透明導(dǎo)電性涂布膜、透明導(dǎo)電性墨水、及使用其的觸控式面板的制作方法
【專利摘要】一種至少含有金屬納米線的透明導(dǎo)電性涂布膜、透明導(dǎo)電性墨水中,使所述金屬納米線之中,彎折的線的比例為10%以下。而且,在透明導(dǎo)電性涂布膜中,使表面電阻為150Q/□以下,霧度值為1.0%以下。在透明導(dǎo)電性墨水中,使透明導(dǎo)電性墨水中的傳導(dǎo)率為1mS/cm以下。
【專利說明】透明導(dǎo)電性涂布膜、透明導(dǎo)電性墨水、及使用其的觸控式面板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種透明導(dǎo)電性涂布膜、透明導(dǎo)電性墨水、及使用其的觸控式面板,尤其涉及一種至少含有金屬納米線的透明導(dǎo)電性涂布膜、透明導(dǎo)電性墨水。
【背景技術(shù)】
[0002]從前,對(duì)使用金屬納米線的透明導(dǎo)電性涂布膜嘗試了各種研究。
[0003]已知金屬納米線因其材質(zhì)為容易彎曲的金屬,進(jìn)而在其形狀方面粗細(xì)度為幾nm?幾百nm而細(xì),縱橫比(纖維的長(zhǎng)度/粗細(xì)度)高且應(yīng)力容易集中,故整體上具有香蕉狀的緩和的曲率,進(jìn)而具有局部的彎折。
[0004]例如,在專利文獻(xiàn)I的[0014]中,揭示有除存在分支的納米線以外,亦存在剛性低、且彎曲或彎折的線。
[0005]另外,金屬納米線因其比表面積高,故容易產(chǎn)生聚集,難以不產(chǎn)生聚集而使其分散。對(duì)于球狀的納米粒子,可于分散劑的存在下利用磨機(jī)或超音波等進(jìn)行強(qiáng)力的分散,但對(duì)于金屬納米線,若進(jìn)行施加有強(qiáng)能量的分散,則存在線受到強(qiáng)應(yīng)力,而導(dǎo)致線彎折的問題。
[0006]因此,在專利文獻(xiàn)2中,雖然是針對(duì)碳納米纖維,但揭示有為了防止碳納米纖維的彎折,而進(jìn)行加壓處理,并于彈性體中進(jìn)行混煉,藉此可獲得分支或彎折少的碳納米纖維。
[0007][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]
[0008][專利文獻(xiàn)]
[0009][專利文獻(xiàn)I]日本專利特開2009-70660號(hào)公報(bào)
[0010][專利文獻(xiàn)2]日本專利特開2011-84844號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0011]但是,在專利文獻(xiàn)2中,雖然針對(duì)碳納米纖維可獲得分支或彎折少的碳納米纖維,但金屬納米線因強(qiáng)度低,故藉由制備金屬納米線分散液時(shí)的脫鹽、分散處理步驟時(shí)的剪切或涂布膜形成后的加壓處理而導(dǎo)致線受到應(yīng)力,藉此會(huì)產(chǎn)生許多彎折。如此,剛性低的金屬納米線因其材質(zhì)與形狀的特征而產(chǎn)生彎折或彎曲??芍搹澱鄣木€越多,越難以獲得使表面電阻與霧度值并存的透明導(dǎo)電膜。進(jìn)而,線徑越細(xì),該傾向越顯著。
[0012]使用金屬納米線的透明導(dǎo)電性涂布膜存在如下的問題:因存在作為不透明的微粒子的金屬納米線,故難以一面維持高導(dǎo)電性,一面提高透過率或降低霧度值。雖然藉由使線徑變細(xì)而可期待降低霧度值,但伴隨線徑減小,彎折的線率增加,因此高導(dǎo)電率與低霧度難以并存。
[0013]本發(fā)明是針對(duì)此種新發(fā)現(xiàn)的課題而完成的發(fā)明,其目的在于提供一種可維持高導(dǎo)電性,且與從前相比可維持高導(dǎo)電性并提高透過率、降低霧度值的透明導(dǎo)電性涂布膜與透明導(dǎo)電性墨水、及使用這些的觸控式面板。
[0014]為了達(dá)成上述目的,本發(fā)明是一種透明導(dǎo)電性涂布膜,其至少含有金屬納米線:金屬納米線之中,彎折的線的比例為10%以下,表面電阻為150Q / □以下,霧度值為I. 0%以下。
[0015]另外,為了達(dá)成上述目的,本發(fā)明是一種透明導(dǎo)電性墨水,其至少含有金屬納米線,其特徵為金屬納米線中彎折的線的比例為10%以下,且傳導(dǎo)率為ImS / Cm以下。
[0016]如此,藉由將金屬納米線之中,彎折的線的比例設(shè)為10%以下,可維持高導(dǎo)電性,并提高透過率、降低霧度值。
[0017]再者,本發(fā)明中所述的“彎折的線”不是指自然彎曲的線,而是指一條線的I個(gè)部位或多個(gè)部位具有與該線的其他部分不同的曲率而變形的粒子。具體而言,針對(duì)上述具有與其他部分不同的曲率而變形的部分假定為外接圓,將該外接圓的半徑(曲率半徑)小于150nm且彎曲的線定義為彎折的線。在曲率連續(xù)地變化且彎折的情況下,將其曲率半徑的最小的部分設(shè)為曲率半徑。
[0018]再者,藉由彎折少的金屬納米線,可獲得低電阻且霧度低的透明導(dǎo)電膜的明確的理由并不清楚,但一般認(rèn)為其原因在于:因金屬原子的排列在彎折部急遽地變化,故聲子(phonon)或電子的散射行為大幅變化。在金屬納米線的成長(zhǎng)的機(jī)制方面,難以認(rèn)為線成長(zhǎng)過程中的線彎折而成長(zhǎng),一般認(rèn)為彎折的線是藉由在成長(zhǎng)的中途、或自形成線后在制作透明導(dǎo)電膜的過程中線受到局部的應(yīng)力而產(chǎn)生。線的彎折可在線的成長(zhǎng)步驟以后的步驟中在任何階段產(chǎn)生,尤其在線的脫鹽、分散步驟中產(chǎn)生的情況多。一般認(rèn)為其原因在于:在各步驟,特別是脫鹽與分散的步驟中,線受到應(yīng)力。
[0019]在本發(fā)明的透明導(dǎo)電性涂布膜中,較佳為彎折的線的比例為2. 5%以下。
[0020]在本發(fā)明的透明導(dǎo)電性涂布膜中,可提供透過率為92%以上的透明導(dǎo)電性涂布膜。另外,在本發(fā)明的透明導(dǎo)電性涂布膜中,可提供霧度值為O. 6%以下的透明導(dǎo)電性涂布膜。
[0021]在本發(fā)明的透明導(dǎo)電性涂布膜中,較佳為金屬納米線的縱橫比以數(shù)量平均計(jì)為20以上。而且,在本發(fā)明的透明導(dǎo)電性涂布膜中,較佳為金屬納米線的長(zhǎng)軸徑以數(shù)量平均計(jì)為Iym以上。另外,在本發(fā)明的透明導(dǎo)電性涂布膜中,較佳為金屬納米線的短軸徑以數(shù)量平均計(jì)為50nm以下,更佳為30nm以下,進(jìn)而更佳為20nm以下。
[0022]作為使用細(xì)線的目的,可列舉實(shí)現(xiàn)高透過率與低霧度,但若與通常的粗線同樣地處理,則會(huì)產(chǎn)生彎折,透過率或霧度會(huì)惡化,使用細(xì)線的優(yōu)點(diǎn)喪失。因此,當(dāng)金屬納米線如上述般為細(xì)的金屬納米線時(shí),本發(fā)明特別有效。
[0023]當(dāng)彎折的線的比率為2. 5%以下時(shí),可實(shí)現(xiàn)利用粗線無法實(shí)現(xiàn)的水平的高導(dǎo)電性、高透過率、低霧度,若彎折的線的比率大于2. 5%且為10%以下,則與粗線相比,在透過率、霧度方面保持優(yōu)勢(shì),若含有多于10%的彎折線,則變成與無彎折的粗線同等或其以下的特性,因此必須為10%以下的彎折線比率,較佳為2. 5%以下。
[0024]在本發(fā)明的透明導(dǎo)電性墨水中,較佳為透明導(dǎo)電性墨水中的Br含量相對(duì)于墨水中的金屬納米線固體成分含量為5000ppm以下。
[0025]而且,在本發(fā)明中,較佳為制備金屬納米線分散液時(shí)的精制步驟為超過濾方式,且超過濾中所使用的送液泵為管式泵(tube pump)、莫諾泵(moyno pump)、隔膜泵(diaphragm pump)、旋轉(zhuǎn)泵(rotary pump)的任一種。
[0026]另外,根據(jù)本發(fā)明的透明導(dǎo)電性涂布膜、透明導(dǎo)電性墨水,可維持高導(dǎo)電性,并提高透過率、降低霧度值,因此可較佳地用于觸控式面板。
[0027][發(fā)明的效果]
[0028]根據(jù)本發(fā)明的透明導(dǎo)電性涂布膜、透明導(dǎo)電性墨水,可提供一種可維持高導(dǎo)電性,且與從前相比可提高透過率、或降低霧度值的透明導(dǎo)電性涂布膜、透明導(dǎo)電性墨水。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0029]圖1是表示“彎折的線”的說明圖。
[0030]圖2是表示實(shí)施例的表圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031](導(dǎo)電性墨水、導(dǎo)電膜、及該些的制造方法)[0032]本發(fā)明的透明導(dǎo)電性墨水及透明導(dǎo)電性涂布膜是至少含有金屬納米線的透明導(dǎo)電性墨水及透明導(dǎo)電性涂布膜,且金屬納米線中彎折的線的比例為10%以下。彎折的線的比例較佳為2.5%以下。
[0033]再者,如圖1所示,所謂“彎折的線10”,是指線的外接(circumscription) 12的曲率半徑小的粒子。具體而言,外接的曲率半徑R小于150nm的彎曲的線為10%以下般地少。在曲率連續(xù)地變化且彎折的情況下,將其曲率半徑的最小的部分設(shè)為曲率半徑。
[0034]彎折的線可藉由在墨水中的穿透式電子顯微鏡(Transmission ElectronMicroscope, TEM)觀察、在涂布膜中的掃描式電子顯微鏡(Scanning ElectronMicroscope, SEM)觀察等通常的方法來測(cè)定,但彎折的線在涂布之前的過程中纏繞而容易聚集,且成塊而存在的情況多,因此在僅為已分散的區(qū)域的TEM照片、及SEM照片中,僅對(duì)粒子進(jìn)行觀察無法求出準(zhǔn)確的比例。對(duì)幾張TEM照片、及SEM照片進(jìn)行觀察,即便幾乎不存在彎折的粒子,在略微存在的粒子的聚集體中,彎折粒子亦以高比例存在。因此,針對(duì)包含已聚集的區(qū)域的所有粒子,必須對(duì)許多粒子進(jìn)行觀察。因此,對(duì)10000個(gè)以上的粒子觀察彎折的有無,并計(jì)算彎折的粒子/所有粒子的比例,藉此可求出準(zhǔn)確的彎折粒子的比例。
[0035]本發(fā)明的透明導(dǎo)電性墨水及透明導(dǎo)電性涂布膜是藉由以下所記載的制造方法來制造。
[0036]?金屬納米線分散液>>
[0037]所述金屬納米線分散液是含有金屬納米線,且含有溶劑、分散劑、進(jìn)而視需要含有其他成分而成者,亦稱為導(dǎo)電性墨水。
[0038]-金屬納米線-
[0039]在本發(fā)明中,所謂金屬納米線,是指短軸徑(直徑)為50nm以下、且平均長(zhǎng)軸徑(major axis diameter)(長(zhǎng)度)為 I μ m 以上的粒子。
[0040]當(dāng)金屬納米線為細(xì)的金屬納米線時(shí),容易產(chǎn)生彎折,本發(fā)明特別有效。
[0041]所述金屬納米線的平均短軸徑(minor axis diameter)較佳為50nm以下,更佳為30nm以下,進(jìn)而更佳為20nm以下。再者,藉由將所述短軸徑設(shè)為5nm以上,可具有對(duì)氧化性,故較佳。另外,藉由將所述平均短軸徑設(shè)為50nm以下,可抑制由金屬納米線所引起的散射,并提高透明性,故較佳。
[0042]所述金屬納米線的平均長(zhǎng)軸徑較佳為Iym以上,更佳為5μπι以上。再者,藉由將金屬納米線的長(zhǎng)軸徑設(shè)為1_以下,在制造過程中可不易產(chǎn)生聚集物(aggregate),故較佳。另外,藉由將所述平均長(zhǎng)軸徑設(shè)為Iym以上,線彼此容易形成網(wǎng)絡(luò)且容易提高導(dǎo)電性,故較佳。
[0043]此處,所述金屬納米線的平均短軸徑及平均長(zhǎng)軸徑例如可藉由使用穿透式電子顯微鏡(TEM)與光學(xué)顯微鏡,對(duì)TEM像或光學(xué)顯微鏡像進(jìn)行觀察而求出,在本發(fā)明中,金屬納米線的短軸徑及長(zhǎng)軸徑是利用穿透式電子顯微鏡(TEM)對(duì)300個(gè)金屬納米線進(jìn)行觀察,并根據(jù)其平均值而求出者。
[0044]在本發(fā)明中,短軸徑為50nm以下且長(zhǎng)軸徑為I μ m以上的金屬納米線在所有金屬粒子中,以金屬量計(jì)含有50質(zhì)量%以上,較佳為60質(zhì)量%以上,更佳為75質(zhì)量%以上。
[0045]藉由將所述短軸徑為50nm以下且長(zhǎng)軸徑為I μ m以上的金屬納米線的比例(以下,有時(shí)亦稱為“適當(dāng)線化率(appropriate wire ratio)”)設(shè)為50質(zhì)量%以上,而提高有助于導(dǎo)電的金屬的比例,并可抑制電壓集中于特定的金屬粒子上,因此容易改善耐久性而較佳。另外,與球形等的電漿子吸收強(qiáng)的金屬粒子相比,金屬納米線可較容易提高透明度而較佳。
[0046]此處,關(guān)于上述適當(dāng)線化率,例如在金屬納米線為銀納米線的情況下,對(duì)銀納米線水分散液(silver nanowire aqueous dispersion liquid)進(jìn)行過濾而使銀納米線與其以外的粒子分離,然后使用感應(yīng)稱合等離子體(Inductively Coupled Plasma, ICP)發(fā)光分析裝置,分別測(cè)定殘留在濾紙上的銀(Ag)量、及透過了濾紙的Ag量,藉此可求出適當(dāng)線化率。利用透射電子顯微鏡(TEM)觀察殘留在濾紙上的金屬納米線,并觀察300個(gè)金屬納米線的短軸徑,且對(duì)其分布進(jìn)行調(diào)查,藉此確認(rèn)其是短軸徑為50nm以下且長(zhǎng)軸徑為I μ m以上的金屬納米線。再者,關(guān)于濾紙,較佳為對(duì)TEM像中短軸徑為50nm以下、且長(zhǎng)軸徑為I μ m以上的金屬納米線以外的粒子的最長(zhǎng)軸(the longest axis)進(jìn)行測(cè)量,并使用直徑為該最長(zhǎng)軸的5倍以上且為線長(zhǎng)軸的最短長(zhǎng)度的I / 2以下的濾紙。
[0047]本發(fā)明的金屬納米線的短軸徑(直徑)的變動(dòng)系數(shù)(coefficient of variation)較佳為40%以下,更佳為35%以下,進(jìn)而更佳為30%以下。
[0048]若上述變動(dòng)系數(shù)超過40%,則電壓集中于短軸徑短的在線,因此有時(shí)耐久性會(huì)惡化。
[0049]所述金屬納米線的短軸徑的變動(dòng)系數(shù)可藉由如下方式而求出:根據(jù)例如透射電子顯微鏡(TEM)像來測(cè)量300個(gè)納米線的短軸徑,并對(duì)其標(biāo)準(zhǔn)偏差與平均值進(jìn)行計(jì)算(短軸徑的變動(dòng)系數(shù)=短軸徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差/短軸徑的平均值)。
[0050]作為本發(fā)明的金屬納米線的形狀,例如可采用圓柱狀、長(zhǎng)方體狀、剖面變成多邊形的柱狀等任意的形狀,但于需要高透明性的用途中,較佳為圓柱狀或剖面的多邊形的角變圓的剖面形狀。
[0051]所述金屬納米線的剖面形狀可藉由如下方式來調(diào)查:將金屬納米線水分散液涂布于基材上,并使其干燥,然后利用穿透式電子顯微鏡(TEM)觀察膜的剖面。
[0052]作為所述金屬納米線中的金屬,并無特別限制,可為任何金屬,除I種金屬以外,亦可將2種以上的金屬組合使用,亦可用作合金。該些之中,較佳為由金屬或金屬化合物所形成者,更佳為由金屬所形成者。
[0053]作為上述金屬,可列舉:銅、銀、金、鉬、鈀、鎳、錫、鈷、銠、銥、鐵、釕、鋨、錳、鑰、鎢、銀、鉭(tantalum)、鈦、秘、鋪、鉛、或該些的合金等。該些之中,較佳為銅、銀、金、鉬、鈕、鎳、錫、鈷、錯(cuò)、銥或該些的合金,更佳為鈕、銅、銀、金、鉬、錫及該些的合金,特佳為銀或含有銀的合金。
[0054]所述金屬納米線在所述金屬納米線分散液中的含量較佳為O. I質(zhì)量%?99質(zhì)量%,更佳為O. 3質(zhì)量%?95質(zhì)量%。
[0055]〈〈金屬納米線的制造方法》
[0056]作為所述金屬納米線的制造方法,并無特別限制,可根據(jù)目的而適宜選擇,例如可列舉:(1)多元醇法(參照美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2005 / 0056118號(hào)說明書、美國(guó)專利申請(qǐng)公開第2007 / 0074316號(hào)說明書);(2)包括向至少含有鹵素化合物、及還原劑的水溶劑中添加金屬錯(cuò)合物溶液并進(jìn)行加熱的步驟,且較佳為包括脫鹽處理步驟的金屬納米線的制造方法等。該些之中,特佳為所述(2)的金屬納米線的制造方法。
[0057]〈〈所述⑵的金屬納米線的制造方法》
[0058]所述(2)的金屬納米線的制造方法包括向至少含有鹵素化合物、及還原劑的水溶劑中添加金屬錯(cuò)合物溶液并進(jìn)行加熱的步驟,且較佳為包括脫鹽處理步驟,進(jìn)而視需要包括其他步驟。
[0059]-金屬錯(cuò)合物-
[0060]作為所述金屬錯(cuò)合物,并無特別限制,可根據(jù)目的而適宜選擇,但特佳為銀錯(cuò)合物。作為所述銀錯(cuò)合物的配位子,例如可列舉:N03_、CN_、SCN_、S032_、硫脲(thiourea)、氨等。該些可參照“照相過程理論第四版(The Theory of the Photographic Process4thEdition) ”麥克米蘭出版(Macmillan Publishing),T. H. James著的記載。該些中,特佳為硝酸銀、銀氨錯(cuò)合物。
[0061]所述金屬錯(cuò)合物的添加較佳為在分散劑與鹵素化合物之后添加。因能夠以高概率形成線核,故具有提高本發(fā)明中的適當(dāng)?shù)亩梯S徑或長(zhǎng)軸徑的金屬納米線的比例的效果。
[0062]作為上述溶劑,較佳為親水性溶劑,作為該親水性溶劑,例如可列舉:水、甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、丁醇等醇類;二惡烷、四氫呋喃等醚類;丙酮等酮類;四氫呋喃、二惡烷等環(huán)狀醚類等。
[0063]加熱溫度較佳為150°C以下,更佳為20°C以上、130°C以下,進(jìn)而更佳為30°C以上、100°C以下,特佳為40°C以上、90°C以下。若有必要,則亦可在粒子形成過程中變更溫度,中途的溫度變更有時(shí)具有如下的效果:核形成的控制效果或核再次生成的抑制效果、藉由選擇成長(zhǎng)的促進(jìn)而提升單分散性。
[0064]藉由將上述加熱溫度設(shè)為150°C以下,可使納米線的剖面的角變圓,容易提高涂布膜評(píng)價(jià)中的透過率,故較佳。另外,藉由將上述加熱溫度設(shè)為20°C以上,可將線的長(zhǎng)度調(diào)節(jié)成適當(dāng)?shù)姆秶铱墒狗稚⒎€(wěn)定性變佳,故較佳。
[0065]-還原劑-
[0066]在上述加熱時(shí),較佳為添加還原劑來進(jìn)行。作為該還原劑,并無特別限制,可自通常所使用的還原劑中適宜選擇,例如可列舉:硼氫化鈉、硼氫化鉀等硼氫化金屬鹽;氫化招鋰、氫化招鉀、氫化招銫、氫化招鈹、氫化招鎂、氫化招韓等氫化招鹽;亞硫酸鈉、肼(hydrazine)化合物、糊精(dextrin)、對(duì)苯二酹(hydroquinone)、輕基胺、朽1檬酸或其鹽、丁二酸(succinic acid)或其鹽、抗壞血酸(ascorbic acid)或其鹽等;二乙胺基乙醇、乙醇胺、丙醇胺、三乙醇胺、二甲胺基丙醇等烷醇胺;丙胺、丁胺、二丙烯胺、乙二胺、三乙五胺等脂肪族胺;哌啶、吡咯啶、N-甲基吡咯啶、嗎啉等雜環(huán)式胺;苯胺、N甲基苯胺、甲苯胺、甲氧苯胺、乙氧苯胺等芳香族胺;芐基胺、二甲苯二胺、N-甲基芐基胺等芳烷基胺;甲醇、乙醇、2-丙醇等醇;乙二醇、麩胱甘肽(glutathione)、有機(jī)酸類(檸檬酸、蘋果酸、酒石酸等)、還原糖類(葡萄糖、半乳糖、甘露糖、果糖、蔗糖、麥芽糖、棉子糖、水蘇糖(stachyose)等)、糖醇類(山梨醇(sorbitol)等)等。該些之中,特佳為還原糖類、作為還原糖類的衍生物的糖醇類。再者,根據(jù)還原劑種,存在亦作為分散劑發(fā)揮功能的情況,可同樣較佳地使用。
[0067]上述還原劑的添加時(shí)間點(diǎn)可為添加分散劑之前,亦可為添加分散劑之后,可為添加鹵素化合物之前,亦可為添加鹵素化合物之后。
[0068]-鹵素化合物-
[0069]在制造本發(fā)明的金屬納米線時(shí),較佳為添加鹵素化合物來進(jìn)行。
[0070]作為所述鹵素化合物,只要是含有溴、氯、碘的化合物,則并無特別限制,可根據(jù)目的而適宜選擇,例如較佳為溴化鈉、氯化鈉、碘化鈉、溴化鉀、氯化鉀、碘化鉀等鹵化堿,或可與下述的分散劑并用的物質(zhì)。鹵素化合物的添加時(shí)間點(diǎn)可為添加分散劑之前,亦可為添加分散劑之后,可為添加還原劑之前,亦可為添加還原劑之后。
[0071 ] 再者,根據(jù)鹵素化合物種,可能存在作為分散劑發(fā)揮功能者,可同樣較佳地使用。
[0072]可使用鹵化金屬微粒子來代替所述鹵素化合物,亦可將鹵素化合物與鹵化金屬微粒子一同使用。
[0073]鹵素化合物、或鹵化金屬微粒子亦存在作為分散劑發(fā)揮功能者,可較佳地使用。作為具有分散劑的功能的鹵素化合物,例如可列舉含有胺基與溴化物離子的溴化十六烷基三甲基銨(Hexadecyl Trimethyl Ammonium Bromide, HTAB)含有胺基與氯化物離子的氯化十六燒基三甲基銨(Hexadecyl Trimethyl Ammonium Chloride, HTAC)等。
[0074]-分散劑-
[0075]在制造所述金屬納米線時(shí),較佳為添加分散劑來進(jìn)行。再者,根據(jù)所使用的分散劑的種類,可使所獲得的金屬納米線的形狀變化。添加所述分散劑的階段可在制備粒子之前添加,且在分散聚合物的存在下添加,亦可在調(diào)整粒子后為了控制分散狀態(tài)而添加。當(dāng)將分散劑的添加分成2個(gè)階段以上時(shí),其量必須根據(jù)所需的線的長(zhǎng)度而變更。可認(rèn)為其原因在于:線的長(zhǎng)度取決于成為核的金屬粒子量的控制。
[0076]作為所述分散劑,并無特別限制,可根據(jù)目的而適宜選擇,例如可列舉:四級(jí)烷基銨鹽(quaternary alkylammonium salts)等離子性界面活性劑;含有胺基的化合物、含有硫醇基的化合物、含有硫基的化合物、胺基酸或其衍生物、肽(peptide)化合物、多糖類、源自多糖類的天然高分子、合成高分子、或源自該些的凝膠等高分子類等。該些之中,特佳為四級(jí)烷基銨鹽,其原因在于:在浸潰時(shí)容易清洗。
[0077]作為所述四級(jí)烷基銨鹽,例如可列舉:溴化十六烷基三甲基銨(HTAB)、氯化十六燒基三甲基銨、溴化硬脂基三甲基銨(Stearyl Trimethyl Ammonium Bromide, STAB)、氯化硬脂基三甲基銨、溴化十四烷基三甲基銨、氯化十四烷基三甲基銨、溴化二月桂基二甲基銨、氯化二月桂基二甲基銨等。該些可單獨(dú)使用I種,亦可并用2種以上。該些的中,特佳為溴化十六烷基三甲基銨(HTAB)。[0078]作為所述高分子類,例如可列舉:作為具有保護(hù)膠體性的聚合物的明膠、聚乙烯醇、甲基纖維素、羥基丙基纖維素、聚伸烷基胺、聚丙烯酸的部分烷基酯、聚乙烯吡咯啶酮(Polyvinyl Pyrrolidone, PVP)、聚乙烯卩比咯唳酮共聚物等。
[0079]關(guān)于可用作所述分散劑的結(jié)構(gòu),例如可參照“顏料的百科詞典”(伊藤征司郎編,朝書院股份有限公司發(fā)行,2000年)的記載。
[0080]-分散溶劑-
[0081]作為所述金屬納米線分散液中的分散溶劑,主要使用水,且能夠以80體積%以下的比例并用與水混和的有機(jī)溶劑。
[0082]作為所述有機(jī)溶劑,例如可較佳地使用沸點(diǎn)為50°C?250°C,更佳為55°C?200°C的醇系化合物。藉由并用此種醇系化合物,可使涂布步驟中的涂抹變佳,并減少干燥負(fù)荷。
[0083]作為所述醇系化合物,并無特別限制,可根據(jù)目的而適宜選擇,例如可列舉:甲醇、乙醇、乙二醇、二乙二醇、三乙二醇、聚乙二醇200、聚乙二醇300、甘油、丙二醇、二丙二醇、1,3_丙二醇、1,2_ 丁二醇、1,4_ 丁二醇、1,5_戊二醇、I-乙氧基-2-丙醇、乙醇胺、二乙醇胺、2-(2-胺基乙氧基)乙醇、2-二甲胺基異丙醇等。該些可單獨(dú)使用I種,亦可并用2種以上。
[0084]-脫鹽處理-
[0085]所述脫鹽處理可在形成金屬納米線后,藉由超過濾、透析(dialysis)、凝膠過濾(gel filtration)、傾析(decantation)、離心分離(centrifugal separation)等方法來進(jìn)行。
[0086]在該脫鹽處理或以下所述的利用分散溶劑的分散處理時(shí),金屬線容易受到應(yīng)力而容易彎折。
[0087]在金屬納米線的成長(zhǎng)的機(jī)制方面,難以認(rèn)為線成長(zhǎng)過程中的線彎折而成長(zhǎng),一般認(rèn)為彎折的線是藉由在成長(zhǎng)的中途、或自形成線后在制作透明導(dǎo)電膜的過程中線受到局部的應(yīng)力而產(chǎn)生。
[0088]線的彎折可在線的成長(zhǎng)步驟以后的步驟中在任何階段產(chǎn)生,尤其在線的脫鹽、分散步驟中產(chǎn)生的情況多。一般認(rèn)為其原因在于:于各步驟,特別是脫鹽與分散的步驟中,線受到應(yīng)力。
[0089]因此,本發(fā)明的至少含有金屬納米線的透明導(dǎo)電性墨水、及透明導(dǎo)電性涂布膜的金屬納米線之中,彎折的線的比例為10%以下,較佳為彎折的線的比例為2. 5%以下,在要減少?gòu)澱鄣木€時(shí),必須在脫鹽處理與分散處理中,不使線受到應(yīng)力。
[0090]所述金屬納米線分散液中的堿金屬離子、堿土金屬離子、鹵化物離子等無機(jī)離子是藉由所述脫鹽處理、及分散處理來決定,若脫鹽不充分,則殘存于分散液中的無機(jī)離子有時(shí)會(huì)成為制作導(dǎo)電性構(gòu)件時(shí)的耐久性惡化的主要原因,因此較佳為盡可能不含無機(jī)離子。
[0091]所述金屬納米線分散液的導(dǎo)電率是藉由所述脫鹽處理、及分散處理來決定,若脫鹽不充分,則殘存于分散液中的鹽有時(shí)會(huì)成為制作導(dǎo)電性構(gòu)件時(shí)的耐久性惡化的主要原因,因此金屬納米線分散液的導(dǎo)電率較佳為ImS / cm以下,更佳為O. 3mS / cm以下。
[0092]所述金屬納米線分散液在20°C下的黏度較佳為O. 5mPa · s?IOOmPa · s,更佳為ImPa · s ?50mPa · S。
[0093]-添加劑-[0094]在所述金屬納米線分散液中,視需要可含有黏合劑,各種添加劑,例如界面活性齊?、聚合性化合物、抗氧化劑、抗硫化劑、防腐蝕劑、黏度調(diào)整劑、防腐劑等。
[0095]作為所述黏合劑,并無特別限制,可根據(jù)目的而適宜選擇,例如可列舉:溶膠凝膠硬化物、明膠、明膠衍生物、酪蛋白(casein)、寒天、淀粉、聚乙烯醇、聚丙烯酸共聚物、羧甲基纖維素、羥乙基纖維素、聚乙烯吡咯啶酮、葡聚糖等。該些可單獨(dú)使用I種,亦可并用2種以上。
[0096]所述黏合劑在所述金屬納米線分散液中的含量并無特別限制,可根據(jù)目的而適宜選擇,但相對(duì)于銀I質(zhì)量份,較佳為0.01質(zhì)量份~10質(zhì)量份,更佳為0.1質(zhì)量份~5質(zhì)量份。
[0097]作為所述防腐蝕劑,并無特別限制,可根據(jù)目的而適宜選擇,合適的是唑類。作為所述唑類,例如可列舉選自苯并三唑(benzotriazole)、甲苯基三唑、巰基苯并噻唑(mercaptobenzothiazole)、巰基苯并三唑、巰基苯并四唑、(2_苯并噻唑硫基)乙酸、
3-(2-苯并噻唑硫基)丙酸、及該些的堿金屬鹽、銨鹽、以及胺鹽中的至少I種。藉由含有所述防腐蝕劑,可發(fā)揮優(yōu)異的防銹效果。
[0098]-基材-
[0099]作為涂布所述金屬納米線分散液的基材,并無特別限制,可根據(jù)目的而適宜選擇,例如可列舉白板玻璃、青板玻璃、涂布有二氧化硅的青板玻璃等透明玻璃基板;聚碳酸酯樹脂、聚醚砜樹脂、聚酯樹脂、丙烯酸樹脂、氯乙烯樹脂、芳香族聚酰胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚酰亞胺樹脂等合成樹脂制片材、膜或基板;鋁板、銅板、鎳板、不銹鋼板等金屬基板;此外,可列舉陶瓷板、具有光電轉(zhuǎn)換組件的半導(dǎo)體基板等。視需要,可對(duì)該些基板進(jìn)行硅烷偶合劑等的化學(xué)品處理、等離子體處理、離子鍍、濺鍍、氣相反應(yīng)法、真空蒸鍍等前處理。
[0100]〈〈含金屬納米線的膜的制作步驟》
[0101]含金屬納米線的膜的制作步驟是制作含有金屬納米線及分散劑的含金屬納米線的膜的步驟。
[0102]在此情況下,所述含金屬納米線的膜的制作較佳為將含有金屬納米線及分散劑的金屬納米線分散液涂布于基材上,并使其干燥來進(jìn)行。
[0103]涂布金屬納米線分散液的方法例如可列舉:旋涂法、澆鑄法、輥涂法、流涂法、印刷法、浸涂法、流延制膜法、棒涂法、凹版印刷法、模涂法等。
[0104]再者,較佳為制備金屬納米線分散液時(shí)的精制步驟為超過濾方式,且超過濾中所使用的送液泵為管式泵、莫諾泵、隔膜泵、旋轉(zhuǎn)泵的任一種。
[0105]超過濾裝置至少包括:槽,其儲(chǔ)存成為精制的對(duì)象的金屬納米線粗分散液;過濾器,其將槽內(nèi)的金屬納米線粗分散液分離成濾液與濃縮液;以及泵,其用于輸送槽內(nèi)的金屬納米線粗分散液。另外,為了控制于裝置內(nèi)循環(huán)的液體的溫度,亦可具備熱交換器。進(jìn)而,為了更準(zhǔn)確地掌握過濾條件,亦可在過濾器的上游側(cè)、及`過濾器與熱交換器之間分別具備壓力計(jì)。
[0106]作為所述過濾器的材質(zhì),對(duì)于所使用者并無特別限制,可使用選自纖維素系、聚醚磺酸系、及聚四氟乙烯(Polytetrafluoroethylene, PTFE)等中的高分子構(gòu)件的中空纖維膜,亦可使用多孔質(zhì)的陶瓷膜。
[0107]所述過濾器的孔徑只要可清洗鹽,則并無特別限制而可自由地選擇,若為亦可去除合成金屬納米線時(shí)的低分子分散劑的尺寸,則更佳;若為可去除在混合步驟中添加的高分子分散劑的剩余部分的尺寸,則更佳;若為可去除在金屬納米線合成步驟中產(chǎn)生的線形狀以外的副生成粒子(以下表述為干擾粒子)的尺寸,則進(jìn)而更佳。具體而言,孔徑較佳為40埃以上,更佳為100埃以上,進(jìn)而更佳為500埃以上。另外,若孔徑過大,則有時(shí)金屬納米線堵塞于孔中而聚集,因此孔徑較佳為5 μ m以下,更佳為I μ m以下,進(jìn)而更佳為O. 25 μ m以下。
[0108]對(duì)利用超過濾的精制步驟進(jìn)行說明。將成為精制對(duì)象的金屬納米線粗分散液投入至槽中,然后使送液泵運(yùn)作而使金屬納米線粗分散液于裝置內(nèi)循環(huán)。當(dāng)金屬納米線粗分散液通過過濾器時(shí),溶劑的一部分作為濾液被排出至過濾器外,因此與通過過濾器前相比,金屬納米線粗分散液得到濃縮并返回至槽中。一面向槽內(nèi)適宜追加供給未精制的金屬納米線粗分散液,一面重復(fù)上述步驟,藉此進(jìn)行金屬納米線粗分散液的濃縮。
[0109]金屬納米線粗分散液的濃縮結(jié)束后,將清洗溶劑投入至槽中,進(jìn)行經(jīng)濃縮的金屬納米線粗分散液的清洗。一面適宜供給清洗溶劑,一面反復(fù)自過濾器中排出濾液,藉此可于抑制了金屬納米線的濃度的變動(dòng)的狀態(tài)下,進(jìn)行金屬納米線粗分散液的清洗與溶劑的置換。
[0110]在本形態(tài)中的精制步驟中,視需要可對(duì)過濾器部施加壓力來調(diào)整過濾速度。將該過濾器的上下的壓力的平均定義為過濾壓。若過濾壓過高,則有時(shí)堆積于過濾器中的固體成分受到壓縮,即便在后述的逆洗中自過濾器面去除固體成分,亦不會(huì)進(jìn)行再分散,因此過濾壓較佳為O. 5MPa以下,更佳為O. 4MPa以下,進(jìn)而更佳為O. 2MPa以下。另外,若過濾壓過低,則過濾流量變低,步驟時(shí)間變長(zhǎng),因此較佳為O. OlMPa以上,較佳為O. 02MPa以上,進(jìn)而更佳為O. 03MPa以上。
[0111]在本形態(tài)中的精制步驟中,為了抑制由固體成分朝過濾器中的堆積所引起的過濾效率的下降,理想的是在實(shí)施濃縮及清洗的過程中定期地進(jìn)行逆洗。所謂逆洗,是指自與濾液接觸的過濾器面朝分散液所接觸的面推回濾液的操作。為了推回濾液,例如亦可使用空氣等氣體,在濾液流路上朝與濾液排出方向相反的方向?qū)V液進(jìn)行加壓。當(dāng)為了推回濾液而使用氣體時(shí),推回濾液的壓力的大小是以上述過濾壓與用以推回濾液的氣體壓力的差來定義,將其作為逆洗壓。只要可將堆積于過濾器中的固體成分自過濾器面去除,則逆洗壓并無特別限制,但若壓力過低,則無法去除堆積于過濾器中的固體成分,因此逆洗壓較佳為O. IMPa以上,更佳為O. 2MPa以上,進(jìn)而更佳為O. 3MPa以上。另外,若壓力過高,則有時(shí)用于推回濾液的氣體混入至分散液內(nèi),而擾亂循環(huán)流路內(nèi)的流動(dòng),因此逆洗壓較佳為IOMPa以下,更佳為5MPa以下,進(jìn)而更佳為3MPa以下。另外,作為實(shí)施逆洗的間隔,只要可去除堆積于過濾器面上的固體成分,則并無特別限制,但若間隔過大,則無法自過濾器面去除固體成分,因此較佳為間隔30分鐘以下,更佳為間隔15分鐘以下,進(jìn)而更佳為10分鐘以下。另外,由于實(shí)施逆洗的期間內(nèi)不實(shí)施過濾,因此若逆洗間隔過短,則步驟時(shí)間變長(zhǎng),因此較佳為15秒以上,更佳為I分鐘以上,進(jìn)而更佳為3分鐘以上。
[0112]在上述精制步驟中,在將金屬納米線粗分散液濃縮后,添加清洗液,藉此可不使金屬濃度過度地上升而實(shí)施分散液的精制。作為清洗液,只要金屬納米線不聚集,則可無特別限制地使用。尤其,較佳為欲去除的鹽、合成金屬納米線時(shí)的低分子分散劑、在混合步驟中添加的剩余的高分子分散劑溶解的清洗液。體型太陽電池,特佳為觸控式面板。
I蟲控式面板的透明導(dǎo)電體時(shí),可制作如下的聲,且因?qū)щ娦缘奶嵘?,?duì)于由空手、戴上手的輸入或畫面操作的應(yīng)答性優(yōu)異。
3的觸控式面板,且針對(duì)作為所謂的觸控傳辦人所知者,可應(yīng)用本發(fā)明的透明導(dǎo)電性涂
明導(dǎo)電性涂布膜,則并無特別限制,可根據(jù)控式面板、投射型電容式觸控式面板、電阻口。[0136][添加液A]
[0137]使硝酸銀粉末0.90g溶解于純水150mL中。其后,添加IN的氨水直至變成透明為止。然后,以使總量成為300mL的方式添加純水。
[0138][添加液G]
[0139]利用280mL的純水溶解葡萄糖粉末1.0g來制備添加液G。
[0140][添加液H]
[0141]利用27.5mL的純水溶解HTAB (溴化十六烷基三甲基銨)粉末0.5g來制備添加液H0
[0142]繼而,以如下方式制備銀納米線水分散液2。
[0143]將純水410mL加入至三口燒瓶?jī)?nèi),在20°C下一面進(jìn)行攪拌,一面利用漏斗加入添加液H82.5mL、及添加液G206mL (第一階段)。以流量2.0mL / min、攪拌轉(zhuǎn)速800rpm將添加液A206mL添加至 該溶液中(第二階段)。10分鐘后,加入添加液H82.5mL (第三階段)。其后,以3°C/ min將內(nèi)溫升溫至85°C為止。其后,使攪拌轉(zhuǎn)速變成lOOOrpm,并加熱5小時(shí)。
[0144]〈〈銀納米線分散液3?
[0145]使添加的添加液A的硝酸銀濃度變成2倍來添加,除此以外,以與銀納米線分散液2相同的方式獲得銀納米線分散液3。
[0146]〈〈銀納米線分散液4?
[0147]在銀納米線分散液3中,使升溫至85 °C后的攪拌轉(zhuǎn)速下降至IOOrpm而非1000rpm,除此以外,以與銀納米線分散液2相同的方式獲得銀納米線分散液4。
[0148]〈〈銀納米線分散液5?
[0149]在銀納米線分散液2中,將內(nèi)溫85°C、攪拌轉(zhuǎn)速1000rpm下的加熱時(shí)間自5小時(shí)變更為2小時(shí),除此以外,以與銀納米線分散液2相同的方式獲得銀納米線分散液5。
[0150][銀納米線的平均短軸徑(平均直徑)及平均長(zhǎng)軸徑]
[0151]使用穿透式電子顯微鏡(TEM ;日本電子股份有限公司制造,JEM-2000FX),對(duì)300個(gè)銀納米線進(jìn)行觀察,并求出銀納米線的平均短軸徑及平均長(zhǎng)軸徑。
[0152]〈〈樣品液I的制作》
[0153]取100ml的銀納米線分散液I,利用日立制造的CR21G離心分離以60000rpm進(jìn)行30分鐘的離心分離,去掉80ml的上清液后,利用STM公司的超音波分散機(jī)UH-300進(jìn)行5分鐘超音波分散來進(jìn)行分散。向其中添加乙醇80ml,將上述離心分離-上清液去除-溶劑添加的操作重復(fù)5次后,進(jìn)行離心分離,并盡可能去除上清液,然后進(jìn)行超音波分散。向其中添加丙二醇單甲醚100ml而非乙醇,然后進(jìn)行10分鐘超音波分散,從而獲得樣品液I。
[0154]?樣品液2的制作>>
[0155]將銀納米線分散液I變更為銀納米線分散液2,除此以外,以與樣品液I相同的方式制作樣品液2。
[0156]?樣品液3的制作>>
[0157]將銀納米線分散液I變更為銀納米線分散液3,除此以外,以與樣品液I相同的方式制作樣品液3。
[0158]?樣品液4的制作>>丨,不進(jìn)行利用丙二醇單甲醚的清洗,而濃縮7式獲得樣品液6。
單甲醚的清洗、及濃縮的銀納米線分散液2割造的加套泵$60-3211吧80,除此以外,!的三連式柱塞泵,除此以外,以與樣品液5造的麗720型管式泵,除此以外,以與樣品[0180]〈〈樣品液15的制作》
[0181]將超過濾時(shí)的送液泵變更為兵神裝備制造的莫諾泵(NL20),除此以外,以與樣品液13相同的方式獲得樣品液15。
[0182]?樣品液16的制作>>
[0183]將超過濾時(shí)的送液泵變更為拓科明(Tacmina)制造的隔膜泵(TPL1MC-014-6T6-CW-4-S),除此以外,以與樣品液13相同的方式獲得樣品液16。
[0184]?樣品液17的制作>>
[0185]將超過濾時(shí)的送液泵變更為大同金屬制造的旋轉(zhuǎn)泵(RPDTR210C0MT212243),除此以外,以與樣品液13相同的方式獲得樣品液17。
[0186]?樣品液18的制作>>
[0187]取1000ml的銀納米線分散液3,并添加0.02mol / I的聚乙烯吡咯啶酮(K-30,和光純藥工業(yè)股份有限公司制造)的水溶液500ml,然后一面充分地?cái)嚢枰幻嫣砑拥润w積的乙醇。使用過濾孔徑為0.2 μ m的精密過濾膜UNA620 (旭化成股份有限公司制造)、作為送液泵的億威奇制造的WM720型管式泵進(jìn)行超過濾。在來自模塊的濾液變成800ml的時(shí)間點(diǎn),連續(xù)進(jìn)行2次向濃縮液中添加乙醇溶液SOOmL的清洗后,一旦濃縮液變成200ml,便進(jìn)行4次添加水/ 1-丙醇=1 / I (質(zhì)量)溶液800mL的清洗,然后直接濃縮至100ml為止,從而獲得樣品液18。
[0188]?透明導(dǎo)電性涂布膜的制作>>
[0189]以表面電阻變成大致相同的方式,調(diào)整棒的次序來將上述樣品液I~樣品液5、樣品液8~樣品液18棒涂于PET基材上。針對(duì)樣品液6、樣品液7,增加涂布量直至霧度值超過3.0 %為止,但無法將表面電阻調(diào)整成150 Ω / □以下。
[0190]在透明導(dǎo)電性墨水、及涂布膜中,測(cè)定彎折的線的比例、導(dǎo)電率、透過率、霧度值。測(cè)定方法如下所述。
[0191]〈彎折的線的比例〉
[0192]關(guān)于墨水,利用TEM(日本電子股份有限公司制造,JEM-2000FX)觀察滴加至網(wǎng)眼上的墨水,并針對(duì)10000條線計(jì)算彎折的線的比例。
[0193]關(guān)于涂布膜,利用SEM(日立制作所制造,S-5200)觀察涂布膜,并針對(duì)10000條線計(jì)算彎折的線的比例。
[0194]在墨水與涂布膜中,彎折的線的比例大致相同。
[0195]<霧度.透光率的測(cè)定>
[0196]使用加特納公司制造的Haze-gard Plus,針對(duì)C光源下的國(guó)際照明委員會(huì)(Commission Internationale de I' Eclairage, CIE)能見度函數(shù) y,以測(cè)定角 0° 對(duì)形成后的導(dǎo)電層(或轉(zhuǎn)印至被轉(zhuǎn)印體上的導(dǎo)電層)進(jìn)行測(cè)定。
[0197]〈表面電阻的測(cè)定〉
[0198]使用表面電阻計(jì)(三菱化學(xué)股份有限公司制造,Loresta-GP MCP-T600),對(duì)形成后的導(dǎo)電層(或轉(zhuǎn)印至被轉(zhuǎn)印體上的導(dǎo)電層)測(cè)定表面電阻。
[0199]圖案化樣品的電阻值因難以對(duì)實(shí)際的微細(xì)圖案的導(dǎo)電部進(jìn)行測(cè)定,故先將評(píng)價(jià)用圖案(IOOmmD)加入至與實(shí)際圖案相同的樣品中,然后測(cè)定導(dǎo)電部的電阻。在5個(gè)部位實(shí)施該測(cè)定,并求出平均值。[0200]<濕熱耐久性>
[0201]使圖案化導(dǎo)電性構(gòu)件在85°C / 85% RH(相對(duì)濕度)的環(huán)境下暴露120小時(shí),將暴露前的電阻值設(shè)為R0,將暴露后的電阻值設(shè)為R,并進(jìn)行下述的分級(jí)。再者,等級(jí)的數(shù)字越大,表示性能越佳,等級(jí)3以上為實(shí)用上無問題的水平。
[0202][評(píng)價(jià)基準(zhǔn)]
[0203]5:R / RO 為 1.1 以下、0.9 以上
[0204]4:R / RO 為 1.2 以下、0.8 以上
[0205]3:R / RO 為 1.3 以下、0.7 以上
[0206]2:R / RO 為 1.5 以下、0.7 以上
[0207]1:R / RO 為 1.5 以上、或 0.7 以下
[0208]將所獲得的結(jié)果示于圖2的表。
[0209]如根據(jù)圖2的表的結(jié)果而可知般,可知在至少含有金屬納米線的透明導(dǎo)電性涂布膜中,藉由所述金屬納米線之中彎折的線的比例為10%以下,可維持高導(dǎo)電性,并提高透過率、降低霧度值。而且,可知藉由金屬納米線之中彎折的線的比例為10%以下、且導(dǎo)電性墨水中的傳道度為IrnS / Cm以下,可獲得表面電阻為150Q / □以下,霧度為1.0 %以下,透過率為92%以上的透明導(dǎo)電性涂布膜。
[0210]((實(shí)例2))
[0211]〈〈導(dǎo)電層轉(zhuǎn)印材料》
[0212]〈〈緩沖層的制作》
[0213]將下述組成的緩沖層用涂布液涂布于作為基材的平均厚度為30 μ m的聚對(duì)苯二甲酸乙二酯(PET)膜上,并使其干燥,而形成平均厚度為ΙΟμπι的緩沖層。
[0214]-緩沖層用涂布液的組成-
[0215].甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2-乙基己酯/甲基丙烯酸芐酯/甲基丙烯酸共聚物(共聚組成比(摩爾比)=55 / 30 / 10 / 5,重量平均分子量=10萬,玻璃轉(zhuǎn)移溫度0^)=70°〇>..6.0質(zhì)量份
[0216]?苯乙烯/丙烯酸共聚物(共聚組成比(摩爾比)=65 / 35,重量平均分子量=1萬,玻璃轉(zhuǎn)移溫度(Tg) =IOO0C )…14.0質(zhì)量份
[0217].ΒΡΕ_500(新中村化學(xué)股份有限公司制造)…9.0質(zhì)量份
[0218].Megafac F-780-F (大日本油墨化學(xué)工業(yè)股份有限公司制造)..0.5質(zhì)量份
[0219]?甲醇…10.0質(zhì)量份
[0220]?丙二醇單甲醚乙酸酯…5.0質(zhì)量份
[0221].甲基乙基酮…55.5質(zhì)量份
[0222]〈〈導(dǎo)電層的制作》[0223]-黏合劑(A-1)的合成-
[0224]作為構(gòu)成共聚物的單體成分,使用7.79g的甲基丙烯酸及37.21g的甲基丙烯酸芐酯,作為自由基聚合起始劑,使用0.5g的偶氮雙異丁腈,使該些于55.0Og的丙二醇單甲醚乙酸酯(Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate, PGMEA)中進(jìn)行聚合反應(yīng),藉此獲得具有下述結(jié)構(gòu)的黏合劑(A-1)的PGMEA溶液(固體成分濃度:40質(zhì)量% )。再者,將聚合溫度調(diào)整成溫度為60°C至100°C。[0225]分子量是使用凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography, GPC)來測(cè)定,結(jié)果藉由聚苯乙烯換算所得的重量平均分子量(Mw)為30,000,分子量分布(Mw / Mn)為2.21。
[0226][化I]
【權(quán)利要求】
1.一種透明導(dǎo)電性涂布膜,其至少含有金屬納米線,所述金屬納米線中彎折的線的比例為10%以下,表面電阻為150Q / □以下,霧度值為1.0%以下。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電性涂布膜,其中所述彎折的線的比例為2.5%以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的透明導(dǎo)電性涂布膜,其透過率為92%以上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性涂布膜,其霧度值為O.6%以下。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性涂布膜,其中所述金屬納米線的縱橫比以數(shù)量平均計(jì)為20以上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性涂布膜,其中所述金屬納米線的長(zhǎng)軸徑以數(shù)量平均計(jì)為Iym以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性涂布膜,其中所述金屬納米線的短軸徑以數(shù)量平均計(jì)為50nm以下。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性涂布膜,其中所述金屬納米線的短軸徑以數(shù)量平均計(jì)為30nm以下。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性涂布膜,其中所述金屬納米線的短軸徑以數(shù)量平均計(jì)為20nm以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性涂布膜,其是涂布金屬納米線分散液而形成涂膜來制作,且制備金屬納米線分散液時(shí)的精制步驟為超過濾方式,超過濾中所使用的送液泵為管式泵、莫諾泵、隔膜泵、旋轉(zhuǎn)泵的任一種。
11.一種透明導(dǎo)電性墨水,其至少含有金屬納米線,其中所述金屬納米線中彎折的線的比例為10%以下,且傳導(dǎo)率為ImS / Cm以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的透明導(dǎo)電性墨水,其中所述透明導(dǎo)電性墨水中的Br含量相對(duì)于墨水中的金屬納米線固體成分含量為5000ppm以下。
13.根據(jù)權(quán)利要求11或12所述的透明導(dǎo)電性墨水,其藉由金屬納米線分散液來制作,且制備金屬納米線分散液時(shí)的精制步驟為超過濾方式,超過濾中所使用的送液泵為管式泵、莫諾泵、隔膜泵、旋轉(zhuǎn)泵的任一種。
14.一種觸控式面板,其使用如權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性涂布膜。
15.一種觸控式面板,其使用如權(quán)利要求11-13中任一項(xiàng)所述的透明導(dǎo)電性墨水來制作。
【文檔編號(hào)】H01B1/22GK103843074SQ201280047011
【公開日】2014年6月4日 申請(qǐng)日期:2012年9月12日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月29日
【發(fā)明者】舟洼健, 山本健一, 宮城島規(guī) 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社