用于光電子器件的封裝結(jié)構(gòu)和用于封裝光電子器件的方法
【專利摘要】一種用于光電子器件（400）的封裝結(jié)構(gòu)（300），其具有：用于保護光電子器件防范化學(xué)的污物的薄層封裝（301）；構(gòu)成在所述薄層封裝上的粘接層（302）和構(gòu)成在所述粘接層上的、用于保護所述薄層封裝和/或所述光電子器件免受機械的損傷的覆蓋層（303）。
【專利說明】用于光電子器件的封裝結(jié)構(gòu)和用于封裝光電子器件的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 不同的實施例涉及一種用于光電子器件的封裝結(jié)構(gòu)和一種用于封裝光電子器件的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在生產(chǎn)光電子器件或部件、特別是有機的光電子部件例如有機的發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diodes (OLED) )、0LED 顯不器(OLED-Display)或者有機的太陽能電池或光伏電池(Organic Photovoltaic (0PV) Cells)時所期望的是,一方面相對于空氣(特別是相對于包含在空氣中的濕氣(水)和氧氣)氣密地密封所述部件，并且另一方面保護所述部件免受機械損傷(例如刮擦)，以便避免部件的失效。
[0003]密封部件或者保護部件免受機械損傷能夠借助于封裝所述部件來實現(xiàn)。
[0004]對于封裝和機械地包封在玻璃襯底上的有機的光電子器件(例如0LED)而言，借助于玻璃腔的封裝是已知的。在該技術(shù)中，通過一種特殊的膠粘劑將玻璃蓋粘接到部件(裝置)上。該技術(shù)能夠在很大程度上阻止損傷的影響。但是在粘接部位的區(qū)域中水和氧氣仍然能夠擴散到器件中。作為對此的對策，能夠?qū)⑺Y(jié)合和氧結(jié)合的材料(所謂的吸氣劑)引入(例如粘接)到腔中。例如，由沸石構(gòu)成的不透明的吸氣劑能夠粘接到腔中。在有機的材料受到損傷之前，該吸氣劑能夠吸收水和氧氣。玻璃蓋同時能夠提供足夠的機械保護。
[0005]圖1根據(jù)一個示例示出具有有機的發(fā)光二極管(0LED) 100的結(jié)構(gòu)100’和傳統(tǒng)的借助于玻璃腔的封裝。
[0006]0LED100具有襯底玻璃101。在襯底玻璃101上設(shè)置有功能層堆(0LED堆)102。功能層堆102能夠具有一個或多個有機的功能層(也就是說用于產(chǎn)生光的層)。此外能夠設(shè)有電極，以用于電接觸有機的功能層。封裝玻璃103 (也被稱為覆蓋玻璃或者蓋玻片)粘接到襯底101上并且圍繞功能層堆102，使得形成腔(空腔)104。吸氣劑105 (通過粘接到功能層堆102之上的封裝玻璃103的內(nèi)側(cè)上)被引入到腔104中，所述吸氣劑應(yīng)吸收穿過粘接部位滲入襯底101和封裝玻璃103之間的水和/或氧氣并且應(yīng)以這種方式防止水和/或氧氣損傷功能層堆102的層。0LED100構(gòu)成為底部發(fā)射極，也就是說光發(fā)射穿過透明的襯底玻璃101進行。吸氣劑105能夠由不透明的材料(例如沸石)構(gòu)成。
[0007]圖2根據(jù)另一示例示出具有有機的發(fā)光二極管(0LED) 100的結(jié)構(gòu)200’與傳統(tǒng)的借助于玻璃腔的封裝。
[0008]結(jié)構(gòu)200’與在圖1中示出的結(jié)構(gòu)100’的區(qū)別在于，代替一種單獨的大的吸氣劑105 (如在圖1中示出的)，兩種較小的吸氣劑205被引入到腔104中。這兩種吸氣劑205在封裝玻璃103的內(nèi)側(cè)上粘接在封裝玻璃103的邊緣區(qū)域中。0LED100能夠構(gòu)成為透明的0LED (光發(fā)射既向下穿過襯底玻璃101也向上穿過封裝玻璃103)或者構(gòu)成為頂部發(fā)射極(光發(fā)射僅向上穿過封裝玻璃103)。對于在圖2中示出的具有兩種設(shè)置在邊緣區(qū)域中的吸氣劑205的結(jié)構(gòu)可替選的是，也能夠?qū)⒁环N或多種穿孔的吸氣劑引入或者設(shè)置在腔104中。
[0009]腔封裝的方法總的來說是非常昂貴的。此外(剛性的)的玻璃蓋或玻璃腔的使用不適合用于制造柔性的(也就是說可彎曲)的器件(例如柔性的OLED)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]根據(jù)本發(fā)明的不同的實施例提出，將光電子器件，例如有機的光電子器件、例如0LED通過施加一個或多個薄的膜(薄的層或者薄層)來防水和防氧氣地密封(所謂的薄層封裝)。這樣的薄層封裝在機械上能夠是敏感的并且應(yīng)(也如同器件本身)被保護防止接觸和刮擦。根據(jù)不同的實施例，這借助于施加作為機械的保護層的覆蓋層來實現(xiàn)，其中在薄層封裝和覆蓋層之間設(shè)有粘接層(例如層壓膠粘層)以用于增加粘附。根據(jù)不同的實施例，覆蓋層的施加例如能夠通過平面地層壓平坦的覆蓋玻璃來實現(xiàn)。通過玻璃能夠?qū)崿F(xiàn)對器件和薄層封裝的機械保護。借助于這樣構(gòu)成的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)一如在上文中所描述的一具有薄層封裝、粘接層和覆蓋層，對光電子器件(例如有機的光電子器件、例如0LED)的簡單的、可靠的并且低成本的封裝是可能的。附加地，能夠借助所提出的封裝結(jié)構(gòu)來減少或者完全防止發(fā)生由于在薄層封裝處或在薄層封裝上的、或者在粘接層上或在粘接層(例如層壓膠粘層)中的可能的顆粒而產(chǎn)生的缺陷，如在下文中所述。
[0011]借助于薄的層或借助于薄層工藝的封裝也適合用于在薄膜襯底(例如鋼薄膜襯底或者聚合物薄膜襯底)上的柔性的器件(例如柔性的0LED)。為了保護防止接觸和損傷，在這里將薄膜例如層壓到襯底薄膜上或者層壓到在兩個封裝薄膜之間的襯底薄膜上。
[0012]在不同的實施例中，提供用于光電子器件，例如有機的光電子器件、例如0LED的能容忍顆粒的封裝和保護層。
[0013]在不同的實施例中，提供用于光電子器件，例如有機的光電子器件、例如0LED的封裝結(jié)構(gòu)，其中完全地或者部分地避免因顆粒污物引起的對一個或多個光電子器件的損傷。
[0014]在不同的實施例中，提供用于將保護膜施加在光電子器件，例如施加在有機的光電子器件、例如0LED上的能夠容忍顆粒的方法。
[0015]在不同的實施例中，用于光電子器件的封裝結(jié)構(gòu)具有:用于保護光電子防范化學(xué)污物的薄層封裝；構(gòu)成在薄層封裝上的粘接層；和構(gòu)成在粘接層上的、用于保護薄層封裝和/或光電子器件免受機械損傷的覆蓋層。
[0016]在不同的實施例中，用于封裝光電子器件的方法具有:在光電子器件上或之上構(gòu)成薄層封裝，以用于保護光電子器件防范化學(xué)污物；在薄層封裝上構(gòu)成粘接層；在粘接層上構(gòu)成覆蓋層，以用于保護薄層封裝和/或光電子器件免受機械損傷。
[0017]在不同的實施例中，封裝裝置具有光電子器件和封裝結(jié)構(gòu)。光電子器件具有至少一個功能層。封裝結(jié)構(gòu)構(gòu)成在至少一個功能層上或者之上。封裝結(jié)構(gòu)能夠根據(jù)一個或多個在這里說明的設(shè)計方案構(gòu)成。
[0018]所述實施例的不同的設(shè)計方案以相同的方式，只要是適宜的，既適用于光電子器件的封裝結(jié)構(gòu)也適用于封裝裝置和用于封裝光電子器件的方法。
[0019]術(shù)語“層”或者“層結(jié)構(gòu)”，如在這里所應(yīng)用的一樣，能夠表示由多個薄的(子)層構(gòu)成的一個單獨的層或者由多個薄的(子)層構(gòu)成的層序列(層堆或?qū)?堆)。特別地，光電子器件的功能層，例如有機的光電子器件的有機的功能層能夠由多個(子)層形成。但是其它的在這里所描述的層也能夠由多個(子)層形成。[0020]術(shù)語“彼此重疊地設(shè)置”、“彼此重疊地構(gòu)成”以及“施加在層上”，如在這里所應(yīng)用的一樣，例如意味著:層以機械和/或電接觸的方式直接設(shè)置在另一個層上。層也能夠間接地設(shè)置在另一個層上，其中隨后在所說明的層之間能夠存在其它的層。這樣的層例如能夠用于進一步改善功能性進而改善光電子器件的效率。
[0021]術(shù)語“相疊地設(shè)置”、“相疊地構(gòu)成”和“施加在層之上”，如在這里所應(yīng)用的一樣，例如意味著:層至少間接地設(shè)置在另一個層上。也就是說，在所說明的層之間能夠存在其它的層。
[0022]術(shù)語“粘接層”、如在這里所應(yīng)用的一樣，能夠表示層或者層結(jié)構(gòu)，所述層或者層結(jié)構(gòu)具有一種或多種粘接材料(例如膠粘劑)或者由其構(gòu)成。借助于所述粘接層或者粘接層的粘接材料(例如膠粘劑)，兩個或多個元件(例如層)能夠借助于粘附牢固地彼此連接。增加粘附能夠通過粘接層來實現(xiàn)，所述粘接層能夠至少部分地構(gòu)成在待連接的元件(例如層)之間。
[0023]在本申請的范圍中能夠?qū)⒐怆娮悠骷摹肮δ軐印崩斫鉃樵诠怆娮悠骷杏糜陔姾蓚鬏敽陀糜诋a(chǎn)生光的層。
[0024]根據(jù)一個設(shè)計方案，光電子器件的至少一個功能層構(gòu)成為有機的功能層。
[0025]“有機的功能層”能夠包含發(fā)射極層，例如具有發(fā)出熒光的和/或發(fā)出磷光的發(fā)射極。
[0026]用于能夠使用在根據(jù)不同的設(shè)計方案的光電子器件中的發(fā)射極材料的示例包括:有機的化合物或者有機金屬的化合物，如聚芴、聚噻吩和聚亞苯基(例如2-或者2，5-取代的聚對亞苯基亞乙烯基)的衍生物；以及金屬絡(luò)合物，例如銥-絡(luò)合物，如發(fā)出藍色的磷光的FIrPiC (雙(3，5-二氟-2- (2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶)-銥III)、發(fā)出綠色的磷光的Ir (ppy)3 (三(2-苯基吡啶)銥III )、發(fā)出紅色的磷光的Ru (dtb-bpy) 3*2 (PF6)(三[4，4’_ 二-叔-丁基-(2，2’)_聯(lián)吡啶]釕(III)絡(luò)合物)以及發(fā)出藍色的熒光的DPAVBi(4，4’-雙[4-(二-對-甲苯基氨基)苯乙烯基]聯(lián)苯)、發(fā)出綠色的熒光的TTPA(9，10-雙[N, N- 二-(對-甲苯基)_氨基]蒽)和發(fā)出紅色的熒光的DCM2 (4- 二氰基亞甲基)-2-甲基-6-久洛尼定基-9-烯基-4H-吡喃)作為非聚合的發(fā)射極。這樣的非聚合的發(fā)射極例如可借助于熱蒸發(fā)來沉積。此外能夠使用聚合物發(fā)射極，所述聚合物發(fā)射極特別是可借助于濕化學(xué)的工藝例如旋涂來沉積。
[0027]發(fā)射極材料能夠以適當(dāng)?shù)姆绞角度朐诨|(zhì)材料中。
[0028]光電子器件的發(fā)射極層的發(fā)射極材料例如能夠選擇為，使得所述光電子器件發(fā)射白光。發(fā)射極層能夠具有多個發(fā)射不同的顏色(例如藍色和黃色或者藍色、綠色和紅色)的發(fā)射極材料，可替選地，發(fā)射極層也能夠由多個子層構(gòu)造，如由發(fā)出藍色的熒光的發(fā)射極層、發(fā)出綠色的磷光的發(fā)射極層和發(fā)出紅色的磷光的發(fā)射極層構(gòu)成。通過不同的顏色的混合，能夠產(chǎn)生具有白色的色彩印象的發(fā)射?？商孢x地也能夠提出，在通過這些層產(chǎn)生的初級發(fā)射的光路中設(shè)置有轉(zhuǎn)換材料，所述轉(zhuǎn)換材料至少部分地吸收初級輻射并且發(fā)射其它波長的次級輻射，以至于從(仍不是白色的)初級輻射中通過初級輻射和次級輻射的組合而產(chǎn)生白色的色彩印象。
[0029]光電子器件通常能夠具有其它的有機的功能層，所述有機的功能層用于進一步改善功能性進而改善光電子器件的效率。[0030]例如能夠選擇有機的功能層，所述有機的功能層用于改善第一電極和/或第二電極以及載流子傳輸和激子傳輸?shù)墓δ苄院托省?br> [0031]應(yīng)指出的是，在可替選的實施例中，能夠設(shè)有發(fā)射光的功能層的，例如有機的功能層的各種適宜的形式，并且所述實施例不局限于功能層的具體的類型。
[0032]在本申請的范圍中通常能夠?qū)ⅰ拔畚铩被蛘摺拔廴疚铩崩斫鉃椴牧稀⒉牧系幕衔?、微粒、物質(zhì)等，所述污物或者污染物在制造過程期間的出現(xiàn)或者其在正在處理的部件(裝置)中的存在是所不期望的，因為其例如對制造過程產(chǎn)生負面的影響和/或能夠損壞所述部件的功能性。
[0033]在本申請的范圍中通常能夠?qū)ⅰ盎瘜W(xué)的污物”或者“化學(xué)的污染物”理解為來自于環(huán)境的化學(xué)成分(換句話說，大氣的物質(zhì))，所述成分在制造光電子器件(例如有機的光電子器件)時作用為污物。例如能夠?qū)ⅰ盎瘜W(xué)的污物”理解為環(huán)境的化學(xué)成分，如果所述環(huán)境的化學(xué)成分與光電子器件的一個或多個層(特別是與光電子器件的一個或多個功能層(例如在有機的光電子器件、例如0LED中的有機的功能層))接觸，那么它們能夠與所述層產(chǎn)生反應(yīng)，并且由此能夠損壞或損傷所述層的功能性進而損壞或損傷光電子器件的功能性。這些有害的成分的示例特別是水(濕氣)或者氧氣。
[0034]在本申請的范圍中例如將“薄層封裝”理解為層或者層結(jié)構(gòu)，所述層或者層結(jié)構(gòu)適合于形成防化學(xué)的污物或者防大氣物質(zhì)、特別是防水(濕氣)和/或防氧氣的阻擋。換句話說，薄層封裝構(gòu)成為，使得其不能被大氣的物質(zhì)，如水或者氧氣穿過或者至多僅能夠極其小部分地被穿過。阻擋作用在薄層封裝中基本上通過一個或多個薄的層來實現(xiàn)，所述薄的層是薄層封裝的一部分。層或者薄層封裝的各個層例如能夠具有小于或等于幾百納米的厚度。
[0035]根據(jù)一個設(shè)計方案，薄層封裝由層構(gòu)成，所述層對薄層封裝的阻擋作用負責(zé)。所述層也能夠被稱為阻擋薄層或者阻擋薄膜。
[0036]根據(jù)一個設(shè)計方案，薄層封裝構(gòu)成為一個單獨的層(換句話說，構(gòu)成為單層)。
[0037]根據(jù)一個可替選的設(shè)計方案，薄層封裝能夠具有多個彼此重疊地構(gòu)成的子層。換句話說，根據(jù)一個設(shè)計方案，薄層封裝能夠構(gòu)成為層堆(堆)，所述層堆具有多個子層(也稱為阻擋薄層)。
[0038]薄層封裝或者薄層封裝的一個或多個子層(阻擋薄層)例如能夠借助于適宜的沉積工藝形成，例如借助于根據(jù)一個設(shè)計方案的原子層沉積工藝(Atomic Layer Deposition(ALD)),例如等離子體增強的原子層沉積(Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition(PEALD))或者無等離子體增強原子層沉積(Plasma-less Enhanced Atomic LayerDeposition (PLALD)),或者借助于根據(jù)另一設(shè)計方案的化學(xué)氣相沉積工藝(ChemicalVapor Deposition (CVD)),例如等離子體增強的化學(xué)氣相沉積工藝(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition (PECVD))或者無等離子體化學(xué)氣相沉積工藝(Plasma-lessChemical Vapor Deposition (PLCVD)),或者可替選地借助于其它適宜的沉積工藝形成。
[0039]通過應(yīng)用原子層沉積工藝(ALD)能夠沉積非常薄的層。特別地，能夠沉積層厚度在原子層范圍中的層。
[0040]根據(jù)一個設(shè)計方案，在具有多個子層的薄層封裝中，所有的子層能夠借助于原子層沉積工藝來形成。僅具有ALD層的層序列也能夠稱為“納米層壓層(Nanolaminat)”。[0041]根據(jù)一個可替選的設(shè)計方案，在具有多個子層的薄層封裝中，薄層封裝的一個或多個子層借助于與原子層沉積工藝不同的沉積工藝來沉積，例如借助于化學(xué)氣相沉積工藝(CVD)來沉積。
[0042]根據(jù)一個設(shè)計方案，薄層封裝能夠具有大約lnm至大約10 μ m的層厚度，例如根據(jù)一個設(shè)計方案具有大約30nm至大約1 μ m的層厚度，例如根據(jù)一個設(shè)計方案具有大約300nm至大約600nm的層厚度，例如根據(jù)一個實施方案具有大約450nm的層厚度。
[0043]根據(jù)一個設(shè)計方案，其中薄層封裝具有多個子層，所有的子層能夠具有相同的層厚度。根據(jù)另一個設(shè)計方案，薄層封裝的各個子層能夠具有不同的層厚度。換句話說，至少一個子層能夠具有與一個或多個其它的子層不同的層厚度。
[0044]薄層封裝的借助于原子層沉積工藝(ALD法)沉積的層(或者子層)例如能夠具有在大約lnm至大約lOOOnm的范圍中的層厚度，例如根據(jù)一個設(shè)計方案的大約10nm至大約lOOnm的層厚度，例如根據(jù)一個設(shè)計方案的大約50nm的層厚度。
[0045]薄層封裝的借助于化學(xué)氣相沉積工藝(CVD工藝)沉積的層(或者子層)例如能夠具有在大約10nm至大約10 μ m的范圍中的層厚度，例如根據(jù)一個設(shè)計方案的大約30nm至大約1 μ m的層厚度，根據(jù)一個設(shè)計方案的大約100nm至大約500nm的層厚度，例如根據(jù)一個設(shè)計方案的大約400nm的層厚度。
[0046]根據(jù)一個設(shè)計方案，薄層封裝或者薄層封裝的各個子層能夠構(gòu)成為透明的層。換句話說，薄層封裝(或者薄層封裝的各個子層)能夠由透明的材料(或者透明的材料組合)構(gòu)成。
[0047]在本申請的范圍中例如能夠?qū)⑼该鞯幕蛘咄腹獾牟牧匣蛘咄该鞯膶永斫鉃閷τ谠诳梢姽獾牟ㄩL范圍中的光而言是透明的或可穿透的材料或?qū)印Ｔ诒旧暾埖姆秶欣缒軌驅(qū)⒉煌该鞯牟牧匣蛘卟煌该鞯膶永斫鉃閷τ谠诳梢姽獾牟ㄩL范圍中的光而言是不透明的或者是不可穿透的材料或?qū)印?br> [0048]例如在光電子器件構(gòu)成為頂部發(fā)射極(或者由頂部發(fā)射極和底部發(fā)射極組成的組合)的不同的設(shè)計方案中，所述薄層封裝或者薄層封裝的各個子層能夠構(gòu)成為透明的層。
[0049]根據(jù)一個設(shè)計方案，層或者薄層封裝的各個子層能夠構(gòu)成為不透明的層。
[0050]層或者薄層封裝的各個層能夠分別具有下述材料，所述材料適合于保護光電子器件免受環(huán)境的有害的影響，即例如免受氧氣和/或濕氣的有害的影響。
[0051]例如，薄層封裝或者(在具有多個子層的層堆的情況下)薄層封裝的子層中的一個或多個具有下述材料中的一種或者由其構(gòu)成:呈結(jié)晶的或呈玻璃狀的形式的氮氧化物、氧化物或氮化物。此外，氧化物、氮化物或者氮氧化物例如能夠包含鋁、硅、錫、鋅、鈦、鋯、鉭、鈮或鉿。層或者各個子層例如能夠具有:氧化硅(Si0x)，例如Si02 ;氮化硅(SixNy)，例如Si2N3 ;氧化鋁，例如A1203 ;氮化鋁；氧化鋅；氧化銦錫；氧化鋅；氧化鋅鋁；氧化鈦；氧化鋯；氧化鉿或氧化鉭。
[0052]根據(jù)一個設(shè)計方案，在具有多個子層的薄層封裝中，所有的子層具有相同的材料或者由其構(gòu)成。根據(jù)另一個設(shè)計方案，薄層封裝的各個子層具有不同的材料或者由其構(gòu)成。換句話說，所述子層的至少一個具有與其它子層中的一個或多個不同的材料或者由其構(gòu)成。
[0053]在本申請的范圍中例如能夠?qū)ⅰ邦w粒污物”或者“顆粒污染物”理解為由于微觀的固體微粒引起的污物，換句話說由于下述固體微粒(顆粒)引起的污物，所述固體微粒的尺寸(例如直徑)位于微米范圍中，例如具有在微米范圍中的尺寸的灰塵顆粒，例如具有在大約0.Ιμ--至大約100 μ m的范圍中的直徑的顆粒，例如在大約Ιμ--至大約10 μ m的范圍中的直徑的顆粒。這樣的顆粒污物例如能夠因如下原因出現(xiàn):在器件制造過程期間并不總能確保在處理室(例如反應(yīng)器)中的百分之百的純度。如果在制造具有多個層的層結(jié)構(gòu)時在第一層的沉積過程和用于后繼層的沉積過程之間存在相對長的時間間隔，那么這例如能夠?qū)е滤黄谕念w粒污染物。在這種情況下可能的是，在這兩個沉積過程之間的時間段中，顆粒積聚在第一沉積層的表面上并且“污染”所述表面。此外，如果在器件制造過程期間將器件從處理室轉(zhuǎn)移到另一個中(反應(yīng)器改變)，那么這例如也能夠?qū)е骂w粒污染物。
[0054]根據(jù)不同的實施例，薄層封裝或者薄層封裝的至少一個子層確保至少部分地包含顆?；蝾w粒污物，所述顆?；蝾w粒污物例如存在于光電子器件的功能層堆的表面處或表面上。
[0055]此外根據(jù)不同的實施例，施加在薄層封裝上的粘接層確保包含存在于薄層封裝的表面處或表面上的顆?；蝾w粒污物和/或?qū)Ρ砻娴钠矫婊母采w。換句話說，能夠借助于粘接層一方面包圍或者圍繞位于薄層封裝的表面上的顆粒污物并且另一方面補償或弄平表面的可能因顆粒污物引起的不平坦處。
[0056]根據(jù)一個設(shè)計方案，粘接層具有可硬化的粘接材料。例如粘接層能夠由可硬化的粘接材料(例如可硬化的膠粘劑)構(gòu)成。
[0057]在本申請的范圍中例如能夠?qū)ⅰ翱捎不恼辰硬牧稀被蛘摺坝不恼辰硬牧稀崩斫鉃橄率稣辰硬牧?，所述粘接材料能夠從具有較低的機械硬度或強度的第一狀態(tài)(未硬化的狀態(tài))過渡或者轉(zhuǎn)移到與第一狀態(tài)相比具有更高的機械硬度或強度的第二狀態(tài)(硬化的狀態(tài))下。從第一(未硬化的)狀態(tài)到第二 (硬化的)狀態(tài)的過渡能夠被稱為“硬化”。
[0058]具有可硬化的粘接材料或者由其構(gòu)成的粘接層，能夠在未硬化的狀態(tài)下施加并且能夠緊接著(例如在施加覆蓋層之后)硬化或者已硬化。
[0059]根據(jù)一個設(shè)計方案，粘接層的可硬化的粘接材料構(gòu)成為UV硬化的粘接材料。換句話說，可硬化的粘接材料能夠借助于UV輻射(紫外輻射)的作用硬化或者已硬化。為了硬化所應(yīng)用的UV福射根據(jù)一個設(shè)計方案例如能夠具有在大約310nm至大約430nm的范圍中的波長，例如根據(jù)一個設(shè)計方案在大約360nm至大約390nm的范圍中的波長。此外，所應(yīng)用的UV輻射能夠具有下述劑量，所述劑量根據(jù)一個設(shè)計方案小于大約lOOOOmJ/cm2，例如根據(jù)一個設(shè)計方案在大約2000mJ/cm2至大約8000mJ/cm2的范圍中，例如根據(jù)一個設(shè)計方案在大約5000mJ/cm2至大約7000mJ/cm2的范圍中，例如根據(jù)一個設(shè)計方案大約6000mJ/cm2的劑量。
[0060]UV硬化的粘接材料例如能夠被選擇為，使得UV輻射的為了硬化所應(yīng)用的參數(shù)(例如波長、劑量)能夠選擇為，使得能夠避免因UV輻射引起的對光電子器件的可能的損傷。
[0061]根據(jù)另一個設(shè)計方案，粘接層的可硬化的粘接材料能夠構(gòu)成為溫度硬化的粘接材料。換句話說，可硬化的粘接材料能夠借助于溫度處理(換句話說，借助于退火或者加熱)硬化或者已硬化。
[0062]根據(jù)一個設(shè)計方案，可硬化的材料能夠是可溫度硬化的粘接材料(例如溫度硬化的膠粘劑)，即在小于大約150°C的溫度下硬化。為了硬化所應(yīng)用的溫度根據(jù)一個設(shè)計方案例如能夠為大約10°C至大約140°C，例如根據(jù)一個設(shè)計方案為大約50°C至大約100°C，例如根據(jù)一個設(shè)計方案為大約80°C。
[0063]溫度處理的持續(xù)時間根據(jù)一個設(shè)計方案例如能夠為大約1分鐘至大約300分鐘，例如根據(jù)一個設(shè)計方案為大約30分鐘至大約100分鐘，例如根據(jù)一個設(shè)計方案為大約60分鐘。
[0064]在相對低的溫度下和/或在相對短的退火時間之后就已經(jīng)硬化的可溫度硬化的材料的優(yōu)點在于，能夠避免因過高的溫度和/或過長的退火時間引起的對光電子器件的損傷。此外，低的熱預(yù)算能夠隨之帶來成本的節(jié)省。
[0065]根據(jù)一個設(shè)計方案，粘接層的可硬化的粘接材料構(gòu)成為自硬化的粘接材料。在本文中例如能夠?qū)ⅰ白杂不恼辰硬牧稀崩斫鉃橄率稣辰硬牧?，所述粘接材料在不需要外部的影?例如退火或者UV照射)的情況下在正常的空間條件(溫度、壓力)下硬化，例如在經(jīng)過特定的(例如取決于材料的)時間間隔之后硬化。自硬化的粘接材料的優(yōu)點能夠在于，為了硬化粘接材料例如不需要用于退火(加熱)或者用于UV照射的設(shè)備。因此能夠節(jié)省成本。
[0066]根據(jù)一個設(shè)計方案，粘接層例如能夠具有下述材料中的一種或多種或者由其構(gòu)成:環(huán)氧化物膠粘劑、丙烯酸膠粘劑，硅樹脂膠粘劑。
[0067]根據(jù)不同的設(shè)計方案，粘接層構(gòu)成為，使得位于薄層封裝的表面上的顆粒污物被粘接層至少部分地包圍或者至少部分地嵌入在粘接層中。粘接層能夠構(gòu)成為，使得顆粒污物完全地嵌入在粘接層中。
[0068]粘接層此外能夠構(gòu)成為，使得其具有基本上平坦(平)的表面。例如，粘接層能夠在其整個橫向的延展上具有平坦的表面。
[0069]根據(jù)一個設(shè)計方案，粘接層具有大于或者大約等于顆粒污物的或顆粒的直徑的層厚度。例如，粘接層能夠具有大于顆粒污物的平均直徑的層厚度。層厚度例如能夠大于顆粒污物的最大直徑。
[0070]粘接層的層厚度能夠直觀地選擇為，使得可能存在于薄層封裝的表面處或表面上的顆粒污物(換句話說，顆粒污染物)或顆粒能夠被粘接層包圍(換句話說，圍繞)。換句話說，粘接層的層厚度能夠選擇為，使得存在于薄層封裝的表面處或表面上的顆粒污物完全被粘接層的粘接材料包圍或圍繞并且特別是直觀上不從所述粘接層中“伸出”。
[0071]粘接層例如能夠具有大約1 μ m至大約500 μ m的層厚度，例如根據(jù)一個設(shè)計方案大約10 μ m至大約100 μ m,例如根據(jù)一個設(shè)計方案大約15 μ m至35 μ m,例如根據(jù)一個設(shè)計方案25 μ m.[0072]覆蓋層也能夠稱為機械的保護層或者機械的保護膜，因為其能夠用作保護薄層封裝和/或光電子器件免受機械的負荷或(例如因刮擦引起的)損傷。
[0073]根據(jù)一個設(shè)計方案，覆蓋層具有剛性的層或者構(gòu)成為剛性的層，例如構(gòu)成為玻璃層。構(gòu)成為剛性的層的覆蓋層也能夠稱為覆蓋板。構(gòu)成為玻璃層的覆蓋板也能夠稱為覆蓋玻璃或者蓋玻片。
[0074]根據(jù)一個可替選的設(shè)計方案，覆蓋層具有柔性的層或者構(gòu)成為柔性的層，例如薄膜，例如透明的薄膜，可替選地，構(gòu)成為不透明的薄膜。覆蓋層根據(jù)一個設(shè)計方案例如能夠具有(透明的或者不透明的)導(dǎo)熱薄膜或者構(gòu)成為這樣的導(dǎo)熱薄膜。構(gòu)成為導(dǎo)熱薄膜的覆蓋層能夠用于均勻化和/或散出在光電子器件(例如0LED)運行時產(chǎn)生的熱量。
[0075]根據(jù)另一個設(shè)計方案，覆蓋層具有漆層。覆蓋層例如能夠構(gòu)成為漆層(例如構(gòu)成為透明的漆層或者不透明的漆層)。
[0076]漆層能夠具有適合于形成機械的保護層的漆材料或者由其構(gòu)成，所述漆材料例如是聚丙烯酸漆材料，例如聚丙烯酸保護漆(例如透明的聚丙烯酸保護漆)，可替選的是，其它適合的漆材料或漆。
[0077]覆蓋層能夠構(gòu)成為透明的層，可替選地構(gòu)成為不透明的層。
[0078]例如，在一個光電子器件構(gòu)成為頂部發(fā)射極或者由頂部發(fā)射極和底部發(fā)射極構(gòu)成的組合的設(shè)計方案中，覆蓋層能夠構(gòu)成為透明的層。
[0079]根據(jù)一個設(shè)計方案，覆蓋層借助于粘接層層壓或者已層壓在薄層封裝上。覆蓋層在這種情況下例如能夠是自粘接的保護薄膜的一部分，例如是聚碳酸酯(例如具有大約300 μ m的層厚度，可替選地具有其它的層厚度)的一部分，其具有粘接層(粘合膜)(例如具有大約25μπι的層厚度，可替選地具有其它的層厚度)。換句話說，自粘接的保護薄膜能夠包括粘接層和覆蓋層。
[0080]根據(jù)一個設(shè)計方案，粘接層具有散射顆粒，散射顆粒例如能夠嵌入在粘接層中。
[0081]散射顆粒例如能夠在粘接層的用于基質(zhì)材料的粘接材料中分散為體積散射體。散射顆粒例如能夠包括:金屬氧化物，例如二氧化鈦；或者氧化鋁，例如剛玉；和/或玻璃顆粒；和/或塑料顆粒，所述散射顆粒具有與基質(zhì)材料不同的折射率。此外，散射顆粒能夠具有空腔并且例如以塑料空心球的形式構(gòu)成。散射顆粒在此例如能夠具有小于lum直至10 μ m的量級的或者也可以是直至100 μ m量級的直徑或者粒度。
[0082]散射顆粒例如能夠弓|起對光耦合輸出的改善。
[0083]此外粘接層能夠構(gòu)成為，使得通過腔體效應(yīng)能夠?qū)崿F(xiàn)光學(xué)的改善。
[0084]根據(jù)另一個設(shè)計方案，在覆蓋層上或者在覆蓋層的上方構(gòu)成有至少一個附加的層。在覆蓋層上或者在其上方能夠(例如相疊地)構(gòu)成有多個附加的層。
[0085]根據(jù)一個設(shè)計方案，至少一個附加的層具有至少一個導(dǎo)熱薄膜。導(dǎo)熱薄膜能夠用于均勻化和/或散出在光電子器件(例如0LED)的運行時產(chǎn)生的熱量。
[0086]根據(jù)另一個設(shè)計方案，至少一個附加的層具有光耦合輸出層。光耦合輸出層例如能夠具有散射顆粒，所述散射顆粒例如能夠如在上文中結(jié)合粘接層所描述的一樣構(gòu)成。
[0087]根據(jù)粘接層具有可硬化的粘接材料或者由其構(gòu)成的不同的設(shè)計方案，粘接層在未硬化的狀態(tài)下(例如以液態(tài)的形式)施加到薄層封裝上。(仍)未硬化的粘接層在此能夠通過例如界面張力或潤濕能力、層厚度和粘度的特性來實現(xiàn)對薄層封裝的表面上的顆粒污物的包圍和對表面的平坦化的覆蓋。根據(jù)不同的設(shè)計方案，覆蓋層施加在未被(或者未完全)硬化的粘接層上。根據(jù)不同的設(shè)計方案，在施加覆蓋層之后進行粘接層的硬化。粘接層的硬化例如能夠借助于用UV光進行照射(在對粘接層使用UV硬化的材料時)來進行?？商孢x地，粘接層的硬化能夠借助于以可預(yù)設(shè)的溫度退火(加熱)來進行(在對粘接層使用溫度硬化的材料時)。在使用自硬化的粘接材料時，硬化能夠在不需要其它的影響例如UV輻射或者退火的情況下進行。
[0088]污物顆粒能夠嵌入或者已嵌入在封裝結(jié)構(gòu)的(硬化)的粘接層中。因此能夠防止顆?！皦喝搿钡浇柚诜庋b結(jié)構(gòu)待封裝的光電子器件(例如0LED)上，以至于能夠避免因顆粒引起的對光電子器件的損傷。
[0089]根據(jù)一個設(shè)計方案，光電子器件構(gòu)成為或者設(shè)立為有機的光電子器件。光電子器件例如能夠不局限于此地構(gòu)成為有機的發(fā)光二極管(OLED)、有機的太陽能電池或者光伏電池(0PV )、有機的光電晶體管或者類似的器件。
[0090]光電子器件能夠具有襯底。
[0091]“襯底”，如在這里所使用的，例如能夠是通常用于光電子器件的襯底。襯底能夠是透明的襯底。但是襯底也能夠是不透明的襯底。襯底例如能夠是玻璃、石英、藍寶石、塑料薄膜、金屬、金屬薄膜、硅晶片或者其它的適合的襯底材料。在不同的設(shè)計方案中將下述層理解為襯底:在制造光電子器件時隨后將所有其它的層施加在所述層上。這些后續(xù)的層例如在光電子器件或者發(fā)射輻射的裝置中能夠是對于輻射發(fā)射所需要的層。
[0092]根據(jù)一個設(shè)計方案，襯底構(gòu)成為剛性的襯底。襯底例如能夠構(gòu)成為玻璃襯底。
[0093]根據(jù)一個設(shè)計方案，襯底構(gòu)成為柔性的(換句話說，可彎曲的)襯底。襯底例如能夠構(gòu)成為薄膜襯底，例如根據(jù)一個設(shè)計方案構(gòu)成為鋼制薄膜襯底或者聚合物薄膜襯底。
[0094]襯底能夠構(gòu)成為透明的襯底(例如構(gòu)成為透明的薄膜或者玻璃襯底)，可替選地構(gòu)成為不透明的襯底(例如根據(jù)一個設(shè)計方案構(gòu)成為硅晶片)。
[0095]根據(jù)一個設(shè)計方案，在襯底和至少一個功能層之間構(gòu)成有第一電極(第一電接觸部)。第一電極能夠施加在襯底上或者其上方，并且至少一個功能層能夠施加在第一電極上或其上方。第一電極也能夠稱為底部電極或者底部接觸部?？商孢x地，第一電極也能夠稱為襯底側(cè)的電極或者襯底側(cè)的接觸部。
[0096]第一電極能夠是陽極，可替選的是陰極。
[0097]根據(jù)一個設(shè)計方案，在至少一個功能層和薄層封裝之間構(gòu)成有第二電極。第二電極能夠施加在至少一個功能層上或者其上方，并且薄層封裝能夠施加在第二電極上或者其上方。第二電極也能夠稱為頂部電極或者頂部接觸部?？商孢x地，第二電極也能夠稱為覆蓋側(cè)的電極或者覆蓋側(cè)的接觸部。
[0098]第二電極能夠是陰極(例如如果第一電極是陽極)，可替選的是，陽極(例如如果第一電極是陰極)。
[0099]第一電極和第二電極能夠以適宜的方式進行電接觸。
[0100]第一電極和/或第二電極能夠構(gòu)成為透明的?？商孢x地，第一電極和/或第二電極能夠構(gòu)成為不透明的。
[0101]例如根據(jù)一個光電子器件構(gòu)成為底部發(fā)射極的設(shè)計方案，第一電極(底部電極)構(gòu)成為透明的并且第二電極(頂部電極)構(gòu)成為不透明的。在這種情況下，第二電極能夠構(gòu)成為反射性的電極(反射性的接觸部)，換句話說，構(gòu)成為基本上或者完全地反射由至少一個功能層發(fā)射的輻射的電極。
[0102]根據(jù)一個光電子器件構(gòu)成為頂部發(fā)射極的設(shè)計方案，第二電極(頂部電極)能夠構(gòu)成為透明的并且第一電極(底部電極)構(gòu)成為不透明的。在這種情況下，第一電極能夠構(gòu)成為反射性的電極(反射性的接觸部)，換句話說，構(gòu)成為極基本上或者完全地反射由至少一個功能層發(fā)射的輻射的電極。
[0103]根據(jù)一個光電子器件構(gòu)成為由頂部發(fā)射極和底部發(fā)射極構(gòu)成的組合的設(shè)計方案，第一電極和第二電極能夠分別構(gòu)成為透明的電極。
[0104]第一電極和/或第二電極例如能夠借助于沉積工藝來施加或者已施加。根據(jù)一個設(shè)計方案，第一電極和/或第二電極能夠借助于濺射或者借助于熱蒸發(fā)來施加。可替選地，能夠應(yīng)用用于施加第一電極和/或第二電極的其它的適合的工藝。
[0105]根據(jù)不同的設(shè)計方案，第一電極和/或第二電極能夠具有在大約5nm至幾μ m的范圍中的層厚度，例如在大約lOOnm至大約200nm的范圍中的層厚度。根據(jù)可替選的設(shè)計方案，第一電極和/或第二電極能夠具有其它的層厚度。
[0106]在本文中需注意的是，電極的層厚度能夠取決于電極材料的選擇。用于由TC0材料(TC0:透明的導(dǎo)電的氧化物，transparent conductive oxide,例如ΙΤ0 (氧化銦錫))構(gòu)成的電極的典型的層厚度例如能夠位于大約50nm至大約200nm的范圍中?；诒〉慕饘賹拥耐该鞯碾姌O例如能夠具有在大約10nm至30nm的范圍中的層厚度。對于反射的金屬電極而言，層厚度例如能夠位于大約50nm至200nm的范圍中，但是可替選的是,也能夠為直至幾μπι。概括而言，不同的電極形成能夠引起不同的電極層厚度。
[0107]第一電極和/或第二電極能夠由下述材料形成或者具有下述材料，所述材料從例如鋁、鋇、銦、銀、金、鎂、鈣和鋰的金屬中選擇以及從這些金屬的組合中選擇或者從這些金屬的化合物中選擇，特別是從合金中選擇，以及從透明的能導(dǎo)電的氧化物，例如金屬氧化物如氧化鋅、氧化錫、氧化鎘、氧化鈦、氧化銦、或摻雜銦的氧化錫(ΙΤ0)、摻雜招的氧化鋅(ΑΖ0)、Zn2Sn04、CdSn03、ZnSn03、Mgln204、Galn03、Zn2In205 或者 In4Sn3012 中選擇，或者從不同的透明的導(dǎo)電的氧化物的混合物中選擇。根據(jù)其它的設(shè)計方案，第一電極和/或第二電極具有其它適合的材料或者由其構(gòu)成。
[0108]根據(jù)不同的設(shè)計方案，光電子器件(例如有機的光電子器件，例如0LED)能夠構(gòu)成為“底部發(fā)射極”。
[0109]術(shù)語“底部發(fā)射極”或者“底部發(fā)射的光電子器件”，如其在這里所應(yīng)用的一樣，表示一種實施方案，所述實施方案朝向光電子器件的襯底側(cè)構(gòu)成為透明的。例如能夠為此至少襯底以及構(gòu)成在襯底和至少一個功能層之間的層(例如構(gòu)成在襯底和功能層之間的電極(底部電極))能夠構(gòu)成為透明的。構(gòu)成為底部發(fā)射極的光電子器件因此能夠發(fā)射例如在光電子器件的襯底側(cè)上在功能層(例如在有機的光電子器件例如0LED中的有機的功能層)中產(chǎn)生的輻射。
[0110]可替選的或者附加于此的是，光電子器件根據(jù)不同的實施例能夠構(gòu)成為“頂部發(fā)射極”。
[0111]術(shù)語“頂部發(fā)射極”或者“頂部發(fā)射的光電子器件”，如其在這里所應(yīng)用的一樣，例如表不一個實施方案，所述實施方案朝向光電子器件的背離襯底的側(cè)(換句話說，朝向覆蓋偵D構(gòu)成為透明的。為此，在光電子器件的至少一個功能層上或者在其上方構(gòu)成的層(例如在功能層和薄層封裝之間構(gòu)成的電極(頂部電極)、薄層封裝、粘接層、覆蓋層)尤其能夠構(gòu)成為透明的。構(gòu)成為頂部發(fā)射極的光電子器件因此例如能夠發(fā)射在光電子器件的覆蓋側(cè)上在功能層(例如在有機的光電子器件例如0LED中的有機的功能層)中產(chǎn)生的輻射。
[0112]根據(jù)不同的實施例的、構(gòu)成為頂部發(fā)射極的光電子器件能夠以有利的方式具有高的光耦合輸出和輻射密度的非常低的角度相關(guān)性。
[0113]根據(jù)不同的實施例的光電子器件能夠以有利的方式用于照明、例如室內(nèi)照明。
[0114]在不同的實施例中也同樣設(shè)有由底部發(fā)射極和頂部發(fā)射極構(gòu)成的組合。在一個這樣的實施方式中，光電子器件通常能夠?qū)⒃诠δ軐?例如在有機的光電子器件例如0LED中的有機的功能層)中產(chǎn)生的光沿兩個方向——即朝向襯底側(cè)和朝向覆蓋側(cè)——發(fā)射。[0115]根據(jù)另一個實施形式，在光電子器件中設(shè)有第三電極，所述第三電極設(shè)置在第一電極和第二電極之間。
[0116]第三電極能夠作用為中間接觸部。其能夠用于提高穿過光電子器件的層的電荷傳輸進而改善光電子器件的效率。第三電極能夠構(gòu)成為雙極性層。其能夠構(gòu)成為陰極或者陽極。
[0117]正如第一電極和第二電極一樣，根據(jù)不同的實施例的第三電極同樣能夠適宜地電接觸或者已電接觸。
[0118]在光電子器件的一個改進方案中，作為有機的功能層包含發(fā)射極層和一個或多個其它的有機的功能層。所述其它的有機的功能層能夠從下述組中選擇，所述組由空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子注入層、電子傳輸層和電子阻擋層構(gòu)成。
[0119]適宜的功能層和適宜的有機的功能層對于本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的。(有機的)功能層優(yōu)選能夠借助于熱蒸發(fā)來施加。其它的(有機的)功能層能夠以有利的方式改善光電子器件的功能性和/或效率。
[0120]根據(jù)不同的設(shè)計方案，提供用于封裝光電子器件的過程，所述過程具有:(1)將薄層封裝(所述薄層封裝能夠具有一個或多個阻擋薄層)施加為防止來自于環(huán)境的有害的化學(xué)成分(例如水或氧氣)滲入的保護部，(2)在薄層封裝上(例如直接在薄層封裝上)構(gòu)成粘接層。在這里能夠應(yīng)用如下材料和過程，所述材料和過程將表面上的顆粒負荷降低到最小程度或者通過包圍使得顆粒無害。(3)在粘接層上構(gòu)成覆蓋層(機械的保護層)(例如根據(jù)一個設(shè)計方案在使用預(yù)先施加在覆蓋層上(例如施加在覆蓋層的下側(cè)上)的粘接層的情況下將覆蓋層層壓在薄層封裝上，以至于粘接層構(gòu)成在薄層封裝和覆蓋層之間，并且薄層封裝和覆蓋層直觀地彼此連接)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0121]在附圖中示出并且在下文中詳細闡述本發(fā)明的實施例。
[0122]附圖示出:
[0123]圖1示出根據(jù)一個示例的具有有機的發(fā)光二極管(0LED)的裝置和借助于玻璃腔的傳統(tǒng)的封裝；
[0124]圖2示出根據(jù)另一個示例的具有有機的發(fā)光二極管(0LED)的裝置和借助于玻璃腔的通常的封裝；
[0125]圖3示出根據(jù)一個實施例的用于光電子器件的封裝結(jié)構(gòu)；
[0126]圖4示出根據(jù)另一個實施例的封裝裝置；
[0127]圖5示出用于封裝根據(jù)另一個實施例的光電子器件的方法；
[0128]圖6示出根據(jù)另一個實施例的封裝裝置；
[0129]圖7A示出在圖6中示出的封裝裝置的部分視圖；
[0130]圖7B示出在圖6中示出的封裝裝置的另一個部分視圖；
[0131]圖8示出根據(jù)另一個實施例的封裝裝置；
[0132]圖9示出根據(jù)另一個實施例的封裝裝置；
[0133]圖10示出根據(jù)另一個實施例的封裝裝置；
[0134]在下面詳述的說明中參考附圖，所述附圖形成所述說明的一部分并且在其中為了圖解說明特定的實施形式而示出，在所述實施例中能夠執(zhí)行本發(fā)明。在這方面，方向術(shù)語例如“上”、“下”、“前”、“后”、“前面的”、“后面的”等，相關(guān)于所說明的附圖的定向來應(yīng)用。因為實施形式的分量能夠在多個不同的定向上定位，所以方向術(shù)語用于圖解說明并且完全不受限制。應(yīng)理解的是，能夠應(yīng)用其它的實施形式并且能夠進行結(jié)構(gòu)上的或者邏輯的改變，只要不脫離本發(fā)明的保護范圍。應(yīng)理解的是，在這里所說明的不同的示例性的實施形式的特征能夠相互組合，除非另外特別說明。接著的詳述的說明因此不被解釋為限制性的，并且本發(fā)明的保護范圍通過所附的權(quán)利要求來限定。
[0135]在本說明書的范圍中，術(shù)語“連接”、“聯(lián)接”以及“耦聯(lián)”為了說明既直接的也間接的連接、直接的或間接的聯(lián)接以及直接的或者間接的耦聯(lián)。
[0136]在附圖中相同的或者類似的元件設(shè)有相同的附圖標記，只要這是適宜的。
【具體實施方式】
[0137]圖3示出根據(jù)一個實施例的用于光電子器件的封裝結(jié)構(gòu)300。
[0138]根據(jù)不同的設(shè)計方案，封裝結(jié)構(gòu)300能夠具有薄層封裝301，以用于保護光電子器件防止化學(xué)污物。薄層封裝301能夠具有一個或多個薄的層(也稱為阻擋薄層)并且此外能夠根據(jù)一個或多個在這里所說明的設(shè)計方案構(gòu)成。
[0139]根據(jù)不同的設(shè)計方案，封裝結(jié)構(gòu)300此外能夠具有施加在薄層封裝301上的粘接層302。粘接層302能夠具有粘接材料或者由其構(gòu)成并且此外能夠根據(jù)一個或多個在這里所說明的設(shè)計方案構(gòu)成。
[0140]根據(jù)不同的設(shè)計方案，封裝結(jié)構(gòu)300此外能夠具有施加在粘接層302上的覆蓋層303，以用于保護薄層封裝301免受機械的損傷。覆蓋層303能夠根據(jù)一個或多個在這里所說明的設(shè)計方案構(gòu)成，例如構(gòu)成為剛性的覆蓋層(例如玻璃覆蓋層)或者柔性的覆蓋層(例如薄膜)、和/或構(gòu)成為透明的覆蓋層(例如覆蓋玻璃或者透明的薄膜)或者不透明的覆蓋層(例如不透明的金屬薄膜)等。根據(jù)一個設(shè)計方案，覆蓋層303例如能夠是自粘接的薄膜的一部分，所述自粘接的薄膜借助于粘接層302施加(例如層壓)在薄層封裝301上。
[0141]根據(jù)不同的設(shè)計方案，粘接層302能夠具有可硬化的粘接材料，例如UV硬化的膠粘劑。粘接層302能夠在未硬化(例如液態(tài)的)的狀態(tài)下被施加并且能夠后續(xù)地(例如在施加覆蓋層303之后)硬化或者已硬化。
[0142]粘接層302能夠設(shè)立或者構(gòu)成為，使得顆粒污物在薄層封裝301的上側(cè)301a上被粘接層302包圍并且所施加的粘接層302具有基本上平坦的(上)表面302a。通過將顆粒包圍在粘接層302中，例如能夠避免顆粒壓入位于其下的層，特別是壓入薄層封裝301和/或位于其下的層(例如待封裝的光電子器件(例如0LED)的功能層)并且損傷所述層。
[0143]圖4示出根據(jù)另一個實施例的封裝裝置400’。
[0144]根據(jù)不同的設(shè)計方案，封裝裝置400’具有光電子器件400和封裝結(jié)構(gòu)300。封裝結(jié)構(gòu)300能夠根據(jù)一個或多個在這里所說明的設(shè)計方案構(gòu)成。
[0145]根據(jù)不同的設(shè)計方案，光電子器件400能夠具有至少一個功能層402，如在圖4中所示出的。所述至少一個功能層402能夠構(gòu)成為單獨的層(如在圖4中所示出的)或者構(gòu)成為具有多個子層的層堆(也被稱為功能層堆)。所述至少一個功能層402此外能夠根據(jù)一個或多個在這里所說明的設(shè)計方案構(gòu)成。[0146]根據(jù)不同的設(shè)計方案，封裝結(jié)構(gòu)300能夠構(gòu)成在光電子器件400的至少一個功能層402上或者構(gòu)成在其上方。
[0147]根據(jù)不同的設(shè)計方案，光電子器件400在至少一個功能層402上方和/或在其下方具有一個或多個附加的層。
[0148]根據(jù)不同的設(shè)計方案，光電子器件400能夠具有襯底401。襯底401能夠根據(jù)一個或多個在這里所說明的設(shè)計方案構(gòu)成。
[0149]根據(jù)不同的設(shè)計方案，光電子器件400此外具有第一電極403。第一電極403能夠根據(jù)一個設(shè)計方案構(gòu)成在襯底401和至少一個功能層402之間(例如構(gòu)成在至少一個功能層402的下側(cè)上)，如在圖4中所示出的。第一電極403此外能夠根據(jù)一個或多個在這里所說明的設(shè)計方案構(gòu)成。
[0150]根據(jù)不同的設(shè)計方案，光電子器件400此外能夠具有第二電極404。第二電極404能夠根據(jù)一個設(shè)計方案構(gòu)成在至少一個功能層402和薄層封裝301之間(例如構(gòu)成在至少一個功能層402的上側(cè)上)，如在圖4中所示出的。薄層封裝301例如能夠構(gòu)成在第二電極404上，如在圖4中所示出的。第二電極404此外能夠根據(jù)一個或多個在這里所說明的設(shè)計方案構(gòu)成。
[0151]光電子器件400能夠根據(jù)一個或多個在這里所說明的設(shè)計方案構(gòu)成，例如根據(jù)一個或多個在這里所說明的設(shè)計方案構(gòu)成為有機的光電子器件例如0LED，例如構(gòu)成為頂部發(fā)射極或者底部發(fā)射極或者由頂部發(fā)射極和底部發(fā)射極構(gòu)成的組合。
[0152]圖5示出流程圖500，在所述流程圖中示出了用于封裝根據(jù)另一個實施例的光電子器件的方法。
[0153]在502中將薄層封裝構(gòu)成在光電子器件上或者構(gòu)成在其上方(例如構(gòu)成在光電子器件的至少一個功能層上或構(gòu)成在其上方)，以用于保護所述光電子器件防范化學(xué)污物。薄層封裝能夠根據(jù)一個或多個在這里所說明的設(shè)計方案設(shè)立或者構(gòu)成。
[0154]在504中將粘接層構(gòu)成在薄層封裝上。粘接層能夠根據(jù)一個或多個在這里所說明的設(shè)計方案設(shè)立或者構(gòu)成。
[0155]在506中將覆蓋層構(gòu)成在粘接層上，以用于保護薄層封裝和/或光電子器件免受機械的損傷。覆蓋層能夠根據(jù)一個或多個在這里所說明的設(shè)計方案設(shè)立或者構(gòu)成。
[0156]例如能夠根據(jù)一個設(shè)計方案將粘接層施加到待施加的覆蓋層(例如待施加的玻璃)上(例如在覆蓋層的下側(cè)上)，并且緊接著能夠?qū)⒏采w層借助施加在其上的粘接層施加在薄層封裝上，以至于粘接層構(gòu)成在薄層封裝和覆蓋層之間。直觀上能夠根據(jù)一個設(shè)計方案借助于施加在覆蓋層上的粘接層將覆蓋層層壓到薄層封裝上。
[0157]根據(jù)另一個設(shè)計方案，能夠?qū)⒄辰訉?直接)施加在薄層封裝上，并且能夠后續(xù)地將覆蓋層施加在粘接層上。
[0158]根據(jù)又一設(shè)計方案，在覆蓋層與薄層封裝連接之前，將粘接層部分地施加在薄層封裝上并且部分地施加在覆蓋層上。
[0159]圖6示出根據(jù)另一個實施例的封裝裝置600’。
[0160]封裝裝置600’具有光電子器件600以及構(gòu)成在所述光電子器件600上的封裝結(jié)構(gòu) 300。
[0161]光電子器件600構(gòu)成為有機的發(fā)光二極管(0LED)并且具有襯底601以及構(gòu)成在所述襯底601上的層堆610。層堆610也能夠稱為OLED堆或者OLED-堆。根據(jù)可替選的設(shè)計方案，光電子器件600能夠構(gòu)成為與OLED不同的光電子器件(例如另一有機的光電子器件)，其中對封裝裝置600’的結(jié)構(gòu)的下述說明也類似地適用于這種情況下。
[0162]襯底601根據(jù)所示出的實施例構(gòu)成為玻璃襯底(也稱為襯底玻璃)。根據(jù)可替選的設(shè)計方案能夠應(yīng)用其它的襯底，例如薄膜襯底。
[0163]0LED-堆610能夠具有一個或多個有機的功能層(例如功能層堆)，所述功能層能夠相互重疊地或者相疊地構(gòu)成。此外0LED-堆610能夠根據(jù)不同的設(shè)計方案而具有第一電極和第二電極，其中所述第一電極構(gòu)成在襯底601和有機的功能層之間，并且第二電極能夠構(gòu)成在有機的功能層和封裝結(jié)構(gòu)300之間。
[0164]根據(jù)不同的設(shè)計方案，光電子器件600附加地具有一個或多個電接觸部(未在圖6中示出)，以用于電接觸0LED-堆610，例如用于電接觸0LED-堆610的第一電極和第二電極。
[0165]封裝結(jié)構(gòu)300具有薄層封裝301，所述薄層封裝構(gòu)成在0LED-堆610上并且構(gòu)成在襯底601上。根據(jù)所示出的實施例，薄層封裝301構(gòu)成在0LED-堆610的上側(cè)610a和側(cè)面610b上，使得0LED-堆610被薄層封裝301包封。
[0166]根據(jù)所示出的實施例，薄層封裝301具有第一阻擋薄層311和構(gòu)成在所述第一阻擋薄層311上的第二阻擋薄層312，如在圖7A和圖7B中所示出的，圖7A和圖7B示出在圖6中示出的封裝裝置600’的第一部分650或者第二部分655。
[0167]根據(jù)所示出的實施例，第一阻擋薄層311構(gòu)成為借助于化學(xué)氣相沉積工藝(CVD)、例如借助于等離子體增強化學(xué)氣相沉積工藝(PECVD)構(gòu)成的氮化硅層，并且例如能夠具有幾百納米的層厚度、例如根據(jù)一個設(shè)計方案為大約400nm的層厚度。第二阻擋薄層312構(gòu)成為借助于原子層沉積工藝(ALD)構(gòu)成的氧化鋁層并且例如能夠具有幾十納米的層厚度、例如根據(jù)一個設(shè)計方案為大約50nm的層厚度。
[0168]直觀上薄層封裝301根據(jù)所示出的實施例具有厚的CVD層(第一阻擋薄層311)和構(gòu)成在其上的與所述CVD層相比更薄的ALD層(第二阻擋薄層312)。
[0169]根據(jù)可替選的設(shè)計方案，第一阻擋薄層311和/或第二阻擋薄層312能夠借助于其它的沉積工藝構(gòu)成，和/或能夠具有其它的材料和/或?qū)雍穸?。例如，第一阻擋薄?11能夠借助于ALD構(gòu)成和/或第二阻擋薄層能夠借助于CVD構(gòu)成。此外除了第一阻擋薄層311和第二阻擋薄層312之外，能夠設(shè)有附加的阻擋薄層，所述附加的阻擋薄層例如能夠借助于CVD和/或ALD構(gòu)成。通常薄層封裝301能夠具有帶有任意數(shù)量的子層(阻擋薄層)的層堆，其中層堆的子層中的每一個(與其它的子層無關(guān))能夠選擇性地構(gòu)成為CVD層或者ALD層。換句話說，層堆能夠具有任意次序的CVD層和/或ALD層。
[0170]封裝結(jié)構(gòu)300此外具有粘接層302，所述粘接層構(gòu)成在薄層封裝301上。
[0171]粘接層302例如能夠具有在微米范圍中的厚度，例如幾十微米的層厚度，例如大約為25 μπι的層厚度?？商孢x地，粘接層302能夠具有其它值的層厚度。
[0172]粘接層302例如能夠具有可硬化的材料(例如UV硬化的膠粘劑)并且能夠在未硬化(例如液態(tài)的)的狀態(tài)下被施加在薄層封裝301上并且后續(xù)地(例如在施加封裝結(jié)構(gòu)300的覆蓋層303之后)硬化(例如在UV硬化的膠粘劑的情況下借助于UV輻射)。
[0173]封裝結(jié)構(gòu)300此外具有覆蓋層303，所述覆蓋層構(gòu)成在粘接層302上。根據(jù)所示出的實施例，覆蓋層303構(gòu)成為玻璃層，換句話說構(gòu)成為封裝玻璃。
[0174]覆蓋層303或者封裝玻璃303能夠借助于粘接層302被粘接到薄層封裝301上。例如，粘接層302能夠根據(jù)一個設(shè)計方案被施加在覆蓋層303的下側(cè)303b上，并且覆蓋層303能夠借助于施加在其上的粘接層被層壓到薄層封裝301上。根據(jù)另一個設(shè)計方案，粘接層能夠被施加在薄層封裝301的上側(cè)301a上，并且覆蓋層303能夠后續(xù)地被施加在粘接層302上。仍根據(jù)還一設(shè)計方案，也可能的是，將粘接層302部分地施加在薄層封裝301的上側(cè)301a上并且部分地施加在覆蓋層303的下側(cè)303b上。
[0175]與傳統(tǒng)的具有玻璃腔的封裝(例如參見圖1和圖2)相比，在圖6中示出的封裝結(jié)構(gòu)300中，在0LED-堆610和封裝玻璃303之間不構(gòu)成腔。因此例如能夠避免，如在傳統(tǒng)的腔封裝(特別是在大的腔中)中所出現(xiàn)的，將覆蓋玻璃壓到0LED-堆610上，以至于能夠避免由此引起的對0LED600的損傷。
[0176]如在圖7A和圖7B中所示出的封裝裝置600’的部分650，655中，厚的CVD層(第一阻擋薄層311)和粘接層302分別用于顆?；蛘哳w粒污物710a，710b, 710c, 710d的嵌入。
[0177]在圖7A中所示出的封裝裝置600’的第一部分650中示出，第一顆粒710a，所述第一顆粒位于或者積聚在0LED-堆610的上側(cè)610a上，第一阻擋薄層311被所述第一顆粒嵌入，以及第二顆粒710b位于或者積聚在薄層封裝301的上側(cè)301a上，所述粘接層302被所述第二顆粒嵌入。
[0178]第一阻擋薄層311能夠具有比第一顆粒710a的直徑大的厚度，并且粘接層302能夠具有比第二顆粒710b的直徑大的厚度，如在圖7A中所示。通常，第一阻擋薄層311和/或粘接層302的層厚度能夠選擇為，使得在0LED600的表面上的和/或在薄層封裝301的表面上的顆粒污物借助于第一阻擋薄層311或者粘接層302包圍(例如完全包圍)或者嵌入其中。例如，第一阻擋薄層311和/或粘接層302的層厚度能夠選擇為，使得其大于或大約等于所出現(xiàn)的顆粒污物的平均直徑。根據(jù)一個設(shè)計方案，第一阻擋薄層311的和/或粘接層302的層厚度例如能夠選擇為，使得其大于所有出現(xiàn)的顆粒污物的直徑的最大值。
[0179]在本文中應(yīng)注意的是，代替或者除了第一阻擋薄層311之外，薄層封裝301的其它阻擋薄層(例如第二阻擋薄層312和/或附加的阻擋薄層(只要設(shè)有))也能夠構(gòu)成為，使得其具有下述層厚度，所述層厚度是足夠用于能夠至少部分地(例如根據(jù)不同的設(shè)計方案完全地)將顆粒污物嵌入相應(yīng)的阻擋薄層中。
[0180]借助于將顆粒污物或顆粒(例如顆粒710a，710b)嵌入薄層封裝301中(例如嵌入第一阻擋薄層311和粘接層302中(如所示出的)，可替選地或者附加地嵌入薄層封裝301的其它子層中(只要設(shè)有))，可能的是，防止顆粒被壓入到0LED-堆610中或壓入到0LED600中進而減少或者完全避免因顆粒引起的對0LED600的機械負荷并且因此防止對0LED的損傷。
[0181]在本文中應(yīng)注意的是，在圖7A中所示出的僅具有兩個污物顆粒710a和710b的視圖具有純示例性的特征，并且能夠出現(xiàn)多于兩個的顆粒并且能夠嵌入薄層封裝301 (例如第一阻擋薄層311)和/或粘接層302中。
[0182]此外，如從在圖7B中所示出的封裝裝置600’的第二部分655中可見，污物顆粒也能夠以相同的方式借助于薄層封裝301 (例如第一阻擋薄層311)和/或粘接層302被嵌入，所述污物顆粒出現(xiàn)在薄層封裝301和/或粘接層302的區(qū)域中，所述區(qū)域在側(cè)面上位于OLED-堆610的旁邊。
[0183]在圖7B中所示出的封裝裝置655的第二部分655中示例性地示出第三顆粒710c和第四顆粒710d，所述第三顆粒在側(cè)面上在0LED-堆610的旁邊位于或者積聚在襯底601的上側(cè)601a上并且嵌入第一阻擋薄層311中，所述第四顆粒在側(cè)面上在0LED-堆610的旁邊位于或者積聚在薄層封裝301的上側(cè)301a上并且嵌入粘接層302中。在這里不言而喻的是，除了這兩個所示出的顆粒710c，710d之外能夠出現(xiàn)附加的顆粒并且能夠嵌入薄層封裝301或粘接層302中。
[0184]圖8示出根據(jù)另一個實施例的封裝裝置800’。
[0185]封裝裝置800’與在圖6中所示出的封裝裝置600’的區(qū)別基本上在于，設(shè)有耦合輸出結(jié)構(gòu)820a，820b，所述耦合輸出結(jié)構(gòu)用于改善由0LED600 (或者由0LED-堆的功能層)發(fā)射的光的光f禹合輸出。根據(jù)所不出的實施例，第一f禹合輸出結(jié)構(gòu)820a構(gòu)成在覆蓋層303的上側(cè)303a上，并且第二耦合輸出結(jié)構(gòu)820b構(gòu)成在襯底601a的下側(cè)601b上。
[0186]能夠使用在兩個方向上的不同的耦合輸出結(jié)構(gòu)。根據(jù)不同的設(shè)計方案，第一耦合輸出結(jié)構(gòu)820a和/或第二耦合輸出結(jié)構(gòu)820b例如能夠分別具有一個或多個耦合輸出層。此外根據(jù)一個設(shè)計方案，耦合輸出層中的一個或多個能夠具有散射顆粒(例如金屬氧化物顆粒)。
[0187]根據(jù)可替選的設(shè)計方案，也能夠設(shè)有僅一個耦合輸出結(jié)構(gòu)，例如在覆蓋層303的上側(cè)303a上的第一耦合輸出結(jié)構(gòu)820a (例如在構(gòu)成為(純)頂部發(fā)射極的0LED600的情況下)或者在襯底601的下側(cè)601b上的第二耦合輸出結(jié)構(gòu)820b (例如在構(gòu)成為(純)底部發(fā)射極的0LED600的情況下)。
[0188]圖9示出根據(jù)另一個實施例的封裝裝置900’。
[0189]封裝裝置900’與在圖6中所示出的封裝裝置600’的區(qū)別基本上在于，設(shè)有導(dǎo)熱薄膜920，以用于均勻化熱量或者散出在0LED600的運行時產(chǎn)生的熱量。根據(jù)所示出的實施例，導(dǎo)熱薄膜920被施加(例如粘接)在封裝結(jié)構(gòu)300的覆蓋層303上。根據(jù)一個可替選的設(shè)計方案，能夠設(shè)有多個導(dǎo)熱薄膜。
[0190]導(dǎo)熱薄膜920 (或者多個導(dǎo)熱薄膜)例如能夠具有不透明的材料或者由其構(gòu)成(例如在構(gòu)成為(純)底部發(fā)射極的0LED600的情況下)。可替選地，導(dǎo)熱薄膜920 (或者多個導(dǎo)熱薄膜)具有透明的材料或者由其構(gòu)成(例如在構(gòu)成為(純)頂部發(fā)射極或者構(gòu)成為組合的頂部/底部發(fā)射極的0LED600的情況下)。
[0191]圖10示出根據(jù)另一個實施例的封裝裝置1000’。
[0192]封裝裝置1000’與在圖6中所示出的封裝裝置600’的區(qū)別基本上在于，封裝結(jié)構(gòu)300的覆蓋層303構(gòu)成為薄膜(例如根據(jù)一個設(shè)計方案的導(dǎo)熱薄膜)。根據(jù)可替選的設(shè)計方案，覆蓋層303也能夠構(gòu)成為漆層(例如構(gòu)成為聚丙烯保護漆)。
[0193]根據(jù)其它的設(shè)計方案，在圖6至10中示出的實施例的各個特征(例如層)相互組合，或者結(jié)構(gòu)能夠通過省去各個層或者添加附加的層來任意地改變。
[0194]根據(jù)不同的實施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)或者用于封裝光電子器件、例如有機的光電子器件例如0LED的方法，所述封裝結(jié)構(gòu)或者所述方法一方面確保將光電子器件防空氣地氣密地密封并且保護所述光電子器件免受機械的損傷(例如刮擦)，并且另一方面與借助于具有腔的第二玻璃襯底的傳統(tǒng)的封裝(腔封裝)相比更便宜且更多樣性。[0195]根據(jù)不同的設(shè)計方案的在這里所說明的封裝結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)和用于封裝光電子器件的過程例如尤其適合用于封裝和保護柔性的光電子器件，例如柔性的有機的光電子器件例如柔性的0LED，因為其例如能夠?qū)崿F(xiàn)使用商用的自粘接的薄膜作為最上方的保護層(覆蓋層)。
[0196]借助于根據(jù)不同的設(shè)計方案的在這里所說明的封裝結(jié)構(gòu)和用于封裝的方法，在封裝和包封光電子器件(例如有機的光電子器件例如0LED)時能夠降低或者防止因?qū)訅阂鸬娜毕荨Ｒ虼死缒軌蛟诎夤怆娮悠骷r提高產(chǎn)量。
[0197]在這里所說明的封裝結(jié)構(gòu)的效果此外包括:
[0198]-除了光耦合輸出和保護光電子器件(例如0LED)免受濕氣的功能之外，粘接層或膠粘劑和/或薄層封裝也能夠用于覆蓋現(xiàn)有的顆?；蛘哳w粒污物(例如見圖7A和圖7B)；
[0199]-封裝結(jié)構(gòu)也能夠用于透明的0LED(具有例如經(jīng)由薄層封裝或者經(jīng)由附加的薄膜/耦合輸出結(jié)構(gòu)在兩側(cè)上有針對性地影響光耦合輸出的可能性)(例如見圖8)；
[0200]-封裝結(jié)構(gòu)提供不同的可能性，所述可能性有針對性地改善熱量耦合輸出，例如借助于導(dǎo)熱薄膜來改善(例如見圖9)；
[0201]-根據(jù)不同的設(shè)計方案，代替封裝玻璃使用另一覆蓋層(例如薄膜或者漆層)(例如見圖10)；
[0202]-在借助于玻璃腔的傳統(tǒng)的封裝中(例如見圖1和圖2)，能夠?qū)⑸w玻片在大的腔/0LED中壓到0LED層堆上(腔的不穩(wěn)定性)；在這里所說明的根據(jù)不同的實施例的不具有腔的封裝結(jié)構(gòu)中，防止了將蓋玻片壓到0LED層堆上進而防止了因蓋玻片引起的對0LED的可能的損傷。
[0203]在這里所說明的實施例能夠任意地進一步改變。此外需考慮的是，本發(fā)明不局限于這些實施例，而是允許其它的、在這里未詳述的設(shè)計方案和實施方案。
【權(quán)利要求】
1.一種用于光電子器件的封裝結(jié)構(gòu)，具有:?用于保護光電子器件防范化學(xué)污物的薄層封裝；?構(gòu)成在所述薄層封裝上的粘接層；?構(gòu)成在所述粘接層上的用于保護所述薄層封裝和/或所述光電子器件免受機械損傷的覆蓋層，其中所述粘接層構(gòu)成為，使得位于所述薄層封裝的表面上的顆粒污物被所述粘接層至少部分地包圍。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述粘接層具有可硬化的粘接材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述可硬化的粘接材料構(gòu)成為UV硬化的粘接材料。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述粘接層構(gòu)成為，使得所述顆粒污物完全地嵌入所述粘接層中。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述粘接層具有大約1 μ m至大約500 μ m的層厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述粘接層具有大約?ο μ m至大約100 μ m的層厚度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述覆蓋層具有玻璃層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述覆蓋層具有薄膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述薄膜設(shè)立為導(dǎo)熱薄膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述覆蓋層具有漆層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的封裝裝置，其中所述漆層具有聚丙烯保護漆。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至11中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中在所述覆蓋層上或在所述覆蓋層的上方施加有導(dǎo)熱薄膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求1中12中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中在所述覆蓋層上或在所述覆蓋層的上方施加有至少一個光耦合輸出層。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至13中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述薄層封裝具有層堆，所述層堆具有至少一個第一阻擋薄層和構(gòu)成在所述第一阻擋薄層上的第二阻擋薄層。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至14中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)，其中所述粘接層具有散射顆粒，所述散射顆粒嵌入所述粘接層中。
16.一種封裝裝置，具有:?帶有至少一個功能層的光電子器件；?構(gòu)成在至少一個所述功能層上或在至少一個所述功能層的上方的、根據(jù)權(quán)利要求1至16中任一項所述的封裝結(jié)構(gòu)。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的封裝裝置，其中所述光電子器件是有機的光電子器件。
18.一種用于封裝光電子器件的方法，所述方法具有:?在光電子器件上或者在光電子器件的上方構(gòu)成用于保護所述光電子器件防范化學(xué)污物的薄層封裝；?在所述薄層封裝上構(gòu)成粘接層；?在所述粘接層上構(gòu)成覆蓋層，以用于保護所述薄層封裝和/或所述光電子器件免受機械損傷。
19.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中所述薄層封裝構(gòu)成在所述光電子器件的功能層上或在所述光電子器件的功能層的上方。
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的方法，其中所述光電子器件是有機的光電子器件。
21.根據(jù)權(quán)利要求18至20中任一項所述的方法，其中所述粘接層和所述覆蓋層的構(gòu)成具有:?將所述粘接層施加在所述薄層封裝上并且在施加所述粘接層之后將所述覆蓋層施加在所述粘接層上；?將所述粘接層施加在所述覆蓋層上并且將所述覆蓋層借助施加在所述覆蓋層上的所述粘接層施加在所述薄層封裝上，以至于使所述粘接層設(shè)置在所述薄層封裝和所述覆蓋層之間。
【文檔編號】H01L51/52GK103636023SQ201280032683
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年6月20日 優(yōu)先權(quán)日:2011年6月30日
【發(fā)明者】理查德·貝爾, 迪爾克·貝克, 托馬斯·多貝廷, 多琳·菲舍爾, 本亞明·克魯馬赫爾, 埃爾溫·蘭, 蒂爾曼·施倫克爾, 克里斯蒂安·施密特 申請人:歐司朗光電半導(dǎo)體有限公司