專利名稱：半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型是有關(guān)于ー種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，特別是有關(guān)于ー種凸塊具有保護(hù)層的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有習(xí)知半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)能夠借由焊料使芯片的凸塊與另一基板的連接墊電性接合，然而當(dāng)電子產(chǎn)品體積越來越小時(shí)，芯片上的凸塊間距相對(duì)也越來越小，于此情形下，焊料在回焊時(shí)容易溢流至鄰近凸塊而產(chǎn)生短路的情形，導(dǎo)致產(chǎn)品良率不佳。由此可見，上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一歩改進(jìn)。因此如何能創(chuàng)設(shè)ー種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，亦成為當(dāng)前業(yè)界 極需改進(jìn)的目標(biāo)。有鑒于上述現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造多年豐富的實(shí)務(wù)經(jīng)驗(yàn)及專業(yè)知識(shí)，并配合學(xué)理的運(yùn)用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)ー種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)，使其更具有實(shí)用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計(jì)，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實(shí)用價(jià)值的本實(shí)用新型。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的在于，克服現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供ー種新型結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其在于提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，由于各該混成凸塊具有該承載部，因此各該第二接合層能夠被限位于各該承載面的該第二區(qū)以提升電性連接可靠度，此外若所述混成凸塊含有銅，所述第二接合層亦具有防止所述混成凸塊氧化的功效。本實(shí)用新型的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下的技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本實(shí)用新型提出的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其中至少包含ー個(gè)基板，其具有表面及多個(gè)形成于該表面的凸塊下金屬層；以及多個(gè)混成凸塊，其形成于所述凸塊下金屬層上，各該混成凸塊具有承載部及導(dǎo)接部，該導(dǎo)接部具有第一接合層及第二接合層，各該承載部具有承載面，各該承載面具有第一區(qū)及第ニ區(qū)，各該第一接合層覆蓋各該承載面的該第一區(qū)且連接該承載部，各該第一接合層具有頂面及環(huán)壁，所述第二接合層覆蓋所述第一接合層的所述頂面及所述環(huán)壁，且各該承載部具有第一厚度，各該第一接合層具有第二厚度。本實(shí)用新型的目的以及解決其技術(shù)問題還可以采用以下的技術(shù)措施來進(jìn)ー步實(shí)現(xiàn)。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于各該第二接合層限位于各該承載面的該第二區(qū)。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二厚度大于該第一厚度。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于所述承載部的材質(zhì)能夠選自于金、鎳或銅。前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一接合層的材質(zhì)能夠選自于金、鎳或銅。[0012]前述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于所述凸塊下金屬層的材質(zhì)能夠選自于鈦-銅、鈦媽-銅或鈦鶴-金。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)內(nèi)容可知，為達(dá)到上述目的，本實(shí)用新型提供了ー種包含ー個(gè)基板以及多個(gè)混成凸塊，該基板具有表面及多個(gè)形成于該表面的凸塊下金屬層，所述混成凸塊形成于所述凸塊下金屬層上，各該混成凸塊具有承載部及導(dǎo)接部，該導(dǎo)接部具有第一接合層及第二接合層，各該承載部具有承載面，各該承載面具有第一區(qū)及第ニ區(qū)，各該第一接合層覆蓋各該承載面的該第一區(qū)且連接該承載部，各該第一接合層具有頂面及環(huán)壁，所述第二接合層覆蓋所述第一接合層的所述頂面及所述環(huán)壁，且各該承載部具有第一厚度，各該第一接合層具有第二厚度。借由上述技術(shù)方案，本實(shí)用新型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果由于各該混成凸塊具有該承載部，因此各該第二接合層能夠被限位于各該承載面的該第二區(qū)以提升電性連接可靠度，此外若所述混成凸塊含有銅，所述第二接合層亦具有防止所述混成凸塊氧化的功效?！0015]上述說明僅是本實(shí)用新型技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本實(shí)用新型的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本實(shí)用新型的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。

圖1是依據(jù)本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例，一種半導(dǎo)體エ藝的流程圖。圖2A至圖2J是依據(jù)本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例，該半導(dǎo)體エ藝的截面示意圖。100 :半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)110:基板111 :表面112:凸塊下金屬層120:混成凸塊 121:承載部121a :承載面121b :第一區(qū)121c :第二區(qū)122 :導(dǎo)接部122a :第一接合層122b :第二接合層122c :頂面122d :環(huán)壁200 :金屬層210 :第一金屬層211 :第一基底區(qū)212 :第一外側(cè)區(qū)220 :第二金屬層221 :第二基底區(qū)222 :第二外側(cè)區(qū)H1 :第一厚度 H2 :第二厚度01:第一開ロ 02:第二開ロP1 :第一光刻膠層P2 :第二光刻膠層
具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，
以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本實(shí)用新型提出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)其具體實(shí)施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。請(qǐng)參閱圖1及圖2A至圖2J，其本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例，一種半導(dǎo)體エ藝包含下列步驟首先，請(qǐng)參閱圖1及圖2A，提供ー個(gè)基板110，該基板110具有表面111及形成于該表面111的金屬層200,該金屬層200包含有第一金屬層210及第ニ金屬層220,該第一金屬層210具有多個(gè)第一基底區(qū)211及多個(gè)位于第一基底區(qū)211外側(cè)的第一外側(cè)區(qū)212，該第二金屬層220具有多個(gè)第二基底區(qū)221及多個(gè)位于第二基底區(qū)221外側(cè)的第二外側(cè)區(qū)222 ;接著，請(qǐng)參閱圖1及圖2B，形成第一光刻膠層P1于該金屬層200，該第一光刻膠層P1具有多個(gè)第一開01 ;之后，請(qǐng)參閱圖1及圖2C，形成多個(gè)承載部121于所述第一開ロ 01，所述承載部121的材質(zhì)能夠選自于金、鎳或銅；接著，請(qǐng)參閱圖1及圖2D，移除該第一光刻膠層P1以顯露出所述承載部121，各該承載部121具有承載面121a，各該承載面121a具有第一區(qū)121b及第ニ區(qū)121c。之后，請(qǐng)參閱圖1及圖2E，形成第二光刻膠層P2于該金屬層200，且該第二光刻膠層P2覆蓋所述承載部121，該第二光刻膠層P2具有多個(gè)第二開ロ 02且所述第二開ロ 02顯露所述承載面121a的所述第一區(qū)121b ;接著，請(qǐng)參閱圖1及圖2F，形成多個(gè)導(dǎo)接部122于所述第二開ロ 02，各該導(dǎo)接部122具有第一接合層122a及第ニ接合層122b，所述第一接合層122a的材質(zhì)能夠選自于金、鎳或銅，所述第二接合層122b的材質(zhì)能夠?yàn)楹噶?，所述第一接合?22a覆蓋所述承載面121a的所述第一區(qū)121b，且各該第一接合層122a連接各該承載部121，在本實(shí)施例中，各該第一接合層122a具有頂面122c及環(huán)壁122d，各該第二接合層122b覆蓋各該第一接合層122a的該頂面122c ;之后，請(qǐng)參閱圖1及圖2G，移除該第ニ光刻膠層P2以顯露出所述導(dǎo)接部122及所述承載部121，各該承載部121具有第一厚度H1，各該第一接合層122a具有第二厚度H2，該第二厚度H2大于該第一厚度H1。接著，請(qǐng)參閱圖1及圖2H，移除該第一金屬層210的所述第一外側(cè)區(qū)212以顯露出該第二金屬層220的所述第二外側(cè)區(qū)222 ;之后，請(qǐng)參閱圖1及圖21，回焊所述導(dǎo)接部122的所述第二接合層122b，以使所述第二接合層122b覆蓋所述第一接合層122a的所述環(huán)壁122d以形成多個(gè)混成凸塊120，各該第二接合層122b限位于各該承載面121a的該第二區(qū)121c ;最后，請(qǐng)參閱圖1及圖2J，移除該第二金屬層220的所述第二外側(cè)區(qū)222，以使該第一金屬層210的所述第一基底區(qū)211及該第二金屬層220的所述第二基底區(qū)221形成多個(gè)凸塊下金屬層112以形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100，所述凸塊下金屬層112的材質(zhì)能夠選自于鈦-銅、鈦鎢-銅或鈦鎢-金。由于各該混成凸塊120具有該承載部121，因此各該第二接合層122b能夠被限位于各該承載面121a的該第二區(qū)121c以提升電性連接可靠度，此外若所述混成凸塊120含有銅，所述第二接合層122b亦具有防止所述混成凸塊120氧化的功效。請(qǐng)?jiān)賲㈤唸D2J，其為本實(shí)用新型的一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)100，其至少包含有ー個(gè)基板110以及多個(gè)混成凸塊120，該基板110具有表面111及多個(gè)形成于該表面111的凸塊下金屬層112，所述混成凸塊120形成于所述凸塊下金屬層112上，所述凸塊下金屬層112的材質(zhì)能夠選自于鈦-銅、鈦鎢-銅或鈦鎢-金，各該混成凸塊120具有承載部121及導(dǎo)接部122，該導(dǎo)接部122具有第一接合層122a及第ニ接合層122b，所述承載部121的材質(zhì)能夠選自于金、鎳或銅，所述第一接合層122a的材質(zhì)能夠選自于金、鎳或銅，所述第二接合層122b的材質(zhì)能夠?yàn)楹噶?，各該承載部121具有第一厚度H1，各該第一接合層122a具有第二厚度H2，該第二厚度H2大于該第一厚度H1，各 該承載部121具有承載面121a，各該承載面121a具有第一區(qū)121b及第ニ區(qū)121c，各該第一接合層122a覆蓋各該承載面121a的該第一區(qū)121b且連接該承載部121，且各該第一接合層122a具有頂面122c及環(huán)壁122d，所述第二接合層122b覆蓋所述第一接合層122a的所述頂面122c及所述環(huán)壁122d，較佳地，在本實(shí)施例中，各該第二接合層122b限位于各該承載面121a的該第二區(qū)121c。以上所述，僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本實(shí)用新型作任何形式上的限制，雖然本實(shí)用新型已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本實(shí)用新型，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述掲示的結(jié)構(gòu)及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本實(shí)用新型技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本實(shí)用新型技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于至少包含 一個(gè)基板，其具有表面及多個(gè)形成于該表面的凸塊下金屬層；以及 多個(gè)混成凸塊，其形成于所述凸塊下金屬層上，各該混成凸塊具有承載部及導(dǎo)接部，該導(dǎo)接部具有第一接合層及第二接合層，各該承載部具有承載面，各該承載面具有第一區(qū)及第二區(qū)，各該第一接合層覆蓋各該承載面的該第一區(qū)且連接該承載部，各該第一接合層具有頂面及環(huán)壁，所述第二接合層覆蓋所述第一接合層的所述頂面及所述環(huán)壁，且各該承載部具有第一厚度，各該第一接合層具有第二厚度。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于各該第二接合層限位于各該承載面的該第二區(qū)。
3.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于該第二厚度大于該第一厚度。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于所述承載部的材質(zhì)能夠選自于金、鎳或銅。
5.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于所述第一接合層的材質(zhì)能夠選自于金、鎳或銅。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于所述凸塊下金屬層的材質(zhì)能夠選自于鈦-銅、鈦鶴-銅或鈦鶴-金。
專利摘要本實(shí)用新型是有關(guān)于一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其包含一個(gè)基板以及多個(gè)混成凸塊，該基板具有多個(gè)凸塊下金屬層，所述混成凸塊形成于所述凸塊下金屬層上，各該混成凸塊具有承載部及導(dǎo)接部，該導(dǎo)接部具有第一接合層及第二接合層，各該承載部具有承載面,各該承載面具有第一區(qū)及第二區(qū)，各該第一接合層覆蓋各該承載面的該第一區(qū)且連接該承載部，各該第一接合層具有頂面及環(huán)壁，所述第二接合層覆蓋所述第一接合層的所述頂面及所述環(huán)壁。
文檔編號(hào)H01L23/488GK202758870SQ20122032111
公開日2013年2月27日 申請(qǐng)日期2012年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月4日
發(fā)明者郭志明, 何榮華, 林恭安, 陳昇暉 申請(qǐng)人:頎邦科技股份有限公司