低cte插入體的制作方法
【專利摘要】一種互連部件(10)包括第一支撐部分(12)并且具有與第一支撐部分的表面基本上垂直地經(jīng)過第一支撐部分延伸的多個(gè)第一傳導(dǎo)過孔(22)，從而每個(gè)過孔具有與第一表面(14)相鄰的第一端(26)和與第二表面(16)相鄰的第二端(24)。第二支撐部分(30)具有與第二支撐部分的表面基本上垂直地經(jīng)過第二支撐部分延伸的多個(gè)第二傳導(dǎo)過孔(40)，從而每個(gè)過孔具有與第一表面(34)相鄰的第一端(44)和與第二表面(32)相鄰的第二端(42)。重新分布層(50)設(shè)置于第一和第二支撐部分的第二表面之間，從而電連接第一過孔中的至少一些第一過孔與第二過孔中的至少一些第二過孔。第一和第二支撐部分可以具有小于12ppm/℃的CTE。
【專利說明】低CTE插入體
[0001]有關(guān)申請的交叉引用
[0002]本申請是名稱為LOW CTE INTERP0SER、于2011年9月14日提交的第13/232，436號美國專利申請的繼續(xù)申請，其公開內(nèi)容通過引用并入于此。
【技術(shù)領(lǐng)域】【背景技術(shù)】
[0003]諸如插入體的互連部件在電子組裝件中用來有助于在具有不同連接配置的部件之間的連接或者提供在微電子組裝件中的部件之間的所需間距。插入體可以包括形式為電介質(zhì)材料片或者層的電介質(zhì)元件，具有在片或者層上或者之內(nèi)延伸的許多傳導(dǎo)跡線。跡線可以提供在一個(gè)層級中或者遍及單個(gè)電介質(zhì)層的、被在該層內(nèi)的電介質(zhì)材料的部分多分離的多個(gè)層級中。插入體也可以包括傳導(dǎo)元件、比如經(jīng)過電介質(zhì)材料層延伸以互連在不同層級中的跡線的傳導(dǎo)過孔。一些插入體用作微電子組裝件的部件。微電子組裝件一般包括一個(gè)或者多個(gè)封裝的微電子元件、比如在襯底上裝配的一個(gè)或者多個(gè)半導(dǎo)體芯片。插入體的傳導(dǎo)元件可以包括可以用于形成與形式為印刷電路板(“PCB”)等的更大襯底或者電路面板的電連接的傳導(dǎo)跡線和端子。這一布置有助于為了實(shí)現(xiàn)器件的希望的功能而需要的電連接。芯片可以電連接到跡線并且因此連接到端子，從而可以通過將電路面板的端子鍵合到在插入體上的接觸焊盤將封裝裝配到更大電路面板。例如，在微電子封裝中使用的一些插入體具有形式為經(jīng)過電介質(zhì)層延伸的管腳或者柱的暴露端的端子。在其它應(yīng)用中，插入體的端子可以是在重新分布層上形成的跡線的暴露的焊盤或者部分。
[0004]盡管在本領(lǐng)域中迄今投入大量工作來開發(fā)用于插入體和用于制造這樣的部件的方法，仍然希望進(jìn)一步改進(jìn)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本公開內(nèi)容的一個(gè)方面涉及一種互連部件，該互連部件包括:第一支撐部分，具有第一和第二相對主表面，第一和第二相對主表面限定在它們之間的厚度，并且具有與主表面基本上垂直地經(jīng)過第一支撐部分延伸的多個(gè)第一傳導(dǎo)過孔，從而每個(gè)過孔具有與第一表面相鄰的第一端和與第二表面相鄰的第二端。該互連部件還包括:第二支撐部分，具有第一和第二相對主表面，第一和第二相對主表面限定在它們之間的厚度，并且具有與主表面基本上垂直地經(jīng)過第二支撐部分延伸的多個(gè)第二傳導(dǎo)過孔，從而每個(gè)過孔具有與第一表面相鄰的第一端和與第二表面相鄰的第二端。重新分布層設(shè)置于第一和第二支撐部分的第二表面之間，從而電連接第一過孔中的至少一些第一過孔與第二過孔中的至少一個(gè)第二過孔。第一和第二支撐部分可以具有小于每攝氏度百萬分之(ppm/°c ) 12的熱膨脹系數(shù)(“CTE”)。
[0006]在一個(gè)實(shí)施例中，在第一支撐部分中的傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距可以小于在第二支撐部分中的傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距。這樣的互連部件還可以包括在第一支撐部分的第一表面處暴露的第一接觸。第一接觸可以與第一傳導(dǎo)過孔連接?；ミB部件還可以包括在第二支撐部分的第一表面處暴露的第二接觸。第二接觸可以與第二傳導(dǎo)過孔連接。
[0007]第一和第二傳導(dǎo)過孔的第一端可用來將互連元件鍵合到微電子元件、電路面板和封裝襯底中的至少一種，第一傳導(dǎo)過孔或者第二傳導(dǎo)過孔的第一端中的至少一個(gè)第一端與在微電子元件的一面處的元件接觸的空間分布匹配，并且第一傳導(dǎo)過孔或者第二傳導(dǎo)過孔的第一端中的至少一個(gè)第一端與在電路面板和封裝襯底中的至少一種的一面處暴露的電路接觸的空間分布匹配。在一個(gè)實(shí)施例中，第一傳導(dǎo)過孔的第一端還可以可用來將互連部件鍵合到微電子元件。在這一實(shí)施例中，第一支撐部分可以具有比微電子元件的熱膨脹系數(shù)(“CTE”)更大或者相等而比第二支撐部分的CTE更小或者相等的CTE。附加地或者備選地，第二傳導(dǎo)過孔的第一端可以可用來將互連元件鍵合到電路面板或者封裝襯底，并且第二支撐部分可以具有比第一支撐部分的CTE更大或者相等的CTE。在一個(gè)實(shí)施例中，第一支撐部分可以具有范圍從3到6ppm/°C的CTE，并且第二支撐部分可以具有范圍從6到12ppm/°C的CTE。備選地，第一支撐部分的CTE和第二支撐部分的CTE可以大約相等。
[0008]在互連部件的一個(gè)實(shí)施例中，第一傳導(dǎo)過孔可以以第一節(jié)距相對于彼此間隔開，并且第二傳導(dǎo)過孔可以以大于第一節(jié)距的第二節(jié)距相對于彼此間隔開。另外，第一傳導(dǎo)接觸可以與第一過孔的第二端中的至少一些第二端基本上對準(zhǔn)，并且第二傳導(dǎo)接觸可以與第二過孔的第二端中的至少一些第二端基本上對準(zhǔn)。重新分布層還可以包括:路由電路裝置，電連接第一傳導(dǎo)接觸中的至少一些第一傳導(dǎo)接觸與第二傳導(dǎo)接觸中的至少一些第二傳導(dǎo)接觸。在一個(gè)實(shí)施例中，重新分布層還可以包括在其中至少部分嵌入路由電路裝置的電介質(zhì)層。這樣的路由電路裝置可以包括經(jīng)過電介質(zhì)層的第三傳導(dǎo)過孔，并且第三傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距可以大于第一傳導(dǎo)過孔的最大節(jié)距并且小于第二傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距。重新分布層可以包括第一和第二部分，第一部分包括第一表面和第一傳導(dǎo)接觸，并且第二部分包括第二表面和第二傳導(dǎo)接觸。第一和第二部分中的每個(gè)部分還可以包括中間表面和彼此相向并且例如通過傳導(dǎo)質(zhì)量體接合在一起的中間接觸。中間接觸也可以與在中間表面處暴露的重新分布層的電介質(zhì)材料一起被熔合在一起。接觸可以例如使用金屬到金屬接合或者氧化物到氧化物接合被熔合在一起。
[0009]在互連部件的一個(gè)實(shí)施例中，第一傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距可以小于第二傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距。備選地，第一傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距可以小于第二傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距。第一或者第二傳導(dǎo)過孔可以包括與重新分布層接觸沉積的傳導(dǎo)材料?？梢酝ㄟ^電鍍來形成傳導(dǎo)過孔。
[0010]在一個(gè)實(shí)施例中，第一支撐部分可以使用可以是順應(yīng)的粘合劑鍵合材料來鍵合到重新分布層。備選地，第一支撐部分可以使用氧化物表面到表面鍵合來鍵合到重新分布層。
[0011]互連部件還可以包括定位于第一和第二支撐部分的第一表面之間的無源器件。無源器件可以與第一傳導(dǎo)過孔、第二傳導(dǎo)過孔、第一接觸和第二接觸中的一項(xiàng)或者多項(xiàng)電連接。無源器件可以設(shè)置于支撐部分的第二表面之間。備選地，無源器件可以設(shè)置于第一或者第二支撐部分中的一個(gè)支撐部分的第一與第二相對表面之間。作為又一備選，無源器件可以設(shè)置于支撐部分中的一個(gè)支撐部分的第二表面與支撐部分中的另一支撐部分的第一表面之間。
[0012]在一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二支撐部分中的至少一個(gè)支撐部分是半導(dǎo)體材料，例如包括硅或者陶瓷。在這樣的實(shí)施例中，第一或者第二支撐部分中的為半導(dǎo)體材料的任何支撐部分可以包括電介質(zhì)襯墊，電介質(zhì)襯墊包圍第二部分的與傳導(dǎo)過孔相鄰的部分。
[0013]一種微電子組裝件可以包括根據(jù)以上描述的實(shí)施例中的一個(gè)或者多個(gè)實(shí)施例的互連部件。這樣的組裝件還可以包括在其一面處具有元件接觸的第一微電子元件。第一過孔的第一端可以與微電子元件的元件接觸的空間分布匹配，并且元件接觸可以經(jīng)過傳導(dǎo)鍵合材料的質(zhì)量體與第一過孔的第一端接合。該組裝件可以使得元件接觸與第一接觸相向并且用傳導(dǎo)質(zhì)量體接合到第一接觸。該組裝件還可以包括第二微電子元件，第二微電子元件在其上具有元件接觸。第二支撐部分的延伸可以超出第一支撐部分的邊緣延伸，并且第二微電子元件可以裝配和電連接到延伸。接線鍵合可以電互連第二微電子元件與延伸。附加接線鍵合可以連接在延伸上的接觸與電路接觸中的一些電路接觸。該組裝件還可以包括襯底，襯底具有在其表面處形成的可以與電路接觸電連接的電路接觸。第二支撐部分可以具有在其第一表面處暴露并且與第二傳導(dǎo)過孔電連接的第二接觸。第二接觸可以接合到電路接觸。
[0014]一種系統(tǒng)可以包括根據(jù)以上描述的實(shí)施例中的一個(gè)或者多個(gè)實(shí)施例的微電子組裝件和電連接到微電子組裝件的一個(gè)或者多個(gè)其它電子部件。
[0015]本公開內(nèi)容的另一方面涉及一種用于制造互連部件的方法。該方法包括在處理中單元上形成重新分布層，處理中單元具有第一支撐部分，第一支撐部分具有從第一支撐部分的第一表面在與第一表面基本上垂直的方向上延伸的多個(gè)開口。重新分布層具有與多個(gè)開口對準(zhǔn)的路由電路裝置。該方法還包括接合第二支撐部分與處理中單元，第二支撐部分具有第一和第二相對主表面，第一和第二相對主表面限定在它們之間的厚度，從而重新分布層設(shè)置于第一與第二支撐部分之間。然后用傳導(dǎo)材料填充第一開口以形成經(jīng)過第一支撐部分延伸并且與重新分布層的路由電路裝置連接的第一傳導(dǎo)過孔。然后在第二支撐部分中形成與主表面基本上垂直地經(jīng)過第二支撐部分延伸的第二傳導(dǎo)過孔，從而每個(gè)過孔具有第一端和第二端而第二端與第二表面相鄰。第一傳導(dǎo)過孔經(jīng)過第一支撐部分延伸，并且第二傳導(dǎo)過孔經(jīng)過第二支撐部分延伸。第一和第二過孔經(jīng)過重新分布層電連接。第一和第二支撐部分可以具有小于每攝氏度百萬分之(ppm/°C )12的熱膨脹系數(shù)(“CTE”)。
[0016]在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，可以形成部分經(jīng)過第一支撐部分延伸的開口，并且形成經(jīng)過第一支撐部分的第一傳導(dǎo)過孔的步驟還可以包括:去除第一支撐部分的一部分以形成第一支撐部分的與第一表面基本上平行并且與第一表面間隔開的第二表面，并且在第二表面上暴露第一開口。開口可以在去除第一支撐部分的一部分之后由傳導(dǎo)材料填充。備選地，開口可以在形成重新分布層之前由傳導(dǎo)材料填充，并且去除第一支撐部分的一部分可以暴露在其第二表面上的開口內(nèi)的傳導(dǎo)材料。作為又一變化形式，可以在形成重新分布層之后形成在第一支撐部分中的開口，從而孔暴露路由電路裝置的部分。
[0017]形成至少第二傳導(dǎo)過孔的步驟可以包括:形成經(jīng)過第二支撐部分的孔，從而孔向其第二表面打開，在與重新分布層鍵合之前用傳導(dǎo)材料填充孔，并且從支撐部分去除材料以形成支撐部分的第一表面并且在第一表面上暴露過孔的第一端。備選地，可以通過在與重新分布層鍵合之后制作經(jīng)過第二支撐部分的孔，從而孔暴露路由電路裝置的接觸；然后用與第二接觸中的對應(yīng)第二接觸電連接的傳導(dǎo)材料填充孔來形成至少第二過孔。作為又一備選，可以通過制作經(jīng)過第二支撐部分的一部分的孔、從而孔向其第二表面打開；鍵合支撐部分與重新分布層；從支撐部分去除材料，從而孔向第一表面打開并且在此暴露對應(yīng)接觸；以及用與傳導(dǎo)接觸電連接并且與第一表面相鄰的傳導(dǎo)材料填充孔來形成至少第二過孔。
[0018]在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，可以形成至少第一支撐部分和重新分布層為在單個(gè)晶片中在第一支撐部分上形成的多個(gè)重新分布層中的分布層，單個(gè)晶片然后可以被分割以形成在包括第一支撐部分的多個(gè)第一支撐部分中的第一支撐部分上形成的重新分布層的分
立單元。
[0019]該方法的另一實(shí)施例還可以包括在互連部件內(nèi)嵌入無源器件并且連接無源器件與第一過孔、第二過孔、第一接觸或者第二接觸中的一項(xiàng)。
[0020]在第一支撐部分中的傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距可以小于在第二支撐部分中的傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距，并且該方法還可以包括形成在第一支撐部分的第一表面處暴露的第一接觸?？梢孕纬蛇@樣的第一接觸以便與第一傳導(dǎo)過孔連接。該方法還可以包括形成在第二支撐部分的第一表面處暴露的第二接觸?？梢孕纬蛇@樣的第二接觸以便與第二傳導(dǎo)過孔連接。
[0021]形成重新分布層可以包括沉積電介質(zhì)層以至少部分嵌入路由電路裝置?？梢孕纬删哂薪?jīng)過電介質(zhì)層的第三傳導(dǎo)過孔的路由電路裝置，并且第三傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距可以大于第一傳導(dǎo)過孔的最大節(jié)距并且小于第二傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距。第一傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距可以小于第二傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距。第一傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距可以小于第二傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距。
[0022]至少第二支撐部分可以由例如比如硅或者陶瓷的半導(dǎo)體材料制成。在這樣的實(shí)施例中，形成至少第二傳導(dǎo)過孔可以包括在第二支撐部分中形成孔從而限定孔壁，沿著孔壁沉積電介質(zhì)襯墊，并且用傳導(dǎo)金屬填充孔的其余部分。
[0023]本公開內(nèi)容的另一方面涉及一種用于制造互連部件的方法。該方法可以包括將第一處理中單元與第二處理中單元接合在一起，第一處理中單元具有中間表面和在其上暴露的中間接觸，第二處理中單元具有中間表面和在其中暴露的中間接觸，從而中間表面彼此相向并且電互連中間接觸。第一處理中單元包括第一支撐部分，第一支撐部分具有第一和第二相對表面，第一和第二相對表面限定在它們之間的厚度，并且具有經(jīng)過支撐部分延伸的多個(gè)第一傳導(dǎo)過孔，從而每個(gè)過孔具有與第一表面相鄰的第一端和與第二表面相鄰的第二端。第一重新分布部分形成于支撐部分的第二表面上。第一重新分布部分限定第一中間表面并且包括第一中間接觸。第一中間接觸與第一傳導(dǎo)過孔電連接。第二處理中單元包括第二支撐部分，第二支撐部分具有第一和第二相對表面，第一和第二相對表面限定在它們之間的厚度，并且具有經(jīng)過支撐部分延伸的多個(gè)第二傳導(dǎo)過孔，從而每個(gè)過孔具有與第一表面相鄰的第一端和與第二表面相鄰的第二端。第二重新分布部分形成于支撐部分的第二表面上。第二重新分布部分限定第二中間表面并且包括第二中間接觸。第二中間接觸與第二傳導(dǎo)過孔電連接。第一和第二支撐部分中的支撐部分可以具有小于每攝氏度百萬分之(ppm/°C ) 12的熱膨脹系數(shù)(“CTE”)。
[0024]在一個(gè)實(shí)施例中，可以使用傳導(dǎo)質(zhì)量體來將中間接觸接合在一起。在這樣的實(shí)施例中，該方法還可以包括在中間表面之間形成下填充物，下填充物被形成用于填充在傳導(dǎo)質(zhì)量體中的各個(gè)傳導(dǎo)質(zhì)量體之間的空間。備選地，中間接觸可以被熔合在一起并且在中間表面暴露的電介質(zhì)材料也可以被熔合在一起。
[0025]本公開內(nèi)容的另一實(shí)施例涉及一種用于制造微電子組裝件的方法。該方法可以包括組裝件微電子元件與互連部件，微電子元件在其一面上具有元件接觸?；ミB部件具有:第一支撐部分，具有第一和第二相對主表面，第一和第二相對主表面限定在它們之間的厚度，并且具有與主表面基本上垂直經(jīng)過支撐部分延伸的第一多個(gè)傳導(dǎo)過孔，從而每個(gè)過孔具有與第一表面相鄰的第一端和與第二表面相鄰的第二端?；ミB部件還包括:第二支撐部分，具有第一和第二相對主表面，第一和第二相對主表面限定在它們之間的厚度，并且具有與主表面基本上垂直經(jīng)過支撐部分延伸的第二多個(gè)傳導(dǎo)過孔，從而每個(gè)過孔具有與第一表面相鄰的第一端和與第二表面相鄰的第二端。重新分布層具有鍵合到第一支撐部分的第二表面的第一表面、從第一表面間隔開并且鍵合到第二支撐部分的第二表面的第二表面、沿著第一表面并且與第一支撐部分的過孔中的相應(yīng)過孔連接的第一多個(gè)傳導(dǎo)接觸以及沿著第二表面并且與第二支撐部分的過孔中的相應(yīng)過孔連接的第二多個(gè)傳導(dǎo)接觸。第一多個(gè)接觸中的至少一些第一接觸與第二多個(gè)接觸中的至少一些第二接觸電連接。第二中間接觸與第二傳導(dǎo)過孔電連接。第一和第二支撐部分可以具有小于每攝氏度百萬分之(ppm/°C)12的熱膨脹系數(shù)(“CTE”)。第一過孔的第一端與元件接觸的空間分布匹配，并且第一端與元件接觸接合。該方法還可以包括組裝電路面板與互連部件，電路面板在其一面上具有電路接觸，第二接觸與電路接觸的空間分布匹配并且與電路接觸接合。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0026]將參照附圖描述本發(fā)明的各種實(shí)施例。應(yīng)當(dāng)理解這些附圖僅描繪本發(fā)明的一些實(shí)施例、因此將未視為限制它的范圍。
[0027]圖1是根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的互連部件；
[0028]圖2是根據(jù)本公開內(nèi)容的另一實(shí)施例的互連部件；
[0029]圖3是根據(jù)本公開內(nèi)容的另一實(shí)施例的互連部件；
[0030]圖4A是互連部件，該互連部件是圖3的互連部件的變化形式；
[0031]圖4B是互連部件，該互連部件是圖3的互連部件的另一變化形式；
[0032]圖4C是互連部件，該互連部件是圖3的互連部件的另一變化形式；
[0033]圖5A是包括根據(jù)圖1的互連部件的微電子組裝件；
[0034]圖5B是另一微電子組裝件，該微電子組裝件包括根據(jù)圖1的部件的變化形式的互連部件；
[0035]圖6-8示出在根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的互連部件的制造方法的各種步驟期間的互連部件；
[0036]圖9-11示出在根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的互連部件的制造的各種步驟期間的互連部件；
[0037]圖12和13示出在根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的備選制造方法的各種備選步驟期間的互連部件；并且
[0038]圖14是可以包括根據(jù)圖5A的微電子組裝件的系統(tǒng)。
【具體實(shí)施方式】
[0039]現(xiàn)在參照附圖，其中相似標(biāo)號用來指代相似特征，圖1示出根據(jù)本公開內(nèi)容的一個(gè)實(shí)施例的連接部件10。在這一實(shí)施例中，連接部件10包括在重新分布結(jié)構(gòu)50的相對側(cè)上鍵合的第一和第二支撐部分12、30。在電介質(zhì)層27的覆蓋在第一支撐件12的表面14上面的外表面上暴露接觸焊盤28。接觸焊盤28被配置用于連接到外部結(jié)構(gòu)或者部件。相似地，在電介質(zhì)層47的覆蓋在第二支撐件30的表面32上面的外表面上暴露接觸焊盤46。接觸焊盤46被配置用于連接到外部結(jié)構(gòu)或者部件。
[0040]第一支撐部分12還包括與外表面14大體上平行并且從外表面14間隔開以限定第一支撐部分12的厚度的內(nèi)表面16。在一個(gè)實(shí)施例中，第一支撐部分12具有至少5μπι的厚度。在一些實(shí)施例中，第一支撐部分12可以具有在50 μ m與上至300 μ m之間的厚度，但是更大厚度是可能的。第一支撐部分12可以是電介質(zhì)材料，比如聚合樹脂材料，例如聚酰亞胺、玻璃或者纖維加固環(huán)氧樹脂。備選地，第一支撐部分12可以是半導(dǎo)體材料，比如硅。第一支撐部分也可以是具有低的熱膨脹系數(shù)(“CTE”)、比如每攝氏度百萬分之(“ppm/°c”) 12的材料。以上列舉的類型的材料可以具有這樣的CTE或者可以以某些變化形式或者混合物進(jìn)行制造以實(shí)現(xiàn)希望的CTE，這些變化形式或者混合物除了其它材料之外還包括以上材料中的一種或者多種材料。
[0041]第一支撐部分12在其中包括多個(gè)第一傳導(dǎo)過孔22，這些第一傳導(dǎo)過孔經(jīng)過第一支撐部分12與內(nèi)表面16和外表面14 二者基本上垂直地延伸。第一傳導(dǎo)過孔22包括分別與第一支撐部分12的內(nèi)表面16和外表面14基本上平齊的內(nèi)端24和外端26。外端26和內(nèi)端24 二者可以分別與表面14、16基本上平齊或者共面。在一個(gè)實(shí)施例中,第一傳導(dǎo)過孔22是傳導(dǎo)材料，比如包括銅、金、鎳、鋁等的金屬?？梢杂糜诘谝粋鲗?dǎo)過孔22的其它傳導(dǎo)材料包括傳導(dǎo)膏或者包括懸置傳導(dǎo)金屬的燒結(jié)基質(zhì)。第一傳導(dǎo)過孔22可以用來通過將相應(yīng)元件連接到其內(nèi)端24和外端26來形成經(jīng)過第一支撐部分12的電連接。第一支撐部分12保持第一傳導(dǎo)過孔22就位并且使第一傳導(dǎo)過孔22相互間隔開。如各圖中所示，互連部件10沒有在第一傳導(dǎo)過孔22之間或者在與內(nèi)端24與外端26之間的電介質(zhì)材料內(nèi)在至少部分橫向方向(與第一支撐部分12的表面14、16平行)上別處運(yùn)轉(zhuǎn)的任何電傳導(dǎo)互連。諸如跡線等的電互連可以用來形成在在內(nèi)端24與外端26之間的區(qū)域以外在橫向方向上運(yùn)轉(zhuǎn)的連接。在示例中，在第一支撐部分12內(nèi)無橫向連接。在另一示例中，在第一支撐部分12內(nèi)，形成的僅有連接由在表面14與16之間的第一傳導(dǎo)過孔22形成。
[0042]第二支撐部分30在大體結(jié)構(gòu)上與第一支撐部分12相似并且限定外表面32和從外表面26大體上間隔開并且平行的內(nèi)表面34。在內(nèi)表面24與外表面26之間限定的厚度可以在以上關(guān)于第一支撐部分12討論的范圍中。另外，第二支撐部分30可以是關(guān)于第一支撐部分12描述的材料或者材料組合、包括具有低CTE的材料或者材料組合中的任何材料或者材料組合。第二支撐部分30可以在其中支撐和保持多個(gè)第二傳導(dǎo)過孔40。第二傳導(dǎo)過孔可以具有未被第二支撐部分30覆蓋并且與內(nèi)表面34相鄰的相應(yīng)內(nèi)端44以及未被第二支撐部分30覆蓋并且與外表面32相鄰的外端42。在一個(gè)實(shí)施例中，內(nèi)端44和外端42分別與內(nèi)表面34與外表面32平齊。第二傳導(dǎo)過孔40可以與內(nèi)表面34和外表面32基本上垂直地經(jīng)過第二支撐部分30延伸。另外，第二支撐部分30可以如以上關(guān)于第一傳導(dǎo)過孔22討論的那樣，不包括在至少部分橫向方向上在第二傳導(dǎo)過孔40之間延伸的電互連。
[0043]如先前提到的那樣，布置第一支撐部分12和第二支撐部分30，從而它們的相應(yīng)內(nèi)表面14和34彼此相向。第一支撐部分12和第二支撐部分30然后鍵合到重新分布結(jié)構(gòu)50的相對表面，從而固著部件10為單個(gè)單元。重新分布結(jié)構(gòu)50也電互連相應(yīng)的第一傳導(dǎo)過孔22和第二傳導(dǎo)過孔40對，從而可以在與第一傳導(dǎo)過孔22的選擇的外端26連接的結(jié)構(gòu)與第二傳導(dǎo)過孔40的相對外端42之間產(chǎn)生電互連。例如以在重新分布結(jié)構(gòu)50中包括的一個(gè)或者多個(gè)電介質(zhì)層中嵌入的跡線64和過孔66的形式經(jīng)過重新分布電路裝置，經(jīng)過重新分布結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)電互連。在圖1中所示示例中，重新分布結(jié)構(gòu)50包括第一電介質(zhì)層52和第二電介質(zhì)層58，但是在其它實(shí)施例中，可以使用更多或者更少電介質(zhì)層。如圖所示，第一電介質(zhì)層52具有鍵合到第一支撐部分12的內(nèi)表面16的外表面54。相似地，第二電介質(zhì)層58具有鍵合到第二支撐部分30的內(nèi)表面34的外表面60。第一電介質(zhì)層52包括在其中嵌入的與第一傳導(dǎo)過孔22中的相應(yīng)第一傳導(dǎo)過孔在其內(nèi)端24連接的多個(gè)跡線64。跡線64然后從內(nèi)端24遠(yuǎn)離與相應(yīng)過孔66接合并且在一個(gè)或者多個(gè)橫向方向上與這些過孔間隔開。相似地，第二電介質(zhì)層58包括在其中嵌入的與第二傳導(dǎo)過孔40中的相應(yīng)第二傳導(dǎo)過孔在其內(nèi)端44連接的多個(gè)跡線64。跡線然后從內(nèi)端44遠(yuǎn)離與相應(yīng)過孔66接合并且在一個(gè)或者多個(gè)橫向方向上與這些過孔間隔開。
[0044]在相應(yīng)內(nèi)表面56、62處暴露在第一電介質(zhì)層52和第二電介質(zhì)層58 二者中的過孔66中的至少一些過孔,從而使它們可用于電連接。在所不實(shí)施例中，在第一電介質(zhì)層的內(nèi)表面56處暴露的過孔66中的至少一些過孔與在第二電介質(zhì)層58的內(nèi)表面62處暴露的過孔66中的至少一些過孔中的相應(yīng)過孔對準(zhǔn)，從而形成對準(zhǔn)過孔66的對應(yīng)對。如圖1中所示，這些對應(yīng)過孔對相互對準(zhǔn)和接合以實(shí)現(xiàn)在第一傳導(dǎo)過孔22和第二傳導(dǎo)過孔40的對應(yīng)對之間的、經(jīng)過重新分布結(jié)構(gòu)50的希望的電連接。在圖1的實(shí)施例中，對應(yīng)過孔66通過金屬到金屬接合的形式相互接合，金屬接合的形式諸如通過氧化物表面到表面接合或者其它相似手段，比如通過在過孔66中的一個(gè)或者兩個(gè)過孔上涂覆鍵合金屬(例如錫、銦或者焊齊U )的接合。如圖1中進(jìn)一步所不，第一電介質(zhì)層52和第二電介質(zhì)層58的相應(yīng)內(nèi)表面56和62相互接觸并且可以通過使用附加手段(比如通過粘合劑等)接合過孔66的對保持在一起。
[0045]如圖1中所示，可以分別在外表面14和32處暴露形式為接觸焊盤28和46的可潤濕接觸。此外，可以向互連部件10添加可潤濕金屬層或者結(jié)構(gòu)，該可潤濕金屬層或者結(jié)構(gòu)可以是用于連接到其它微電子部件的可潤濕接觸。這樣的可潤濕金屬層或者結(jié)構(gòu)可以由鎳或者N1-Au或者有機(jī)可焊接保護(hù)劑(“0SP”)制成。這樣的可潤濕接觸可以覆蓋在第一傳導(dǎo)過孔22和第二傳導(dǎo)過孔40的相應(yīng)外端26和42上面并且與這些外端電連接。接觸焊盤28和46可以以與它們連接到的傳導(dǎo)過孔22或者40對應(yīng)的陣列分別在空間上定位于外表面14和32之上。接觸焊盤28和46可以變化尺寸以適應(yīng)它們定位于其中的陣列的尺寸或者節(jié)距而未相互接觸，或者以實(shí)現(xiàn)與一個(gè)或者多個(gè)外部結(jié)構(gòu)的希望的電連接。接觸焊盤28和46可以是與過孔22和40相同或者不同的傳導(dǎo)材料。傳導(dǎo)焊盤28或者46可以定位于它們的相應(yīng)電介質(zhì)層27或者47內(nèi)，從而它們在一個(gè)或者多個(gè)橫向方向上從它們被連接到的過孔22或者40移位以形成重新分布層?？梢栽诎ń佑|焊盤28或者46的接觸焊盤之間包括附加重新分布層以諸如通過跡線或者重新分布過孔實(shí)現(xiàn)與相應(yīng)過孔22或者40的連接。在另一實(shí)施例、比如圖2中所示實(shí)施例中，第一傳導(dǎo)過孔22和第二傳導(dǎo)過孔40的外端26和34分別可以是用于連接部件10的可潤濕接觸。
[0046]可潤濕接觸，無論是焊盤28和46、外端26和35，還是其它適當(dāng)結(jié)構(gòu)，可以允許連接部件10連接到分別覆蓋在部件10的外表面14和32上面的微電子部件或者連接在這些微電子部件之間。如圖5A中所示，連接部件10可以用來將覆蓋在外表面14上面的微電子元件80連接到外表面32覆蓋在其上面的電路面板94。在一個(gè)實(shí)施例中，連接部件10可以用來在兩個(gè)微電子部件之間形成這樣的連接，該微電子部件具有在其上以不同相應(yīng)節(jié)距布置的接觸。如圖5中所示，微電子元件80具有在其上暴露接觸86的前表面82。后表面82從前表面82間隔開并且與前表面82平行。微電子元件80裝配到外表面14作為倒裝芯片，該倒裝芯片具有與外表面14相向的前表面82并且具有使用焊球68來鍵合到過孔22的外端26的接觸86。連接部件10 (并且因此微電子元件80)通過使用焊球68將過孔40的外端42接合到電路接觸96來裝配到電路面板94。應(yīng)當(dāng)注意，將支撐結(jié)構(gòu)指定為“第一”和“第二”僅為了指代各種支撐結(jié)構(gòu)時(shí)的清楚而不與關(guān)于哪個(gè)支撐結(jié)構(gòu)將連接到這里討論的微電子部件中的任何微電子部件或者哪個(gè)支撐結(jié)構(gòu)以更大或者更小節(jié)距的陣列中包括可潤濕接觸等有任何關(guān)系。
[0047]如圖所示，微電子元件80的接觸86 —般以具有比電路接觸96在電路面板94上的節(jié)距更小的節(jié)距的陣列間隔開。因而，在包括其節(jié)距的陣列配置中布置第一傳導(dǎo)過孔22 (并且因此布置外端26)，該陣列配置與微電子元件80的接觸86的陣列配置和節(jié)距基本上匹配。相似地，在包括其節(jié)距的陣列配置中布置第二傳導(dǎo)過孔40，該陣列配置與電路接觸96的陣列配置和節(jié)距基本上匹配。在具有接觸焊盤(比如接觸焊盤28和46)的一個(gè)實(shí)施例中，接觸焊盤也可以與它們接合到的相應(yīng)部件接觸的陣列配置和節(jié)距匹配。接觸陣列可以以任何希望的配置、比如以具有多行和列的網(wǎng)格。可以基于在一個(gè)或者多個(gè)方向上的統(tǒng)一接觸間距來測量陣列的節(jié)距。備選地，可以指定節(jié)距為在陣列中的接觸之間的平均、最大或者最小距離。在其它實(shí)施例中，在外表面14和外表面32上的可潤濕接觸的節(jié)距可以基本上相同，或者在外表面14上的可潤濕接觸的節(jié)距大于在外表面32上的可潤濕接觸的節(jié)距。在一個(gè)實(shí)施例中，可潤濕接觸，比如外端26可以在具有第一節(jié)距的陣列中，并且可潤濕接觸，比如外端42，可以具有在第一節(jié)距的尺寸的I與5倍之間的第二節(jié)距。在另一實(shí)施例中，第二節(jié)距可以約為第一節(jié)距的尺寸的2倍。
[0048]在一個(gè)實(shí)施例中，可以以在第一傳導(dǎo)過孔22和第二傳導(dǎo)過孔40的節(jié)距之間的第三節(jié)距來布置過孔66，比如在電介質(zhì)結(jié)構(gòu)50中的相鄰電介質(zhì)層之間連接的過孔66的對應(yīng)對。這樣的配置可以在經(jīng)過重新分布結(jié)構(gòu)50高效布置路由電路裝置時(shí)有用。在其它實(shí)施例中，跡線64和過孔66可以在具有與第一傳導(dǎo)過孔22或者第二傳導(dǎo)過孔40的節(jié)距基本上相等的節(jié)距的陣列中，或者可以在比第一傳導(dǎo)過孔22和第二傳導(dǎo)過孔40的陣列更大的陣列中。更多布置是可能的，包括如下布置，在該布置中，過孔66在非統(tǒng)一布置中。
[0049]支撐部分12和30的CTE也可以不同。在一個(gè)實(shí)施例、比如圖5A中所示實(shí)施例中，微電子元件80可以具有比電路面板94的CTE更小的CTE。在其中將具有低CTE的微電子元件與具有更高CTE的電路面板相組裝的實(shí)施例中，反復(fù)熱循環(huán)可能導(dǎo)致在部件之間的連接的破裂，比如焊劑鍵合等的破裂。在一個(gè)實(shí)施例中，第一支撐部分12和第二支撐部分30可以均具有在微電子元件80的CTE與電路面板96的CTE之間的CTE。這一布置可以增加在包括焊劑鍵合68的部件之間的連接的可靠性。在其中微電子元件80覆蓋在第一支撐部分12上面的又一實(shí)施例中，第一支撐部分12的CTE可以低于覆蓋在電路面板94上面的第二支撐部分30的CTE。例如，在這樣的實(shí)施例中，微電子元件可以具有約為3ppm/°C的CTE，并且電路面板可以具有約為12ppm/°C的CTE。因而，第一支撐部分12的CTE可以大于3ppm/°C，并且第二支撐部分30的CTE可以小于12ppm/°C，而第一支撐部分12的CTE可以小于第二支撐部分30的CTE。在這樣的范圍的又一實(shí)施例中，第一支撐部分12可以具有在3與6ppm/°C之間的CTE，并且第二支撐部分12可以具有在6與12ppm/°C之間的CTE。備選地，第一支撐部分12可以具有在3與7ppm/°C之間的CTE，并且第二支撐部分12可以具有在7與12ppm/°C之間的CTE。
[0050]在重新分布結(jié)構(gòu)50中使用的電介質(zhì)材料，比如電介質(zhì)層52和58，也可以具有低CTE0重新分布電介質(zhì)的CTE還可以在第一支撐部分12和第二支撐部分30的CTE之間。例如，在以上描述的實(shí)施例中，第一支撐部分12可以具有約為4ppm/°C的CTE，第二支撐部分30可以具有約為10ppm/°C的CTE，并且第一和第二電介質(zhì)層52和58可以均具有約為7ppm/°C 的 CTE。
[0051]在圖5B的實(shí)施例中，互連部件410包括第一支撐部分412，該第一支撐部分僅覆蓋第二支撐部分430的內(nèi)表面434的區(qū)域的部分。這一實(shí)施例在其它方面與圖1和圖5A的實(shí)施例相似。重新分布結(jié)構(gòu)450布置于第一支撐部分412與第二支撐部分430之間并且包括鍵合到第一支撐部分12并且尺寸與第一支撐部分12大體上對應(yīng)的第一電介質(zhì)層452以及鍵合到第二支撐部分430的第二電介質(zhì)層。在所示實(shí)施例中，在第一電介質(zhì)層452覆蓋的區(qū)域以外暴露第二電介質(zhì)層458的內(nèi)表面462的部分。因而，與第二電介質(zhì)層458關(guān)聯(lián)的過孔466可以可用于與一個(gè)或者多個(gè)外部部件連接，該外部部件例如示出為面向上方鍵合到表面460的微電子元件480B。微電子元件480B的接觸486然后接線鍵合到在第二電介質(zhì)層458上的暴露的過孔466中的至少一些過孔。第二傳導(dǎo)過孔440中的相應(yīng)第二傳導(dǎo)過孔與過孔466連接，這些過孔與微電子元件480B連接用于經(jīng)由焊球468與電路面板494連接。另一微電子元件480A如以上關(guān)于圖5A中的微電子元件80描述的那樣裝配于第一支撐部分412的外表面414上。微電子元件480A的接觸486與過孔422的端426接合，這些端或者過孔經(jīng)過重新分布結(jié)構(gòu)450與用于與電路面板494的相應(yīng)接觸496連接的過孔440中的相應(yīng)過孔連接。此外,第二電介質(zhì)層258的暴露的過孔466中的一些過孔可以被配置用于通過接線鍵合492等連接到微電子部件，比如電路面板494。
[0052]圖5B中所示連接部件410的實(shí)施例可以用來例如將具有不同CTE的微電子元件480A和440B連接到具有比微電子元件480A和440B 二者更高的CTE的電路面板494。在一個(gè)實(shí)施例中，微電子元件480A可以具有第一 CTE，并且微電子元件480B可以具有高于第一 CTE的第二 CTE。第二支撐部分430可以具有在第二 CTE與電路面板494的CTE之間的CTE0此外，第一支撐部分412可以具有在第二支撐部分430的CTE與第一 CTE之間的CTE。
[0053]在圖2中示出根據(jù)另一實(shí)施例的連接部件110。連接部件110與以上關(guān)于圖1描述的連接部件10相似并且包括經(jīng)過重新分布結(jié)構(gòu)150接合在一起的第一支撐部分112和第二支撐部分130。第一支撐部分112和第二支撐部分130分別包括從其相應(yīng)內(nèi)表面116和134向其相應(yīng)外表面114和132延伸的傳導(dǎo)過孔122和140。在外表面114和132上暴露在所示實(shí)施例中由在外表面114上暴露的外端126和在外表面132上暴露的外端142形成的可潤濕接觸?？蓾櫇窠佑|可以用來在與圖5A中所示布置相似的布置中使用連接部件110來將外部微電子部件連接在一起。因而可以以具有不同節(jié)距的陣列來布置第一傳導(dǎo)過孔122和第二傳導(dǎo)過孔140，節(jié)距與連接到第一傳導(dǎo)過孔122和第二傳導(dǎo)過孔140的相應(yīng)微電子部件對應(yīng)，并且第一支撐部分112和第二支撐部分130可以具有相似選擇的CTE。也可以在與圖5B中所示實(shí)施例相似的另一實(shí)施例中在與外部微電子部件的相似組裝件中配置外部部件110。
[0054]在圖2的連接部件110中，重新分布結(jié)構(gòu)50包括單個(gè)電介質(zhì)層152，該電介質(zhì)層具有在其中嵌入的路由電路裝置中包括的跡線164和過孔166。跡線164中的一些跡線與第一傳導(dǎo)過孔122的內(nèi)端124連接并且從這些內(nèi)端橫向延伸，并且其它跡線與第二傳導(dǎo)過孔140的內(nèi)端144連接并且從這些內(nèi)端橫向延伸。在電介質(zhì)層150中的過孔166中的一些過孔通過在第一傳導(dǎo)過孔122和第二傳導(dǎo)過孔140的關(guān)聯(lián)跡線164之間的連接互連它們的相應(yīng)對。過孔166可以具有與第一傳導(dǎo)過孔122或者第二傳導(dǎo)過孔140的節(jié)距相等的節(jié)距。在這樣的實(shí)施例中，過孔166可以直接連接到第一傳導(dǎo)過孔122或者第二傳導(dǎo)過孔140中的任一種傳導(dǎo)過孔而未使用跡線。在這樣的實(shí)施例中，第一支撐部分112或者第二支撐部分130可以使用可以是任何順應(yīng)材料的粘合劑層148等鍵合到電介質(zhì)層152。
[0055]圖3示出與圖1中所示連接部件10相似的連接部件210的另一實(shí)施例。在這一實(shí)施例中，在重新分布結(jié)構(gòu)250中的第一電介質(zhì)層252和第二電介質(zhì)層258間隔開。在第一電介質(zhì)層252與第二電介質(zhì)層258之間對準(zhǔn)的過孔266的對使用諸如焊球268的傳導(dǎo)材料質(zhì)量體來接合在一起。在第一電介質(zhì)層252的內(nèi)表面256與第二電介質(zhì)層258的內(nèi)表面262之間的所得空間可以由下填充物270填充，該下填充物填充在焊球268之間的空間。
[0056]如圖4A-4C中所示，可以在根據(jù)本公開內(nèi)容的各種實(shí)施例的連接部件內(nèi)嵌入至少一個(gè)無源器件，比如電阻器、電容器、晶體管、二極管等。在圖4A-4C中，示例無源器件274嵌入于與圖3中所示并且以上討論的實(shí)施例相似的連接部件210中。這里討論并且在各圖中示出的連接部件的其它實(shí)施例也可以具有在相似結(jié)構(gòu)中在其中嵌入的無源器件。在圖4A中，無源器件274裝配于第一電介質(zhì)層250的內(nèi)表面256之上并且與經(jīng)過跡線264與第一傳導(dǎo)過孔222A中的相應(yīng)傳導(dǎo)過孔連接的過孔266A電連接。因而，與第一傳導(dǎo)過孔222A連接的微電子部件將與無源器件274連接?？梢栽O(shè)定無源器件274或者在內(nèi)表面256與262之間的空間的尺寸，使得無源器件274在這一空間內(nèi)完全相配。在這樣的實(shí)施例中，下填充物270可以包圍無源器件274并且填充在無源器件274與焊球260之間的空間。比如無源器件274的無源器件可以用相似方式裝配于第二電介質(zhì)層260的內(nèi)表面262之上并且嵌入于重新分布結(jié)構(gòu)250以內(nèi)。比如圖1和2中所示連接部件的連接部件的一個(gè)實(shí)施例可以包括以相似方式在它們的對應(yīng)重新分布結(jié)構(gòu)內(nèi)嵌入的無源器件，例如通過包括附加電介質(zhì)層取代下填充物270并且通過添加更高或者附加過孔以連接那些暴露的過孔用于在它們的第一和第二電介質(zhì)層的內(nèi)表面上的連接。
[0057]圖4B示出無源器件274的備選并入。在這一實(shí)施例中，無源器件274與在第一電介質(zhì)層252的內(nèi)表面256暴露的過孔266連接并且具有比重新分布結(jié)構(gòu)的高度更大的高度。為了適應(yīng)無源器件274的高度，在第二電介質(zhì)層258中并入開口 276并且在第二支撐部分230中并入匹配空腔272以容納無源器件274的部分?？梢韵嗨频貥?gòu)造連接部件210以包括與在第二電介質(zhì)層258之上裝配的并且向在第一支撐部分212中的空腔中延伸的無源器件274相似的無源器件。另外，也可以用相似方式構(gòu)造圖1和2的實(shí)施例以容納相似無源器件。
[0058]圖4C示出連接部件210，該連接部件具有在第二電介質(zhì)層258的外表面260上裝配的并且在第二支撐部分230中形成的適當(dāng)尺寸的空腔278中容納的無源器件274。無源器件274與在第二電介質(zhì)層258中的過孔266A中的選擇的過孔連接，這些選擇的過孔又與在第一電介質(zhì)層252中的對應(yīng)過孔266連接，這些對應(yīng)過孔與在外表面213上具有外端226的第一傳導(dǎo)過孔222A中的相應(yīng)第一傳導(dǎo)過孔連接。因而，與第一傳導(dǎo)過孔222A連接的微電子部件將與無源器件274連接。備選地，過孔266A可以經(jīng)過跡線266中的對應(yīng)跡線與第二傳導(dǎo)過孔240中的相應(yīng)第二傳導(dǎo)過孔連接用于經(jīng)過外端244與外部部件連接。無源器件可以用相似方式裝配于第一電介質(zhì)層252的外表面254上。也可以用相似方式構(gòu)造圖1和2的實(shí)施例以包括相似無源器件。
[0059]圖6-8示出用于制造連接部件110、比如在圖2中以完整形式示出的連接部件的方法。如圖6中所示，形成處理中單元110’，該單元如以上關(guān)于圖1和2討論的那樣包括第一支撐部分112’，該第一支撐部分在其中具有第一傳導(dǎo)過孔122。形成圖6中的第一支撐部分112’，從而過孔122的外端126被第一支撐部分112’覆蓋，并且從而外表面114’在外端126以上留下間隔。重新分布結(jié)構(gòu)150如以上描述的那樣形成于第一支撐部分112’的內(nèi)表面116之上并且包括與第一傳導(dǎo)過孔122的內(nèi)端124連接的路由電路裝置?？梢酝ㄟ^在第一支撐部分112’中形成盲孔并且用比如金屬的傳導(dǎo)材料填充它們，然后在內(nèi)表面116之上形成重新分布結(jié)構(gòu)150，來制成處理中單元110’。在另一實(shí)施例中，可以留下用來形成過孔122的盲孔未填充直至在形成重新分布結(jié)構(gòu)150之后。備選地，可以在例如載體上形成重新分布結(jié)構(gòu)150，然后可以例如通過在重新分布結(jié)構(gòu)150內(nèi)的路由電路裝置的適當(dāng)部分上電鍍來形成第一傳導(dǎo)過孔122。然后可以通過模制等在第一傳導(dǎo)過孔122之上形成第一支撐部分112’。在第13/091,800號共同未決、共同轉(zhuǎn)讓的美國專利申請中示出和描述用于形成比如處理中單元112’的結(jié)構(gòu)的這些和其它方法，其全部公開內(nèi)容通過引用結(jié)合于此、。
[0060]在另一實(shí)施例中，可以留下用來形成過孔122的盲孔未填充直至在形成重新分布結(jié)構(gòu)150之后。然后可以通過去除第一支撐部分112’的外部分，比如通過研磨、拋光、蝕刻等，來打開盲孔。一旦在第二表面114上打開孔，可以用傳導(dǎo)材料填充它們以形成過孔122。在又一備選中，可以在形成重新分布結(jié)構(gòu)150之后在第一支撐部分112’中形成用來形成過孔122的孔。這可以例如通過從第二表面114之上向第一支撐部分112’中鉆孔以在此暴露接觸124來完成。然后可以填充孔以形成與接觸124連接的過孔122。
[0061]如圖6中進(jìn)一步所示，將提供原坯130’并且與處理中單元112’對準(zhǔn)。原坯130’將用來形成第二支撐部分120并且相應(yīng)地可以由這里討論的材料中的任何材料制成并且可以被選擇為具有如這里別處進(jìn)一步討論的那樣具有包括CTE的某些特性。如圖7中所示，比如通過鍵合向處理中單元112”添加原坯130’。這可以使用粘合劑層148等來完成。備選地，可以在處理中單元112’上適當(dāng)處模制原坯130’以實(shí)現(xiàn)圖7的結(jié)構(gòu)而無粘合劑層148。
[0062]如圖8中所示，然后在原坯130’中形成第二傳導(dǎo)過孔140以形成與圖2中示出并且關(guān)于圖1的實(shí)施例進(jìn)一步描述的第二支撐部分130相似的第二支撐部分130。可以通過鉆盲孔以暴露過孔166中的對應(yīng)過孔、然后向那些孔中沉積傳導(dǎo)金屬以與選擇的過孔166連接并且填充孔來在原坯130’中形成第二傳導(dǎo)過孔140并且形成在第二支撐部分130的外表面132處暴露的第二傳導(dǎo)過孔140的外端142，以產(chǎn)生圖8中所示處理中單元110”’。處理中單元110”’然后可以被進(jìn)一步處理以通過去除第一支撐部分112’的部分以降低外表面114’并且在外表面114上暴露過孔122的外端126來產(chǎn)生圖2的連接部件110。這可以通過機(jī)械拋光、研磨、搭接等來完成。也可以使用蝕刻，比如化學(xué)蝕刻或者激光蝕刻。研磨和拋光也可以用來幫助使得外端126與外表面114基本上齊平。相似地，第二支撐部分130可以在其外表面132被研磨或者拋光，這可以包括研磨或者拋光外端142以使外端142和外表面132基本上齊平。通過形成具有更厚的第一支撐部分112’的圖6中所示處理中單元110’并且隨后研磨或者拋光至暴露的外端126，處理中單元110’可以在制造連接部件110的進(jìn)一步步驟期間更易于操縱并且更少易于斷裂。
[0063]在圖9-11中示出用于制造與圖2中所示連接部件110相似的連接部件的又一方法。這一方法除了形成處理中單元110”’之外與以上關(guān)于圖6-8描述的方法相似，該處理中單元110”’在第二支撐部分130’上包括重新分布結(jié)構(gòu)150而在該第二支撐部分中有第二傳導(dǎo)過孔140。在圖6-8的實(shí)施例中，在處理中單元中包括細(xì)粒節(jié)距的第一傳導(dǎo)過孔122，而在圖9-11的實(shí)施例中，在處理中單元110’中形成粗粒節(jié)距的第二傳導(dǎo)過孔140。在這一實(shí)施例中，如圖10中所示，在組裝到處理中單元110”之后在原坯112’中形成第一傳導(dǎo)過孔122。這產(chǎn)生圖11中所示的處理中單元110”’，可以如以上關(guān)于圖8描述的那樣進(jìn)一步處理該處理中單元以產(chǎn)生圖2的連接部件110。
[0064]圖12和13示出在用于制造諸如圖1的互連部件的互連部件的方法的各種階段期間的互連部件。如圖12中所示，兩個(gè)處理中單元10A’和10B’被形成并且彼此對準(zhǔn)。第一處理中單元10A’包括第一支撐部分12和在第一支撐部分12的內(nèi)表面16之上形成的第一電介質(zhì)層52，該第一支撐部分具有在其中形成的第一傳導(dǎo)過孔122。第二處理中單元10B’包括第二支撐部分30和在第二支撐部分30的內(nèi)表面34之上形成的第二電介質(zhì)層58，該第二支撐部分具有在其中形成的第二傳導(dǎo)過孔140?？梢愿鶕?jù)以上關(guān)于圖6討論的方法形成第一和第二處理中單元10A’和10B’ 二者，并且可以根據(jù)圖1的討論形成其各個(gè)特征。如圖13中所不,如以上討論的那樣,第一電介質(zhì)層52和第二電介質(zhì)層58的內(nèi)表面56和62分別相互接觸定位(并且可選地使用粘合劑等來鍵合在一起)，并且使用金屬到金屬來將過孔66的對應(yīng)對鍵合在一起,一個(gè)在內(nèi)表面56上暴露而另一個(gè)在內(nèi)表面62上暴露。這產(chǎn)生圖13的處理中單元10’，然后以與先前關(guān)于圖8討論的方式相似的方式處理該處理中單元以在外表面14和32上暴露外端26和42。可以在這里討論的方法中的任何方法中執(zhí)行附加步驟，包括在外表面14和32上形成比如焊盤28和46的傳導(dǎo)焊盤，在外表面14或者32上形成附加重新分布層而在其上暴露可潤濕接觸或者其它更多結(jié)構(gòu)。所得連接部件然后可以比如在圖5A和5B示出的并且關(guān)于圖5A和5B描述的那樣與各種其它部件相組裝。
[0065]可以結(jié)合各種各式各樣的電子系統(tǒng)使用這里描述的連接部件的各種實(shí)施例。如圖14中所示，可以在構(gòu)造各式各樣的電子系統(tǒng)時(shí)利用以上描述的互連部件。例如，根據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例的系統(tǒng)I可以包括與如圖5A中所不微電子兀件80和互連部件10的微電子組裝件相似的微電子組裝件2，該微電子組裝件是通過組裝微電子元件80與互連部件10而形成的單元。可以結(jié)合其它電子部件6和3使用所示實(shí)施例以及如以上描述的互連部件或者其組裝件的其它變化形式。在描繪的示例中，部件6可以是半導(dǎo)體芯片或者包括半導(dǎo)體芯片的封裝或者其它組裝件，而部件3是顯示屏幕，但是可以使用任何其它部件。當(dāng)然，雖然為了圖示清楚而在圖14中僅描繪兩個(gè)附加部件，但是系統(tǒng)可以包括任何數(shù)目的這樣的部件。在又一變化形式中，可以使用包括微電子元件和互連部件的任何數(shù)目的微電子組裝件。微電子組裝件和部件6和3裝配于用虛線示意地描繪的公共殼4中并且在需要時(shí)相互電互連以形成希望的電路。在所示示例系統(tǒng)中，系統(tǒng)包括電路面板94，比如柔性印刷電路板，并且電路面板包括將部件彼此互連的許多導(dǎo)體96。然而，這僅為示例性的；可以使用用于形成電連接的任何適當(dāng)結(jié)構(gòu)，包括可以連接到接觸焊盤或者與接觸焊盤集成的多個(gè)跡線等。另外，電路面板94可以使用焊球68等來連接到互連部件10。殼4被描繪為例如在蜂窩電話或者個(gè)人數(shù)字助理中可使用的類型的便攜殼，并且在殼的表面暴露屏幕3。在系統(tǒng)I包括比如成像芯片的光敏元件時(shí)，也可以提供透鏡5或者其它光學(xué)器件用于向結(jié)構(gòu)路由光。同樣，圖14中所示簡化系統(tǒng)I僅為示例性的；可以使用以上討論的結(jié)構(gòu)來形成其它系統(tǒng)，包括普遍視為固定結(jié)構(gòu)的系統(tǒng)，比如桌面型計(jì)算機(jī)、路由器等。
[0066]雖然這里已經(jīng)參考具體實(shí)施例描述本發(fā)明，但是將理解這些實(shí)施例僅舉例說明本發(fā)明的原理和應(yīng)用。因此將理解可以對示例性實(shí)施例進(jìn)行許多修改并且可以在不脫離如所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)和范圍的前提下設(shè)計(jì)其它布置。
【權(quán)利要求】
1.一種互連部件，包括: 第一支撐部分，具有第一和第二相對主表面，所述第一和第二相對主表面限定在它們之間的厚度，并且具有與所述主表面基本上垂直地經(jīng)過所述第一支撐部分延伸的多個(gè)第一傳導(dǎo)過孔，從而每個(gè)過孔具有與所述第一表面相鄰的第一端和與所述第二表面相鄰的第二端; 第二支撐部分，具有第一和第二相對主表面，所述第一和第二相對主表面限定在它們之間的厚度，并且具有與所述主表面基本上垂直地經(jīng)過所述第二支撐部分延伸的多個(gè)第二傳導(dǎo)過孔，從而每個(gè)過孔具有與所述第一表面相鄰的第一端和與所述第二表面相鄰的第二端；以及 重新分布層，設(shè)置于所述第一支撐部分的所述第二表面和所述第二支撐部分的所述第二表面之間，電連接所述第一過孔中的至少一些第一過孔與所述第二過孔中的至少一個(gè)第二過孔。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連部件，還包括在所述第一支撐部分和所述第二支撐部分中的至少一個(gè)支撐部分的所述第一表面之上形成的至少一個(gè)重新分布層，所述重新分布層包括在其外表面上暴露的 接觸，所述接觸與所述第一傳導(dǎo)過孔或者所述第二傳導(dǎo)過孔連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的互連部件，還包括在所述第二支撐部分的所述第一表面處暴露的第二接觸，所述第二接觸與所述第二傳導(dǎo)過孔連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連部件，其中在所述第一支撐部分中的所述傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距小于在所述第二支撐部分中的所述傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距，所述互連部件還包括在所述第一支撐部分的所述第一表面處暴露的第一接觸，所述第一接觸與所述第一傳導(dǎo)過孔連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連部件，其中所述第一傳導(dǎo)過孔的所述第一端和所述第二傳導(dǎo)過孔的所述第一端可用來將所述互連元件鍵合到微電子元件、電路面板和封裝襯底中的至少一個(gè)，所述第一傳導(dǎo)過孔或者所述第二傳導(dǎo)過孔的所述第一端中的至少一個(gè)第一端與在微電子元件的一面處的元件接觸的空間分布匹配，并且所述第一傳導(dǎo)過孔或者所述第二傳導(dǎo)過孔的所述第一端中的至少一個(gè)第一端與在電路面板和封裝襯底中的至少一個(gè)的一面處暴露的電路接觸的空間分布匹配。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的互連部件，其中所述第一傳導(dǎo)過孔的所述第一端可用來將所述互連部件鍵合到微電子元件，并且其中所述第一支撐部分具有比所述微電子元件的CTE更大或者相等而比所述第二支撐部分的CTE更小或者相等的CTE。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的互連部件，其中所述第一傳導(dǎo)過孔的所述第一端可用來經(jīng)過在所述第一支撐部分的所述第一表面處暴露的第一接觸將所述互連部件鍵合到所述微電子元件，所述第一接觸覆蓋在所述第一傳導(dǎo)過孔上面并且與所述第一傳導(dǎo)過孔連接。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的互連部件，其中所述第二傳導(dǎo)過孔的所述第一端可用來將所述互連元件鍵合到電路面板或者封裝襯底，并且其中所述第二支撐部分具有比所述第一支撐部分的CTE更大或者相等的CTE。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的互連部件，其中所述第二傳導(dǎo)過孔的所述第一端可用來經(jīng)過在所述第二支撐部分的所述第一表面處暴露的第二接觸將所述互連部件鍵合到所述電路面板或者所述封裝襯底，所述第二接觸覆蓋在所述第二傳導(dǎo)過孔上面并且與所述第二傳導(dǎo)過孔連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連部件，其中所述第一支撐部分和所述第二支撐部分具有小于每攝氏度百萬分之(ppm/°c ) 12的熱膨脹系數(shù)(“CTE”)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的互連部件，其中所述第一支撐部分具有范圍從3ppm/°C到6ppm/°C的CTE，并且其中所述第二支撐部分具有范圍從6ppm/°C到12ppm/°C的CTE。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連部件，其中所述第一傳導(dǎo)過孔以第一節(jié)距相對于彼此間隔開，其中所述第二傳導(dǎo)過孔以大于所述第一節(jié)距的第二節(jié)距相對于彼此間隔開。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連部件，其中所述重新分布層還包括: 電介質(zhì)層；以及 路由電路裝置，嵌入于所述電介質(zhì)層中并且包括至少部分經(jīng)過所述電介質(zhì)層延伸的第三傳導(dǎo)過孔，所述路由電路裝置電連接所述第一傳導(dǎo)接觸中的至少一些第一傳導(dǎo)接觸與所述第二傳導(dǎo)接觸中的至少一些第二傳導(dǎo)接觸； 其中所述第三傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距大于所述第一傳導(dǎo)過孔的最大節(jié)距并且小于所述第二傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連部件，其中所述重新分布層包括第一部分和第二部分，所述第一部分包括所述第一表面和所述第一傳導(dǎo)接觸，所述第二部分包括所述第二表面和所述第二傳導(dǎo)接觸，其中所述第一部分和所述第二部分中的每個(gè)部分還包括中間表面和中間接觸，其中所述中間表面彼此相向并且所述中間接觸被接合在一起。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的互連部件，其中所述中間接觸使用傳導(dǎo)質(zhì)量體來接合在一起，所述部件還包括在所述中間表面之間的下填充物，所述下填充物填充在所述傳導(dǎo)質(zhì)量體中的各個(gè)傳導(dǎo)質(zhì)量體之間的空間。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的互連部件，其中所述中間接觸被熔合在一起并且在所述中間表面處暴露的電介質(zhì)材料被熔合在一起。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連部件，其中所述第一傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距小于所述第二傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連部件，還包括定位于所述第一支撐部分和所述第二支撐部分的所述第一表面之間并且與所述第一傳導(dǎo)過孔、所述第二傳導(dǎo)過孔、所述第一接觸和所述第二接觸中的一個(gè)或者多個(gè)電連接的無源器件。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的互連部件，其中所述無源器件設(shè)置于所述支撐部分的所述第二表面之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的互連部件，其中所述無源器件設(shè)置于所述第一支撐部分或者所述第二支撐部分中的一個(gè)支撐部分的所述第一和第二相對表面之間。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的互連部件，其中所述無源器件設(shè)置于所述支撐部分中的一個(gè)支撐部分的所述第二表面與所述支撐部分中的另一支撐部分的所述第一表面之間。
22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連部件，其中所述第一支撐部分和所述第二支撐部分中的至少一個(gè)支撐部分是半導(dǎo)體材料。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的互連部件，其中所述第一支撐部分或者所述第二支撐部分中的為半導(dǎo)體材料的任何支撐部分包括電介質(zhì)襯墊，所述電介質(zhì)襯墊包圍所述支撐部分的與所述傳導(dǎo)過孔相鄰的部分。
24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連部件，其中所述第一支撐部分和所述第二支撐部分中的至少一個(gè)支撐部分包括玻璃。
25.—種微電子組裝件,包括: 根據(jù)權(quán)利要求1所述的互連部件；以及 第一微電子元件，在其一面處具有元件接觸； 其中所述第一過孔的所述第一端與所述微電子元件的所述元件接觸的空間分布匹配，并且所述元件接觸經(jīng)過傳導(dǎo)鍵合材料的質(zhì)量體與所述第一過孔的所述第一端接合。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的微電子組裝件，還包括第二微電子元件，所述第二微電子元件在其上具有元件接觸，其中所述第二支撐部分的延伸超出所述第一支撐部分的邊緣，所述第二微電子元件裝配于所述延伸上并且與所述第一過孔中的在所述延伸上暴露的第一過孔電連接。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的微電子組裝件，還包括接線鍵合，所述接線鍵合電互連所述第二微電子元件與所述第一過孔中的在所述延伸上暴露的第一過孔。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的微電子組裝件，還包括第二接線鍵合，所述第二接線鍵合連接所述第一過孔中的在所述延伸上暴露的第一過孔與所述電路接觸中的一些電路接觸。
29.根據(jù)權(quán)利要求 25所述的微電子組裝件，還包括襯底，所述襯底具有在其表面處形成的電路接觸，所述第二傳導(dǎo)過孔與所述電路接觸電連接。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的微電子組裝件，其中所述第二支撐部分具有在所述第二支撐部分的所述第一表面處暴露并且與所述第二傳導(dǎo)過孔電連接的第二接觸，其中所述第二接觸接合到所述電路接觸。
31.一種系統(tǒng),包括: 根據(jù)權(quán)利要求25所述的微電子組裝件和電連接到所述微電子組裝件的一個(gè)或者多個(gè)其它電子部件。
32.一種用于制造互連部件的方法，包括以下步驟: 在處理中單元上形成重新分布層，所述處理中單元包括第一支撐部分，所述第一支撐部分具有從所述第一支撐部分的第一表面在與所述第一表面基本上垂直的方向上延伸的多個(gè)開口，并且所述重新分布層包括與所述多個(gè)開口對準(zhǔn)的路由電路裝置； 接合第二支撐部分與所述處理中單元，所述第二支撐部分具有第一和第二相對主表面，所述第一和第二相對主表面限定在它們之間的厚度，從而所述重新分布層設(shè)置于所述第一支撐部分與所述第二支撐部分之間；并且 用傳導(dǎo)材料填充所述第一開口以形成經(jīng)過所述第一支撐部分延伸、與所述重新分布層的所述路由電路裝置連接的第一傳導(dǎo)過孔，并且在所述第二支撐部分中形成與所述主表面基本上垂直地經(jīng)過所述支撐部分延伸的第二傳導(dǎo)過孔，從而每個(gè)過孔具有第一端和第二端，所述第二端與所述第二表面相鄰，從而所述第一傳導(dǎo)過孔經(jīng)過所述第一支撐部分延伸，并且所述第二傳導(dǎo)過孔經(jīng)過所述第二支撐部分延伸，所述第一過孔和所述第二過孔經(jīng)過所述重新分布層電連接。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述第一支撐部分和所述第二支撐部分具有小于每攝氏度百萬分之(“ppm/°C”)12的熱膨脹系數(shù)(“CTE”)。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述開口被形成為部分經(jīng)過所述第一支撐部分延伸，并且其中形成經(jīng)過第一支撐部分的第一傳導(dǎo)過孔還包括:去除所述第一支撐部分的一部分，以形成所述第一支撐部分的與所述第一表面基本上平行并且與所述第一表面間隔開的第二表面，并且在所述第二表面上暴露所述第一開口。
35.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中所述開口在去除所述第一支撐部分的所述一部分之后由所述傳導(dǎo)材料填充。
36.根據(jù)權(quán)利要求34所述的方法，其中所述開口在形成所述重新分布層之前由所述傳導(dǎo)材料填充，并且其中所述去除所述第一支撐部分的一部分暴露在所述第一支撐部分的所述第二表面上的所述開口內(nèi)的所述傳導(dǎo)材料。
37.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中在形成所述重新分布層之后形成在所述第一支撐部分中的所述開口，從而所述孔暴露所述路由電路裝置的部分。
38.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中使用鍵合材料層在所述第二支撐部分的重新分布層上形成所述重新分布層。
39.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中形成至少所述第二傳導(dǎo)過孔包括:形成經(jīng)過所述第二支撐部分的孔，從而所述孔向所述第二支撐部分的所述第二表面打開，在與所述重新分布層鍵合之前用傳導(dǎo)材料填充所述孔，并且從所述支撐部分去除材料以形成所述支撐部分的所述第一表面并且在所述第一表面上暴露所述過孔的所述第一端。
40.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中至少所述第二過孔通過以下操作來形成，在與所述重新分布層鍵合之后制作經(jīng)過所述第二支撐部分的孔，從而所述孔暴露所述路由電路裝置的接觸；然后用與所述第二接觸中的對應(yīng)第二接觸電連接的傳導(dǎo)材料填充所述孔。
41.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中至少所述第二過孔通過以下操作來形成，制作經(jīng)過所述第二支撐部分的一部分的孔，從而所述孔向所述第二支撐部分的所述第二表面打開；鍵合所述支撐部分與所述重新分布層；從所述支撐部分去除材料，從而所述孔向所述第一表面打開并且在此暴露對應(yīng)接觸；以及用與所述傳導(dǎo)接觸電連接并且與所述第一表面相鄰的傳導(dǎo)材料填充所述孔。
42.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中至少所述第一支撐部分和所述重新分布層被形成為在單個(gè)晶片中在第一支撐部分上形成的多個(gè)重新分布層中的分布層，所述單個(gè)晶片然后被分割以形成在包括所述第一支撐部分的所述多個(gè)第一支撐部分中的第一支撐部分上形成的重新分布層的分立單元。
43.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，還包括在所述互連部件內(nèi)嵌入無源器件并且連接所述無源器件與所述第一過孔、所述第二過孔、所述第一接觸或者所述第二接觸中的一種。
44.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中在所述第一支撐部分中的所述傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距小于在所述第二支撐部分中的所述傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距，所述方法還包括形成在所述第一支撐部分的所述第一表面處暴露的第一接觸，所述第一接觸被形成以便與所述第一傳導(dǎo)過孔連接。
45.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述第一支撐部分由具有范圍從3ppm/°C到6ppm/°C的CTE的材料制成,并且其中所述第二支撐部分由具有范圍從6ppm/°C到12ppm/°C的CTE的材料制成。
46.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述第一傳導(dǎo)過孔被形成為以第一節(jié)距相對于彼此間隔開，其中所述第二傳導(dǎo)過孔被形成為以大于所述第一節(jié)距的第二節(jié)距相對于彼此間隔開。
47.根據(jù)權(quán)利要求46所述的方法，其中所述重新分布層被形成為包括在所述重新分布層的所述第一表面上的第一傳導(dǎo)接觸，所述第一傳導(dǎo)接觸是所述路由電路裝置的部分并且與所述第一過孔的所述第二端中的至少一些第二端基本上對準(zhǔn)，并且其中所述路由層包括在所述路由層的所述第二表面上的第二傳導(dǎo)接觸，所述第二傳導(dǎo)接觸是所述路由電路裝置的部分并且與所述第二過孔的所述第二端中的至少一些第二端基本上對準(zhǔn)，其中所述路由電路裝置被形成為電連接所述第一傳導(dǎo)接觸中的至少一些第一傳導(dǎo)接觸與所述第二傳導(dǎo)接觸中的至少一些第二傳導(dǎo)接觸，其中所述路由裝置被形成為具有經(jīng)過所述電介質(zhì)層的第三傳導(dǎo)過孔，并且其中所述第三傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距大于所述第一傳導(dǎo)過孔的最大節(jié)距并且小于所述第二傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其中形成所述重新分布層包括沉積電介質(zhì)層以至少部分嵌入所述路由電路裝置。
49.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中所述第一傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距小于所述第二傳導(dǎo)過孔的最小節(jié)距。
50.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中通過電鍍來形成至少所述第一傳導(dǎo)過孔。
51.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中在所述第二支撐部分上形成所述重新分布層，包括使用氧化物表面到表面鍵合來鍵合到所述第二支撐部分。
52.根據(jù)權(quán)利要求32所述的方法，其中至少所述第二支撐部分由半導(dǎo)體材料制成。
53.根據(jù)權(quán)利要求52所述的方法，其中形成至少所述第二傳導(dǎo)過孔包括在所述第二支撐部分中形成孔從而限定孔壁，沿著所述孔壁沉積電介質(zhì)襯墊，并且用傳導(dǎo)金屬填充所述孔的其余部分。
54.一種用于制造互連部件的方法，包括以下步驟: 將第一處理中單元與第二處理中單元接合在一起，所述第一處理中單元具有中間表面和在其上暴露的中間接觸，所述第二處理中單元具有中間表面和在其中暴露的中間接觸，從而所述中間表面彼此相向并且所述中間接觸被電互連； 其中所述第一處理中單元包括:第一支撐部分，所述第一支撐部分具有第一和第二相對表面，所述第一和第二相對表面限定在它們之間的厚度，并且具有經(jīng)過所述支撐部分延伸的多個(gè)第一傳導(dǎo)過孔，從而每個(gè)過孔具有與所述第一表面相鄰的第一端和與所述第二表面相鄰的第二端；第一重新分布部分，形成于所述支撐部分的所述第二表面上，所述第一重新分布部分限定所述第一中間表面并且包括所述第一中間接觸，所述第一中間接觸與所述第一傳導(dǎo)過孔電連接； 其中所述第二處理中單元包括:第二支撐部分，所述第二支撐部分具有第一和第二相對表面，所述第一和第二相對表面限定在它們之間的厚度，并且具有經(jīng)過所述支撐部分延伸的多個(gè)第二傳導(dǎo)過孔，從而每個(gè)過孔具有與所述第一表面相鄰的第一端和與所述第二表面相鄰的第二端；第二重新分布部分，形成于所述支撐部分的所述第二表面上，所述第二重新分布部分限定所 述第二中間表面并且包括所述第二中間接觸，所述第二中間接觸與所述第二傳導(dǎo)過孔電連接。
55.根據(jù)權(quán)利要求54所述的方法，其中所述第一傳導(dǎo)過孔被形成為以第一節(jié)距相對于彼此間隔開，其中所述第二傳導(dǎo)過孔被形成為以大于所述第一節(jié)距的第二節(jié)距相對于彼此間隔開。
56.根據(jù)權(quán)利要求54所述的方法，其中使用傳導(dǎo)質(zhì)量體來將所述中間接觸接合在一起，所述方法還包括在所述中間表面之間形成下填充物，所述下填充物被形成用于填充在所述傳導(dǎo)質(zhì)量體中的各個(gè)傳導(dǎo)質(zhì)量體之間的空間。
57.根據(jù)權(quán)利要求54所述的方法，其中所述中間接觸被熔合在一起并且在所述中間表面處暴露的電介質(zhì)材料被熔合在一起。
58.一種用于制作微電子組裝件的方法，包括: 組裝微電子元件與互連部件，所述微電子元件在其一面上具有元件接觸，所述互連部件具有: 第一支撐部分，具有第一和第二相對主表面，所述第一和第二相對主表面限定在它們之間的厚度，并且具有與所述主表面基本上垂直地經(jīng)過所述支撐部分延伸的第一多個(gè)傳導(dǎo)過孔，從而每個(gè)過孔具有與 所述第一表面相鄰的第一端和與所述第二表面相鄰的第二端； 第二支撐部分，具有第一和第二相對主表面，所述第一和第二相對主表面限定在它們之間的厚度，并且具有與所述主表面基本上垂直地經(jīng)過所述支撐部分延伸的第二多個(gè)傳導(dǎo)過孔，從而每個(gè)過孔具有與所述第一表面相鄰的第一端和與所述第二表面相鄰的第二端；以及 重新分布層，具有鍵合到所述第一支撐部分的所述第二表面的第一表面、與所述第一表面間隔開并且鍵合到所述第二支撐部分的所述第二表面的第二表面、沿著所述第一表面并且與所述第一支撐部分的所述過孔中的相應(yīng)過孔連接的第一多個(gè)傳導(dǎo)接觸以及沿著所述第二表面并且與所述第二支撐部分的所述過孔中的相應(yīng)過孔連接的第二多個(gè)傳導(dǎo)接觸，其中所述第一多個(gè)接觸中的至少一些第一接觸與所述第二多個(gè)接觸中的至少一些第二接觸電連接； 其中所述第一過孔的所述第一端與所述元件接觸的空間分布匹配，并且其中所述第一端與所述元件接觸接合。
59.根據(jù)權(quán)利要求58所述的方法，還包括組裝電路面板與所述互連部件，所述電路面板在其一面上具有電路接觸，所述第二接觸與所述電路接觸的空間分布匹配并且與所述電路接觸接合。
【文檔編號】H01L21/48GK103930988SQ201280055739
【公開日】2014年7月16日 申請日期:2012年9月14日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月14日
【發(fā)明者】B·哈巴, K·德塞 申請人:伊文薩思公司