貼片電阻器及具有電阻電路網(wǎng)的電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】提供一種通過同一設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)容易地應(yīng)對(duì)多種所要求的電阻值的小型且微細(xì)化的貼片電阻器。貼片電阻器(10)是在基板上具有電阻電路網(wǎng)(14)的結(jié)構(gòu)。電阻電路網(wǎng)(14)包括以矩陣狀排列的具有相等的電阻值的多個(gè)電阻體(R)。電阻體(R)的1個(gè)或多個(gè)被電連接，形成多種電阻單位體。利用連接用導(dǎo)體膜(C)及熔斷膜(F)以規(guī)定的方式連接多種電阻單位體。若選擇性地熔斷熔斷膜(F)，則可將電阻單位體以電方式組入電阻電路網(wǎng)(14)中，或者從電阻電路網(wǎng)電分離電阻單位體，能夠?qū)㈦娮桦娐肪W(wǎng)(14)的電阻值設(shè)為所要求的電阻值。
【專利說明】貼片電阻器及具有電阻電路網(wǎng)的電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及作為分立部件的貼片電阻器及具有電阻電路網(wǎng)的電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在現(xiàn)有技術(shù)中，貼片電阻器的結(jié)構(gòu)是包括陶瓷等絕緣基板、在該基板表面絲網(wǎng)印刷糊狀材料而形成的電阻膜、和與電阻膜相連的電極。并且，為了使貼片電阻器的電阻值與目標(biāo)值一致，進(jìn)行了向電阻膜照射激光光線來雕刻修調(diào)槽的激光修調(diào)。更具體而言，采用了在測量電阻膜的電阻值的同時(shí)、雕刻修調(diào)槽直到測量值成為目標(biāo)值為止的方法(參照專利文獻(xiàn)I)。
[0003]在先技術(shù)文獻(xiàn)
[0004]專利文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)I JP特開2001-76912號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]發(fā)明要解決的問題
[0007]現(xiàn)有技術(shù)中的貼片電阻器通過在陶瓷等絕緣基板的表面上絲網(wǎng)印刷電阻膜而形成。在電阻膜的形成中，設(shè)計(jì)了目標(biāo)電阻值的電阻膜，但由于實(shí)際印刷出的電阻膜與目標(biāo)電阻值之間存在偏差，因此要通過激光修調(diào)使電阻值變成與目標(biāo)值一致。因此，無法應(yīng)對(duì)范圍較大的電阻值。
[0008]本發(fā)明基于以上的背景而完成，主要目的在于，提供一種在基板上具有電阻電路網(wǎng)的、不同于現(xiàn)有技術(shù)中的貼片電阻器的新結(jié)構(gòu)的貼片電阻器。
[0009]本發(fā)明的其他目的在于，提供一種可通過同一設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)容易地應(yīng)對(duì)多種需求的電阻值的具有電阻電路網(wǎng)的電子設(shè)備。
[0010]用于解決問題的手段
[0011]方式I記載的發(fā)明是一種貼片電阻器，其特征在于，包括:基板;第I連接電極和第2連接電極，形成在所述基板上；和電阻電路網(wǎng)，形成在所述基板上，且一端側(cè)與所述第I連接電極連接，另一端側(cè)與所述第2連接電極連接，所述電阻電路網(wǎng)包括:以矩陣狀排列在所述基板上且具有相等的電阻值的多個(gè)電阻體；將所述電阻體中I個(gè)或多個(gè)電連接而構(gòu)成的多種電阻單位體；以規(guī)定的方式連接了所述多種電阻單位體的電路網(wǎng)連接單元；以及分別與所述電阻單位體對(duì)應(yīng)地設(shè)置、且為了以電方式將該電阻單位體組入所述電阻電路網(wǎng)中或者從所述電阻電路網(wǎng)電分離該電阻單位體而能夠熔斷的多個(gè)熔斷膜。
[0012]方式2記載的發(fā)明的特征在于，在方式I記載的貼片電阻器中，所述電阻體包括:在所述基板上延伸的電阻膜線；和在所述電阻膜線上沿著線方向隔著恒定間隔而層疊的導(dǎo)體膜，所述導(dǎo)體膜未被層疊的所述恒定間隔部分的電阻膜線構(gòu)成I個(gè)電阻體。方式3記載的發(fā)明的特征在于，在方式2記載的貼片電阻器中，所述電阻體的導(dǎo)體膜、所述電阻單位體所包含的連接用導(dǎo)體膜、所述電路網(wǎng)連接單元所包含的連接用導(dǎo)體膜及所述熔斷膜包括:在同一層上形成的同一材料的金屬膜。
[0013]方式4記載的發(fā)明的特征在于，在方式I?3的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器中，所述電阻單位體包括:串聯(lián)連接了多個(gè)所述電阻體的電阻單位體。方式5記載的發(fā)明的特征在于，在方式I?3的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器中，所述電阻單位體包括:并聯(lián)連接了多個(gè)所述電阻體的電阻單位體。方式6記載的發(fā)明的特征在于,在方式I?5的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器中，所述多種電阻單位體中，所連接的所述電阻體的個(gè)數(shù)已被設(shè)定，且電阻值相互呈等比數(shù)列。
[0014]方式7記載的發(fā)明的特征在于，在方式I?6的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器中，所述電路網(wǎng)連接單元包括:串聯(lián)連接所述多種電阻單位體的連接用導(dǎo)電膜。方式8記載的發(fā)明的特征在于，在方式I?7的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器中，所述電路網(wǎng)連接單元包括:并聯(lián)連接所述多種電阻單位體的連接用導(dǎo)電膜。
[0015]方式9記載的發(fā)明的特征在于，在方式I?8的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器中，所述多個(gè)熔斷膜沿著所述多個(gè)電阻體的矩陣狀排列的一端而被排列成直線狀。
[0016]方式10記載的發(fā)明的特征在于，在方式I記載的貼片電阻器中，所述電阻單位體由預(yù)先確定的個(gè)數(shù)的電阻體的連接而構(gòu)成，并且所述電阻單位體包括已組入所述電阻電路網(wǎng)中且不能分離的基準(zhǔn)電阻單位體。
[0017]方式11記載的發(fā)明的特征在于，在方式I?10的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器中，所述電阻體的電阻膜線由TiN、TiON或TiSiON形成。方式12記載的發(fā)明的特征在于，在方式2?11的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器中，所述電阻膜線及所述導(dǎo)體膜是統(tǒng)一被圖案化而形成的。
[0018]方式13記載的發(fā)明是一種電子設(shè)備，其特征在于，包括:基板;第I連接電極和第2連接電極，形成在所述基板上；電阻電路網(wǎng)，形成在所述基板上，且具有通過一端側(cè)與所述第I連接電極連接而另一端側(cè)與所述第2連接電極連接的布線膜連接著的多個(gè)電阻體；和為了以電方式將所述電阻體組入所述電阻電路網(wǎng)中或者從所述電阻電路網(wǎng)電分離該電阻體而能夠熔斷的多個(gè)熔斷膜。
[0019]方式14記載的發(fā)明的特征在于，在方式13記載的電子設(shè)備中，所述電阻體由TiON或TiSiON構(gòu)成。方式15記載的發(fā)明的特征在于，在方式13或14記載的電子設(shè)備中，所述電阻體及所述布線膜是統(tǒng)一被圖案化的。
[0020]發(fā)明效果
[0021]根據(jù)方式I記載的發(fā)明，能夠在基板上制作電阻電路網(wǎng)，能夠通過一次性制造而制造出多個(gè)品質(zhì)良好的貼片電阻器。此外，由于形成電阻電路網(wǎng)，因此能夠?qū)崿F(xiàn)電阻電路網(wǎng)的微小化，與現(xiàn)有技術(shù)相比能夠?qū)崿F(xiàn)小型的貼片電阻器。另外，電阻電路網(wǎng)包括矩陣狀排列的具有相等的電阻值的多個(gè)電阻體，通過改變這些多個(gè)電阻體的連接方式，能夠容易地應(yīng)對(duì)所要求的電阻值的變更。
[0022]另外，通過改變多種電阻單位體的連接方式，也能夠容易地應(yīng)對(duì)所要求的電阻值的變化。此外，熔斷多個(gè)熔斷膜的任意的熔斷膜，來以電方式將電阻單位體組入電阻電路網(wǎng)中、或者從電阻電路網(wǎng)電分離電阻單位體，從而在調(diào)整電阻電路網(wǎng)的電阻值的同時(shí)，無須改變基本設(shè)計(jì)就能夠使貼片電阻器的電阻值滿足多種所要求的電阻值。由此，能夠提供一種同一基本設(shè)計(jì)的、其電阻值為所要求的電阻值的貼片電阻器。[0023]在方式2記載的發(fā)明中，以矩陣狀排列的具有相等的電阻值的多個(gè)電阻體分別包括在電阻膜線及其電阻膜線上沿著線方向隔著恒定間隔層疊的導(dǎo)體膜。因此，導(dǎo)體膜未被層疊的電阻膜區(qū)域起到I個(gè)電阻體的作用。該電阻膜區(qū)域?qū)⑺鶎盈B的導(dǎo)體膜的間隔設(shè)置成恒定間隔，從而能夠成為同一大小的形狀。并且，利用在基板上制作的同一大小且同一形狀的電阻體(電阻膜)的電阻值幾乎為同值的這一特性，能夠利用共同的布局圖案來簡單地形成多個(gè)電阻體。
[0024]根據(jù)方式3記載的發(fā)明，在同一層上用金屬膜來形成電阻體的導(dǎo)體膜、電阻單位體所包含的連接用導(dǎo)體膜、電路網(wǎng)連接單元所包含的連接用導(dǎo)體膜及熔斷膜，通過蝕刻等來去除金屬膜中的無用部分，從而能夠通過比較少的工序一次性簡單地形成多種金屬膜(導(dǎo)體膜)。
[0025]根據(jù)方式4記載的發(fā)明，串聯(lián)連接多個(gè)電阻體而形成了電阻單位體，因此能夠構(gòu)成電阻值大的電阻單位體。根據(jù)方式5記載的發(fā)明，由于并聯(lián)連接多個(gè)電阻體而形成了電阻單位體，因此能夠構(gòu)成電阻值小且電阻值間的誤差少的電阻單位體。
[0026]根據(jù)方式6記載的發(fā)明，電阻單位體其彼此的電阻值呈等比數(shù)列，因此能夠在相對(duì)小的電阻值到相對(duì)大的電阻值的范圍內(nèi)將電阻單位體的電阻值設(shè)定為多種電阻值。由此，通過電阻單位體的連接方式來要求貼片電阻器的所要求的電阻值是在一定范圍內(nèi)，也能夠通過同一設(shè)計(jì)內(nèi)容來應(yīng)對(duì)。根據(jù)方式7記載的發(fā)明，能夠串聯(lián)連接電阻單位體來構(gòu)成電阻值大的貼片電阻器。
[0027]根據(jù)方式8記載的發(fā)明，通過并聯(lián)連接電阻單位體，從而能夠提供一種細(xì)致地調(diào)整貼片電阻器的電阻值來應(yīng)對(duì)各種所要求的電阻值的貼片電阻器。根據(jù)方式9記載的發(fā)明，由于沿著電阻體的矩陣狀排列的一端以直線狀排列了熔斷膜，因此能夠提供一種選擇性地熔斷熔斷膜時(shí)其熔斷處理容易的貼片電阻器。
[0028]根據(jù)方式10記載的發(fā)明，由于包括基準(zhǔn)電阻單位體，因此能夠提供一種容易設(shè)定貼片電阻器的電阻值的電阻器。根據(jù)方式11記載，電阻體由TiN、TiON或TiSiON形成，因此容易制造。根據(jù)方式12記載，若對(duì)電阻體膜和導(dǎo)體膜統(tǒng)一進(jìn)行圖案化，則能夠簡化制造工藝，并且還能夠提聞電路精度。
[0029]根據(jù)方式13至15記載的發(fā)明，熔斷多個(gè)熔斷膜中的任意的熔斷膜，從而以電方式將電阻體組入電阻電路網(wǎng)中、或者從電阻電路網(wǎng)電分離電阻體來進(jìn)行電阻電路網(wǎng)的電阻值的調(diào)整，無須改變基本設(shè)計(jì)就能夠滿足多種所要求的電阻值。由此，能夠提供一種具有同一基本設(shè)計(jì)的電阻電路網(wǎng)且其電阻值為所要求的電阻值的電子設(shè)備。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0030]圖1(A)是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的貼片電阻器10的外觀結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖1(B)是表示在基板上安裝了貼片電阻器10的狀態(tài)的側(cè)視圖。
[0031]圖2是貼片電阻器10的俯視圖，表示第I連接電極12、第2連接電極13和電阻電路網(wǎng)14的配置關(guān)系以及俯視電阻電路網(wǎng)14時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0032]圖3A是放大了圖2所示的電阻電路網(wǎng)14的一部分的俯視圖。
[0033]圖3B是用于說明電阻電路網(wǎng)14中的電阻體R的結(jié)構(gòu)的長度方向的縱向截面圖。
[0034]圖3C是用于說明電阻電路網(wǎng)14中的電阻體R的結(jié)構(gòu)的寬度方向的縱向截面圖。[0035]圖4是用電路符號(hào)及電路圖表示了電阻體膜線20及導(dǎo)體膜21的電特征的圖。
[0036]圖5(A)是放大了圖2所示的貼片電阻器的俯視圖的一部分的包括熔斷膜F的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖5(B)是表示沿著圖5(A)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。
[0037]圖6是示意性表示圖2所示的電阻電路網(wǎng)14中的連接多種電阻單位體的連接用導(dǎo)體膜C及熔斷膜F的排列關(guān)系、與連接到該連接用導(dǎo)體膜C及熔斷膜F上的多種電阻單位體之間的連接關(guān)系的圖。
[0038]圖7是電阻電路網(wǎng)14的電路圖。
[0039]圖8是貼片電阻器30的俯視圖，是表示第I連接電極12、第2連接電極13和電阻電路網(wǎng)14的配置關(guān)系以及俯視電阻電路網(wǎng)14時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0040]圖9是示意性表示圖8所示的電阻電路網(wǎng)14中的連接多種電阻單位體的連接用導(dǎo)體膜C及熔斷膜F的配置關(guān)系、與連接到該連接用導(dǎo)體膜C及熔斷膜F上的多種電阻單位體之間的連接關(guān)系的圖。
[0041]圖10是電阻電路網(wǎng)14的電路圖。
[0042]圖11 (A)、⑶是表示圖10所示的電路的變形例的電路圖。
[0043]圖12是本發(fā)明的另一實(shí)施方式的電阻電路網(wǎng)14的電路圖。
[0044]圖13是表示顯示了具體的電阻值的貼片電阻器中的電阻電路網(wǎng)的結(jié)構(gòu)例的電路圖。
[0045]圖14是本發(fā)明的一實(shí)施例的電子設(shè)備I的電路圖。
[0046]圖15是說明從晶片切出了貼片電阻器的情況下的示意圖。
[0047]圖16(a)是用于說明第I參考例的一實(shí)施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖16(b)是表示在電路基板安裝了電子設(shè)備的狀態(tài)的示意性側(cè)視圖。
[0048]圖17是電子設(shè)備的俯視圖，是表示第I連接電極、第2連接電極及元件的配置關(guān)系以及俯視元件時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0049]圖18A是放大了圖17所示的元件的一部分的俯視圖。
[0050]圖18B是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖18A的B-B的長度方向的縱向截面圖。
[0051]圖18C是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖18A的C-C的寬度方向的縱向截面圖。
[0052]圖19是用電路符號(hào)及電路圖表示了電阻體膜線及布線膜的電特征的圖。
[0053]圖20(a)是放大了圖17所示的電子設(shè)備的俯視圖的一部分的包括熔斷膜的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖20(b)是表示沿著圖20(a)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。
[0054]圖21是第I參考例的實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0055]圖22是第I參考例的其他實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0056]圖23是第I參考例的另一實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0057]圖24是電子設(shè)備的示意性截面圖。
[0058]圖25A是表示圖24所示的電子設(shè)備的制造方法的示意性截面圖。
[0059]圖25B是表示圖25A之后的工序的示意性截面圖。
[0060]圖25C是表示圖25B之后的工序的示意性截面圖。
[0061]圖2?是表示圖25C之后的工序的示意性截面圖。[0062]圖25E是表示圖2?之后的工序的示意性截面圖。
[0063]圖25F是表示圖25E之后的工序的示意性截面圖。
[0064]圖26是在圖25B的工序中形成槽時(shí)所使用的抗蝕劑圖案的一部分的示意性俯視圖。
[0065]圖27(a)是在圖25B的工序中形成槽之后的晶片的示意性俯視圖，圖27(b)是圖27(a)的部分放大圖。
[0066]圖28 (a)及(b)是表示在圖2?的工序中向晶片粘貼聚酰亞胺薄膜的狀態(tài)的示意性立體圖。
[0067]圖29(a)是電子設(shè)備的俯視圖，圖29(b)是第I變形例的電子設(shè)備的俯視圖，圖29(c)是第2變形例的電子設(shè)備的俯視圖。
[0068]圖30(a)是表示電子設(shè)備的另一實(shí)施方式的元件的電路結(jié)構(gòu)的圖，圖30(b)是表示電子設(shè)備的又一實(shí)施方式的元件的電路結(jié)構(gòu)的圖。
[0069]圖31 (A)是表示第2參考例的一實(shí)施方式的貼片電阻器10的外觀結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖31 (B)是表示在基板上安裝了貼片電阻器10的狀態(tài)的側(cè)視圖。
[0070]圖32是貼片電阻器10的俯視圖，是表示第I連接電極12、第2連接電極13和電阻電路網(wǎng)14的配置關(guān)系以及俯視電阻電路網(wǎng)14時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0071]圖33A是放大了圖32所示的電阻電路網(wǎng)14的一部分的俯視圖。
[0072]圖33B是用于說明電阻電路網(wǎng)14中的電阻體R的結(jié)構(gòu)的長度方向的縱向截面圖。
[0073]圖33C是用于說明電阻電路網(wǎng)14中的電阻體R的結(jié)構(gòu)的寬度方向的縱向截面圖。
[0074]圖34是用電路符號(hào)及電路圖表示了電阻膜線20及導(dǎo)體膜21的電特征的圖。
[0075]圖35(A)是放大了圖32所示的貼片電阻器的俯視圖的一部分的包括熔斷膜F的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖35(B)是表示沿著圖35(A)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。
[0076]圖36是示意性表示圖32所示的電阻電路網(wǎng)14中的連接多種電阻單位體的連接用導(dǎo)體膜C及熔斷膜F的排列關(guān)系、與連接到該連接用導(dǎo)體膜C及熔斷膜F上的多種電阻單位體之間的連接關(guān)系的圖。
[0077]圖37是電阻電路網(wǎng)14的電路圖。
[0078]圖38是貼片電阻器30的俯視圖，表示第I連接電極12、第2連接電極13和電阻電路網(wǎng)14的配置關(guān)系以及俯視電阻電路網(wǎng)14時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0079]圖39是示意性表示圖38所示的電阻電路網(wǎng)14中的連接多種電阻單位體的連接用導(dǎo)體膜C及熔斷膜F的配置關(guān)系、與連接到該連接用導(dǎo)體膜C及熔斷膜F上的多種電阻單位體之間的連接關(guān)系的圖。
[0080]圖40是電阻電路網(wǎng)14的電路圖。
[0081]圖41是表示將電阻電路網(wǎng)14中的任意區(qū)域的布線膜設(shè)為層疊雙層結(jié)構(gòu)時(shí)的結(jié)構(gòu)例的截面結(jié)構(gòu)圖。
[0082]圖42 (A)、⑶是表示圖40所示的電路的變形例的電路圖。
[0083]圖43是第2參考例的又一實(shí)施方式的電阻電路網(wǎng)14的電路圖。
[0084]圖44是表示顯示了具體的電阻值的貼片電阻器中的電阻電路網(wǎng)的結(jié)構(gòu)例的電路圖。
[0085]圖45是第2參考例的一實(shí)施例的電子設(shè)備I的電路圖。[0086]圖46是說明從晶片切出貼片電阻器的情況的示意圖。
[0087]圖47(a)是用于說明第3參考例的一實(shí)施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖47(b)是表示在電路基板安裝了電子設(shè)備的狀態(tài)的示意性側(cè)視圖。
[0088]圖48是電子設(shè)備的俯視圖，是表示第I連接電極、第2連接電極及元件的配置關(guān)系以及俯視元件時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0089]圖49A是放大了圖48所示的元件的一部分的俯視圖。
[0090]圖49B是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖49A的B-B的長度方向的縱向截面圖。
[0091]圖49C是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖49A的C-C的寬度方向的縱向截面圖。
[0092]圖50是用電路符號(hào)及電路圖表示了電阻體膜線及布線膜的電特征的圖。
[0093]圖51(a)是放大了圖48所示的電子設(shè)備的俯視圖的一部分的包括熔斷膜的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖51(b)是表示沿著圖51 (a)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。
[0094]圖52是第3參考例的實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0095]圖53是第3參考例的另一實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0096]圖54是第3參考例的又一實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0097]圖55是電子設(shè)備的示意性截面圖。
[0098]圖56A是表示圖55所示的電子設(shè)備的制造方法的示意性截面圖。
[0099]圖56B是表示圖56A之后的工序的示意性截面圖。
[0100]圖56C是表示圖56B之后的工序的示意性截面圖。
[0101]圖56D是表示圖56C之后的工序的示意性截面圖。
[0102]圖56E是表示圖56D之后的工序的示意性截面圖。
[0103]圖56F是表示圖56E之后的工序的示意性截面圖。
[0104]圖57是在圖56B的工序中形成槽時(shí)所使用的抗蝕劑圖案的部分示意性俯視圖。
[0105]圖58(a)是在圖56B的工序中形成槽之后的晶片的示意性俯視圖，圖58(b)是圖58(a)的部分放大圖。
[0106]圖59 (a)及(b)是表示在圖56D的工序中向晶片粘貼聚酰亞胺薄膜的狀態(tài)的示意性立體圖。
[0107]圖60(a)是電子設(shè)備的俯視圖，圖60(b)是第I變形例的電子設(shè)備的俯視圖，圖60(c)是第2變形例的電子設(shè)備的俯視圖。
[0108]圖61(a)是表示電子設(shè)備的另一實(shí)施方式的元件的電路結(jié)構(gòu)的圖，圖61(b)是表示電子設(shè)備的又一實(shí)施方式的元件的電路結(jié)構(gòu)的圖。
[0109]圖62(A)是表示第4參考例的一實(shí)施方式的貼片電阻器10的外觀結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖62(B)是表示在基板上安裝了貼片電阻器10的狀態(tài)的側(cè)視圖。
[0110]圖63是貼片電阻器10的俯視圖，是表示第I連接電極12、第2連接電極13和電阻電路網(wǎng)14的配置關(guān)系以及俯視電阻電路網(wǎng)14時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0111]圖64A是放大了圖63所示的電阻電路網(wǎng)14的一部分的俯視圖。
[0112]圖64B是用于說明電阻電路網(wǎng)14中的電阻體R的結(jié)構(gòu)的長度方向的縱向截面圖。
[0113]圖64C是用于說明電阻電路網(wǎng)14中的電阻體R的結(jié)構(gòu)的寬度方向的縱向截面圖。[0114]圖65是用電路符號(hào)及電路圖表示了電阻膜線20及布線膜21的電特征的圖。
[0115]圖66是用于說明第4參考例的一實(shí)施方式的制造工藝(電阻體膜形成工藝)的圖，(A)示意性表示濺射的一例，(B)示意性表示濺射的其他例。
[0116]圖67㈧是放大了圖63所示的貼片電阻器的俯視圖的一部分的包括熔斷膜F的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖67(B)是表示沿著圖67(A)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。
[0117]圖68是示意性表示圖63所示的電阻電路網(wǎng)14中的連接多種電阻單位體的連接用布線膜C及熔斷膜F的排列關(guān)系、與連接到該連接用布線膜C及熔斷膜F上的多種電阻單位體之間的連接關(guān)系的圖。
[0118]圖69是電阻電路網(wǎng)14的電路圖。
[0119]圖70是貼片電阻器30的俯視圖，是表示第I連接電極12、第2連接電極13和電阻電路網(wǎng)14配置關(guān)系以及俯視電阻電路網(wǎng)14時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0120]圖71是示意性表示圖70的電阻電路網(wǎng)14中的連接多種電阻單位體的連接用布線膜C及熔斷膜F的配置關(guān)系、與連接到該連接用布線膜C及熔斷膜F上的多種電阻單位體之間的連接關(guān)系的圖。
[0121]圖72是電阻電路網(wǎng)14的電路圖。
[0122]圖73(A)、⑶是表不圖72所不的電路的變形例的電路圖。
[0123]圖74是第4參考例的另一實(shí)施方式的電阻電路網(wǎng)14的電路圖。
[0124]圖75是表示顯示了具體的電阻值的貼片電阻器中的電阻電路網(wǎng)的結(jié)構(gòu)例的電路圖。
[0125]圖76是示意性表示從晶片切出貼片電阻器10的圖。
[0126]圖77(a)是用于說明第5參考例的一實(shí)施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖77(b)是表示在電路基板安裝了電子設(shè)備的狀態(tài)的示意性側(cè)視圖。
[0127]圖78是電子設(shè)備的俯視圖，是表示第I連接電極、第2連接電極及元件的配置關(guān)系以及俯視元件時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0128]圖79A是放大了圖78所示的元件的一部分的俯視圖。
[0129]圖79B是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖79A的B-B的長度方向的縱向截面圖。
[0130]圖79C是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖79A的C-C的寬度方向的縱向截面圖。
[0131]圖80是用電路符號(hào)及電路圖表示了電阻體膜線及布線膜的電特征的圖。
[0132]圖81(a)是放大了圖78所示的電子設(shè)備的俯視圖的一部分的包括熔斷膜的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖81(b)是表示沿著圖81 (a)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。
[0133]圖82是第5參考例的實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0134]圖83是第5參考例的另一實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0135]圖84是第5參考例的又一實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0136]圖85是電子設(shè)備的示意性截面圖。
[0137]圖86A是表示圖85所示的電子設(shè)備的制造方法的示意性截面圖。
[0138]圖86B是表不圖86A之后的工序的不意性截面圖。
[0139]圖86C是表不圖86B之后的工序的不意性截面圖。[0140]圖86D是表不圖86C之后的工序的不意性截面圖。
[0141]圖86E是表不圖86D之后的工序的不意性截面圖。
[0142]圖86F是表示圖86E之后的工序的示意性截面圖。
[0143]圖87是在圖86B的工序中形成槽時(shí)所使用的抗蝕劑圖案的部分示意性俯視圖。
[0144]圖88(a)是在圖86B的工序中形成槽之后的晶片的示意性俯視圖，圖88(b)是圖88(a)的部分放大圖。
[0145]圖89 (a)及(b)是表示在圖86D的工序中向晶片粘貼聚酰亞胺薄膜的狀態(tài)的示意性立體圖。
[0146]圖90(a)是電子設(shè)備的俯視圖，圖90(b)是第I變形例的電子設(shè)備的俯視圖，圖90(c)是第2變形例的電子設(shè)備的俯視圖。
[0147]圖91(a)是表示電子設(shè)備的另一實(shí)施方式的元件的電路結(jié)構(gòu)的圖，圖91 (b)是表示電子設(shè)備的又一實(shí)施方式的元件的電路結(jié)構(gòu)的圖。
[0148]圖92(a)是用于說明第6參考例的一實(shí)施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖92(b)是表示在電路基板安裝了電子設(shè)備的狀態(tài)的示意性側(cè)視圖。
[0149]圖93是電子設(shè)備的俯視圖，是表示第I連接電極、第2連接電極及元件的配置關(guān)系以及俯視元件時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0150]圖94A是放大了圖93所示的元件的一部分的俯視圖。
[0151]圖94B是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖94A的B-B的長度方向的縱向截面圖。
[0152]圖94C是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖94A的C-C的寬度方向的縱向截面圖。
[0153]圖95是用電路符號(hào)及電路圖表示了電阻體膜線及布線膜的電特征的圖。
[0154]圖96(a)是放大了圖93所示的電子設(shè)備的俯視圖的一部分的包括熔斷膜的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖96(b)是沿著圖96(a)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。
[0155]圖97是第6參考例的實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0156]圖98是第6參考例的另一實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0157]圖99是第6參考例的又一實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0158]圖100是電子設(shè)備的示意性截面圖。
[0159]圖1OlA是表示圖100所示的電子設(shè)備的制造方法的示意性截面圖。
[0160]圖1OlB是表示圖1OlA之后的工序的示意性截面圖。
[0161]圖1OlC是表示圖1OlB之后的工序的示意性截面圖。
[0162]圖1OlD是表示圖1OlC之后的工序的示意性截面圖。
[0163]圖1OlE是表示圖1OlD之后的工序的示意性截面圖。
[0164]圖1OlF是表示圖1OlE之后的工序的示意性截面圖。
[0165]圖102是在圖1OlB的工序中形成槽時(shí)所使用的抗蝕劑圖案的部分示意性俯視圖。
[0166]圖103(a)是在圖1OlB的工序中形成槽之后的晶片的示意性俯視圖，圖103(b)是圖103(a)的部分放大圖。
[0167]圖104(a)及(b)是表示在圖1OlD的工序中向晶片粘貼聚酰亞胺薄膜的狀態(tài)的示意性立體圖。[0168]圖105(a)是電子設(shè)備的俯視圖，圖105(b)是第I變形例的電子設(shè)備的俯視圖，圖105(c)是第2變形例的電子設(shè)備的俯視圖。
[0169]圖106(a)是表示電子設(shè)備的另一實(shí)施方式的元件的電路結(jié)構(gòu)的圖，圖106(b)是表不電子設(shè)備的又一實(shí)施方式的兀件的電路結(jié)構(gòu)的圖。
[0170]圖107(a)是用于說明第7參考例的一實(shí)施方式的貼片電阻器的結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖107(b)是表示在電路基板安裝了貼片電阻器的狀態(tài)的示意性側(cè)視圖。
[0171]圖108是貼片電阻器的俯視圖，是表示第I連接電極、第2連接電極及元件的配置關(guān)系以及俯視元件時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。
[0172]圖109A是放大了圖108所示的元件的一部分的俯視圖。
[0173]圖109B是用于說明元件的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖109A的B-B的長度方向的縱向截面圖。
[0174]圖109C是用于說明元件的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖109A的C-C的寬度方向的縱向截面圖。
[0175]圖110是用電路符號(hào)及電路圖表示了電阻體膜線及布線膜的電特征的圖。
[0176]圖111(a)是放大了圖108所示的貼片電阻器的俯視圖的一部分的包括熔斷膜的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖111(b)是表示沿著圖111(a)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。
[0177]圖112是第7參考例的實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0178]圖113是第7參考例的另一實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0179]圖114是第7參考例的又一實(shí)施方式的元件的電路圖。
[0180]圖115是貼片電阻器的示意性截面圖。
[0181]圖116A是表示圖115所示的貼片電阻器的制造方法的示意性截面圖。
[0182]圖116B是表示圖116A之后的工序的示意性截面圖。
[0183]圖116C是表示圖116B之后的工序的示意性截面圖。
[0184]圖116D是表示圖116C之后的工序的示意性截面圖。
[0185]圖116E是表示圖116D之后的工序的示意性截面圖。
[0186]圖116F是表示圖116E之后的工序的示意性截面圖。
[0187]圖116G是表示圖116F之后的工序的示意性截面圖。
[0188]圖117是在圖116B的工序中形成槽時(shí)所使用的抗蝕劑圖案的部分示意性俯視圖。
[0189]圖118(a)是在圖116B的工序中形成槽之后的基板的示意性俯視圖，圖118(b)是圖118(a)的部分放大圖。
[0190]圖119A是第7參考例的一實(shí)施方式的貼片電阻器的制造工藝中的示意性截面圖。
[0191]圖119B是比較例的貼片電阻器的制造工藝中的示意性截面圖。
[0192]圖120 (a)及(b)是表示在圖116D的工序中向基板粘貼聚酰亞胺薄膜的狀態(tài)的示意性立體圖。
[0193]圖121是表示剛剛結(jié)束圖116G的工序后的貼片電阻器的半成品的示意性立體圖。
[0194]圖122是表示圖116G之后的工序的第I示意圖。
[0195]圖123是表示圖116G之后的工序的第2示意圖。
【具體實(shí)施方式】[0196]以下，參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。圖UA)是表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的貼片電阻器10的外觀結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖1 (B)是表示在基板上安裝了貼片電阻器10的狀態(tài)的側(cè)視圖。參照?qǐng)D1(A)，本發(fā)明的一實(shí)施方式的貼片電阻器10具備在作為基板的基板11上形成的第I連接電極12、第2連接電極13和電阻電路網(wǎng)14?；?1是俯視時(shí)大致長方形狀的長方體形狀，作為一例，是長邊方向的長度L = 0.3mm、短邊方向的寬度W=0.15mm、基板11的厚度T = 0.1mm左右大小的微小的芯片。
[0197]如圖15所示，在晶片上以格子狀形成了多個(gè)貼片電阻器10，切斷晶片而分離成各個(gè)貼片電阻器10，從而得到該貼片電阻器10。在基板11上，第I連接電極12是沿著基板11的一個(gè)短邊111設(shè)置的在短邊111方向上較長的矩形電極。第2連接電極13是沿著基板11上的另一短邊112設(shè)置的在短邊112方向上較長的矩形電極。電阻電路網(wǎng)14被設(shè)置在由基板11上的第I連接電極12和第2連接電極13夾持的中央?yún)^(qū)域中。并且，電阻電路網(wǎng)14的一端側(cè)與第I連接電極12電連接，電阻電路網(wǎng)14的另一端側(cè)與第2連接電極13電連接。這些第I連接電極12、第2連接電極13和電阻電路網(wǎng)14是如后述那樣通過例如半導(dǎo)體制造工藝而在基板11上設(shè)置的。因此，作為基板11，可以使用硅基板(硅晶片)等半導(dǎo)體基板(半導(dǎo)體晶片)。另外，基板11也可以是絕緣基板等其他種類的基板。
[0198]第I連接電極12和第2連接電極13分別可作為外部連接電極而工作。在電路基板15安裝了貼片電阻器10的狀態(tài)下，如圖1(B)所示，分別通過電路基板15的電路(未圖示)和焊錫以電及機(jī)械方式連接第I連接電極12和第2連接電極13。另外，對(duì)于作為外部連接電極起作用的第I連接電極12和第2連接電極13而言，為了提高焊錫潤濕性以及可靠性，優(yōu)選由金(Au)形成,或者在表面實(shí)施鍍金。
[0199]圖2是貼片電阻器10的俯視圖，表示第I連接電極12、第2連接電極13和電阻電路網(wǎng)14的配置關(guān)系以及俯視電阻電路網(wǎng)14時(shí)的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D2，貼片電阻器10包括沿著基板上表面的一個(gè)短邊111配置的在寬度方向上較長的俯視時(shí)大致為矩形的第I連接電極12、沿著基板上表面的另一短邊112配置的在寬度方向上較長的平面時(shí)大致為矩形的第2連接電極13、和設(shè)置在第I連接電極12和第2連接電極13間的俯視時(shí)為矩形的區(qū)域上的電阻電路網(wǎng)14。
[0200]電阻電路網(wǎng)14具備在基板11上以矩陣狀排列的具有相等的電阻值的多個(gè)電阻體R(在圖2的例中，沿著行方向(基板的長邊方向)排列有8個(gè)電阻體R，沿著列方向(基板的寬度方向)排列有44個(gè)電阻體，共計(jì)352個(gè)電阻體R結(jié)構(gòu))。并且，這些多個(gè)電阻體R的I個(gè)?64個(gè)被電連接，形成多種電阻單位體。以規(guī)定的方式通過作為電路網(wǎng)連接單元的導(dǎo)體膜(由導(dǎo)體形成的布線膜)而連接所形成的多種電阻單位體。另外，為了將電阻單位體以電方式組入到電阻電路網(wǎng)14、或者從電阻電路網(wǎng)14電分離，設(shè)置了可熔斷的多個(gè)熔斷膜F。沿著第2連接電極13的內(nèi)側(cè)邊排列多個(gè)熔斷膜F，以使配置區(qū)域成為直線狀。更具體而言，多個(gè)熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C被配置成直線狀。
[0201]圖3A是放大了圖2所示的電阻電路網(wǎng)14的一部分的俯視圖，圖3B及圖3C是分別用于說明電阻電路網(wǎng)14中的電阻體R的結(jié)構(gòu)的長度方向的縱向截面圖及寬度方向的縱向截面圖。參照?qǐng)D3A、圖3B及圖3C，說明電阻體R的結(jié)構(gòu)。在作為基板的基板11的上表面形成有絕緣層(SiO2) 19，在絕緣層19上配置有構(gòu)成電阻體R的電阻體膜20。電阻體膜20由TiN或TiON形成。該電阻體膜20將第I連接電極12與第2連接電極13之間設(shè)置成以線狀延伸的多根電阻體膜(以下稱作“電阻體膜線”)，電阻體膜線20有時(shí)會(huì)在線方向上的規(guī)定位置處被切斷。在電阻體膜線20上層疊有作為導(dǎo)體膜21的鋁膜。導(dǎo)體膜21沿著線方向隔著恒定間隔R被層疊在電阻體膜線20上。
[0202]圖4用電路符號(hào)表示了該結(jié)構(gòu)的電阻體膜線20及導(dǎo)體膜21的電特征。S卩，如圖4(A)所示，規(guī)定間隔R的區(qū)域的電阻體膜線20部分分別形成一定電阻值r的電阻體R。層疊了導(dǎo)體膜21的區(qū)域中，由于該導(dǎo)體膜21而使得電阻體膜線20短路。由此，形成由圖4 (B)所示的電阻r的電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻電路。
[0203]此外，通過電阻體膜20及導(dǎo)體膜21連接了相鄰的電阻體膜線20彼此，因此圖3A所示的電阻電路網(wǎng)構(gòu)成圖4(C)所示的電阻電路。在此，簡單說明電阻電路網(wǎng)14的制造工藝。(I)熱氧化基板11的表面，形成作為絕緣層19的二氧化硅(SiO2)層。(2)然后，通過濺射，在絕緣層19的整個(gè)面上形成TiN、TiON或TiSiON的電阻體膜20。(3)然后，通過濺射，在電阻體膜20上層疊鋁(Al)的導(dǎo)體膜21。(4)之后，采用光刻工藝，例如通過干蝕刻選擇性地去除導(dǎo)體膜21及電阻體膜20，如圖3A所示，獲得俯視時(shí)隔著恒定間隔在列方向上排列有恒定寬度的電阻體膜線20及導(dǎo)體膜21的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，在一部分還形成切斷了電阻體膜線20及導(dǎo)體膜21的區(qū)域。(5)接著，選擇性地去除在電阻體膜線20上層疊的導(dǎo)體膜
21。其結(jié)果，獲得在電阻體膜線20上隔著恒定間隔R層疊了導(dǎo)體膜21的結(jié)構(gòu)。(6)之后，堆積作為保護(hù)膜的SiN膜22，進(jìn)一步在該膜上層疊作為保護(hù)層的聚酰亞胺層23。
[0204]在該實(shí)施方式中，形成在基板11上的包括在電阻電路網(wǎng)14中的電阻體R包括電阻體膜線20、和在電阻體膜線20上沿著線方向隔著恒定間隔被層疊的導(dǎo)體膜21，未層疊導(dǎo)體膜21的恒定間隔R部分的電阻體膜線20構(gòu)成I個(gè)電阻體R。構(gòu)成電阻體R的電阻體膜線20的形狀及大小全部相同。因此，基于在基板上制作的相同形狀且相同大小的電阻體膜具有大致相同電阻值的這一特性，在基板11上以矩陣狀排列的多個(gè)電阻體R具有相等的電阻值。
[0205]層疊在電阻體膜線20上的導(dǎo)體膜21形成電阻體R，同時(shí)還起到連接多個(gè)電阻體R而構(gòu)成電阻單位體的連接用導(dǎo)體膜的作用。圖5(A)是表示放大了圖2所示的貼片電阻器10的俯視圖的一部分的包括熔斷膜F的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖5(B)是表示沿著圖5(A)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。
[0206]如圖5(A)、(B)所示，熔斷膜F也由在形成電阻體R的電阻體膜20上被層疊的導(dǎo)體膜21形成。S卩，以與在形成電阻體R的電阻體膜線20上被層疊的導(dǎo)體膜21相同的層(layer)，由與導(dǎo)體膜21相同的金屬材料、即鋁(Al)形成。另外，如上所述，為了形成電阻單位體，導(dǎo)體膜21還可被用作電連接多個(gè)電阻體R的連接用導(dǎo)體膜21。
[0207]也就是說，在層疊于電阻體膜20上的同一層中，利用同一金屬材料(例如鋁)通過相同的制造工藝(濺射及光刻工序)，形成電阻體R形成用的導(dǎo)體膜、用于形成電阻單位體的連接用導(dǎo)體膜、用于構(gòu)成電阻電路網(wǎng)14的連接用導(dǎo)體膜、熔斷膜、以及用于將電阻電路網(wǎng)14連接到第I連接電極12和第2連接電極13的導(dǎo)體膜。由此，簡化了該貼片電阻器10的制造工藝，而且可利用同一掩模同時(shí)形成各種導(dǎo)體膜。并且還可提高與電阻體膜20的校準(zhǔn)性。
[0208]圖6是示意性表示圖2所示的電阻電路網(wǎng)14中的連接多種電阻單位體的連接用導(dǎo)體膜C及熔斷膜F的排列關(guān)系、與連接到該連接用導(dǎo)體膜C及熔斷膜F上的多種電阻單位體之間的連接關(guān)系的圖。參照?qǐng)D6，第I連接電極12與包含在電阻電路網(wǎng)14中的基準(zhǔn)電阻單位體R8的一端相連?；鶞?zhǔn)電阻單位體R8由8個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成，其另一端與熔斷膜Fl相連。熔斷膜Fl和連接用導(dǎo)體膜C2與由64個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R64的一端及另一端相連。連接用導(dǎo)體膜C2和熔斷膜F4與由32個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R32的一端及另一端連接。熔斷膜F4和連接用導(dǎo)體膜C5與由32個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R32的一端及另一端連接。連接用導(dǎo)體膜C5和熔斷膜F6與由16個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R16的一端及另一端連接。熔斷膜F7及連接用導(dǎo)體膜C9與由8個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R8的一端及另一端連接。連接用導(dǎo)體膜C9及熔斷膜FlO與由4個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R4的一端及另一端連接。熔斷膜Fll及連接用導(dǎo)體膜C12與由2個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R2的一端及另一端連接。連接用導(dǎo)體膜C12及熔斷膜F13與由I個(gè)電阻體R構(gòu)成的電阻單位體Rl的一端及另一端連接。熔斷膜F13及連接用導(dǎo)體膜C15與由2個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 2的一端及另一端連接。連接用導(dǎo)體膜C15及熔斷膜F16與由4個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 4的一端及另一端連接。熔斷膜F16及連接用導(dǎo)體膜C18與由8個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 8的一端及另一端連接。連接用導(dǎo)體膜C18及熔斷膜F19與由16個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 16的一端及另一端連接。熔斷膜F19及連接用導(dǎo)體膜C22與由32個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 32連接。
[0209]多個(gè)熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C中，熔斷膜Fl、連接用導(dǎo)體膜C2、熔斷膜F3、熔斷膜F4、連接用導(dǎo)體膜C5、熔斷膜F6、熔斷膜F7、連接用導(dǎo)體膜CS、連接用導(dǎo)體膜C9、熔斷膜F10、熔斷膜F11、連接用導(dǎo)體膜C12、熔斷膜F13、熔斷膜F14、連接用導(dǎo)體膜C15、熔斷膜F16、熔斷膜F17、連接用導(dǎo)體膜C18、熔斷膜F19、熔斷膜F20、連接用導(dǎo)體膜C21、連接用導(dǎo)體膜C22分別被配置成直線狀且被串聯(lián)連接。具有如下的構(gòu)成:若各熔斷膜F熔斷，則和與熔斷膜F相鄰連接的連接用導(dǎo)體膜C之間的電連接被切斷。
[0210]用電路圖表示該構(gòu)成的話，則如圖7所示。即，在所有的熔斷膜F未熔斷的狀態(tài)下，電阻電路網(wǎng)14構(gòu)成在第I連接電極12和第2連接電極13間設(shè)置的由8個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的基準(zhǔn)電阻單位體R8(電阻值8r)的電阻電路。例如，若將I個(gè)電阻體R的電阻值r設(shè)為r = 80 Ω，則通過Sr = 640 Ω的電阻電路而構(gòu)成連接了第I連接電極12和第2連接電極13的貼片電阻器10。
[0211]于是，在基準(zhǔn)電阻單位體R8以外的多種電阻單位體上分別并聯(lián)連接熔斷膜F，這些多種電阻單位體因各熔斷膜F而成為被短路的狀態(tài)。也就是說，基準(zhǔn)電阻單位體R8串聯(lián)連接了 12種13個(gè)電阻單位體R64?R / 32，各電阻單位體因分別并聯(lián)連接的熔斷膜F而被短路，因此在電特性上，各電阻單位體不會(huì)被組入電阻電路網(wǎng)14中。
[0212]該實(shí)施方式的貼片電阻器10根據(jù)所要求的電阻值，選擇性地例如通過激光來熔斷熔斷膜F。由此，并聯(lián)連接的熔斷膜F被熔斷的電阻單位體被組入電阻電路網(wǎng)14中。因此，能夠設(shè)置成使電阻電路網(wǎng)14的整個(gè)電阻值具有以串聯(lián)連接與被熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體的方式組成的電阻值的電阻電路網(wǎng)。
[0213]換言之，該實(shí)施方式的貼片電阻器10能夠通過選擇性地熔斷與多種電阻單位體對(duì)應(yīng)地設(shè)置的熔斷膜，從而將多種電阻單位體(例如，若F1、F4、F13被熔斷，則是電阻單位體R64、R32、R1的串聯(lián)連接)組入電阻電路網(wǎng)中。并且，多種電阻單位體其電阻值已定，因此換句話說，通過數(shù)字地調(diào)整電阻電路網(wǎng)14的電阻值就能夠設(shè)置具有所要求的電阻值的貼片電阻器10。
[0214]此外，多種電阻單位體具備:具有相等的電阻值的電阻體R以I個(gè)、2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)、32個(gè)及64個(gè)這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而串聯(lián)連接了這些電阻體R的多種串聯(lián)電阻單位體、和相等電阻值的電阻體R以2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)、及32個(gè)這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而并聯(lián)連接了這些電阻體R的多種并聯(lián)電阻單位體,它們以因熔斷膜F而被短路的狀態(tài)串聯(lián)連接著，因此通過選擇性地熔斷熔斷膜F，能夠?qū)㈦娮桦娐肪W(wǎng)14整體的電阻值在較小的電阻值到較大的電阻值的較寬的范圍內(nèi)設(shè)定為任意的電阻值。
[0215]圖8表示本發(fā)明的其他實(shí)施方式的貼片電阻器30的俯視圖，表示第I連接電極
12、第2連接電極13及電阻電路網(wǎng)4的配置關(guān)系以及俯視電阻電路網(wǎng)14時(shí)的結(jié)構(gòu)。貼片電阻器30不同于上述的貼片電阻器10是因?yàn)殡娮桦娐肪W(wǎng)14中的電阻體R的連接方式不同。即，貼片電阻器30的電阻電路網(wǎng)14中，具備在基板上以矩陣狀排列的具有相等的電阻值的多個(gè)電阻體R(在圖8的構(gòu)成中，沿著行方向(基板的長邊方向)排列了 8個(gè)電阻體R，沿著列方向(基板的寬度方向)排列了 44個(gè)電阻體，共計(jì)352個(gè)電阻體R的構(gòu)成)。并且，電連接這些多個(gè)電阻體R的I個(gè)?128個(gè)，形成多種電阻單位體。通過作為電路網(wǎng)連接單元的導(dǎo)體膜及熔斷膜F，以并聯(lián)方式連接了所形成的多種電阻單位體。沿著第2連接電極13的內(nèi)側(cè)邊排列多個(gè)熔斷膜F，以使配置區(qū)域呈直線狀，具有如下結(jié)構(gòu):若熔斷膜F被熔斷，則從電阻電路網(wǎng)14電分離與熔斷膜連接的電阻單位體。
[0216]另外，構(gòu)成電阻電路網(wǎng)14的多個(gè)電阻體R的結(jié)構(gòu)、連接用導(dǎo)體膜、熔斷膜F的結(jié)構(gòu)與之前說明的貼片電阻器10中的對(duì)應(yīng)部位的結(jié)構(gòu)相同，因此在此省略說明。圖9是示意性表示圖8所示的電阻電路網(wǎng)中的多種電阻單位體的連接方式、連接多種電阻單位體的熔斷膜F的排列關(guān)系以及與熔斷膜F連接著的多種電阻單位體的連接關(guān)系的圖。
[0217]參照?qǐng)D9，第I連接電極12連接著包含在電阻電路網(wǎng)14中的基準(zhǔn)電阻單位體R /16的一端?；鶞?zhǔn)電阻單位體R / 16由16個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成，其另一端與連接了余下的電阻單位體的連接用導(dǎo)體膜C連接。熔斷膜Fl和連接用導(dǎo)體膜C與由128個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R128的一端及另一端連接。熔斷膜F5和連接用導(dǎo)體膜C與由64個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R64的一端及另一端連接。熔斷膜F6和連接用導(dǎo)體膜C與由32個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R32的一端及另一端連接。熔斷膜F7和連接用導(dǎo)體膜C與由16個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R16的一端及另一端連接。熔斷膜F8和連接用導(dǎo)體膜C與由8個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R8的一端及另一端連接。熔斷膜F9和連接用導(dǎo)體膜C與由4個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R4的一端及另一端連接。熔斷膜FlO和連接用導(dǎo)體膜C與由2個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R2的一端及另一端連接。熔斷膜Fll和連接用導(dǎo)體膜C與由I個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體Rl的一端及另一端連接。熔斷膜F12和連接用導(dǎo)體膜C與由2個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 2的一端及另一端連接。熔斷膜F13和連接用導(dǎo)體膜C與由4個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 4的一端及另一端連接。熔斷膜F14、F15、F16被電連接，這些熔斷膜F14、F15、F16和連接用導(dǎo)體膜C與由8個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R/8的一端及另一端連接。熔斷膜F17、F18、F19、F20、F21被電連接，這些熔斷膜F17?F21和連接用導(dǎo)體膜C與由16個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 16的一端及另一端連接。
[0218]熔斷膜F具備熔斷膜Fl?F21的21個(gè)，它們?nèi)颗c第2連接電極13連接著。由于是這樣的結(jié)構(gòu)，因此若連接了電阻單位體的一端的任一個(gè)熔斷膜F被熔斷，則從電阻電路網(wǎng)14電切斷一端與該熔斷膜F連接的電阻單位體。
[0219]若用電路圖表示圖9的結(jié)構(gòu)、即貼片電阻器30所具備的電阻電路網(wǎng)14的結(jié)構(gòu)的話，則如圖10所示。在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，電阻電路網(wǎng)14在第I連接電極12和第2連接電極13之間構(gòu)成基準(zhǔn)電阻單位體R8與12種電阻單位體R / 16,R / 8、R /
4、R / 2、R1、R2、R4、R8、R16、R32、R64、R128的并聯(lián)連接電路之間的串聯(lián)連接電路。
[0220]并且，基準(zhǔn)電阻單位體R / 16以外的12種電阻單位體分別與熔斷膜F串聯(lián)連接著。由此，在具有該電阻電路網(wǎng)14的貼片電阻器30中，根據(jù)所要求的電阻值，選擇性地例如通過激光熔斷熔斷膜F，則與被熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體(串聯(lián)連接了熔斷膜F的電阻單位體)會(huì)從電阻電路網(wǎng)14被電分離，能夠調(diào)整貼片電阻器30的電阻值。
[0221]換言之，該實(shí)施方式的貼片電阻器30也能夠通過選擇性地熔斷與多種電阻單位體對(duì)應(yīng)地設(shè)置的熔斷膜，從而從電阻電路網(wǎng)電分離多種電阻單位體。并且，多種電阻單位體其電阻值已定，因此換句話說，通過數(shù)字地調(diào)整電阻電路網(wǎng)14的電阻值，就能夠設(shè)置成具有所要求的電阻值的貼片電阻器30。
[0222]此外，多種電阻單位體具有以I個(gè)、2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)、32個(gè)、64個(gè)及128個(gè)這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而串聯(lián)連接了具有相等電阻值的電阻體R的多種串聯(lián)電阻單位體、和以2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)來并聯(lián)連接了具有相等電阻值的電阻體R的多種并聯(lián)電阻單位體，因此通過選擇性地熔斷熔斷膜F，能夠細(xì)微且數(shù)字地將電阻電路網(wǎng)14整體的電阻值設(shè)定為任意的電阻值。
[0223]另外，在圖10所示的電路中，在基準(zhǔn)電阻單位體R / 16及被并聯(lián)連接的電阻單位體當(dāng)中電阻值小的電阻單位體中具有流動(dòng)過電流的傾向，在設(shè)定電阻時(shí)，必須要設(shè)計(jì)較大的流過電阻的額定電流。因此，也可以為了使電流分散，變更電阻電路網(wǎng)的連接結(jié)構(gòu)以使圖10所示的電路成為圖1l(A)所示的電路結(jié)構(gòu)。S卩，不存在基準(zhǔn)電阻單位體R / 16，且并聯(lián)連接的電阻單位體中將最小的電阻值設(shè)為r，變更為包括將電阻值r的電阻單位體Rl并聯(lián)連接成多組的結(jié)構(gòu)140的電路。圖1l(B)是表示了具體的電阻值的電路圖，是包括將80Ω的電阻單位體、熔斷膜F的串聯(lián)連接并聯(lián)連接成多組的結(jié)構(gòu)140的電路。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)流過的電流的分散。
[0224]圖12是用電路圖表示了本發(fā)明的又一實(shí)施方式的貼片電阻器所具備的電阻電路網(wǎng)14的電路結(jié)構(gòu)的圖。圖12所示的電阻電路網(wǎng)14的特征是成為串聯(lián)連接了多種電阻單位體的串聯(lián)連接與多種電阻單位體的并聯(lián)連接的電路結(jié)構(gòu)。被串聯(lián)連接的多種電阻單位體與之前的實(shí)施方式相同，各個(gè)電阻單位體的每一個(gè)并聯(lián)連接了熔斷膜F，被串聯(lián)連接的多種電阻單位體的全部因熔斷膜F而處于短路狀態(tài)。因此，若熔斷熔斷膜F，則通過該熔斷膜F而被短路的電阻單位體會(huì)被以電方式組入電阻電路網(wǎng)14中。
[0225]另一方面，被并聯(lián)連接的多種電阻單位體分別串聯(lián)連接了熔斷膜F。因此，通過熔斷熔斷膜F，從而可從電阻單位體的并聯(lián)連接中電切離串聯(lián)連接有熔斷膜F的電阻單位體。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，例如，可在并聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以下的小電阻，在串聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以上的電阻電路。由此，能夠使用由相同的基本設(shè)計(jì)構(gòu)成的電阻電路網(wǎng)14來生成從幾Ω的小電阻到幾ΜΩ的大電阻為止的寬范圍的電阻電路。
[0226]此外，在設(shè)定精度更高的電阻值的情況下，若預(yù)先剪切出接近所要求的電阻值的串聯(lián)連接側(cè)電阻電路的熔斷膜，則能夠通過熔斷并聯(lián)連接側(cè)的電阻電路的熔斷膜來進(jìn)行細(xì)微的電阻值的調(diào)整，能夠提高與期望的電阻值之間的一致性的精度。圖13是表示具有10 Ω?1ΜΩ的電阻值的貼片電阻器中的電阻電路網(wǎng)14的具體的結(jié)構(gòu)例的電路圖。
[0227]圖13所示的電阻電路網(wǎng)14也是對(duì)通過熔斷膜F而被短路的多種電阻單位體的串聯(lián)連接、和串聯(lián)連接了熔斷膜F的多種電阻單位體的并聯(lián)連接進(jìn)行了串聯(lián)連接的電路結(jié)構(gòu)。根據(jù)圖13的電阻電路，在并聯(lián)連接側(cè)能夠在精度1%以內(nèi)設(shè)定10?IkQ的任意的電阻值。此外，串聯(lián)連接側(cè)的電路能夠在精度I %以內(nèi)設(shè)定Ik?1ΜΩ的任意的電阻值。在使用串聯(lián)連接側(cè)的電路的情況下，預(yù)先熔斷接近期望的電阻值的電阻單位體的熔斷膜F，使得與期望的電阻值一致，從而具有能夠設(shè)定更高精度的電阻值的優(yōu)點(diǎn)。
[0228]另外，說明了熔斷膜F使用與連接用導(dǎo)體膜C相同的層的情形，但是連接用導(dǎo)體膜C部分也可以是在其上進(jìn)一步層疊其他導(dǎo)體膜來降低導(dǎo)體膜的電阻值的結(jié)果。另外，此時(shí)，只要不在熔斷膜F上層疊導(dǎo)體膜，熔斷膜F的熔斷性就不會(huì)惡化。圖14是表示在上述的貼片電阻器中組入了其他電路的電子設(shè)備I的電路結(jié)構(gòu)的圖。
[0229]電子設(shè)備I例如串聯(lián)連接了二極管55和電阻電路網(wǎng)14。該電子設(shè)備I是包括二極管55的片型電子設(shè)備。另外，并不限于如該例這樣的貼片型，作為具有上述的電阻電路網(wǎng)14的電子設(shè)備，也可以應(yīng)用本發(fā)明。本發(fā)明并不限于以上說明的實(shí)施方式，在權(quán)利要求書記載的事項(xiàng)范圍內(nèi)能夠?qū)嵤└鞣N設(shè)計(jì)變更?！吹贗參考例的發(fā)明>(1)第I參考例的發(fā)明的特征例如，第I參考例的發(fā)明的特征如以下的Al?AU。(Al) 一種貼片部件，包括具有元件形成面和與元件形成面正交的多個(gè)側(cè)面的大致長方體形狀的基板、在所述基板的所述元件形成面上形成的元件、與所述元件相連的布線膜、和在所述基板的所述元件形成面上形成的外部連接電極，所述多個(gè)側(cè)面交叉的角部被整形為圓(round)形狀。
[0230]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于貼片部件的角部是圓形狀，因此能夠防止碎片的產(chǎn)生，可提高生產(chǎn)率。(A2)根據(jù)Al記載的貼片部件，還包括在所述基板上形成的保護(hù)膜，以覆蓋所述元件及布線膜，所述保護(hù)膜的角部具有圓形狀。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠通過保護(hù)膜來保護(hù)元件及布線膜，并且能夠防止在保護(hù)膜的角部中產(chǎn)生碎片。(A3)根據(jù)A2記載的貼片部件，所述元件包括由在所述基板上形成的薄膜電阻體形成的電阻，形成有所述布線膜與所述電阻連接的布線。
[0231]由此，貼片部件可構(gòu)成為貼片電阻器。(A4)根據(jù)A3記載的貼片部件，所述薄膜電阻體及布線膜的一部分可被用作熔絲元件。通過熔斷熔絲元件，在貼片電阻器中能夠產(chǎn)生期望的值的電阻。(A5)根據(jù)A2?A4的任一項(xiàng)記載的貼片部件，所述保護(hù)膜還覆蓋所述基板的側(cè)面。
[0232]此時(shí)，由于側(cè)面被保護(hù)膜覆蓋，因此在該側(cè)面能夠防止產(chǎn)生短路路徑。(A6)根據(jù)A2?A5的任一項(xiàng)記載的貼片部件，還包括覆蓋所述保護(hù)膜的上表面的樹脂膜。(A7)根據(jù)A6記載的貼片部件，所述外部連接電極經(jīng)由貫通所述樹脂膜及保護(hù)膜的貫通孔而與所述布線膜連接。(AS)根據(jù)A6或A7記載的貼片部件，所述樹脂膜由薄膜構(gòu)成，在所述側(cè)面比所述保護(hù)膜更突出。[0233]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在貼片部件與周邊物體相接觸時(shí)，樹脂膜中比保護(hù)膜更突出的伸長部最先與周邊物體相接觸，會(huì)緩和因接觸帶來的沖擊，因此能夠防止沖擊到達(dá)元件等處。(A9)根據(jù)Al?A8的任一項(xiàng)記載的貼片部件，在所述側(cè)面中的至少I個(gè)側(cè)面中形成有凹部或凸部。
[0234]此時(shí)，能夠通過凹部或凸部而使貼片部件的外形成為非對(duì)稱的狀態(tài)，通過該外形能夠識(shí)別貼片部件的貼片方向(安裝于布線基板時(shí)的貼片部件的朝向)，因此通過貼片部件的外觀就能夠掌握貼片方向。(AlO) —種貼片部件的制造方法，包括:在基板的元件形成面上形成元件的工序；利用等離子蝕刻，在所述基板中形成與所述元件形成面正交的多個(gè)側(cè)面，并且將所述多個(gè)側(cè)面交叉的角部整形為圓形狀的工序。
[0235]根據(jù)該方法，能夠制造角部被整形為圓形狀的貼片部件。(All) 一種貼片部件的制造方法，在基板的元件形成面上形成元件的工序；在所述基板中形成與所述元件形成面正交的多個(gè)側(cè)面，并且將所述多個(gè)側(cè)面交叉的角部整形為圓形狀的工序。
[0236]根據(jù)該方法，也能夠制造角部被整形為圓形狀的貼片部件。(2)第I參考例的發(fā)明的實(shí)施方式以下，參照附圖詳細(xì)說明第I參考例的實(shí)施方式。另外，圖16?圖30所示的符號(hào)只有在這些附圖中有效，即便在其他實(shí)施方式中使用了這些符號(hào)也不會(huì)表示與該實(shí)施方式的符號(hào)相同的要素。
[0237]圖16(a)是用于說明第I參考例的一實(shí)施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖16(b)是表示在電路基板安裝了電子設(shè)備的狀態(tài)的示意性側(cè)視圖。該電子設(shè)備I是微小的貼片部件，如圖16(a)所示是長方體形狀。關(guān)于電子設(shè)備I的尺寸，長邊方向的長度L約為0.3mm,短邊方向的寬度W約為0.15mm,厚度T約為0.1mm。
[0238]該電子設(shè)備I是通過在晶片上以格子狀形成多個(gè)電子設(shè)備I后切斷晶片來分離成每一個(gè)電子設(shè)備I而得到的。電子設(shè)備I主要具備基板2、成為外部連接電極的第I連接電極3和第2連接電極4、和元件5。這些第I連接電極3、第2連接電極4及元件5例如是采用半導(dǎo)體制造工藝在基板2上形成的。因此，作為基板2，可以使用硅基板(硅晶片)等半導(dǎo)體基板(半導(dǎo)體晶片)。另外，基板2也可以是絕緣基板等其他種類的基板。
[0239]基板2是大致長方體的貼片形狀。在基板2中，圖16(a)的上表面是元件形成面2A。元件形成面2A是基板2的表面，大致是長方形狀?；?的厚度方向上的元件形成面2A的相反側(cè)的面是背面2B。元件形成面2A和背面2B是大致相同形狀。此外，基板2除了元件形成面2A及背面2B以外，還具有與這些面正交而延伸的側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F。
[0240]側(cè)面2C被架設(shè)在元件形成面2A及背面2B的長邊方向一端邊緣(圖16 (a)中的左前側(cè)的邊緣)之間，側(cè)面2D被架設(shè)在元件形成面2A及背面2B的長邊方向另一端邊緣(圖16(a)中右后側(cè)的邊緣)之間。側(cè)面2C及側(cè)面2D是該長邊方向上的基板2的兩個(gè)端面。側(cè)面2E被架設(shè)在元件形成面2A及背面2B的短邊方向的一端邊緣(圖16(a)中左后側(cè)的邊緣)之間，側(cè)面2F被架設(shè)在元件形成面2A及背面2B的短邊方向的另一端邊緣(圖16(a)中右前側(cè)的邊緣)之間。側(cè)面2E及側(cè)面2F是該短邊方向上的基板2的兩個(gè)端面。
[0241]在基板2中，元件形成面2A、側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F被保護(hù)膜23覆蓋。因此，嚴(yán)格來講，在圖16(a)中，元件形成面2A、側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F位于保護(hù)膜23的內(nèi)側(cè)(里側(cè))，并沒有露出在外部。另外，元件形成面2A上的保護(hù)膜23被樹脂膜24覆蓋。樹脂膜24從元件形成面2A分別突出至側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F中的元件形成面2A側(cè)的端部(圖16(a)中的上端部)。將在后面詳細(xì)敘述保護(hù)膜23及樹脂膜24。
[0242]在基板2中，在相當(dāng)于大致長方形的元件形成面2A的一邊A (側(cè)面2C、2D、2E及2F中的任一個(gè)，如后述那樣，在此是側(cè)面2C)的部分中形成有在厚度方向上切缺基板2的凹部
10。一邊A也是俯視時(shí)的電子設(shè)備I的一邊。圖16(a)中的凹部10形成于側(cè)面2C，在基板2的厚度方向上延伸且向側(cè)面2D側(cè)凹入。凹部10在厚度方向上貫通著基板2，該厚度方向上的凹部10的端部分別從元件形成面2A及背面2B露出。凹部10在側(cè)面2C延伸的方向(前述的短邊方向)上小于側(cè)面2C。從厚度方向(電子設(shè)備I的厚度方向)看基板2的俯視時(shí)的凹部10的形狀是其長邊位于所述短邊方向上的長方形狀(矩形狀)。另外，俯視時(shí)的凹部10的形狀也可以是朝向凹部10凹入的方向(側(cè)面2D側(cè))寬度變窄的梯形狀，也可以是朝向凹入方向變細(xì)的三角形狀，還可以是U字形狀(凹成U字的形狀)。無論是哪種形狀，只要是這種簡單形狀的凹部10，就能夠通過簡單的方法來形成。此外，在此，凹部10形成于側(cè)面2C，但是可以不是側(cè)面2C，而是形成在側(cè)面2C?2F中的至少I個(gè)面上。
[0243]凹部10用于表示將電子設(shè)備I安裝在電路基板9(參照?qǐng)D16(b))時(shí)的電子設(shè)備I的朝向(貼片方向)。俯視時(shí)的電子設(shè)備I (嚴(yán)格來講是基板2)的輪廓是在其一邊A具有凹部10的矩形，因此在長邊方向上是非對(duì)稱的外形。也就是說，該非對(duì)稱的外形在側(cè)面2C、2D、2E及2F中的至少一個(gè)面(一邊A)上具有表示貼片方向的凹部10，電子設(shè)備I通過該非對(duì)稱的外形來表示長邊方向上的凹部側(cè)是貼片方向。由此，只要將俯視時(shí)的電子設(shè)備I的基板2的外形設(shè)為非對(duì)稱，就能夠識(shí)別電子設(shè)備I的貼片方向。也就是說，無需標(biāo)識(shí)工序也可以通過電子設(shè)備I的外形來識(shí)別貼片方向。特別是，由于電子設(shè)備I的非對(duì)稱的外形是在一邊A具有表示貼片方向的凹部10的矩形，因此在電子設(shè)備I中能夠?qū)⑦B接一邊A和相反側(cè)的一邊B的長邊方向上的凹部10側(cè)設(shè)為貼片方向。因此，例如，使俯視時(shí)的電子設(shè)備I的長邊方向和左右方向一致，此時(shí)一邊A位于左端時(shí),只要能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I正確地安裝于電路基板9，在安裝時(shí)，能夠通過凹部10從電子設(shè)備I的外觀來掌握使電子設(shè)備I的朝向匹配為俯視時(shí)一邊A位于左端。
[0244]并且，在長方體的基板2中，構(gòu)成側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F中相鄰的側(cè)面彼此的邊界的角部(該側(cè)面彼此交叉的部分)11被整形為被倒角后的圓形狀(呈圓弧)。此外，在基板2中，構(gòu)成凹部10與凹部10的周邊側(cè)面2C之間的邊界的角部(在側(cè)面2C中凹部10的角部)12也被整形為被倒角后的圓形狀。在此，角部12除了凹部10與其周邊的側(cè)面2C(凹部10以外的部分)之間的邊界外，還存在于凹部10的最深部側(cè)，俯視時(shí)存在于4個(gè)部位。
[0245]由此，在俯視時(shí)的基板2的輪廓中，彎曲的部分(角部11、12)都是圓形狀。因此，在圓形狀的角部11、12中能夠防止產(chǎn)生碎片。由此，在制造電子設(shè)備I時(shí)，能夠提高成品率(提高生產(chǎn)率)。第I連接電極3和第2連接電極4形成在基板2的元件形成面2A上，部分從樹脂膜24露出。第I連接電極3和第2連接電極4分別例如通過按照Ni (鎳)、Pd (鈀)及Au (金)的順序在元件形成面2A上層疊這些金屬而構(gòu)成。在元件形成面2A的長邊方向上隔著間隔而配置第I連接電極3和第2連接電極4，這些連接電極的長邊在元件形成面2A的短邊方向上。在圖16(a)中，在元件形成面2A的靠近側(cè)面2C的位置設(shè)有第I連接電極3，在靠近側(cè)面2D的位置設(shè)有第2連接電極4。前述的側(cè)面2C的凹部10凹進(jìn)去的深度是不會(huì)干擾第I連接電極3的程度。但是，在這種情況下也可以根據(jù)凹部10而在第I連接電極3中也設(shè)置凹部(成為凹部10的一部分)。
[0246]元件5是電路元件，形成在基板2的元件形成面2A中的第I連接電極3與第2連接電極4之間的區(qū)域中，其上面被保護(hù)膜23及樹脂膜24覆蓋。該實(shí)施方式的元件5是由電路網(wǎng)構(gòu)成的電阻56，該電路網(wǎng)在元件形成面2A上以矩陣狀排列由TiN(氮化鈦)或TiON(氧氮化鈦)構(gòu)成的多個(gè)薄膜狀電阻體(薄膜電阻體)R而成。元件5與后述的布線膜22相連，經(jīng)由布線膜22而與第I連接電極3和第2連接電極4連接。由此，在電子設(shè)備I中，在第I連接電極3與第2連接電極4之間形成有由元件5構(gòu)成的電阻電路。因此，該實(shí)施方式的電子設(shè)備I成為貼片電阻器。
[0247]如圖16 (b)所示，使第I連接電極3和第2連接電極4與電路基板9對(duì)置，通過焊料13以電及機(jī)械方式連接到電路基板9的電路(未圖示)，從而能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I倒裝連接到電路基板9。另外，對(duì)于作為外部連接電極而發(fā)揮作用的第I連接電極3和第2連接電極4而言，為了提高焊料潤濕性及可靠性，優(yōu)選由金(Au)形成，或在表面實(shí)施鍍金。
[0248]圖17是電子設(shè)備的俯視圖，是表示第I連接電極、第2連接電極及元件的配置關(guān)系以及俯視元件時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。參照?qǐng)D17，成為電阻電路網(wǎng)的元件5作為一例而具有由沿著行方向(基板2的長邊方向)排列的8個(gè)電阻體R、和沿著列方向(基板2的寬度方向)排列的44個(gè)電阻體R構(gòu)成的共計(jì)352個(gè)電阻體R。各個(gè)電阻體R具有相等的電阻值。
[0249]這些多個(gè)電阻體R以I個(gè)?64個(gè)的規(guī)定個(gè)數(shù)被組合電連接，從而形成了多種電阻單位體(單位電阻)。所形成的多種電阻單位體經(jīng)由連接用導(dǎo)體膜C而被連接成規(guī)定的方式。另外，在基板2的元件形成面2A上,為了向元件5電方式組入電阻單位體、或者從元件5電分離電阻單位體，設(shè)置可熔斷的多個(gè)熔斷膜F。多個(gè)熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C沿著第2連接電極4的內(nèi)側(cè)邊被排列成配置區(qū)域呈直線狀。更具體而言，多個(gè)熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C被配置成直線狀。
[0250]圖18A是放大了圖17所示的元件的一部分的俯視圖。圖18B是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖18A的B-B的長度方向的縱向截面圖。圖18C是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖18A的C-C的寬度方向的縱向截面圖。參照?qǐng)D18A、圖18B及圖18C,說明電阻體R的結(jié)構(gòu)。
[0251]電子設(shè)備I除了前述的布線膜22、保護(hù)膜23及樹脂膜24外還具備絕緣膜20和電阻體膜21 (參照?qǐng)D18B及圖18C)。絕緣膜20、電阻體膜21、布線膜22、保護(hù)膜23及樹脂膜24形成在基板2 (元件形成面2A)上。絕緣膜20由SiO2 ( 二氧化娃)構(gòu)成。絕緣膜20覆蓋基板2的元件形成面2A的整個(gè)區(qū)域。絕緣膜20的厚度約為丨0000A。
[0252]電阻體膜21構(gòu)成電阻體R。電阻體膜21由TiN或TiON構(gòu)成，且被層疊在絕緣膜20的表面上。電阻體膜21的厚度約為2000A。電阻體膜21構(gòu)成使第I連接電極3與第2連接電極4之間延伸為線狀的多根線(以下稱為“電阻體膜線21A”)，電阻體膜線21A有時(shí)會(huì)沿著線方向上的規(guī)定位置處被切斷(參照?qǐng)D18A)。
[0253]在電阻體膜線21A上層疊布線膜22。布線膜22由Al (鋁)或鋁與Cu(銅)的合金(AlCu合金)構(gòu)成。布線膜22的厚度約為8000A。在電阻體膜線21A上沿著線方向隔著恒定間隔R而層疊布線膜22。用電路符號(hào)表示該結(jié)構(gòu)的電阻體膜線21A及布線膜22的電特征的話，則如圖19。S卩，如圖19(a)所示，規(guī)定間隔R的區(qū)域的電阻體膜線21A的一部分分別形成具有一定電阻值r的I個(gè)電阻體R。
[0254]于是，在層疊了布線膜22的區(qū)域中通過電連接布線膜22相鄰的電阻體R彼此，從而通過該布線膜22來使電阻體膜線21A短路。由此，形成圖19(b)所示的由電阻r的電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻電路。此外，相鄰的電阻體膜線21A彼此通過電阻體膜21及布線膜22而被連接，因此圖18A所示的元件5的電阻電路網(wǎng)構(gòu)成圖19(c)所示的(由前述的電阻體R的單位電阻構(gòu)成)電阻電路。
[0255]在此，根據(jù)基板2上制造并嵌入的相同形狀且相同大小的電阻體膜21具有大致相同的電阻值的這一特性，在基板2上排列成矩陣狀的多個(gè)電阻體R具有相等的電阻值。此夕卜，層疊在電阻體膜線21A上的布線膜22形成電阻體R，并且還起到連接多個(gè)電阻體R而構(gòu)成電阻單位體的連接用布線膜的作用。
[0256]圖20(a)是放大了圖17所示的電子設(shè)備的俯視圖的一部分的包括熔斷膜的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖20(b)是表示沿著圖20(a)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。如圖20(a)及
(b)所示，前述的熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C也由層疊在形成電阻體R的電阻體膜21上的布線膜22形成。即，在與層疊于形成電阻體R的電阻體膜線21A上的布線膜22相同的層上，通過與布線膜22相同的金屬材料即Al或AlCu合金而構(gòu)成熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C。
[0257]也就是說，在層疊于電阻體膜21上的同一層上，作為布線膜22，使用同一金屬材料(Al或AlCu合金)通過相同的制造工藝(后述的濺射及光刻工藝)，形成用于形成電阻體R的布線膜、熔斷膜F、連接用導(dǎo)體膜C、以及用于將元件5連接到第I連接電極3和第2連接電極4的布線膜
[0258]另外，熔斷膜F不僅可以指布線膜22的一部分，還可以指電阻體R(電阻體膜21)的一部分和電阻體膜21上的布線膜22的一部分的統(tǒng)稱(熔絲元件)。此外，僅說明了熔斷膜F使用與連接用導(dǎo)體膜C同一層的情況，但是連接用導(dǎo)體膜C部分也可以在其上還層疊其他導(dǎo)體膜，從而降低導(dǎo)體膜的電阻值。另外，在該情況下，只要在熔斷膜F上不層疊導(dǎo)體膜就不會(huì)使熔斷膜F的熔斷性惡化。
[0259]圖21是第I參考例的實(shí)施方式的元件的電路圖。參照?qǐng)D21，元件5通過從第I連接電極3開始按照基準(zhǔn)電阻單位體R8、電阻單位體R64、2個(gè)電阻單位體R32、電阻單位體R16、電阻單位體R8、電阻單位體R4、電阻單位體R2、電阻單位體R1、電阻單位體R / 2、電阻單位體R / 4、電阻單位體R / 8、電阻單位體R / 16、電阻單位體R / 32的順序串聯(lián)連接這些電阻單位體而構(gòu)成。基準(zhǔn)電阻單位體R8及電阻單位體R64?R2分別串聯(lián)連接與自身后綴數(shù)(R64時(shí)是“64”)相同數(shù)量的電阻體R而構(gòu)成。電阻單位體Rl由I個(gè)電阻體R構(gòu)成。電阻單位體R / 2?R / 32分別并聯(lián)連接與自身后綴數(shù)(R / 32時(shí)是“32”)相同數(shù)量的電阻體R而構(gòu)成。電阻單位體的后綴數(shù)的意思與后述的圖22及圖23中也相同。
[0260]并且，與基準(zhǔn)電阻單位體R8以外的電阻單位體R64?電阻單位體R / 32分別并聯(lián)連接I個(gè)熔斷膜F。熔斷膜F彼此直接被串聯(lián)連接或經(jīng)由連接用導(dǎo)體膜C (參照?qǐng)D20 (a))而被串聯(lián)連接。如圖21所示，在所有熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，元件5構(gòu)成在第I連接電極3和第2連接電極4之間設(shè)置的由8個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的基準(zhǔn)電阻單位體R8(電阻值8r)的電阻電路。例如，若將I個(gè)電阻體R的電阻值r設(shè)為r = 80，由8r = 64 Ω的電阻電路構(gòu)成連接了第I連接電極3和第2連接電極4的貼片電阻器(電子設(shè)備I)。
[0261]此外，在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，基準(zhǔn)電阻單位體R8以外的多種電阻單位體呈被短路的狀態(tài)。也就是說，基準(zhǔn)電阻單位體R8上串聯(lián)連接有12種13個(gè)電阻單位體R64~R / 32，各電阻單位體分別通過被并聯(lián)連接的熔斷膜F而成為短路狀態(tài)，因此在電特性上看，各電阻單位體并未被組入元件5中。
[0262]在該實(shí)施方式的電子設(shè)備I中，根據(jù)所要求的電阻值，可選擇性地例如通過激光來熔斷熔斷膜F。由此，并聯(lián)連接的熔斷膜F被熔斷的電阻單位體會(huì)被組入元件5中。因此，能夠?qū)⒃?整體的電阻值設(shè)置成串聯(lián)連接地組入了與被熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體而得到的電阻值。
[0263]特別是，多種電阻單位體中具備:具有相等的電阻值的電阻體R以I個(gè)、2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)、32個(gè)…這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而串聯(lián)連接了這些電阻體R的多種串聯(lián)電阻單位體、和相等電阻值的電阻體R以2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)…這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而并聯(lián)連接了這些電阻體R的多種并聯(lián)電阻單位體。因此，通過選擇性地熔斷熔斷膜F (也包括前述的熔絲元件)，從而能夠細(xì)致地且以數(shù)字方式將元件5 (電阻56)整體的電阻值調(diào)整為任意的電阻值調(diào)整，在電子設(shè)備I中能夠產(chǎn)生期望的值的電阻。
[0264]圖22是第I參考例的其他實(shí)施方式的元件的電路圖。也可以代替如前所述那樣串聯(lián)連接基準(zhǔn)電阻單位體R8及電阻單位體R64~電阻單位體R / 32而構(gòu)成元件5的方案，如圖22所示那樣構(gòu)成元件5。詳細(xì)而言，在第I連接電極3和第2連接電極4之間通過基準(zhǔn)電阻單位體R / 16、與12種電阻單位體R / 16、R / 8、R / 4、R / 2、Rl、R2、R4、R8、R16、R32、R64、R128的并聯(lián)連接電路之間的串聯(lián)連接電路而構(gòu)成元件5。
[0265]此時(shí)，基準(zhǔn)電阻單位體R / 16以外的12種電阻單位體分別與熔斷膜F串聯(lián)連接。在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，各電阻單位體被電組入到元件5中。根據(jù)所要求的電阻值，若選擇性地例如通過激光來熔斷熔斷膜F，則從元件5電分離與被熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體(串聯(lián)連接 了熔斷膜F的電阻單位體)，因此能夠調(diào)整電子設(shè)備I整體的電阻值。
[0266]圖23是第I參考例的又一實(shí)施方式的元件的電路圖。圖23所示的元件5的特征是，構(gòu)成了將多種電阻單位體的串聯(lián)連接、和多種電阻單位體的并聯(lián)連接進(jìn)行了串聯(lián)連接的電路結(jié)構(gòu)。在串聯(lián)連接的多種電阻單位體中，與之前的實(shí)施方式相同，每個(gè)電阻單位體并聯(lián)連接了熔斷膜F，被串聯(lián)連接的多種電阻單位體都會(huì)因熔斷膜F而處于短路狀態(tài)。因此，若熔斷熔斷膜F，則因該被熔斷的熔斷膜F而成為短路的電阻單位體在電特性上被組入元件5中。
[0267]另一方面，被并聯(lián)連接的多種電阻單位體分別串聯(lián)連接了熔斷膜F。因此，通過熔斷熔斷膜F，從而能夠從電阻單位體的并聯(lián)連接中電切離被熔斷的熔斷膜F所串聯(lián)連接著的電阻單位體。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，若例如在并聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以下的小電阻，在串聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以上的電阻電路，則可采用由相等的基本設(shè)計(jì)構(gòu)成的電阻的電路網(wǎng)來生成幾Ω的小電阻到幾M Ω的大電阻的寬范圍的電阻電路
[0268]圖24是電子設(shè)備的示意性截面圖。接著，參照?qǐng)D24，詳細(xì)說明電子設(shè)備I。另外，為了便于說明，在圖24中簡化地表示了前述的元件5，并且對(duì)基板2以外的各要素附加了陰影。在此，說明前述的保護(hù)膜23及樹脂膜24。[0269]保護(hù)膜23由例如SiN(氮化硅)構(gòu)成，其厚度約為3000iL保護(hù)膜23完整地具有被設(shè)置在元件形成面2A的整個(gè)區(qū)域且從表面(圖24的上側(cè))覆蓋電阻體膜21及電阻體膜21上的各布線膜22 (即，元件5)(也就是說，覆蓋元件5的各電阻體R的上表面)的元件覆蓋部23A、和覆蓋基板2的4個(gè)側(cè)面2C?2F(參照?qǐng)D16(a))各自的整個(gè)區(qū)域的側(cè)面覆蓋部23B。元件覆蓋部23A和側(cè)面覆蓋部23B實(shí)際上具有大致相同的厚度，且互相連續(xù)。因此，保護(hù)膜23整體以大致相同的厚度連續(xù)覆蓋著電阻體R的上表面及基板2的側(cè)面2C?2F。
[0270]通過元件覆蓋部23A，防止了電阻體R間的布線膜22以外處的短路(相鄰的電阻體膜線21A間的短路)。側(cè)面覆蓋部23B不僅覆蓋側(cè)面2C?2F各自的整個(gè)區(qū)域，還覆蓋在絕緣膜20中向側(cè)面2C?2F露出的部分。側(cè)面覆蓋部23B在側(cè)面2C覆蓋包括形成有凹部10的部分在內(nèi)的整個(gè)區(qū)域(參照?qǐng)D16(a))。通過側(cè)面覆蓋部23B，防止了各側(cè)面2C?2F中的短路(在該側(cè)面產(chǎn)生短路路徑的情形)。
[0271 ] 參照?qǐng)D16 (a)，保護(hù)膜23連續(xù)覆蓋著基板2的元件形成面2A個(gè)4個(gè)側(cè)面2C?2F，因此具有沿著基板2的角部11及12的圓形狀的角部26。此時(shí)，通過保護(hù)膜23來保護(hù)元件5及布線膜22，并且能夠防止在保護(hù)膜23的角部26產(chǎn)生碎片。
[0272]返回圖24，樹脂膜24與保護(hù)膜23 —起保護(hù)電子設(shè)備1，由聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成。樹脂膜24的厚度約為5 μ m。樹脂膜24覆蓋著元件覆蓋部23A的表面的整個(gè)區(qū)域(保護(hù)膜23的上表面)，并且在基板2的4個(gè)側(cè)面2C?2F上的側(cè)面覆蓋部23B中覆蓋著元件形成面2A側(cè)的端部(圖24的上端部)。也就是說，樹脂膜24至少使4個(gè)側(cè)面2C?2F上的側(cè)面覆蓋部23B中的元件形成面2A相反側(cè)(圖24的下側(cè))的部分露出。
[0273]在這種樹脂膜24中，俯視時(shí)與4個(gè)側(cè)面2C?2F —致的的部分成為比這些側(cè)面上的側(cè)面覆蓋部23B更向側(cè)方(外側(cè))突出的圓弧狀的伸長部24A。也就是說，樹脂膜24 (伸長部24A)在側(cè)面2C?2F中比側(cè)面覆蓋部23B (保護(hù)膜23)更突出。這種樹脂膜24具有在圓弧狀的伸長部24A中朝向側(cè)方而凸出的圓形狀的側(cè)面24B。伸長部24A覆蓋構(gòu)成元件形成面2A與側(cè)面2C?2F之間的邊界的角部27。因此，電子設(shè)備I與周邊物體相接觸時(shí)，伸長部24A最先與周邊物體接觸，會(huì)緩和接觸帶來的沖擊，因此能夠防止沖擊影響元件5等以及前述的角部27中的碎片。特別是，伸長部24A具有圓形狀的側(cè)面24B，因此能夠順利地緩和因接觸帶來的沖擊。
[0274]另外，也可以獲得樹脂膜24完全沒有覆蓋側(cè)面覆蓋部23B的構(gòu)成(使側(cè)面覆蓋部23B全部露出的構(gòu)成)。在樹脂膜24中，在俯視時(shí)分開的2個(gè)位置處分別形成I個(gè)開口 25。各開口 25是在各自的厚度方向上連續(xù)地貫通樹脂膜24及保護(hù)膜23 (元件覆蓋部23A)的貫通孔。因此，開口 25除了樹脂膜24外還形成在保護(hù)膜23中。從各開口 25露出布線膜22的一部分。在布線膜22中從各開口 25露出的部分成為外部連接用的焊盤區(qū)域22A。
[0275]2個(gè)開口 25當(dāng)中，一個(gè)開口 25完全被第I連接電極3填充，另一個(gè)開口 25完全被第2連接電極4填充。并且，第I連接電極3和第2連接電極4各自的一部分在樹脂膜24的表面從開口 25處突出。第I連接電極3經(jīng)由該一個(gè)開口 25在該開口 25的焊盤區(qū)域22A中與布線膜22電連接。第2連接電極4經(jīng)由該另一個(gè)開口 25在該開口 25的焊盤區(qū)域22A中與布線膜22電連接。由此，第I連接電極3和第2連接電極4分別與元件5電連接。在此，布線膜22形成分別與電阻體R的集合(電阻56)、第I連接電極3和第2連接電極4連接的布線。
[0276]由此，形成有開口 25的樹脂膜24及保護(hù)膜23形成為從開口 25使第I連接電極3和第2連接電極4露出。因此，經(jīng)由在樹脂膜24的表面從開口 25處突出的第I連接電極3和第2連接電極4，能實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備I與電路基板9之間的電連接(參照?qǐng)D16 (b))。
[0277]圖25A?圖25F是表示圖24所示的電子設(shè)備的制造方法的示意性截面圖。首先，如圖25A所示，準(zhǔn)備晶片30。晶片30成為基板2的來源。因此，晶片30的表面30A是基板2的元件形成面2A，晶片30的背面30B是基板2的背面2B。
[0278]于是，在晶片30的表面30A形成由SiO2等構(gòu)成的絕緣膜20，在絕緣膜20上形成元件5(電阻體R及布線膜22)。具體而言，通過濺射，首先在絕緣膜20上的整個(gè)面上形成TiN或TiON的電阻體膜21，進(jìn)一步在電阻體膜21上層疊鋁(Al)的布線膜22。之后，利用光刻工藝，例如通過干蝕刻來選擇性地去除電阻體膜21及布線膜22，如圖18A所示，獲得俯視時(shí)層疊有電阻體膜21的恒定寬度的電阻體膜線21A隔著恒定間隔而被排列在列方向上的構(gòu)成。此時(shí)，還在一部分形成切斷了電阻體膜線21A及布線膜22的區(qū)域。接著，選擇性地去除層疊在電阻體膜線21A上的布線膜22。其結(jié)果，獲得在電阻體膜線21A上隔著恒定間隔R而層疊有布線膜22的結(jié)構(gòu)的元件5。
[0279]參照?qǐng)D25A，根據(jù)形成在I片晶片30上的電子設(shè)備I的數(shù)量，在晶片30的表面30A上的多處形成元件5。接著，如圖25B所示，為了覆蓋絕緣膜20上的元件5整體，在晶片30的表面30A的整個(gè)區(qū)域形成抗蝕劑圖案41?？刮g劑圖案41中形成有開口 42。
[0280]圖26是在圖25B的工序中形成槽時(shí)所使用的抗蝕劑圖案的一部分的示意性俯視圖。在以矩陣狀(也可以是格子狀)配置了多個(gè)電子設(shè)備I時(shí)，抗蝕劑圖案41的開口 42與俯視時(shí)相鄰的電子設(shè)備I的輪廓之間的區(qū)域(圖26中附加了陰影的部分)一致。因此，開口 42的整體形狀是具有多個(gè)相互正交的直線部分42A及42B的格子狀。此外，直線部分42A及42B (在此，直線部分42A)中都根據(jù)電子設(shè)備I的凹部10 (參照?qǐng)D16(a))而連續(xù)地設(shè)有從直線部分42A正交地突出的突出部分42C。
[0281]在此，電子設(shè)備I中，角部11、12是圓形狀(參照?qǐng)D16(a))。由此，開口 42中互相正交的直線部分42A及42B彎曲的同時(shí)互相連接著。此外，相互正交的直線部分42A及突出部分42C也是彎曲的同時(shí)互相連接著。因此，直線部分42A及42B的交叉部分43A、以及直線部分42A及突出部分42C的交叉部分43B是角部較圓的圓形狀。此外，在突出部分42C中，交叉部分43B以外的部分的角部也是圓的。
[0282]參照?qǐng)D25B，通過將抗蝕劑圖案41作為掩模的等離子蝕刻，分別選擇性地去除絕緣膜20及晶片30。由此，在俯視時(shí)與抗蝕劑圖案41的開口 42 —致的位置上，形成貫通絕緣膜20而到達(dá)晶片30的厚度的部分厚度為止的槽44。槽44具有相互對(duì)置的側(cè)面44A、和連接對(duì)置的側(cè)面44A的下端(晶片30的背面30B側(cè)的一端)的底面44B。以晶片30的表面30A為基準(zhǔn)的槽44的深度約為100 μ m，槽44的寬度(對(duì)置的側(cè)面44A的間隔)約為20 μ m0
[0283]圖27(a)是在圖25B的工序中形成槽之后的晶片的示意性俯視圖，圖27(b)是圖27(a)的部分放大圖。參照?qǐng)D27(b)，槽44的整體形狀俯視時(shí)是與抗蝕劑圖案41的開口42(參照?qǐng)D26) —致的格子狀。并且，在晶片30的表面30A，槽44中的矩形框體部分包圍了形成有各元件5的區(qū)域周圍。在晶片30中形成有元件5的部分是電子設(shè)備I的半成品50。在晶片30的表面30A，在被槽44包圍的區(qū)域中分別有I個(gè)半成品50，將這些半成品50排列配置成矩陣狀。
[0284]此外，槽44在與抗蝕劑圖案41的開口 42中的突出部分42C(參照?qǐng)D26)對(duì)應(yīng)的部分，形成為陷入半成品50的一邊A的一部分中，由此，半成品50中形成有前述的凹部10(參照?qǐng)D16(a))。并且，根據(jù)在抗蝕劑圖案41的開口 42中成為圓形狀的交叉部分43A及43B(參照?qǐng)D26)，俯視時(shí)的半成品50的角部60 (成為電子設(shè)備I的角部11、12)被整形為圓形狀。另外，該圓形狀是通過利用等離子蝕刻而形成的，但是也可以代替等離子蝕刻而使用硅蝕刻(使用了藥液的通常的蝕刻)。
[0285]由此，通過蝕刻晶片30，從而能夠任意設(shè)定半成品50 (換言之是最終的電子設(shè)備I)的外形，如該實(shí)施方式所示，能夠設(shè)置成角部60(角部11、12)為圓形狀且在一邊A具有凹部10的非對(duì)稱的矩形(還可參照?qǐng)D16(a))。此時(shí)，無需標(biāo)識(shí)工序(通過激光器等標(biāo)記表示貼片方向的記號(hào)等的工序)也能夠制造可識(shí)別貼片方向的電子設(shè)備I。
[0286]形成槽44之后，去除抗蝕劑圖案41，如圖25C所示，在元件5的表面通過CVD(Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)法，形成由SiN構(gòu)成的保護(hù)膜(SiN膜)45。SiN膜45具有約為3000A的厚度。SiN膜45形成為不僅覆蓋元件5表面的整個(gè)區(qū)域，而且還覆蓋槽44的內(nèi)表面(側(cè)面44A及底面44B)。另外，SiN膜45是在側(cè)面44A及底面44B上以大致恒定的厚度形成的薄膜，因此不需要完全填埋槽44。此外，SiN膜45只要在槽44中形成在側(cè)面44A的整個(gè)區(qū)域上即可，可以不形成在底面44B上。
[0287]接著，如圖2?所示，從槽44以外的SiN膜45之上向晶片30粘貼由聚酰亞胺構(gòu)成的感光性樹脂的薄膜46。圖28(a)及(b)是表示在圖2?的工序中向晶片粘貼聚酰亞胺薄膜的狀態(tài)的示意性立體圖。具體而言，如圖28(a)所示，從表面30A側(cè)對(duì)晶片30 (嚴(yán)格來講是晶片30上的SiN膜45)覆蓋聚酰亞胺薄膜46之后，通過如圖28(b)所示那樣旋轉(zhuǎn)的輥47來向晶片30按壓薄膜46。
[0288]如圖2?所示，在槽44以外的SiN膜45表面的整個(gè)區(qū)域粘貼了薄膜46時(shí)，雖然薄膜46的一部分稍微進(jìn)入到槽44側(cè)，但是僅覆蓋了槽44的側(cè)面44A上的SiN膜45中的元件5側(cè)(表面30A側(cè))的一部分，薄膜46不會(huì)到達(dá)槽44的底面44B。因此，在薄膜46與槽44的底面44B之間的槽44內(nèi)，形成大小幾乎與槽44相同的空間S。此時(shí)的薄膜46的厚度為10 μ m?30 μ m。
[0289]接著，對(duì)薄膜46實(shí)施熱處理。由此，薄膜46的厚度熱收縮至約5 μ m為止。接著，如圖25E所示，對(duì)薄膜46進(jìn)行圖案化，在薄膜46中選擇性地去除俯視時(shí)與槽44及布線膜22的各焊盤區(qū)域22A—致的部分。具體而言，利用形成有俯視時(shí)與槽44及各焊盤區(qū)域22A匹配(一致)的圖案的開口 61的掩模62，基于該圖案使薄膜46曝光并顯影。由此，在槽44及各焊盤區(qū)域22A的上方薄膜46被分離，并且在薄膜46中被分離的邊緣部分稍微向槽44側(cè)下垂且同時(shí)重疊在槽44的側(cè)面44A上的SiN膜45上，在該邊緣部分中自然地形成前述的(具有圓形狀的側(cè)面24B)伸長部24A。
[0290]接著，通過將這樣分離的薄膜46作為掩模的蝕刻，在SiN膜45中去除俯視時(shí)與各焊盤區(qū)域22A—致的部分。由此，形成開口 25。在此，SiN膜45形成為使各焊盤區(qū)域22A露出。接著，通過非電解電鍍，在各開口 25中的焊盤區(qū)域22A上形成層疊N1、Pd及Au而構(gòu)成的Ni / Pd / Au層疊膜。此時(shí)，使Ni / Pd / Au層疊膜從開口 25突出至薄膜46的表面。由此，各開口 25內(nèi)的Ni / Pd / Au層疊膜成為圖25F所示的第I連接電極3和第2連接電極4。
[0291]接著，在第I連接電極3和第2連接電極4之間進(jìn)行通電檢查之后，從背面30B研磨晶片30。在此，在晶片30中構(gòu)成槽44的側(cè)面44A的部分的整個(gè)區(qū)域被SiN膜45覆蓋，因此可在晶片30的研磨中，防止在該部分產(chǎn)生微小的破裂等，并且即使產(chǎn)生了微小的破裂也可以通過由SiN膜45填埋該微小的破裂來抑制該微小的破裂的擴(kuò)大。
[0292]然后，通過研磨，若使晶片30薄至到達(dá)槽44的底面44B (嚴(yán)格來講是底面44B上的SiN膜45)位置的程度，則不存在連接相鄰的半成品50的物體，以槽44為邊界分割晶片30，半成品50變成電子設(shè)備1，可單獨(dú)進(jìn)行分離。由此，完成電子設(shè)備I (參照?qǐng)D24)。在各電子設(shè)備I中，構(gòu)成槽44的側(cè)面44A的部分成為基板2的側(cè)面2C?2F中的任一個(gè)。并且，SiN膜45成為保護(hù)膜23。此外，被分離的薄膜46成為樹脂膜24。
[0293]即使電子設(shè)備I的貼片尺寸小，由于如上述那樣先形成了槽44，因此通過從背面30B研磨晶片30，能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I設(shè)為單獨(dú)的一片。因此，與現(xiàn)有技術(shù)那樣通過鉆石輪劃片機(jī)切割晶片30來使電子設(shè)備I成為單獨(dú)的一片的情況相比，可省略切割工序，由此能夠降低成本且縮短時(shí)間，能夠?qū)崿F(xiàn)成品率的提高。
[0294]如以上所述，在制造電子設(shè)備I時(shí)，在表面30A(元件形成面2A)形成了多個(gè)元件5的晶片30中，若將用于將電子設(shè)備I 一個(gè)個(gè)進(jìn)行分割的槽44形成在表面30A的元件5的邊界上，則槽44的側(cè)面44A成為分割后的各電子設(shè)備I的側(cè)面2C?2F。在對(duì)電子設(shè)備I進(jìn)行分割之前，在槽44的側(cè)面44A及晶片30的表面30A形成SiN膜45 (保護(hù)膜23)。在此，如圖25C所示，通過CVD法在電阻體R的上表面及槽44的內(nèi)表面(側(cè)面44A及底面44B)連續(xù)地形成有大致相同厚度的CVD的保護(hù)膜(CVD保護(hù)膜)23。此時(shí)，CVD保護(hù)膜23 (SiN膜45)是在CVD工藝中在減壓環(huán)境下形成的，因此作為側(cè)面覆蓋部23B可在基板2的側(cè)面2C?2F(槽44的側(cè)面44A)的整個(gè)區(qū)域附著CVD保護(hù)膜23。因此，在制造電子設(shè)備I時(shí)，能夠在槽44的側(cè)面44A均勻地形成保護(hù)膜23。
[0295]并且，形成保護(hù)膜23之后，如圖2?所示，由覆蓋元件形成面2A的SiN膜45 (成為保護(hù)膜23的元件覆蓋部23A的部分)的薄膜46形成樹脂膜24。樹脂膜24由于至少在槽44的側(cè)面44A的SiN膜45 (成為保護(hù)膜23的側(cè)面覆蓋部23B的部分)處使與元件形成面2A相反的一側(cè)(槽44的底面44B側(cè))露出，因此在形成樹脂膜24時(shí)(制造電子設(shè)備I時(shí))能夠防止樹脂膜24從底面44B側(cè)填埋槽44。
[0296]具體而言，通過從保護(hù)膜23之上粘貼薄膜46，從而形成樹脂膜24。此時(shí)，薄膜46不會(huì)從底面44B側(cè)填埋槽44。因此，如圖25F所示，能夠使基板2薄至到達(dá)槽44的底面44B為止，能夠在槽44中將基板2分割為各個(gè)電子設(shè)備I。以上，說明了第I參考例的實(shí)施方式，但是也可以通過其他方式實(shí)施第I參考例。
[0297]例如，在將晶片30分割為單獨(dú)的電子設(shè)備I時(shí)，將晶片30從背面30B側(cè)研磨到槽44的底面44B (參照?qǐng)D25F)。代替該方式，也可以從背面30B選擇性地進(jìn)行蝕刻來去除SiN膜45中覆蓋底面44B的部分、和晶片30中俯視時(shí)與槽44 一致的部分，從而將晶片30分割為單獨(dú)的電子設(shè)備I。
[0298]圖29(a)是電子設(shè)備的俯視圖，圖29(b)是第I變形例的電子設(shè)備的俯視圖，圖29(c)是第2變形例的電子設(shè)備的俯視圖。另外，在圖29(a)?14(c)中，為了便于說明，省略了元件5、保護(hù)膜23、樹脂膜24的圖示。此外，前述的凹部10如圖29(a)所示那樣在電子設(shè)備I的一邊A被設(shè)置在從該一邊A的中點(diǎn)P偏尚的位置上。在凹部10偏尚了中點(diǎn)P的情況下，在一邊A延伸的方向上，凹部10的中心IOA與中點(diǎn)P不一致。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，除了連接該一邊A和該一邊A相反側(cè)的一邊B的方向(長邊方向)上的凹部10側(cè)之外，還可以將該一邊A延伸的方向(短邊方向)上的凹部10側(cè)作為前述的貼片方向。例如，在從元件形成面2A側(cè)看到的俯視圖中，在使電子設(shè)備I的短邊方向與前后方向(圖29中的上下方向)一致的同時(shí)，使電子設(shè)備I的長邊方向與左右方向一致，此時(shí)，凹部10位于靠左前方的(圖29中的靠左上方)位置上，能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I正確地安裝到電路基板9。由此，進(jìn)行安裝時(shí)，可從電子設(shè)備I的外觀掌握必須使電子設(shè)備I的朝向匹配成俯視時(shí)凹部10位于靠左前方(從基板2的背面2B看電子設(shè)備I時(shí)是靠右前方)的位置上的情況。也就是說，能夠從電子設(shè)備I的外觀掌握必須使長邊方向及短邊方向這兩個(gè)方向上的電子設(shè)備I的朝向匹配的情況。
[0299]如圖29(b)所示，當(dāng)然也可以將凹部10設(shè)置于在一邊A上與中點(diǎn)P—致的位置(凹部10的中心IOA與中點(diǎn)P在短邊方向上一致的位置)上。此外，也可以代替凹部10，如圖29(c)所示那樣設(shè)置向外側(cè)突出的凸部51。凸部51在俯視時(shí)可以是矩形狀，也可以是U字形狀(隆起成U字的形狀)或三角形狀。當(dāng)然，在側(cè)面2C，凸部51中的角部(包括凸部51的前端側(cè)及根部側(cè)的俯視時(shí)的4個(gè)角的部分)52也與其他角部11 一樣，呈被倒角的圓形狀。在此，與凹部10相同，前述的側(cè)面覆蓋部23B(參照?qǐng)D16(a))在側(cè)面2C覆蓋包括形成有凸部51的部分在內(nèi)的整個(gè)區(qū)域。此外，優(yōu)選凹部10的深度或凸部51的高度(突出量)在20 μ m以下(第I連接電極3或第2連接電極4的寬度的約5分之I以下)。并且，角部11、角部12或角部52各自的倒角量，優(yōu)選一邊的距離在約20 μ m以下。
[0300]圖30(a)是表示電子設(shè)備的另一實(shí)施方式的元件電路結(jié)構(gòu)的圖，圖30(b)是表示電子設(shè)備的又一實(shí)施方式的元件電路結(jié)構(gòu)的圖。在前述的實(shí)施方式中，由于將電子設(shè)備I作為貼片電阻器，因此第I連接電極3和第2連接電極4間的元件5是電阻56，但是也可以是圖30 (a)所示的二極管55，還可以是如圖30 (b)所示那樣串聯(lián)連接了二極管55和電阻56的部分。電子設(shè)備I由于具有二極管55而成為了貼片二極管，第I連接電極3和第2連接電極4有極性，但前述的貼片方向是與極性對(duì)應(yīng)的方向。由此，可通過貼片方向表示第I連接電極3和第2連接電極4的極性，因此能夠通過電子設(shè)備I的外觀掌握該極性。也就是說，可知貼片方向中的某一側(cè)(也就是說，第I連接電極3和第2連接電極4中哪一個(gè))是正負(fù)極中的哪一極側(cè)。因此，能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I正確地安裝到電路基板9 (參照?qǐng)D16(b))，以使設(shè)有前述的凹部10或凸部51 (參照?qǐng)D29)的一側(cè)來到對(duì)應(yīng)的極側(cè)。
[0301]當(dāng)然，第I參考例也可以適用于在元件5中代替二極管55而使用了電容器的貼片電容器或貼片電感器等、在芯片尺寸的基板2上制作了各種元件的元器件?！吹?參考例的發(fā)明>(1)第2參考例的發(fā)明的特征例如，第2參考例的發(fā)明的特征有以下的BI?B13。(BI) 一種貼片電阻器，特征在于，包括:基板；在所述基板上形成的第I連接電極和第2連接電極；和在所述基板上形成且一端側(cè)與所述第I連接電極連接而另一端側(cè)與所述第2連接電極連接的電阻電路網(wǎng)，所述電阻電路網(wǎng)包括:在所述基板上以矩陣狀排列的具有相等的電阻值的多個(gè)電阻體膜；包括與所述電阻體膜電連接的連接用布線膜，且I個(gè)或多個(gè)連接體膜通過連接用布線膜被電連接而構(gòu)成的多種電阻單位體；以規(guī)定的方式連接了所述多種電阻單位體的電路網(wǎng)連接用布線膜；分別與所述電阻單位體對(duì)應(yīng)地設(shè)置且為了將該電阻單位體以電方式組入所述電阻電路網(wǎng)中、或從所述電阻電路網(wǎng)電分離該電阻單位體而可被熔斷的多個(gè)熔斷膜，所述布線膜中的至少一部分具有包括層疊在所述電阻體膜上的第I布線層和在該第I布線層上層疊的第2布線層的層疊布線結(jié)構(gòu)。
[0302]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠在基板上制作電阻電路網(wǎng)，可通過一次制造而制造出多個(gè)品質(zhì)良好的貼片電阻器。此外，由于形成電阻電路網(wǎng)，因此能夠?qū)崿F(xiàn)電阻電路網(wǎng)的微小化，能夠生成比現(xiàn)有技術(shù)更小的貼片電阻器。另外，電阻電路網(wǎng)包括以矩陣狀排列的具有相等的電阻值的多個(gè)電阻體膜，通過改變這些多個(gè)電阻體膜的連接方式，能夠容易地應(yīng)對(duì)所要求的電阻值的變更。
[0303]另外，通過改變多種電阻單位體的連接方式，以能夠容易地應(yīng)對(duì)所要求的電阻值的變化。此外，熔斷多個(gè)熔斷膜中的任意的熔斷膜，以電方式將電阻單位體組入電阻電路網(wǎng)，或者從電阻電路網(wǎng)電分離電阻單位體，從而可進(jìn)行電阻電路網(wǎng)的電阻值的調(diào)整，同時(shí)無需變更基本設(shè)計(jì)就能夠使貼片電阻器的電阻值滿足多種要求的電阻值。由此，能夠提供同一基本設(shè)計(jì)的、設(shè)置成其電阻值為所要求的電阻值的貼片電阻器。
[0304]并且，包含在電阻電路網(wǎng)中的布線膜的至少一部分，例如在以梳齒狀并聯(lián)連接了多個(gè)電阻體膜的區(qū)域中具有包括第I布線層、和在第I布線層上層疊的第2布線層的層疊布線結(jié)構(gòu)。因此，因?qū)盈B結(jié)構(gòu)，該區(qū)域的布線膜的電阻值變得更小，布線膜的電阻值不會(huì)影響電阻體的電阻值。其結(jié)果，無需改變整體的電阻值及多種電阻單位體的電阻比率等就能夠構(gòu)成高精度的電阻電路網(wǎng)。(B2)根據(jù)BI記載的貼片電阻器，特征在于，所述電阻體膜包括:在所述基板上延伸的電阻體膜線；和在所述電阻體膜線上沿著線方向隔著規(guī)定間隔而被層疊的布線膜，未層疊所述布線膜的所述恒定間隔部分的電阻體膜線構(gòu)成I個(gè)電阻體膜。
[0305]在該結(jié)構(gòu)中，以矩陣狀排列的具有相等的電阻值的多個(gè)電阻體膜分別包括電阻體膜線、和在該電阻體膜線上沿著線方向隔著恒定間隔被層疊的布線膜。因此，未層疊布線膜的電阻體膜區(qū)域起到I個(gè)電阻體膜的作用。該電阻體膜區(qū)域通過將要層疊的布線膜的間隔設(shè)定成恒定間隔，從而可成為相同大小的相同形狀。并且，利用在基板上制作的相同大小且相同形狀的電阻體(電阻體膜)的電阻值幾乎是同一電阻值的這一特性，可通過共用的布局圖案簡單地形成多個(gè)電阻體膜。(B3)根據(jù)B2記載的貼片電阻器，特征在于，劃分所述電阻體膜的布線膜、包含在所述電阻單位體中的連接用布線膜、所述電路網(wǎng)連接用布線膜及所述熔斷膜，包括在同一層上形成的同一材料的金屬膜。
[0306]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，對(duì)于劃分電阻體膜的布線膜、包含在電阻單位體中的連接用布線膜、包含在電路網(wǎng)連接單元中的連接用布線膜及熔斷膜，在同一層上形成金屬膜，通過蝕刻等去除該金屬膜中的無用部分，從而能夠通過比較少的工序簡單地一次性形成多種金屬膜(布線膜)。(B4)根據(jù)BI?B3中的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器，特征在于，所述電阻單位體包括將所述電阻體膜串聯(lián)連接了多個(gè)的部分。
[0307]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，串聯(lián)連接多個(gè)電阻體膜來形成電阻單位體，因此能夠構(gòu)成電阻值大的電阻單位體。(B5)根據(jù)BI?B3中的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器，特征在于，所述電阻單位體包括將所述電阻體膜并聯(lián)連接多個(gè)的部分。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過并聯(lián)連接多個(gè)電阻體膜來形成電阻單位體，因此能夠構(gòu)成電阻值小且電阻值間的誤差較少的電阻單位體。(B6)根據(jù)B5記載的貼片電阻器，特征在于，所述電阻體膜的并聯(lián)連接包括所述布線膜呈梳齒狀的梳齒形狀部，所述梳齒形狀部具有所述層疊布線結(jié)構(gòu)。
[0308]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，對(duì)于多個(gè)電阻體膜的并聯(lián)連接的連接用布線膜而言，在梳齒形狀部中寬度較窄的布線膜的電阻值容易增加，但是由于在梳齒形狀部中布線膜具有層疊布線結(jié)構(gòu)，因此布線膜的電阻值不會(huì)對(duì)電阻電路網(wǎng)帶來不良影響。(B7)根據(jù)BI?B6中的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器，特征在于，在所述多種電阻單位體中，設(shè)定要連接的所述電阻體膜的個(gè)數(shù)，電阻值互相呈等比數(shù)列。
[0309]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，電阻單位體彼此的電阻值呈等比數(shù)列，因此能夠在相對(duì)小的電阻值到相對(duì)大的電阻值范圍內(nèi)將電阻單位體的電阻值設(shè)定為多種。由此，即使通過電阻單位體的連接方式而向貼片電阻器所要求的要求電阻值范圍較大，也能夠通過同一設(shè)計(jì)內(nèi)容來應(yīng)對(duì)。(B8)根據(jù)BI?B7中的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器，特征在于，所述電路網(wǎng)連接用布線膜包括串聯(lián)連接所述多種電阻單位體的連接用布線膜。
[0310]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可將電阻單位體串聯(lián)連接而構(gòu)成電阻值大的貼片電阻器。(B9)根據(jù)BI?B8中的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器，特征在于，所述電路網(wǎng)連接用布線膜包括并聯(lián)連接所述多種電阻單位體的連接用布線膜。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過將電阻單位體并聯(lián)連接，從而能夠細(xì)致地調(diào)整貼片電阻器的電阻值，能夠提供可應(yīng)對(duì)各種要求的電阻值的貼片電阻器。(BlO)根據(jù)B9記載的貼片電阻器，特征在于，并聯(lián)連接所述多種電阻單位體的電路網(wǎng)連接用布線膜包括梳齒形狀部，該梳齒形狀部具有所述層疊布線結(jié)構(gòu)。
[0311]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在并聯(lián)連接了電阻單位體的情況下，在連接用布線膜中具有以梳齒狀并聯(lián)連接多個(gè)電阻體的部分，由于電阻體整體的電阻值變小，因此有時(shí)不能忽略布線膜的電阻值。因此，在該部分中構(gòu)成為，將布線膜設(shè)置成層疊布線結(jié)構(gòu)來進(jìn)一步降低布線膜的電阻值，由此布線膜的電阻值不會(huì)對(duì)電阻電路網(wǎng)整體帶來影響等。(Bll) —種電子設(shè)備，特征在于，包括:基板；在所述基板上形成的第I連接電極和第2連接電極；在所述基板上形成、且具有通過一端側(cè)與所述第I連接電極而另一端側(cè)與所述第2連接電極連接的布線膜來連接的多個(gè)電阻體的電阻電路網(wǎng)；和為了將所述電阻體以電方式組入所述電阻電路網(wǎng)中、或從所述電阻電路網(wǎng)電分離所述電阻體而可被熔斷的多個(gè)熔斷膜，所述布線膜的至少一部分包括在所述電阻體膜上層疊的第I布線層、和在該第I布線層上層疊的第2布線層，所述熔斷膜具有僅由第I布線膜或第2布線膜構(gòu)成的層疊布線結(jié)構(gòu)。(B12)根據(jù)Bll所述的電子設(shè)備，其特征在于，所述電阻體由TiON或TiSiON構(gòu)成。(B13)根據(jù)Bll或B12所述的電子設(shè)備，其特征在于，統(tǒng)一對(duì)所述電阻體和所述布線膜進(jìn)行圖案化。
[0312]根據(jù)Bll?B13的結(jié)構(gòu)，熔斷多個(gè)熔斷膜中的任意熔斷膜，將以電方式組入電阻電路網(wǎng)，或者從電阻電路網(wǎng)電分離電阻體，從而可進(jìn)行電阻電路網(wǎng)的電阻值的調(diào)整，無需改變基本設(shè)計(jì)就能夠滿足多種要求電阻值。由此，能夠提供一種具有同一基本設(shè)計(jì)的電阻電路網(wǎng)且將其電阻值設(shè)置成所要求的電阻值的電子設(shè)備。
[0313]另外，包含在電阻電路網(wǎng)中的布線膜中，至少其中的一部分例如在以梳齒狀并聯(lián)連接了多個(gè)電阻體的區(qū)域中具有包括第I布線層及在第I布線層上層疊的第2布線層的層疊布線結(jié)構(gòu)。因此，由于層疊結(jié)構(gòu)，相應(yīng)區(qū)域的布線膜的電阻值進(jìn)一步變小，布線膜的電阻值不會(huì)影響電阻體的電阻值。其結(jié)果，能夠構(gòu)成高精度的電阻電路網(wǎng)。(2)第2參考例的發(fā)明的實(shí)施方式以下，參照附圖來詳細(xì)說明第2參考例的實(shí)施方式。另外，圖31?圖46所示的符號(hào)只在這些附圖中有效，即使在其他實(shí)施方式中使用了，也不會(huì)表示與該其他實(shí)施方式的符號(hào)相同的要素。
[0314]圖31 (A)是表示第2參考例的一實(shí)施方式的貼片電阻器10的外觀結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖31⑶是表示在基板上安裝了貼片電阻器10的狀態(tài)的側(cè)視圖。參照?qǐng)D31(A)，第2參考例的一實(shí)施方式的貼片電阻器10具備在作為基板的基板11上形成的第I連接電極
12、第2連接電極13、電阻電路網(wǎng)14。基板11是俯視時(shí)大致為長方形狀的長方體形狀，作為一例，是長邊方向的長度為L = 0.3mm、短邊方向的寬度為W = 0.15mm、基板11的厚度為T = 0.1mm左右大小的微小的芯片。
[0315]如圖46所示，通過在晶片上以格子狀形成多個(gè)貼片電阻器10，切斷晶片而分離成各個(gè)貼片電阻器10，由此得到了該貼片電阻器10。在基板11上，第I連接電極12是沿著基板11的一個(gè)短邊111而設(shè)置的自身長邊在短邊111方向上的矩形電極。第2連接電極13是沿著基板11上的另一短邊112而設(shè)置的自身長邊在短邊112方向上的矩形電極。電阻電路網(wǎng)14被設(shè)置在由基板11上的第I連接電極12和第2連接電極13所夾持的的中央?yún)^(qū)域中。并且，電阻電路網(wǎng)14的一端側(cè)與第I連接電極12電連接，電阻電路網(wǎng)14的另一端側(cè)與第2連接電極13電連接。如后述那樣，在基板11上例如利用半導(dǎo)體制造工藝而設(shè)置了這些第I連接電極12、第2連接電極13和電阻電路網(wǎng)14。因此，作為基板11可使用硅基板(硅晶片)等半導(dǎo)體基板(半導(dǎo)體晶片)。另外，基板11也可以是絕緣基板等其他種類的基板。
[0316]第I連接電極12和第2連接電極13分別起到外部連接電極的作用。在貼片電阻器10被安裝到電路基板15的狀態(tài)下，如圖31⑶所示，分別通過電路基板15的電路(未圖示)和焊料以電及機(jī)械方式連接第I連接電極12和第2連接電極13。另外，對(duì)于起到外部連接電極作用的第I連接電極12和第2連接電極13，為了提高焊料潤濕性及可靠性，優(yōu)選由金(Au)形成,或者在表面實(shí)施鍍金。
[0317]圖32是貼片電阻器10的俯視圖，表示了第I連接電極12、第2連接電極13和電阻電路網(wǎng)14的配置關(guān)系以及電阻電路網(wǎng)14的俯視時(shí)的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D32，貼片電阻器10包括:沿著基板上表面的一個(gè)短邊111而配置的在寬度方向上較長的俯視時(shí)大致為矩形的第I連接電極12 ;沿著基板上表面的另一個(gè)短邊112而配置的在寬度方向上較長的俯視時(shí)大致為矩形的第2連接電極13 ;和在第I連接電極12和第2連接電極13之間的俯視時(shí)呈矩形的區(qū)域中設(shè)置的電阻電路網(wǎng)14。
[0318]電阻電路網(wǎng)14具有在基板11上以矩陣狀排列的具有相等的電阻值的多個(gè)電阻體膜R(在圖32的例中，沿著行方向(基板的長邊方向)排列了 8個(gè)電阻體膜R，沿著列方向(基板的寬度方向)排列了 44個(gè)電阻體膜R，由共計(jì)352個(gè)電阻體膜R構(gòu)成)。并且，這些多個(gè)電阻體膜R的I個(gè)?64個(gè)被電連接，形成了多種電阻單位體。通過作為電路網(wǎng)連接單元的連接用布線膜，以規(guī)定的方式連接所形成的多種電阻單位體。另外，為了將電阻單位體以電方式組入電阻電路網(wǎng)14中或者從電阻電路網(wǎng)14電分離電阻單位體，設(shè)有可熔斷的多個(gè)熔斷膜F。多個(gè)熔斷膜F沿著第2連接電極13的內(nèi)側(cè)邊被排列成配置區(qū)域呈直線狀。更具體而言，多個(gè)熔斷膜F及連接用布線膜C被配置成直線狀。
[0319]圖33A是放大了圖32所示的電阻電路網(wǎng)14的一部分的俯視圖，圖33B及圖33C分別是用于說明電阻電路網(wǎng)14中的電阻體R的結(jié)構(gòu)的長度方向的縱向截面圖及寬度方向的縱向截面圖。參照?qǐng)D33A、圖33B及圖33C，說明電阻體膜R的結(jié)構(gòu)。
[0320]在作為基板的基板11的上表面形成絕緣層(SiO2) 19，在絕緣層19上配置構(gòu)成電阻體膜R的電阻體膜20。電阻體膜20由TiN或TiON形成。該電阻體膜20將第I連接電極12與第2連接電極13之間設(shè)為以線狀延伸的多根電阻體膜(以下稱為“電阻體膜線”)，在線方向上，電阻體膜線20有時(shí)會(huì)在規(guī)定的位置處被切斷。在電阻體膜線20上層疊作為布線膜21的鋁膜。在電阻體膜線20上沿著線方向隔著恒定間隔R而層疊有布線膜21。
[0321]若用電路符號(hào)表示該結(jié)構(gòu)的電阻體膜線20及布線膜21的電特征的話，則如圖34所示。S卩，如圖34(A)所示，規(guī)定間隔R的區(qū)域的電阻體膜線20的部分分別形成一定電阻值r的電阻體膜R。層疊有布線膜21的區(qū)域中，該布線膜21使電阻體膜線20短路。由此，形成圖34(B)所示的由電阻為r的電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻電路。
[0322]此外，相鄰的電阻體膜線20彼此通過電阻體膜20及布線膜21而被連接，因此圖33A所示的電阻電路網(wǎng)構(gòu)成圖34(C)所示的電阻電路。在此，簡單說明電阻電路網(wǎng)14的制造工藝。(I)熱氧化基板11的表面，形成作為絕緣層19的二氧化硅(SiO2)層。(2)然后，通過濺射，在絕緣層19上的整個(gè)面上形成TiN、TiON或TiSiON的電阻體膜20。(3)進(jìn)一步通過濺射，在電阻體膜20上層疊鋁(Al)的布線膜21。(4)然后，利用光刻工藝，例如通過干蝕刻來選擇性地去除布線膜21及電阻體膜20，如圖33A所示那樣，獲得俯視時(shí)隔著恒定間隔在列方向上排列了恒定寬度的電阻體膜線20及布線膜21的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，在一部分還會(huì)形成電阻體膜線20及布線膜21被切斷的區(qū)域。(5)接著，選擇性地去除層疊在電阻體膜線20上的布線膜21。其結(jié)果，獲得在電阻體膜線20上隔著恒定間隔R層疊了布線膜21的結(jié)構(gòu)。(6)然后，堆積作為保護(hù)膜的SiN膜22，進(jìn)一步在該膜22上層疊作為保護(hù)層的聚酰亞胺層23。
[0323]在該實(shí)施方式中，形成在基板11上的電阻電路網(wǎng)14所包含的電阻體膜R包括電阻體膜線20、和在電阻體膜線20上沿著線方向隔著恒定間隔被層疊的布線膜21，未層疊布線膜21的恒定間隔R部分的電阻體膜線20構(gòu)成I個(gè)電阻體膜R。構(gòu)成電阻體膜R的電阻體膜線20其形狀及大小完全相等。因此，基于在基板上制作的相同形狀且相同大小的電阻體膜成為幾乎相同電阻值的這一特性，在基板11上以矩陣狀排列的多個(gè)電阻體膜R具有相等的電阻值。
[0324]層疊在電阻體膜線20上的布線膜21劃分電阻體膜R的同時(shí)，還起到用于連接多個(gè)電阻體膜R而構(gòu)成電阻單位體的連接用布線膜的作用。圖35(A)是放大了圖32所示的貼片電阻器10的俯視圖的一部分的包括熔斷膜F的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖35(B)是表示沿著圖35㈧的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。
[0325]如圖35㈧、(B)所示，熔斷膜F也由層疊在電阻體膜20上的布線膜21形成。即，在與層疊在電阻體膜線20上的布線膜21相同的層，由與布線膜21相同的金屬材料、即鋁(Al)形成。另外，如前述那樣，為了形成電阻單位體，布線膜21還被用作電連接多個(gè)電阻體膜R的連接用布線膜21。
[0326]也就是說，在層疊在電阻體膜20上的同一層中，利用同一金屬材料(例如鋁)，通過相同的制造工藝(濺射及光刻工藝)，形成劃分電阻體膜R的布線膜、用于形成電阻單位體的連接用布線膜、用于構(gòu)成電阻電路網(wǎng)14的連接用布線膜、熔斷膜、以及用于將電阻電路網(wǎng)14連接到第I連接電極12和第2連接電極13的布線膜。由此，可簡化該貼片電阻器10的制造工藝，而且可利用共用的掩模同時(shí)形成各種布線膜。另外，還可以提高與電阻體膜20之間的校準(zhǔn)性。
[0327]圖36是示意性表示連接圖32所示的電阻電路網(wǎng)14中的多種電阻單位體的連接用布線膜C及熔斷膜F的排列關(guān)系、與連接到該連接用布線膜C及熔斷膜F上的多種電阻單位體之間的連接關(guān)系的圖。參照?qǐng)D36，第I連接電極12與包含在電阻電路網(wǎng)14中的基準(zhǔn)電阻單位體R8的一端連接?；鶞?zhǔn)電阻單位體R8由8個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成，其另一端與熔斷膜Fl連接。熔斷膜Fl和連接用布線膜C2連接了由64個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R64的一端及另一端。連接用布線膜C2和熔斷膜F4連接了由32個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R32的一端及另一端。熔斷膜F4和連接用布線膜C5連接了由32個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R32的一端及另一端。連接用布線膜C5和熔斷膜F6連接了由16個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R16的一端及另一端。熔斷膜F7及連接用布線膜C9連接了由8個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R8的一端及另一端。連接用布線膜C9及熔斷膜FlO連接了由4個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R4的一端及另一端。熔斷膜Fll及連接用布線膜C12連接了由2個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R2的一端及另一端。連接用布線膜C12及熔斷膜F13連接了由I個(gè)電阻體膜R構(gòu)成的電阻單位體Rl的一端及另一端。熔斷膜F13及連接用布線膜C15連接了由2個(gè)電阻體膜R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 2的一端及另一端。連接用布線膜C15及熔斷膜F16連接了由4個(gè)電阻體膜R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 4的一端及另一端。熔斷膜F16及連接用布線膜C18連接了由8個(gè)電阻體膜R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 8的一端及另一端。連接用布線膜C18及熔斷膜F19連接了由16個(gè)電阻體膜R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 16的一端及另一端。熔斷膜F19及連接用布線膜C22連接了由32個(gè)電阻體膜R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 32。
[0328]多個(gè)熔斷膜F及連接用布線膜C中，分別以直線狀配置熔斷膜F1、連接用布線膜C2、熔斷膜F3、熔斷膜F4、連接用布線膜C5、熔斷膜F6、熔斷膜F7、連接用布線膜C8、連接用布線膜C9、熔斷膜F10、熔斷膜F11、連接用布線膜C12、熔斷膜F13、熔斷膜F14、連接用布線膜C15、熔斷膜F16、熔斷膜F17、連接用布線膜C18、熔斷膜F19、熔斷膜F20、連接用布線膜C21、連接用布線膜C22來對(duì)它們進(jìn)行串聯(lián)連接。若各熔斷膜F被熔斷，則該熔斷后的位置和與熔斷膜F相鄰地連接的連接用布線膜C之間的電連接被切斷。
[0329]若用電路圖來表示該結(jié)構(gòu)的話，則如圖37。即，在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，電阻電路網(wǎng)14構(gòu)成設(shè)置在第I連接電極12與第2連接電極13之間的由8個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的基準(zhǔn)電阻單位體R8 (電阻值8r)的電阻電路。例如，若將I個(gè)電阻體R的電阻值r設(shè)為r = 80 Ω，則構(gòu)成通過8r = 640 Ω的電阻電路連接了第I連接電極12和第2連接電極13的貼片電阻器10。
[0330]另外，基準(zhǔn)電阻單位體R8以外的多種電阻單位體分別并聯(lián)連接了熔斷膜F，由于各熔斷膜F，這些多種電阻單位體處于短路的狀態(tài)。也就是說，基準(zhǔn)電阻單位體R8串聯(lián)連接了 12種13個(gè)電阻單位體R64?R / 32，各電阻單位體因與其并聯(lián)連接著的熔斷膜F而被短路，因此在電特性上，各電阻單位體未被組入電阻電路網(wǎng)14。
[0331]該實(shí)施方式的貼片電阻器10根據(jù)所要求的電阻值，選擇性地例如通過激光來熔斷熔斷膜F。由此，并聯(lián)連接著的熔斷膜F被熔斷的電阻單位體會(huì)被組入電阻電路網(wǎng)14中。由此，能夠提供一種使電阻電路網(wǎng)14整體的電阻值具有串聯(lián)連接與被熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體而被組成的電阻值的電阻電路網(wǎng)。
[0332]換言之，該實(shí)施方式的貼片電阻器10選擇性地熔斷與多種電阻單位體對(duì)應(yīng)地設(shè)置的熔斷膜，從而能夠?qū)⒍喾N電阻單位體(例如，若熔斷F1、F4、F13，則是電阻單位體R64、R32、Rl的串聯(lián)連接)組入電阻電路網(wǎng)中。并且，多種電阻單位體的電阻值分別已被決定，換言之只要以數(shù)字方式調(diào)整電阻電路網(wǎng)14的電阻值，就能夠設(shè)置成具有所要求的電阻值的貼片電阻器10。
[0333]此外，多種電阻單位體具備:具有相等的電阻值的電阻體膜R以I個(gè)、2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)、32個(gè)及64個(gè)這樣的等比數(shù)列增加電阻體膜R的個(gè)數(shù)而被串聯(lián)連接的多種串聯(lián)電阻單位體、和相等電阻值的電阻體膜R以2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)、及32個(gè)這樣的等比數(shù)列增加電阻體膜R的個(gè)數(shù)而被并聯(lián)連接的多種并聯(lián)電阻單位體，它們以因熔斷膜F而被短路的狀態(tài)串聯(lián)連接著，因此通過選擇性地熔斷熔斷膜F，能夠?qū)㈦娮桦娐肪W(wǎng)14整體的電阻值在較小的電阻值到較大的電阻值的較寬的范圍內(nèi)設(shè)定為任意的電阻值。
[0334]圖38是第2參考例的另一實(shí)施方式的貼片電阻器30的俯視圖，表示了第I連接電極12、第2連接電極13及電阻電路網(wǎng)4的配置關(guān)系、以及電阻電路網(wǎng)14的俯視時(shí)的結(jié)構(gòu)。貼片電阻器30與前述的貼片電阻器10的不同點(diǎn)在于電阻電路網(wǎng)14中的電阻體膜R的連接方式。即，貼片電阻器30的電阻電路網(wǎng)14包括在基板上以矩陣狀排列的具有相等的電阻值的多個(gè)電阻體膜R(在圖38的結(jié)構(gòu)中，沿著行方向(基板的長邊方向)排列了 8個(gè)電阻體膜R，沿著列方向(基板的寬度方向)排列了 44個(gè)電阻體膜R，由共計(jì)352個(gè)電阻體膜R構(gòu)成)。并且，這些多個(gè)電阻體膜R的I個(gè)?128個(gè)被電連接，形成多種電阻單位體。通過作為電路網(wǎng)連接單元的布線膜及熔斷膜F以并聯(lián)方式連接著所形成的多種電阻單位體。沿著第2連接電極13的內(nèi)側(cè)邊按照配置區(qū)域呈直線狀的方式排列多個(gè)熔斷膜F，若熔斷膜F被熔斷，則從電阻電路網(wǎng)14電分離與熔斷膜F連接的電阻單位體。
[0335]另外，由于構(gòu)成電阻電路網(wǎng)14的多個(gè)電阻體膜R的結(jié)構(gòu)、連接用布線膜、熔斷膜F的結(jié)構(gòu)與之前說明過的貼片電阻器10中的對(duì)應(yīng)部位的結(jié)構(gòu)相同，因此在此省略說明。圖39是示意性表示圖38所示的電阻電路網(wǎng)中的多種電阻單位體的連接方式、連接多種電阻單位體的熔斷膜F的排列關(guān)系、以及連接在熔斷膜F上的多種電阻單位體的連接關(guān)系的圖。
[0336]參照?qǐng)D39，第I連接電極12連接了包含在電阻電路網(wǎng)14中的基準(zhǔn)電阻單位體R / 16的一端?；鶞?zhǔn)電阻單位體R / 16由16個(gè)電阻體膜R的并聯(lián)連接構(gòu)成，其另一端被連接到連接著余下的電阻單位體的連接用布線膜C。熔斷膜Fl和連接用布線膜C連接了由128個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R128的一端及另一端。熔斷膜F5和連接用布線膜C連接了由64個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R64的一端及另一端。熔斷膜F6和連接用布線膜C連接了由32個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R32的一端及另一端。熔斷膜F7和連接用布線膜C連接了由16個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R16的一端及另一端。熔斷膜F8和連接用布線膜C連接了由8個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R8的一端及另一端。熔斷膜F9和連接用布線膜C連接了由4個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R4的一端及另一端。熔斷膜FlO和連接用布線膜C連接了由2個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R2的一端及另一端。熔斷膜Fll和連接用布線膜C連接了由I個(gè)電阻體膜R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體Rl的一端及另一端。熔斷膜F12和連接用布線膜C連接了由2個(gè)電阻體膜R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 2的一端及另一端。熔斷膜F13和連接用布線膜C連接了由4個(gè)電阻體膜R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 4的一端及另一端。熔斷膜F14、F15、F16被電連接，這些熔斷膜F14、F15、F16和連接用布線膜C連接了由8個(gè)電阻體膜R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 8的一端及另一端。熔斷膜F17、F18、F19、F20、F21被電連接，這些熔斷膜F17?F21和連接用布線膜C連接了由16個(gè)電阻體膜R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 16的一端及另一端。
[0337]熔斷膜F具備熔斷膜Fl?F21的21個(gè)熔斷膜，它們?nèi)颗c第2連接電極13連接著。由于是這種構(gòu)成，因此若連接著電阻單位體的一端的任一個(gè)熔斷膜F被熔斷，則可從電阻電路網(wǎng)14電切離一端與該熔斷膜F連接著的電阻單位體。
[0338]用電路圖表示圖39的結(jié)構(gòu)、即貼片電阻器30所具備的電阻電路網(wǎng)14的結(jié)構(gòu)的話，則如圖40。在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，電阻電路網(wǎng)14在第I連接電極12和第2連接電極13之間，構(gòu)成基準(zhǔn)電阻單位體R / 16、與12種電阻單位體R / 16、R / 8、R / 4、R / 2、R1、R2、R4、R8、R16、R32、R64、R128的并聯(lián)連接電路之間的串聯(lián)連接電路。
[0339]并且，基準(zhǔn)電阻單位體R / 16以外的12種電阻單位體分別串聯(lián)連接了熔斷膜F。由此，在具有該電阻電路網(wǎng)14的貼片電阻器30中，根據(jù)所要求的電阻值，若選擇性地例如通過激光熔斷熔斷膜F，則從電阻電路網(wǎng)14電分離與被熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體(串聯(lián)連接了熔斷膜F的電阻單位體)，能夠調(diào)整貼片電阻器10的電阻值。
[0340]換言之，該實(shí)施方式的貼片電阻器30也能夠通過選擇性地熔斷與多種電阻單位體對(duì)應(yīng)地設(shè)置的熔斷膜，從電阻電路網(wǎng)電分離多種電阻單位體。并且，多種電阻單位體各自的電阻值已被決定，因此只要以數(shù)字方式調(diào)整電阻電路網(wǎng)14的電阻值就能夠設(shè)置成具有所要求的電阻值的貼片電阻器30。
[0341]此外，多種電阻單位體具備:具有相等的電阻值的電阻體膜R以I個(gè)、2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)、32個(gè)、64個(gè)及128個(gè)這樣的等比數(shù)列增加電阻體膜R的個(gè)數(shù)而被串聯(lián)連接的多種串聯(lián)電阻單位體、和相等電阻值的電阻體膜R以2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)及16個(gè)這樣的等比數(shù)列增加電阻體膜R的個(gè)數(shù)而被并聯(lián)連接的多種并聯(lián)電阻單位體，因此通過選擇性地熔斷熔斷膜F，能夠?qū)㈦娮桦娐肪W(wǎng)14整體的電阻值較細(xì)致地以數(shù)字方式設(shè)定為任意的電阻值。
[0342]但是，在前述的圖32所示的貼片電阻器10中的被虛線包圍的A的區(qū)域、以及在圖38所示的貼片電阻器30中的被虛線包圍的B的區(qū)域中，布線膜和電阻體膜R形成了所謂的梳齒形狀的連接方式。由此，若與連接用布線膜以梳齒狀并聯(lián)連接多個(gè)電阻體膜R，則電阻體膜R整體的電阻值變小，不能忽略布線膜自身電阻值的影響。因此，在該區(qū)域中，如圖41所示，只要將布線膜21設(shè)為層疊雙層結(jié)構(gòu)(在布線膜21上層疊了布線膜29的結(jié)構(gòu))，減少該部分的布線膜21、29的電阻值，使得該部分的布線膜21、29的電阻值不會(huì)影響電阻電路網(wǎng)整體即可。
[0343]在將連接用布線膜整體設(shè)為層疊雙層結(jié)構(gòu)的情況下，熔斷膜F的部分也成為雙層結(jié)構(gòu)，熔斷膜F的厚度增加，有可能難以通過激光來熔斷熔斷膜F。因此，只要至少將除了熔斷膜F以外的連接用布線膜在整個(gè)區(qū)域內(nèi)設(shè)為層疊雙層結(jié)構(gòu)來降低其電阻值即可。熔斷膜F的區(qū)域中，布線膜21是單層結(jié)構(gòu)，因此作為制造工藝，可在電阻體膜20上層疊鋁的布線膜21，利用光刻工藝，將布線膜21及電阻體膜20構(gòu)成為規(guī)定的圖案之后，將構(gòu)成被圖案化的熔斷膜F的區(qū)域設(shè)置成掩模，通過濺射在布線膜21上層疊第2層金屬布線膜，從而形成熔斷膜F的區(qū)域。
[0344]或者，也可以是對(duì)電阻電路網(wǎng)14進(jìn)行圖案化之后僅在期望的區(qū)域(例如梳齒形狀部)的布線膜上層疊第2層導(dǎo)體膜(布線膜29)的結(jié)構(gòu)。另外，在設(shè)置為層疊布線結(jié)構(gòu)的情況下，可以將第I層(下層)21的布線材料例如設(shè)為Al，將第2層(上層)29的布線材料設(shè)為與第I層21相同的布線材料Al，或者也可以將兩層的布線材料設(shè)為其他的布線材料(例如Cu)。
[0345]但是，在圖40所示的電路中，對(duì)于基準(zhǔn)電阻單位體R/16及被并聯(lián)連接的電阻單位體中的電阻值小的電阻單位體而言，有可能會(huì)有過電流流過，在設(shè)定電阻時(shí)，必須要將流過電阻的額定電流設(shè)計(jì)得較大。因此，為了使電流分散，也可以變更電阻電路網(wǎng)的連接結(jié)構(gòu)，使得圖40所示的電路成為圖42(A)所示的電路結(jié)構(gòu)。即，變更為如下的電路:刪除基準(zhǔn)電阻單位體R/16，被并聯(lián)連接的電阻單位體中，將最小的電阻值設(shè)為r，包括將電阻值為r的電阻單位體Rl并聯(lián)連接多組而得到的結(jié)構(gòu)140。圖42(B)是表示了具體的電阻值的電路圖，是包括將80Ω的電阻單位體和熔斷膜F的串聯(lián)連接并聯(lián)連接成多組而得到的結(jié)構(gòu)140的電路。由此，能夠?qū)崿F(xiàn)流經(jīng)電流的分散。
[0346]圖43是用電路圖表示了第2參考例的又一實(shí)施方式的貼片電阻器所具備的電阻電路網(wǎng)14的電路結(jié)構(gòu)的圖。圖43所示的電阻電路網(wǎng)14的特征是成為了如下的電路結(jié)構(gòu):串聯(lián)連接了多種電阻單位體的串聯(lián)連接、和多種電阻單位體的并聯(lián)連接。在被串聯(lián)連接的多種電阻單位體中，與之前的實(shí)施方式相同，各電阻單位體并聯(lián)連接了熔斷膜F，被串聯(lián)連接的多種電阻單位體通過熔斷膜F而全部呈短路狀態(tài)。因此，若熔斷熔斷膜F，則在電特性上，因該熔斷膜F而處于短路狀態(tài)的電阻單位體會(huì)被組入電阻電路網(wǎng)14中。
[0347]另一方面，被并聯(lián)連接的多種電阻單位體分別串聯(lián)連接著熔斷膜F。因此，通過熔斷熔斷膜F，能夠從電阻單位體的并聯(lián)連接電切離串聯(lián)連接著熔斷膜F的電阻單位體。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，例如，可在并聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以下的小電阻，并在串聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以上的電阻電路。因此，能夠使用由相等的基本設(shè)計(jì)構(gòu)成的電阻電路網(wǎng)14來生成電阻值在幾Ω到幾ΜΩ的大范圍內(nèi)變化的電阻電路。
[0348]此外，在更高精度地設(shè)定電阻值的情況下，若預(yù)先切斷接近所要求的電阻值的串聯(lián)連接側(cè)電阻電路的熔斷膜，則可通過熔斷并聯(lián)連接側(cè)的電阻電路的熔斷膜來進(jìn)行細(xì)致的電阻值的調(diào)整，可提高與期望的電阻值之間的匹配性的精度。圖44是表示具有10 Ω?1ΜΩ的電阻值的貼片電阻器中的電阻電路網(wǎng)14的具體的結(jié)構(gòu)例的電路圖。
[0349]圖44所示的電阻電路網(wǎng)14也是對(duì)因熔斷膜F而處于短路狀態(tài)的多種電阻單位體的串聯(lián)連接、和因熔斷膜F而處于串聯(lián)連接狀態(tài)的多種電阻單位體的并聯(lián)連接進(jìn)行了串聯(lián)連接的電路結(jié)構(gòu)。根據(jù)圖44的電阻電路，在并聯(lián)連接側(cè)，能夠在精度1%以內(nèi)設(shè)定10?IkQ的任意的電阻值。此外，可通過串聯(lián)連接側(cè)的電路，在精度1%以內(nèi)設(shè)定Ik?1ΜΩ的任意的電阻值。在使用串聯(lián)連接側(cè)的電路的情況下，預(yù)先熔斷接近期望的電阻值的電阻單位體的熔斷膜F，使得與期望的電阻值匹配，具有能夠更高精度地設(shè)定電阻值的優(yōu)點(diǎn)。
[0350]圖45是表示在上述的貼片電阻器中組入了其他電路的電子設(shè)備I的電路結(jié)構(gòu)的圖。電子設(shè)備I例如串聯(lián)連接了二極管55和電阻電路網(wǎng)14。該電子設(shè)備I是包括二極管55的片型電子設(shè)備。另外，并不限于如該例的貼片型，作為具有上述的電阻電路網(wǎng)14的電子設(shè)備，也可以應(yīng)用第2參考例?！吹?參考例的發(fā)明> (I)第3參考例的發(fā)明的特征例如，第I參考例的發(fā)明的特征是以下的Cl?CU。(Cl) 一種貼片部件，包括:基板，具有元件形成面和與該元件形成面正交的多個(gè)側(cè)面；在所述基板上形成的電路元件；以及在所述基板上形成的外部連接電極，所述基板在俯視時(shí)具有表示貼片方向的非對(duì)稱的外形。
[0351]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，只要將貼片部件中的基板的外形設(shè)置為俯視時(shí)呈非對(duì)稱，就能夠識(shí)別貼片部件的貼片方向。也就是說，無需標(biāo)識(shí)工序，通過貼片部件的外形就能夠識(shí)別貼片方向。(C2)根據(jù)Cl記載的貼片部件，所述非對(duì)稱的外形在所述側(cè)面中的一邊上具有表示所述貼片方向的凹部或凸部。
[0352]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可將連接具有凹部或凸部的一邊、和該一邊的相反側(cè)的一邊的方向上的凹部或凸部側(cè)作為貼片方向。(C3)根據(jù)C2記載的貼片部件，所述凹部或凸部配置在偏離了所述一邊的中點(diǎn)的位置上。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，還可將該一邊延伸的方向上的凹部或凸部側(cè)作為貼片方向。(C4)根據(jù)C2或C3記載的貼片部件，所述凹部或凸部是矩形狀或U字狀。
[0353]可簡單地形成矩形狀或U字狀的簡單形狀的凹部或凸部。(C5)根據(jù)C2?C4的任一項(xiàng)記載的貼片部件，還包括覆蓋所述元件形成面及多個(gè)側(cè)面的保護(hù)膜。(C6)根據(jù)C5記載的貼片部件，所述保護(hù)膜在所述側(cè)面還覆蓋形成有所述凹部或凸部的部分。(C7)根據(jù)C2?C6的任一項(xiàng)記載的貼片部件，在所述側(cè)面，所述凹部或凸部中的角部被倒角。
[0354]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠防止在角部產(chǎn)生碎片(缺陷)。(CS)根據(jù)Cl?C7的任一項(xiàng)記載的貼片部件，所述貼片方向是與所述外部連接電極的極性對(duì)應(yīng)的方向。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過貼片方向就能夠表示外部連接電極的極性，因此能夠通過貼片部件的外觀掌握該極性。(C9)根據(jù)CS記載的貼片部件，所述電路元件包括二極管或電容器。(ClO) —種貼片部件的制造方法，包括:在基板的元件形成面形成電路元件的工序；利用等離子蝕刻在所述基板形成與所述元件形成面正交的多個(gè)側(cè)面，并且在所述多個(gè)側(cè)面中的一邊上形成表示貼片方向的凹部或凸部的工序。
[0355]根據(jù)該方法，可將基板的外形設(shè)置成由凹部或凸部表示貼片方向的非對(duì)稱形，因此能夠制造無需標(biāo)識(shí)工序就能夠識(shí)別貼片方向的貼片部件。(Cll) 一種貼片部件的制造方法，包括:在基板的元件形成面形成電路元件的工序；在所述基板形成與所述元件形成面正交的多個(gè)側(cè)面，并且在所述多個(gè)側(cè)面中的一邊上形成表示貼片方向的凹部或凸部的工序。
[0356]根據(jù)該方法，可將基板的外形設(shè)置成由凹部或凸部表示貼片方向的非對(duì)稱形，因此能夠制造無需標(biāo)識(shí)工序就能夠識(shí)別貼片方向的貼片部件。(2)第3參考例的發(fā)明的實(shí)施方式以下，參照附圖詳細(xì)說明第3參考例的實(shí)施方式。另外，圖47?圖61中示出的符號(hào)僅在這些附圖中有效，即使在其他實(shí)施方式中使用也不會(huì)表示與該其他實(shí)施方式的符號(hào)相同的要素。
[0357]圖47(a)是用于說明第3參考例的一實(shí)施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖47(b)是表示在電路基板安裝了電子設(shè)備的狀態(tài)的示意性側(cè)視圖。該電子設(shè)備I是微小的貼片部件，如圖47(a)所示，呈長方體形狀。關(guān)于電子設(shè)備I的尺寸，長邊方向的長度L約為0.3mm,短邊方向的寬度W約為0.15mm,厚度T約為0.1mm。
[0358]在晶片上以格子狀形成多個(gè)電子設(shè)備I之后切斷晶片來分離成各個(gè)電子設(shè)備1，由此得到了該電子設(shè)備I。電子設(shè)備I主要具備基板2、成為外部連接電極的第I連接電極3和第2連接電極4、和元件5。這些第I連接電極3、第2連接電極4及元件5例如通過半導(dǎo)體制造工藝而形成在基板2上。因此，作為基板2，可以使用硅基板(硅晶片)等半導(dǎo)體基板(半導(dǎo)體晶片)。另外，基板2也可以是絕緣基板等其他種類的基板。
[0359]基板2是大致長方體的片形狀。在基板2中，圖47(a)中的上表面是元件形成面2A。元件形成面2A是基板2的表面，大致是長方形狀。在基板2的厚度方向與上元件形成面2A相反一側(cè)的面是背面2B。元件形成面2A和背面2B幾乎是相同形狀。此外，基板2除了元件形成面2A及背面2B以外，還具有與這些面正交而延伸的側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F。
[0360]側(cè)面2C架設(shè)在元件形成面2A及背面2B中的長邊方向一端邊緣(圖47(a)中的左前側(cè)的邊緣)之間，側(cè)面2D架設(shè)在元件形成面2A及背面2B中的長邊方向另一端邊緣(圖47(a)中的右方紙面內(nèi)側(cè)的邊緣)之間。側(cè)面2C及側(cè)面2D是該長邊方向上的基板2的兩個(gè)端面。側(cè)面2E架設(shè)在元件形成面2A及背面2B中的短邊方向一端邊緣(圖47(a)中的左方紙面內(nèi)側(cè)的邊緣)之間，側(cè)面2F架設(shè)在元件形成面2A及背面2B中的短邊方向另一端邊緣(圖47 (a)中的右前側(cè)的邊緣)之間。側(cè)面2E及側(cè)面2F是該短邊方向上的基板2的兩個(gè)端面。
[0361]在基板2中，由保護(hù)膜23覆蓋元件形成面2A、側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F。因此，嚴(yán)格來講，在圖47(a)中，元件形成面2A、側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F位于保護(hù)膜23的內(nèi)側(cè)(背面?zhèn)?，并未露出在外部。另外，元件形成面2A上的保護(hù)膜23被樹脂膜24覆蓋著。樹脂膜24從元件形成面2A突出到側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F分別在元件形成面2A側(cè)的端部為止(圖47 (a)中的上端部)。將在后面詳細(xì)敘述保護(hù)膜23及樹脂膜24。
[0362]在基板2中，相當(dāng)于大致長方形的元件形成面2A的一邊A(側(cè)面2C、2D、2E及2F中的任一個(gè)，在此如后述那樣是側(cè)面2C)的部分中，形成有在厚度方向上切缺基板2的凹部10。一邊A也是俯視時(shí)的電子設(shè)備I的一邊。圖47(a)中的凹部10形成在側(cè)面2C，沿著基板2的厚度方向延伸且凹向側(cè)面2D側(cè)。凹部10在厚度方向上貫通基板2，該厚度方向上的凹部10的端部分別從元件形成面2A及背面2B露出。凹部10在側(cè)面2C延伸的方向(前述的短邊方向)上小于側(cè)面2C。從厚度方向(也是電子設(shè)備I的厚度方向)觀察基板2時(shí)的俯視時(shí)的凹部10的形狀是長邊位于所述短邊方向上的長方形狀(矩形狀)。另外，俯視時(shí)的凹部10的形狀可以是寬度朝向凹部10凹入的方向(側(cè)面2D側(cè))變窄的梯形狀，也可以是朝向凹入的方向變細(xì)的三角形狀，還可以是U字形狀(凹成U字的形狀)。無論如何，只要是這種簡單形狀的凹部10，就能夠簡單地形成。此外，凹部10在此形成在側(cè)面2C，但是也可以不形成在側(cè)面2C，而是形成在側(cè)面2C?2F中的至少I個(gè)側(cè)面上。
[0363]在將電子設(shè)備I安裝于電路基板9 (參照?qǐng)D47(b))時(shí)，凹部10表示電子設(shè)備I的朝向(貼片方向)。俯視時(shí)的電子設(shè)備I (嚴(yán)格來講，基板2)的輪廓是在一邊A上具有凹部10的矩形，因此在長邊方向上具有非對(duì)稱的外形。也就是說，該非對(duì)稱的外形在側(cè)面2C、2D、2E及2F中的任一個(gè)側(cè)面(一邊A)上具有表示貼片方向的凹部10，電子設(shè)備I通過該非對(duì)稱的外形，能夠表示長邊方向上的凹部側(cè)就是貼片方向。由此，只要將電子設(shè)備I中的基板2的外形設(shè)置成俯視時(shí)呈非對(duì)稱，就能夠識(shí)別電子設(shè)備I的貼片方向。也就是說，無需標(biāo)識(shí)工序，通過電子設(shè)備I的外形也能夠識(shí)別貼片方向。特別是，電子設(shè)備I的非對(duì)稱外形是在一邊A具有表示貼片方向的凹部10的矩形，因此在電子設(shè)備I中，能夠?qū)⑦B接一邊A和相反側(cè)的一邊B的長邊方向上的凹部10側(cè)設(shè)為貼片方向。因此，例如，使得俯視時(shí)電子設(shè)備I的長邊方向與左右方向一致，此時(shí)，當(dāng)一邊A位于左端時(shí)就能夠正確地在電路基板9安裝電子設(shè)備1，由此在安裝時(shí)，通過凹部10，從電子設(shè)備I的外觀就能夠掌握使電子設(shè)備I的朝向匹配成在俯視時(shí)一邊A位于左端。
[0364]并且，在長方體的基板2中，側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F中構(gòu)成相鄰的彼此的邊界的角部(相鄰部分彼此交叉的部分)11被整形為被倒角后的圓形狀(呈圓弧)。此外，在基板2中，構(gòu)成凹部10與凹部10的周邊側(cè)面2C之間的邊界的角部(側(cè)面2C中的凹部10的角部)12也被整形為被倒角后的圓形狀。在此，角部12不僅存在于凹部10與其周邊的側(cè)面2C(凹部10以外的部分)之間的邊界，還存在于凹部10的最深部側(cè)，俯視時(shí)有4處。
[0365]由此，在俯視時(shí)的基板2的輪廓中，彎曲的部分(角部11、12)都是圓形狀。因此，在圓形狀中的角部11 > 12中能夠防止碎片的廣生。由此，在制造電子設(shè)備I時(shí)，能夠提聞成品率(生產(chǎn)率的提高)。第I連接電極3和第2連接電極4形成在基板2的元件形成面2A上，一部分從樹脂膜24露出。例如按Ni(鎳)、Pd(鈀)及Au(金)的順序?qū)⑦@些金屬層疊在元件形成面2A上而構(gòu)成第I連接電極3和第2連接電極4。在元件形成面2A的長邊方向上隔著間隔而配置第I連接電極3和第2連接電極4，這些電極的長邊位于元件形成面2A的短邊方向。圖47 (a)中，在元件形成面2A中，在偏向側(cè)面2C的位置處設(shè)有第I連接電極3，在偏向側(cè)面2D的位置處設(shè)有第2連接電極4。前述的側(cè)面2C的凹部10的深度不會(huì)干擾第I連接電極3。但是，也可以根據(jù)情況，根據(jù)凹部10而在第I連接電極3中也設(shè)置凹部(成為凹部10的一部分)。
[0366]元件5是電路元件，形成在基板2的元件形成面2A中的第I連接電極3與第2連接電極4之間的區(qū)域內(nèi)，其上面被保護(hù)膜23及樹脂膜24覆蓋著。該實(shí)施方式的元件5是由電路網(wǎng)構(gòu)成的電阻56，其中，在元件形成面2A上以矩陣狀排列由TiN(氮化鈦)或TiON(氧氮化鈦)構(gòu)成的多個(gè)薄膜狀的電阻體(薄膜電阻體)R而形成了電路網(wǎng)。元件5與后述的布線膜22相連，經(jīng)由布線膜22而與第I連接電極3和第2連接電極4連接。由此，在電子設(shè)備I中，在第I連接電極3與第2連接電極4之間形成有由元件5構(gòu)成的電阻電路。因此，該實(shí)施方式的電子設(shè)備I成為貼片電阻器。
[0367]如圖47 (b)所示，使第I連接電極3和第2連接電極4與電路基板9對(duì)置，通過焊料13以電及機(jī)械方式連接到電路基板9的電路(未圖示)上，從而能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I倒裝連接到電路基板9。另外，對(duì)于起到外部連接電極作用的第I連接電極3和第2連接電極4而言，為了提高焊料潤濕性及可靠性，優(yōu)選由金(Au)形成、或在表面實(shí)施鍍金。
[0368]圖48是電子設(shè)備的俯視圖，是表示第I連接電極、第2連接電極及元件的配置關(guān)系以及俯視元件時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。參照?qǐng)D48，成為電阻電路網(wǎng)的元件5作為一例而具有由沿著行方向(基板2的長邊方向)排列的8個(gè)電阻體R、和沿著列方向(基板2的寬度方向)排列的44個(gè)電阻體R構(gòu)成的共計(jì)352個(gè)電阻體R。各個(gè)電阻體R具有相等的電阻值。
[0369]這些多個(gè)電阻體R按I個(gè)?64個(gè)的規(guī)定個(gè)數(shù)被組合電連接，從而形成了多種電阻單位體(單位電阻)。所形成的多種電阻單位體經(jīng)由連接用導(dǎo)體膜C而以規(guī)定的方式被連接著。另外，為了在基板2的元件形成面2A向元件5電組入電阻單位體、或從元件5電分離電阻單位體，設(shè)有可熔斷的多個(gè)熔斷膜F。沿著第2連接電極4的內(nèi)側(cè)邊以配置區(qū)域成為直線狀的方式排列了多個(gè)熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C。更具體而言，以直線狀配置了多個(gè)熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C。
[0370]圖49A是放大了圖48所示的元件的一部分的俯視圖。圖49B是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖49A的B-B的長度方向的縱向截面圖。圖49C是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖49A的C-C的寬度方向的縱向截面圖。參照?qǐng)D49A、圖49B及圖49C來說明電阻體R的結(jié)構(gòu)。
[0371]電子設(shè)備I除了前述的布線膜22、保護(hù)膜23及樹脂膜24以外，還具備絕緣膜20和電阻體膜21 (參照?qǐng)D49B及圖49C)。絕緣膜20、電阻體膜21、布線膜22、保護(hù)膜23及樹脂膜24形成在基板2 (元件形成面2A)上。絕緣膜20由SiO2 (二氧化硅)構(gòu)成。絕緣膜20覆蓋著基板2的元件形成面2A的整個(gè)區(qū)域。絕緣膜20的厚度約為丨0000A。
[0372]電阻體膜21構(gòu)成電阻體R。電阻體膜21由TiN或TiON構(gòu)成，且被層疊在絕緣膜20的表面上。電阻體膜21的厚度約為2000Λ。電阻體膜21構(gòu)成在第I連接電極3與第2連接電極4之間以線狀延伸的多根線(以下稱為“電阻體膜線21A”)，電阻體膜線21A有時(shí)會(huì)在線方向上的規(guī)定位置處被切斷(參照?qǐng)D49A)。
[0373]在電阻體膜線21A上層疊有布線膜22。布線膜22由Al (鋁)或鋁與Cu(銅)的合金(AlCu合金)構(gòu)成。布線膜22的厚度約為80001在電阻體膜線21A上沿著線方向隔著恒定間隔R層疊有布線膜22。用電路符號(hào)表示該結(jié)構(gòu)的電阻體膜線21A及布線膜22的電特征的話，則如圖50。S卩，如圖50(a)所示，規(guī)定間隔R的區(qū)域的電阻體膜線21A部分分別形成具有一定電阻值r的I個(gè)電阻體R。
[0374]并且，在層疊有布線膜22的區(qū)域中，通過電連接布線膜22相鄰的電阻體R彼此，從而因該布線膜22使得電阻體膜線21A短路。因此，形成由圖50(b)所示的電阻r的電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻電路。此外，相鄰的電阻體膜線21A彼此通過電阻體膜21及布線膜22而連接著，因此圖49A所示的元件5的電阻電路網(wǎng)構(gòu)成圖50 (c)所示的(由前述的電阻體R的單位電阻構(gòu)成)電阻電路。
[0375]在此，基于在基板2上制造的相同形狀且相同大小的電阻體膜21成為大致相同的電阻值的這一特性，在基板2上以矩陣狀排列的多個(gè)電阻體R具有相等的電阻值。此外，層疊在電阻體膜線21A上的布線膜22形成電阻體R，并且還起到連接多個(gè)電阻體R而構(gòu)成電阻單位體的連接用布線膜的作用。
[0376]圖51(a)是放大了圖48所示的電子設(shè)備的俯視圖的一部分的包括熔斷膜在內(nèi)的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖51(b)是表示沿著圖51 (a)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。如圖51 (a)及(b)所示，前述的熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C也由在形成電阻體R的電阻體膜21上被層疊的布線膜22形成。即，在與層疊于形成電阻體R的電阻體膜線21A上的布線膜22相同的層上，通過與布線膜22相同的金屬材料、即Al或AlCu合金來形成熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C。
[0377]也就是說，在層疊于電阻體膜21上的同一層上，利用同一金屬材料(Al或AlCu合金)通過相同的制造工藝(后述的濺射及光刻工藝)而形成用于形成電阻體R的布線膜、熔斷膜F、連接用導(dǎo)體膜C、以及用于將元件5連接到第I連接電極3和第2連接電極4的布線膜，作為布線膜22。
[0378]另外，熔斷膜F除了是布線膜22的一部分外，也可以指電阻體R(電阻體膜21)的一部分與電阻體膜21上的布線膜22的一部分的總稱(熔絲元件)。此外，僅說明了熔斷膜F使用與連接用導(dǎo)體膜C相同的層的情況，但是也可以在連接用導(dǎo)體膜C部分之上進(jìn)一步層疊其他導(dǎo)體膜，從而降低導(dǎo)體膜的電阻值。另外，此時(shí)，只要不在熔斷膜F上層疊導(dǎo)體膜，就不會(huì)使熔斷膜F的熔斷性惡化。
[0379]圖52是第3參考例的實(shí)施方式的元件的電路圖。參照?qǐng)D52，元件5通過從第I連接電極3開始將基準(zhǔn)電阻單位體R8、電阻單位體R64、兩個(gè)電阻單位體R32、電阻單位體R16、電阻單位體R8、電阻單位體R4、電阻單位體R2、電阻單位體R1、電阻單位體R / 2、電阻單位體R / 4、電阻單位體R / 8、電阻單位體R / 16、電阻單位體R / 32按照這樣的順序串聯(lián)連接而構(gòu)成?；鶞?zhǔn)電阻單位體R8及電阻單位體R64~R2分別串聯(lián)連接與自身后綴數(shù)(R64時(shí)是“64”)相同數(shù)量的電阻體R而構(gòu)成。電阻單位體Rl由I個(gè)電阻體R構(gòu)成。電阻單位體R / 2~R / 32分別并聯(lián)連接與自身后綴數(shù)(R / 32時(shí)是“32”)相同數(shù)量的電阻體R而構(gòu)成。電阻單位體的后綴數(shù)的意思在后述的圖53及圖54中也是相同的。
[0380]并且，分別對(duì)基準(zhǔn)電阻單位體R8以外的電阻單位體R64~電阻單位體R / 32并聯(lián)連接I個(gè)熔斷膜F。熔斷膜F彼此直接或經(jīng)由連接用導(dǎo)體膜C(參照?qǐng)D51(a))而被串聯(lián)連接著。如圖52所示，在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，元件5構(gòu)成由設(shè)置在第I連接電極3與第2連接電極4之間的8個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的基`準(zhǔn)電阻單位體R8 (電阻值8r)的電阻電路。例如，若將I個(gè)電阻體R的電阻值r設(shè)為r = 80Ω，則通過8r = 64Ω的電阻電路來構(gòu)成連接了第I連接電極3和第2連接電極4的貼片電阻器(電子設(shè)備I)。
[0381]此外，在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，基準(zhǔn)電阻單位體R8以外的多種電阻單位體呈被短路的狀態(tài)。也就是說，基準(zhǔn)電阻單位體R8串聯(lián)連接了 12種13個(gè)電阻單位體R64~R / 32，但由于各電阻單位體分別因與其并聯(lián)連接的熔斷膜F而成為短路狀態(tài)，因此在電特性上，各電阻單位體未被組入元件5中。
[0382]在該實(shí)施方式的電子設(shè)備I中，根據(jù)所要求的電阻值，選擇性地例如通過激光來熔斷熔斷膜F。由此，熔斷了并聯(lián)連接著的熔斷膜F的電阻單位體被組入元件5中。由此，能夠?qū)⒃?整體的電阻值設(shè)為與所熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體被串聯(lián)連接后組成的電阻值。
[0383]特別是，多種電阻單位體具備:具有相等的電阻值的電阻體膜R以I個(gè)、2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)、32個(gè)…這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而串聯(lián)連接了這些電阻體R的多種串聯(lián)電阻單位體、和相等電阻值的電阻體R以2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)及16個(gè)…這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而并聯(lián)連接了這些電阻體R的多種并聯(lián)電阻單位體。因此，通過選擇性地熔斷熔斷膜F (還包括前述的熔絲元件)，能夠?qū)⒃? (電阻56)整體的電阻值較細(xì)致地以數(shù)字方式調(diào)整為任意的電阻值，在電子設(shè)備I中能夠產(chǎn)生期望值的電阻。
[0384]圖53是第3參考例的其他實(shí)施方式的元件的電路圖。如前述那樣，代替串聯(lián)連接基準(zhǔn)電阻單位體R8及電阻單位體R64~電阻單位體R / 32來構(gòu)成元件5的情況，也可以如圖53所示那樣構(gòu)成元件5。詳細(xì)而言，在第I連接電極3和第2連接電極4之間，也可以通過基準(zhǔn)電阻單位體R / 16、與12種電阻單位體R / 16、R / 8、R / 4、R / 2、R1、R2、R4、R8、R16、R32、R64、Rl28的并聯(lián)連接電路之間的串聯(lián)連接電路而構(gòu)成元件5。[0385]此時(shí)，基準(zhǔn)電阻單位體R / 16以外的12種電阻單位體分別串聯(lián)連接著熔斷膜F。在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，在電特性上各電阻單位體都被組入元件5中。根據(jù)所要求的電阻值，若選擇性地例如通過激光來熔斷熔斷膜F，則可從元件5電分離與所熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體(串聯(lián)連接了熔斷膜F的電阻單位體)，因此能夠調(diào)整電子設(shè)備I整體的電阻值。
[0386]圖54是表示第3參考例的又一實(shí)施方式的元件的電路圖。圖54所示的元件5的特征是成為了對(duì)多種電阻單位體的串聯(lián)連接和多種電阻單位體的并聯(lián)連接進(jìn)行了串聯(lián)連接的電路結(jié)構(gòu)。與之前的實(shí)施方式相同，對(duì)被串聯(lián)連接的多種電阻單位體按每個(gè)電阻單位體并聯(lián)連接著熔斷膜F，通過所有熔斷膜F，使被串聯(lián)連接的多種電阻單位體成為短路狀態(tài)。因此，若熔斷熔斷膜F，則在電特性上，因該被熔斷的熔斷膜F而處于短路狀態(tài)的電阻單位體被組入元件5中。
[0387]另一方面，被并聯(lián)連接的多種電阻單位體分別串聯(lián)連接著熔斷膜F。因此，通過熔斷熔斷膜F，能夠從電阻單位體的并聯(lián)連接中電切離被熔斷的熔斷膜F串聯(lián)連接的電阻單位體。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，例如，在并聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以下的小電阻，在串聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以上的電阻電路，能夠利用由相等的基本設(shè)計(jì)構(gòu)成的電阻的電路網(wǎng)來生成幾Ω的小電阻到幾ΜΩ的大電阻的寬范圍的電阻電路。
[0388]圖55是電子設(shè)備的示意性截面圖。接著，參照?qǐng)D55，詳細(xì)說明電子設(shè)備I。另外，為了便于說明，在圖55中簡化前述的元件5，并且對(duì)基板2以外的各要素附加陰影。在此，說明前述的保護(hù)膜23及樹脂膜24。
[0389]保護(hù)膜23例如由SiN (氮化硅)構(gòu)成，其厚度約為3000iL保護(hù)膜23整體上具有:
元件覆蓋部23A，設(shè)置在元件形成面2A的整個(gè)區(qū)域上，從表面(圖55的上側(cè))覆蓋電阻體膜21及電阻體膜21上的各布線膜22( S卩，元件5)(也就是說，覆蓋元件5中的各電阻體R的上表面)；和側(cè)面覆蓋部23B，分別覆蓋基板2的4個(gè)側(cè)面2C?2F (參照?qǐng)D47 (a))的整個(gè)區(qū)域。元件覆蓋部23A和側(cè)面覆蓋部23B實(shí)際上具有大致相同的厚度，且互相連續(xù)。因此，保護(hù)膜23整體以大致相同的厚度連續(xù)覆蓋著電阻體R的上表面及基板2的側(cè)面2C?2F。
[0390]通過元件覆蓋部23A，防止了電阻體R間的布線膜22以外處的短路(相鄰的電阻體膜線21A間的短路)。側(cè)面覆蓋部23B不僅分別覆蓋側(cè)面2C?2F的整個(gè)區(qū)域，還可以覆蓋絕緣膜20中露出在側(cè)面2C?2F的部分。側(cè)面覆蓋部23B在側(cè)面2C覆蓋包括形成有凹部10的部分在內(nèi)的整個(gè)區(qū)域(參照?qǐng)D47 (a))。通過側(cè)面覆蓋部23B，防止了各側(cè)面2C?2F中的短路(在該側(cè)面產(chǎn)生短路路徑的情況)。
[0391]參照?qǐng)D47 (a)，由于保護(hù)膜23連續(xù)地覆蓋著基板2的元件形成面2A和4個(gè)側(cè)面2C?2F，因此具有沿著基板2的角部11及12的圓形狀的角部26。此時(shí)，可通過保護(hù)膜23來保護(hù)元件5及布線膜22，并且能夠防止在保護(hù)膜23的角部26產(chǎn)生碎片。
[0392]返回圖55，樹脂膜24與保護(hù)膜23 —起保護(hù)電子設(shè)備1，由聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成。樹脂膜24的厚度約為5 μ m。樹脂膜24在整個(gè)區(qū)域上覆蓋著元件覆蓋部23A的表面(保護(hù)膜23的上表面)，并且在基板2的4個(gè)側(cè)面2C?2F上的側(cè)面覆蓋部23B覆蓋著元件形成面2A側(cè)的端部(圖55中的上端部)。也就是說，樹脂膜24至少在4個(gè)側(cè)面2C?2F上的側(cè)面覆蓋部23B中使元件形成面2A相反側(cè)(圖55中的下側(cè))的部分露出。[0393]在這種樹脂膜24中，俯視時(shí)與4個(gè)側(cè)面2C?2F —致的部分成為比這些側(cè)面上的側(cè)面覆蓋部23B更向側(cè)方(外側(cè))突出的圓弧狀的伸長部24A。也就是說，樹脂膜24(伸長部24A)在側(cè)面2C?2F上比側(cè)面覆蓋部23B(保護(hù)膜23)更凸出。這種樹脂膜24在圓弧狀的伸長部24A中朝向側(cè)方具有凸出的圓形狀的側(cè)面24B。伸長部24A覆蓋構(gòu)成元件形成面2A與側(cè)面2C?2F各自之間的邊界的角部27。因此，當(dāng)電子設(shè)備I與周邊物體接觸時(shí)，伸長部24A最先與周邊物體接觸，能夠緩和因接觸帶來的沖擊，所以能夠防止沖擊波及元件5等的情況以及前述的角部27中的碎片。特別是，伸長部24A具有圓形狀的側(cè)面24B因此能夠順利地緩和因接觸帶來的沖擊。
[0394]另外，也可以是樹脂膜24完全沒有覆蓋側(cè)面覆蓋部23B的構(gòu)成(使側(cè)面覆蓋部23B的全部露出的結(jié)構(gòu))。在樹脂膜24中，在俯視時(shí)的相分離的兩個(gè)位置處各形成一個(gè)開口 25。各開口 25是在各自的厚度方向上連續(xù)地貫通樹脂膜24及保護(hù)膜23 (元件覆蓋部23A)的貫通孔。因此，開口 25除了樹脂膜24之外，還可以在保護(hù)膜23中形成。從各開口25露出布線膜22的一部分。在布線膜22中從各開口 25露出的部分成為外部連接用焊盤區(qū)域22A。
[0395]2個(gè)開口 25當(dāng)中，一個(gè)開口 25被第I連接電極3完全填埋，另一個(gè)開口 25被第2連接電極4完全填埋。并且，第I連接電極3和第2連接電極4的一部分在樹脂膜24的表面從開口 25凸出。第I連接電極3經(jīng)由該一個(gè)開口 25，在該開口 25的焊盤區(qū)域22A中與布線膜22電連接。第2連接電極4經(jīng)由該另一個(gè)開口 25，在該開口 25的焊盤區(qū)域22A中與布線膜22電連接。由此，第I連接電極3和第2連接電極4分別與元件5電連接。在此，布線膜22形成電阻體R的集合(電阻56)、分別與第I連接電極3和第2連接電極4連接的布線。
[0396]由此，形成有開口 25的樹脂膜24及保護(hù)膜23構(gòu)成為，使第I連接電極3和第2連接電極4從開口 25露出。因此，經(jīng)由在樹脂膜24的表面從開口 25凸出的第I連接電極3和第2連接電極4，實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備I與電路基板9之間的電連接(參照?qǐng)D47(b))。
[0397]圖56A?圖56F是表示圖55所示的電子設(shè)備的制造方法的示意性截面圖。首先，如圖56A所示，準(zhǔn)備由Si構(gòu)成的晶片30。晶片30成為基板2的來源。因此，晶片30的表面30A是基板2的元件形成面2A，晶片30的背面30B是基板2的背面2B。
[0398]并且，在晶片30的表面30A形成由Si02等構(gòu)成的絕緣膜20，在絕緣膜20上形成元件5(電阻體R及布線膜22)。具體而言，通過濺射，首先在絕緣膜20上的整個(gè)面上形成TiN或TiON的電阻體膜21，進(jìn)一步在電阻體膜21上層疊鋁(Al)的布線膜22。之后，利用光刻工藝，例如通過干蝕刻來選擇性地去除電阻體膜21及布線膜22，如圖49A所示，獲得俯視時(shí)層疊有電阻體膜21的恒定寬度的電阻體膜線21A隔著恒定間隔而排列在列方向上的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，一部分是電阻體膜線21A及布線膜22被切斷的區(qū)域。接著，選擇性地去除在電阻體膜線21A上層疊的布線膜22。其結(jié)果，獲得在電阻體膜線21A上隔著恒定間隔R而層疊了布線膜22的結(jié)構(gòu)的元件5。
[0399]參照?qǐng)D56A，元件5根據(jù)形成在I片晶片30上的電子設(shè)備I的數(shù)量，形成在晶片30的表面30A上的多個(gè)位置上。接著，如圖56B所示，在晶片30的表面30A的整個(gè)區(qū)域形成抗蝕劑圖案41，以覆蓋絕緣膜20上的全部元件5?？刮g劑圖案41中形成有開口 42。
[0400]圖57是在圖56B的工序中形成槽時(shí)所使用的抗蝕劑圖案的部分示意性俯視圖。抗蝕劑圖案41的開口 42與以矩陣狀(也可以是格子狀)配置了多個(gè)電子設(shè)備I的情況下俯視時(shí)的相鄰的電子設(shè)備I的輪廓之間的區(qū)域(在圖57中附加了陰影的部分)一致。因此，開口 42的整體形狀是具有多個(gè)相互正交的直線部分42A及42B的格子狀。此外，在直線部分42A及42B中的任一方(在此，是直線部分42A)根據(jù)電子設(shè)備I的凹部10 (參照?qǐng)D47(a))而連續(xù)地設(shè)置從直線部分42A以正交的方式突出的突出部分42C。
[0401]在此，在電子設(shè)備I中，角部11、12是圓形狀(參照?qǐng)D47(a))。由此，在開口 42中相互正交的直線部分42A及42B被彎曲的同時(shí)相互相連著。此外，互相正交的直線部分42A及突出部分42C也被彎曲的同時(shí)相互相連著。因此，直線部分42A和42B的交叉部分43A、以及直線部分42A和突出部分42C的交叉部分43B是角部較圓的圓形狀。此外，在突出部分42C中除交叉部分43B以外的部分的角部也是圓的。
[0402]參照?qǐng)D56B，通過將抗蝕劑圖案41作為掩模的等離子蝕刻，分別選擇性地去除絕緣膜20及晶片30。由此，在俯視時(shí)與抗蝕劑圖案41的開口 42 —致的位置處，形成貫通絕緣膜20后到達(dá)晶片30的厚度的一部分的槽44。槽44具有相互對(duì)置的側(cè)面44A、和連接對(duì)置的側(cè)面44A的下端(晶片30的背面30B側(cè)的端)的底面44B。以晶片30的表面30A為基準(zhǔn)的槽44的深度約為100 μ m，槽44的寬度(對(duì)置的側(cè)面44A的間隔)約為20 μ m。
[0403]圖58(a)是在圖56B的工序中形成槽之后的晶片的示意性俯視圖，圖58(b)是圖58(a)的部分放大圖。參照?qǐng)D58(b)，槽44的整體形狀呈在俯視時(shí)與抗蝕劑圖案41的開口42(參照?qǐng)D57) —致的格子狀。并且，在晶片30的表面30A，槽44中的矩形框體部分包圍著形成有各元件5的區(qū)域的周圍。晶片30中形成有元件5的部分是電子設(shè)備I的半成品50。在晶片30的表面30A，在被槽44包圍的區(qū)域中各有I個(gè)半成品50，這些半成品50被整齊地配置成矩陣狀。
[0404]此外，槽44形成為在與抗蝕劑圖案41的開口 42中的突出部分42C(參照?qǐng)D57)對(duì)應(yīng)的部分凹入半成品50的一邊A的一部分中，因此半成品50中形成有前述的凹部10(參照?qǐng)D47 (a))。并且，根據(jù)在抗蝕劑圖案41的開口 42中成為圓形狀的交叉部分43A及43B (圖57參照)，俯視時(shí)的半成品50的角部60(電子設(shè)備I的角部11、12)被整形為圓形狀。另夕卜，該圓形狀是通過利用等離子蝕刻而形成的，但是也可以代替等離子蝕刻而利用硅蝕刻(使用了藥液的通常的蝕刻)。
[0405]通過這樣對(duì)晶片30進(jìn)行蝕刻，能夠任意地設(shè)定半成品50 (換言之，最終的電子設(shè)備I)的外形，如該實(shí)施方式，可設(shè)置成將角部60(角部11、12)變成圓形狀且在一邊A具有凹部10的非對(duì)稱的矩形(還是參照?qǐng)D47(a))。此時(shí)，無需標(biāo)識(shí)工序(通過激光等來標(biāo)記表示貼片方向的記號(hào)等的工序)，也能夠制造可識(shí)別貼片方向的電子設(shè)備I。
[0406]形成槽44之后，去除抗蝕劑圖案41，如圖56C所示，在元件5的表面通過CVD (Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)法形成由SiN構(gòu)成的保護(hù)膜(SiN
膜)45。SiN膜45的厚度約為3()()()1 SiN膜45不僅覆蓋元件5的表面的整個(gè)區(qū)域，還覆蓋槽44的內(nèi)表面(側(cè)面44A及底面44B)。另外，SiN膜45是在側(cè)面44A及底面44B上以大致恒定的厚度形成的薄膜，因此不能完全填埋槽44。此外，在槽44中，SiN膜45只要形成在側(cè)面44A的整個(gè)區(qū)域上即可，因此可以不形成在底面44B上。
[0407]接著，如圖56D所示，針對(duì)晶片30，從槽44以外的SiN膜45之上粘貼由聚酰亞胺構(gòu)成的感光性樹脂的薄膜46。圖59(a)及(b)是表示在圖56D的工序中將聚酰亞胺薄膜粘貼到晶片的狀態(tài)的示意性立體圖。具體而言，如圖59(a)所示，從表面30A側(cè)向晶片30 (嚴(yán)格來講是晶片30上的SiN膜45)覆蓋聚酰亞胺薄膜46之后，如圖59(b)所示那樣通過旋轉(zhuǎn)的輥47將薄膜46按壓到晶片30。
[0408]如圖56D所示，在槽44以外的SiN膜45的表面的整個(gè)區(qū)域上粘貼了薄膜46時(shí)，薄膜46的一部分會(huì)從槽44側(cè)稍微流進(jìn)槽44中，但是只會(huì)覆蓋槽44的側(cè)面44A上的SiN膜45中的元件5側(cè)(表面30A側(cè))的一部分，薄膜46不會(huì)到達(dá)槽44的底面44B。因此，在薄膜46與槽44的底面44B之間的槽44內(nèi)形成有與槽44大致相同大小的空間S。此時(shí)的薄膜46的厚度為10 μ m?30 μ m。
[0409]接著，對(duì)薄膜46實(shí)施熱處理。由此，薄膜46的厚度熱收縮至約5 μ m。接著，如圖56E所示，對(duì)薄膜46進(jìn)行圖案化，選擇性地去除在薄膜46中俯視時(shí)與槽44及布線膜22的各焊盤區(qū)域22A—致的部分。具體而言，利用俯視時(shí)與槽44及各焊盤區(qū)域22A匹配(一致)的圖案的形成有開口 61的掩模62，通過該圖案使薄膜46曝光后顯影。由此，在槽44及各焊盤區(qū)域22A的上方分離薄膜46，并且在薄膜46中被分離的邊緣部分稍微向槽44側(cè)下垂且同時(shí)與槽44的側(cè)面44A上的SiN膜45重疊，因此在該邊緣部分自然地形成前述的(具有圓形狀的側(cè)面24B)的伸長部24A。
[0410]接著，通過將這樣分離的薄膜46作為掩模的蝕刻，在SiN膜45中去除俯視時(shí)與各焊盤區(qū)域22A—致的部分。由此，形成開口 25。在此，SiN膜45覆蓋各焊盤區(qū)域22A。接著，通過非電解電鍍，在各開口 25中的焊盤區(qū)域22A上形成層疊N1、Pd及Au而構(gòu)成的Ni /Pd / Au層疊膜。此時(shí)，使Ni / Pd / Au的層疊膜從開口 25凸出至薄膜46的表面。由此，各開口 25內(nèi)的Ni / Pd / Au層疊膜成為圖56F所示的第I連接電極3和第2連接電極4。
[0411]接著，進(jìn)行第I連接電極3和第2連接電極4之間的通電檢查之后，從背面30B研磨晶片30。在此，由于通過SiN膜45覆蓋了晶片30中構(gòu)成槽44的側(cè)面44A的部分的整個(gè)區(qū)域，因此能夠在晶片30的研磨中防止在該部分產(chǎn)生微小的破裂等，即便產(chǎn)生了微小的破裂，也能夠通過SiN膜45填埋該微小的破裂，以抑制該微小的破裂的擴(kuò)大。
[0412]然后，通過研磨，使晶片30薄到可到達(dá)槽44的底面44B (嚴(yán)格來講，是底面44B上的SiN膜45)，不再需要連接相鄰的半成品50的部分，因此以槽44作為邊界來分割晶片30，半成品50成為電子設(shè)備1，從而獨(dú)立地進(jìn)行分離。由此，完成電子設(shè)備I (參照?qǐng)D55)。在各電子設(shè)備I中，構(gòu)成槽44的側(cè)面44A的部分成為基板2的側(cè)面2C?2F中的任一個(gè)側(cè)面。并且，SiN膜45成為保護(hù)膜23。此外，分離后的薄膜46成為樹脂膜24。
[0413]即使電子設(shè)備I的片尺寸小，也能夠通過先形成槽44之后再從背面30B研磨晶片30，從而使電子設(shè)備I成為獨(dú)立的一片。因此，與現(xiàn)有技術(shù)的通過鉆石輪劃片機(jī)切割晶片30來使電子設(shè)備I成為獨(dú)立的一片的情況相比，通過切割工序的省略，能夠?qū)崿F(xiàn)成本的降低、時(shí)間的縮短，可提高成品率。
[0414]如以上所述，在制造電子設(shè)備I時(shí)，在表面30A(元件形成面2A)上形成有多個(gè)元件5的晶片30中，若使將電子設(shè)備I分割為一個(gè)個(gè)獨(dú)立設(shè)備的槽44形成在表面30A中的元件5的邊界，則槽44的側(cè)面44A成為分割后的各電子設(shè)備I的側(cè)面2C?2F。在分割電子設(shè)備I之前，在槽44的側(cè)面44A及晶片30的表面30A形成SiN膜45 (保護(hù)膜23)。在此，如圖56C所示，通過CVD法在電阻體R的上表面及槽44的內(nèi)表面(側(cè)面44A及底面44B)連續(xù)地形成大致相同厚度的CVD的保護(hù)膜(CVD保護(hù)膜)23。此時(shí)，CVD保護(hù)膜23 (SiN膜45)是在CVD工藝中在減壓環(huán)境下形成的，因此CVD保護(hù)膜23可附著在基板2的側(cè)面2C?2F(槽44的側(cè)面44A)的整個(gè)區(qū)域上，作為側(cè)面覆蓋部23B。因此，在制造電子設(shè)備I時(shí)，能夠在槽44的側(cè)面44A均勻地形成保護(hù)膜23。
[0415]于是，在形成保護(hù)膜23之后，如圖56D所示，由覆蓋元件形成面2A的SiN膜45 (保護(hù)膜23的成為元件覆蓋部23A的部分)的薄膜46來形成樹脂膜24。樹脂膜24至少在槽44的側(cè)面44A的SiN膜45 (成為保護(hù)膜23的側(cè)面覆蓋部23B的部分)中使元件形成面2A的相反側(cè)(槽44的底面44B側(cè))露出，因此能夠防止在形成樹脂膜24時(shí)(制造電子設(shè)備I時(shí))槽44被樹脂膜24從底面44B側(cè)開始填埋。
[0416]具體而言，從保護(hù)膜23上粘貼薄膜46，從而形成樹脂膜24。此時(shí)，不會(huì)因薄膜46而從底面44B側(cè)填埋槽44。因此，如圖56F所示，若使基板2薄至到達(dá)槽44的底面44B，則能夠在槽44處將基板2分割為各個(gè)電子設(shè)備I。以上，說明了第3參考例的實(shí)施方式，但是也可以進(jìn)一步通過其他方式來實(shí)施第3參考例。
[0417]例如，在將晶片30分割為獨(dú)立的電子設(shè)備I時(shí)，從背面30B側(cè)到槽44的底面44B研磨了晶片30 (參照?qǐng)D56F)。取而代之，也可以選擇性地從背面30B對(duì)SiN膜45中覆蓋著底面44B的部分、和晶片30中俯視時(shí)與槽44 一致的部分進(jìn)行蝕刻來去除，從而將晶片30分割為獨(dú)立的電子設(shè)備I。
[0418]圖60(a)是電子設(shè)備的俯視圖，圖60(b)是第I變形例的電子設(shè)備的俯視圖，圖60(c)是第2變形例的電子設(shè)備的俯視圖。另外，為了便于說明，在圖60(a)?14(c)中分別省略了元件5、保護(hù)膜23、樹脂膜24的圖示。此外，前述的凹部10如圖60 (a)所示那樣在電子設(shè)備I的一邊A被設(shè)置在從該一邊A的中點(diǎn)P偏尚的位置上。在凹部10從中點(diǎn)P偏離的情況下，在一邊A延伸的方向上，凹部10的中心IOA和中點(diǎn)P不一致。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，不僅是連接該一邊A和該一邊A的相反側(cè)的一邊B的方向(長邊方向)上的凹部10側(cè)，而且還可以將該一邊A延伸的方向(短邊方向)上的凹部10側(cè)作為前述的貼片方向。例如，從元件形成面2A側(cè)看到的俯視圖中使電子設(shè)備I的短邊方向與前后方向(圖60中的上下方向)一致、并使電子設(shè)備I的長邊方向與左右方向一致，且此時(shí)凹部10位于靠左前方(圖60中的靠左上方)的位置上時(shí)，能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I正確地安裝到電路基板9。由此，在進(jìn)行安裝時(shí)，通過電子設(shè)備I的外觀就能夠掌握必須使電子設(shè)備I的朝向匹配成俯視時(shí)凹部10位于左前方(從基板2的背面2B看電子設(shè)備I時(shí)靠右前方)。也就是說，從電子設(shè)備I的外觀就能夠掌握必須使長邊方向及短邊方向這兩個(gè)方向上的電子設(shè)備I的朝向匹配的情況。
[0419]當(dāng)然，如圖60(b)所示，也可以將凹部10設(shè)置在一邊A上與中點(diǎn)P—致的位置(凹部10的中心IOA與中點(diǎn)P在短邊方向一致的位置)上。此外，也可以代替凹部10，如圖60(c)那樣設(shè)置向外側(cè)突出的凸部51。凸部51在俯視時(shí)可以是矩形狀，也可以是U字形狀(隆起成U字的形狀)或三角形狀。當(dāng)然，在側(cè)面2C中，凸部51中的角部(凸部51的包括前端側(cè)及根部側(cè)的俯視時(shí)的4個(gè)角的部分)52也與其他角部11 一樣呈被倒角后的圓形狀。在此，前述的側(cè)面覆蓋部23B(參照?qǐng)D47 (a))也與凹部10相同，在側(cè)面2C覆蓋包括形成有凸部51的部分在內(nèi)的整個(gè)區(qū)域。此外，優(yōu)選凹部10的深度或凸部51的高度(突出量)在20μπι以下(第I連接電極3或第2連接電極4的寬度的約5分之I以下)。并且，優(yōu)選角部11、角部12、角部52各自的倒角量，其一邊的距離約在20 μ m以下。[0420] 圖61 (a)是表示電子設(shè)備的另一實(shí)施方式的元件的電路結(jié)構(gòu)的圖，圖61 (b)是電子設(shè)備的又一實(shí)施方式的元件的電路結(jié)構(gòu)的圖。在前述的實(shí)施方式中，由于將電子設(shè)備I設(shè)置成了貼片電阻器，因此第I連接電極3和第2連接電極4間的元件5是電阻56，但是也可以是圖61(a)所示的二極管55，還可以是如圖61(b)所示那樣串聯(lián)連接二極管55和電阻56而得到的元件。電子設(shè)備I通過具備二極管55而成為貼片二極管，第I連接電極3和第2連接電極4中具有極性，前述的貼片方向成為與極性相應(yīng)的方向。由此，能夠通過貼片方向來表示第I連接電極3和第2連接電極4的極性，因此可通過電子設(shè)備I的外觀來掌握該極性。也就是說，可以知道貼片方向中的哪一側(cè)(也就是說，第I連接電極3和第2連接電極4中的哪一個(gè))是正負(fù)中的哪個(gè)極側(cè)。因此，能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I正確地安裝到電路基板9 (參照?qǐng)D47 (b))，使得設(shè)有前述的凹部10或凸部51 (參照?qǐng)D60)的一側(cè)來到對(duì)應(yīng)的極側(cè)。
[0421 ] 當(dāng)然，第3參考例可適用于作為元件5代替二極管55而使用了電容器的貼片電容器、貼片電感器等在芯片尺寸的基板2插入各種元件而得到的元器件中?！吹?參考例的發(fā)明>(1)第4參考例的發(fā)明的特征例如，第4參考例的發(fā)明的特征是以下的Dl?D9。(Dl)一種貼片部件的制造方法，特征在于，包括:通過供給氮和氧的同時(shí)進(jìn)行的金屬的濺射，在基板上形成電阻體膜的工序；在所述電阻體膜上形成布線膜的工序；對(duì)所述布線膜及電阻體膜同時(shí)進(jìn)行圖案化的工序；和僅對(duì)所述布線膜進(jìn)行圖案化的工序。
[0422]根據(jù)該方法，在基板上形成電阻體膜時(shí)，所供給的氮和氧作為雜質(zhì)而被摻入電阻體膜中，因此能夠?qū)⑺纬傻碾娮梵w膜的電阻值設(shè)為期望的值(目標(biāo)值)。此外，在電阻體膜上層疊布線膜，同時(shí)對(duì)層疊于電阻體膜的布線膜和電阻體膜進(jìn)行圖案化，因此電阻體膜及布線膜通過圖案化而形成相等的形狀之后，僅對(duì)圖案化后的電阻體膜上的布線膜進(jìn)行圖案化來選擇性地去除布線膜，因此能夠制作具有期望的布線方式的由電阻體膜構(gòu)成的電阻電路網(wǎng)，能夠?qū)崿F(xiàn)電阻電路網(wǎng)的微細(xì)化以及貼片部件的微細(xì)化。(D2)根據(jù)Dl記載的貼片部件的制造方法，特征在于，在形成所述電阻體膜的工序中，對(duì)與金屬一起濺射硅而形成在基板上的金屬的電阻體膜摻雜硅。
[0423]根據(jù)該方法，在形成電阻體膜的工序中，與金屬一起濺射硅，并同時(shí)供給氮和氧，因此可在金屬電阻體膜摻雜硅原子、氮原子及氧原子。由此，能夠使電阻體膜的電阻值成為期望的電阻值，同時(shí)能夠?qū)㈦娮铚囟认禂?shù)(TCR:Temperature Coeficient of Resistance)調(diào)整為期望的值。(D3)根據(jù)Dl或D2記載的貼片部件的制造方法，特征在于，形成所述電阻體膜的工序包括調(diào)整氮的供給流量及氧的供給流量的工序。
[0424]根據(jù)該方法，通過調(diào)整氮的供給流量及氧的供給流量，從而能夠調(diào)整向金屬的電阻體膜摻入的氮原子及氧原子的量，可在例如10 Ω / □至1000Ω / □這樣的寬范圍內(nèi)調(diào)整電阻體膜的電阻值。(D4)根據(jù)Dl?D3中的任一項(xiàng)記載的貼片部件的制造方法，特征在于，對(duì)所述布線膜及電阻體膜同時(shí)進(jìn)行圖案化的工序包括以下工序:對(duì)所述布線膜執(zhí)行圖案化，以使所述布線膜包括外部連接用電極、電連接多個(gè)薄膜電阻體中的I個(gè)或多個(gè)電阻體而形成多種電阻單位體的電阻單位體形成布線膜、用于將所述多種電阻單位體以規(guī)定的方式連接的電阻單位體連接用布線膜、和用于將所述多種電阻單位體電組入電阻電路網(wǎng)中或者從電阻電路網(wǎng)中電分離所述多種電阻單位體的可熔斷的多個(gè)熔斷膜；僅對(duì)所述布線膜進(jìn)行圖案化的工序從被圖案化的布線膜及電阻體膜中選擇去除部分布線膜，且將其下層的電阻體膜實(shí)現(xiàn)為多個(gè)薄膜電阻體。
[0425]根據(jù)該方法，在電阻體膜上層疊布線膜，對(duì)該布線膜進(jìn)行圖案化，從而能夠在同一層上同時(shí)形成構(gòu)成外部連接用電極和電阻單位體的電阻單位體形成布線膜、電阻單位體連接用布線膜、以及熔斷膜，能夠簡化處理。(D5) 一種貼片部件，特征在于，具有在基板上被圖案化的電阻體膜、部分與所述電阻體膜重疊的布線膜、和形成在所述布線膜的上表面的保護(hù)膜，由所述電阻體膜及布線膜形成基于單位電阻體的電阻電路。(D6)根據(jù)D5記載的貼片部件，特征在于，所述電阻體膜由TiON或TiSiON構(gòu)成。(D7)根據(jù)D5或D6記載的貼片部件，特征在于，統(tǒng)一對(duì)所述電阻體膜和所述布線膜進(jìn)行圖案化。(D8)根據(jù)D5?D7的任一項(xiàng)記載的貼片部件，特征在于，與所述電阻膜重疊的布線膜包括熔斷膜，該熔斷膜包括可被熔斷的貼片電阻器。(D9)根據(jù)D5?D8的任一項(xiàng)記載的貼片部件，特征在于，由樹脂膜覆蓋所述保護(hù)膜的上表面。
[0426]根據(jù)D5?D9記載的結(jié)構(gòu)，能夠提供一種小型且具備具有消耗式電阻值的電阻電路的貼片部件或貼片電阻器。(2)第4參考例的發(fā)明的實(shí)施方式以下，參照附圖來詳細(xì)說明第4參考例的實(shí)施方式。另外，圖62?圖76所示的符號(hào)僅在這些圖中有效，即使在其他實(shí)施方式中使用也不會(huì)表示與該其他實(shí)施方式的符號(hào)相同的要素。
[0427]圖62(A)是表示通過第4參考例的制造方法制作的一實(shí)施方式的貼片電阻器10的外觀結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖62(B)是表示在基板上安裝了貼片電阻器10的狀態(tài)的側(cè)視圖。參照?qǐng)D62(A)，第4參考例的一實(shí)施方式的貼片電阻器10具備形成在作為基板的基板11上的第I連接電極12、第2連接電極13和電阻電路網(wǎng)14?；?1是俯視時(shí)大致呈長方形狀的長方體形狀，作為一例，是長邊方向的長度L = 0.3_、短邊方向的寬度W = 0.15mm,基板11的厚度T = 0.1mm左右大小的微小的芯片。
[0428]如圖76所示，該貼片電阻器10是通過如下方式而得到的:在晶片上以格子狀形成多個(gè)貼片電阻器10，切斷晶片，分離成各個(gè)貼片電阻器10。在基板11上，沿著基板11的一個(gè)短邊111而設(shè)置第I連接電極12，該第I連接電極12是其長邊位于短邊111方向的矩形電極。沿著基板11上的另一短邊112設(shè)置第2連接電極13，該第2連接電極13是其長邊位于短邊112方向的矩形電極。電阻電路網(wǎng)14被設(shè)置在由基板11上的第I連接電極12和第2連接電極13夾持的中央?yún)^(qū)域內(nèi)。并且，電阻電路網(wǎng)14的一端側(cè)與第I連接電極12電連接，電阻電路網(wǎng)14的另一端側(cè)與第2連接電極13電連接。如后述那樣，在基板11上例如采用半導(dǎo)體制造工藝來設(shè)置了這些第I連接電極12、第2連接電極13和電阻電路網(wǎng)14。因此，作為基板11，可使用硅基板(硅晶片)等半導(dǎo)體基板(半導(dǎo)體晶片)。另外，基板11也可以是絕緣基板等其他種類的基板。
[0429]第I連接電極12和第2連接電極13分別起到外部連接電極(外部連接用焊盤)的作用。在電路基板15上安裝了貼片電阻器10的狀態(tài)下，如圖62(B)所示，通過焊料，以電及機(jī)械方式將第I連接電極12和第2連接電極13分別與電路基板15的電路(未圖示)連接。另外，為了提高焊料潤濕性及可靠性，期望起到外部連接電極作用的第I連接電極12和第2連接電極13由金(Au)形成，或者對(duì)其表面實(shí)施鍍金。
[0430]圖63是貼片電阻器10的俯視圖，表示了第I連接電極12、第2連接電極13和電阻電路網(wǎng)14的配置關(guān)系以及電阻電路網(wǎng)14的俯視時(shí)的結(jié)構(gòu)。參照?qǐng)D63，貼片電阻器10包括:沿著基板上表面的一個(gè)短邊111配置的、長邊位于基板的寬度方向上的、俯視時(shí)大致為矩形的第I連接電極12 ;沿著基板上表面的另一短邊112配置的、長邊位于基板的寬度方向上的、俯視時(shí)大致為矩形的第2連接電極13 ;和設(shè)置在第I連接電極12與第2連接電極13之間的俯視時(shí)為矩形的區(qū)域中的電阻電路網(wǎng)14。
[0431]電阻電路網(wǎng)14具備在基板上以矩陣狀排列的具有相等的電阻值的多個(gè)電阻體R(在圖63的例中，沿著行方向(基板的長邊方向)排列了 8個(gè)電阻體R，沿著列方向(基板的寬度方向)排列了 44個(gè)電阻體，共計(jì)由352個(gè)電阻體R構(gòu)成)。并且，電連接這些多個(gè)電阻體R的I個(gè)?64個(gè)，形成多種電阻單位體。通過作為電路網(wǎng)連接單元的連接用布線膜以規(guī)定的方式連接了所形成的多種電阻單位體。而且，設(shè)置有用于向電阻電路網(wǎng)14中電組入電阻單位體、或者從電阻電路網(wǎng)14電分離電阻單位體的可熔斷的多個(gè)熔斷膜F。多個(gè)熔斷膜F沿著第2連接電極13的內(nèi)側(cè)邊被排列成其配置區(qū)域呈直線狀。更具體而言，以直線狀配置了多個(gè)熔斷膜F及連接用布線膜C。
[0432]圖64A是放大了圖63所示的電阻電路網(wǎng)14的一部分的俯視圖，圖64B、圖64C是用于說明電阻電路網(wǎng)14中的電阻體R的結(jié)構(gòu)的長度方向的縱向截面圖及寬度方向的縱向截面圖。參照?qǐng)D64A、圖64B及圖64C，說明電阻體R的結(jié)構(gòu)。在作為基板的基板11的上表面形成絕緣層(SiO2) 19，在絕緣層19上配置構(gòu)成電阻體R的電阻體膜20。電阻體膜20由TiN或TiON形成。該電阻體膜20是以線狀在第I連接電極12與第2連接電極13之間延伸的多根電阻體膜(以下稱為“電阻體膜線”)，電阻體膜線20有時(shí)會(huì)在線方向上的規(guī)定位置處被切斷。在電阻體膜線20上層疊作為布線膜21的鋁膜。在電阻體膜線20上沿著線方向隔著恒定間隔R層疊布線膜21。
[0433]若用電路符號(hào)表示該結(jié)構(gòu)的電阻體膜線20及布線膜21的電特征的話，則如圖65所示。S卩，如圖65(A)所示，規(guī)定間隔R的區(qū)域的電阻體膜線20部分分別形成一定電阻值r的電阻體R。層疊了布線膜21的區(qū)域因該布線膜21而使電阻體膜線20處于短路狀態(tài)。因此，形成圖65(B)所示的由電阻r的電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻電路。
[0434]此外，由于相鄰的電阻體膜線20彼此通過電阻體膜20及布線膜21連接著，因此圖64A所示的電阻電路網(wǎng)構(gòu)成圖65(C)所示的電阻電路。在此，說明電阻電路網(wǎng)14的制造工藝。(I)熱氧化基板11的表面，形成作為絕緣層19的二氧化硅(SiO2)層。(2)然后，在絕緣層19上的整個(gè)面上形成TiN、TiON或TiSiON的電阻體膜20。(形成電阻體膜的工序)形成電阻體膜的工序如圖66所示那樣通過濺射來進(jìn)行。
[0435]S卩，作為一例，如圖66 (A)所示那樣，在高真空腔內(nèi)配置形成了絕緣層19的基板11和作為目標(biāo)體的金屬(該實(shí)施方式中配置鈦(Ti)板27)。然后，吹入氬氣(Ar)，同時(shí)供給氮(N2)和氧(O2)。對(duì)目標(biāo)體27施加負(fù)的高電壓，從而通過高電壓使氬氣成為等離子狀態(tài)，形成正離子來使氬離子撞擊目標(biāo)體27。由此，從目標(biāo)體27飛出材料元素、即鈦原子(Ti)，該鈦原子堆積在絕緣層19上而形成電阻體膜20。此時(shí)，通過所供給的氮和氧，在電阻體膜20中摻雜氮原子(N)及氧原子(O)，電阻體膜20例如由TiON形成。
[0436]形成電阻體膜的工序也可以如圖66(B)所示那樣，作為目標(biāo)體，與鈦(Ti)板27 —起配置硅(Si)板28，使氬離子撞擊這些鈦板27及硅板28來進(jìn)行濺射。此時(shí)，作為氮和氧，供給O2 / N2O及N2 / N2O的混合氣體。其結(jié)果，在絕緣層19上堆積TiSiON膜而形成作為電阻體膜20。
[0437]在圖66(A)所示的電阻體膜20的形成工序中，通過調(diào)整氮和氧的供給流量，從而能夠?qū)㈦娮梵w膜20的電阻值調(diào)整為期望的電阻值。此外，在圖66(B)所示的電阻體膜20的形成工序中，通過調(diào)整氮和氧的供給量，能夠?qū)㈦娮梵w膜20的電阻值調(diào)整為期望的電阻值，并且還能夠?qū)㈦娮梵w膜20的電阻溫度系數(shù)(TCR)調(diào)整為目標(biāo)值。
[0438]因此，如圖66(B)所示，在供給氮和氧的同時(shí)進(jìn)行的濺射中，在對(duì)作為金屬的鈦進(jìn)行濺射的同時(shí)，對(duì)硅也進(jìn)行濺射，由此在鈦電阻體膜中摻雜硅、氮和氧，將電阻體膜20的電阻值及電阻溫度系數(shù)(TCR)這兩者設(shè)為期望的值，從而能夠進(jìn)行高精度的電阻體膜的制造。(3)接著，進(jìn)行在電阻體膜20上形成布線膜21的工序。形成布線膜21的工序通過例如對(duì)鋁(Al)進(jìn)行濺射來執(zhí)行。(4)然后，利用光刻工藝，例如通過干蝕刻選擇性地去除布線膜21及電阻體膜20，如圖64(A)所示，獲得俯視時(shí)恒定寬度的電阻體膜線20及布線膜21隔著恒定間隔排列在列方向上的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，也形成一部分電阻體膜線20及布線膜21被切斷的區(qū)域。(5)接著，選擇性地去除層疊在電阻體膜線20上的布線膜21。其結(jié)果，獲得在電阻體膜線20上隔著恒定間隔R而層疊了布線膜21的結(jié)構(gòu)。(6)然后，堆積作為保護(hù)膜的SiN膜22，進(jìn)一步在該SiN膜22上層疊作為保護(hù)層的聚酰亞胺層23。
[0439]在該實(shí)施方式中，形成在基板11上的包含于電阻電路網(wǎng)14的電阻體R包括電阻體膜線20、和在電阻體膜線20上沿著線方向隔著恒定間隔被層疊的布線膜21，未層疊布線膜21的恒定間隔R部分的電阻體膜線20構(gòu)成I個(gè)電阻體R。構(gòu)成電阻體R的電阻體膜線20其形狀及大小全部相等。因此，基于在基板上生成出的相同形狀且相同大小的電阻體膜為大致相同的電阻值的這一特性，在基板11上以矩陣狀排列的多個(gè)電阻體R具有相等的電阻值。
[0440]層疊在電阻體膜線20上的布線膜21形成電阻體R，同時(shí)還起到連接多個(gè)電阻體R而構(gòu)成電阻單位體的連接用布線膜的作用。圖67 (A)是放大了圖63所示的貼片電阻器10的俯視圖的一部分的包括熔斷膜F的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖67 (B)是表示沿著圖67 (A)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。
[0441]如圖67(A)、⑶所示，熔斷膜F也由在形成電阻體R的電阻體膜20上層疊的布線膜21形成。即，在與層疊于形成電阻體R的電阻體膜線20上的布線膜21相同的層上，由與布線膜21相同的金屬材料、即鋁(Al)形成。另外，如前所述，布線膜21形成電阻單位體，因此還被用作電連接多個(gè)電阻體R的連接用布線膜21。
[0442]也就是說，在層疊在電阻體膜20上的同一層，采用同一種金屬材料(例如鋁)，通過相同的制造工藝(濺射及光刻工藝)，形成電阻體R形成用的布線膜、用于形成電阻單位體的連接用布線膜、用于構(gòu)成電阻電路網(wǎng)14的連接用布線膜、熔斷膜、以及用于將電阻電路網(wǎng)14連接到第I連接電極12和第2連接電極13的布線膜。由此，可簡化該貼片電阻器10的制造工藝，而且能夠利用同一掩模同時(shí)形成各種布線膜。另外，還可以提高與電阻體膜20的校準(zhǔn)性。
[0443]圖68是示意性表示連接圖63所示的電阻電路網(wǎng)14中的多種電阻單位體的連接用布線膜C及熔斷膜F的排列關(guān)系、與連接在該連接用布線膜C及熔斷膜F上的多種電阻單位體之間的連接關(guān)系的圖。參照?qǐng)D68，第I連接電極12與電阻電路網(wǎng)14所包含的基準(zhǔn)電阻單位體R8的一端連接。基準(zhǔn)電阻單位體R8由8個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成，其另一端與熔斷膜Fl連接。熔斷膜Fl和連接用布線膜C2被連接到由64個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R64的一端及另一端。連接用布線膜C2和熔斷膜F4被連接到由32個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R32的一端及另一端。熔斷膜F4和連接用布線膜C5被連接到由32個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R32的一端及另一端。連接用布線膜C5和熔斷膜F6被連接到由16個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R16的一端及另一端。熔斷膜F7及連接用布線膜C9被連接到由8個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R8的一端及另一端。連接用布線膜C9及熔斷膜FlO被連接到由4個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R4的一端及另一端。熔斷膜Fll及連接用布線膜C12被連接到由2個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R2的一端及另一端。連接用布線膜C12及熔斷膜F13被連接到由I個(gè)電阻體R構(gòu)成的電阻單位體Rl的一端及另一端。熔斷膜F13及連接用布線膜C15被連接到由2個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 2的一端及另一端。連接用布線膜C15及熔斷膜F16被連接到由4個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 4的一端及另一端。熔斷膜F16及連接用布線膜C18被連接到由8個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 8的一端及另一端。連接用布線膜C18及熔斷膜F19被連接到由16個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 16的一端及另一端。熔斷膜F19及連接用布線膜C22被連接到由32個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 32。
[0444]多個(gè)熔斷膜F及連接用布線膜C分別以直線狀配置熔斷膜F1、連接用布線膜C2、熔斷膜F3、熔斷膜F4、連接用布線膜C5、熔斷膜F6、熔斷膜F7、連接用布線膜C8、連接用布線膜C9、熔斷膜F10、熔斷膜F11、連接用布線膜C12、熔斷膜F13、熔斷膜F14、連接用布線膜C15、熔斷膜F16、熔斷膜F17、連接用布線膜C18、熔斷膜F19、熔斷膜F20、連接用布線膜C21、連接用布線膜C22來對(duì)這些膜進(jìn)行了串聯(lián)連接。若各熔斷膜F被熔斷，則與相鄰連接于熔斷膜F的連接用布線膜C之間的電連接被切斷。
[0445]若用電路圖表示這種構(gòu)成的話，則如圖69。即，在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，電阻電路網(wǎng)14構(gòu)成由設(shè)置在第I連接電極12與第2連接電極13之間的8個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的基準(zhǔn)電阻單位體R8 (電阻值8r)的電阻電路。例如,若將I個(gè)電阻體R的電阻值r設(shè)為r = 80 Ω，則通過8r = 640 Ω的電阻電路，構(gòu)成連接了第I連接電極12和第2連接電極13的貼片電阻器10。
[0446]并且，基準(zhǔn)電阻單位體R8以外的多種電阻單位體分別并聯(lián)連接了熔斷膜F，通過各熔斷膜F，使這些多種電阻單位體呈短路的狀態(tài)。也就是說，基準(zhǔn)電阻單位體R8與12種13個(gè)電阻單位體R64?R / 32串聯(lián)連接著，但是各電阻單位體因與其并聯(lián)連接的熔斷膜F而處于短路狀態(tài)，因此在電特性上，各電阻單位體未被組入電阻電路網(wǎng)14中。
[0447]該實(shí)施方式的貼片電阻器10根據(jù)所要求的電阻值，選擇性地例如通過激光來熔斷熔斷膜F。由此，向電阻電路網(wǎng)14中組入并聯(lián)連接的熔斷膜F被熔斷的電阻單位體。由此，能夠使電阻電路網(wǎng)14成為整體的電阻值具有串聯(lián)連接與被熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體而被組入電阻電路網(wǎng)中的電阻值的電阻電路網(wǎng)。
[0448]換言之，該實(shí)施方式的貼片電阻器10通過選擇性地熔斷與多種電阻單位體對(duì)應(yīng)設(shè)置的熔斷膜，從而能夠向電阻電路網(wǎng)中組入多種電阻單位體(例如，若F1、F4、F13被熔斷，則是電阻單位體R64、R32、Rl的串聯(lián)連接)。并且，多種電阻單位體各自的電阻值分別已定，也就是說以數(shù)字方式調(diào)整電阻電路網(wǎng)14的電阻值就能夠設(shè)置成具有所要求的電阻值的貼片電阻器10。
[0449]此外，多種電阻單位體具備:具有相等的電阻值的電阻體膜R以I個(gè)、2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)、32個(gè)及64個(gè)這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而串聯(lián)連接了這些電阻體R的多種串聯(lián)電阻單位體、和相等電阻值的電阻體R以2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)及32個(gè)這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而并聯(lián)連接了這些電阻體R的多種并聯(lián)電阻單位體，在因熔斷膜F而處于短路的狀態(tài)下串聯(lián)連接了這些電阻體，因此通過選擇性地熔斷熔斷膜F，能夠?qū)㈦娮桦娐肪W(wǎng)14整體的電阻值在從小的電阻值到大的電阻值這樣的寬范圍內(nèi)設(shè)定為任意的電阻值。
[0450]圖70是另一實(shí)施方式的貼片電阻器30的俯視圖，表示第I連接電極12、第2連接電極13及電阻電路網(wǎng)4的配置關(guān)系、以及電阻電路網(wǎng)14的俯視時(shí)的結(jié)構(gòu)。貼片電阻器30與前述的貼片電阻器10的不同點(diǎn)在于，電阻電路網(wǎng)14中的電阻體R的連接方式。即，貼片電阻器30的電阻電路網(wǎng)14具有在基板上以矩陣狀排列的電阻值相等的多個(gè)電阻體R(在圖70的結(jié)構(gòu)中，沿著行方向(基板的長邊方向)排列了 8個(gè)電阻體R，沿著列方向(基板的寬度方向)排列了 44個(gè)電阻體，由共計(jì)352個(gè)電阻體R構(gòu)成)。并且，這些多個(gè)電阻體R的I個(gè)?128個(gè)被電連接，形成多種電阻單位體。提高作為電路網(wǎng)連接單元的布線膜及熔斷膜F以并聯(lián)方式連接所形成的多種電阻單位體。多個(gè)熔斷膜F沿著第2連接電極13的內(nèi)側(cè)邊被排列成配置區(qū)域呈直線狀，若熔斷膜F被熔斷，則可從電阻電路網(wǎng)14電分離與熔斷膜連接的電阻單位體。
[0451]另外，構(gòu)成電阻電路網(wǎng)14的多個(gè)電阻體R的結(jié)構(gòu)、連接用布線膜、熔斷膜F的結(jié)構(gòu)，與之前說明過的貼片電阻器10中的對(duì)應(yīng)部位的結(jié)構(gòu)相同，因此在此省略說明。圖71是示意性表示圖70所示的電阻電路網(wǎng)中的多種電阻單位體的連接方式、和連接多種電阻單位體的熔斷膜F的排列關(guān)系以及與熔斷膜F連接的多種電阻單位體的連接關(guān)系的圖。
[0452]參照?qǐng)D71，第I連接電極12與電阻電路網(wǎng)14所包含的基準(zhǔn)電阻單位體R / 16的一端連接。基準(zhǔn)電阻單位體R/ 16由16個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成，其另一端與連接有余下的電阻單位體的連接用布線膜C相連。熔斷膜Fl和連接用布線膜C與由128個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R128的一端及另一端連接。熔斷膜F5和連接用布線膜C與由64個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R64的一端及另一端連接。熔斷膜F6和連接用布線膜C與由32個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R32的一端及另一端連接。熔斷膜F7和連接用布線膜C與由16個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R16的一端及另一端連接。熔斷膜F8和連接用布線膜C與由8個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R8的一端及另一端連接。熔斷膜F9和連接用布線膜C與由4個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R4的一端及另一端連接。熔斷膜FlO和連接用布線膜C與由2個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R2的一端及另一端連接。熔斷膜Fll和連接用布線膜C與由I個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體Rl的一端及另一端連接。熔斷膜F12和連接用布線膜C與由2個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 2的一端及另一端連接。熔斷膜F13和連接用布線膜C與由4個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 4的一端及另一端連接。熔斷膜F14、F15、F16被電連接，這些熔斷膜F14、F15、F16和連接用布線膜C與由8個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R/8的一端及另一端連接。熔斷膜F17、F18、F19、F20、F21被電連接，這些熔斷膜F17?F21和連接用布線膜C與由16個(gè)電阻體R的并聯(lián)連接構(gòu)成的電阻單位體R / 16的一端及另一端連接。
[0453]熔斷膜F具備熔斷膜Fl?F21的21個(gè)熔斷膜，它們?nèi)颗c第2連接電極13連接著。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，若與若電阻單位體的一端連接的任一個(gè)熔斷膜F被熔斷，則可從電阻電路網(wǎng)14電切離一端連接在該熔斷膜F的電阻單位體。
[0454]若用電路圖表示圖71的結(jié)構(gòu)、即貼片電阻器30所具備的電阻電路網(wǎng)14的結(jié)構(gòu)的話，則如圖72。在所有的熔斷膜F都未被熔斷的狀態(tài)下，電阻電路網(wǎng)14在第I連接電極12和第2連接電極13之間，構(gòu)成基準(zhǔn)電阻單位體R8與12種電阻單位體R / 16、R / 8、R /4、R / 2、R1、R2、R4、R8、R16、R32、R64、R128的并聯(lián)連接電路之間的串聯(lián)連接電路。
[0455]并且，基準(zhǔn)電阻單位體R / 16以外的12種電阻單位體分別串聯(lián)連接了熔斷膜F。因此，在具有該電阻電路網(wǎng)14的貼片電阻器30中，若根據(jù)所要求的電阻值選擇性地例如通過激光來熔斷熔斷膜F，則可從電阻電路網(wǎng)14電分離與被熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體(串聯(lián)連接了熔斷膜F的電阻單位體)，能夠調(diào)整貼片電阻器10的電阻值。
[0456]換言之，該實(shí)施方式的貼片電阻器30也通過選擇性地熔斷與多種電阻單位體對(duì)應(yīng)地設(shè)置的熔斷膜，從而能夠從電阻電路網(wǎng)電分離多種電阻單位體。并且，多種電阻單位體各自的電阻值已被決定，換言之通過以數(shù)字方式調(diào)整電阻電路網(wǎng)14的電阻值就能夠設(shè)為具有所要求的電阻值的貼片電阻器30。
[0457]此外，多種電阻單位體具備:具有相等的電阻值的電阻體膜R以I個(gè)、2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)、32個(gè)、64個(gè)及128個(gè)這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而串聯(lián)連接了這些電阻體R的多種串聯(lián)電阻單位體、和相等電阻值的電阻體R以2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而并聯(lián)連接了這些電阻體R的多種并聯(lián)電阻單位體，因此通過選擇性地熔斷熔斷膜F，能夠?qū)㈦娮桦娐肪W(wǎng)14整體的電阻值細(xì)致地以數(shù)字方式設(shè)定為任意的電阻值。
[0458]另外，在圖72所示的電路中，在基準(zhǔn)電阻單位體R/16及被并聯(lián)連接的電阻單位體中電阻值小的電阻單位體中有可能會(huì)流過過電流，在設(shè)定電阻時(shí)，必須將流過電阻的額定電流設(shè)計(jì)得較大。因此，為了使電流分散，也可以將圖72所示的電路變更電阻電路網(wǎng)的連接結(jié)構(gòu)，使其成為圖73(A)所示的電路結(jié)構(gòu)。即，變更為如下的電路:刪除基準(zhǔn)電阻單位體R/16，且將并聯(lián)連接的電阻單位體的最小電阻值設(shè)為r，包括將電阻值r的電阻單位體Rl并聯(lián)連接多組而得到的結(jié)構(gòu)140。圖73(B)是表示了具體的電阻值的電路圖，是包括結(jié)構(gòu)140的電路，結(jié)構(gòu)140是將80 Ω的電阻單位體和熔斷膜F的串聯(lián)連接并聯(lián)連接多組而得到的。由此,能夠使流過的電流分散。
[0459]圖74是用電路圖表示了又一實(shí)施方式的貼片電阻器所具備的電阻電路網(wǎng)14的電路結(jié)構(gòu)的圖。圖74所示的電阻電路網(wǎng)14的特征在于，變成了多種電阻單位體的串聯(lián)連接、與多種電阻單位體的并聯(lián)連接被串聯(lián)連接的電路結(jié)構(gòu)。在被串聯(lián)連接的多種電阻單位體上，與之前的實(shí)施方式相同，按各電阻單位體并聯(lián)連接熔斷膜F，被串聯(lián)連接的多種電阻單位體全部因熔斷膜F而呈短路狀態(tài)。因此，若熔斷熔斷膜F，則因該熔斷膜F而成為了短路狀態(tài)的電阻單位體就以電方式被組入電阻電路網(wǎng)14中。
[0460]另一方面，被并聯(lián)連接的多種電阻單位體分別串聯(lián)連接了熔斷膜F。因此，通過熔斷熔斷膜F，能夠從電阻單位體的并聯(lián)連接電切離串聯(lián)連接著熔斷膜F的電阻單位體。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，例如，在并聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以下的小電阻，在串聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以上的電阻電路。因此，能夠利用由相等的基本設(shè)計(jì)構(gòu)成的電阻電路網(wǎng)14來生成從幾Ω的小電阻到幾ΜΩ的大電阻這樣寬范圍的電阻電路。[0461]此外，在更高精度地設(shè)定電阻值的情況下，若預(yù)先切斷接近所要求的電阻值的串聯(lián)連接側(cè)電阻電路的熔斷膜，則可通過熔斷并聯(lián)連接側(cè)的電阻電路的熔斷膜來進(jìn)行細(xì)致的電阻值的調(diào)整，因此可提高組入期望的電阻值的精度。圖75是表示具有10 Ω?1ΜΩ的電阻值的貼片電阻器中的電阻電路網(wǎng)14的具體的結(jié)構(gòu)例的電路圖。
[0462]圖75所示的電阻電路網(wǎng)14也是對(duì)因熔斷膜F而呈短路狀態(tài)的多種電阻單位體的串聯(lián)連接、和串聯(lián)連接了熔斷膜F的多種電阻單位體的并聯(lián)連接進(jìn)行串聯(lián)連接的電路結(jié)構(gòu)。根據(jù)圖75的電阻電路，在并聯(lián)連接側(cè)，能夠在精度1%以內(nèi)設(shè)定10?IkQ的任意的電阻值。此外，在串聯(lián)連接側(cè)的電路中，能夠在精度1%以內(nèi)設(shè)定Ik?1ΜΩ的任意的電阻值。在使用串聯(lián)連接側(cè)的電路的情況下，具有以下優(yōu)點(diǎn):預(yù)先熔斷接近期望的電阻值的電阻單位體的熔斷膜F，組合成期望的電阻值，從而能夠更高精度地設(shè)定電阻值。
[0463]在以上的說明中，詳細(xì)說明了通過第4參考例的制造方法制造出的貼片電阻器。但是，第4參考例的制造方法并不限于貼片電阻器，也可以應(yīng)用于作為分立部件的其他貼片部件、包括電阻體的復(fù)合元件或包括電阻體的電子設(shè)備中?！吹?參考例的發(fā)明>(1)第5參考例的發(fā)明的特征例如，第5參考例的發(fā)明的特征是以下的El?E10。(El) —種電子設(shè)備，包括:具有元件形成面及側(cè)面的基板；在所述基板的所述元件形成面上形成的元件；具有覆蓋所述元件的元件覆蓋部、和覆蓋所述基板的側(cè)面的側(cè)面覆蓋部的保護(hù)膜；以及在所述保護(hù)膜的所述側(cè)面覆蓋部的全部或該側(cè)面覆蓋部中的所述元件形成面相反側(cè)的一部分露出的狀態(tài)下覆蓋所述元件覆蓋部的樹脂膜。
[0464]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在制造電子設(shè)備時(shí)，在元件形成面上形成了多個(gè)元件的晶片中，若在元件形成面中的元件的邊界形成用于將電子設(shè)備一個(gè)個(gè)進(jìn)行分割的槽，則槽的側(cè)面成為分割后的各電子設(shè)備的側(cè)面。并且，在對(duì)電子設(shè)備進(jìn)行分割之前，在槽的側(cè)面及元件形成面形成保護(hù)膜之后，形成覆蓋元件形成面的保護(hù)膜(成為元件覆蓋部的部分)的樹脂膜。樹脂膜至少露出槽的側(cè)面的保護(hù)膜(成為側(cè)面覆蓋部的部分)中的元件形成面相反側(cè)(槽的底面?zhèn)?，因此能夠防止在形成樹脂膜時(shí)(制造電子設(shè)備時(shí))槽從底面?zhèn)缺粯渲ぬ盥瘛?E2)根據(jù)El記載的電子設(shè)備，所述樹脂膜具有比所述保護(hù)膜的側(cè)面覆蓋部更向側(cè)方突出的伸長部。
[0465]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，電子設(shè)備與周邊物體接觸時(shí)，最先由伸長部與周邊物體接觸，能夠緩和接觸引起的沖擊，因此能夠防止沖擊波及到元件等。(E3)根據(jù)El或E2記載的電子設(shè)備，所述樹脂膜具有朝向側(cè)方凸出的圓形狀的側(cè)面。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，伸長部能夠順利緩和接觸引起的沖擊。(E4)根據(jù)El?E3的任一項(xiàng)記載的電子設(shè)備，所述基板的側(cè)面的角部是圓形狀，該圓形狀是利用等離子蝕刻或硅蝕刻而形成的。
[0466]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠防止在角部產(chǎn)生碎片(缺口)。(E5)根據(jù)El?E4的任一項(xiàng)記載的電子設(shè)備，所述元件包括由單位電阻構(gòu)成的電阻電路。(E6)根據(jù)El?E5的任一項(xiàng)記載的電子設(shè)備，包括在所述元件形成面形成且與所述元件相連的布線膜、和經(jīng)由貫通所述樹脂膜及保護(hù)膜的貫通孔而與所述布線膜連接的外部連接電極。(E7)根據(jù)El?E6的任一項(xiàng)記載的電子設(shè)備，所述樹脂膜由感光性樹脂薄膜構(gòu)成。(ES) 一種電子設(shè)備的制造方法，包括:在基板的元件形成面形成元件的元件形成工序；在形成有所述元件的區(qū)域周圍形成槽的工序；形成覆蓋所述元件的表面及所述槽的內(nèi)表面的保護(hù)膜的工序；從所述保護(hù)膜上粘貼樹脂薄膜并在所述樹脂薄膜與所述槽的底面之間的該槽內(nèi)形成空間的工序；對(duì)該樹脂薄膜進(jìn)行圖案化以使所述樹脂薄膜在所述槽的上方被分離的工序；和使所述基板薄到從所述元件形成面相反側(cè)的面到達(dá)所述槽的底面為止，由此在所述槽中分割所述基板的工序。
[0467]如該方法所示，若從保護(hù)膜之上粘貼樹脂薄膜，槽不會(huì)從底面?zhèn)缺惶盥?。因此，若使基板薄至到達(dá)槽的底面，則能夠在槽中將基板分割為各個(gè)電子設(shè)備。(E9)根據(jù)ES記載的電子設(shè)備的制造方法，所述樹脂薄膜是感光性樹脂薄膜，對(duì)所述樹脂薄膜進(jìn)行圖案化的工序包括以與所述槽匹配的圖案使所述感光性樹脂薄膜曝光而顯影的工序。
[0468]根據(jù)該方法，可在顯影后的樹脂薄膜中被分離的邊緣部分形成前述的伸長部。(ElO)根據(jù)ES或E9記載的電子設(shè)備的制造方法，分割所述基板的工序包括選擇性地蝕刻覆蓋所述保護(hù)膜的所述槽的底面的部分的工序。(2)第5參考例的發(fā)明的實(shí)施方式以下，參照附圖來詳細(xì)說明第5參考例的實(shí)施方式。另外，圖77?圖91所示的符號(hào)僅在這些附圖中有效，即使在其他實(shí)施方式中使用也不會(huì)表示與該其他實(shí)施方式的符號(hào)相同的要素。
[0469]圖77(a)是用于說明第5參考例的一實(shí)施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖77(b)是表示將電子設(shè)備安裝到電路基板的狀態(tài)的示意性側(cè)視圖。該電子設(shè)備I是微小的貼片部件，如圖77(a)所示，是長方體形狀。電子設(shè)備I的尺寸是，長邊方向的長度L約為0.3mm,短邊方向的寬度W約為0.15mm,厚度T約為0.1mm。
[0470]通過在晶片(硅晶片)上以格子狀形成多個(gè)電子設(shè)備I之后切斷晶片來分離成各個(gè)電子設(shè)備1，從而獲得該電子設(shè)備I。電子設(shè)備I主要具備基板2、成為外部連接電極的第I連接電極3和第2連接電極4、以及元件5。這些第I連接電極3、第2連接電極4及元件5是利用半導(dǎo)體制造工藝在基板2上形成的。因此，作為基板2，可以使用硅基板(硅晶片)等半導(dǎo)體基板(半導(dǎo)體晶片)。另外，基板2也可以是絕緣基板等其他種類的基板。
[0471]基板2大致是長方體的芯片形狀。在基板2中，圖77(a)的上表面是元件形成面2A。元件形成面2A是基板2的表面，大致是長方形狀。在基板2的厚度方向上與元件形成面2A相反一側(cè)的面是背面2B。元件形成面2A和背面2B是大致相同形狀。此外，基板2除了元件形成面2A及背面2B以外，還具有與這些面正交著延伸的側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F。
[0472]側(cè)面2C被假設(shè)在元件形成面2A及背面2B中的長邊方向的一端邊緣(圖77(a)中的左前側(cè)的邊緣)之間，側(cè)面2D被假設(shè)在元件形成面2A及背面2B中的長邊方向的另一端邊緣(圖77 (a)中的右方里側(cè)的邊緣)之間。側(cè)面2C及側(cè)面2D是該長邊方向上的基板2的兩個(gè)端面。側(cè)面2E被假設(shè)在元件形成面2A及背面2B中的短邊方向的一端邊緣(圖77(a)中的左方里側(cè)的邊緣)之間，側(cè)面2F被假設(shè)在元件形成面2A及背面2B中的短邊方向的另一端邊緣(圖77(a)中的右前側(cè)的邊緣)之間。側(cè)面2E及側(cè)面2F是該短邊方向上的基板2的兩個(gè)端面。
[0473]在基板2中，通過保護(hù)膜23覆蓋了元件形成面2A、側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F。因此，嚴(yán)格來講，在圖77(a)中，元件形成面2A、側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F位于保護(hù)膜23的內(nèi)側(cè)(里側(cè))，不會(huì)露出在外部。另外，元件形成面2A上的保護(hù)膜23被樹脂膜24覆蓋。樹脂膜24從元件形成面2A凸出至側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F各自的元件形成面2A側(cè)的端部(圖77(a)中的上端部)。以后詳細(xì)說明保護(hù)膜23及樹脂膜24。
[0474]在基板2中，在相當(dāng)于大致長方形的元件形成面2A的一邊A (是側(cè)面2C、2D、2E及2F中的任一個(gè)，在此，如后述那樣是側(cè)面2C)的部分，形成有在厚度方向上切缺基板2的凹部。一邊A也是俯視時(shí)的電子設(shè)備I的一邊。圖77(a)中的凹部10形成在側(cè)面2C，在基板2的厚度方向上延伸，同時(shí)凹向側(cè)面2D側(cè)。凹部10在厚度方向上貫通基板2，該厚度方向上的凹部10的端部分別從元件形成面2A及背面2B露出。凹部10在側(cè)面2C延伸的方向(前述的短邊方向)上比側(cè)面2C小。從厚度方向(也是電子設(shè)備I的厚度方向)看基板2的俯視時(shí)的凹部10的形狀是其長邊位于所述短邊方向上的長方形狀(矩形狀)。另外，俯視時(shí)的凹部10的形狀也可以是朝向凹部10凹入的方向(側(cè)面2D側(cè))寬度變窄的梯形狀，還可以是朝向凹入方向變細(xì)的三角形狀，也可以是U字形狀(凹成U字的形狀)。無論是哪種形狀，只要是這種簡單形狀的凹部10，就能夠簡單地形成。此外，凹部10在此是形成在側(cè)面2C上，但是也可以不是側(cè)面2C，而是形成在側(cè)面2C?2F中的至少I個(gè)側(cè)面上。
[0475]凹部10表示在電路基板9 (參照?qǐng)D77(b))安裝電子設(shè)備I時(shí)的電子設(shè)備I的朝向(貼片方向)。俯視時(shí)的電子設(shè)備I (嚴(yán)格來講是基板2)的輪廓是在其一邊A具有凹部10的矩形，因此在長邊方向具有非對(duì)稱的外形。也就是說，該非對(duì)稱的外形在側(cè)面2C、2D、2E及2F中的至少一個(gè)側(cè)面(一邊A)上具有表示貼片方向的凹部10，電子設(shè)備I通過該非對(duì)稱的外形，能夠表示長邊方向的凹部側(cè)是貼片方向。由此，只要將電子設(shè)備I中的基板2的外形設(shè)為俯視時(shí)的非對(duì)稱，就能夠識(shí)別電子設(shè)備I的貼片方向。也就是說，無需標(biāo)識(shí)工序，通過電子設(shè)備I的外形就能夠識(shí)別貼片方向。特別是，由于電子設(shè)備I中的非對(duì)稱的外形是在其一邊A具有表示貼片方向的凹部10的矩形，因此在電子設(shè)備I中，能夠?qū)⑦B接一邊A和相反側(cè)的一邊B的長邊方向上的凹部10側(cè)設(shè)為貼片方向。因此，例如，只要俯視時(shí)使電子設(shè)備I的長邊方向與左右方向一致，此時(shí)當(dāng)一邊A位于左端時(shí)能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I正確地安裝到電路基板9，因此安裝時(shí)，通過凹部10從電子設(shè)備I的外觀就能夠掌握必須將電子設(shè)備I的朝向匹配成俯視時(shí)使一邊A位于左端的情況。
[0476]并且，在長方體的基板2中，在側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F中構(gòu)成相鄰的彼此的邊界的角部(該相鄰的側(cè)面彼此交叉的部分)11被整形為被倒角后的圓形狀(形成圓弧)。此外，在基板2中，構(gòu)成凹部10與凹部10周邊的側(cè)面2C之間的邊界的角部(在側(cè)面2C中的凹部10的角部)12也被整形為被倒角后的圓形狀。在此，角部12不僅是凹部10與其周邊的側(cè)面2C(凹部10以外的部分)之間的邊界，還存在于凹部10的最深部側(cè)，俯視時(shí)有四處角部。
[0477]由此，在俯視時(shí)的基板2的輪廓中彎曲的部分(角部11、12)都是圓形狀。因此，圓形狀中的角部11、12能夠防止碎片的產(chǎn)生。由此，在電子設(shè)備I的制造中，能夠?qū)崿F(xiàn)成品率的提高(生產(chǎn)率的提高)。第I連接電極3和第2連接電極4形成在基板2的元件形成面2A上，部分從樹脂膜24露出。第I連接電極3和第2連接電極4都是例如在元件形成面2A上以Ni(鎳)、Pd(鈀)及Au(金)的順序?qū)盈B這些金屬而構(gòu)成的。在元件形成面2A的長邊方向上隔著間隔而配置第I連接電極3和第2連接電極4，這些電極的長邊位于元件形成面2A的短邊方向上。在圖77(a)中，在元件形成面2A中，在偏向側(cè)面2C的位置處設(shè)有第I連接電極3，在偏向側(cè)面2D的位置處設(shè)有第2連接電極4。前述的側(cè)面2C的凹部10凹進(jìn)去的深度是不會(huì)干擾第I連接電極3的程度。但是，此時(shí)也可以根據(jù)凹部10在第I連接電極3中也設(shè)置凹部(成為凹部10的一部分)。
[0478]元件5是電路元件，在基板2的元件形成面2A中的第I連接電極3與第2連接電極4之間的區(qū)域形成該元件5，并且由保護(hù)膜23及樹脂膜24覆蓋其上表面。該實(shí)施方式的元件5是由電路網(wǎng)構(gòu)成的電阻56，在元件形成面2A上以矩陣狀排列由TiN(氮化鈦)或TiON(氧氮化鈦)構(gòu)成的多個(gè)薄膜狀的電阻體(薄膜電阻體)R而獲得該電路網(wǎng)。元件5與后述的布線膜22連接著，且經(jīng)由布線膜22而與第I連接電極3和第2連接電極4連接。由此，在電子設(shè)備I中，在第I連接電極3與第2連接電極4之間形成基于元件5的電阻電路。因此，該實(shí)施方式的電子設(shè)備I成為貼片電阻器。
[0479]如圖77 (b)所示，使第I連接電極3和第2連接電極4與電路基板9對(duì)置，通過焊料13以電及機(jī)械方式連接到電路基板9的電路(未圖示)上，能夠在電路基板9倒裝連接電子設(shè)備I。另外，為了提高焊料潤濕性及可靠性，期望起到外部連接電極作用的第I連接電極3和第2連接電極4由金(Au)形成、或者在表面實(shí)施鍍金。
[0480]圖78是電子設(shè)備的俯視圖，是表示第I連接電極、第2連接電極及元件的配置關(guān)系以及俯視元件時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。參照?qǐng)D78，成為電阻電路網(wǎng)的元件5作為一例而具有由沿著行方向(基板2的長邊方向)排列的8個(gè)電阻體R、和沿著列方向(基板2的寬度方向)排列的44個(gè)電阻體R構(gòu)成的共計(jì)352個(gè)電阻體R。各個(gè)電阻體R都具有相等的電阻值。
[0481]通過將這些多個(gè)電阻體R按I個(gè)~64個(gè)這樣的規(guī)定個(gè)數(shù)組合起來電連接，從而形成多種電阻單位體(單位電阻)。經(jīng)由連接用導(dǎo)體膜C以規(guī)定的方式連接所形成的多種電阻單位體。另外，為了在基板2的元件形成面2A上向元件5電組入電阻單位體、或者從元件5電分離電阻單位體，而設(shè)置有可熔斷的多個(gè)熔斷膜F。多個(gè)熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C沿著第2連接電極4的內(nèi)側(cè)邊被排列成配置區(qū)域呈直線狀。更具體而言，以直線狀配置了多個(gè)熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C。
[0482]圖79A是放大了圖78所示的元件的一部分的俯視圖。圖79B是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖79A的B-B的長度方向的縱向截面圖。圖79C是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖79A的C-C的寬度方向的縱向截面圖。參照?qǐng)D79A、圖79B及圖79C，說明電阻體R的結(jié)構(gòu)。
[0483]電子設(shè)備I除了前述的布線膜22、保護(hù)膜23及樹脂膜24外，還具備絕緣膜20和電阻體膜21 (參照?qǐng)D79B及圖79C)。絕緣膜20、電阻體膜21、布線膜22、保護(hù)膜23及樹脂膜24形成在基板2 (元件形成面2A)上。絕緣膜20由SiO2 ( 二氧化硅)構(gòu)成。絕緣膜20
覆蓋基板2的元件形成面2A的整個(gè)區(qū)域。絕緣膜20的厚度約為丨OOOOjL
[0484]電阻體膜21構(gòu)成電阻體R。電阻體膜21由TiN或TiON構(gòu)成，被層疊在絕緣膜20的表面上。電阻體膜21的厚度約為20001電阻體膜21構(gòu)成在第I連接電極3與第2連接電極4之間延伸為線狀的多根線(以下稱為“電阻體膜線21A”)，電阻體膜線21A有時(shí)會(huì)在線方向的規(guī)定位置處被切斷(參照?qǐng)D79A)。
[0485]在電阻體膜線21A上層疊布線膜22。布線膜22由Al (鋁)或鋁與Cu(銅)的合金(AlCu合金)構(gòu)成。布線膜22的厚度約為8000^4。在電阻體膜線21A上沿著線方向隔著恒定間隔R層疊了布線膜22。用電路符號(hào)表示該結(jié)構(gòu)的電阻體膜線21A及布線膜22的電特征的話，則如圖80。即，如圖80(a)所示，規(guī)定間隔R的區(qū)域的電阻體膜線21A部分分別形成具有一定電阻值r的I個(gè)電阻體R。
[0486]并且，在層疊有布線膜22的區(qū)域中，通過電連接布線膜22相鄰的電阻體R彼此，從而提高該布線膜22使電阻體膜線21A呈短路狀態(tài)。由此，形成圖80(b)所示的由電阻r的電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻電路。此外，通過電阻體膜21及布線膜22連接了相鄰的電阻體膜線21A彼此，因此圖79A所示的元件5的電阻電路網(wǎng)構(gòu)成圖80(c)所示的(由前述的電阻體R的單位電阻構(gòu)成)電阻電路。
[0487]在此，插入基板2上的相同形狀且相同大小的電阻體膜21根據(jù)具有大致相同電阻值的這一特性，在基板2上以矩陣狀排列的多個(gè)電阻體R具有相等的電阻值。此外，層疊在電阻體膜線21A上的布線膜22形成電阻體R的同時(shí)，還起到連接多個(gè)電阻體R而構(gòu)成電阻單位體的連接用布線膜的作用。
[0488]圖81(a)是放大了圖78所示的電子設(shè)備的俯視圖的一部分的包括熔斷膜的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖81 (b)是表示沿著圖81 (a)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。如圖81 (a)及(b)所示，前述的熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C也由層疊在形成電阻體R的電阻體膜21上的布線膜22形成。即，在與層疊在形成電阻體R的電阻體膜線21A上的布線膜22相同的層，通過與布線膜22相同的金屬材料、即Al或AlCu合金而形成了熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C。
[0489]也就是說，在層疊在電阻體膜21上的同一層，作為布線膜22，可利用同一種金屬材料(Al或AlCu合金)通過相同的制造工藝(后述的濺射及光刻工藝)形成用于形成電阻體R的布線膜、熔斷膜F、連接用導(dǎo)體膜C、以及用于將元件5連接到第I連接電極3和第2連接電極4的布線膜。
[0490]另外，熔斷膜F不僅指布線膜22的一部分，還指電阻體R(電阻體膜21)的一部分與電阻體膜21上的布線膜22的一部分的集合(熔絲元件)。此外，僅說明了熔斷膜F使用與連接用導(dǎo)體膜C相同的層的情況，但是連接用導(dǎo)體膜C部分也可以在其上進(jìn)一步層疊其他導(dǎo)體膜來降低導(dǎo)體膜的電阻值。另外，此時(shí)，只要不在熔斷膜F上層疊導(dǎo)體膜，就不會(huì)使熔斷膜F的熔斷性惡化。
[0491]圖82是第5參考例的實(shí)施方式的元件的電路圖。參照?qǐng)D82，元件5以基準(zhǔn)電阻單位體R8、電阻單位體R64、2個(gè)電阻單位體R32、電阻單位體R16、電阻單位體R8、電阻單位體R4、電阻單位體R2、電阻單位體R1、電阻單位體R / 2、電阻單位體R / 4、電阻單位體R /8、電阻單位體R / 16、電阻單位體R / 32的順序從第I連接電極3串聯(lián)連接這些電阻單位體而構(gòu)成。基準(zhǔn)電阻單位體R8及電阻單位體R64?R2分別串聯(lián)連接與自身后綴數(shù)(R64時(shí)是“64”)相同數(shù)量的電阻體R而構(gòu)成。電阻單位體Rl由I個(gè)電阻體R構(gòu)成。電阻單位體R / 2?R / 32分別并聯(lián)連接與自身后綴數(shù)(R / 32時(shí)是“32”)相同數(shù)量的電阻體R而構(gòu)成。電阻單位體的后綴數(shù)字的意思在后述的圖83及圖84中也是相同的。
[0492]并且，對(duì)基準(zhǔn)電阻單位體R8以外的電阻單位體R64?電阻單位體R / 32分別并聯(lián)連接一個(gè)熔斷膜F。熔斷膜F彼此直接或經(jīng)由連接用導(dǎo)體膜C(參照?qǐng)D81(a))而被串聯(lián)連接著。如圖82所示，在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，元件5構(gòu)成由在第I連接電極3與第2連接電極4之間設(shè)置的8個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的基準(zhǔn)電阻單位體R8 (電阻值8r)的電阻電路。例如，若將I個(gè)電阻體R的電阻值r設(shè)為r = 80 Ω，則構(gòu)成通過8r=64 Ω的電阻電路連接了第I連接電極3和第2連接電極4的貼片電阻器(電子設(shè)備I)。
[0493]此外，在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，基準(zhǔn)電阻單位體R8以外的多種電阻單位體呈短路的狀態(tài)。也就是說，基準(zhǔn)電阻單位體R8串聯(lián)連接了 12種13個(gè)電阻單位體R64?R / 32，各電阻單位體因分別與其并聯(lián)連接的熔斷膜F而呈短路的狀態(tài)，因此從電特性上看，各電阻單位體并未被組入元件5中。
[0494]該實(shí)施方式的電子設(shè)備I中，根據(jù)所要求的電阻值，選擇性地例如通過激光來熔斷熔斷膜F。由此，向元件5中組入并聯(lián)連接著的熔斷膜F被熔斷的電阻單位體。因此，能夠?qū)⒃?整體的電阻值設(shè)為串聯(lián)連接與被熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體而組成的電阻值。
[0495]特別是，多種電阻單位體具備:具有相等的電阻值的電阻體R以I個(gè)、2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)、32個(gè)…這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而串聯(lián)連接了這些電阻體R的多種串聯(lián)電阻單位體、和相等電阻值的電阻體R以2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而并聯(lián)連接了這些電阻體R的多種并聯(lián)電阻單位體。因此通過選擇性地熔斷熔斷膜F (也包括前述的熔絲元件)，能夠?qū)⒃? (電阻56)整體的電阻值細(xì)致地以數(shù)字方式調(diào)整為任意的電阻值，在電子設(shè)備I中能夠產(chǎn)生期望值的電阻。
[0496]圖83是第5參考例的另一實(shí)施方式的元件的電路圖。如前所述，代替串聯(lián)連接基準(zhǔn)電阻單位體R8及電阻單位體R64~電阻單位體R / 32來構(gòu)成元件5的方式，也可以如圖83那樣構(gòu)成元件5。詳細(xì)而言，在第I連接電極3與第2連接電極4之間，也可以通過基準(zhǔn)電阻單位體R / 16、與12種電阻單位體R / 16、R / 8、R / 4、R / 2、Rl、R2、R4、R8、R16、R32、R64、R128的并聯(lián)連接電路之間的串聯(lián)連接電路構(gòu)成元件5。
[0497]此時(shí)，基準(zhǔn)電阻單位體R / 16以外的12種電阻單位體分別串聯(lián)連接了熔斷膜F。在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，在電特性上各電阻單位體已被組入元件5中。根據(jù)所要求的電阻值，選擇性地例如通過激光熔斷熔斷膜F，則可從元件5電分離與被熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體(串聯(lián)連接了熔斷膜F的電阻單位體)，因此能夠調(diào)整電子設(shè)備I整體的電阻值。
[0498]圖84是第5參考例的又一實(shí)施方式的元件的電路圖。圖84所示的元件5的特征是，成為了對(duì)多種電阻單位體的串聯(lián)連接、和多種電阻單位體的并聯(lián)連接進(jìn)行了串聯(lián)連接的電路結(jié)構(gòu)。被串聯(lián)連接的多種電阻單位體與之前的實(shí)施方式同樣地按每個(gè)電阻單位體并聯(lián)連接了熔斷膜F，被串聯(lián)連接的 多種電阻單位體全部因熔斷膜F而呈短路狀態(tài)。因此，若熔斷熔斷膜F，則在電特性上，因該被熔斷的熔斷膜F而處于短路狀態(tài)的電阻單位體被組入元件5中。
[0499]另一方面，被并聯(lián)連接的多種電阻單位體分別串聯(lián)連接著熔斷膜F。因此，通過熔斷熔斷膜F，從而能夠從電阻單位體的并聯(lián)連接電切離被熔斷的熔斷膜F串聯(lián)連接著的電阻單位體。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，例如，在并聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以下的小電阻，在串聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以上的電阻電路，能夠利用由相等的基本設(shè)計(jì)構(gòu)成的電阻的電路網(wǎng)來生成從幾Ω的小電阻到幾M Ω的大電阻這樣寬范圍的電阻電路。
[0500]圖85是電子設(shè)備的示意性截面圖。接著，參照?qǐng)D85，詳細(xì)說明電子設(shè)備I。另外，為了便于說明，在圖85中簡化了前述的元件5，并且對(duì)基板2以外的各要素附加了陰影。在此，說明前述的保護(hù)膜23及樹脂膜24。
[0501]保護(hù)膜23例如由SiN(氮化硅)構(gòu)成，其厚度約為3000/L在元件形成面2A的整個(gè)區(qū)域設(shè)置保護(hù)膜23，保護(hù)膜23整體具有從表面(圖85的上側(cè))覆蓋電阻體膜21及電阻體膜21上的各布線膜22 (即，元件5)(也就是說，覆蓋元件5中的各電阻體R的上表面)的元件覆蓋部23A、和覆蓋基板2的4個(gè)側(cè)面2C~2F (參照?qǐng)D77 (a))各自的整個(gè)區(qū)域的側(cè)面覆蓋部23B。元件覆蓋部23A和側(cè)面覆蓋部23B實(shí)際上具有相同的厚度，互相連續(xù)。因此，保護(hù)膜23整體以大致相同的厚度連續(xù)地覆蓋了電阻體R的上表面及基板2的側(cè)面2C?2F。
[0502]通過元件覆蓋部23A，可防止電阻體R間的布線膜22以外處的短路(相鄰的電阻體膜線2IA間的短路)。側(cè)面覆蓋部23B除了側(cè)面2C?2F各自的整個(gè)區(qū)域之外，還覆蓋在絕緣膜20中露出到側(cè)面2C?2F的部分。側(cè)面覆蓋部23B在側(cè)面2C覆蓋包括形成有凹部10的部分在內(nèi)的整個(gè)區(qū)域(參照?qǐng)D77 (a))。通過側(cè)面覆蓋部23B，能夠防止各側(cè)面2C?2F中的短路(在該側(cè)面產(chǎn)生短路路徑)。
[0503]參照?qǐng)D77 (a)，保護(hù)膜23連續(xù)地覆蓋了基板2的元件形成面2A和4個(gè)側(cè)面2C?2F，因此具有沿著基板2的角部11及12的圓形狀的角部26。此時(shí)，可通過保護(hù)膜23來保護(hù)元件5及布線膜22，通過能夠防止在保護(hù)膜23的角部26產(chǎn)生碎片。
[0504]返回圖85，樹脂膜24與保護(hù)膜23 —起保護(hù)電子設(shè)備1，由聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成。樹脂膜24的厚度約為5 μ m。樹脂膜24在整個(gè)區(qū)域上覆蓋元件覆蓋部23A的表面(保護(hù)膜23的上表面)，同時(shí)在基板2的4個(gè)側(cè)面2C?2F上的側(cè)面覆蓋部23B中覆蓋元件形成面2A側(cè)的端部(圖85中的上端部)。也就是說，樹脂膜24至少使4個(gè)側(cè)面2C?2F上的側(cè)面覆蓋部23B中的元件形成面2A相反側(cè)(圖85中的下側(cè))的部分露出。
[0505]在這種樹脂膜24中，俯視時(shí)與4個(gè)側(cè)面2C?2F —致的部分成為比這些側(cè)面上的側(cè)面覆蓋部23B更向側(cè)方(外側(cè))突出的圓弧狀的伸長部24A。也就是說，樹脂膜24 (伸長部24A)在側(cè)面2C?2F比側(cè)面覆蓋部23B(保護(hù)膜23)更凸出。這種樹脂膜24在圓弧狀的伸長部24A中具有朝向側(cè)方凸出的圓形狀的側(cè)面24B。伸長部24A覆蓋構(gòu)成元件形成面2A與側(cè)面2C?2F中的每個(gè)側(cè)面之間的邊界的角部27。因此，當(dāng)電子設(shè)備I與周邊物體接觸時(shí)，最先伸長部24A與周邊物體接觸，能夠緩和接觸帶來的沖擊，因此不會(huì)使沖擊波及到元件5等中，并且能夠防止在前述的角部27中產(chǎn)生碎片。特別是，伸長部24A具有圓形狀的側(cè)面24B，因此能夠順利地緩和接觸帶來的沖擊。
[0506]另外，也可以是樹脂膜24完全不覆蓋側(cè)面覆蓋部23B的結(jié)構(gòu)(使側(cè)面覆蓋部23B全部露出的結(jié)構(gòu))。在樹脂膜24中，在俯視時(shí)分開的兩個(gè)位置處分別形成一個(gè)開口 25。各開口 25是在各自的厚度方向上連續(xù)地貫通樹脂膜24及保護(hù)膜23 (元件覆蓋部23A)的貫通孔。因此，開口 25除了在樹脂膜24中形成之外，也可以在保護(hù)膜23中形成。從各開口25使布線膜22的一部分露出。在布線膜22中從各開口 25露出的部分成為外部連接用的焊盤區(qū)域22A。
[0507]兩個(gè)開口 25中，一個(gè)開口 25被第I連接電極3完全填埋，另一個(gè)開口 25被第2連接電極4完全填埋。并且，第I連接電極3和第2連接電極4的一部分分別在樹脂膜24的表面從開口 25凸出。第I連接電極3經(jīng)由該一個(gè)開口 25而在開口 25中的焊盤區(qū)域22A中與布線膜22電連接。第2連接電極4經(jīng)由該另一個(gè)開口 25在該開口 25中的焊盤區(qū)域22A中與布線膜22電連接。由此，第I連接電極3和第2連接電極4分別與元件5電連接。在此，布線膜22形成電阻體R的集合(電阻56)、和分別與第I連接電極3及第2連接電極4連接的布線。
[0508]由此，形成有開口 25的樹脂膜24及保護(hù)膜23，形成為從開口 25使第I連接電極3和第2連接電極4露出。因此，經(jīng)由在樹脂膜24的表面從開口 25凸出的第I連接電極3和第2連接電極4，能夠?qū)崿F(xiàn)電子設(shè)備I與電路基板9之間的電連接(參照?qǐng)D77 (b))。
[0509]圖86A?圖86F是表示圖85所示的電子設(shè)備的制造方法的示意性截面圖。首先，如圖86A所不,準(zhǔn)備由Si構(gòu)成的晶片30。晶片30成為基板2的來源。因此，晶片30的表面30A是基板2的元件形成面2A，晶片30的背面30B是基板2的背面2B。
[0510]然后，在晶片30的表面30A形成由SiO2等構(gòu)成的絕緣膜20，在絕緣膜20上形成元件5(電阻體R及布線膜22)。具體而言，通過濺射，首先在絕緣膜20上的整個(gè)面上形成TiN或TiON的電阻體膜21，然后在電阻體膜21上層疊鋁(Al)的布線膜22。之后，利用光刻工藝，例如通過干蝕刻來選擇性地去除電阻體膜21及布線膜22，如圖79A所示，獲得俯視時(shí)沿著列方向隔著恒定間隔排列了層疊有電阻體膜21的恒定寬度的電阻體膜線21A。此時(shí)，一部分還會(huì)形成電阻體膜線21A及布線膜22被切斷的區(qū)域。接著，選擇性地去除層疊在電阻體膜線21A上的布線膜22。其結(jié)果，獲得在電阻體膜線21A上隔著恒定間隔R層疊了布線膜22的結(jié)構(gòu)的元件5。
[0511]參照?qǐng)D86A，根據(jù)在I片晶片30中形成的電子設(shè)備I的數(shù)量，在晶片30的表面30A上的多處形成元件5。接著，如圖86B所示，為了全部覆蓋絕緣膜20上的元件5，在晶片30的表面30A的整個(gè)區(qū)域上形成抗蝕劑圖案41。抗蝕劑圖案41中形成有開口 42。
[0512]圖87是在圖86B的工序中形成槽時(shí)所使用的抗蝕劑圖案的部分示意性俯視圖。在以矩陣狀(也可以是格子狀)配置了多個(gè)電子設(shè)備I的情況下，抗蝕劑圖案41的開口 42在俯視時(shí)與相鄰的電子設(shè)備I的輪廓間的區(qū)域(在圖87中附加了陰影的部分)一致。因此，開口 42的整體形狀是具有多個(gè)互相正交的直線部分42A及42B的格子狀。此外，在直線部分42A及42B中的任一個(gè)上(在此，是直線部分42A)，根據(jù)電子設(shè)備I的凹部10 (參照?qǐng)D77(a))，連續(xù)地設(shè)置從直線部分42A正交地突出的突出部分42C。
[0513]在此，在電子設(shè)備I中，角部11、12是圓形狀(參照?qǐng)D77(a))。由此，在開口 42中互相正交的直線部分42A及42B彎曲的同時(shí)互相連接著。此外，互相正交的直線部分42A及突出部分42C也彎曲的同時(shí)互相連接著。因此，直線部分42A和42B的交叉部分43A、以及直線部分42A和突出部分42C的交叉部分43B是角部圓的圓形狀。此外，在突出部分42C中，交叉部分43B以外的部分的角部也是圓形狀。
[0514]參照?qǐng)D86B，通過將抗蝕劑圖案41作為掩模的等離子蝕刻，分別選擇性地去除絕緣膜20及晶片30。由此，在俯視時(shí)與抗蝕劑圖案41的開口 42 —致的位置，形成貫通絕緣膜20而到達(dá)晶片30的一部分厚度為止的槽44。槽44具有相互對(duì)置的側(cè)面44A、和連接對(duì)置的側(cè)面44A的下端(晶片30的背面30B側(cè)的端)的底面44B。以晶片30的表面30A為基準(zhǔn)的槽44的深度約為100 μ m，槽44的寬度(對(duì)置的側(cè)面44A的間隔)約為20 μ m。
[0515]圖88(a)是在圖86B的工序中形成槽之后的晶片的示意性俯視圖，圖88(b)是圖88(a)的部分放大圖。參照?qǐng)D88(b)，槽44的整體形狀是俯視時(shí)與抗蝕劑圖案41的開口42(參照?qǐng)D87) —致的格子狀。并且，在晶片30的表面30A，槽44中的矩形框體部分包圍了形成有各元件5的區(qū)域周圍。在晶片30中形成有元件5的部分是電子設(shè)備I的半成品50。在晶片30的表面30A，被槽44包圍的區(qū)域中各有一個(gè)半成品50，這些半成品50被排列配置成矩陣狀。
[0516]此外，槽44形成為在抗蝕劑圖案41的與開口 42中的突出部分42C(參照?qǐng)D87)對(duì)應(yīng)的部分凹陷入了半成品50的一邊A的中途部分，由此，半成品50中形成有前述的凹部10 (參照?qǐng)D77 (a))。并且，根據(jù)在抗蝕劑圖案41的開口 42中呈圓形狀的交叉部分43A及43B(參照?qǐng)D87)，俯視時(shí)的半成品50的角部60(成為電子設(shè)備I的角部11、12)被整形為圓形狀。另外，該圓形狀是通過利用等離子蝕刻而形成的，但是也可以代替等離子蝕刻而是使用硅蝕刻(使用了藥液的通常的蝕刻)。
[0517]由此，通過對(duì)晶片30進(jìn)行蝕刻，從而能夠任意地設(shè)定半成品50 (換言之，最終的電子設(shè)備I)的外形，如該實(shí)施方式那樣，能夠設(shè)為角部60(角部11、12)為圓形狀且在一邊A具有凹部10的非對(duì)稱的矩形(還參照?qǐng)D77(a))。此時(shí)，無需標(biāo)識(shí)工序(通過激光等標(biāo)記表示貼片方向的記號(hào)等的工序)，就能夠制造可識(shí)別貼片方向的電子設(shè)備I。
[0518]形成槽44之后，去除抗蝕劑圖案41，如圖86C所示，在元件5的表面通過CVD(Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)形成由SiN構(gòu)成的保護(hù)膜(SiN膜)45。
SiN膜45具有約為3000A的厚度。SiN膜45形成為不僅覆蓋元件5表面的全部區(qū)域，而且還覆蓋槽44的內(nèi)表面(側(cè)面44A及底面44B)。另外，SiN膜45是在側(cè)面44A及底面44B上以大致恒定的厚度形成的薄膜，因此不會(huì)完全填埋槽44。此外，SiN膜45在槽44中只要在側(cè)面44A的整個(gè)區(qū)域上形成即可，因此可以不形成在底面44B上。
[0519]接著，如圖86D所示，從槽44以外的SiN膜45上對(duì)晶片30粘貼由聚酰亞胺構(gòu)成的感光性樹脂的薄膜46。圖89 (a)及(b)是表示在圖86D的工序中向晶片粘貼聚酰亞胺薄膜的狀態(tài)的示意性立體圖。具體而言，如圖89(a)所示，從表面30A側(cè)向晶片30 (嚴(yán)格來講是晶片30上的SiN膜45)覆蓋聚酰亞胺薄膜46之后，如圖89 (b)所示通過旋轉(zhuǎn)的輥47來將薄膜46按壓到晶片30。
[0520]如圖86D所示，在將薄膜46粘貼到槽44以外的SiN膜45的表面的整個(gè)區(qū)域上時(shí)，薄膜46的一部分會(huì)有一些進(jìn)入槽44側(cè)，但是只會(huì)覆蓋槽44的側(cè)面44A上的SiN膜45中的元件5側(cè)(表面30A側(cè))的一部分，薄膜46不會(huì)到達(dá)槽44的底面44B。因此，在薄膜46與槽44的底面44B之間的槽44內(nèi)，形成與槽44大致相同大小的空間S。此時(shí)的薄膜46的厚度是10 μ m?30 μ m。
[0521]接著,對(duì)薄膜46實(shí)施熱處理。由此,薄膜46的厚度熱收縮至約5μηι為止。接著，如圖86Ε所示，對(duì)薄膜46進(jìn)行圖案化，在薄膜46中選擇性地去除俯視時(shí)與槽44及布線膜22的各焊盤區(qū)域22Α—致的部分。具體而言，利用形成有俯視時(shí)與槽44及各焊盤區(qū)域22Α匹配(一致)的圖案的開口 61的掩模62，使薄膜46通過該圖案曝光并顯影。由此，在槽44及各焊盤區(qū)域22Α的上方分離了薄膜46，并且薄膜46中被分離的邊緣部分稍微向槽44側(cè)下垂而與槽44的側(cè)面44Α上的SiN膜45重疊，因此在該邊緣部分自然地形成前述的(具有圓形狀的側(cè)面24Β)的伸長部24Α。
[0522]接著，通過將這樣分離的薄膜46作為掩模的蝕刻，在SiN膜45去除俯視時(shí)與各焊盤區(qū)域22Α—致的部分。由此，形成開口 25。在此，SiN膜45會(huì)使各焊盤區(qū)域22Α露出。接著，通過非電解電鍍，在各開口 25的焊盤區(qū)域22Α上形成通過層疊N1、Pd及Au而構(gòu)成的Ni / Pd / Au層疊膜。此時(shí)，使Ni / Pd / Au層疊膜從開口 25凸出至薄膜46的表面為止。由此，各開口 25內(nèi)的Ni / Pd / Au層疊膜成為圖86F所示的第I連接電極3和第2連接電極4。
[0523]接著，進(jìn)行第I連接電極3與第2連接電極4之間的通電檢查之后，從背面30Β研磨晶片30。在此，晶片30中，構(gòu)成槽44的側(cè)面44Α的部分全部被SiN膜45覆蓋著，因此在晶片30的研磨中能夠防止在該部分產(chǎn)生微小的破裂等，同時(shí)即使產(chǎn)生了微小的破裂，也能通過由SiN膜45填埋該微小的破裂來抑制該微小的破裂擴(kuò)大。
[0524]并且，若通過研磨，使晶片30薄至到達(dá)槽44的底面44B (嚴(yán)格來講是底面44B上的SiN膜45)，則不需要連接相鄰的半成品50的部分，因此以槽44作為邊界來分割晶片30，半成品50成為電子設(shè)備1，分離成獨(dú)立的部件。由此，完成電子設(shè)備I (參照?qǐng)D85)。在各電子設(shè)備I中，構(gòu)成槽44的側(cè)面44A的部分是基板2的側(cè)面2C?2F中的任一個(gè)。并且，SiN膜45成為保護(hù)膜23。此外，分離的薄膜46成為樹脂膜24。
[0525]即使電子設(shè)備I的芯片尺寸小，通過如上述那樣先形成槽44之后再從背面30B研磨晶片30，從而能夠使電子設(shè)備I成為獨(dú)立的一片。因此，與現(xiàn)有技術(shù)中通過鉆石輪劃片機(jī)切割晶片30來使電子設(shè)備I成為獨(dú)立的一片的情況相比，省略了切割工序，因此能夠降低成本并縮短時(shí)間，能夠?qū)崿F(xiàn)成品率的提高。
[0526]根據(jù)以上所述，在制造電子設(shè)備I時(shí)，在表面30A(元件形成面2A)形成有多個(gè)元件5的晶片30中，若在表面30A中的元件5的邊界形成將電子設(shè)備I分割為一個(gè)個(gè)獨(dú)立的一片的槽44，則槽44的側(cè)面44A成為分割后的各電子設(shè)備I的側(cè)面2C?2F。在分割成電子設(shè)備I之前，在槽44的側(cè)面44A及晶片30的表面30A形成SiN膜45 (保護(hù)膜23)。在此，如圖86C所示，通過CVD法在電阻體R的上表面及槽44的內(nèi)表面(側(cè)面44A及底面44B)連續(xù)地形成大致相同厚度的CVD的保護(hù)膜(CVD保護(hù)膜)23。此時(shí)，在CVD工藝中在減壓環(huán)境下形成CVD保護(hù)膜23 (SiN膜45)，因此可使CVD保護(hù)膜23作為側(cè)面覆蓋部23B而附著在基板2的側(cè)面2C?2F(槽44的側(cè)面44A)的整個(gè)區(qū)域上。因此，在制造電子設(shè)備I時(shí)，能夠在槽44的側(cè)面44A均勻地形成保護(hù)膜23。
[0527]并且，在形成保護(hù)膜23之后，如圖86D所示，由覆蓋元件形成面2A的SiN膜45 (成為保護(hù)膜23的元件覆蓋部23A的部分)的薄膜46形成樹脂膜24。樹脂膜24至少使槽44的側(cè)面44A的SiN膜45 (成為保護(hù)膜23的側(cè)面覆蓋部23B的部分)中元件形成面2A的相反側(cè)(槽44的底面44B側(cè))露出，因此在形成樹脂膜24時(shí)(制造電子設(shè)備I時(shí))能夠防止槽44從底面44B側(cè)被樹脂膜24填埋。
[0528]具體而言，從保護(hù)膜23上粘貼薄膜46，從而形成樹脂膜24。此時(shí)，薄膜46不會(huì)從底面44B側(cè)填埋槽44。因此，如圖86F所示，若使基板2薄至到達(dá)槽44的底面44B，則能夠?qū)⒒?在槽44處分割為各個(gè)電子設(shè)備I。以上，說明了第5參考例的實(shí)施方式，但是也可以通過其他方式實(shí)施第5參考例。
[0529]例如，在將晶片30分割為獨(dú)立的電子設(shè)備I時(shí)，從背面30B側(cè)開始將晶片30研磨到了槽44的底面44B為止(圖86F參照)。取而代之，也可以從背面30B選擇性地進(jìn)行蝕刻來去除SiN膜45中覆蓋著底面44B的部分、和晶片30中俯視時(shí)與槽44 一致的部分，從而將晶片30分割為獨(dú)立的電子設(shè)備I。
[0530]圖90(a)是電子設(shè)備的俯視圖，圖90(b)是第I變形例的電子設(shè)備的俯視圖，圖90(c)是第2變形例的電子設(shè)備的俯視圖。另外，在圖90(a)?90 (c)中分別為了便于說明，省略了元件5、保護(hù)膜23、樹脂膜24的圖示。此外，前述的凹部10如圖90(a)所示那樣在電子設(shè)備I的一邊A被設(shè)置在從該一邊A的中點(diǎn)P偏離的位置上。在凹部10偏離了中點(diǎn)P的情況下，在一邊A延伸的方向上，凹部10的中心IOA和中點(diǎn)P不一致。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，除了連接該一邊A和該一邊A相反側(cè)的一邊B的方向(長邊方向)上的凹部10側(cè)外，還可以將該一邊A延伸的方向(短邊方向)上的凹部10側(cè)也作為前述的貼片方向。例如，從元件形成面2A側(cè)看到的俯視圖中使電子設(shè)備I的短邊方向與前后方向(圖90中的上下方向)一致、且使電子設(shè)備I的長邊方向與左右方向一致，此時(shí)，當(dāng)凹部10位于偏向左前方(圖90中偏向左上方)的位置時(shí)，能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I正確地安裝到電路基板9。由此，在安裝時(shí)，能夠通過電子設(shè)備I的外觀掌握必須使電子設(shè)備I的朝向匹配成在俯視時(shí)凹部10位于偏向左前方(從基板2的背面2B看電子設(shè)備I時(shí)是偏向右前方法)的位置的情況。也就是說，能夠從電子設(shè)備I的外觀掌握必須使長邊方向及短邊方向這兩個(gè)方向的電子設(shè)備I的朝向匹配的情況。
[0531]當(dāng)然，如圖90(b)所示，也可以將凹部10設(shè)置在一邊A上與中點(diǎn)P—致的位置(凹部10的中心IOA和中點(diǎn)P在短邊方向上一致的位置)上。此外，也可以代替凹部10，如圖90(c)所示那樣設(shè)置向外方突出的凸部51。凸部51俯視時(shí)可以是矩形狀，也可以是U字形狀(隆起成U字的形狀)或三角形狀。當(dāng)然，在側(cè)面2C中，凸部51中的角部(凸部51的包括前端側(cè)及根部側(cè)的俯視時(shí)的4個(gè)角的部分)52也與其他角部11 一樣是被倒角的圓形狀。在此，與凹部10的情況相同，前述的側(cè)面覆蓋部23B(參照?qǐng)D77(a))在側(cè)面2C覆蓋著包括形成有凸部51的部分在內(nèi)的整個(gè)區(qū)域。此外，優(yōu)選凹部10的深度或凸部51的高度(突出量)在20μπι以下(第I連接電極3和第2連接電極4的寬度的約5分之I以下)。并且，優(yōu)選角部11、角部12、角部52各自的倒角量的一邊的距離約在20 μ m以下。
[0532]圖91(a)是表示電子設(shè)備的另一實(shí)施方式的元件的電路結(jié)構(gòu)的圖，圖91 (b)是表示電子設(shè)備的又一實(shí)施方式的元件的電路結(jié)構(gòu)的圖。前述的實(shí)施方式中，電子設(shè)備I是貼片電阻器，因此第I連接電極3與第2連接電極4之間的元件5是電阻56，但是也可以是圖91(a)所示的二極管5，還可以是如圖91(b)所示那樣串聯(lián)連接了二極管55和電阻56的結(jié)構(gòu)。電子設(shè)備I具有二極管55，因此是貼片二極管，第I連接電極3和第2連接電極4具有極性，前述的貼片方向成為對(duì)應(yīng)于極性的方向。由此，可根據(jù)貼片方向來表示第I連接電極3和第2連接電極4的極性，因此，通過電子設(shè)備I的外觀就能掌握該極性。也就是說，可知貼片方向中的某一側(cè)(也就是說，第I連接電極3和第2連接電極4中的哪一個(gè))是正負(fù)中的哪個(gè)極側(cè)。因此，只要將設(shè)有前述的凹部10或凸部51 (參照?qǐng)D90)的一側(cè)成為對(duì)應(yīng)的極側(cè)，就能將電子設(shè)備I正確地安裝到電路基板9(圖77(b)參照)。
[0533]當(dāng)然，第5參考例也能夠應(yīng)用于元件5代替二極管55而使用電容器的貼片電容器、貼片電感器等在芯片尺寸的基板2上生成了各種元件的元器件中。〈第6參考例的發(fā)明>(1)第6參考例的發(fā)明的特征例如，第6參考例的發(fā)明的特征是以下的Fl?F10。(Fl)一種電子設(shè)備，包括:具有元件形成面及側(cè)面的基板；在所述基板的所述元件形成面形成的電阻體；和以大致相同的厚度連續(xù)地覆蓋所述電阻體的上表面及所述基板的側(cè)面的保護(hù)膜。
[0534]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在制造電子設(shè)備時(shí)，在元件形成面形成有多個(gè)電阻體的晶片中，若在元件形成面中的形成有電阻體的區(qū)域的邊界形成將電子設(shè)備一個(gè)個(gè)進(jìn)行分割的槽，則槽的側(cè)面成為分割后的各電子設(shè)備中的基板的側(cè)面。并且，例如通過CVD法在電阻體的上表面及槽的內(nèi)表面(側(cè)面及底面)連續(xù)地形成大致相同厚度的保護(hù)膜，則該保護(hù)膜可作為側(cè)面覆蓋部而附著在基板的側(cè)面的整個(gè)區(qū)域上。因此，在制造電子設(shè)備時(shí)，能夠在槽的側(cè)面均勻地形成保護(hù)膜。(F2)根據(jù)Fl記載的電子設(shè)備，在所述基板的元件形成面形成有多個(gè)所述電阻體，還包括電連接所述多個(gè)電阻體的布線膜，所述保護(hù)膜還覆蓋所述布線膜。
[0535]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，布線膜被保護(hù)膜覆蓋著，因此能夠防止電阻體間的布線膜以外處的短路。(F3)根據(jù)F2記載的電子設(shè)備，還包括由感光性樹脂薄膜構(gòu)成且覆蓋所述保護(hù)膜的樹脂膜。(F4)根據(jù)F3記載的電子設(shè)備，還包括經(jīng)由貫通所述樹脂膜及保護(hù)膜的貫通孔而與所述布線膜連接的外部連接電極。(F5)根據(jù)F4記載的電子設(shè)備，所述樹脂膜及保護(hù)膜使所述外部連接電極露出。
[0536]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，經(jīng)由外部連接電極，能夠?qū)崿F(xiàn)電子設(shè)備與安裝電子設(shè)備的布線基板之間的電連接。(F6)根據(jù)Fl?F5的任一項(xiàng)記載的電子設(shè)備，所述電阻體形成由單位電阻構(gòu)成的電阻電路。(F7)根據(jù)Fl?F6的任一項(xiàng)記載的電子設(shè)備，所述基板的側(cè)面的角部呈圓形狀。
[0537]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠防止在角部產(chǎn)生碎片(缺口)。(F8) 一種電子設(shè)備的制造方法，包括:在基板的元件形成面形成電阻體的電阻體形成工序；在形成有所述電阻體的區(qū)域周圍形成槽的工序；通過CVD法形成覆蓋所述電阻體的表面及所述槽的內(nèi)表面的保護(hù)膜的工序；和從所述元件形成面相反側(cè)的面開始使所述基板薄至到達(dá)所述槽的底面為止，從而在所述槽中分割所述基板的工序。
[0538]根據(jù)該方法，通過CVD法在槽的內(nèi)表面(側(cè)面及底面)形成保護(hù)膜，從而該保護(hù)膜可作為側(cè)面覆蓋部而附著在基板的側(cè)面的整個(gè)區(qū)域上。因此，在制造電子設(shè)備時(shí)，能夠在槽的側(cè)面均勻地形成保護(hù)膜。(F9)根據(jù)F8記載的電子設(shè)備的制造方法，還包括在所述基板的元件形成面形成用于電連接電阻體的布線膜的工序，所述保護(hù)膜還覆蓋所述布線膜。
[0539]此時(shí)，在完成的電子設(shè)備中，布線膜被保護(hù)膜覆蓋著，因此能夠防止電阻體間的布線膜以外處的短路。(FlO)根據(jù)F9記載的電子設(shè)備的制造方法，所述保護(hù)膜使所述布線膜的外部連接用焊盤區(qū)域露出。此時(shí)，經(jīng)由與外部連接用焊盤區(qū)域連接的外部連接電極，能夠?qū)崿F(xiàn)電子設(shè)備與安裝電子設(shè)備的布線基板之間的電連接。(2)第6參考例的發(fā)明的實(shí)施方式以下，參照附圖詳細(xì)說明第6參考例的實(shí)施方式。另外，圖92?圖106示出的符號(hào)僅在這些附圖中有效，即使在其他實(shí)施方式使用也不會(huì)表示與該其他實(shí)施方式的符號(hào)相同的要素。
[0540]圖92(a)是用于說明第6參考例的一實(shí)施方式的電子設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖92(b)是表示在電路基板安裝了電子設(shè)備的狀態(tài)的示意性側(cè)視圖。該電子設(shè)備I是微小的貼片部件，如圖92(a)所示，是長方體形狀。關(guān)于電子設(shè)備I的尺寸，長邊方向的長度L約為0.3mm,短邊方向的寬度W約為0.15mm,厚度T約為0.1mm。
[0541]通過在晶片上以格子狀形成多個(gè)電子設(shè)備I之后切斷晶片來分離成各個(gè)電子設(shè)備1，由此獲得該電子設(shè)備I。電子設(shè)備I主要具備基板2、成為外部連接電極的第I連接電極3和第2連接電極4、以及元件5。這些第I連接電極3、第2連接電極4及元件5是利用半導(dǎo)體制造工藝在基板2上形成的。因此，作為基板2，可使用硅基板(硅晶片)等半導(dǎo)體基板(半導(dǎo)體晶片)。另外，基板2也可以是絕緣基板等其他種類的基板。
[0542]基板2的大致長方體的芯片形狀。在基板2中，圖92(a)中的上表面是元件形成面2A。元件形成面2A是基板2的表面，大致為長方形狀?；?的厚度方向上的元件形成面2A相反側(cè)的面是背面2B。元件形成面2A和背面2B是大致相同的形狀。此外，基板2除了元件形成面2A及背面2B以外，還具有與這些面正交著延伸的側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F。
[0543]側(cè)面2C被架設(shè)在元件形成面2A及背面2B的長邊方向一端邊緣(圖92(a)中的左前側(cè)的邊緣)之間，側(cè)面2D被架設(shè)在元件形成面2A及背面2B的長邊方向另一端邊緣(圖92(a)中右后側(cè)的邊緣)之間。側(cè)面2C及側(cè)面2D是該長邊方向上的基板2的兩個(gè)端面。側(cè)面2E被架設(shè)在元件形成面2A及背面2B的短邊方向的一端邊緣(圖92(a)中左后側(cè)的邊緣)之間，側(cè)面2F被架設(shè)在元件形成面2A及背面2B的短邊方向的另一端邊緣(圖92(a)中右前側(cè)的邊緣)之間。側(cè)面2E及側(cè)面2F是該短邊方向上的基板2的兩個(gè)端面。
[0544]在基板2中，元件形成面2A、側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F被保護(hù)膜23覆蓋。因此，嚴(yán)格來講，在圖92(a)中，元件形成面2A、側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F位于保護(hù)膜23的內(nèi)側(cè)(里側(cè))，并沒有露出在外部。另外，元件形成面2A上的保護(hù)膜23被樹脂膜24覆蓋。樹脂膜24從元件形成面2A分別突出至側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F中的元件形成面2A側(cè)的端部(圖92(a)中的上端部)。將在后面詳細(xì)敘述保護(hù)膜23及樹脂膜24。
[0545]在基板2中，在相當(dāng)于大致長方形的元件形成面2A的一邊A(側(cè)面2C、2D、2E及2F中的任一個(gè)，如后述那樣，在此是側(cè)面2C)的部分中形成有在厚度方向上切缺基板2的凹部10。一邊A也是俯視時(shí)的電子設(shè)備I的一邊。圖92(a)中的凹部10形成于側(cè)面2C，在基板
2的厚度方向上延伸且向側(cè)面2D側(cè)凹入。凹部10在厚度方向上貫通著基板2，該厚度方向上的凹部10的端部分別從元件形成面2A及背面2B露出。凹部10在側(cè)面2C延伸的方向(前述的短邊方向)上小于側(cè)面2C。從厚度方向(電子設(shè)備I的厚度方向)看基板2的俯視時(shí)的凹部10的形狀是其長邊位于所述短邊方向上的長方形狀(矩形狀)。另外，俯視時(shí)的凹部10的形狀也可以是朝向凹部10凹入的方向(側(cè)面2D側(cè))寬度變窄的梯形狀，也可以是朝向凹入方向變細(xì)的三角形狀，還可以是U字形狀(凹成U字的形狀)。無論是哪種形狀，只要是這種簡單形狀的凹部10，就能夠通過簡單的方法來形成。此外，凹部10在此是形成于側(cè)面2C，但是也可以不是側(cè)面2C，而是形成在側(cè)面2C?2F中的至少I個(gè)面上。
[0546]凹部10用于表示將電子設(shè)備I安裝在電路基板9(參照?qǐng)D92(b))時(shí)的電子設(shè)備I的朝向(貼片方向)。俯視時(shí)的電子設(shè)備I (嚴(yán)格來講是基板2)的輪廓是在其一邊A具有凹部10的矩形，因此在長邊方向上是非對(duì)稱的外形。也就是說，該非對(duì)稱的外形在側(cè)面2C、2D、2E及2F中的至少一個(gè)面(一邊A)上具有表示貼片方向的凹部10，電子設(shè)備I通過該非對(duì)稱的外形來表示長邊方向上的凹部側(cè)是貼片方向。由此，只要將俯視時(shí)的電子設(shè)備I的基板2的外形設(shè)為非對(duì)稱，就能夠識(shí)別電子設(shè)備I的貼片方向。也就是說，無需標(biāo)識(shí)工序也可以通過電子設(shè)備I的外形來識(shí)別貼片方向。特別是，由于電子設(shè)備I的非對(duì)稱的外形是在一邊A具有表示貼片方向的凹部10的矩形，因此在電子設(shè)備I中能夠?qū)⑦B接一邊A和相反側(cè)的一邊B的長邊方向上的凹部10側(cè)設(shè)為貼片方向。因此，例如，使俯視時(shí)的電子設(shè)備I的長邊方向和左右方向一致，此時(shí)一邊A位于左端時(shí),只要能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I正確地安裝于電路基板9，在安裝時(shí)，能夠通過凹部10從電子設(shè)備I的外觀來掌握使電子設(shè)備I的朝向匹配為俯視時(shí)一邊A位于左端。
[0547]并且，在長方體的基板2中，構(gòu)成側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F中相鄰的側(cè)面彼此的邊界的角部(該側(cè)面彼此交叉的部分)11被整形為被倒角后的圓形狀(圓弧)。此外，在基板2中，構(gòu)成凹部10與凹部10的周邊側(cè)面2C之間的邊界的角部(在側(cè)面2C中凹部10的角部)12也被整形為被倒角后的圓形狀。在此，角部12除了凹部10與其周邊的側(cè)面2C(凹部10以外的部分)之間的邊界之外，還存在于凹部10的最深部側(cè)，俯視時(shí)存在于4個(gè)部位。
[0548]由此，在俯視時(shí)的基板2的輪廓中，彎曲的部分(角部11、12)都是圓形狀。因此，在圓形狀的角部11、12中能夠防止產(chǎn)生碎片。由此，在制造電子設(shè)備I時(shí)，能夠提高成品率(提高生產(chǎn)率)。第I連接電極3和第2連接電極4形成在基板2的元件形成面2A上，部分從樹脂膜24露出。第I連接電極3和第2連接電極4分別例如通過按照Ni (鎳)、Pd (鈀)及Au (金)的順序在元件形成面2A上層疊這些金屬而構(gòu)成。在元件形成面2A的長邊方向上隔著間隔而配置第I連接電極3和第2連接電極4，這些連接電極的長邊在元件形成面2A的短邊方向上。在圖92(a)中，在元件形成面2A的靠近側(cè)面2C的位置設(shè)有第I連接電極3，在靠近側(cè)面2D的位置設(shè)有第2連接電極4。前述的側(cè)面2C的凹部10凹進(jìn)去的深度是不會(huì)干擾第I連接電極3的程度。但是，在這種情況下也可以根據(jù)凹部10而在第I連接電極3中也設(shè)置凹部(成為凹部10的一部分)。
[0549]元件5是電路元件，形成在基板2的元件形成面2A中的第I連接電極3與第2連接電極4之間的區(qū)域中，其上面被保護(hù)膜23及樹脂膜24覆蓋。該實(shí)施方式的元件5是由電路網(wǎng)構(gòu)成的電阻56，該電路網(wǎng)在元件形成面2A上以矩陣狀排列由TiN(氮化鈦)或TiON(氧氮化鈦)構(gòu)成的多個(gè)薄膜狀電阻體(薄膜電阻體)R而成。元件5與后述的布線膜22相連，經(jīng)由布線膜22而與第I連接電極3和第2連接電極4連接。由此，在電子設(shè)備I中，在第I連接電極3與第2連接電極4之間形成有由元件5構(gòu)成的電阻電路。因此，該實(shí)施方式的電子設(shè)備I成為貼片電阻器。
[0550]如圖92 (b)所示，使第I連接電極3和第2連接電極4與電路基板9對(duì)置，通過焊料13以電及機(jī)械方式連接到電路基板9的電路(未圖示)，從而能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I倒裝連接到電路基板9。另外，對(duì)于作為外部連接電極而發(fā)揮作用的第I連接電極3和第2連接電極4而言，為了提高焊料潤濕性及可靠性，優(yōu)選由金(Au)形成，或在表面實(shí)施鍍金。
[0551]圖93是電子設(shè)備的俯視圖，是表示第I連接電極、第2連接電極及元件的配置關(guān)系以及俯視元件時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。參照?qǐng)D93，成為電阻電路網(wǎng)的元件5作為一例而具有由沿著行方向(基板2的長邊方向)排列的8個(gè)電阻體R、和沿著列方向(基板2的寬度方向)排列的44個(gè)電阻體R構(gòu)成的共計(jì)352個(gè)電阻體R。各個(gè)電阻體R具有相等的電阻值。
[0552]這些多個(gè)電阻體R以I個(gè)?64個(gè)的規(guī)定個(gè)數(shù)被組合電連接，從而形成了多種電阻單位體(單位電阻)。所形成的多種電阻單位體經(jīng)由連接用導(dǎo)體膜C而被連接成規(guī)定的方式。另外，在基板2的元件形成面2A上,為了向元件5電方式組入電阻單位體、或者從元件5電分離電阻單位體，而設(shè)置可熔斷的多個(gè)熔斷膜F。多個(gè)熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C沿著第2連接電極4的內(nèi)側(cè)邊被排列成配置區(qū)域呈直線狀。更具體而言，多個(gè)熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C被配置成直線狀。
[0553]圖94A是放大了圖93所示的元件的一部分的俯視圖。圖94B是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖94A的B-B的長度方向的縱向截面圖。圖94C是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖94A的C-C的寬度方向的縱向截面圖。參照?qǐng)D94A、圖94B及圖94C,說明電阻體R的結(jié)構(gòu)。
[0554]電子設(shè)備I除了前述的布線膜22、保護(hù)膜23及樹脂膜24外還具備絕緣膜20和電阻體膜21 (參照?qǐng)D94B及圖94C)。絕緣膜20、電阻體膜21、布線膜22、保護(hù)膜23及樹脂膜24形成在基板2 (元件形成面2A)上。絕緣膜20由SiO2 ( 二氧化娃)構(gòu)成。絕緣膜20覆蓋基板2的元件形成面2A的整個(gè)區(qū)域。絕緣膜20的厚度約為IOOOOiL
[0555]電阻體膜21構(gòu)成電阻體R。電阻體膜21由TiN或TiON構(gòu)成，被層疊在絕緣膜20的表面上。電阻體膜21的厚度約為2000A。電阻體膜21構(gòu)成使第I連接電極3與第2連接電極4之間延伸為線狀的多根線(以下稱為“電阻體膜線21A”)，電阻體膜線21A有時(shí)會(huì)在線方向上的規(guī)定位置處被切斷(參照?qǐng)D94A)。
[0556]在電阻體膜線21A上層疊布線膜22。布線膜22由Al (鋁)或鋁與Cu(銅)的合金(AlCu合金)構(gòu)成。布線膜22的厚度約為80001在電阻體膜線21A上沿著線方向隔著恒定間隔R而層疊布線膜22。用電路符號(hào)表示該結(jié)構(gòu)的電阻體膜線21A及布線膜22的電特征的話，則如圖95。S卩，如圖95(a)所示，規(guī)定間隔R的區(qū)域的電阻體膜線21A的一部分分別形成具有一定電阻值r的I個(gè)電阻體R。
[0557]并且，在層疊了布線膜22的區(qū)域中通過電連接布線膜22相鄰的電阻體R彼此，從而通過該布線膜22來使電阻體膜線21A短路。由此，形成圖95(b)所示的由電阻r的電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻電路。此外，相鄰的電阻體膜線21A彼此通過電阻體膜21及布線膜22而被連接，因此圖94A所示的元件5的電阻電路網(wǎng)構(gòu)成圖95(c)所示的(由前述的電阻體R的單位電阻構(gòu)成)電阻電路。
[0558]在此，基于基板2上制造并嵌入的相同形狀且相同大小的電阻體膜21具有大致相同的電阻值的這一特性，在基板2上排列成矩陣狀的多個(gè)電阻體R具有相等的電阻值。此夕卜，層疊在電阻體膜線21A上的布線膜22形成電阻體R，并且還起到連接多個(gè)電阻體R而構(gòu)成電阻單位體的連接用布線膜的作用。
[0559]圖96(a)是放大了圖93所示的電子設(shè)備的俯視圖的一部分的包括熔斷膜的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖96(b)是表示沿著圖96(a)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。如圖96(a)及(b)所示，前述的熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C也由層疊在形成電阻體R的電阻體膜21上的布線膜22形成。即，在與層疊于形成電阻體R的電阻體膜線21A上的布線膜22相同的層上，通過與布線膜22相同的金屬材料、即Al或AlCu合金而構(gòu)成熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C0
[0560]也就是說，在層疊于電阻體膜21上的同一層上，作為布線膜22，使用同一金屬材料(Al或AlCu合金)通過相同的制造工藝(后述的濺射及光刻工藝)，形成用于形成電阻體R的布線膜、熔斷膜F、連接用導(dǎo)體膜C、以及用于將元件5連接到第I連接電極3和第2連接電極4的布線膜。
[0561]另外，熔斷膜F不僅可以指布線膜22的一部分，還可以指電阻體R(電阻體膜21)的一部分和電阻體膜21上的布線膜22的一部分的統(tǒng)稱(熔絲元件)。此外，僅說明了熔斷膜F使用與連接用導(dǎo)體膜C同一層的情況，但是連接用導(dǎo)體膜C部分也可以在其上還層疊其他導(dǎo)體膜，從而降低導(dǎo)體膜的電阻值。另外，在該情況下，只要在熔斷膜F上不層疊導(dǎo)體膜就不會(huì)使熔斷膜F的熔斷性惡化。
[0562]圖97是第6參考例的實(shí)施方式的元件的電路圖。參照?qǐng)D97，元件5通過從第I連接電極3開始按照基準(zhǔn)電阻單位體R8、電阻單位體R64、2個(gè)電阻單位體R32、電阻單位體R16、電阻單位體R8、電阻單位體R4、電阻單位體R2、電阻單位體R1、電阻單位體R / 2、電阻單位體R / 4、電阻單位體R / 8、電阻單位體R / 16、電阻單位體R / 32的順序串聯(lián)連接這些電阻單位體而構(gòu)成。基準(zhǔn)電阻單位體R8及電阻單位體R64~R2分別串聯(lián)連接與自身后綴數(shù)(R64時(shí)是“64”)相同數(shù)量的電阻體R而構(gòu)成。電阻單位體Rl由I個(gè)電阻體R構(gòu)成。電阻單位體R / 2~R / 32分別并聯(lián)連接與自身后綴數(shù)(R / 32時(shí)是“32”)相同數(shù)量的電阻體R而構(gòu)成。電阻單位體的后綴數(shù)的意思與后述的圖98及圖99中也相同。
[0563]于是，與基準(zhǔn)電阻單位體R8以外的電阻單位體R64~電阻單位體R / 32分別并聯(lián)連接I個(gè)熔斷膜F。熔斷膜F彼此直接被串聯(lián)連接或經(jīng)由連接用導(dǎo)體膜C (參照?qǐng)D96 (a))而被串聯(lián)連接。如圖97所示，在所有熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，元件5構(gòu)成在第I連接電極3和第2連接電極4之間設(shè)置的由8個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的基準(zhǔn)電阻單位體R8(電阻值8r)的電阻電路。例如，若將I個(gè)電阻體R的電阻值r設(shè)為r = 80，由8r = 64 Ω的電阻電路構(gòu)成連接了第I連接電極3和第2連接電極4的貼片電阻器(電子設(shè)備I)。
[0564]此外，在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，基準(zhǔn)電阻單位體R8以外的多種電阻單位體呈被短路的狀態(tài)。也就是說，基準(zhǔn)電阻單位體R8上串聯(lián)連接有12種13個(gè)電阻單位體R64~R / 32，各電阻單位體分別通過被并聯(lián)連接的熔斷膜F而成為短路狀態(tài)，因此在電特性上看，各電阻單位體并未被組入元件5中。
[0565]在該實(shí)施方式的電子設(shè)備I中，根據(jù)所要求的電阻值，可選擇性地例如通過激光來熔斷熔斷膜F。由此，并聯(lián)連接的熔斷膜F被熔斷的電阻單位體會(huì)被組入元件5中。因此，能夠?qū)⒃?整體的電阻值設(shè)置成串聯(lián)連接與被熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體而得到的電阻值。
[0566]特別是，多種電阻單位體具備:具有相等的電阻值的電阻體R以I個(gè)、2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)、32個(gè)…這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而串聯(lián)連接了這些電阻體R的多種串聯(lián)電阻單位體、和相等電阻值的電阻體R以2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)…這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而并聯(lián)連接了這些電阻體R的多種并聯(lián)電阻單位體。因此，通過選擇性地熔斷熔斷膜F (也包括前述的熔絲元件)，從而能夠細(xì)致地以數(shù)字方式將元件5 (電阻56)整體的電阻值調(diào)整為任意的電阻值調(diào)整，在`電子設(shè)備I中能夠產(chǎn)生期望的值的電阻。
[0567]圖98是第6參考例的其他實(shí)施方式的元件的電路圖。也可以代替如前所述那樣串聯(lián)連接基準(zhǔn)電阻單位體R8及電阻單位體R64~電阻單位體R / 32而構(gòu)成元件5的方案，如圖98所示那樣構(gòu)成元件5。詳細(xì)而言，在第I連接電極3和第2連接電極4之間通過基準(zhǔn)電阻單位體R / 16、與12種電阻單位體R / 16、R / 8、R / 4、R / 2、Rl、R2、R4、R8、R16、R32、R64、R128的并聯(lián)連接電路之間的串聯(lián)連接電路而構(gòu)成元件5。
[0568]此時(shí)，基準(zhǔn)電阻單位體R / 16以外的12種電阻單位體分別與熔斷膜F串聯(lián)連接。在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，各電阻單位體被電組入到元件5中。根據(jù)所要求的電阻值，若選擇性地例如通過激光來熔斷熔斷膜F，則從元件5電分離與被熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體(串聯(lián)連接了熔斷膜F的電阻單位體)，因此能夠調(diào)整電子設(shè)備I整體的電阻值。
[0569]圖99是第6參考例的又一實(shí)施方式的元件的電路圖。圖96所示的元件5的特征是，構(gòu)成了將多種電阻單位體的串聯(lián)連接、和多種電阻單位體的并聯(lián)連接進(jìn)行了串聯(lián)連接的電路結(jié)構(gòu)。在串聯(lián)連接的多種電阻單位體中，與之前的實(shí)施方式相同，每個(gè)電阻單位體并聯(lián)連接了熔斷膜F，被串聯(lián)連接的多種電阻單位體都會(huì)因熔斷膜F而處于短路狀態(tài)。因此，若熔斷熔斷膜F，則因該被熔斷的熔斷膜F而成為短路的電阻單位體在電特性上被組入元件5中。
[0570]另一方面，被并聯(lián)連接的多種電阻單位體分別串聯(lián)連接了熔斷膜F。因此，通過熔斷熔斷膜F，從而能夠從電阻單位體的并聯(lián)連接中電切離被熔斷的熔斷膜F所串聯(lián)連接著的電阻單位體。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，例如在并聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以下的小電阻，在串聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以上的電阻電路，則可采用由相等的基本設(shè)計(jì)構(gòu)成的電阻的電路網(wǎng)來生成從幾Ω的小電阻到幾M Ω的大電阻的寬范圍的電阻電路
[0571]圖100是電子設(shè)備的示意性截面圖。接著，參照?qǐng)D100，詳細(xì)說明電子設(shè)備I。另夕卜，為了便于說明，在圖99中簡化表示了前述的元件5，并且對(duì)基板2以外的各要素附加了陰影。在此，說明前述的保護(hù)膜23及樹脂膜24。
[0572]保護(hù)膜23由例如SiN(氮化硅)構(gòu)成，其厚度約為3000L保護(hù)膜23完整地具有被設(shè)置在元件形成面2A的整個(gè)區(qū)域且從表面(圖100的上側(cè))覆蓋電阻體膜21及電阻體膜21上的各布線膜22 (即元件5)(也就是說，覆蓋元件5的各電阻體R的上表面)的元件覆蓋部23A、和覆蓋基板2的4個(gè)側(cè)面2C?2F (參照?qǐng)D92 (a))各自的整個(gè)區(qū)域的側(cè)面覆蓋部23B。元件覆蓋部23A和側(cè)面覆蓋部23B實(shí)際上具有大致相同的厚度，且互相連續(xù)。因此，保護(hù)膜23整體以大致相同的厚度連續(xù)覆蓋著電阻體R的上表面及基板2的側(cè)面2C?2F。
[0573]通過元件覆蓋部23A，防止電阻體R間的布線膜22以外處的短路(相鄰的電阻體膜線21A間的短路)。側(cè)面覆蓋部23B覆蓋側(cè)面2C?2F各自的整個(gè)區(qū)域外，還覆蓋在絕緣膜20中向側(cè)面2C?2F露出的部分。側(cè)面覆蓋部23B在側(cè)面2C覆蓋包括形成有凹部10的部分在內(nèi)的整個(gè)區(qū)域(參照?qǐng)D92(a))。通過側(cè)面覆蓋部23B，防止了各側(cè)面2C?2F中的短路(在該側(cè)面產(chǎn)生短路路徑的情形)。
[0574]參照?qǐng)D92 (a)，保護(hù)膜23連續(xù)覆蓋著基板2的元件形成面2A和4個(gè)側(cè)面2C?2F，因此具有沿著基板2的角部11及12的圓形狀的角部26。此時(shí)，通過保護(hù)膜23來保護(hù)元件5及布線膜22，并且能夠防止在保護(hù)膜23的角部26產(chǎn)生碎片。
[0575]返回圖100，樹脂膜24與保護(hù)膜23 —起保護(hù)電子設(shè)備1，由聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成。樹脂膜24的厚度約為5 μ m。樹脂膜24覆蓋著元件覆蓋部23A的表面的整個(gè)區(qū)域(保護(hù)膜23的上表面)，并且在基板2的4個(gè)側(cè)面2C?2F上的側(cè)面覆蓋部23B中覆蓋著元件形成面2A側(cè)的端部(圖100的上端部)。也就是說，樹脂膜24至少使4個(gè)側(cè)面2C?2F上的側(cè)面覆蓋部23B中的元件形成面2A相反側(cè)(圖100的下側(cè))的部分露出。
[0576]在這種樹脂膜24中，俯視時(shí)與4個(gè)側(cè)面2C?2F —致的的部分成為比這些側(cè)面上的側(cè)面覆蓋部23B更向側(cè)方(外側(cè))突出的圓弧狀的伸長部24A。也就是說，樹脂膜24 (伸長部24A)在側(cè)面2C?2F中比側(cè)面覆蓋部23B (保護(hù)膜23)更突出。這種樹脂膜24具有在圓弧狀的伸長部24A中朝向側(cè)方而凸出的圓形狀的側(cè)面24B。伸長部24A覆蓋構(gòu)成元件形成面2A與側(cè)面2C?2F之間的邊界的角部27。因此，電子設(shè)備I與周邊物體相接觸時(shí)，伸長部24A最先與周邊物體接觸，會(huì)緩和接觸帶來的沖擊，因此能夠防止沖擊對(duì)元件5等帶來的影響以及前述的角部27中的碎片。特別是，伸長部24A具有圓形狀的側(cè)面24B，因此能夠順利地緩和接觸帶來的沖擊。
[0577]另外，也可以獲得樹脂膜24完全沒有覆蓋側(cè)面覆蓋部23B的構(gòu)成(使側(cè)面覆蓋部23B全部露出的構(gòu)成)。在樹脂膜24中，在俯視時(shí)分開的2個(gè)位置處分別形成I個(gè)開口 25。各開口 25是在各自的厚度方向上連續(xù)地貫通樹脂膜24及保護(hù)膜23 (元件覆蓋部23A)的貫通孔。因此，開口 25除了樹脂膜24之外，還形成在保護(hù)膜23中。從各開口 25露出布線膜22的一部分。在布線膜22中從各開口 25露出的部分成為外部連接用的焊盤區(qū)域22A。
[0578]2個(gè)開口 25當(dāng)中，一個(gè)開口 25完全被第I連接電極3填充，另一個(gè)開口 25完全被第2連接電極4填充。并且，第I連接電極3和第2連接電極4各自的一部分在樹脂膜24的表面從開口 25處突出。第I連接電極3經(jīng)由該一個(gè)開口 25在該開口 25的焊盤區(qū)域22A中與布線膜22電連接。第2連接電極4經(jīng)由該另一個(gè)開口 25在該開口 25的焊盤區(qū)域22A中與布線膜22電連接。由此，第I連接電極3和第2連接電極4分別與元件5電連接。在此，布線膜22形成分別與電阻體R的集合(電阻56)、第I連接電極3和第2連接電極4連接的布線。
[0579]由此，形成有開口 25的樹脂膜24及保護(hù)膜23形成為從開口 25使第I連接電極3和第2連接電極4露出。因此，經(jīng)由在樹脂膜24的表面從開口 25處突出的第I連接電極3和第2連接電極4，實(shí)現(xiàn)電子設(shè)備I與電路基板9之間的電連接(參照?qǐng)D92 (b))。
[0580]圖1OlA?圖1OlF是表示圖100所示的電子設(shè)備的制造方法的示意性截面圖。首先，如圖1OlA所示，準(zhǔn)備晶片30。晶片30成為基板2的來源。因此，晶片30的表面30A是基板2的元件形成面2A，晶片30的背面30B是基板2的背面2B。
[0581]并且，在晶片30的表面30A形成由SiO2等構(gòu)成的絕緣膜20，在絕緣膜20上形成元件5(電阻體R及布線膜22)。具體而言，通過濺射，首先在絕緣膜20上的整個(gè)面上形成TiN或TiON的電阻體膜21，進(jìn)一步在電阻體膜21上層疊鋁(Al)的布線膜22。之后，利用光刻工藝，例如通過干蝕刻來選擇性地去除電阻體膜21及布線膜22，如圖94A所示，獲得俯視時(shí)層疊有電阻體膜21的恒定寬度的電阻體膜線21A隔著恒定間隔而被排列在列方向上的構(gòu)成。此時(shí)，還在一部分形成切斷了電阻體膜線21A及布線膜22的區(qū)域。接著，選擇性地去除層疊在電阻體膜線21A上的布線膜22。其結(jié)果，獲得在電阻體膜線21A上隔著恒定間隔R而層疊有布線膜22的結(jié)構(gòu)的元件5。
[0582]參照?qǐng)D101A，根據(jù)形成在I片晶片30上的電子設(shè)備I的數(shù)量，在晶片30的表面30A上的多處形成元件5。接著，如圖1OlB所示，為了覆蓋絕緣膜20上的元件5整體，在晶片30的表面30A的整個(gè)區(qū)域形成抗蝕劑圖案41?？刮g劑圖案41中形成有開口 42。
[0583]圖102是在圖1OlB的工序中形成槽時(shí)所使用的抗蝕劑圖案的一部分的示意性俯視圖。在以矩陣狀(也可以是格子狀)配置了多個(gè)電子設(shè)備I時(shí)，抗蝕劑圖案41的開口 42與俯視時(shí)相鄰的電子設(shè)備I的輪廓之間的區(qū)域(圖26中附加了陰影的部分)一致。因此，開口 42的整體形狀是具有多個(gè)相互正交的直線部分42A及42B的格子狀。此外，直線部分42A及42B (在此，直線部分42A)中都根據(jù)電子設(shè)備I的凹部10 (參照?qǐng)D92(a))而連續(xù)地設(shè)有從直線部分42A正交地突出的突出部分42C。
[0584]在此，電子設(shè)備I中，角部11、12是圓形狀(參照?qǐng)D92(a))。由此，開口 42中互相正交的直線部分42A及42B彎曲的同時(shí)互相連接著。此外，相互正交的直線部分42A及突出部分42C也是在彎曲的同時(shí)互相連接著。因此，直線部分42A及42B的交叉部分43A、以及直線部分42A及突出部分42C的交叉部分43B是角部較圓的圓形狀。此外，在突出部分42C中，交叉部分43B以外的部分的角部也是圓的。[0585]參照?qǐng)D101B，通過將抗蝕劑圖案41作為掩模的等離子蝕刻，分別選擇性地去除絕緣膜20及晶片30。由此，在俯視時(shí)與抗蝕劑圖案41的開口 42 —致的位置上，形成貫通絕緣膜20而到達(dá)晶片30的厚度的部分厚度為止的槽44。槽44具有相互對(duì)置的側(cè)面44A、和連接對(duì)置的側(cè)面44A的下端(晶片30的背面30B側(cè)的一端)的底面44B。以晶片30的表面30A為基準(zhǔn)的槽44的深度約為100 μ m，槽44的寬度(對(duì)置的側(cè)面44A的間隔)約為20 μ m0
[0586]圖103(a)是在圖1OlB的工序中形成槽之后的晶片的示意性俯視圖，圖103(b)是圖103(a)的部分放大圖。參照?qǐng)D103(b)，槽44的整體形狀俯視時(shí)是與抗蝕劑圖案41的開口 42 (參照?qǐng)D102) —致的格子狀。并且，在晶片30的表面30A，槽44中的矩形框體部分包圍了形成有各元件5的區(qū)域周圍。在晶片30中形成有元件5的部分是電子設(shè)備I的半成品50。在晶片30的表面30A，在被槽44包圍的區(qū)域中分別有I個(gè)半成品50，將這些半成品50排列配置成矩陣狀。
[0587]此外，槽44在與抗蝕劑圖案41的開口 42中的突出部分42C(參照?qǐng)D102)對(duì)應(yīng)的部分，形成為陷入半成品50的一邊A的一部分中，由此，半成品50中形成有前述的凹部10 (參照?qǐng)D92 (a))。并且，根據(jù)在抗蝕劑圖案41的開口 42中成為圓形狀的交叉部分43A及43B(參照?qǐng)D102)，俯視時(shí)的半成品50的角部60 (成為電子設(shè)備I的角部11、12)被整形為圓形狀。另外，該圓形狀是通過利用等離子蝕刻而形成的，但是也可以代替等離子蝕刻而使用硅蝕刻(使用了藥液的通常的蝕刻)。
[0588]由此，通過蝕刻晶片30，從而能夠任意設(shè)定半成品50 (換言之是最終的電子設(shè)備I)的外形，如該實(shí)施方式所示，能夠設(shè)置成角部60(角部11、12)為圓形狀且在一邊A具有凹部10的非對(duì)稱的矩形(還可參照?qǐng)D92(a))。此時(shí)，無需標(biāo)識(shí)工序(通過激光器等標(biāo)記表示貼片方向的記號(hào)等的工序)也能夠制造可識(shí)別貼片方向的電子設(shè)備I。
[0589]形成槽44之后，去除抗蝕劑圖案41，如圖1OlC所示，在元件5的表面通過CVD(Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)法，形成由SiN構(gòu)成的保護(hù)膜(SiN膜)45。SiN膜45具有約為3000A的厚度。SiN膜45形成為不僅覆蓋元件5表面的整個(gè)區(qū)域，而且還覆蓋槽44的內(nèi)表面(側(cè)面44A及底面44B)。另外，SiN膜45是在側(cè)面44A及底面44B上以大致恒定的厚度形成的薄膜，因此不需要完全填埋槽44。此外，SiN膜45只要在槽44中形成在側(cè)面44A的整個(gè)區(qū)域上即可，可以不形成在底面44B上。
[0590]接著，如圖1OlD所示，從槽44以外的SiN膜45之上向晶片30粘貼由聚酰亞胺構(gòu)成的感光性樹脂的薄膜46。圖104(a)及(b)是表示在圖1OlD的工序中向晶片粘貼聚酰亞胺薄膜的狀態(tài)的示意性立體圖。具體而言，如圖104(a)所示，從表面30A側(cè)對(duì)晶片30 (嚴(yán)格來講是晶片30上的SiN膜45)覆蓋聚酰亞胺薄膜46之后，通過如圖104(b)所示那樣選轉(zhuǎn)的輥47來向晶片30按壓薄膜46。
[0591]如圖10ID所示，在槽44以外的SiN膜45表面的整個(gè)區(qū)域粘貼了薄膜46時(shí)，雖然薄膜46的一部分稍微進(jìn)入到槽44側(cè)，但是僅覆蓋了槽44的側(cè)面44A上的SiN膜45中的元件5側(cè)(表面30A側(cè))的一部分，薄膜46不會(huì)到達(dá)槽44的底面44B。因此，在薄膜46與槽44的底面44B之間的槽44內(nèi)，形成大小幾乎與槽44相同的空間S。此時(shí)的薄膜46的厚度為10 μ m?30 μ m。
[0592]接著，對(duì)薄膜46實(shí)施熱處理。由此，薄膜46的厚度熱收縮至約5 μ m為止。接著，如圖1OlE所示，對(duì)薄膜46進(jìn)行圖案化，在薄膜46中選擇性地去除俯視時(shí)與槽44及布線膜22的各焊盤區(qū)域22A—致的部分。具體而言，利用形成有俯視時(shí)與槽44及各焊盤區(qū)域22A匹配(一致)的圖案的開口 61的掩模62，基于該圖案使薄膜46曝光并顯影。由此，在槽44及各焊盤區(qū)域22A的上方薄膜46被分離，并且在薄膜46中被分離的邊緣部分稍微向槽44側(cè)下垂并重疊在槽44的側(cè)面44A上的SiN膜45上，在該邊緣部分中自然地形成前述的(具有圓形狀的側(cè)面24B)伸長部24A。
[0593]接著，通過將這樣分離的薄膜46作為掩模的蝕刻，在SiN膜45中去除俯視時(shí)與各焊盤區(qū)域22A—致的部分。由此，形成開口 25。在此，SiN膜45形成為使各焊盤區(qū)域22A露出。接著，通過非電解電鍍，在各開口 25中的焊盤區(qū)域22A上形成層疊N1、Pd及Au而構(gòu)成的Ni / Pd / Au層疊膜。此時(shí)，使Ni / Pd / Au層疊膜從開口 25突出至薄膜46的表面。由此，各開口 25內(nèi)的Ni / Pd / Au層疊膜成為圖25F所示的第I連接電極3和第2連接電極4。
[0594]接著，在第I連接電極3和第2連接電極4之間進(jìn)行通電檢查之后，從背面30B研磨晶片30。在此，在晶片30中構(gòu)成槽44的側(cè)面44A的部分的整個(gè)區(qū)域被SiN膜45覆蓋，因此可在晶片30的研磨中，防止在該部分產(chǎn)生微小的破裂等，并且即使產(chǎn)生了微小的破裂也可以通過由SiN膜45填埋該微小的破裂來抑制該微小的破裂的擴(kuò)大。
[0595]然后，通過研磨，若使晶片30薄至到達(dá)槽44的底面44B (嚴(yán)格來講是底面44B上的SiN膜45)位置的程度，則不存在連接相鄰的半成品50的物體，以槽44為邊界分割晶片30，半成品50變成電子設(shè)備1，可單獨(dú)進(jìn)行分離。由此，完成電子設(shè)備I (參照?qǐng)D100)。在各電子設(shè)備I中，構(gòu)成槽44的側(cè)面44A的部分成為基板2的側(cè)面2C?2F中的任一個(gè)。并且，SiN膜45成為保護(hù)膜23。此外，被分離的薄膜46成為樹脂膜24。
[0596]即使電子設(shè)備I的貼片尺寸小，由于如上述那樣先形成了槽44，因此通過從背面30B研磨晶片30，能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I設(shè)為單獨(dú)的一片。因此，與現(xiàn)有技術(shù)那樣通過鉆石輪劃片機(jī)切割晶片30來使電子設(shè)備I成為單獨(dú)的一片的情況相比，可省略切割工序，由此能夠降低成本且縮短時(shí)間，能夠?qū)崿F(xiàn)成品率的提高。
[0597]如以上所述，在制造電子設(shè)備I時(shí)，在表面30A(元件形成面2A)形成了多個(gè)元件5的晶片30中，若將用于將電子設(shè)備I分割成一個(gè)個(gè)獨(dú)立體的槽44形成在表面30A的元件5的邊界上，則槽44的側(cè)面44A成為分割后的各電子設(shè)備I的側(cè)面2C?2F。在對(duì)電子設(shè)備I進(jìn)行分割之前，在槽44的側(cè)面44A及晶片30的表面30A形成SiN膜45 (保護(hù)膜23)。在此，如圖1OlC所示，通過CVD法在電阻體R的上表面及槽44的內(nèi)表面(側(cè)面44A及底面44B)連續(xù)地形成有大致相同厚度的CVD的保護(hù)膜(CVD保護(hù)膜)23。此時(shí)，CVD保護(hù)膜23 (SiN膜45)是在CVD工藝中在減壓環(huán)境下形成的，因此作為側(cè)面覆蓋部23B可在基板2的側(cè)面2C?2F(槽44的側(cè)面44A)的整個(gè)區(qū)域附著CVD保護(hù)膜23。因此，在制造電子設(shè)備I時(shí)，能夠在槽44的側(cè)面44A均勻地形成保護(hù)膜23。
[0598]并且，形成保護(hù)膜23之后，如圖1OlD所示，由覆蓋元件形成面2A的SiN膜45 (成為保護(hù)膜23的元件覆蓋部23A的部分)的薄膜46形成樹脂膜24。使樹脂膜24至少在槽44的側(cè)面44A的SiN膜45 (成為保護(hù)膜23的側(cè)面覆蓋部23B的部分)中與元件形成面2A相反的一側(cè)(槽44的底面44B側(cè))露出，因此在形成樹脂膜24時(shí)(制造電子設(shè)備I時(shí))能夠防止樹脂膜24從底面44B側(cè)填埋槽44。[0599]具體而言，通過從保護(hù)膜23之上粘貼薄膜46，從而形成樹脂膜24。此時(shí)，薄膜46不會(huì)從底面44B側(cè)填埋槽44。因此，如圖1OlF所示，能夠使基板2薄至到達(dá)槽44的底面44B為止，能夠在槽44中將基板2分割為各個(gè)電子設(shè)備I。以上，說明了第6參考例的實(shí)施方式，但是也可以通過其他方式實(shí)施第6參考例。
[0600]例如，在將晶片30分割為單獨(dú)的電子設(shè)備I時(shí)，將晶片30從背面30B側(cè)研磨到槽44的底面44B(參照?qǐng)D101F)。代替該方式，也可以從背面30B選擇性地進(jìn)行蝕刻來去除SiN膜45中覆蓋底面44B的部分、和晶片30中俯視時(shí)與槽44 一致的部分，從而將晶片30分割為單獨(dú)的電子設(shè)備I。
[0601]圖105(a)是電子設(shè)備的俯視圖，圖105(b)是第I變形例的電子設(shè)備的俯視圖，圖105(c)是第2變形例的電子設(shè)備的俯視圖。另外，在圖105(a)?14(c)中，為了便于說明，省略了元件5、保護(hù)膜23、樹脂膜24的圖示。此外，前述的凹部10如圖105(a)所示那樣在電子設(shè)備I的一邊A被設(shè)置在從該一邊A的中點(diǎn)P偏尚的位置上。在凹部10偏尚了中點(diǎn)P的情況下，在一邊A延伸的方向上，凹部10的中心IOA與中點(diǎn)P不一致。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，除了連接該一邊A和該一邊A相反側(cè)的一邊B的方向(長邊方向)上的凹部10側(cè)之外，還可以將該一邊A延伸的方向(短邊方向)上的凹部10側(cè)作為前述的貼片方向。例如，在從元件形成面2A側(cè)看到的俯視圖中，使電子設(shè)備I的短邊方向與前后方向(圖105中的上下方向)一致的同時(shí)使電子設(shè)備I的長邊方向與左右方向一致，此時(shí)，凹部10位于靠左前方的(圖105中的靠左上方)位置上，能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I正確地安裝到電路基板9。由此，進(jìn)行安裝時(shí)，可從電子設(shè)備I的外觀掌握必須使電子設(shè)備I的朝向匹配成俯視時(shí)凹部10位于靠左前方(從基板2的背面2B看電子設(shè)備I時(shí)是靠右前方)的位置上的情況。也就是說，能夠從電子設(shè)備I的外觀掌握必須使長邊方向及短邊方向這兩個(gè)方向上的電子設(shè)備I的朝向匹配的情況。
[0602]如圖105(b)所示，當(dāng)然也可以將凹部10設(shè)置于在一邊A上與中點(diǎn)P—致的位置(凹部10的中心IOA與中點(diǎn)P在短邊方向上一致的位置)上。此外，也可以代替凹部10，如圖105(c)所示那樣設(shè)置向外側(cè)突出的凸部51。凸部51在俯視時(shí)可以是矩形狀，也可以是U字形狀(隆起成U字的形狀)或三角形狀。當(dāng)然，在側(cè)面2C，凸部51中的角部(包括凸部51的前端側(cè)及根部側(cè)的俯視時(shí)的4個(gè)角的部分)52也與其他角部11 一樣，呈被倒角后的圓形狀。在此，與凹部10相同，前述的側(cè)面覆蓋部23B(參照?qǐng)D92 (a))在側(cè)面2C覆蓋包括形成有凸部51的部分在內(nèi)的整個(gè)區(qū)域。此外，優(yōu)選凹部10的深度或凸部51的高度(突出量)在20 μ m以下(第I連接電極3或第2連接電極4的寬度的約5分之I以下)。并且，角部11、角部12或角部52中的各自的倒角量優(yōu)選一邊的距離在約20 μ m以下。
[0603]圖106(a)是表不電子設(shè)備的另一實(shí)施方式的兀件電路結(jié)構(gòu)的圖，圖106(b)是表示電子設(shè)備的又一實(shí)施方式的元件電路結(jié)構(gòu)的圖。在前述的實(shí)施方式中，由于將電子設(shè)備I作為了貼片電阻器，因此第I連接電極3和第2連接電極4間的元件5是電阻56，但是也可以是圖106(a)所示的二極管55，還可以是如圖106(b)所示那樣串聯(lián)連接了二極管55和電阻56的部分。電子設(shè)備I由于具有二極管55而成為了貼片二極管，第I連接電極3和第2連接電極4有極性，前述的貼片方向是與極性對(duì)應(yīng)的方向。由此，可通過貼片方向表示第I連接電極3和第2連接電極4的極性，因此能夠通過電子設(shè)備I的外觀掌握該極性。也就是說，可知貼片方向中的某一側(cè)(也就是說，第I連接電極3和第2連接電極4中哪一個(gè))是正負(fù)極中的哪一側(cè)。因此，能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I正確地安裝到電路基板9 (參照?qǐng)D92(b))，以使設(shè)有前述的凹部10或凸部51 (參照?qǐng)D105)的一側(cè)來到對(duì)應(yīng)的極側(cè)。
[0604]當(dāng)然，第6參考例也可以適用于在元件5中代替二極管55使用了電容器的貼片電容器或貼片電感器等、在芯片尺寸的基板2上生成了各種元件的元器件。< 第7參考例的發(fā)明>(1)第7參考例的發(fā)明的特征例如，第7參考例的發(fā)明的特征有以下的Gl?G18。(Gl)一種貼片電阻器，包括:具有元件形成面的基板；形成在所述元件形成面上的電阻體；與所述電阻體連接且具有修調(diào)對(duì)象區(qū)域的布線膜；和形成為在所述修調(diào)對(duì)象區(qū)域覆蓋所述布線膜的絕緣膜，所述絕緣膜是通過化學(xué)氣相沉積法形成的CVD絕緣膜。
[0605]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，若為了對(duì)修調(diào)對(duì)象區(qū)域的布線膜進(jìn)行激光修調(diào)而向該區(qū)域的布線膜照射激光，則激光透過該區(qū)域的布線膜上的絕緣膜之后到達(dá)布線膜。此時(shí)，激光的能量容易集中在布線膜中，因此能夠?qū)崿F(xiàn)布線膜的可靠的修調(diào)。特別是，由于該絕緣膜是CVD絕緣膜，因此能夠使修調(diào)對(duì)象區(qū)域整個(gè)區(qū)域中的絕緣膜的膜質(zhì)量穩(wěn)定，所以在該區(qū)域的任何部分都能夠?qū)崿F(xiàn)布線膜的可靠的修調(diào)。
[0606]此外，由于布線膜被絕緣膜覆蓋著，因此即使因激光修調(diào)而產(chǎn)生了碎片，該碎片也不會(huì)成為異物而與布線膜接觸由此引起短路。也就是說，能夠防止修調(diào)引起的短路。(G2)
根據(jù)Gl記載的貼片電阻器，所述絕緣膜具有IOOOA?5000A的厚度。
[0607]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠有效地使激光的能量集中于布線膜，因此能夠有效地實(shí)現(xiàn)布線膜的可靠的修調(diào)。另外，若絕緣膜比IOOOA薄，則會(huì)削弱使激光的能量有效地集中于布線
膜中的效果，相反若絕緣膜比5000A喂，則很難通過激光來切斷絕緣膜，因此很難對(duì)布線膜實(shí)施修調(diào)。(G3)根據(jù)G2記載的貼片電阻器，所述絕緣膜是通過CVD形成的SiN膜。(G4)根據(jù)Gl?G3的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器，所述電阻體由具有相同的電阻值的多個(gè)電阻體形成，在所述修調(diào)對(duì)象區(qū)域中能夠變更所述多個(gè)電阻體的連接狀態(tài)。(G5)根據(jù)Gl?G3的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器，在所述修調(diào)對(duì)象區(qū)域的布線膜下方形成有所述電阻體。(G6)根據(jù)Gl?G5的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器，所述絕緣膜還兼?zhèn)涓采w所述元件形成面的保護(hù)膜的作用。
[0608]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過絕緣膜能夠?qū)崿F(xiàn)布線膜的可靠的修調(diào)，同時(shí)不僅能夠防止修調(diào)引起的短路，還能夠保護(hù)元件形成面。(G7)根據(jù)Gl?G6的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器，所述布線膜在所述修調(diào)對(duì)象區(qū)域中具有被熔斷的部分。
[0609]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在貼片電阻器中，根據(jù)被熔斷的部分，能夠調(diào)整電阻值。(G8)根據(jù)G7記載的貼片電阻器，在所述基板與所述電阻體之間具有不同于所述絕緣膜的絕緣層。(G9)根據(jù)G8記載的貼片電阻器，在所述布線膜被熔斷的位置處，與所述布線膜一起削掉所述絕緣層的一部分。(GlO)根據(jù)Gl?G9的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器，所述布線膜配置在所述修調(diào)對(duì)象區(qū)域中，包括布線間距離比所述修調(diào)對(duì)象區(qū)域以外的部分大的布線。
[0610]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過修調(diào)(熔斷)該布線，從而能夠調(diào)整貼片電阻器的電阻值。(Gll)根據(jù)Gl?GlO的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器，所述布線膜包括鋁，所述絕緣膜包括氮化硅。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，CVD時(shí)的絕緣膜的氮化硅的生成溫度低于布線膜的鋁的熔化溫度，因此無需使布線膜熔斷就可在布線膜上形成絕緣膜。(G12) —種貼片電阻器的制造方法，包括:在基板的元件形成面形成電阻體的工序；在所述元件形成面形成與所述電阻體連接的布線膜的工序；和以覆蓋所述布線膜的修調(diào)對(duì)象區(qū)域的方式形成絕緣膜的工序。
[0611]根據(jù)該方法，若為了對(duì)修調(diào)對(duì)象區(qū)域的布線膜進(jìn)行激光修調(diào)而向該區(qū)域的布線膜照射激光，則激光透過該區(qū)域的布線膜上的絕緣膜之后到達(dá)布線膜。此時(shí)，激光的能量容易集中在布線膜中，因此能夠?qū)崿F(xiàn)布線膜的可靠的修調(diào)。此外，由于布線膜被絕緣膜覆蓋著，即使因激光修調(diào)而產(chǎn)生了碎片，該碎片也不會(huì)成為異物而與布線膜接觸由此引起短路。也就是說，能夠防止修調(diào)引起的短路。(G13)根據(jù)G12記載的貼片電阻器的制造方法，形成所述絕緣膜的工序包括通過化學(xué)氣相沉積法來形成該絕緣膜的工序。
[0612]由此，能夠使修調(diào)對(duì)象區(qū)域的整個(gè)區(qū)域中的絕緣膜的膜質(zhì)量穩(wěn)定，所以在該區(qū)域的任何部分都能夠?qū)崿F(xiàn)布線膜的可靠的修調(diào)。(G14)根據(jù)G12或G13記載的貼片電阻器的
制造方法，所述絕緣膜的厚度為1000Λ?5000Α。由此，能夠有效地使激光的能量集中于
布線膜中，所以能夠有效地實(shí)現(xiàn)布線膜的可靠的修調(diào)。另外，若絕緣膜比ιοοοΛ薄，則會(huì)削
弱使激光的能量有效地集中于布線膜中的效果，相反，若絕緣膜比5000Α厚，則很難通過激光來切斷絕緣膜，因此很難對(duì)布線膜實(shí)施修調(diào)。(G15)根據(jù)G12?G14的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器的制造方法，在所述修調(diào)對(duì)象區(qū)域的布線膜下方形成所述電阻體。(G16)根據(jù)G12?G15的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器的制造方法，所述絕緣膜在所述元件形成面中延伸至所述修調(diào)對(duì)象區(qū)域以外的區(qū)域，且所述絕緣膜還兼?zhèn)浔Ｗo(hù)所述元件形成面的保護(hù)膜的作用。
[0613]由此，通過絕緣膜能夠?qū)崿F(xiàn)布線膜的可靠的修調(diào)，同時(shí)不僅能夠防止因修調(diào)引起的短路，還能夠保護(hù)元件形成面。(G17)根據(jù)G12?G16的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器的制造方法，還包括在所述修調(diào)對(duì)象區(qū)域通過激光熔斷所述布線膜使得成為所需的電阻值的工序。
[0614]由此，能夠調(diào)整貼片電阻器的電阻值。(G18)根據(jù)G12?G17的任一項(xiàng)記載的貼片電阻器的制造方法，形成所述布線膜的工序包括在所述修調(diào)對(duì)象區(qū)域形成熔絲的工序。由此，通過修調(diào)熔絲，能夠調(diào)整貼片電阻器的電阻值。(2)第7參考例的發(fā)明的實(shí)施方式以下，參照附圖詳細(xì)說明第7參考例的實(shí)施方式。另外，在圖107?圖123示出的符號(hào)僅在這些附圖中有效，即使在其他實(shí)施方式中使用也不會(huì)表示與該其他實(shí)施方式的符號(hào)相同的要素。
[0615]圖107(a)是用于說明第7參考例的一實(shí)施方式的貼片電阻器的結(jié)構(gòu)的示意性立體圖，圖107(b)是表示在電路基板安裝了貼片電阻器的狀態(tài)的示意性側(cè)視圖。該貼片電阻器I是微小的貼片部件，如圖107(a)所示，是長方體形狀。關(guān)于貼片電阻器I的尺寸，長邊方向的長度L約為0.3mm,短邊方向的寬度W約為0.15mm,厚度T約為0.1mm。
[0616]在基板上以格子狀形成多個(gè)貼片電阻器I之后在該基板中形成槽，然后進(jìn)行背面研磨(或在槽處分割該基板)來分離成獨(dú)立的貼片電阻器1，從而獲得該貼片電阻器I。貼片電阻器I主要具備基板2、成為外部連接電極的第I連接電極3和第2連接電極4、和元件5。
[0617]基板2是大致長方體的芯片形狀。在基板2中，圖107(a)中的上表面是元件形成面2A。元件形成面2A是基板2的表面，大致是長方形狀?；?的厚度方向上的元件形成面2A相反側(cè)的面是背面2B。元件形成面2A和背面2B是大致相同的形狀。此外，基板2除了元件形成面2A及背面2B以外，還具有與這些面正交著延伸地連接這些面之間的側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F。
[0618]側(cè)面2C架設(shè)在元件形成面2A及背面2B中的長邊方向一端邊緣(圖107(a)中的左前側(cè)的邊緣)之間，側(cè)面2D架設(shè)在元件形成面2A及背面2B中的長邊方向另一端邊緣(圖47(a)中的右方紙面內(nèi)側(cè)的邊緣)之間。側(cè)面2C及側(cè)面2D是該長邊方向上的基板2的兩個(gè)端面。側(cè)面2E架設(shè)在元件形成面2A及背面2B中的短邊方向一端邊緣(圖107(a)中的左方紙面內(nèi)側(cè)的邊緣)之間，側(cè)面2F架設(shè)在元件形成面2A及背面2B中的短邊方向另一端邊緣(圖107(a)中的右前側(cè)的邊緣)之間。側(cè)面2E及側(cè)面2F是該短邊方向上的基板2的兩個(gè)端面。側(cè)面2C及側(cè)面2D分別與側(cè)面2E及側(cè)面2F交叉(嚴(yán)格來講是正交)。
[0619]在基板2中，由保護(hù)膜23覆蓋元件形成面2A的整個(gè)區(qū)域。因此，嚴(yán)格來講，在圖107(a)中，元件形成面2A的整個(gè)區(qū)域位于絕緣膜23的內(nèi)側(cè)(裏側(cè))，未露出在外部。另外，元件形成面2A上的絕緣膜23被樹脂膜24覆蓋著。樹脂膜24從元件形成面2A凸出至側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F中的元件形成面2A側(cè)的端部(圖107(a)中的上端部)。將在后面詳細(xì)說明絕緣膜23及樹脂膜24。
[0620]并且，在長方體的基板2中，背面2B、側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F中相鄰的面彼此交叉的交叉部11 (構(gòu)成該相鄰的面彼此的邊界的角部)11被整形為被倒角后的圓形狀。在此，在各交叉部11中優(yōu)選圓形狀的曲率半徑在20 μ m以下。
[0621]這樣，俯視時(shí)(底面視)及側(cè)面時(shí)的基板2的輪廓中，彎曲的部分(交叉部11)都是圓形狀。因此，握住交叉部11來攜帶或搬移貼片電阻器I時(shí)，能夠防止在圓形狀的各交叉部11(角部)中產(chǎn)生碎片。由此，在貼片電阻器I的制造中，能夠?qū)崿F(xiàn)成品率的提高(生廣率的提聞)。
[0622]第I連接電極3和第2連接電極4形成在基板2的元件形成面2A上，一部分從樹脂膜24露出。第I連接電極3和第2連接電極4分別例如在元件形成面2A上按照Ni (鎳)、Pd(鈀)及Au(金)的順序?qū)盈B這些金屬而構(gòu)成。在元件形成面2A的長邊方向上隔著間隔配置第I連接電極3和第2連接電極4，這些電極的長邊位于元件形成面2A的短邊方向上。在圖107(a)中，元件形成面2A中，在偏向側(cè)面2C的位置處設(shè)置第I連接電極3，在偏向側(cè)面2D的位置處設(shè)置第2連接電極4。
[0623]元件5是電路元件，形成在基板2的元件形成面2A中的第I連接電極3與第2連接電極4之間的區(qū)域內(nèi)，從上面覆蓋了絕緣膜23及樹脂膜24。該實(shí)施方式的元件5是由電路網(wǎng)構(gòu)成的電阻56，該電路網(wǎng)是在元件形成面2A上以矩陣狀排列由TiN(氮化鈦)或TiON(氧氮化鈦)構(gòu)成的多個(gè)薄膜狀的電阻體(薄膜電阻體)R而得到的。元件5(電阻體R)與后述的布線膜22電連接，經(jīng)由布線膜22而與第I連接電極3和第2連接電極4電連接。由此，在貼片電阻器I中，在第I連接電極3與第2連接電極4之間形成基于元件5的電阻電路。
[0624]如圖107(b)所示，使第I連接電極3和第2連接電極4與電路基板9對(duì)置，通過焊料13以電及機(jī)械方式連接到電路基板9的電路(未圖示)上，從而能夠?qū)㈦娮釉O(shè)備I安裝(倒裝連接)到電路基板9。另外，對(duì)于起到外部連接電極作用的第I連接電極3和第2連接電極4而言，為了提高焊料潤濕性及可靠性，優(yōu)選由金(Au)形成、或在表面實(shí)施鍍金。
[0625]圖108是電子設(shè)備的俯視圖，是表示第I連接電極、第2連接電極及元件的配置關(guān)系以及俯視元件時(shí)的結(jié)構(gòu)的圖。參照?qǐng)D108，成為電阻電路網(wǎng)的元件5作為一例而具有由沿著行方向(基板2的長邊方向)排列的8個(gè)電阻體R、和沿著列方向(基板2的寬度方向)排列的44個(gè)電阻體R構(gòu)成的共計(jì)352個(gè)電阻體R。各個(gè)電阻體R具有相等的電阻值。這些電阻體R具有相等的電阻值。也就是說，電阻體R的集合(元件5、電阻56)由具有相同電阻值的多個(gè)電阻體R形成。
[0626]這些多個(gè)電阻體R按I個(gè)?64個(gè)的規(guī)定個(gè)數(shù)被組合電連接，從而形成多種電阻單位體(單位電阻)。所形成的多種電阻單位體經(jīng)由連接用導(dǎo)體膜C而被連接成規(guī)定的方式。另外，為了在基板2的元件形成面2A向元件5以電方式組入電阻單位體、或者從元件5電分離電阻單位體，而設(shè)置有可熔斷的多個(gè)熔斷膜(熔絲)F。多個(gè)熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C沿著第2連接電極4的內(nèi)側(cè)邊被排列成配置區(qū)域呈直線狀。更具體而言，多個(gè)熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C被配置成直線狀。
[0627]圖109A是放大了圖108所示的元件的一部分的俯視圖。圖109B是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖109A的B-B的長度方向的縱向截面圖。圖109C是用于說明元件中的電阻體的結(jié)構(gòu)的沿著圖109A的C-C的寬度方向的縱向截面圖。參照?qǐng)D109A、圖109B及圖109C來說明電阻體R的結(jié)構(gòu)。
[0628]貼片電阻器I除了前述的布線膜22、保護(hù)膜23及樹脂膜24以外，還具備絕緣膜20和電阻體膜21 (參照?qǐng)D109B及圖109C)。絕緣膜20、電阻體膜21、布線膜22、保護(hù)膜23及樹脂膜24形成在基板2 (元件形成面2A)上。絕緣膜20由SiO2 ( 二氧化娃)構(gòu)成。絕緣膜20覆蓋著基板2的元件形成面2A的整個(gè)區(qū)域。絕緣膜20的厚度約為10000A。絕緣層20和絕緣膜23的不同的部分。
[0629]電阻體膜21構(gòu)成電阻體R。電阻體膜21由TiN或TiON構(gòu)成，被層疊在絕緣膜20
的表面上。電阻體膜21的厚度約為20001。電阻體膜21構(gòu)成在第I連接電極3與第2連
接電極4之間以線狀延伸的多根線(以下稱為“電阻體膜線21A”)，電阻體膜線21A有時(shí)會(huì)在線方向上的規(guī)定位置處被切斷(參照?qǐng)D109A)。
[0630]在電阻體膜線21A上層疊有布線膜22。布線膜22由Al (鋁)或鋁與Cu(銅)的合金(AlCu合金)構(gòu)成。布線膜22的厚度約為8000Λ。在電阻體膜線21A上沿著線方向隔著恒定間隔R層疊有布線膜22。用電路符號(hào)表示該結(jié)構(gòu)的電阻體膜線21A及布線膜22的電特征的話，則如圖110。S卩，如圖110(a)所示，規(guī)定間隔R的區(qū)域的電阻體膜線21A部分分別形成具有一定電阻值r的I個(gè)電阻體R。
[0631]于是，在層疊有布線膜22的區(qū)域中，通過電連接布線膜22相鄰的電阻體R彼此，從而因該布線膜22使得電阻體膜線21A短路。因此，形成由圖110(b)所示的電阻r的電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的電阻電路。此外，相鄰的電阻體膜線21A彼此通過電阻體膜21及布線膜22而連接著，因此，圖109A所示的元件5的電阻電路網(wǎng)構(gòu)成圖100(c)所示的(由前述的電阻體R的單位電阻構(gòu)成)電阻電路。
[0632]在此，根據(jù)在基板2上制造的相同形狀且相同大小的電阻體膜21成為大致相同的電阻值的這一特性，在基板2上以矩陣狀排列的多個(gè)電阻體R具有相等的電阻值。此外，層疊在電阻體膜線21A上的布線膜22形成電阻體R，并且還起到連接多個(gè)電阻體R而構(gòu)成電阻單位體的連接用布線膜的作用。
[0633]圖111(a)是放大了圖108所示的電子設(shè)備的俯視圖的一部分的包括熔斷膜在內(nèi)的區(qū)域的部分放大俯視圖，圖111(b)是表示沿著圖111(a)的B-B的截面結(jié)構(gòu)的圖。如圖111(a)及(b)所示，前述的熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C也由在形成電阻體R的電阻體膜21上被層疊的布線膜22形成。即，在與層疊于形成電阻體R的電阻體膜線21A上的布線膜22相同的層上，通過與布線膜22相同的金屬材料、即Al或AlCu合金來形成熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C。
[0634]也就是說，在層疊于電阻體膜21上的同一層上，利用同一金屬材料(Al或AlCu合金)形成用于形成電阻體R的布線膜、熔斷膜F、連接用導(dǎo)體膜C、以及用于將元件5連接到第I連接電極3和第2連接電極4的布線膜，作為布線膜22。另外，區(qū)分熔斷膜F和布線膜22是因?yàn)?，為了容易切斷而將熔斷膜F形成得較細(xì)、以及為了配置成在熔斷膜F的周邊不存在其他電路要素。
[0635]在此，在布線膜22中，將配置了熔斷膜F的區(qū)域設(shè)為修調(diào)對(duì)象區(qū)域X(參照?qǐng)D108及圖111 (a))。修調(diào)對(duì)象區(qū)域X是沿著第2連接電極4的內(nèi)側(cè)邊的直線狀區(qū)域，修調(diào)對(duì)象區(qū)域X中除了熔斷膜F之外，還配置有連接用導(dǎo)體膜C。此外，在修調(diào)對(duì)象區(qū)域X的布線膜22下方形成有電阻體膜21 (參照?qǐng)D111 (b))。并且，熔斷膜F是在布線膜22中布線間距離比修調(diào)對(duì)象區(qū)域X以外的部分大(遠(yuǎn)離于周邊)的布線。
[0636]熔斷膜F除了是布線膜22的一部分以外，也可以指電阻體R(電阻體膜21)的一部分與電阻體膜21上的布線膜22的一部分的總稱(熔絲元件)。此外，僅說明了熔斷膜F使用與連接用導(dǎo)體膜C相同的層的情況，但是也可以在連接用導(dǎo)體膜C部分之上進(jìn)一步層疊其他導(dǎo)體膜，從而降低導(dǎo)體膜的電阻值。另外，此時(shí)，只要不在熔斷膜F上層疊導(dǎo)體膜，就不會(huì)使熔斷膜F的熔斷性惡化。
[0637]圖112是第7參考例的實(shí)施方式的元件的電路圖。參照?qǐng)D112，元件5通過從第I連接電極3開始將基準(zhǔn)電阻單位體R8、電阻單位體R64、兩個(gè)電阻單位體R32、電阻單位體R16、電阻單位體R8、電阻單位體R4、電阻單位體R2、電阻單位體R1、電阻單位體R / 2、電阻單位體R / 4、電阻單位體R / 8、電阻單位體R / 16、電阻單位體R / 32按照這樣的順序串聯(lián)連接而構(gòu)成。基準(zhǔn)電阻單位體R8及電阻單位體R64?R2分別串聯(lián)連接與自身后綴數(shù)(R64時(shí)是“64”)相同數(shù)量的電阻體R而構(gòu)成。電阻單位體Rl由I個(gè)電阻體R構(gòu)成。電阻單位體R / 2?R / 32分別并聯(lián)連接與自身后綴數(shù)(R / 32時(shí)是“32”)相同數(shù)量的電阻體R而構(gòu)成。電阻單位體的后綴數(shù)的意思在后述的圖113及圖114中也是相同的。
[0638]然后，分別對(duì)基準(zhǔn)電阻單位體R8以外的電阻單位體R64?電阻單位體R / 32并聯(lián)連接I個(gè)熔斷膜F。熔斷膜F彼此直接或經(jīng)由連接用導(dǎo)體膜C (參照?qǐng)D111 (a))而被串聯(lián)連接著。如圖112所示，在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，元件5構(gòu)成由設(shè)置在第I連接電極3與第2連接電極4之間的8個(gè)電阻體R的串聯(lián)連接構(gòu)成的基準(zhǔn)電阻單位體R8 (電阻值8r)的電阻電路。例如，若將I個(gè)電阻體R的電阻值r設(shè)為r = 80 Ω，則通過8r = 64 Ω的電阻電路來構(gòu)成連接了第I連接電極3和第2連接電極4的貼片電阻器(電子設(shè)備I)。
[0639]此外，在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，基準(zhǔn)電阻單位體R8以外的多種電阻單位體呈被短路的狀態(tài)。也就是說，基準(zhǔn)電阻單位體R8串聯(lián)連接了 12種13個(gè)電阻單位體R64?R / 32，但由于各電阻單位體分別因與其并聯(lián)連接的熔斷膜F而成為短路狀態(tài)，因此，在電特性上，各電阻單位體并未被組入元件5中。
[0640]在該實(shí)施方式的貼片電阻器I中，根據(jù)所要求的電阻值，選擇性地例如通過激光來熔斷熔斷膜F。由此，熔斷了并聯(lián)連接著的熔斷膜F的電阻單位體被組入元件5中。由此，能夠?qū)⒃?整體的電阻值設(shè)為與所熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體被串聯(lián)連接后組成的電阻值。
[0641]特別是，多種電阻單位體具備:具有相等的電阻值的電阻體R以I個(gè)、2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)、16個(gè)、32個(gè)…這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而串聯(lián)連接了這些電阻體R的多種串聯(lián)電阻單位體、和相等電阻值的電阻體R以2個(gè)、4個(gè)、8個(gè)及16個(gè)…這樣的等比數(shù)列增加電阻體R的個(gè)數(shù)而并聯(lián)連接了這些電阻體R的多種并聯(lián)電阻單位體。因此，通過選擇性地熔斷熔斷膜F (還包括前述的熔絲元件)，能夠?qū)⒃? (電阻56)整體的電阻值較細(xì)致地以數(shù)字方式調(diào)整為任意的電阻值，在貼片電阻器I中能夠產(chǎn)生期望值的電阻。
[0642]圖113是第7參考例的其他實(shí)施方式的元件的電路圖。如前述那樣，代替串聯(lián)連接基準(zhǔn)電阻單位體R / 16及電阻單位體R64~電阻單位體R / 32來構(gòu)成元件5的情況，也可以如圖113所示那樣構(gòu)成元件5。詳細(xì)而言，在第I連接電極3和第2連接電極4之間，也可以通過基準(zhǔn)電阻單位體R / 16、與12種電阻單位體R / 16,R / 8、R / 4、R / 2、Rl、R2、R4、R8、R16、R32、R64、Rl28的并聯(lián)連接電路之間的串聯(lián)連接電路而構(gòu)成元件5。
[0643]此時(shí)，基準(zhǔn)電阻單位體R / 16以外的12種電阻單位體分別串聯(lián)連接著熔斷膜F。在所有的熔斷膜F未被熔斷的狀態(tài)下，在電特性上各電阻單位體都被組入元件5中。根據(jù)所要求的電阻值，若選擇性地例如通過激光來熔斷熔斷膜F，則可從元件5電分離與所熔斷的熔斷膜F對(duì)應(yīng)的電阻單位體(串聯(lián)連接了熔斷膜F的電阻單位體)，因此，能夠調(diào)整電子設(shè)備I整體的電阻值。
[0644]圖114是表示第7參考例的又一實(shí)施方式的元件的電路圖。圖114所示的元件5的特征是，成為了對(duì)多種電阻單位體的串聯(lián)連接和多種電阻單位體的并聯(lián)連接進(jìn)行了串聯(lián)連接的電路結(jié)構(gòu)。與之前的實(shí)施方式相同，對(duì)被串聯(lián)連接的多種電阻單位體按每個(gè)電阻單位體并聯(lián)連接著熔斷膜F，通過所有熔斷膜F，使被串聯(lián)連接的多種電阻單位體成為短路狀態(tài)。因此，若熔斷熔斷膜F，則在電特性上，因該被熔斷的熔斷膜F而處于短路狀態(tài)的電阻單位體被組入元件5中。
`[0645]另一方面，被并聯(lián)連接的多種電阻單位體分別串聯(lián)連接著熔斷膜F。因此，通過熔斷熔斷膜F，能夠從電阻單位體的并聯(lián)連接中電切離被熔斷的熔斷膜F串聯(lián)連接的電阻單位體。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，例如，在并聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以下的小電阻，在串聯(lián)連接側(cè)生成IkQ以上的電阻電路，能夠利用由相等的基本設(shè)計(jì)構(gòu)成的電阻的電路網(wǎng)來生成從幾Ω的小電阻到幾ΜΩ的大電阻的寬范圍的電阻電路。
[0646]如以上所述，在該貼片電阻器1，在修調(diào)對(duì)象區(qū)域X能夠變更多個(gè)電阻體R(電阻單位體)的連接狀態(tài)。圖115是貼片電阻器的示意性截面圖。接著，參照?qǐng)D115，詳細(xì)說明貼片電阻器I。另外，為了便于說明，在圖115中簡化了前述的元件5，并且對(duì)基板2以外的各要素附加了陰影。
[0647]在此，說明前述的絕緣膜23及樹脂膜24。絕緣膜23是例如由SiN(氮化硅)構(gòu)成的膜，其厚度為100(認(rèn)~5000A (在此約為300(.α )。絕緣膜23設(shè)置在元件形成面2Α的整個(gè)區(qū)域，從表面(圖115的上側(cè))覆蓋著電阻體膜21及電阻體膜21上的各布線膜22 ( 即，元件5)，覆蓋著元件5中的各電阻體R的上表面。因此，絕緣膜23還覆蓋前述的修調(diào)對(duì)象區(qū)域X中的布線膜22 (參照?qǐng)D111 (b))。此外，絕緣膜23與元件5 (布線膜22及電阻體膜21)相連，在電阻體膜21以外的區(qū)域也與絕緣層20相連。由此，絕緣膜23起到覆蓋元件形成面2A的整個(gè)區(qū)域來保護(hù)元件5及絕緣層20的保護(hù)膜的作用。
[0648]此外，通過絕緣膜23，防止了電阻體R間的布線膜22以外處的短路(相鄰的電阻體膜線21A之間的短路)。另外，絕緣膜23中位于元件形成面2A的邊緣的端部23A的表面彎曲成朝向側(cè)方(沿著元件形成面2A的方向的貼片電阻器I (基板2)的外方)隆起。
[0649]雖然未圖示，但是絕緣膜23也可以從元件形成面2A凸出，覆蓋側(cè)面2C?2F中與元件形成面2A的邊界部分、和絕緣層20中露出于側(cè)面2C?2F的部分。樹脂膜24是與絕緣膜23 —起保護(hù)貼片電阻器I的元件形成面2A的膜，由聚酰亞胺等樹脂構(gòu)成。樹脂膜24的厚度約為5 μ m。樹脂膜24覆蓋絕緣膜23的表面(也包括被絕緣膜23覆蓋的電阻體膜21及布線膜22)的整個(gè)區(qū)域，并且覆蓋著側(cè)面2C?2F中與元件形成面2A的邊界部分(圖115中的上端部)、和絕緣層20中露出于側(cè)面2C?2F的部分。因此，4個(gè)側(cè)面2C?2F中元件形成面2A相反側(cè)(圖115中的下側(cè))的部分作為貼片電阻器I的外表面而露出到外部。
[0650]由此，絕緣膜23覆蓋電阻體膜21 (薄膜電阻體R)及布線膜22的同時(shí)，樹脂膜24覆蓋絕緣膜23的表面，因此能夠通過絕緣膜23及樹脂膜24實(shí)現(xiàn)對(duì)薄膜電阻體R及布線膜22(元件形成面2A)的雙重保護(hù)。另外，通過絕緣膜23及樹脂膜24來防止異物附著于薄膜電阻體R及布線膜22，因此能夠防止薄膜電阻體R及布線膜22中的短路。
[0651]在樹脂膜24中，俯視時(shí)與4個(gè)側(cè)面2C?2F —致的部分稱為比這些側(cè)面更向基板2的側(cè)方(外方)隆起的圓弧狀的隆起部24A。也就是說，樹脂膜24(隆起部24A)在側(cè)面2C?2F中比側(cè)面2C?2F (對(duì)應(yīng)的側(cè)面)更凸出。這種樹脂膜24具有在圓弧狀的隆起部24A朝向側(cè)方凸出的圓形狀側(cè)面24B。
[0652]在此，在構(gòu)成元件形成面2A分別與側(cè)面2C?2F的邊界的交叉部27中，元件形成面2A分別與側(cè)面2C?2F交叉，交叉部27是與所述圓形狀(交叉部11的圓形狀)不同的有棱角的形狀。因此，隆起部24A覆蓋著各交叉部27。此時(shí)，通過樹脂膜24來防止在交叉部27中產(chǎn)生碎片。此外，隆起部24A在交叉部27中比側(cè)面2C?2F更向外方(沿著元件形成面2A的方向上的基板2的外方)隆起，貼片電阻器I與周邊物體接觸時(shí)，隆起部24A最先與周邊物體接觸，能夠緩和接觸帶來的沖擊，因此能夠防止沖擊波及到元件5等。特別是，隆起部24A具有圓形狀的側(cè)面24B，因此能夠順利地緩和接觸帶來的沖擊。
[0653]此外，樹脂膜24在側(cè)面2C?2F中設(shè)置在朝向交叉部27側(cè)(從背面2B到元件形成面2A側(cè))遠(yuǎn)離的區(qū)域內(nèi)。但是，也可以是樹脂膜24完全沒有覆蓋側(cè)面2C?2F的結(jié)構(gòu)(使側(cè)面2C?2F全部露出的結(jié)構(gòu))。在樹脂膜24中，在俯視時(shí)分開的兩個(gè)位置處各形成一個(gè)開口 25。各開口 25是在樹脂膜24及絕緣膜23各自的厚度方向上連續(xù)地貫通這兩個(gè)膜的貫通孔。因此，開口 25除了樹脂膜24外，還形成于絕緣膜23中。從各開口 25使布線膜22的一部分露出。布線膜22中從各開口 25露出的部分成為外部連接用的焊盤區(qū)域22A。
[0654]兩個(gè)開口 25當(dāng)中，一個(gè)開口 25被第I連接電極3完全填埋，另一個(gè)開口 25被第2連接電極4完全填埋。并且，第I連接電極3和第2連接電極4的一部分在樹脂膜24的表面從開口 25凸出。第I連接電極3經(jīng)由該一個(gè)開口 25，在該開口 25的焊盤區(qū)域22A中與布線膜22電連接。第2連接電極4經(jīng)由該另一個(gè)開口 25，在該開口 25的焊盤區(qū)域22A中與布線膜22電連接。由此，第I連接電極3和第2連接電極4分別與元件5電連接。在此，布線膜22形成電阻體R的集合(電阻56)、分別與第I連接電極3和第2連接電極4連接的布線。
[0655]這樣，形成有開口 25的樹脂膜24及保護(hù)膜23構(gòu)成為:使第I連接電極3和第2連接電極4從開口 25露出。因此，經(jīng)由在樹脂膜24的表面從開口 25凸出的第I連接電極3和第2連接電極4，能夠?qū)崿F(xiàn)電子設(shè)備I與電路基板9之間的電連接(參照?qǐng)D107 (b))。
[0656]圖116A?圖116F是表示圖115所示的貼片電阻器的制造方法的示意性截面圖。首先，如圖116A所示，準(zhǔn)備作為基板2的來源的晶片30。此時(shí)，基板30的表面30A是基板2的元件形成面2A，基板30的背面30B是基板2的背面2B。
[0657]然后，在基板30的表面30A形成由SiO2等構(gòu)成的絕緣膜20，在絕緣膜20上形成元件5 (與電阻體R及電阻體R連接的布線膜22)。具體而言，通過濺射，首先在絕緣膜20上的整個(gè)面上形成TiN或TiON的電阻體膜21，進(jìn)一步在電阻體膜21上層疊鋁(Al)的布線膜22。之后，利用光刻工藝，例如通過干蝕刻來選擇性地去除電阻體膜21及布線膜22，如圖109A所示，獲得俯視時(shí)層疊有電阻體膜21的恒定寬度的電阻體膜線21A隔著恒定間隔而排列在列方向上的結(jié)構(gòu)。此時(shí)，還部分形成電阻體膜線21A及布線膜22被切斷的區(qū)域，并且在前述的修調(diào)對(duì)象區(qū)域X中形成熔斷膜F及連接用導(dǎo)體膜C(參照?qǐng)D108)。接著，選擇性地去除在電阻體膜線21A上層疊的布線膜22。其結(jié)果，獲得在電阻體膜線21A上隔著恒定間隔R而層疊了布線膜22的結(jié)構(gòu)的元件5。
[0658]參照?qǐng)D116A，根據(jù)形成在I片基板30上的貼片電阻器I的數(shù)量，在基板30的表面30A上的多個(gè)位置上形成元件5。若將在基板30中形成有元件5 (前述的電阻56)的I個(gè)區(qū)域設(shè)為貼片電阻器區(qū)域Y，則在基板30的表面30A形成分別具有電阻56的多個(gè)貼片電阻器區(qū)域Y (即，元件5)。在基板30的表面30A，將相鄰的貼片電阻器區(qū)域Y之間的區(qū)域設(shè)為邊界區(qū)域Z。
[0659]接著，如圖116A所示,通過CVD(Chemical Vapor Deposition:化學(xué)氣相沉積)，在基板30的表面30A的整個(gè)區(qū)域形成由SiN構(gòu)成的絕緣膜(CVD絕緣膜)45。形成后的CVD
絕緣膜45具有IOOOA?5000A (在此約為3000A )的厚度。CVD絕緣膜45完全覆蓋絕
緣層20及絕緣層20上的元件5 (電阻體膜21、布線膜22)，并與這些層相連。因此，CVD絕緣膜45也覆蓋前述的修調(diào)對(duì)象區(qū)域X (圖108參照)中的布線膜22。此外，CVD絕緣膜45形成在基板30表面30A的整個(gè)區(qū)域中，因此在表面30A中，延伸至修調(diào)對(duì)象區(qū)域X以外的區(qū)域。由此，CVD絕緣膜45成為保護(hù)表面30A (也包括表面30A上的元件5)的整個(gè)區(qū)域的保護(hù)膜。
[0660]接著，如圖116B所示，為了完全覆蓋CVD絕緣膜45，在基板30表面30A的整個(gè)區(qū)域形成抗蝕劑圖案41。在抗蝕劑圖案41中形成有開口 42。圖117是在圖116B的工序中形成槽時(shí)所使用的抗蝕劑圖案的一部分的示意性俯視圖。
[0661]參照?qǐng)D117，在以矩陣狀(也可以是格子狀)配置了多個(gè)貼片電阻器1(換言之，前述的貼片電阻器區(qū)域Y)的情況下，抗蝕劑圖案41的開口 42在俯視時(shí)與相鄰的貼片電阻器I的輪廓間的區(qū)域(在圖117中附加了陰影的部分，換言之是邊界區(qū)域Z) —致。因此，開口 42的整體形狀是具有多個(gè)互相正交的直線部分42A及42B的格子狀。
[0662]在抗蝕劑圖案41中，開口 42中相互正交的直線部分42A及42B在保持相互正交的狀態(tài)的同時(shí)(不彎曲)相連著。因此，直線部分42A及42B的交叉部分43在俯視時(shí)大致為90。，較尖。參照?qǐng)D116B，通過將抗蝕劑圖案41作為掩模的等離子蝕刻，分別選擇性地去除CVD絕緣膜45、絕緣層20及基板30。由此，在相鄰的元件5 (貼片電阻器區(qū)域Y)之間的邊界區(qū)域Z中基板30的材料被去除。其結(jié)果，在俯視時(shí)與抗蝕劑圖案41的開口 42 —致的位置(邊界區(qū)域Z)，形成貫通CVD絕緣膜45及絕緣層20而到達(dá)基板30的厚度的一部分的槽44。槽44具有互相對(duì)置的側(cè)面44A、和連接對(duì)置的側(cè)面44A的下端(基板30的背面30B側(cè)的端)的底面44B。將基板30的表面30A作為基準(zhǔn)的槽44的深度約為100 μ m,槽44的寬度(對(duì)置的側(cè)面44A的間隔)約為20 μ m。
[0663]圖118(a)是在圖116B的工序中形成槽之后的基板的示意性俯視圖，圖118(b)是圖118(a)的部分放大圖。參照?qǐng)D118(b)，槽44的整體形狀是俯視時(shí)與抗蝕劑圖案41的開口 42(參照?qǐng)D117) —致的格子狀。并且，在基板30的表面30A，槽44的矩形框體部分(邊界區(qū)域Z)包圍著形成有各元件5的貼片電阻器區(qū)域Y的周圍。基板30中形成有元件5的部分是貼片電阻器I的半成品50。在基板30的表面30A，被槽44包圍的貼片電阻器區(qū)域Y中各有I個(gè)半成品50，這些半成品50排列配置成矩陣狀。
[0664]并且，根據(jù)抗蝕劑圖案41的開口 42中較尖的交叉部分43 (參照?qǐng)D117)，俯視時(shí)的半成品50的角部60 (相當(dāng)于貼片電阻器I的交叉部11)大致呈直角。如圖116B所示，形成槽44之后，去除抗蝕劑圖案41，如圖116C所示，通過利用了掩模65的蝕刻，選擇性地去除CVD絕緣膜45。在掩模65中，在CVD絕緣膜45中俯視時(shí)與各焊盤區(qū)域22A(參照?qǐng)D115) 一致的部分中形成有開口 66。由此，通過蝕刻，在CVD絕緣膜45中去除與開口 66—致的部分，在該部分形成開口 25。由此，CVD絕緣膜45形成為在開口 25中使各焊盤區(qū)域22A露出。在I個(gè)半成品50中形成兩個(gè)開口 25。
[0665]圖119A是第7參考例的一實(shí)施方式的貼片電阻器的制造工藝中的示意性截面圖。圖119B是比較例的貼片電阻器的制造工藝中的示意性截面圖。各半成品50中，如圖116C所示在CVD絕緣膜45中形成兩個(gè)開口 25之后，將電阻測量裝置(未圖示)的探針70接觸各開口 25的焊盤區(qū)域22A，檢測元件5整體的電阻值。然后，如圖119A所示那樣，越過CVD絕緣膜45，向任意的熔斷膜F照射激光L，從而通過激光L來修調(diào)前述的修調(diào)對(duì)象區(qū)域X的布線膜22，熔斷該熔斷膜F。被熔斷的熔斷膜F是在前述的修調(diào)對(duì)象區(qū)域X的布線膜22中被修調(diào)(熔斷)的部分。由此，按照成為所需的電阻值的方式熔斷(修調(diào))熔斷膜F，從而如前述那樣能夠調(diào)整半成品50 (換言之，貼片電阻器I)整體的電阻值。
[0666]該實(shí)施方式中的激光L的功率(能量)是1.2 μ J?2.7 μ J，激光L的光斑直徑為
3μ m?5 μ m。此外，使激光L透過CVD絕緣膜45之后，在CVD絕緣膜45中激光L所透過的部分被切斷，在布線膜22被熔斷的部位，電阻體膜21也被熔斷，與布線膜22 —起絕緣層20的一部分也被切掉。
[0667]如前所述，由CVD絕緣膜覆蓋著構(gòu)成熔斷膜F的布線膜22整體。因此，向修調(diào)對(duì)象區(qū)域X的布線膜22照射的激光L透過修調(diào)對(duì)象區(qū)域X的CVD絕緣膜45之后到達(dá)布線膜22 (熔斷膜F)。由此，激光L的能量有效地集中(蓄積)于熔斷膜F中，因此能夠通過激光L可靠且迅速地熔斷(激光微調(diào))熔斷膜F。此外，使CVD絕緣膜45與布線膜22相連，從而可由CVD絕緣膜45可靠地覆蓋布線膜22，因此能夠使激光的能量有效地集中于布線膜22，所以能夠有效地實(shí)現(xiàn)布線膜22的可靠的修調(diào)。
[0668]此外，由于CVD絕緣膜45覆蓋著布線膜22，因此即使通過激光微調(diào)產(chǎn)生了碎片，該碎片也不會(huì)成為異物68而與布線膜22(元件5)接觸由此引起短路。也就是說，能夠防止因修調(diào)引起的短路。由此，關(guān)于熔斷膜F的熔斷(換言之，熔斷膜F中的布線膜22的修調(diào))，提聞溶斷性的同時(shí)提聞成品率，因此能夠?qū)崿F(xiàn)貼片電阻器I的生廣率的提聞。
[0669]在此，CVD絕緣膜45是通過CVD法成膜的，因此與在布線膜22上涂敷與CVD絕緣膜45相同材料來成膜的情況相比，能夠使CVD絕緣膜45 (特別是修調(diào)對(duì)象區(qū)域X的整個(gè)區(qū)域中的CVD絕緣膜45)的膜質(zhì)量穩(wěn)定。由此，能夠通過CVD絕緣膜45無遺漏地覆蓋布線膜22。因此，無論在修調(diào)對(duì)象區(qū)域X的哪個(gè)部分，都能夠?qū)崿F(xiàn)布線膜22的可靠的修調(diào)。也就是說，通過利用這種CVD絕緣膜45，能夠可靠地提高熔斷膜F的熔斷性以及成品率。
[0670]此外，優(yōu)選CVD絕緣膜45如前述那樣具有1000^4~5000A的厚度。此時(shí)，能夠使激光的能量有效地集中于布線膜22，因此能夠有效地實(shí)現(xiàn)布線膜22的可靠的修調(diào)。另外，若CVD絕緣膜45比丨OOOA M,則會(huì)削弱使激光L的能量有效地集中于熔斷膜F中的效果。
相反，若CVD絕緣膜15比5000A厚，則很難通過激光L來切斷CVD絕緣膜45，因此很難熔斷(修調(diào))熔斷膜F。
[0671]此外，CVD時(shí)的CVD絕緣膜45的SiN的生成溫度低于布線膜22的Al或AlCu合金的熔化溫度，因此能夠在不會(huì)使布線膜22熔化的情況下，在布線膜22上形成CVD絕緣膜45。相反，若CVD絕緣膜45是SiO2 ( 二氧化硅)，則由于SiO2的生成溫度高于Al或AlCu合金的熔化溫度，因此在生成由SiO2構(gòu)成的CVD絕緣膜45時(shí)布線膜22會(huì)熔化掉，因而不能在布線膜22上形成CVD絕緣膜45。
[0672]并且，與以上的第7參考例的不同點(diǎn)在于，如圖119B所示，在布線膜22未被CVD絕緣膜45覆蓋而是被露出的比較例中，激光L的能量不能夠集中(蓄積)于熔斷膜F，會(huì)在熔斷膜F的周圍分散 。詳細(xì)而言，激光L的能量在布線膜22的表面會(huì)被反射，或者在布線膜22內(nèi)會(huì)被分散，或者會(huì)被電阻體膜21或絕緣層20吸收掉。因此，很難通過激光L來可靠地熔斷熔斷膜F，同時(shí)熔斷也需要花費(fèi)時(shí)間。另外，由于布線膜22 (元件5)突出，因此前述的異物68會(huì)附著于元件5，有可能在元件5中產(chǎn)生短路。
[0673]并且，如前所述能夠調(diào)整半成品50整體的電阻值之后，如圖116D所示那樣CVD絕緣膜45的上面向基板30粘貼由聚酰亞胺構(gòu)成的感光性樹脂的薄膜46。圖120(a)及(b)是表示在圖116D的工序中將聚酰亞胺薄膜粘貼到基板的狀態(tài)的示意性立體圖。
[0674]具體而言，如圖120(a)所示，從表面30A側(cè)向基板30 (嚴(yán)格來講是基板30上的CVD絕緣膜45)覆蓋聚酰亞胺薄膜46之后，如圖120 (b)所示，通過旋轉(zhuǎn)的輥47將薄膜46按壓到基板30。如圖116D所示，將薄膜46粘貼到CVD絕緣膜45表面的整個(gè)區(qū)域時(shí)，薄膜46的一部分會(huì)稍微流入槽44側(cè)，但是只會(huì)覆蓋槽44的側(cè)面44A中的元件5側(cè)(表面30A側(cè))的一部分，薄膜46不會(huì)到達(dá)槽44的底面44B。因此，在薄膜46與槽44的底面44B之間的槽44內(nèi)形成與槽44大致相同大小的空間S。此時(shí)的薄膜46的厚度是10 μ m~30 μ m。此外，薄膜46的一部分流入CVD絕緣膜45的各開口 25而堵住了開口 25。
[0675]接著，對(duì)薄膜46實(shí)施熱處理。由此,薄膜46的厚度熱收縮至約5μηι為止。接著，如圖116Ε所示，對(duì)薄膜46進(jìn)行圖案化，在薄膜46中選擇性地去除俯視時(shí)與槽44及布線膜22的各焊盤區(qū)域22Α(開口 25) —致的部分。具體而言，利用形成有俯視時(shí)與槽44及各焊盤區(qū)域22Α匹配(一致)的圖案的開口 61的掩模62，使薄膜46通過該圖案曝光并顯影。由此，在槽44及各焊盤區(qū)域22A的上方分離了薄膜46，并且薄膜46中被分離的邊緣部分稍微向槽44側(cè)下垂而與槽44的側(cè)面44A上的SiN膜45重疊，因此在該邊緣部分自然地形成前述的(具有圓形狀的側(cè)面24B)的隆起部24A。通過形成隆起部24A，由薄膜46覆蓋前述的交叉部27。
[0676]此外，此時(shí)還去除薄膜46中流入到CVD絕緣膜45的各開口 25的部分，使開口 25開放。接著，通過非電解電鍍，在各開口 25的焊盤區(qū)域22A上形成通過層疊N1、Pd及Au而構(gòu)成的Ni / Pd / Au層疊膜。此時(shí)，Ni / Pd / Au層疊膜從開口 25凸出至薄膜46的表面。由此，各開口 25內(nèi)的Ni / Pd / Au層疊膜成為圖116F所示的第I連接電極3和第2連接電極4。
[0677]接著，進(jìn)行第I連接電極3與第2連接電極4之間的通電檢查之后，從背面30B研磨基板30。具體而言，形成槽44之后，如圖116G所示，經(jīng)由粘接劑72將由PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)構(gòu)成的薄板狀的支承材料71粘貼到各半成品50中的第I連接電極3和第2連接電極4側(cè)(即，元件形成面2A)，從而支承材料71支撐各半成品50。在此，作為與粘接劑72成為一體的支承材料71，例如可以使用碾壓薄膜。
[0678]在支承材料71支撐了各半成品50的狀態(tài)下，從背面30B側(cè)研磨基板30。通過研磨，若使基板30薄至到達(dá)槽44的底面44B(參照?qǐng)D116F)位置，則不需要連接相鄰的半成品50的部件，將槽44作為邊界來分割基板30，將半成品50分離為單獨(dú)的個(gè)體。也就是說，在槽44 (換言之，邊界區(qū)域Z)中切斷(分?jǐn)?基板30，由此切出各個(gè)半成品50。
[0679]之后，研磨各半成品50中的基板30的背面30B使其鏡面化。各半成品50中，構(gòu)成槽44的側(cè)面44A的部分成為貼片電阻器I的基板2的側(cè)面2C?2F中的任一個(gè)側(cè)面，背面30B成為背面2B。也就是說，形成前述的槽44的工序(參照?qǐng)D116B)包括形成側(cè)面2C?2F的工序。并且，CVD絕緣膜45成為絕緣膜23。此外，分離后的薄膜46成為樹脂膜24。
[0680]即使貼片電阻器I的芯片尺寸小，如上所述那樣通過先形成槽44之后再從背面30B研磨基板30，從而能夠分離半成品50 (貼片電阻器I)。因此，與現(xiàn)有技術(shù)中由鉆石輪劃片機(jī)切割基板30來分離貼片電阻器I的情況相比，可省略切割工序，由此降低成本以及縮短時(shí)間，能夠提聞成品率。
[0681]圖121是表示剛剛結(jié)束圖116G工序之后的貼片電阻器的半成品的示意性立體圖。并且，在剛剛將半成品50分離成獨(dú)立的一片之后的狀態(tài)下，如圖121所示，各半成品50繼續(xù)緊貼在支承材料71上，被支承材料71支撐著。此時(shí)，在各半成品50中，背面30B (背面2B)側(cè)從支承材料71處露出。如圖121的用虛線圓包圍的部分的放大圖所示，在半成品50中，背面2B、側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F中相鄰的面彼此的交叉部11呈大致直角。
[0682]圖122是表示圖116G之后的工序的第I示意圖。圖123是表示圖116G之后的工序的第2示意圖。參照?qǐng)D122，如前所述，從背面30B進(jìn)行研磨而將半成品50分離成獨(dú)立的一片之后，支承材料71中附著有半成品50的一側(cè)的相反側(cè)的側(cè)面(圖122中的下側(cè)面)的重心位置與旋轉(zhuǎn)軸75相連。旋轉(zhuǎn)軸75接受來自未圖示的電動(dòng)機(jī)(未圖示)的驅(qū)動(dòng)力，從而可圍繞軸線在順時(shí)針方向CW和逆時(shí)針方向CCW這兩個(gè)方向上旋轉(zhuǎn)。處于支撐半成品50的狀態(tài)的支承材料71在沿著半成品50的背面30B的平面內(nèi)與旋轉(zhuǎn)軸75 —起轉(zhuǎn)動(dòng)(一體旋轉(zhuǎn))。
[0683]并且，配置蝕刻噴嘴76，使其面向支承材料71中附著有半成品50的一側(cè)。蝕刻噴嘴76是例如與支承材料71平行地延伸的管狀，在面向半成品50的位置形成有供給口 77。蝕刻噴嘴76與裝有藥液等的箱(未圖示)相連。參照?qǐng)D123，蝕刻噴嘴76在與支承材料71平行的狀態(tài)下如虛線箭頭所示那樣能夠以供給口 77側(cè)的相反側(cè)作為支撐點(diǎn)P來搖擺。旋轉(zhuǎn)軸75及蝕刻噴嘴76構(gòu)成旋轉(zhuǎn)蝕刻機(jī)80的一部分。
[0684]將半成品50分離為獨(dú)立的一片來研磨背面30B之后，支承材料71在順時(shí)針方向CW及逆時(shí)針方向CCW的一個(gè)或兩個(gè)方向上以規(guī)定圖案旋轉(zhuǎn)，并且蝕刻噴嘴76搖擺。在該狀態(tài)下，從蝕刻噴嘴76的供給口 77向被支承材料71支撐著的各半成品50的背面2B側(cè)均勻地噴射蝕刻劑(蝕刻液)。由此，對(duì)被支承材料71支撐著的各半成品50從背面2B側(cè)各向同性地進(jìn)行化學(xué)蝕刻(濕蝕刻)。特別是，在各半成品50中，背面2B、側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F中相鄰的面彼此的交叉部11被各向同性蝕刻。在蝕刻前的交叉部11較尖的情況下(參照?qǐng)D121)，通過伴隨蝕刻的結(jié)晶缺陷等，各交叉部11的角部會(huì)被削掉，因此各交叉部11通過各向同性蝕刻而最終被整形為圓形狀(參照?qǐng)D123中被虛線圓包圍的放大部分)。此外，各向同性蝕刻是在使支承材料71旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下進(jìn)行的，由此向各半成品50的交叉部11均勻地噴射蝕刻劑，因此能夠?qū)⒏靼氤善?0的交叉部11均勻地整形為圓狀。另外，對(duì)被支承材料71支撐著的多個(gè)半成品50 (貼片電阻器I)進(jìn)行各向同性蝕刻。由此，在多個(gè)半成品50中，能夠一次性將各半成品50的交叉部11整形為圓狀。
[0685]此外，在進(jìn)行各向同性蝕刻時(shí)，優(yōu)選蝕刻液為霧狀，且向各半成品50的背面2B側(cè)噴出(噴霧)。若蝕刻液為液狀，則除了交叉部11之外，背面2B、側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F也會(huì)被蝕刻，但是若在蝕刻液為霧狀的狀態(tài)下噴到半成品50時(shí)，由于霧狀的蝕刻液容易附著于交叉部11，從而使得交叉部11優(yōu)先被蝕刻，因此能夠在抑制背面2B、側(cè)面2C、側(cè)面2D、側(cè)面2E及側(cè)面2F的蝕刻的同時(shí)將各交叉部11整形為圓狀。
[0686]若各交叉部11成為圓狀，則結(jié)束蝕刻處理，完成貼片電阻器I (參照?qǐng)D115)。之后，從蝕刻噴嘴76向貼片電阻器I噴出清洗液(水)，清洗貼片電阻器I。此時(shí)，也可以使支承材料71旋轉(zhuǎn)或者使蝕刻噴嘴76搖擺。清洗貼片電阻器I之后，從支承材料71剝離貼片電阻器I，例如安裝到前述的電路基板9上(參照?qǐng)D107(b))。
[0687]在此，蝕刻液可以是酸性或堿性，在對(duì)交叉部11進(jìn)行各向同性蝕刻的情況下，優(yōu)選使用酸性蝕刻液。在使用堿性蝕刻液的情況下，由于對(duì)交叉部11進(jìn)行了各向異性蝕刻，因此與使用酸性蝕刻液的情況相比，使各交叉部11成為圓狀的工序更費(fèi)時(shí)間。作為酸性蝕刻液的一例，可以使用在HF(氫氟酸)及HNO3(硝酸)的基液中混合TH2SO4(硫酸)和CH3COOH(醋酸)的液體。在該蝕刻液中，通過硫酸來調(diào)整黏度，通過醋酸來調(diào)整蝕刻速率。
[0688]以上，說明了第7參考例的實(shí)施方式，第7參考例也可以通過其他方式來實(shí)施。例如，在將基板30分割為獨(dú)立的貼片電阻器I時(shí)，從背面30B側(cè)將基板30研磨到了槽44的底面44B為止(參照?qǐng)D116F)。取而代之，也可以選擇性地從背面30B進(jìn)行蝕刻來去除基板30中俯視時(shí)與槽44 一致的部分，從而將基板30分割為獨(dú)立的貼片電阻器I。此外，也可以通過切割刀(未圖示)來切割基板30，從而分割為獨(dú)立的貼片電阻器I。
[0689]此外，貼片電阻器I (第I連接電極3、第2連接電極4及元件5等)也可以通過半導(dǎo)體制造工藝而形成在基板2上，此時(shí)，基板2或基板30可以是由Si (硅)構(gòu)成的基板。
[0690]符號(hào)說明
[0691]10,30貼片電阻器[0692]11基板
[0693]12第I連接電極
[0694]13第2連接電極
[0695]14電阻電路網(wǎng)
[0696]20電阻體膜
[0697]21導(dǎo)體膜(布線膜)
[0698]R電阻體
[0699]F熔斷膜
[0700]C 連接用導(dǎo)體膜
【權(quán)利要求】
1.一種貼片電阻器，其特征在于，包括: 基板； 第I連接電極和第2連接電極，形成在所述基板上；和 電阻電路網(wǎng)，形成在所述基板上，且一端側(cè)與所述第I連接電極連接，另一端側(cè)與所述第2連接電極連接， 所述電阻電路網(wǎng)包括: 以矩陣狀排列在所述基板上且具有相等的電阻值的多個(gè)電阻體； 將所述電阻體中I個(gè)或多個(gè)電連接而構(gòu)成的多種電阻單位體； 以規(guī)定的方式連接了所述多種電阻單位體的電路網(wǎng)連接單元；以及分別與所述電阻單位體對(duì)應(yīng)地設(shè)置、且為了以電方式將該電阻單位體組入所述電阻電路網(wǎng)中或者從所述電阻電路網(wǎng)電分離該電阻單位體而能夠熔斷的多個(gè)熔斷膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼片電阻器，其特征在于， 所述電阻體包括: 在所述基板上延伸的電阻膜線；和 在所述電阻膜線上沿著線方向隔著恒定間隔而層疊的導(dǎo)體膜， 所述導(dǎo)體膜未被層疊的所述恒定間·隔部分的電阻膜線構(gòu)成I個(gè)電阻體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的貼片電阻器，其特征在于， 所述電阻體的導(dǎo)體膜、所述電阻單位體所包含的連接用導(dǎo)體膜、所述電路網(wǎng)連接單元所包含的連接用導(dǎo)體膜及所述熔斷膜包括:在同一層上形成的同一材料的金屬膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項(xiàng)所述的貼片電阻器，其特征在于， 所述電阻單位體包括:串聯(lián)連接了多個(gè)所述電阻體的電阻單位體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1~3的任一項(xiàng)所述的貼片電阻器，其特征在于， 所述電阻單位體包括:并聯(lián)連接了多個(gè)所述電阻體的電阻單位體。
6.根據(jù)權(quán)利要求1~5的任一項(xiàng)所述的貼片電阻器，其特征在于， 所述多種電阻單位體中，所連接的所述電阻體的個(gè)數(shù)已被設(shè)定，且電阻值相互呈等比數(shù)列。
7.根據(jù)權(quán)利要求1~6的任一項(xiàng)所述的貼片電阻器，其特征在于， 所述電路網(wǎng)連接單元包括:串聯(lián)連接所述多種電阻單位體的連接用導(dǎo)電膜。
8.根據(jù)權(quán)利要求1~7的任一項(xiàng)所述的貼片電阻器，其特征在于， 所述電路網(wǎng)連接單元包括:并聯(lián)連接所述多種電阻單位體的連接用導(dǎo)電膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1~8的任一項(xiàng)所述的貼片電阻器，其特征在于， 所述多個(gè)熔斷膜沿著所述多個(gè)電阻體的矩陣狀排列的一端而被排列成直線狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的貼片電阻器，其特征在于， 所述電阻單位體由預(yù)先確定的個(gè)數(shù)的電阻體的連接而構(gòu)成，并且所述電阻單位體包括已組入所述電阻電路網(wǎng)中且不能分離的基準(zhǔn)電阻單位體。
11.根據(jù)權(quán)利要求1~10的任一項(xiàng)所述的貼片電阻器，其特征在于， 所述電阻體的電阻膜線由TiN、TiON或TiSiON形成。
12.根據(jù)權(quán)利要求2~11的任一項(xiàng)所述的貼片電阻器，其特征在于， 所述電阻膜線及所述導(dǎo)體膜是統(tǒng)一被圖案化而形成的。
13.—種電子設(shè)備,其特征在于,包括: 基板； 第I連接電極和第2連接電極，形成在所述基板上； 電阻電路網(wǎng)，形成在所述基板上，且具有通過一端側(cè)與所述第I連接電極連接而另一端側(cè)與所述第2連接電極連接的布線膜連接著的多個(gè)電阻體；和 為了以電方式將所述電阻體組入所述電阻電路網(wǎng)中或者從所述電阻電路網(wǎng)電分離該電阻體而能夠熔斷的多個(gè)熔斷膜。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的電子設(shè)備，其特征在于， 所述電阻體由TiON或TiSiON構(gòu)成。
15.根據(jù)權(quán)利要求13或14所述的電子設(shè)備，其特征在于， 所述電阻體及所述布線·膜是統(tǒng)一被圖案化的。
【文檔編號(hào)】H01C13/02GK103858184SQ201280047251
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2012年9月28日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月29日
【發(fā)明者】玉川博詞, 近藤靖浩, 不破保博, 岡田博行, 額賀榮二, 松浦勝也 申請(qǐng)人:羅姆股份有限公司