專利名稱：配線基板、發(fā)光裝置、以及配線基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種配線基板、發(fā)光裝置、以及配線基板的制造方法。
背景技術(shù)：
以往，提出了各種發(fā)光裝置。發(fā)光裝置包括安裝在基板上的發(fā)光元件。日本特開2003-092011號公報記載了以往(Related Art)的發(fā)光裝置的例子。在該發(fā)光裝置中，在形成于金屬制基板的絕緣層上形成有配線圖形(wiring pattern),在該配線圖形上安裝有發(fā)光二極管(Light EmittingDiode LED)等發(fā)光元件。在上述發(fā)光裝置中，為了提高熱傳導(dǎo)性而較薄地形成基板。所以，發(fā)光裝置整體的剛性較小。因此，因熱收縮等而容易基板產(chǎn)生翹曲以及變形。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個形態(tài)提供一種配線基板，具備基板；第I絕緣層，形成在所述基板上；多個配線圖形，形成在所述第I絕緣層的第I面上；第2絕緣層，形成在所述第I絕緣層的第I面上，所述第2絕緣層覆蓋所述配線圖形，并且包括使相鄰的所述配線圖形的一部分作為焊盤露出的第I開口部；以及突出部，形成在比形成有所述第I開口部的區(qū)域更靠外側(cè)的所述基板的外側(cè)區(qū)域內(nèi)，并且從所述基板朝所述第I絕緣層沿厚度方向豎起。

基于本發(fā)明的一個形態(tài)，能夠提高配線基板的剛性。


圖1A是表示第I實施方式的配線基板的概略俯視圖。圖1B是沿圖1A的A-A線的配線基板的概略剖視圖。圖1C是圖1B所示的配線基板的局部放大剖視圖。圖2是表示圖1B所示的配線圖形以及金屬層的概略俯視圖。圖3A是概略俯視圖，其表示具備圖1A的配線基板的發(fā)光裝置。圖3B是沿圖3A的B-B線的發(fā)光裝置的概略剖視圖。圖4A是概略俯視圖，其表示圖1A的配線基板在制造過程中的狀態(tài)。圖4B是概略剖視圖，其表示圖1A的配線基板在制造過程中的狀態(tài)。圖5A以及圖5B是概略剖視圖，分別表示圖1A的配線基板在制造過程中的狀態(tài)。圖5C是概略俯視圖，其表示圖1A的配線基板在制造過程中的狀態(tài)。圖6A 圖6C是概略剖視圖，分別表示圖1A的配線基板在制造過程中的狀態(tài)。圖6D是概略俯視圖，其表示圖1A的配線基板在制造過程中的狀態(tài)。圖7A 圖7C是概略剖視圖，分別表示圖1A的配線基板在制造過程中的狀態(tài)。圖8A以及圖8B是概略剖視圖，分別表示圖3A的發(fā)光裝置在制造過程中的狀態(tài)。圖9A是表示第2實施方式的配線基板的概略剖視圖。圖9B是表示圖9A的配線基板的概略俯視圖。
圖1OA以及圖1OB是概略剖視圖，分別表示圖9A的配線基板在制造過程中的狀態(tài)。圖1OC是概略俯視圖，其表示圖9A的配線基板在制造過程中的狀態(tài)。圖1lA是表示第3實施方式的配線基板的概略俯視圖。圖1lB是沿圖1lA的D-D線的配線基板的概略剖視圖。圖12A 圖12E是概略剖視圖，分別表示圖1lA的配線基板在制造過程中的狀態(tài)。圖13A 圖13F是表示變形例的配線基板的概略俯視圖，這些圖省略了對最外層的絕緣層的圖示。圖14是表示變形例的配線基板的概略剖視圖。圖15A是表示發(fā)光裝置的安裝例的概略剖視圖。圖15B是表示發(fā)光裝置的安裝例的概略俯視圖。圖16是表示發(fā)光裝置的安裝 例的概略剖視圖。
具體實施例方式以下，參照附圖，對實施方式進(jìn)行說明。為了便于理解特征，在附圖中，為方便起見有時會將特征的部分放大顯示，各個構(gòu)成要素的尺寸比例等可能與實際不同。另外，為了便于理解各個部件的截面構(gòu)造，在剖視圖中，省略了一部分絕緣層的剖線(hatching)。(第I實施方式)以下，參照圖1 圖8，對第I實施方式進(jìn)行說明。(配線基板的構(gòu)造)如圖1B所示，配線基板I包括基板10 ;絕緣層20，覆蓋基板10的第I面Pl ;配線圖形30，形成在絕緣層20上；金屬層40，形成在配線圖形30的一部分上；以及絕緣層50，覆蓋配線圖形30。該配線基板I被適用于例如發(fā)光裝置。絕緣層20為第I絕緣層的一個例子，絕緣層50為第2絕緣層的一個例子。例如，俯視來看，基板10為大致矩形的薄板。作為基板10的材料，可以使用例如銅(Cu)、鋁(Al)、鐵(Fe)等熱傳導(dǎo)性良好的金屬、或者包含Cu、Al、Fe中的至少一種的合金?；?0的厚度可以設(shè)為例如0.1mm 0. 4mm的程度。絕緣層20覆蓋基板10的整個第I面P1。作為絕緣層20的材料，可以使用例如聚酰亞胺類樹脂或環(huán)氧類樹脂等絕緣性樹脂、或者在環(huán)氧類樹脂中混入了二氧化硅(si I ica)或氧化招(alumina)等填料(filler)的樹脂材料。絕緣層20的厚度可以設(shè)為例如15 y m 50 u m的程度。配線圖形30形成在絕緣層20的第I面Rl上。如圖2所示，配線圖形30整體地覆蓋絕緣層20的第I面Rl的中央部。例如，多個(在圖2中，為5個)配線圖形30被配置為平行地相鄰。例如，各個配線圖形30形成為帶狀。然后，在相鄰的配線圖形30之間，形成有使下層的絕緣層20露出的槽狀的開口部30X。通過該開口部30X，多個配線圖形30相互分開。另外，作為配線圖形30的材料，可以使用例如銅或者銅合金。配線圖形30的厚度可以設(shè)為例如15 ii m 150 ii m的程度。如圖1B所示，絕緣層50以將配線圖形30的一部分覆蓋的形式形成在絕緣層20的第I面Rl上。在該絕緣層50上形成有使配線圖形30的一部分作為安裝區(qū)域CA露出的開口部50X、和使配線圖形30的一部分作為電極端子60露出的開口部50Y。在從這些開口部50X、50Y露出的配線圖形30上形成有金屬層40。作為金屬層40的例子，可以舉出銀(Ag)層、鎳(Ni)/金(Au)層(由下向上以Ni層、Au層的順序?qū)盈B的金屬層)、Ni/Ag層(由下向上以Ni層、Ag層的順序?qū)盈B的金屬層)、以及Ni/鈀(Pd) /Au層(由下向上以Ni層、Pd層、Au層的順序?qū)盈B的金屬層)等。另外，作為金屬層40的例子，還可以舉出Ni/Pd/Ag層(由下向上以Ni層、Pd層、Ag層的順序?qū)盈B的金屬層)、或者Ni/Pd/Ag/Au層(由下向上以Ni層、Pd層、Ag層、Au層的順序?qū)盈B的金屬層)等。如圖1A所示，上述開口部50X、50Y的平面形狀例如為圓形。開口部50Χ呈矩陣狀(在圖1A中，為4X4)地形成在絕緣層20上。換句話說，由開口部50Χ劃分出的安裝區(qū)域CA呈矩陣狀地排列在絕緣層20上。2個形成在配線圖形30上的金屬層40，從與所述安裝區(qū)域CA對應(yīng)的開口部50Χ露出，被槽狀的開口部30Χ分開。另外，從開口部50Χ露出的金屬層40起到焊盤的作用。開口部50Υ形成在配線圖形30的、比開口部50Χ(即安裝區(qū)域CA)更靠外側(cè)的位置上。如圖2所示，從開口部50Υ露出的金屬層40 (即電極端子60)形成在，5個配線圖形30中配置在最外側(cè)的2個配線圖形30上的、比與安裝區(qū)域CA對應(yīng)的金屬層40更靠外側(cè)的位置上。從外部的電源經(jīng)由例如供電電纜(圖示略)向該電極端子60供電。圖1A所示的絕緣層50具有高反射率。例如，絕緣層50在450nm 700nm的波長范圍內(nèi)具有50%以上(優(yōu)選為80%以上)的反射率。這樣的絕緣層50也稱為白色抗蝕層。作為絕緣層50的材料，可以使用例如白色的絕緣性樹脂。作為白色的絕緣性樹脂，可以使用例如在環(huán)氧類樹脂或者有機(jī)聚硅氧烷類樹脂中混入了白色的氧化鈦等填料的樹脂材料、或者含有TiO2或者BaSO4等白色顏料的樹脂材料。通過用絕緣層50 (白色抗蝕層)覆蓋配線基板I的最表面，來保護(hù)配線圖形30。進(jìn)一步，絕緣層50 (白色抗蝕層)將安裝在配線基板I上的發(fā)光元件發(fā)出的光的反射率提高，從而降低發(fā)光元件的光量損失。另外，在配線基板I上形成有向絕緣層50的上表面50A的法線方向突出的多個突出部70。多個突出部70形成在，比形成有安裝區(qū)域CA的區(qū)域更靠外側(cè)的區(qū)域內(nèi)、即基板10的外周區(qū)域內(nèi)。在第I實 施方式中，多個突出部70沿著對基板10的外形進(jìn)行劃分的4邊的各邊排列。各個突出部70的平面形狀例如為圓形。如圖1B所示，各個突出部70形成為，基板10與層疊在該基板10上的絕緣層20、50 —起向配線基板I的厚度方向豎起。因此，各個突出部70包括基板10的豎起部分，在基板10的預(yù)定位置朝絕緣層20沿厚度方向豎起；以及絕緣層20、50的豎起部分，這些豎起部分基于該基板10的豎起部分沿厚度方向豎起。如圖1C所示，各個突出部70的內(nèi)頂面Tl相當(dāng)于基板10的豎起部分的下表面。所述內(nèi)頂面Tl的直徑Φ I可以設(shè)為例如O. 6mm O. 7mm的程度。另外，從突出部70的底面BI起至內(nèi)頂面Tl為止的高度Hl可以設(shè)為例如O. 3mm O. 4mm的程度。這時，可以將由突出部70的底面BI與突出部70的內(nèi)側(cè)壁I I形成的角度Θ I設(shè)為60度 70度的程度。另外，基板10的外周區(qū)域為，位于比形成有第I開口部的區(qū)域更靠外側(cè)的基板的外側(cè)區(qū)域的一個例子。(發(fā)光裝置的構(gòu)造)接著，對發(fā)光裝置2的構(gòu)造進(jìn)行說明。如圖3B所示，發(fā)光裝置2包括上述配線基板I ;多個(在圖3A中，為16個)發(fā)光元件80，安裝在該配線基板I上；以及封裝樹脂85，對發(fā)光元件80等進(jìn)行封裝。另外，在圖3A中，省略了對封裝樹脂85的圖示。如圖3A所示，各個發(fā)光元件80被安裝在配線基板I的各個安裝區(qū)域CA內(nèi)。例如，各個發(fā)光元件80被安裝在，配置于各個安裝區(qū)域CA內(nèi)的2個金屬層40中的一個上。各個發(fā)光元件80具有2個電極(圖示略)，一個電極經(jīng)由接合線(bonding wire) 81與安裝區(qū)域CA內(nèi)的一個金屬層40電氣連接，另一個電極經(jīng)由接合線81與安裝區(qū)域CA內(nèi)的另一個金屬層40電氣連接。由此，發(fā)光元件80的2個電極經(jīng)由接合線81以及金屬層40與配線圖形30(參照圖3B)電氣連接。通過這樣的連接，在第I實施方式的發(fā)光裝置2中，在2個電極端子60之間串聯(lián)連接有4個發(fā)光元件80，并且4組所述串聯(lián)連接的發(fā)光元件80并排連接。然后，從外部的電源(圖示略)經(jīng)由電極端子60和配線圖形30向這些發(fā)光元件80供電而使其發(fā)光。作為上述發(fā)光元件80,可以使用例如發(fā)光二極管(Light EmittingDiode LED)或者垂直腔面發(fā)射體激光器(Vertical Cavity SurfaceEmitting Laser :VCSEL)。作為接合線81,可以使用例如Au金屬線、Al金屬線、以及Cu金屬線等。如圖3B所示，封裝樹脂85以對發(fā)光元件80、以及接合線81進(jìn)行封裝的形式被設(shè)置在配線基板I的上表面。作為該封裝樹脂85的材料，可以使用例如在硅酮樹脂(siliconeresin)中混入了熒光體的樹脂材料。通過將這種混入了熒光體的樹脂材料形成在發(fā)光元件80上，可以使用發(fā)光元件80發(fā)光與熒光體發(fā)光的混合色。由此，能夠以多種形式控制發(fā)光裝置2的發(fā)光顏色。在上述構(gòu)成的配線基板I中，在配線基板I的外周區(qū)域內(nèi)形成有，基板10和層疊在該基板10上的絕緣層20、50沿厚度方向豎起的突出部70。由此，通過基板10以及絕緣層20、50的豎起部分可提高整個配線基板I的截面高度。因此，能夠提高配線基板I的剛性。(配線基板的制造方法)接著，參照圖4 圖7，對上述配線基板I的制造方法進(jìn)行說明。另外，圖4A、圖5C以及圖6D是概略俯視圖，分別示出了配線基板在制造過程中的狀態(tài)。另外，圖4B、圖5A、圖5B、圖6A 圖6C、以及圖7A、圖7B是概略剖視圖，分別示出了沿圖4A的C-C線的配線基板在制造過程中的狀態(tài)。圖7C是沿圖1A的A-A線的配線基板的概略剖視圖。首先，如圖4A所示，為了制造配線基板1，準(zhǔn)備多件同時加工基板(以下，稱為“基板”。)10A?；錓OA包括多個(在圖4A中，為3個)配線基板形成區(qū)域Cl。在各個配線基板形成區(qū)域Cl上形成有與配線基板I對應(yīng)的構(gòu)造體。然后，基板IOA被切割刀片沿著切割位置Dl切斷，從而與配線基板I對應(yīng)的構(gòu)造體被單個化。其結(jié)果，用基板IOA可制造多個配線基板I。這時，在各個配線基板I中，基板IOA作為圖1A以及圖1B所示的基板10而被設(shè)置。如上所述，作為基板IOA(基板10)的材料，可以使用例如銅、鋁、鐵等熱傳導(dǎo)性良好的金屬或者包含這些金屬中的至少一種的合金。接著，在圖4B所示的工序中，以將基板IOA的整個第I面Pl覆蓋的形式形成絕緣層20A。接著，以將絕緣層20A的整個第I面Rl覆蓋的形式形成金屬箔、例如銅箔30A。這時，例如，也可以將絕緣層20A(樹脂基板)的一面粘附有銅箔30A的單面覆銅箔基板粘合在基板IOA上。另外，絕緣層20 A最終在切割位置Dl被切斷，起到圖1A以及圖1B所示的絕緣層20的作用。接著，在圖5A所示的工序中，在銅箔30A的上表面形成有抗蝕層90，該抗蝕層90在預(yù)定的部位具有開口部90X。該抗蝕層90在與所需的配線圖形30以及用于電鍍供電的供電線(feed line)31、32(參照圖5C)對應(yīng)的位置上，對銅箔30A進(jìn)行覆蓋。作為抗蝕層90的材料,可以使用感光性的干膜抗蝕劑(dry film resist)或者液狀光致抗蝕劑(例如線型酹醒樹脂(novolak resin)或丙烯酸類樹脂等的干膜抗蝕劑或者液狀抗蝕劑)。例如，在使用感光性的干膜抗蝕劑的情況下，以熱壓接(thermocompressionbonding)的方式將干膜(dry film)層疊在銅箔30A的上表面，并且以曝光 顯影的方式對該干膜進(jìn)行圖形印刻(patterning),由此形成上述抗蝕層90。另外，即使在使用液狀光致抗蝕劑的情況下,也可以通過相同的工序來形成抗蝕層90。接著，在圖5B所示的工序中，將圖5A所示的抗蝕層90作為蝕刻掩膜(etchingmask),對銅箔30A進(jìn)行蝕刻(etching),從而將銅箔30A印刻成預(yù)定形狀。由此,如圖5C所示，在絕緣層20A的第I面Rl上形成有所需的配線圖形30、以及供電線31、32。這時，在第I實施方式中形成有并列設(shè)置的多個帶狀的配線圖形30、在比配線基板形成區(qū)域Cl更靠外側(cè)的區(qū)域內(nèi)形成為框狀的供電線31、以及將該供電線31和配線圖形30電氣連接的供電線32。由此，所有的配線圖形30通過供電線31、32被電氣連接。在以下的說明中，將配線圖形30、以及供電線31、32合稱為配線層33。另外，在上述銅箔30A的圖形印刻結(jié)束之后，用例如堿性剝離液來去除圖5A所示的抗蝕層90。接著，在圖6A所示的工序中，在絕緣層20A的第I面Rl上形成有抗蝕層91，該抗蝕層91在預(yù)定的部位具有開口部91X、91Y。該開口部91Χ在與安裝區(qū)域CA (參照圖1A以及圖1Β)對應(yīng)的位置上，使配線圖形30以及絕緣層20Α露出。另外，開口部91Υ在與電極端子60 (參照圖1A以及圖1Β)對應(yīng)的位置上，使配線圖形30露出。作為抗蝕層91的材料，可以使用感光性的干膜抗蝕劑或者液狀光致抗蝕劑(photo resist)(例如,線型酹醒樹脂或丙烯酸類樹脂等的干膜抗蝕劑或者液狀抗蝕劑)等。例如，在使用感光性的干膜抗蝕劑的情況下，以熱壓接的方式將干膜層疊在絕緣層20A的上表面，并且以曝光 顯影的方式對該干膜進(jìn)行圖形印刻，由此形成上述抗蝕層91。另外，即使在使用液狀光致抗蝕劑的情況下,也可以通過相同的工序來形成抗蝕層91。接著，在圖6B所示的工序中，通過將上述抗蝕層91作為電鍍掩模且將配線層33作為電鍍供電層的電鍍法，對配線圖形30的表面(上表面以及側(cè)面)進(jìn)行電鍍。其結(jié)果，從抗蝕層91的開口部91X露出的配線圖形30的上表面以及側(cè)面被電鍍，由此形成有將與安裝區(qū)域CA相對應(yīng)的配線圖形30覆蓋的金屬層40。另外，通過電鍍，在從抗蝕層91的開口部91Y露出的配線圖形30的上表面也形成有金屬層40。由此，由金屬層40形成電極端子60。另外，例如，在金屬層40為Ni/Au層的情況下，通過電鍍法，將Ni層和Au層由下向上地層疊在從抗蝕層91的開口部91X、91Y露出的配線圖形30的表面上。接著，在圖6C所示的工序中，用例如堿性剝離液來去除圖6Β所示的抗蝕層91。接著，在圖6D所示的工序中，去除圖5C所示的供電線32。例如，在絕緣層20Α上形成只使供電線32露出的抗蝕層(圖示略)。然后，將該抗蝕層作為蝕刻掩膜，對配線層33進(jìn)行蝕刻，從而將供電線32去除。另外， 在本工序中，也可以同時去除供電線32和供電線31。
接著，在圖7A所示的工序中，在絕緣層20A上以及配線圖形30上均形成有絕緣層50。該絕緣層50包括使安裝區(qū)域CA(金屬層40)以及電極端子60 (金屬層40)分別露出的開口部50X、50Y。該絕緣層50可通過例如糊樹脂的網(wǎng)板印刷法來形成。另外，在使用感光性的絕緣樹脂作為絕緣層50的材料的情況下，以將絕緣層20A的第I面R1、配線圖形30、金屬層40、以及供電線31覆蓋的形式來形成用于絕緣層50的抗蝕層。然后，用光刻法對該抗蝕層進(jìn)行曝光 顯影，由此形成包含上述開口部50X、50Y在內(nèi)的絕緣層50。通過形成上述絕緣層50，配線圖形30上的金屬層40作為安裝區(qū)域CA從開口部50X露出。因此，在形成絕緣層50之后，為了提高連接性，不須在配線圖形30上進(jìn)行電鍍。由此，能夠抑制在形成上述金屬層40時所使用的電鍍液的劣化。詳細(xì)地講，在形成絕緣層50之后，通過電鍍法(電鍍法或者無電解鍍層法)對從開口部50X露出的配線圖形30進(jìn)行電鍍時，絕緣層50所含的樹脂材料等在電鍍液中產(chǎn)生偏析。所以，有可能引起電鍍液的劣化以及因該電鍍液的劣化而造成液體壽命的縮短。對此，基于本實施方式的制造方法，在實施電鍍法時，不形成絕緣層50。因此，由于能夠抑制上述的電鍍液的劣化，所以能夠抑制電鍍液的液體壽命的縮短。接著，在圖7B所示的工序中，在各個配線基板形成區(qū)域Cl內(nèi)的、外周區(qū)域內(nèi)形成多個突出部70。這些突出部70可以通過例如拉深加工等沖壓加工而形成。例如，在通過拉深加工來形成突出部70的情況下，將圖7A所示的構(gòu)造體插入到按壓部件和沖模(die)之間。然后，通過從基板IOA的第2面P2(下表面)對該基板IOA的預(yù)定部分進(jìn)行按壓，將基板IOA以及形成在基板IOA上的絕緣層20A、50豎起，從而形成上述突出部70。通過以上的制造工序，在各個配線基板形成區(qū)域Cl內(nèi)形成有相當(dāng)于配線基板I的構(gòu)造體。接著，在圖7C所示的工序中，沿著切割位置Dl對圖7B所示的構(gòu)造體進(jìn)行切斷。由此，配線基板I被單個化，從而可制造多個配線基板I。另外，通過該切斷，圖6D所示的供電線31被從配線基板I上去除。

(發(fā)光裝置的制造方法)接著，參照圖8A以及圖SB，對發(fā)光裝置2的制造方法進(jìn)行說明。另外，圖8A以及圖8B為概略剖視圖，分別示出了沿圖3A的B-B線的發(fā)光裝置2在制造過程中的狀態(tài)。在圖8A所示的工序中，用粘合劑(圖示略)將發(fā)光元件80搭載在，形成于上述配線基板I的各個安裝區(qū)域CA內(nèi)的金屬層40上。然后，用接合線81將發(fā)光元件80的電極和金屬層40連接，從而將發(fā)光元件80和配線圖形30電氣連接。這時，用接合線81將發(fā)光元件80的一方的電極與安裝區(qū)域CA內(nèi)的一方的金屬層40電氣連接，并且用接合線81將發(fā)光元件80的另一方的電極與安裝區(qū)域CA內(nèi)的另一方的金屬層40電氣連接。接著，在圖SB所示的工序中，形成對安裝在配線基板I上的多個發(fā)光元件80以及接合線81進(jìn)行封裝的封裝樹脂85。例如，在使用具有熱固性的樹脂作為封裝樹脂85的情況下，將圖8A所示的構(gòu)造體收容在模具內(nèi)。然后，在模具內(nèi)施加壓力(例如，5MPa lOMPa)，將流態(tài)化的樹脂導(dǎo)入。然后，以例如180°C左右的溫度對樹脂進(jìn)行加熱使其固化，由此形成封裝樹脂85。另外，封裝樹脂85也可以通過灌注液狀的樹脂而形成。通過以上的制造工序，可制造圖3A以及圖3B所示的發(fā)光裝置2。基于第I實施方式，具有以下的優(yōu)點。
(I)在配線基板I的外周區(qū)域內(nèi)，將基板10以及層疊在基板10上的絕緣層20、50沿厚度方向豎起，從而形成了突出部70。由此，通過基板10以及絕緣層20、50的豎起部分可提高整個配線基板I的截面高度。所以，能夠提高配線基板I的剛性。因此，能夠適宜地抑制伴隨熱收縮等而使配線基板I產(chǎn)生翹曲或者變形。(2)即使較薄地形成基板10，也可以通過形成上述突出部70來提高配線基板I的剛性。換句話說，不僅能夠提高配線基板I的剛性，而且能夠較薄地形成基板10。由此，通過薄的基板10可以獲得較高的熱傳導(dǎo)性。在此，發(fā)光元件80 (發(fā)光二極管)的發(fā)光效率會有伴隨其溫度上升而下降的趨勢。因此，通過基板10有效地放出從發(fā)光元件80產(chǎn)生的熱量，從而能夠適宜地抑制發(fā)光元件80發(fā)光效率的下降。進(jìn)一步，通過使用薄的基板10，可以使用卷對卷(Roll to Roll)的方式制造。例如，在圖4A、圖4B以及圖5A 圖5C所示的制造工序中，可以使用卷對卷的方式進(jìn)行制造。由此，能夠提高生產(chǎn)性。(3)通過電鍍法在配線圖形30上形成了金屬層40之后，再形成包含使該金屬層40露出的開口部50X、50Y在內(nèi)的絕緣層50。在這種情況下，在通過電鍍法形成金屬層40時，不形成絕緣層50。所以，可以防止因絕緣層50的存在而使電鍍液劣化于未然。由此，能夠延長電鍍液的液體壽命，從而能夠繼續(xù)使用該電鍍液。其結(jié)果，能夠有助于降低成本。(4)通過電鍍法，形成了金屬層40。由此，與通過無電解鍍層法來形成金屬層40的情況相比，能夠更加降低制 造成本。(第2實施方式)以下，參照圖9Α、圖9Β、以及圖1OA 圖10C，對第2實施方式進(jìn)行說明。以下，以與第I實施方式的不同點為中心加以說明。在此，圖9Α是表示第2實施方式的配線基板IA的概略剖視圖，圖9Β是配線基板IA的概略俯視圖，該圖省略了對最外層的絕緣層50的圖示。另外，對與之前的圖1 圖8所示的部件相同的部件附上相同的符號來表示，而省略上述各個要素的詳細(xì)說明。(配線基板的構(gòu)造)如圖9Β所示，在絕緣層20的第I面Rl的外周區(qū)域形成有加強(qiáng)層34。該加強(qiáng)層34沿著基板10的外形而形成為框狀。作為加強(qiáng)層34的材料，可以使用與配線圖形30相同的材料。也就是說，作為加強(qiáng)層34的材料，可以使用例如銅或者銅合金。另外，加強(qiáng)層34的厚度可以設(shè)為例如15 μ m 150 μ m的程度。如圖9A所示,絕緣層50形成在絕緣層20的第I面Rl上。該絕緣層50覆蓋除了安裝區(qū)域CA及電極端子60以外的部分的配線圖形30、以及加強(qiáng)層34的上表面以及側(cè)面。在配線基板IA上形成有向配線基板IA的最表面、即絕緣層50的上表面50A的法線方向突出的多個突出部71。多個突出部71形成在基板10的外周區(qū)域內(nèi)。在第2實施方式中，突出部71形成在基板10的外周區(qū)域內(nèi)的、形成有加強(qiáng)層34的區(qū)域內(nèi)。各個突出部71形成為，基板10與層疊在該基板10上的絕緣層20、加強(qiáng)層34、以及絕緣層50 —起沿配線基板IA的厚度方向豎起。因此，各個突出部71包括基板10的豎起部分，在基板10的預(yù)定位置朝絕緣層20沿厚度方向豎起；以及絕緣層20、50的豎起部分和加強(qiáng)層34的豎起部分，這些豎起部分基于該基板10的豎起部分分別沿厚度方向豎起。另外，各個突出部71的平面形狀以及尺寸可以形成為與突出部70相同的形式。
(配線基板的制造方法)接著，對上述配線基板IA的制造方法進(jìn)行說明。該配線基板IA可以通過與之前的圖4 圖7所說明的配線基板I的制造方法大致相同的方法來制造。不過，由于在圖5A 圖5C所說明的配線層形成工序中，所形成的配線層的圖形有所不同，所以對該不同點進(jìn)行說明。也就是說，在第2實施方式中，為了代替圖5A 圖5C的制造工序，實施如下所述的圖1OA 圖1OC的制造工序。在圖1OA所示的工序中，在銅箔30A的上表面形成有抗蝕層92，該抗蝕層92在預(yù)定的部位具有開口部92X。該抗蝕層92在與所需的配線圖形30、加強(qiáng)層34、以及用于電鍍供電的供電線31、32A、32B(參照圖10C)對應(yīng)的位置上，對銅箔30A進(jìn)行覆蓋。作為抗蝕層92的材料，可以使用感光性的干膜抗蝕劑或者液狀光致抗蝕劑(例如線型酚醛樹脂或丙烯酸類樹脂等的干膜抗蝕劑或者液狀抗蝕劑)。例如，在使用感光性的干膜抗蝕劑的情況下，以熱壓接的方式將干膜層疊在銅箔30A的上表面，并且以曝光 顯影的方式對該干膜進(jìn)行圖形印刻，由此形成上述抗蝕層92。另外，即使在使用液狀光致抗蝕劑的情況下，也可以通過相同的工序來形成抗蝕層92。接著，在圖1OB所示的工序中，將抗蝕層92作為蝕刻掩膜，對銅箔30A進(jìn)行蝕刻，由此將銅箔30A印刻成預(yù)定形狀。由此，如圖1OC所示，在絕緣層20A的第I面Rl上形成有包含所需個數(shù)的配線圖形30、加強(qiáng)層34、以及供電線31、32A、32B在內(nèi)的配線層33。在第2實施方式中形成有多個配線圖形30、沿著配線基板形成區(qū)域Cl的外形而形成的加強(qiáng)層34、在比配線基板形成區(qū)域Cl更靠外側(cè)的區(qū)域內(nèi)形成為框狀的供電線31、將該供電線31和加強(qiáng)層34電氣連接的供電線32A、以及將加強(qiáng)層34和配線圖形30電氣連接的供電線32B。由此，所有的配線圖形30通過加強(qiáng)層34以及供電線31、32A、32B被電氣連接。另外，在上述銅箔30A的圖形印刻結(jié)束之后， 用例如堿性剝離液來去除圖1OC所示的抗蝕層92。然后，用與圖6A 圖6D以及圖7A 圖7C相同的制造工序來制造配線基板1A。不過，在圖6D所示的供電線的去除工序中，上述供電線32A、32B通過蝕刻被去除?；诘?實施方式，除了具有第I實施方式的⑴ ⑷的優(yōu)點以外，還具有以下的優(yōu)點。(5)在形成有突出部71的區(qū)域內(nèi)形成了加強(qiáng)層34。由此，能夠進(jìn)一步提高整個配線基板I的截面高度，從而能夠進(jìn)一步提高配線基板I的剛性。因此，能夠適宜地抑制伴隨熱收縮等而使配線基板I產(chǎn)生翹曲或者變形。(6)配線圖形30和加強(qiáng)層34被同時形成。例如，在第2實施方式中，通過對銅箔30A施行圖1OB所述的蝕刻工序，可同時形成配線圖形30和加強(qiáng)層34。由此，能夠適宜地抑制伴隨追加形成加強(qiáng)層34而使制造工序數(shù)增加。(第3實施方式)以下，參照圖11A、圖11B、以及圖12A 圖12E，對第3實施方式進(jìn)行說明。以下，以與第2實施方式的不同點為中心加以說明。另外，對與之前的圖1 圖10所示的部件相同的部件附上相同的符號來表示，而省略上述各個要素的詳細(xì)說明。(配線基板的構(gòu)造)如圖1lB所示，在第3實施方式的配線基板IB中，在絕緣層20的第I面Rl的外周區(qū)域內(nèi)形成有加強(qiáng)層34。以將該加強(qiáng)層34的上表面以及側(cè)面覆蓋的形式形成有金屬層41。如圖1lA所示，金屬層41沿著基板10的外形而形成為框狀。作為金屬層41的例子，可以舉出Ag層、Ni/Ag層(由下向上以Ni層、Ag層的順序?qū)盈B的金屬層)、以及Ni/Pd/Ag層(由下向上以Ni層、Pd層、Ag層的順序?qū)盈B的金屬層)等。也就是說，優(yōu)選地，金屬層41包括由銀(Ag)等光反射率高的金屬或者含該金屬的合金形成的金屬層來作為該金屬層的最外層(最表層)。進(jìn)一步，作為金屬層41的最外層的材料，優(yōu)選為反射率等于或大于絕緣層50的金屬或者金屬合金。在此，形成在配線圖形30上的金屬層40也可以為與金屬層41相同的層構(gòu)成，或者也可以為不同于金屬層41的層構(gòu)成。在第3實施方式中，金屬層40以及金屬層41兩者均為Ag層。金屬層41為第I金屬層的一個例子，金屬層40為第2金屬層的一個例子。絕緣層50以將配線圖形30的一部分覆蓋的形式被形成在絕緣層20的第I面Rl上。該絕緣層50除了開口部50X、50Y還包括使上述金屬層41露出的開口部50Z。所以，配線基板IB的最表面露出光反射率高的金屬層41。開口部50X為第I開口部的一個例子,開口部50Z為第2開口部的一個例子。在配線基板IB上形成有比配線基板IB的最表面(即絕緣層50的上表面50A)更加突出的多個突出部72。多個突出部72形成在基板10的外周區(qū)域內(nèi)。在第3實施方式中，多個突出部72形成在基板10的外周區(qū)域內(nèi)的、形成有加強(qiáng)層34以及金屬層41的區(qū)域內(nèi)。各個突出部72形成為，基板10與層疊在該基板10上的絕緣層20、加強(qiáng)層34、以及金屬層41沿配線基板IB的厚度方向豎起。因此，各個突出部72包括基板10的豎起部分，在基板10的預(yù)定位置朝絕緣層20沿厚度方向豎起；以及絕緣層20的豎起部分、加強(qiáng)層34的豎起部分、和金屬層41的豎起部分，這些豎起部分基于該基板10的豎起部分分別沿厚度方向豎起。另外，各個突出部72的平面形狀以及尺寸可以形成為與突出部70相同的形式。(配線基板的制造方法)接著，對上述配線基板IB的制造方法進(jìn)行說明。通過之前的圖1OA IOC所說明的制造工序，在絕緣層20 A上形成了配線圖形30、供電線31、32A、32B以及加強(qiáng)層34之后，實施以下的制造工序。在圖12A所示的工序中，在絕緣層20A的第I面Rl上形成有抗蝕層93。該抗蝕層93在預(yù)定的部位具有開口部93X、93Y、93Z。該開口部93X在與安裝區(qū)域CA (參照圖11A、圖11B)對應(yīng)的位置上，使配線圖形30以及絕緣層20A露出。開口部93Y在與電極端子60 (參照圖11A、圖11B)對應(yīng)的位置上，使配線圖形30露出。開口部93Z使加強(qiáng)層34露出。作為抗蝕層93的材料，可以使用感光性的干膜抗蝕劑或者液狀光致抗蝕劑(例如線型酚醛樹脂或丙烯酸類樹脂等的干膜抗蝕劑或者液狀抗蝕劑)。例如，在使用感光性的干膜抗蝕劑的情況下，以熱壓接的方式將干膜層疊在絕緣層20A的上表面，并且以曝光 顯影的方式對該干膜進(jìn)行圖形印刻，由此形成上述抗蝕層93。另外，即使在使用液狀光致抗蝕劑的情況下，也可以通過相同的工序來形成抗蝕層93。接著，在圖12B所示的工序中，通過將抗蝕層93作為電鍍掩模且將配線圖形30以及加強(qiáng)層34作為電鍍供電層的電鍍法，對配線圖形30以及加強(qiáng)層34的表面(上表面以及側(cè)面)進(jìn)行電鍍。其結(jié)果，從抗蝕層93的開口部93X露出的配線圖形30的上表面以及側(cè)面被電鍍，由此在與安裝區(qū)域CA相對應(yīng)的配線圖形30上形成有金屬層40 (在此，為Ag層)。另外，通過電鍍，在從抗蝕層93的開口部93Y露出的配線圖形30的上表面也形成有金屬層40(在此，為Ag層)。由此，由金屬層40形成電極端子60。進(jìn)一步，從抗蝕層93的開口部93Z露出的加強(qiáng)層34的上表面以及側(cè)面被電鍍，從而形成覆蓋加強(qiáng)層34的金屬層41 (在此，為Ag層)。由此，沿著配線基板形成區(qū)域Cl的外形而形成框狀的金屬層41。然后，用例如堿性剝離液來去除抗蝕層93，并且以蝕刻的方式去除供電線32A、32B(參照圖10C)。由此，配線圖形30與加強(qiáng)層34電氣分離，且各個配線圖形30也電氣分離。接著，在圖12C所示的工序中，在絕緣層20A上以及配線圖形30上均形成有絕緣層50。該絕緣層50包括使安裝區(qū)域CA(金屬層40)、電極端子60 (金屬層40)、以及金屬層41分別露出的開口部50X、50Y、50Z。絕緣層50可通過例如糊樹脂的網(wǎng)板印刷法來形成。另外，在使用感光性的絕緣樹脂作為絕緣層50的材料的情況下，以將絕緣層20A的第I面R1、配線圖形30、金屬層40、41、以及供電線31覆蓋的形式來形成用于絕緣層50的抗蝕層。然后，用光刻法對該抗蝕層進(jìn)行曝光 顯影，由此形成包含上述開口部50X、50Y、50Z的絕緣層50。接著，在圖12D所示的工序中，在各個配線基板形成區(qū)域Cl內(nèi)的外周區(qū)域內(nèi)形成多個突出部72。與突出部70相同，多個突出部72也可以通過例如拉深加工等沖壓加工來形成。在通過拉深加工來形成突出部72的情況下，將圖12C所示的構(gòu)造體插入到按壓部件和沖模之間。然后，通過從基板IOA的第2面P2(下表面)對該基板IOA的預(yù)定部分進(jìn)行按壓，將基板IOA朝絕緣層20A沿厚度方向豎起，從而形成突出部72。通過以上的制造工序，在各個配線基板形成區(qū)域Cl內(nèi)形成有相當(dāng)于配線基板IB的構(gòu)造體。接著，在圖12E所示的工序中，將圖12D所示的構(gòu)造體沿著切割位置Dl進(jìn)行切斷。由此，配線基板IB被單個化，從而可制造多個配線基板1B。第3實施方式除了具有第I實施方式以及第2實施方式的⑴ (6)的優(yōu)點之外，還具有以下的優(yōu)點。(7)在沒有形成絕緣層50的區(qū)域形成有突出部72。由此，即使因例如在形成突出部72時進(jìn)行的沖壓加工而使絕緣層 50產(chǎn)生變形，也可以抑制絕緣層50從絕緣層20等剝離。另外，絕緣層50包含使金屬層41露出的開口部50Z。所以，配線基板IB的最表面露出，光反射率高的絕緣層50和光反射率高的金屬層41。由此，能夠提高安裝在配線基板IB上的發(fā)光元件發(fā)出的光的反射率，從而能夠降低發(fā)光元件的光量損失。(8)將金屬層40和金屬層41設(shè)為相同的層構(gòu)成(相同的材料)。由此，能夠同時形成金屬層40和金屬層41。因此，能夠適宜地抑制伴隨追加形成金屬層41而使制造工序數(shù)增加。顯然，對于本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明還可以通過其它的具體形式予以實現(xiàn)，而不脫離本發(fā)明的精神及范圍。特別是，作為本發(fā)明的上述實施方式，也可以作以下變更。 在上述第I實施方式中，在將配線基板I單個化之前，去除了形成在比配線基板形成區(qū)域Cl更靠外側(cè)的位置上的供電線32。然而，也可以省略去除供電線32的工序(參照圖6D)。即使在這種情況下，也可以在沿著切割位置Dl對基板IOA進(jìn)行切斷的工序(參照圖7C)中，使供電線32與供電線31分開。所以，如圖13A所示，即使供電線32留在被單個化的配線基板I上，與供電線32連接的多個配線圖形30也相互分開。因此，即使省略去除供電線32的工序，也不會給配線基板I的特性帶來任何影響。
相同地，在上述第2實施方式以及第3實施方式中，也可以省略去除將供電線31和加強(qiáng)層34連接的供電線32A的工序。不過，會去除將加強(qiáng)層34和配線圖形30連接的供電線32B。 雖然在上述第2實施方式以及第3實施方式中，在絕緣層20的外周區(qū)域內(nèi)形成有框狀的加強(qiáng)層34，然而，加強(qiáng)層34的平面形狀以及位置并不僅限于此。例如，如圖13B 13D所示，也可以將沿著對基板10的外形進(jìn)行劃分的4邊中對置的2邊延伸的、帶狀的加強(qiáng)層34A形成在絕緣層20的外周區(qū)域內(nèi)。另外，如圖13E所示，也可以將沿著基板10的4邊延伸的帶狀的加強(qiáng)層34A形成在絕緣層20的外周區(qū)域內(nèi)。另外，金屬層41的形狀也可以根據(jù)上述加強(qiáng)層34、34A的形狀來更改。 對上述各個實施方式中的突出部70、71、72的個數(shù)、位置、以及平面形狀沒有特
別限定。例如，雖然在上述第2實施方式以及第3實施方式中，將突出部71、72形成在基板10的外周區(qū)域內(nèi)的、形成有加強(qiáng)層34的區(qū)域內(nèi)，然而，如圖13B所示，也可以將突出部71形成在基板10的外周區(qū)域內(nèi)的、沒有形成加強(qiáng)層34A的區(qū)域內(nèi)。雖然省略圖示，然而突出部72也可以形成在基板10的外周區(qū)域內(nèi)的、沒有形成加強(qiáng)層34A以及金屬層41的區(qū)域內(nèi)。另外，也可以只在基板10的4邊中對置的2邊上形成突出部70、71、72。這時，如圖13C所示，優(yōu)選地，當(dāng)只在基板10的4邊中的2邊上形成有加強(qiáng)層34A的情況下，在形成有該加強(qiáng)層34的2邊上形成突出部71 (或者突出部72)。另外，如圖13D、圖13E所示，也可以在基板10的外周區(qū)域內(nèi)形成沿著基板10的邊延伸的、俯視呈帶狀的突出部71A。例如，如圖13D所示，該突出部71A也可以形成在基板10的4邊中對置的2邊上，或者如圖13E所示，也可以在基板10的4邊上分別形成。雖然省略圖示，然而，也可以將突出部70、72的平面形狀更改成帶狀。

另外，如圖13F所示，也可以在基板10的外周區(qū)域內(nèi)，沿著該基板10的外形而形成俯視呈框狀的突出部70A。雖然省略圖示，然而，也可以將突出部71、72的平面形狀更改成框狀。另外，以上所述的突出部71、71A、72也可以與各種形狀的加強(qiáng)層34、34A(以及金屬層41)組合形成。 在上述第2實施方式以及第3實施方式中，用相同的材料(在此，為銅)形成了配線圖形30和加強(qiáng)層34。并不僅限于此，也可以用不同的材料來形成配線圖形30和加強(qiáng)層34。在這種情況下，例如，在通過對銅箔30A的蝕刻而形成了配線圖形30之后，再通過半添加法(Sem1-additive method)等來形成加強(qiáng)層34。 在上述第3實施方式中，用相同的材料(在此，為Ag)形成了金屬層40和金屬層41。并不僅限于此，也可以用不同的材料來形成金屬層40和金屬層41。另外，也可以以不同的層構(gòu)成來形成金屬層40和金屬層41。例如，也可以將金屬層40設(shè)為Ni/Au層，且將金屬層41設(shè)為Ag層。在金屬層40、41由不同的材料形成的情況下，例如形成只使與安裝區(qū)域CA以及電極端子60對應(yīng)的配線圖形30露出的抗蝕層，并將該抗蝕層作為電鍍掩模，對配線圖形30的表面進(jìn)行電鍍。由此，在配線圖形30上形成金屬層40。接著，在去除了抗蝕層之后，形成只使加強(qiáng)層34露出的另一個抗蝕層，并將該抗蝕層作為電鍍掩模，對加強(qiáng)層34的表面進(jìn)行電鍍。由此，在加強(qiáng)層34上形成金屬層41。
在上述實施方式中，在將配線基板I單個化之后，在該配線基板I的金屬層40上安裝了發(fā)光元件80。并不限于此，例如，也可以在將配線基板I單個化之前、即圖7B所示的狀態(tài)下，將發(fā)光元件80安裝在金屬層40上。在這種情況下，在用封裝樹脂85對發(fā)光元件80進(jìn)行封裝之后，沿著切割位置Dl對基板IOA進(jìn)行切斷，從而得到各個發(fā)光裝置2。 在上述各個實施方式中，通過弓I線接合法，在將從絕緣層50的開口部50X露出的配線圖形30覆蓋的金屬層40上安裝了發(fā)光元件80。為了代替此方式，例如，如圖14所示，也可以用倒裝連接的方式將發(fā)光元件82安裝在金屬層40上。在這種情況下，發(fā)光元件82被安裝在，形成于安裝區(qū)域CA內(nèi)的開口部30X兩側(cè)的金屬層40上。這時，形成在發(fā)光元件82的電路形成面(在圖14中，為下表面)上的一方的凸點(bump)83被倒裝連接在安裝區(qū)域CA內(nèi)的一方的金屬層40上，另一方的凸點83被倒裝連接在安裝區(qū)域CA內(nèi)的另一方的金屬層40上。 在上述各個實施方式中，也可以以覆蓋整個配線圖形30的形式來形成金屬層40。 在上述第I實施方式以及第2實施方式中，在形成了金屬層40之后再形成絕緣層50。為了代替此方式，例如，也可以在形成了包括開口部50X、50Y在內(nèi)的絕緣層50之后，再通過電鍍法對從開口部50X、50Y露出的配線圖形30進(jìn)行電鍍來形成金屬層40。另外，在這種情況下，突出部70、71的形成也可以在形成金屬層40之前進(jìn)行，或者也可以在形成了金屬層40之后進(jìn)行。 在上述第3實施方式中，在形成了金屬層40、41之后再形成絕緣層50。為了代替此方式，例如，也可以在形成了包括開口部50X、50Y、50Z在內(nèi)的絕緣層50之后再形成金屬層40、41。在這種情況下，在形成了絕緣層50之后，再通過電鍍法對從開口部50X、50Y露出的配線圖形30進(jìn)行電鍍來形成金屬層40。另外，通過電鍍法對從開口部50Z露出的加強(qiáng)層34進(jìn)行電鍍來形成金屬層41。

在上述各個實施方式中，也可以省略金屬層40。 上述各個實施方式中的開口部50X、50Y的平面形狀并不僅限于圓形，例如也可以為矩形、五角形、六角形等多角形狀，或者也可以為橢圓形狀。 上述各個實施方式的配線基板被適用于發(fā)光裝置。然而，例如也可以將上述第I實施方式以及第2實施方式中的配線基板1、1A具體化為安裝有發(fā)光元件以外的部件的配線基板。(發(fā)光裝置的安裝例I)圖15A示出了通過在上述第I實施方式的配線基板I上安裝發(fā)光元件80而形成的發(fā)光裝置2的應(yīng)用例。發(fā)光裝置2被安裝在安裝基板100上。另外，圖15B示出了安裝在安裝基板100上的發(fā)光裝置2的平面構(gòu)造的一個例子。另外，在圖15B中，省略了對發(fā)光元件80、接合線81、以及封裝樹脂85的圖示。安裝基板100包括金屬層101、形成在金屬層101的上表面的絕緣層102、以及形成在絕緣層102的上表面的配線圖形103。絕緣層102包括使金屬層101的一部分露出的開口部102X。然后，在從該開口部102X露出的區(qū)域內(nèi)的金屬層101上搭載有發(fā)光裝置2。例如，位于發(fā)光裝置2的下表面的基板10被粘合劑或者緊固螺絲固定在金屬層101上。另外，如圖15B所示，在通過緊固螺絲對發(fā)光裝置2進(jìn)行固定的情況下，在發(fā)光裝置2上設(shè)置有用于緊固螺絲的貫穿孔75。在本例的發(fā)光裝置2中，在基板10的對角線上設(shè)置有2個貫穿孔75。雖然省略圖示，然而該貫穿孔75貫穿圖3B所示的基板10以及絕緣層20、50。在這種情況下，在圖15A所示的安裝基板100上也設(shè)置有相對應(yīng)的螺紋孔(圖示略)。另外，搭載在安裝基板100上的發(fā)光裝置2的電極端子60通過彈簧狀的連接端子104(在圖15A中，為引腳(lead pin))與安裝基板100的配線圖形103電氣連接?；谶@種構(gòu)造，由于起到發(fā)光裝置2的散熱板的作用的基板10被固定在安裝基板100的金屬層101上，所以能夠?qū)陌l(fā)光裝置2產(chǎn)生的熱量擴(kuò)散至金屬層101。這時，通過形成突出部70而提高了配線基板I的剛性，從而可抑制發(fā)光裝置2產(chǎn)生翹曲以及變形。所以，在基板10和金屬層101之間，可以獲得良好的密著性。由此，能夠高效地將從發(fā)光裝置2產(chǎn)生的熱量擴(kuò)散至金屬 層101。(發(fā)光裝置的安裝例2)圖16示出了將發(fā)光裝置2安裝在安裝基板110時的截面構(gòu)造。安裝基板110包括金屬層111、形成在金屬層111的上表面的絕緣層112、以及形成在絕緣層112的上表面的配線圖形113。在本安裝例中，絕緣層112不具有使金屬層111露出的開口部，在該絕緣層112上搭載有發(fā)光裝置2。例如，形成在發(fā)光裝置2的下表面的基板10被粘合劑或者緊固螺絲固定在上述絕緣層112上。即使是這樣的構(gòu)造，也可以在絕緣層112較薄的情況下，將從發(fā)光裝置2產(chǎn)生的熱量經(jīng)由絕緣層112擴(kuò)散至金屬層111。另外，在本安裝例中，通過接合線114將搭載在安裝基板110上的發(fā)光裝置2的電極端子60和安裝基板110的配線圖形113電氣連接。
權(quán)利要求
1.一種配線基板，具備 基板； 第I絕緣層，形成在所述基板上； 多個配線圖形，形成在所述第I絕緣層的第I面上； 第2絕緣層，形成在所述第I絕緣層的第I面上，所述第2絕緣層覆蓋所述配線圖形，并且包括使相鄰的所述配線圖形的一部分作為焊盤露出的第I開口部；以及 突出部，形成在比形成有所述第I開口部的區(qū)域更靠外側(cè)的所述基板的外側(cè)區(qū)域內(nèi)，并且向所述基板的厚度方向突出。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板，其中， 進(jìn)一步具備由金屬或者金屬合金形成的加強(qiáng)層，該加強(qiáng)層設(shè)置在所述基板的外側(cè)區(qū)域內(nèi)， 所述突出部形成在所述基板的外側(cè)區(qū)域內(nèi)的、形成有所述加強(qiáng)層的區(qū)域內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的配線基板，其中， 進(jìn)一步具備覆蓋所述加強(qiáng)層的第I金屬層， 所述第2絕緣層包括使所述第I金屬層露出的第2開口部， 所述第I金屬層包括由反射率高于所述加強(qiáng)層的金屬或者金屬合金形成的最外層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的配線基板，其中， 進(jìn)一步具備第2金屬層，其覆蓋從所述第I開口部露出的所述配線圖形， 所述第I金屬層和所述第2金屬層由相同的材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的配線基板，其中， 所述第I金屬層的最外層為由銀或者銀合金形成的金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的配線基板，其中， 所述配線圖形和所述加強(qiáng)層由相同的材料形成。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板，其中， 俯視來看，所述突出部形成為圓形。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板，其中， 俯視來看，所述突出部形成為帶狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板，其中， 俯視來看，所述突出部形成為框狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板，其中， 俯視來看，所述基板為矩形， 所述突出部沿著所述基板的邊而設(shè)置。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的配線基板，其中， 所述基板由金屬形成。
12.一種發(fā)光裝置，具備 基板； 第I絕緣層，形成在所述基板上； 多個配線圖形，形成在所述第I絕緣層的第I面上； 第2絕緣層，形成在所述第I絕緣層的第I面上，所述第2絕緣層覆蓋所述配線圖形，并且包括使相鄰的所述配線圖形的一部分作為焊盤露出的第I開口部； 突出部，形成在比形成有所述第I開口部的區(qū)域更靠外側(cè)的所述基板的外側(cè)區(qū)域內(nèi)，并且向所述基板的厚度方向突出； 發(fā)光元件，安裝在所述焊盤上；以及 封裝樹脂，對所述發(fā)光元件進(jìn)行封裝。
13.—種配線基板的制造方法，具備以下步驟 在基板上形成第I絕緣層； 在所述第I絕緣層的第I面上形成包含多個配線圖形的配線層； 在所述配線圖形上形成第2絕緣層，該第2絕緣層包括使相鄰的所述配線圖形的一部分作為焊盤露出的第I開口部；以及 在比形成有所述第I開口部的區(qū)域更靠外側(cè)的所述基板的外側(cè)區(qū)域內(nèi)，將所述基板朝厚度方向豎起，由此形成突出部。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其中， 形成所述配線層的步驟包括以下步驟 在形成于所述第I絕緣層的所述第I面上的金屬箔上形成有包含開口部的抗蝕層；以及 將所述抗蝕層作為掩膜，對所述金屬箔進(jìn)行蝕刻，由此形成所述配線層， 所述配線層包括所述配線圖形、形成在所述基板的外側(cè)區(qū)域內(nèi)的加強(qiáng)層、以及用于電鍍的供電線， 形成所述突出部的步驟包括，在所述基板的外側(cè)區(qū)域內(nèi)的、形成有所述加強(qiáng)層的區(qū)域內(nèi)形成所述突出部的步驟。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造方法，其中， 進(jìn)一步具備以下步驟，在形成所述第2絕緣層的工序之前，通過用將所述配線層作為供電層使用的電鍍法，在所述加強(qiáng)層上形成第I金屬層，并且在所述焊盤用的所述配線圖形上形成第2金屬層， 所述第I金屬層由反射率高于所述加強(qiáng)層的金屬或者金屬合金形成， 所述第2金屬層和所述第I金屬層由相同的材料形成， 形成所述第2絕緣層的步驟包括，形成包含所述第I開口部、和使所述第I金屬層露出的第2開口部在內(nèi)的所述第2絕緣層的步驟。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其中， 形成所述突出部的步驟包括，將所述突出部形成為俯視來看為圓形的步驟。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其中， 形成所述突出部的步驟包括，將所述突出部形成為俯視來看為帶狀的步驟。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其中， 形成所述突出部的步驟包括，將所述突出部形成為俯視來看為框狀的步驟。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其中， 俯視來看，所述基板為矩形， 形成所述突出部的步驟包括，沿著所述基板的邊形成所述突出部的步驟。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的制造方法，其中，所述基板由金 屬形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種配線基板、發(fā)光裝置、以及配線基板的制造方法。配線基板(1；1A；1B)具備基板(10)；第1絕緣層(20)，形成在所述基板上；多個配線圖形(30)，形成在所述第1絕緣層的第1面(R1)上；第2絕緣層(50)，形成在所述第1絕緣層的第1面上，第2絕緣層(50)覆蓋所述配線圖形，并且包括使相鄰的所述配線圖形的一部分作為焊盤(CA)露出的第1開口部(50X)；以及突出部(70；70A；71；71A；72)，形成在比形成有所述第1開口部的區(qū)域更靠外側(cè)的所述基板的外側(cè)區(qū)域內(nèi)，并且從所述基板朝所述第1絕緣層沿厚度方向豎起。
文檔編號H01L33/62GK103066184SQ20121043070
公開日2013年4月24日 申請日期2012年10月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月24日
發(fā)明者清水浩, 木村康之, 荒井直 申請人:新光電氣工業(yè)株式會社