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      采用缺欠地結(jié)構(gòu)的微波耦合器的制作方法

      文檔序號(hào):7133426閱讀:370來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:采用缺欠地結(jié)構(gòu)的微波耦合器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本實(shí)用新型涉及電信號(hào)處理設(shè)備,特別是與微波電信號(hào)的傳輸有關(guān)。
      背景技術(shù)
      現(xiàn)有的微波耦合器可以采用一多層的高頻電路板制成,其包括設(shè)置在頂部的一饋電機(jī)構(gòu)、設(shè)置在底部的一地平面以及設(shè)置在該饋電機(jī)構(gòu)與該地平面之間的相互耦合的兩個(gè)繞線結(jié)構(gòu)?,F(xiàn)有的地平面,一般為完整的矩形、圓形等幾 何形狀的金屬結(jié)構(gòu),未有分割。這種的地平面結(jié)構(gòu),會(huì)限制介質(zhì)的等效介質(zhì)電常數(shù)、限制傳輸線的等效電感電容,從而限制電橋的耦合特性,不利于產(chǎn)品的小型化??梢?jiàn),實(shí)有必要進(jìn)行改進(jìn)。

      實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種微波耦合器,可以提高電橋的耦合特性,有利于產(chǎn)品的小型化。為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型提出一種微波耦合器,包括設(shè)置在底部的一地平面,該地平面包括有一環(huán)狀的開(kāi)槽、位于該開(kāi)槽內(nèi)的一金屬中心島部分和位于該開(kāi)槽外的一金屬環(huán)部分。該地平面還包括由該金屬環(huán)部分向外對(duì)稱地突伸出的至少兩個(gè)金屬突出部分。該地平面還包括對(duì)稱地分布于該金屬環(huán)部分外的多個(gè)金屬孤島部分。該開(kāi)槽為矩形環(huán)狀,該金屬環(huán)部分為矩形環(huán)狀;或者,該開(kāi)槽為圓形環(huán)狀,該金屬環(huán)部分為圓形環(huán)狀。該微波耦合器是采用一多層的高頻電路板制成。該高頻電路板的介質(zhì)層為低溫?zé)Y(jié)陶瓷材質(zhì)。該微波輻射結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在頂部的一饋電機(jī)構(gòu)以及設(shè)置在該饋電機(jī)構(gòu)與該地平面之間的相互耦合的兩個(gè)繞線結(jié)構(gòu)。該兩個(gè)繞線結(jié)構(gòu)是上下疊置的。每個(gè)繞線結(jié)構(gòu)為蛇形線、矩形螺旋線或者圓形螺旋線結(jié)構(gòu)。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的微波耦合器,通過(guò)在地平面開(kāi)設(shè)一環(huán)狀的開(kāi)槽,從而至少將該地平面的圖形分割為一金屬中心島和一金屬環(huán),可以提高介質(zhì)的等效介質(zhì)電常數(shù),提高傳輸線的等效電感電容,提高電橋的耦合特性,從而使微帶線傳輸有比普通傳輸線更長(zhǎng)的電長(zhǎng)度,可以縮小產(chǎn)品體積,有利于產(chǎn)品的小型化。

      圖I是本實(shí)用新型的微波耦合器的地平面一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本實(shí)用新型的微波耦合器的地平面另一實(shí)施例結(jié)構(gòu)示意圖。其中,附圖標(biāo)記說(shuō)明如下1環(huán)狀的開(kāi)槽,2金屬中心島部分,3金屬環(huán)部分,4突伸部分,5金屬孤島部分。
      具體實(shí)施方式
      為了詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的構(gòu)造及特點(diǎn)所在,茲舉以下較佳實(shí)施例并配合附圖說(shuō)明如下。參見(jiàn)圖1,本實(shí)用新型的微波耦合器的地平面一實(shí)施例,該地平面包括有一環(huán)狀的開(kāi)槽I、位于該開(kāi)槽I內(nèi)的一金屬中心島部分2和位于該開(kāi)槽外的一金屬環(huán)部分3。在本實(shí)施例中,該開(kāi)槽I為矩形環(huán)狀,該金屬環(huán)部分2為矩形環(huán)狀;在其他實(shí)施例中,該開(kāi)槽I可以為圓形環(huán)狀,該金屬環(huán)部分2可以為圓形環(huán)狀。該微波耦合器是采用一多層的高頻電路板制成。優(yōu)選地,該高頻電路板的介質(zhì)層為低溫?zé)Y(jié)陶瓷材質(zhì)。該微波輻射結(jié)構(gòu)除了上述的位于底部的地平面之外,還包括設(shè)置在頂部的一饋電機(jī)構(gòu)以及設(shè)置在該饋電機(jī)構(gòu)與該地平面之間的相互耦合的兩個(gè)繞線結(jié)構(gòu)。該兩個(gè)繞線結(jié)構(gòu)是上下疊置的。每個(gè)繞線結(jié)構(gòu)為蛇形線、矩形螺旋線或者圓形螺旋線結(jié)構(gòu)。參見(jiàn)圖2,其與上述實(shí)施例的區(qū)別主要體現(xiàn)在該地平面還包括由該金屬環(huán)部分3向外對(duì)稱地突伸出的兩個(gè)金屬突出部分4以及對(duì)稱地分布于該金屬環(huán)部分3外的四個(gè)金屬孤島部分5。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型的微波耦合器,通過(guò)在地平面開(kāi)設(shè)一環(huán)狀的開(kāi)槽1,從而至少將地平面的圖形分割為一金屬中心島部分2和一金屬環(huán)部分3,可以提高介質(zhì)的等效介質(zhì)電常數(shù),提高傳輸線的等效電感電容,提高電橋的耦合特性,從而使微帶線傳輸有比普通傳輸線更長(zhǎng)的電長(zhǎng)度,可以縮小產(chǎn)品體積,有利于產(chǎn)品的小型化。以上,僅為本實(shí)用新型之較佳實(shí)施例,意在進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型,而非對(duì)其進(jìn)行限定。凡根據(jù)上述之文字和附圖所公開(kāi)的內(nèi)容進(jìn)行的簡(jiǎn)單的替換,都在本專利的權(quán)利保護(hù)范圍之列。
      權(quán)利要求1.一種微波耦合器,包括設(shè)置在底部的一地平面,其特征在于,該地平面包括有一環(huán)狀的開(kāi)槽、位于該開(kāi)槽內(nèi)的一金屬中心島部分和位于該開(kāi)槽外的一金屬環(huán)部分。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的微波耦合器,其特征在于該地平面還包括由該金屬環(huán)部分向外對(duì)稱地突伸出的至少兩個(gè)金屬突出部分。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微波耦合器,其特征在于該地平面還包括對(duì)稱地分布于該金屬環(huán)部分外的多個(gè)金屬孤島部分。
      4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的微波耦合器,其特征在于該開(kāi)槽為矩形環(huán)狀,該金屬環(huán)部分為矩形環(huán)狀;或者,該開(kāi)槽為圓形環(huán)狀,該金屬環(huán)部分為圓形環(huán)狀。
      5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的微波耦合器,其特征在于該微波耦合器是采用一多層的高頻電路板制成。
      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微波耦合器,其特征在于該高頻電路板的介質(zhì)層為低溫?zé)Y(jié)陶瓷材質(zhì)。
      7.根據(jù)權(quán)利要求I至6任一所述的微波耦合器,其特征在于該微波輻射結(jié)構(gòu)還包括設(shè)置在頂部的一饋電機(jī)構(gòu)以及設(shè)置在該饋電機(jī)構(gòu)與該地平面之間的相互耦合的兩個(gè)繞線結(jié)構(gòu)。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微波耦合器,其特征在于該兩個(gè)繞線結(jié)構(gòu)是上下疊置的。
      9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微波耦合器,其特征在于每個(gè)繞線結(jié)構(gòu)為蛇形線、矩形螺旋線或者圓形螺旋線結(jié)構(gòu)。
      專利摘要一種微波耦合器,包括設(shè)置在底部的一地平面,該地平面包括有一環(huán)狀的開(kāi)槽、位于該開(kāi)槽內(nèi)的一金屬中心島部分和位于該開(kāi)槽外的一金屬環(huán)部分。本實(shí)用新型可以提高電橋的耦合特性,有利于產(chǎn)品的小型化。
      文檔編號(hào)H01P5/00GK202772251SQ20122049724
      公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月27日
      發(fā)明者張霄鵬, 張英華, 汪杰, 張慧景 申請(qǐng)人:蘇州博海創(chuàng)業(yè)微系統(tǒng)有限公司
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