的檢測(cè)點(diǎn)2'，余此類推。當(dāng)然，本發(fā)明較佳實(shí)施例繪制的對(duì)應(yīng)圖面也可不以不同顏色的彩色點(diǎn)標(biāo)示檢測(cè)點(diǎn)，而以不同的符號(hào)標(biāo)示檢測(cè)點(diǎn)說明晶粒彼此間距關(guān)系，對(duì)應(yīng)圖面中晶粒的態(tài)樣不以本實(shí)施例為限。
[0030]需要補(bǔ)充說明的是，圖3中左側(cè)的長(zhǎng)條形圖標(biāo)是以間距范圍對(duì)應(yīng)不同顏色的方格來呈現(xiàn)分別對(duì)應(yīng)不同間距范圍的晶粒數(shù)量及其在檢測(cè)區(qū)域10中的分布情形，但實(shí)務(wù)上也可以直接以距離百分比或補(bǔ)正因子取代該間距范圍的標(biāo)示。例如，假設(shè)將間距2.4?
2.6 μ m設(shè)定為標(biāo)準(zhǔn)間距范圍時(shí)，可以經(jīng)由計(jì)算機(jī)程序的設(shè)計(jì)將該間距的標(biāo)示改為距離百分t匕，并將與2.4?2.6對(duì)應(yīng)的方格旁的2.4與2.6之?dāng)?shù)字標(biāo)示改為100，及將位于上方的「間距(ym)」的標(biāo)示改為「距離百分比(%)」，并以2.4?2.6之間距為100的基準(zhǔn)，運(yùn)算其他間距對(duì)應(yīng)的距離百分比數(shù)值并將此結(jié)果制成類似圖3的對(duì)應(yīng)圖，如此即可由該對(duì)應(yīng)圖看出距離百分比低于100或高于100的晶粒數(shù)量與其分布情形，此外，也可以通過計(jì)算機(jī)程序運(yùn)算對(duì)不同間距分別要求的補(bǔ)正因子，并以標(biāo)示補(bǔ)正因子的方式取代原來圖3中的間距標(biāo)示，如此即可看出搭配不同補(bǔ)正因子的晶粒數(shù)量與其分布情形，并快速得知該檢測(cè)區(qū)域10整體的補(bǔ)正幅度。
[0031]以下以一個(gè)具體例說明依據(jù)對(duì)特定類型的晶粒進(jìn)行間距量測(cè)，以及依所記錄的所述晶粒2間距進(jìn)行換算補(bǔ)正的情形:[0032]本具體例是針對(duì)一個(gè)產(chǎn)品編號(hào)為L(zhǎng)ED 1023的晶粒進(jìn)行檢測(cè)，該類型晶粒的平均尺寸大小為長(zhǎng)23 μ m，寬10 μ m。進(jìn)行檢測(cè)時(shí)依客戶需求設(shè)定的標(biāo)準(zhǔn)間距范圍為3?4 μ m，且所設(shè)定的臨界間距范圍為9 μ m，由于臨界間距范圍設(shè)定為9 μ m，因此，對(duì)超過間距范圍9μπι的晶粒省略檢測(cè)，只針對(duì)間距范圍g 9μπι的所述晶粒進(jìn)行換算補(bǔ)正，補(bǔ)正規(guī)則如下:
[0033](I)與相鄰晶粒的間距在標(biāo)準(zhǔn)間距范圍(3?4 μ m)的晶粒，不補(bǔ)正，其最終檢測(cè)數(shù)據(jù)為檢測(cè)原始值X 100%。
[0034](2)與相鄰晶粒的間距在O?3μπι的范圍內(nèi)的晶粒，其最終檢測(cè)數(shù)據(jù)為檢測(cè)原始值 X101%。
[0035](3)與相鄰晶粒的間距在4?6 μ m的范圍內(nèi)的晶粒，其最終檢測(cè)數(shù)據(jù)為檢測(cè)原始值 X 99%ο
[0036](4)與相鄰晶粒的間距在6?9 μ m的范圍內(nèi)的晶粒，其最終檢測(cè)數(shù)據(jù)為檢測(cè)原始值 X 98%ο
[0037]經(jīng)由上述的補(bǔ)正處理后，可以讓檢測(cè)過程中在相鄰晶粒干擾下測(cè)得的檢測(cè)原始值獲得補(bǔ)正，并能獲得較接近被檢測(cè)晶粒的真實(shí)性能的數(shù)據(jù)，正確地反應(yīng)所述晶粒的性能標(biāo)準(zhǔn)，進(jìn)而能夠?qū)ζ涮峁└_有效的應(yīng)用。
[0038]需要補(bǔ)充說明的是，可以依晶粒的類型不同，以及客戶所訂的規(guī)格標(biāo)準(zhǔn)與對(duì)準(zhǔn)確的檢測(cè)結(jié)果的要求，分別調(diào)整標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的補(bǔ)正因子的數(shù)值、每一補(bǔ)正因子所對(duì)應(yīng)間距范圍、標(biāo)準(zhǔn)間距范圍及臨界間距范圍等參數(shù)。因此，上述具體例當(dāng)用于不同晶?；虿煌瑧?yīng)用需求時(shí)，也有可能對(duì)與相鄰晶粒的間距在標(biāo)準(zhǔn)間距范圍內(nèi)的晶粒的原始檢測(cè)值乘以一大于100%的補(bǔ)正因子或乘以一小于100%的補(bǔ)正因子進(jìn)行補(bǔ)正，并對(duì)應(yīng)地調(diào)整其他間距范圍的補(bǔ)正值，而補(bǔ)正間距范圍的分組方式也可依實(shí)際需求調(diào)整，例如，也可分別針對(duì)間距在O?I μ m> I?2μηι、2?3μηι、...、8?9μηι的范圍分別設(shè)定不同的補(bǔ)正因子，以進(jìn)行更高規(guī)格的換算補(bǔ)正，對(duì)規(guī)格要求相對(duì)較低的產(chǎn)品，也可以只針對(duì)標(biāo)準(zhǔn)間距范圍、標(biāo)準(zhǔn)間距范圍下限與O之間、標(biāo)準(zhǔn)間距范圍上限與臨界間距之間的三組范圍分別設(shè)定相應(yīng)的補(bǔ)正因子，以在符合產(chǎn)品規(guī)格的條件下加快檢測(cè)效率。此外，臨界間距范圍的設(shè)定也不受限，以上述具體例來說，也可以設(shè)定6 μ m為臨界間距范圍，當(dāng)相鄰晶粒的間距大于6 μ m就省略檢測(cè)，當(dāng)然，也可以設(shè)定12 μ m為臨界間距范圍，并于相鄰晶粒的間距大于12 μ m時(shí)才省略檢測(cè)。
[0039]綜上所述，由于在進(jìn)行檢測(cè)之前，即先量測(cè)并記錄所述晶粒2彼此間的間距，作為晶粒是否檢測(cè)的標(biāo)準(zhǔn)。其后，在檢測(cè)時(shí)還能夠考慮相鄰晶粒2的間距，作為光性檢測(cè)結(jié)果的補(bǔ)正標(biāo)準(zhǔn)，因而能提高所述晶粒2檢測(cè)結(jié)果的準(zhǔn)確度，確實(shí)能達(dá)到本發(fā)明的目的。
[0040]以上所述者，僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)不能以此限定本發(fā)明實(shí)施的范圍，即凡依權(quán)利要求書及說明書內(nèi)容所作的簡(jiǎn)單的等效變化與修飾，皆仍屬本發(fā)明專利的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種檢測(cè)方法，適用于量測(cè)黏著于膠膜上且已彼此劈裂的數(shù)個(gè)晶粒，其特征在于:該檢測(cè)方法包含以下步驟: (A)提供一個(gè)針對(duì)晶粒間距的標(biāo)準(zhǔn)間距范圍，及一個(gè)大于該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的臨界間距范圍； (B)量測(cè)并記錄所述晶粒彼此間的間距； (C)將所記錄的所述晶粒彼此間的間距分別與該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍及該臨界間距范圍進(jìn)行比較；及 (D)依比較結(jié)果判斷是否對(duì)所述晶粒進(jìn)行檢測(cè)； 其中，步驟(A)與步驟(B)的順序可互換。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于:所述檢測(cè)方法還包含一個(gè)實(shí)施于該步驟(B)后的步驟(E)，在該步驟(E)中，是依據(jù)該步驟(B)所測(cè)得的晶粒彼此間的間距關(guān)系繪制出一個(gè)對(duì)應(yīng)圖面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于:所述檢測(cè)方法還包含一個(gè)實(shí)施于該步驟(D)后的步驟(F)，在該步驟(F)中，針對(duì)間距超過該臨界間距范圍的晶粒省略檢測(cè)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的檢測(cè)方法，其特征在于:所述檢測(cè)方法還包含一個(gè)實(shí)施于該步驟(D)后的步驟(G)，在該步驟(G)中，對(duì)間距未超出該臨界間距范圍的晶粒進(jìn)行檢測(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)方法，其特征在于:所述檢測(cè)方法還包含一個(gè)實(shí)施于該步驟(G)后的步驟(H)，在該步驟(H)中，根據(jù)已記錄的所述晶粒彼此間的間距，對(duì)間距超過該標(biāo)準(zhǔn)間距范圍的晶粒的檢測(cè)結(jié)果進(jìn)行換算補(bǔ)正。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)方法，其特征在于:該步驟(G)所進(jìn)行的檢測(cè)為光性檢測(cè)。
【文檔編號(hào)】H01L21/66GK103681394SQ201210352665
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2012年9月20日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月20日
【發(fā)明者】賴允晉, 徐秋田, 謝宜昇 申請(qǐng)人:惠特科技股份有限公司