專利名稱：一種pptc表面貼裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于PPTC表面貼裝技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)如圖1所示，包括高分子熱敏電阻PPTC芯片11，PPTC芯片I的上下端面的兩側(cè)分別壓合一層上導(dǎo)電膜5和下導(dǎo)電膜2，上導(dǎo)電膜5和下導(dǎo)電膜2的端面分別貼合有上絕緣層6和下絕緣層3，左電極4和右電極7呈U形，且分別扣合在PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)的左右兩端。由于PPTC主要應(yīng)用于電池或USB端口等的過流保護(hù)，為了增加PPTC的導(dǎo)電率降低其阻值，一般會在PPTC芯片內(nèi)添加金屬粉末，由于現(xiàn)有的PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)在使用時(shí)，其側(cè)面外露于空氣中，使得金屬粉末與外界空氣接觸，金屬粉末易受潮或氧化，影響到PPTC的使用效果以及使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型為解決現(xiàn)有PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)的加工時(shí)間長、成本高的問題，提供一種PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)，該P(yáng)PTC表面貼裝結(jié)構(gòu)可有效避免PPTC內(nèi)的金屬粉末與空氣接觸，延長PPTC的使用壽命，且使用效果好。本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:一種PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)，包括添加有金屬粉末的PPTC芯片、絕緣包裹層、左電極和右電極，所述PPTC芯片的上端面和下端面分別壓合一層上導(dǎo)電膜和下導(dǎo)電膜；所述上導(dǎo)電膜設(shè)有上蝕刻槽，蝕刻槽將上導(dǎo)電膜分為左上導(dǎo)電膜和右上導(dǎo)電膜，所述下導(dǎo)電膜也設(shè)有下蝕刻槽，下蝕刻槽將下導(dǎo)電膜分為左下導(dǎo)電膜和右下導(dǎo)電膜；所述絕緣包裹層包裹于PPTC芯片、上導(dǎo)電膜和下導(dǎo)電膜外，所述左電極、右電極分別連接于絕緣包裹層的左側(cè)和右偵牝所述絕緣包裹層的左側(cè)設(shè)有絕緣左通孔，絕緣包裹層的右側(cè)設(shè)有絕緣右通孔，所述左電極設(shè)有左連接部，左連接部插入絕緣左通孔并與左上導(dǎo)電膜或左下導(dǎo)電膜連接，所述右電極設(shè)有右連接部，右連接部插入絕緣右通孔并與右上導(dǎo)電膜或右下導(dǎo)電膜連接。進(jìn)一步地，左上導(dǎo)電膜設(shè)有與絕緣左通孔相通的左上導(dǎo)通孔，左連接部穿過絕緣左通孔并插入左上導(dǎo)通孔并與左上導(dǎo)通孔的側(cè)面連接。進(jìn)一步地，右下導(dǎo)電膜設(shè)有與絕緣右通孔相通的右下導(dǎo)通孔，右連接部穿過絕緣右通孔并插入右下導(dǎo)通孔并與右下導(dǎo)通孔的側(cè)面連接。進(jìn)一步地，所述絕緣左通孔為兩個(gè)，所述左電極設(shè)有兩個(gè)左連接部，所述左上導(dǎo)電膜設(shè)有與其中一個(gè)絕緣左通孔相通的左上導(dǎo)通孔；所述左下導(dǎo)電膜設(shè)有與另外一個(gè)絕緣左通孔相通的左下導(dǎo)通孔，一個(gè)左連接部穿過所述其中一個(gè)絕緣左通孔并插入左上導(dǎo)通孔并與左上導(dǎo)通孔的側(cè)面連接，另一個(gè)左連接部穿過另外一個(gè)絕緣左通孔并插入左下導(dǎo)通孔并與左下導(dǎo)通孔的側(cè)面連接。進(jìn)一步地，所述絕緣右通孔為兩個(gè)，所述右電極設(shè)有兩個(gè)右連接部，所述右上導(dǎo)電膜設(shè)有與其中一個(gè)絕緣右通孔相通的右上導(dǎo)通孔；所述右下導(dǎo)電膜設(shè)有與另外一個(gè)絕緣左通孔相通的右下導(dǎo)通孔，一個(gè)右連接部穿過所述其中一個(gè)絕緣右通孔并插入右上導(dǎo)通孔并與右上導(dǎo)通孔的側(cè)面連接，另一個(gè)右連接部穿過另外一個(gè)絕緣右通孔并插入右下導(dǎo)通孔并與右下導(dǎo)通孔的側(cè)面連接。本實(shí)用新型取得的有益效果為:本實(shí)用新型采用在PPTC芯片外包裹一層絕緣包裹層，使得PPTC與空氣隔絕，從而避免添加的金屬粉末與空氣接觸，防止金屬粉末變質(zhì)，延長使用壽命，保證使用性能。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)的PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型的立體結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本實(shí)用新型的俯視圖。圖4為圖3的CC方向剖視示意圖。圖5為PPTC芯片與上導(dǎo)電膜、下導(dǎo)電膜配合的結(jié)構(gòu)不意圖。附圖標(biāo)記為:I——PPTC芯片 2——下導(dǎo)電膜3——下絕緣層4——左電極5—上導(dǎo)電膜6—上絕緣層7——右電極8——絕緣包裹層9——左連接部10——右連接部21——右下導(dǎo)電膜22——左下導(dǎo)電膜23——下蝕刻槽51——右上導(dǎo)電膜52——左上導(dǎo)電膜53——上蝕刻槽54-左上導(dǎo)通孔55-右上導(dǎo)通孔。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖以及具體實(shí)施方式
對本發(fā)明做進(jìn)一步地說明。實(shí)施例:參見圖2至圖5。一種PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)，包括添加有金屬粉末的PPTC芯片1、絕緣包裹層8、左電極4和右電極7，所述PPTC芯片I的上端面和下端面分別壓合一層上導(dǎo)電膜5和下導(dǎo)電膜2 ;所述上導(dǎo)電膜5設(shè)有上蝕刻槽53，蝕刻槽將上導(dǎo)電膜5分為左上導(dǎo)電膜52和右上導(dǎo)電膜51，所述下導(dǎo)電膜2也設(shè)有下蝕刻槽23，下蝕刻槽23將下導(dǎo)電膜2分為左下導(dǎo)電膜22和右下導(dǎo)電膜21 ;所述絕緣包裹層8包裹于PPTC芯片1、上導(dǎo)電膜5和下導(dǎo)電膜2外，所述左電極4、右電極7分別連接于絕緣包裹層8的左側(cè)和右側(cè)，所述絕緣包裹層8的左側(cè)設(shè)有絕緣左通孔，絕緣包裹層8的右側(cè)設(shè)有絕緣右通孔，所述左電極4設(shè)有左連接部9，左連接部9插入絕緣左通孔并與左上導(dǎo)電膜52或左下導(dǎo)電膜22連接，所述右電極7設(shè)有右連接部10，右連接部10插入絕緣右通孔并與右上導(dǎo)電膜51或右下導(dǎo)電膜21連接。本實(shí)用新型采用在PPTC芯片I外包裹一層絕緣包裹層8，使得PPTC芯片I的側(cè)面完全與外界隔絕，起到很好的保護(hù)添加的金屬粉末；既可以提高PPTC芯片I的導(dǎo)電性能，又可以延長其使用壽命。絕緣包裹層8在進(jìn)行包裹時(shí)，對上、下蝕刻槽也進(jìn)行了填充，從而使得左上導(dǎo)電膜52、右上導(dǎo)電膜51隔絕；以及左下導(dǎo)電膜22、右下導(dǎo)電膜21隔絕。本實(shí)用新型在制作時(shí)，左連接部9、右連接部1、絕緣左通孔、絕緣右通孔均是通過向芯片擠壓或沖壓的方式的形成的，因此在制作工藝上簡單方便。本申請文件中的左、右等方位名稱主要用于對本申請文件的技術(shù)方案的解釋，并不對技術(shù)方案進(jìn)行限定。進(jìn)一步地，左上導(dǎo)電膜52設(shè)有與絕緣左通孔相通的左上導(dǎo)通孔54，左連接部9穿過絕緣左通孔并插入左上導(dǎo)通孔54并與左上導(dǎo)通孔54的側(cè)面連接。進(jìn)一步地，右下導(dǎo)電膜21設(shè)有與絕緣右通孔相通的右下導(dǎo)通孔，右連接部10穿過絕緣右通孔并插入右下導(dǎo)通孔并與右下導(dǎo)通孔的側(cè)面連接。左電極4通過左連接部9與左上導(dǎo)電膜52連接，右電極7通過右連接部10與右下導(dǎo)電膜21連接，工作時(shí)，電流依次從左電極4、左上導(dǎo)電膜52、PPTC芯片1、右下導(dǎo)電膜21以及右電極7流過，形成電流流通的通路，電流也可以反向流通；設(shè)置左上導(dǎo)通孔54、右下導(dǎo)通孔后，左連接部9與左上導(dǎo)電膜52的接觸面積以及右連接部10與右下導(dǎo)電膜21的接觸面積都增大不少，從而有效的減小左連接部9與左上導(dǎo)電膜52連接的電阻，以及減小右連接部10和右下導(dǎo)電膜21連接的電阻，增加導(dǎo)電率，提高使用性能。進(jìn)一步地，所述絕緣左通孔為兩個(gè)，所述左電極4設(shè)有兩個(gè)左連接部9，所述左上導(dǎo)電膜52設(shè)有與其中一個(gè)絕緣左通孔相通的左上導(dǎo)通孔54 ;所述左下導(dǎo)電膜22設(shè)有與另外一個(gè)絕緣左通孔相通的左下導(dǎo)通孔，一個(gè)左連接部9穿過所述其中一個(gè)絕緣左通孔并插入左上導(dǎo)通孔54并與左上導(dǎo)通孔54的側(cè)面連接，另一個(gè)左連接部9穿過另外一個(gè)絕緣左通孔并插入左下導(dǎo)通孔并與左下導(dǎo)通孔的側(cè)面連接。將絕緣左通孔、左連接部9均設(shè)置為兩個(gè)，左電極4通過兩個(gè)左連接部9分別與左上導(dǎo)電膜52和左下導(dǎo)電膜22連接，因此提高左電極4與PPTC芯片I左端電接觸的幾率，同時(shí)也減少左電極4與PPTC芯片I左端之間連接的電阻。本實(shí)用新型在實(shí)施時(shí)，將絕緣左通孔設(shè)置在上下兩側(cè)，左連接部9也設(shè)置在上下兩側(cè)；這樣設(shè)置方便左連接部9與左上導(dǎo)電膜52和左下導(dǎo)電膜22連接。進(jìn)一步地，所述絕緣右通孔為兩個(gè)，所述右電極7設(shè)有兩個(gè)右連接部10，所述右上導(dǎo)電膜51設(shè)有與其中一個(gè)絕緣右通孔相通的右上導(dǎo)通孔55 ;所述右下導(dǎo)電膜21設(shè)有與另外一個(gè)絕緣左通孔相通的右下導(dǎo)通孔，一個(gè)右連接部10穿過所述其中一個(gè)絕緣右通孔并插入右上導(dǎo)通孔55并與右上導(dǎo)通孔55的側(cè)面連接，另一個(gè)右連接部10穿過另外一個(gè)絕緣右通孔并插入右下導(dǎo)通孔并與右下導(dǎo)通孔的側(cè)面連接。本實(shí)用新型在實(shí)施時(shí)，通過沖孔的方式將左連接部9、右連接部10向PPTC芯片I方向進(jìn)行沖壓，使得左連接部9伸入左上導(dǎo)電膜52、左下導(dǎo)電膜22內(nèi)部，右連接部10伸入右上導(dǎo)電膜51、右下導(dǎo)電膜21內(nèi)部，使得這種結(jié)構(gòu)對應(yīng)的加工方式簡單。節(jié)省成本，參見圖4。右電極7通過兩個(gè)右連接部10分別與右上導(dǎo)電膜51和右下導(dǎo)電膜21連接，進(jìn)而與PPTC芯片I的右端連接，兩個(gè)右連接部10形成并聯(lián)連接，可以提高右電極7與PPTC芯片I導(dǎo)通的幾率，同時(shí)減少右電極7與PPTC芯片I之間的電阻，提高使用性能。在具體實(shí)施時(shí)，右連接部、絕緣右通孔均設(shè)置在右端的上下兩側(cè)，方便兩個(gè)右連接部分別與右上導(dǎo)電膜和右下導(dǎo)電膜連接。[0038]以上僅是本申請的較佳實(shí)施例，在此基礎(chǔ)上的等同技術(shù)方案仍落入申請保護(hù)范圍。
權(quán)利要求1.一種PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:包括添加有金屬粉末的PPTC芯片、絕緣包裹層、左電極和右電極，所述PPTC芯片的上端面和下端面分別壓合一層上導(dǎo)電膜和下導(dǎo)電膜；所述上導(dǎo)電膜設(shè)有上蝕刻槽，蝕刻槽將上導(dǎo)電膜分為左上導(dǎo)電膜和右上導(dǎo)電膜，所述下導(dǎo)電膜也設(shè)有下蝕刻槽，下蝕刻槽將下導(dǎo)電膜分為左下導(dǎo)電膜和右下導(dǎo)電膜；所述絕緣包裹層包裹于PPTC芯片、上導(dǎo)電膜和下導(dǎo)電膜外，所述左電極、右電極分別連接于絕緣包裹層的左側(cè)和右側(cè)，所述絕緣包裹層的左側(cè)設(shè)有絕緣左通孔，絕緣包裹層的右側(cè)設(shè)有絕緣右通孔，所述左電極設(shè)有左連接部，左連接部插入絕緣左通孔并與左上導(dǎo)電膜或左下導(dǎo)電膜連接，所述右電極設(shè)有右連接部，右連接部插入絕緣右通孔并與右上導(dǎo)電膜或右下導(dǎo)電膜連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:左上導(dǎo)電膜設(shè)有與絕緣左通孔相通的左上導(dǎo)通孔，左連接部穿過絕緣左通孔并插入左上導(dǎo)通孔并與左上導(dǎo)通孔的側(cè)面連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:右下導(dǎo)電膜設(shè)有與絕緣右通孔相通的右下導(dǎo)通孔，右連接部穿過絕緣右通孔并插入右下導(dǎo)通孔并與右下導(dǎo)通孔的側(cè)面連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述絕緣左通孔為兩個(gè)，所述左電極設(shè)有兩個(gè)左連接部，所述左上導(dǎo)電膜設(shè)有與其中一個(gè)絕緣左通孔相通的左上導(dǎo)通孔；所述左下導(dǎo)電膜設(shè)有與另外一個(gè)絕緣左通孔相通的左下導(dǎo)通孔，一個(gè)左連接部穿過所述其中一個(gè)絕緣左通孔并插入左上導(dǎo)通孔并與左上導(dǎo)通孔的側(cè)面連接，另一個(gè)左連接部穿過另外一個(gè)絕緣左通孔并插入左下導(dǎo)通孔并與左下導(dǎo)通孔的側(cè)面連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或4所述的一種PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述絕緣右通孔為兩個(gè)，所述右電極設(shè)有兩個(gè)右連接部，所述右上導(dǎo)電膜設(shè)有與其中一個(gè)絕緣右通孔相通的右上導(dǎo)通孔；所述右下導(dǎo)電膜設(shè)有與另外一個(gè)絕緣左通孔相通的右下導(dǎo)通孔，一個(gè)右連接部穿過所述其中一個(gè)絕緣右通孔并插入右上導(dǎo)通孔并與右上導(dǎo)通孔的側(cè)面連接，另一個(gè)右連接部穿過另外一個(gè)絕緣右通孔并插入右下導(dǎo)通孔并與右下導(dǎo)通孔的側(cè)面連接。
專利摘要本實(shí)用新型涉及一種PPTC表面貼裝結(jié)構(gòu)，包括PPTC芯片、絕緣包裹層、左電極和右電極，PPTC芯片的上端面和下端面分別壓合一層上導(dǎo)電膜和下導(dǎo)電膜；上導(dǎo)電膜設(shè)有將上導(dǎo)電膜分為左上、右上導(dǎo)電膜的上蝕刻槽，下導(dǎo)電膜設(shè)有將下導(dǎo)電膜分為左下、右下導(dǎo)電膜的下蝕刻槽；絕緣包裹層包裹于PPTC芯片、上導(dǎo)電膜和下導(dǎo)電膜外，所述左電極、右電極分別連接于絕緣包裹層的左側(cè)和右側(cè)，絕緣包裹層的左側(cè)和右側(cè)分別設(shè)有絕緣左通孔和絕緣右通孔，左電極設(shè)有左連接部，右電極設(shè)有右連接部。本實(shí)用新型采用在PPTC芯片外包裹一層絕緣包裹層，使得PPTC與空氣隔絕，避免添加的金屬粉末與空氣接觸，防止金屬粉末變質(zhì)，延長使用壽命保證使用性能。
文檔編號H01L23/13GK202996806SQ20122067925
公開日2013年6月12日 申請日期2012年12月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月11日
發(fā)明者陳錦標(biāo) 申請人:東莞市競沃電子科技有限公司