專利名稱：一種5730led貼片封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及LED的封裝結(jié)構(gòu)，具體涉及5730LED貼片的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
貼片LED光源在照明領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用，考慮到生產(chǎn)工藝、成本、光學(xué)性能等技術(shù)要求，越來越多的設(shè)計(jì)采用貼片封裝方式的LED光源，LED使用中功率封裝結(jié)構(gòu)是近年來為了降低成本和提高光通量，而采取的一種封裝方式。5730LED貼片光源同其他所有封裝方式的LED光源同樣，都需要解決光通量、可靠性和成本三者的問題光效是光通量與其消耗特定電能功率的比值；可靠性往往由光源 散熱性能和封裝工藝決定；而成本主要體現(xiàn)在原材料選擇方面，此三者發(fā)生相互制衡。在不同的需求下可能需要突出某方面的優(yōu)化效果。增加鍍銀層的厚度(傳統(tǒng)的鍍銀層厚度為80-100mil)，可以有效的提高LED芯片的取光效率，傳統(tǒng)鍍銀層使用的是鏡面霧銀，而該鍍銀層選用的是鏡面亮銀，可以充分的反射光線。比如，在成本和可靠性保持的情況下，實(shí)現(xiàn)高光通量，這樣的議題在大量LED光源生產(chǎn)中顯得尤其重要。作為商品，實(shí)現(xiàn)其成本下的性能控制，是一種必然的訴求。所以，如何在維持較好的成本和可靠性的同時(shí)，采用中功率5730LED貼片光源實(shí)現(xiàn)高光通量，是這類貼片LED封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的一個(gè)必然需求。目前市場上5730LED貼片的封裝方式中，焊線線弧較高，金線(導(dǎo)線)使用長度較長，鍍銀層使用的是鏡面霧銀，支架外殼使用的塑膠料通常為PPA114，以至取光效率低、成本聞。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是，提供一種5730LED貼片封裝結(jié)構(gòu)，通過改進(jìn)現(xiàn)有5730LED貼片的封裝方式，即支架外殼使用PPA-TAl 12塑膠料，鍍銀層使用的是鏡面亮銀，同時(shí)對焊線高度和焊線弧度進(jìn)行有效控制，進(jìn)而提高光通量；另外，采用垂直散熱方式提高5730LED貼片的可靠性，進(jìn)而達(dá)到降低成本的目的。為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型一種5730LED貼片封裝結(jié)構(gòu)，包括5730LED芯片、承載5730LED芯片的支架、以及包覆所述5730LED芯片和部分支架的封裝體。所述支架上設(shè)有放置5730LED芯片的杯碗、將5730LED芯片的正負(fù)極通過金線引出的正導(dǎo)電腳和負(fù)導(dǎo)電腳、以及PPA隔層。所述杯碗內(nèi)設(shè)有金屬熱沉、鍍銀層和5730LED芯片，所述金屬熱沉位于鍍銀層之下并與其在結(jié)構(gòu)上相配合，所述5730LED芯片位于鍍銀層之上并與其在結(jié)構(gòu)上相配合，所述鍍銀層與5730LED芯片的正負(fù)極連接，通過金屬熱沉、鍍銀層和PPA隔層的配合，將5730LED芯片固定設(shè)置于杯碗內(nèi)。進(jìn)一步的，所述支架的外殼以及PPA隔層采用TA112塑膠制成。所述PPA隔層的高度范圍優(yōu)選為O. 08-0. 10mm。采用TAl 12塑膠制成的PPA隔層充分提高了芯片的取光效率，進(jìn)而提高了整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的出光效率。另外，TA112塑膠比傳統(tǒng)的PPA114耐溫更高。進(jìn)一步的，所述鍍銀層具有與5730LED芯片的底部相結(jié)合的固定部分，其厚度范圍為100-120 mil。該鍍銀層是采用化學(xué)電鍍法將其制成鏡面光亮狀的鏡面亮銀，從而使5730LED芯片的光線充分反射，提高了整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的光效。進(jìn)一步的，所述金屬熱沉采用C194銅制成，具有與鍍銀層相配合的下底面。該金屬熱沉有效的提高了將5730LED芯片的熱量垂直導(dǎo)出至基板的下表面的速度，有利于整個(gè)5730LED芯片結(jié)構(gòu)的快速散熱，從而提升了 5730LED封裝的可靠性。該封裝結(jié)構(gòu)可以將5730LED芯片的直通電流提高到180ma，因而實(shí)現(xiàn)高光通量、高穩(wěn)定性的LED封裝工藝。本實(shí)用新型采用了上述結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下優(yōu)點(diǎn)I.鍍銀層的鏡面亮銀將源自5730LED芯片的光線充分反射；且增大了鍍銀層的厚度，從而提聞了整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的取光光效;2.金屬熱沉可以將5730LED芯片的熱量垂直導(dǎo)出至基板的下表面，利于整個(gè)5730LED芯片的散熱，從而提升了可靠性，實(shí)現(xiàn)高光通量、高可靠性LED封裝工藝；·[0013]3.通過對5730LED芯片與PPA隔層的距離和位置的控制，可有效的提高取光效率；4. TA112塑膠制成的PPA隔層提高了芯片的光線出光效率，可以使源自5730LED芯片的光線充分反射；5.通過對金線的焊線高度和焊線弧度進(jìn)行控制，可以減少金線的用量，進(jìn)而達(dá)到降低成本的目的。

圖I是本實(shí)用新型的實(shí)施例的俯視圖；圖2是本實(shí)用新型的實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。作為本實(shí)用新型一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例，如圖I和圖2所示，一種5730LED貼片封裝結(jié)構(gòu)，包括5730LED芯片I、承載5730LED芯片I的支架2、以及包覆5730LED芯片I和部分支架的封裝體。支架2上設(shè)有放置5730LED芯片I的杯碗、將5730LED芯片I的正負(fù)極通過金線12引出的正負(fù)導(dǎo)電腳、以及PPA隔層7。杯碗內(nèi)設(shè)有金屬熱沉5、鍍銀層6和5730LED芯片I,金屬熱沉5位于鍍銀層6之下并與其在結(jié)構(gòu)上相配合，5730LED芯片I位于鍍銀層6之上并與其在結(jié)構(gòu)上相配合，鍍銀層6與5730LED芯片I的正負(fù)極連接，通過金屬熱沉5、鍍銀層6和PPA隔層7的配合，將5730LED芯片I固定設(shè)置于杯碗內(nèi)。支架2的外殼以及PPA隔層7采用TAl 12塑膠制成。5730LED芯片I的固晶位置位于PPA隔層7的一側(cè)。優(yōu)選的，5730LED芯片I與PPA隔層7的邊緣的距離為O. 05-0. 10mm。采用TA112塑膠制成的PPA隔層7貫穿支架2內(nèi)部，充分隔離5730LED芯片的正負(fù)電極，提高了芯片的取光效率，進(jìn)而提高了整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的出光效率。另外，TA112塑膠比傳統(tǒng)的PPAl 14耐溫更高。鍍銀層6具有與5730LED芯片I的底部相結(jié)合的固定部分，其厚度范圍為100-120mil。該鍍銀層6是采用化學(xué)電鍍法將其制成鏡面光亮狀的鏡面亮銀，從而使5730LED芯片I的光線充分反射，提高了整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的光效。該鍍銀層連接5730LED芯片正負(fù)極引出的金線，配合PPA隔層的高度，有效的調(diào)整了電極金線的焊線高度和焊線弧度，防止因金線塌陷造成線路通路/短路，進(jìn)而出現(xiàn)死燈的情況。其中，5730LED芯片的金線高度為
O.35-0. 4mm。金屬熱沉5采用C194銅制成，具有與鍍銀層6相配合的下底面。5730LED芯片I的傳熱方式采用垂直散熱方式。該金屬熱沉5有效的提高了將5730LED芯片I的熱量垂直導(dǎo)出至基板的下表面的速度，有利于整個(gè)5730LED芯片結(jié)構(gòu)的快速散熱，從而提升了 5730LED封裝的可罪性。該封裝結(jié)構(gòu)可以將5730LED芯片的直通電流提聞到180ma,因而實(shí)現(xiàn)聞光通量、高穩(wěn)定性的LED封裝工藝。盡管結(jié)合優(yōu)選實(shí)施方案具體展示和介紹了本實(shí)用新型，但所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離所附權(quán)利要求書所限定的本實(shí)用新型的精神和范圍內(nèi)，在形式上和細(xì)節(jié)上可以對本實(shí)用新型做出各種變化，均為本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種5730LED貼片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于包括 5730LED芯片、承載5730LED芯片的支架、以及包覆所述5730LED芯片和部分支架的封裝體； 所述支架上設(shè)有放置5730LED芯片的杯碗、將5730LED芯片的正負(fù)極通過金線引出的正導(dǎo)電腳和負(fù)導(dǎo)電腳、以及PPA隔層； 所述杯碗內(nèi)設(shè)有金屬熱沉、鍍銀層和5730LED芯片，所述金屬熱沉位于鍍銀層之下并與其在結(jié)構(gòu)上相配合，所述5730LED芯片位于鍍銀層之上并與其在結(jié)構(gòu)上相配合，所述鍍銀層與5730LED芯片的正負(fù)極連接，通過金屬熱沉、鍍銀層和PPA隔層的配合，將5730LED芯片固定設(shè)置于所述杯碗內(nèi)； 所述鍍銀層是呈鏡面光亮狀的鍍銀層，其厚度范圍為100-120 mil。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的5730LED貼片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述支架的外殼以及PPA隔層采用TAl 12塑膠料制成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的5730LED貼片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述PPA隔層的高度 >范圍為 O. 08-0. 10mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的5730LED貼片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述金屬熱沉采用C194銅制成。
專利摘要本實(shí)用新型涉及LED的封裝結(jié)構(gòu)。本實(shí)用新型的一種5730LED貼片封裝結(jié)構(gòu)，包括5730LED芯片、承載5730LED芯片的支架、以及包覆所述5730LED芯片和部分支架的封裝體。所述支架上設(shè)有放置5730LED芯片的杯碗、將5730LED芯片的正負(fù)極通過金線引出的正導(dǎo)電腳和負(fù)導(dǎo)電腳、以及PPA隔層。所述杯碗內(nèi)設(shè)有金屬熱沉、鍍銀層和5730LED芯片，所述金屬熱沉位于鍍銀層之下并與其在結(jié)構(gòu)上相配合，所述5730LED芯片位于鍍銀層之上并與其在結(jié)構(gòu)上相配合，所述鍍銀層與5730LED芯片的正負(fù)極連接，通過金屬熱沉、鍍銀層和PPA隔層的配合，將5730LED芯片固定設(shè)置于杯碗內(nèi)。所述鍍銀層是呈鏡面光亮狀的鍍銀層，其厚度范圍為100-120㏕。
文檔編號H01L33/60GK202721191SQ20122030988
公開日2013年2月6日 申請日期2012年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月29日
發(fā)明者鄭劍飛 申請人:廈門多彩光電子科技有限公司