用于制造光電子器件的方法和這樣制造的器件的制作方法
【專利摘要】說明了一種用于制造光電子器件（10）的方法。提供半導(dǎo)體芯片（2），其具有適于產(chǎn)生輻射的有源層并且被布置在載體（1）上。將彌散材料（3）至少局部地施加在半導(dǎo)體芯片（2）上和/或載體（1）上。該彌散材料包含基質(zhì)材料（31）和嵌入基質(zhì)材料中的顆粒（32）。在施加彌散材料（3）之前對半導(dǎo)體芯片（2）的背離所述載體（1）的芯片邊緣（22）進行改性，使得彌散材料（3）在施加在芯片邊緣（22）處時至少部分地被分離為該彌散材料的組成部分。此外，還說明了一種這樣制造的器件（10）。
【專利說明】用于制造光電子器件的方法和這樣制造的器件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及用于制造包括半導(dǎo)體芯片和彌散材料的光電子器件的方法，和這樣制造的器件。
[0002]傳統(tǒng)上已知將彌散材料施加到半導(dǎo)體芯片上。所述彌散材料在此例如包括基質(zhì)材料和嵌入其中的反射性顆粒。在此，在施加到半導(dǎo)體芯片上時要注意的是，反射性顆粒不被沉積到芯片表面上，以便不會對半導(dǎo)體芯片的耦合輸出效率產(chǎn)生負面影響。在要涂層的和不要涂層的表面之間的分離傳統(tǒng)上通過彌散材料的空間上有針對性的施加來實現(xiàn)。在此彌散材料的體積被控制為，使得不要涂層的表面保持干凈，也即其上不沉積彌散材料。然而，這里缺點是彌散材料的體積在這種方法中是受限制的，但是由此同樣不利的是在彌散材料的反射性顆粒處的反射性是受限制的。同時，這里工藝安全性是低的并且要求提高的工藝控制。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本申請的任務(wù)是說明一種光電子器件的制造方法，該方法避免了上述的缺點。按照該申請的制造方法的出眾之處尤其是在于提高的工藝安全性和降低的工藝成本。此外，本申請的任務(wù)還在于說明一種這樣制造的器件，其中耦合輸出效率被提高并且同時更好地抑制了側(cè)向上的輻射發(fā)射。
[0004]這些任務(wù)尤其是通過具有權(quán)利要求1的特征的制造方法和具有權(quán)利要求12的特征的器件來解決。所述制造方法和器件的有利的改進方案是從屬權(quán)利要求的主題。
[0005]在一種實施方式中說明了具有下面的方法步驟的用于制造光電子器件的方法: 一提供半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片具有適于產(chǎn)生輻射的有源層并且被布置在載體上， 一將彌散材料至少局部地施加在半導(dǎo)體芯片上和/或載體上，該彌散材料包含基質(zhì)材
料和嵌入其中的顆粒，
其中
一在施加彌散材料之前對半導(dǎo)體芯片的至少一個背離所述載體的芯片邊緣進行改性，使得彌散材料在施加在芯片邊緣處時至少部分地被分離為該彌散材料的組成部分。
[0006]通過有針對性地改變芯片邊緣，可以實現(xiàn)在與芯片邊緣接觸時分離彌散物。優(yōu)選通過對芯片邊緣的改性來將彌散材料分離成基質(zhì)材料與顆粒。由此，存在如下可能性:確定的面保持沒有彌散的固體，而其他面同時被完全彌散物覆蓋。
[0007]所述分離相應(yīng)地優(yōu)選被進行為使得彌散材料的區(qū)域僅僅包括基質(zhì)材料而不包括顆粒，而其他區(qū)域具有帶有基質(zhì)材料的彌散材料和嵌入其中的顆粒。在該彌散材料中優(yōu)選地構(gòu)造僅僅由基質(zhì)材料組成的區(qū)域。包括不同區(qū)域的該彌散材料在此被一體地構(gòu)造并且因此在一個方法步驟中共同地被施加。
[0008]該彌散材料的顆粒例如是反射性顆粒。包括顆粒的該彌散材料優(yōu)選地不在芯片表面沉積，而是僅僅側(cè)向或者是橫向于半導(dǎo)體芯片地沉積。反射性顆粒在此用作由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的輻射的反射器，其中有利地提高了這種器件在運行中的耦合輸出效率。此外，利用這樣施加的彌散材料可以抑制來自器件的不期望的側(cè)向輻射發(fā)射，使得該器件優(yōu)選在前向方向上發(fā)射輻射。
[0009]概念“芯片邊緣”優(yōu)選地是指半導(dǎo)體芯片的輻射出射面的邊緣。同樣，概念“芯片邊緣”可以表示在輻射出射面俯視圖中的外部邊界線。改性可以限制于半導(dǎo)體芯片的如下區(qū)域，該區(qū)域在俯視圖中看從芯片邊緣起直到半導(dǎo)體芯片的內(nèi)部區(qū)域。半導(dǎo)體芯片的側(cè)面、尤其是芯片邊緣的外部和/或從芯片邊緣出發(fā)朝著離開輻射出射面的方向，可以沒有改性。
[0010]半導(dǎo)體芯片優(yōu)選是光電子半導(dǎo)體芯片，其能夠?qū)崿F(xiàn)將電子產(chǎn)生的數(shù)據(jù)或能量轉(zhuǎn)換成光發(fā)射或者反過來。例如光電子半導(dǎo)體芯片是發(fā)射輻射的半導(dǎo)體芯片。優(yōu)選的是，半導(dǎo)體芯片是LED、尤其優(yōu)選的是薄膜LED。在本申請的范疇中，將LED看作薄膜LED，在其制造期間，生長襯底優(yōu)選被完全除去，其中在該生長襯底上外延生長了半導(dǎo)體本體。
[0011]器件的輻射特性描述了涉及主輻射方向上強度的光強度的角度相關(guān)性。該主輻射方向在此是涉及有源層或半導(dǎo)體芯片的橫向延伸的垂直方向。
[0012]在一個改進方案中，通過對芯片邊緣的改性來構(gòu)造在彌散材料和基質(zhì)材料之間的分離邊緣。在分離邊緣處尤其是阻擋顆粒。分離邊緣將彌散材料分離，使得在分離邊緣的一側(cè)上僅僅存在基質(zhì)材料，而在分尚邊緣的另一側(cè)上存在基質(zhì)材料和嵌入基質(zhì)材料中的顆粒。沒有顆粒的基質(zhì)材料優(yōu)選布直在芯片表面上。例如在芯片芳和芯片邊緣芳，構(gòu)造帶有基質(zhì)材料和嵌入的顆粒的彌散材料并且在芯片上僅僅構(gòu)造基質(zhì)材料。
[0013]在一個改進方案中，通過對芯片邊緣的改性來構(gòu)造顆粒的過濾器功能。芯片邊緣相應(yīng)地具有針對彌散物的固體組成部分的過濾器功能。在此，這些顆粒被阻擋在芯片邊緣之后。因此，存在如下可能性，保持芯片表面沒有彌散物的固體，而在半導(dǎo)體芯片旁該載體被完全的彌散物覆蓋。
[0014]在一種改進方案中，通過改性在芯片邊緣處沉積顆粒。從而在芯片邊緣處阻擋顆粒，由此顆粒在該部位聚積。由此顆粒在芯片邊緣處以較高的濃度沉積，這有利地導(dǎo)致，更好地抑制了不希望的側(cè)向的輻射發(fā)射。在此，芯片表面不具有或幾乎不具有顆粒。在彌散材料的其余區(qū)域中，存在嵌入的顆粒，其中嵌入的顆粒的極大部分存在于芯片邊緣處。
[0015]在一種改進方案中，除了芯片邊緣外還將背離載體的芯片表面改性。在該情況下，不僅僅芯片邊緣被有針對性地改變，而且芯片表面同樣被改變，使得芯片表面附加地被構(gòu)造為使得其上不附著顆粒。由此可以進一步實現(xiàn)，在芯片表面上例如不沉積反射性顆粒，從而由此不會不利地減少或改變輻射效率。
[0016]在一種改進方案中，基質(zhì)材料包含硅酮和顆粒Ti02。相應(yīng)地，這些顆粒是適于散射由半導(dǎo)體芯片發(fā)射的輻射的反射性顆粒。TiO2顆粒在此有利地不是沉積在芯片表面上，而是沉積在半導(dǎo)體芯片旁，在那里它們有利地用作反射器，從而提高了耦合輸出效率并且抑制了側(cè)向上從器件發(fā)射的輻射。
[0017]在一種改進方案中，載體是殼體的部分，該殼體具有其中布置有半導(dǎo)體芯片的空腔。彌散材料在此被施加在芯片殼體中，其中該材料僅僅沉積在殼體中的確定部位上。
[0018]在一種改進方案中，在施加彌散材料之前在載體上施加另外的半導(dǎo)體芯片，為了改性至少局部地對所述另外的半導(dǎo)體芯片涂覆保護層。載體和半導(dǎo)體芯片例如構(gòu)造成半導(dǎo)體晶片，該半導(dǎo)體晶片在接下來的方法步驟中繼續(xù)被處理。在此，例如在共同的方法中將保護層施加到半導(dǎo)體芯片上。載體在此優(yōu)選構(gòu)成為平面的，從而不是殼體的部分。[0019]在一種改進方案中，保護層被構(gòu)造為使得其改變半導(dǎo)體芯片的表面能量，使得彌散材料不附著在半導(dǎo)體芯片的表面上。側(cè)向上施加到晶片上的彌散物在此可以有利地不到達半導(dǎo)體芯片的表面并且不在那里沉積，使得在該表面上不沉積反射性顆粒。
[0020]在一種改進方案中，保護層包含聚四氟乙烯，也被稱為特富龍。
[0021]在一種改進方案中，保護層完全覆蓋半導(dǎo)體芯片的背離載體的表面。同樣可能的是，保護層僅僅部分地覆蓋該表面并且僅僅沿著芯片邊緣來施加。保護層有利地對于由半導(dǎo)體芯片在運行中產(chǎn)生的輻射是可被透射的。
[0022]在一種實施方式中，保護層具有最聞IOOnm或者最聞50nm或者最聞25nm的厚度。代替地或者附加地，保護層的厚度為至少Inm或至少5nm或至少10nm。
[0023]在一種實施方式中，芯片邊緣的改性通過半導(dǎo)體芯片的背離載體的上側(cè)和/或半導(dǎo)體芯片的橫向于上側(cè)定向的側(cè)面的結(jié)構(gòu)化來實現(xiàn)。所述結(jié)構(gòu)化可以是上側(cè)和/或側(cè)面的打毛?？赡艿氖?，該結(jié)構(gòu)化延伸超出整個上側(cè)或者該結(jié)構(gòu)化僅僅沿著芯片邊緣在上側(cè)和/或在側(cè)面上延伸。
[0024]在一種實施方式中，該結(jié)構(gòu)化通過在上側(cè)處的突起來構(gòu)成。這些突起尤其是棱錐形或者棱錐臺形。例如借助蝕刻產(chǎn)生這些突起。這些突起的平均高度優(yōu)選為至少0.5μπι和/或最多1.5μπι。這些突起的平均齒形角例如在包括端值的45°至70°之間。
[0025]在一種實施方式中，彌散材料的顆粒具有平均直徑，該平均直徑至少是突起的平均高度的一半或者至少如突起的平均高度那么大。代替地或者附加地，平均直徑最大為突起的平均高度的兩倍。通過這種突起，與這種顆粒共同作用，可以實現(xiàn)一種梳子或過濾器類型，顆粒、尤其是僅僅顆粒被保持附著在該梳子或過濾器中。
[0026]在一種實施方式中，這些顆粒在俯視圖中看從芯片邊緣出來并且到達半導(dǎo)體芯片的上側(cè)的中心，到達該上側(cè)上最多直至50 μ m或者到達該上側(cè)上最多直至20 μ m或者到達該上側(cè)上最多直至10 μ m。這不排除:顆粒的可忽略的部分例如最多1%也繼續(xù)到達上側(cè)。同樣，在俯視圖中看，上側(cè)是沒有顆粒的，從而沒有或者基本沒有顆粒到達上側(cè)?；|(zhì)材料可以作為顆粒繼續(xù)到達表面。
[0027]在一種實施方式中，光電子器件具有半導(dǎo)體芯片，該半導(dǎo)體芯片包括適于產(chǎn)生福射的有源層并且被布置在載體上。至少局部地在該半導(dǎo)體芯片和/或載體上布置有彌散材料。該彌散材料包括基質(zhì)材料和嵌入其中的顆粒并且被一體地構(gòu)造。在半導(dǎo)體芯片的芯片邊緣處構(gòu)造有在彌散材料和基質(zhì)材料之間的分離邊緣。
[0028]與制造方法結(jié)合地提到的特征和優(yōu)點也適于器件并且反過來也是。
[0029]彌散材料的顆粒是反射性顆粒。在分離邊緣處將彌散材料分開，使得基質(zhì)材料處于半導(dǎo)體芯片的芯片表面上，而顆粒沉積在芯片邊緣處，由此器件的輻射特性不會受到不利的影響。此外，側(cè)向上的耦合輸出輻射有利地通過與芯片橫向布置的顆粒來抑制。
[0030]在一種改進方案中，基質(zhì)材料超出分離邊緣地被一體地構(gòu)造。例如，基質(zhì)材料在一個共同的方法步驟中被施加。
[0031]在一種改進方案中，在背離載體的芯片表面上布置基質(zhì)材料，并且在載體表面上布置彌散材料。在載體表面上的、該彌散材料的基質(zhì)材料在此與在芯片表面上的基質(zhì)材料一體地構(gòu)造，使得在芯片表面的基質(zhì)材料和載體表面的彌散材料之間不出現(xiàn)不利的全反射效應(yīng)。由此有利地減小了輻射被反向反射到半導(dǎo)體芯片中，由此進一步有利地提高了耦合輸出效率。
[0032]在一種改進方案中，在芯片邊緣處沉積了彌散材料的顆粒。在此，顆粒不僅僅沉積在芯片邊緣處，而且也沉積在半導(dǎo)體芯片旁的彌散材料中。但是，顆粒的極大部分沉積在芯片邊緣處，由此可以有利地進一步抑制從器件的側(cè)向的輻射發(fā)射。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]本發(fā)明的其他優(yōu)點和有利的改進方案從下面結(jié)合圖1至4描述的實施例得出。其中:
圖1示出了本發(fā)明器件的實施例的適應(yīng)性俯視圖，
圖2A示出了按照圖1的實施例的器件的俯視圖的拍攝圖，
圖2B示出了包含有按照圖2A的實施例的器件的表面改性的曲線圖，
圖3示出了本發(fā)明器件的實施例的示意性橫截面，以及 圖4示出了涉及器件的本發(fā)明制造方法的流程圖。
[0034]在這些圖中，相同的或功能相同的組成部分可以分別設(shè)置有相同的參考標(biāo)號。所示的組成部分和其相互之間的大小關(guān)系不視為合乎比例尺的。相反，各個組成部分、例如層、結(jié)構(gòu)、組件和區(qū)域為了更好的顯示和/或為了更好的理解起見而被過度加厚或放大尺寸地示出。
【具體實施方式】
[0035]在圖1中示出了器件10的俯視圖，該器件具有載體I和布置在載體I上的半導(dǎo)體芯片2。半導(dǎo)體芯片2例如是LED，優(yōu)選是薄膜LED。
[0036]半導(dǎo)體芯片2具有由半導(dǎo)體材料制成的半導(dǎo)體本體。半導(dǎo)體材料例如是III/V半導(dǎo)體材料。該半導(dǎo)體芯片具有被設(shè)置用于并且適于產(chǎn)生輻射的有源層。半導(dǎo)體芯片2包括外延沉積的層，這些層構(gòu)成該芯片，其中有源層被集成在這些層中。
[0037]半導(dǎo)體芯片2具有輻射出射側(cè)，將在有源層中發(fā)射的輻射的絕大部分從芯片中由該輻射出射側(cè)耦合輸出。輻射出射側(cè)當(dāng)前構(gòu)成芯片表面21，其在圖1的實施例中在俯視圖中示出。
[0038]載體I例如平面地構(gòu)造，優(yōu)選被構(gòu)造為載體板。代替地，該載體I也可以是殼體的部分。在該情況下，該殼體具有空腔，半導(dǎo)體芯片2被布置在該空腔中。在圖1的實施例中，載體I是這種殼體110的部分。
[0039]在殼體的空腔中引入彌散材料，該彌散材料填滿空腔。在此，該彌散材料具有基質(zhì)材料31并且具有嵌入基質(zhì)材料中的顆粒32。嵌入的顆粒例如是反射性顆粒，其適于對由有源層發(fā)射的輻射進行散射。
[0040]基質(zhì)材料例如是硅酮，顆粒例如是TiO2顆粒。
[0041]在半導(dǎo)體芯片2的芯片邊緣22處構(gòu)造有在該彌散材料3和基質(zhì)材料31之間的分離邊緣。尤其是，芯片邊緣22具有基質(zhì)材料31和顆粒32。在此，在芯片表面21上僅僅布置有基質(zhì)材料31，而在芯片2旁在載體表面11上布置有彌散材料3，彌散材料3包含基質(zhì)材料31和顆粒32。彌散材料3因此具有兩個區(qū)域3a，3b，其中第一區(qū)域3a布置在半導(dǎo)體芯片2上方并且第二區(qū)域3b布置在半導(dǎo)體芯片2旁。第一區(qū)域3a僅僅具有基質(zhì)材料而沒有嵌入的顆粒。第二區(qū)域3b具有嵌入的顆粒在基質(zhì)材料中的彌散。在此，在半導(dǎo)體芯片2上方的基質(zhì)材料31與在半導(dǎo)體芯片2旁的基質(zhì)材料31被一體地構(gòu)造。
[0042]芯片邊緣22形成對于顆粒32的過濾器功能。在此，大量顆粒32直接沉積在芯片邊緣22處，其中顆粒同樣嵌入在半導(dǎo)體芯片2旁的彌散材料的剩余基質(zhì)材料中。
[0043]將彌散材料3分成基質(zhì)材料31和顆粒32基于半導(dǎo)體芯片的芯片邊緣和芯片表面的改性來進行。通過有針對性地改變芯片表面和芯片邊緣可以實現(xiàn)，在芯片邊緣上將彌散材料分離并且因而構(gòu)造出針對彌散物也即顆粒的固體組成部分的過濾器功能。在此，這些顆粒被阻擋在芯片邊緣之后并且因此聚積在該芯片邊緣處。
[0044]該應(yīng)用的優(yōu)點在于如下可能性，即芯片表面保存沒有顆粒，而載體表面同時被完全的彌散物覆蓋。此外，還存在如下可能性，即彌散物的顆粒以更高的濃度積聚在芯片邊緣處。由此可以實現(xiàn)，顆粒僅僅積聚在器件的希望這種積聚的部位。由此例如可以阻止由有源層發(fā)射的輻射在芯片表面上方的顆粒上的反射，由此有利地提高了耦合輸出效率。同時，在半導(dǎo)體芯片旁的彌散材料中的顆粒用作反射器，由此由有源層發(fā)射的輻射可以在顆粒上向輻射耦合輸出側(cè)的方向反射。此外，有利地通過顆粒的這種布置抑制了輻射從器件的側(cè)向的發(fā)射。這種抑制通過在芯片邊緣處的更高的顆粒濃度來改善。
[0045]在圖2A中示出了按照圖1的實施例的器件的照片的片段。這里，在芯片邊緣22處構(gòu)造了 TiO2顆粒32的提高的濃度。在此，在芯片表面上的區(qū)域3a中沒有布置TiO2顆粒。相應(yīng)地，芯片邊緣22用作針對顆粒32的過濾器功能。在半導(dǎo)體芯片旁構(gòu)造有第二區(qū)域，在其中布置有包含基質(zhì)材料和顆粒的彌散材料。在半導(dǎo)體芯片上方的基質(zhì)材料和在半導(dǎo)體芯片旁的基質(zhì)材料在此一體地構(gòu)造，使得可以避免全反射。
[0046]半導(dǎo)體芯片在圖2A的實施例中具有打毛部，其進一步提高了耦合輸出效率，其方式是減少了在半導(dǎo)體芯片和基質(zhì)材料之間的界面處的全反射。
[0047]此外，圖2A的實施例與圖1的實施例一致。
[0048]在圖2B中示出了其中表現(xiàn)表面結(jié)構(gòu)化的曲線圖。借助虛線22示出將彌散材料分成第一區(qū)域3a和第二區(qū)域的芯片邊緣。芯片邊緣左邊布置有包含基質(zhì)材料和顆粒32的彌散材料。芯片邊緣右邊示出了無顆粒的基質(zhì)材料。如從該曲線圖可以看出地，在芯片邊緣的左旁積聚有顆粒32，這借助表面值的高振幅來示出。相反，在芯片邊緣右邊沒有積聚TiO2顆粒。該側(cè)的振幅基于芯片表面的表面粗糙部23。然而，打毛結(jié)構(gòu)23具有比TiO2顆粒小得多的高度。相應(yīng)地，該曲線圖示出，通過對芯片邊緣和/或芯片表面的改性可以將基質(zhì)材料構(gòu)造為使得在改性的表面處或邊緣處不附著顆粒，從而在該區(qū)域中該器件沒有反射性顆粒。相反，其余區(qū)域具有嵌入在基質(zhì)材料中的反射性顆粒。
[0049]圖2B的曲線圖尤其是對圖2A的器件沿著橫向伸展的表面測量。
[0050]在圖3的實施例中，示出了器件10的橫截面。在圖3中示出的橫截面例如是按照圖1實施例的器件的橫截面。
[0051]在殼體中、尤其是在殼體的空腔中布置有半導(dǎo)體芯片2，該半導(dǎo)體芯片具有背離殼體布置的芯片表面21。該空腔用彌散材料3來填充，其中彌散材料由于芯片表面改性和芯片邊緣改性而具有三個區(qū)域。第一區(qū)域3a延伸在芯片表面上。在該區(qū)域中彌散材料僅僅具有基質(zhì)材料31。在該區(qū)域中，顆粒沒有嵌入基質(zhì)材料中。在半導(dǎo)體芯片2的橫向旁，另外的區(qū)域3b具有帶有基質(zhì)材料和嵌入其中的反射性顆粒(例如TiO2顆粒)的彌散材料。在一個或多個芯片邊緣22處，構(gòu)造有對于彌散材料3的顆粒32的過濾器功能，使得顆粒32成比例地積聚在芯片邊緣22處。由于芯片表面和芯片邊緣的改性可以在制造工藝中避免顆粒在芯片表面上出現(xiàn)并且附著。由此可以無顆粒地產(chǎn)生芯片表面。
[0052]器件10優(yōu)選在前向方向上發(fā)射輻射，如在圖3中借助箭頭所示。該前向方向尤其是通過側(cè)向發(fā)射的輻射在顆粒32處的有針對性的反射來實現(xiàn)。
[0053]此外，圖3的實施例基本上與圖1的實施例一致。
[0054]代替圖1至3的實施例，半導(dǎo)體芯片可以不布置在殼體中，而是布置在平面載體中。此外，可能的是，在該平面的載體上布置多個半導(dǎo)體芯片。例如，該載體和該半導(dǎo)體芯片構(gòu)成晶片。這些半導(dǎo)體芯片相應(yīng)地可以共同地在該載體上被制造，尤其是被沉積。為了在這種晶片情況下對半導(dǎo)體芯片的表面進行改性，例如可以將保護層施加到半導(dǎo)體芯片上。在此，保護層被構(gòu)造為使得其改變半導(dǎo)體芯片的表面能量，從而稍后要施加的彌散材料不附著在半導(dǎo)體芯片的表面上，使得在所述區(qū)域中不布置反射性顆粒。保護層例如包含特富龍。
[0055]在圖4中示出了用于制造例如在圖1至3中所示器件的流程圖。在方法步驟V1中提供了半導(dǎo)體芯片，其具有適于產(chǎn)生輻射的有源層并且被布置在載體上。代替地，可以在晶片復(fù)合物中提供多個半導(dǎo)體芯片。
[0056]在方法步驟V2中接著至少將一個或多個半導(dǎo)體芯片的芯片邊緣或者附加地也將芯片表面改性，使得接著要施加的彌散材料在改性的邊緣或表面處被分離為該彌散材料的組成部分。在此，如下地進行分離，即在改性的表面上僅僅施加基質(zhì)材料并且沒有顆粒發(fā)生附著，而在未改性的表面上提供帶有顆粒的彌散材料。
[0057]接著在方法步驟V3中，將彌散材料施加在半導(dǎo)體芯片和/或載體上。在此，彌散材料的顆粒被阻擋在改性的芯片邊緣或芯片表面之后，由此顆粒不沉積在該部位上。而在改性的邊緣或芯片表面之前，顆粒附著地沉積。例如，由TiO2顆粒和硅酮組成的彌散物在接觸改性的芯片邊緣或芯片表面時被分離為該彌散物的組成部分。在此，清澈的硅酮在芯片表面上蔓延，而TiO2顆粒在芯片邊緣處沉積。
[0058]本發(fā)明不通過借助實施例的描述而被局限于這些實施例，而是包括每個新特征以及特征的每種組合，這尤其是包括在權(quán)利要求中的特征的每種組合，即使這些特征或組合本身沒有明確在權(quán)利要求或?qū)嵤├姓f明。
[0059]本專利申請請求德國專利申請10 2011 016 567.3的優(yōu)先權(quán)，其公開內(nèi)容通過引
用被結(jié)合于此。
【權(quán)利要求】
1.用于制造光電子器件(10)的方法，具有下面的方法步驟(V1,V2，V3): 一提供半導(dǎo)體芯片(2)，其具有適于產(chǎn)生輻射的有源層并且被布置在載體(I)上， 一將彌散材料(3 )至少局部地施加在半導(dǎo)體芯片(2 )上和/或載體(I)上，該彌散材料包含基質(zhì)材料(31)和嵌入基質(zhì)材料中的顆粒(32)， 其中 在施加彌散材料(3)之前對半導(dǎo)體芯片(2)的至少一個背離所述載體(I)的芯片邊緣(22)進行改性，使得彌散材料(3)在施加在芯片邊緣(22)處時至少部分地被分離為該彌散材料的組成部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，通過對芯片邊緣(22)的改性將彌散材料(3 )分離成基質(zhì)材料(31)和顆粒(32 )。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的方法，其中，通過對芯片邊緣(22)的改性來構(gòu)造在彌散材料(3)和基質(zhì)材料(31)之間的分離邊緣。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，通過對芯片邊緣(22)的改性來構(gòu)造顆粒(32)的過濾器功能。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其特征在于，通過改性在芯片邊緣(22)處沉積顆粒(32)。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，附加地將背離載體(I)的芯片表面(21)改性。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，該基質(zhì)材料(31)包含硅酮和顆粒(32)TiO20
8.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，載體(I)是殼體的部分，該殼體具有其中布置有半導(dǎo)體芯片(2)的空腔。
9.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的方法，其中，在施加彌散材料(3)之前在載體(I)上施加另外的半導(dǎo)體芯片(2)，為了改性至少局部地對這些另外的半導(dǎo)體芯片涂覆保護層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，保護層被構(gòu)造為使得其改變半導(dǎo)體芯片(2)的表面能量，使得彌散材料(3 )不在芯片表面(21)上附著。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10所述的方法，其中所述保護層包含聚四氟乙烯或者由其構(gòu)成。
12.帶有半導(dǎo)體芯片(2)的光電子器件(10)，該半導(dǎo)體芯片具有適于產(chǎn)生輻射的有源層并且被布置在載體(I)上，其中 -至少局部地在該半導(dǎo)體芯片(2)和/或載體(I)上布置有彌散材料(3)，該彌散材料包括基質(zhì)材料(31)和嵌入基質(zhì)材料中的顆粒(32)并且被一體地構(gòu)造，并且 -在半導(dǎo)體芯片(2)的芯片邊緣(22)處構(gòu)造有在彌散材料(3)和基質(zhì)材料(31)之間的分離邊緣。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其中基質(zhì)材料(31)超出分離邊緣地被一體地構(gòu)造。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的器件，其中在背離載體(I)的芯片表面(21)上布置基質(zhì)材料(31)，并且在載體表面(11)上布置彌散材料(3 )。
15.根據(jù)上述權(quán)利要求12至14之一所述的器件，其中在芯片邊緣(22)處沉積了彌散材料(3)的顆粒(32)。
【文檔編號】H01L33/44GK103460413SQ201280017260
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2012年3月15日 優(yōu)先權(quán)日:2011年4月8日
【發(fā)明者】M.毛特, J.莫斯布格爾, S.耶雷比克 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司