高壓覆晶led結(jié)構(gòu)及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明是有關(guān)于一種高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)及其制造方法，其中制造方法包括下列步驟：提供芯片基板；沉積第一鈍化層；形成共電連層；沉積第二鈍化層；沉積鏡面層；蝕刻兩導(dǎo)電通道；以及設(shè)置兩接合金屬層。芯片基板包括藍(lán)寶石基板及其上的多個(gè)LED芯片，在形成第一鈍化層后形成全透明的共電連層使LED芯片彼此電性串聯(lián)。接著，沉積第二鈍化層成為平坦的鈍化表面，借此讓形成于其上的鏡面層能具有相同的水平高度，使反射出的光線不具有光程差。最后設(shè)置接合金屬層以供導(dǎo)電。本發(fā)明可得到全透明電極且出光不具光程差的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)。
【專利說(shuō)明】高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種LED結(jié)構(gòu)及其制造方法，特別是涉及一種高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近幾年，發(fā)光二極管(LED)已經(jīng)漸漸成為照明市場(chǎng)的主要產(chǎn)品，其小巧、高效能及環(huán)保等特性受到肯定。因此，各大廠商無(wú)不致力于開(kāi)發(fā)更高發(fā)光效率、高良率的LED結(jié)構(gòu)及其工藝。
[0003]圖1為現(xiàn)有習(xí)知的一種覆晶LED結(jié)構(gòu)。如圖1所不，現(xiàn)有習(xí)知的一種覆晶LED結(jié)構(gòu)100包括:LED基板110、N極電極150、P極電極160、焊墊140、阻隔層180、反射層120、圖案化絕緣層170、導(dǎo)電層190及磊晶疊層130。其中，磊晶疊層130包括:N型半導(dǎo)體層131、發(fā)光層132及P型半導(dǎo)體層133。為了增加出光率，現(xiàn)有習(xí)知的覆晶LED結(jié)構(gòu)100會(huì)使用反射層120將發(fā)光層132發(fā)出的光線反射，使其向正向出光。然而，反射層120的高度不同，會(huì)造成被反射的光線間具有光程差。
[0004]目如，聞壓LED結(jié)構(gòu)可通過(guò)在同一基板上串聯(lián)多個(gè)LED芯片嘉晶結(jié)構(gòu)而達(dá)成。已知高壓LED結(jié)構(gòu)可以簡(jiǎn)化LED封裝工藝、提升發(fā)光效率，并且在未來(lái)照明市場(chǎng)有極大的競(jìng)爭(zhēng)潛力，因此如何利用高壓LED結(jié)構(gòu)，設(shè)計(jì)出能夠大幅改良上述光程差的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)是個(gè)重要的課題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的覆晶LED結(jié)構(gòu)存在的問(wèn)題，而提供一種高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)及其制造方法，其中制造方法包括下列步驟:提供一芯片基板；沉積第一鈍化層；形成共電連層；沉積第二鈍化層；沉積鏡面層；蝕刻兩導(dǎo)電通道；以及設(shè)置兩接合金屬層。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題包括:制造出一種具有全透明電極且反射層在同一平面的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)。
[0006]本發(fā)明提供一種聞壓覆晶LED結(jié)構(gòu)的制造方法，包括:提供芯片基板，其中芯片基板包括:藍(lán)寶石基板；及多個(gè)LED芯片，彼此分離地形成于藍(lán)寶石基板上，每一 LED芯片由下往上形成N型層、量子井層、P型層及透明導(dǎo)電氧化物層，且N型層露出N型表面，所述LED芯片包括第一 LED芯片及第二 LED芯片；沉積第一鈍化層，其在所述LED芯片周圍沉積第一鈍化層；形成共電連層，其在除去位在每一透明導(dǎo)電氧化物層及每一 N型表面上的第一鈍化層后，分別于每一透明導(dǎo)電氧化物層及每一N型表面上形成第一電連層及第二電連層，并形成第三電連層以連接LED芯片的第一電連層及相鄰的另一 LED芯片的第二電連層，第一電連層、第二電連層及第三電連層構(gòu)成共電連層；沉積第二鈍化層，其沉積于第一鈍化層及共電連層上并形成平坦的鈍化表面；沉積鏡面層，其在鈍化表面上沉積鏡面層；蝕刻兩導(dǎo)電通道，其分別由鏡面層往下蝕刻至第一 LED芯片的第一電連層及往下蝕刻至第二 LED芯片的第二電連層以形成所述導(dǎo)電通道；以及設(shè)置兩接合金屬層，其分別在每一導(dǎo)電通道填充接合金屬，并設(shè)置所述接合金屬層于鏡面層上，以分別與接合金屬接合，且所述接合金屬層彼此分離。
[0007]較佳的，前述的制造方法，其中其進(jìn)一步包括形成多個(gè)微結(jié)構(gòu)于該藍(lán)寶石基板的背側(cè)表面。
[0008]較佳的，前述的制造方法，其中其進(jìn)一步包括結(jié)合電路板，其以所述接合金屬層與該電路板上的導(dǎo)電金屬電性連接。
[0009]較佳的，前述的制造方法，其中該鏡面層由分布布拉格反射鏡及金屬組成。
[0010]較佳的，前述的制造方法，其中該金屬為鋁或銀。
[0011]較佳的，前述的制造方法，其中所述接合金屬層的表面電鍍有金薄膜。
[0012]本發(fā)明又提供一種高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)，其包括:芯片基板，其中芯片基板包括:藍(lán)寶石基板；及多個(gè)LED芯片，彼此分離地形成于藍(lán)寶石基板上，每一 LED芯片由下往上形成N型層、量子井層、P型層及透明導(dǎo)電氧化物層，且N型層露出N型表面，所述LED芯片包括第一 LED芯片及第二 LED芯片；第一鈍化層,其設(shè)置于每一 LED芯片的側(cè)邊；共電連層,其包括:第一電連層，其位于每一透明導(dǎo)電氧化物層上；第二電連層，其位于每一N型表面上；及第三電連層，其連接每一相鄰的第一電連層及第二電連層并覆蓋于每一 LED芯片側(cè)邊的第一鈍化層；第二鈍化層，其包覆第一鈍化層及共電連層以形成平坦的鈍化表面；鏡面層，其設(shè)置于鈍化表面上；兩接合金屬，其穿過(guò)鏡面層及第二鈍化層以分別與第一 LED芯片的第一電連層及第二 LED芯片的第二電連層相接；以及兩接合金屬層，其分別設(shè)置于鏡面層上并與所述接合金屬接合，且所述接合金屬層彼此分離。
[0013]較佳的，前述的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)，其中其進(jìn)一步包括電路板，其以導(dǎo)電金屬與所述接合金屬層電性連接。
[0014]較佳的，前述的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)，其中該鏡面層由分布布拉格反射鏡及金屬組成。
[0015]較佳的，前述的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)，其中該金屬為鋁或銀。
[0016]較佳的，前述的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)，其中所述接合金屬層的表面電鍍有金薄膜。
[0017]較佳的，前述的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)，其中該藍(lán)寶石基板的背側(cè)表面進(jìn)一步包括多個(gè)微結(jié)構(gòu)。
[0018]借由本發(fā)明的實(shí)施，至少可達(dá)到下列進(jìn)步功效:
[0019]一、可以得到全透明電極的覆晶LED結(jié)構(gòu)，以增加發(fā)光效率。
[0020]二、可以得到反射層位于同一平面的覆晶LED結(jié)構(gòu)，以減少光程差。
[0021]上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合說(shuō)明書(shū)附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1為現(xiàn)有習(xí)知的一種覆晶LED結(jié)構(gòu)。
[0023]圖2為本發(fā)明實(shí)施例的一種高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。
[0024]圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一種提供芯片基板步驟的剖面示意圖。
[0025]圖4為本發(fā)明實(shí)施例的一種沉積第一鈍化層步驟的剖面示意圖。[0026]圖5為本發(fā)明實(shí)施例的一種蝕刻第一鈍化層的剖面示意圖。
[0027]圖6為本發(fā)明實(shí)施例的一種形成共電連層步驟的剖面示意圖。
[0028]圖7為本發(fā)明實(shí)施例的一種沉積第二鈍化層步驟的剖面示意圖。
[0029]圖8為本發(fā)明實(shí)施例的一種沉積鏡面層步驟的剖面示意圖。
[0030]圖9為本發(fā)明實(shí)施例的一種蝕刻兩導(dǎo)電通道步驟的剖面示意圖。
[0031]圖10為本發(fā)明實(shí)施例的一種填充導(dǎo)電金屬的剖面示意圖。
[0032]圖11為本發(fā)明實(shí)施例的一種設(shè)置兩接合金屬層步驟的剖面示意圖。
[0033]圖12為本發(fā)明實(shí)施例的一種形成多個(gè)微結(jié)構(gòu)步驟的剖面示意圖。
[0034]圖13為本發(fā)明實(shí)施例的一種結(jié)合電路板步驟的剖面示意圖。
[0035]圖14為本發(fā)明實(shí)施例的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)剖視圖。
[0036]圖15為本發(fā)明實(shí)施例的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)的使用剖視圖。
[0037]【主要元件符號(hào)說(shuō)明】
[0038]10 芯片基板11 監(jiān)寶石基板
[0039]111 第一表面112 第二表面
[0040]113 微結(jié)構(gòu)12 LED芯片
[0041]12’ 第一 LED 芯片12” 第二 LED 芯片
[0042]12”，第三LED芯片121 N型層
[0043]122 N型表面123 量子井層
[0044]124 P型層125 透明導(dǎo)電氧化物層
[0045]20 第一鈍化層30 共電連層
[0046]31 第一電連層32 第二電連層
[0047] 33 第三電連層40 第二鈍化層
[0048]41 鈍化表面50 鏡面層
[0049]60 導(dǎo)電通道61 接合金屬
[0050]70 接合金屬層80 電路板
[0051]81 導(dǎo)電金屬100 覆晶LED結(jié)構(gòu)
[0052]110 LED基板120 反射層
[0053]130 磊晶疊層131 N型半導(dǎo)體層
[0054]132 發(fā)光層133 P型半導(dǎo)體層
[0055]140 焊墊150 N極電極
[0056]160 P極電極170 圖案化絕緣層
[0057]180 阻隔層190 導(dǎo)電層
【具體實(shí)施方式】
[0058]為進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段以及其功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)及其制造方法的【具體實(shí)施方式】、結(jié)構(gòu)、流程、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。
[0059]圖2為本發(fā)明實(shí)施例的一種高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。圖3為本發(fā)明實(shí)施例的一種提供芯片基板步驟的剖面示意圖。圖4為本發(fā)明實(shí)施例的一種沉積第一鈍化層步驟的剖面示意圖。圖5為本發(fā)明實(shí)施例的一種蝕刻第一鈍化層的剖面示意圖。圖6為本發(fā)明實(shí)施例的一種形成共電連層步驟的剖面示意圖。圖7為本發(fā)明實(shí)施例的一種沉積第二鈍化層步驟的剖面示意圖。圖8為本發(fā)明實(shí)施例的一種沉積一鏡面層步驟的剖面示意圖。
[0060]圖9為本發(fā)明實(shí)施例的一種蝕刻兩導(dǎo)電通道步驟的剖面示意圖。圖10為本發(fā)明實(shí)施例的一種填充導(dǎo)電金屬的剖面示意圖。圖11為本發(fā)明實(shí)施例的一種設(shè)置兩接合金屬層步驟的剖面示意圖。圖12為本發(fā)明實(shí)施例的一種形成多個(gè)微結(jié)構(gòu)步驟的剖面示意圖。圖13為本發(fā)明實(shí)施例的一種結(jié)合電路板步驟的剖面示意圖。圖14為本發(fā)明實(shí)施例的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)剖視圖。圖15為本發(fā)明實(shí)施例的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)的使用剖視圖。
[0061]<高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)的制造方法實(shí)施例>
[0062]如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施例為一種高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)的制造方法S100，其包括:提供芯片基板(步驟S10);沉積第一鈍化層(步驟S20);形成共電連層(步驟S30);沉積第二鈍化層(步驟S40);沉積鏡面層(步驟S50);蝕刻兩導(dǎo)電通道(步驟S60);以及設(shè)置兩接合金屬層(步驟S70)。
[0063]如圖3所示，提供芯片基板(步驟S10)，其中芯片基板10包括:藍(lán)寶石基板11及多個(gè)LED芯片12。藍(lán)寶石基板11是用以成長(zhǎng)氮化鎵N型層121 (以下簡(jiǎn)稱為N型層121)、量子井層123、氮化鎵P型層124 (以下簡(jiǎn)稱為P型層124)及透明導(dǎo)電氧化物層125，之后經(jīng)過(guò)多次蝕刻得到多個(gè)LED芯片12 (例如圖3中的12’、12”及12”’)，其彼此分離地形成于藍(lán)寶石基板11的第一表面111上，第一表面111為藍(lán)寶石基板11的上表面。透明導(dǎo)電氧化物層125的材料為透明的氧化物以提高發(fā)光效率，且可以導(dǎo)電。
[0064]因此每一 LED芯片12在磊晶工藝中由下往上形成N型層121、量子井層123、P型層124及透明導(dǎo)電氧化物層125。同時(shí)因?yàn)槲g刻了一部分的透明導(dǎo)電氧化物層125、P型層124及量子井層123而使N型層121露出N型表面122。為了對(duì)LED芯片12做更詳細(xì)的說(shuō)明，在本實(shí)施例中將所述LED芯片12分別命名為第一 LED芯片12’、第二 LED芯片12”及第三LED芯片12”’。第一 LED芯片12’為藍(lán)寶石基板11上的最左側(cè)的LED芯片12，而第二LED芯片12”為藍(lán)寶石基板11上的最右側(cè)的LED芯片12，第三LED芯片12”’則位在第一LED芯片12’及第二 LED芯片12”之間，然而也可設(shè)置多個(gè)第三LED芯片12”’。
[0065]如圖4所示，沉積第一鈍化層(步驟S20)，其在所述LED芯片12周圍沉積第一鈍化層20，使第一鈍化層20覆蓋住每一 N型層121、量子井層123、P型層124及透明導(dǎo)電氧化物層125的側(cè)邊及藍(lán)寶石基板11、N型表面122及透明導(dǎo)電氧化物層125的表面。
[0066]如圖5所示，在形成共電連層(步驟S30)前，先利用蝕刻方式除去位在每一透明導(dǎo)電氧化物層125及每一 N型表面122上的第一鈍化層20。
[0067]如圖6所示，形成共電連層(步驟S30)，接著分別以沉積方式形成共電連層30在第一鈍化層20以及裸露的每一 N型表面122及每一透明導(dǎo)電氧化物層125的表面。為方便敘述，將共電連層30分別定義為第一電連層31、第二電連層32及第三電連層33。第一電連層31形成在每一透明導(dǎo)電氧化物層125的表面上，而第二電連層32則形成在每一 N型表面122上。第三電連層33則從LED芯片12的第一電連層31沿著LED芯片12的側(cè)邊延伸形成至相鄰的另一 LED芯片12的第二電連層32。第三電連層33用以電性連接LED芯片12的第一電連層31及相鄰的另一 LED芯片12的第二電連層32。[0068]其中，共電連層30可以使多個(gè)LED芯片12彼此串聯(lián)，形成高壓LED結(jié)構(gòu)。形成共電連層30的材料可以與透明導(dǎo)電氧化物層125相同，透明的導(dǎo)電材料可以避免共電連層30擋住LED芯片12的出光，而同時(shí)達(dá)到導(dǎo)電及提高透光性的目的。
[0069]如圖7所示，沉積第二鈍化層(步驟S40)，其沉積第二鈍化層40于暴露于外界的第一鈍化層20及共電連層30上，并連續(xù)沉積第二鈍化層40直到將所有LED芯片12覆蓋并形成平坦且高度相同的鈍化表面41，進(jìn)而提供后續(xù)工藝進(jìn)行。
[0070]如圖8所示，沉積鏡面層(步驟S50)，其在平坦且高度相同的鈍化表面41上沉積鏡面層50，因此沉積于其上的鏡面層50亦平坦且高度相同，故LED芯片12發(fā)出的光線可以在同樣高度被鏡面層50反射，以得到反射量及強(qiáng)度一致的反射光，同時(shí)彼此之間沒(méi)有光程差的反射光可以往藍(lán)寶石基板11方向出光。其中，鏡面層50可以由分布布拉格反射鏡(Distributed BraggReflector, DBR)及金屬組成，而金屬可以為招或銀。
[0071]如圖9所示，蝕刻兩導(dǎo)電通道(步驟S60)，其分別在相對(duì)于第一 LED芯片12’上方附近的位置由鏡面層50往下蝕刻通過(guò)第二鈍化層40至第一 LED芯片12’的第一電連層31，以及在相對(duì)于第二 LED芯片12”上方附近的位置由鏡面層50往下蝕刻通過(guò)第二鈍化層40至第二 LED芯片12”的第二電連層32以形成所述導(dǎo)電通道60，以使得第一 LED芯片12’的第一電連層31及第二 LED芯片12”的第二電連層32可以裸露出來(lái)。
[0072]如圖10所示，設(shè)置兩接合金屬層(步驟S70)，首先分別在步驟S60所蝕刻出的每一導(dǎo)電通道60中填充接合金屬61,并使接合金屬61表面與鏡面層50表面位在相同高度。
[0073]如圖11所示，接著，設(shè)置所述兩接合金屬層70于鏡面層50上，并且使接合金屬層70分別與接合金屬61 —對(duì)一地接合以供導(dǎo)電。因此，接合金屬層70得以借由接合金屬61而分別與第一 LED芯片12’的第一電連層31和第二 LED芯片12”的第二電連層32電性連接。為了避免短路，所述接合金屬層70彼此分離。其中，所述接合金屬層70的表面可以電鍍有金薄膜以增進(jìn)導(dǎo)電度。
[0074]如圖1及圖12所示，制造方法SlOO可以進(jìn)一步包括形成多個(gè)微結(jié)構(gòu)(步驟S80)，其在藍(lán)寶石基板11的第二表面112形成多個(gè)微結(jié)構(gòu)113以破壞全反射。第二表面112為藍(lán)寶石基板11的下表面，而微結(jié)構(gòu)113可以為錐狀體、凸透鏡或凹透鏡等構(gòu)造。
[0075]如圖1及圖13所示，制造方法SlOO可以進(jìn)一步包括結(jié)合電路板(步驟S90)，其將上述結(jié)構(gòu)倒置，并通過(guò)電性連接手段，例如金屬電極或是焊球(solder ball)以使所述接合金屬層70與電路板80上的導(dǎo)電金屬81電性連接，而形成最終的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)。
[0076]<高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)實(shí)施例>
[0077]如圖1及圖14所示，本發(fā)明的另一實(shí)施例為一種高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)100，其包括:芯片基板、第一鈍化層20、共電連層30、第二鈍化層40、鏡面層50、兩接合金屬61以及兩接合金屬層70。高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)100可以使用上述的制造方法SlOO制造。
[0078]芯片基板包括:藍(lán)寶石基板11及多個(gè)LED芯片12。其中，多個(gè)LED芯片12彼此分離地形成于藍(lán)寶石基板11的第一表面111上，第一表面111為藍(lán)寶石基板11的上表面。另外，藍(lán)寶石基板11的第二表面112可以進(jìn)一步包括多個(gè)微結(jié)構(gòu)113以破壞全反射，而第二表面112為藍(lán)寶石基板11的下表面，其中微結(jié)構(gòu)113可以為錐狀體、凸透鏡或凹透鏡等構(gòu)造。
[0079]每一 LED芯片12由下往上形成N型層121、量子井層123、P型層124及透明導(dǎo)電氧化物層125。其中，量子井層123、P型層124及透明導(dǎo)電氧化物層125的平面面積小于N型層121的平面面積，因此使最下方的N型層121露出N型表面122。透明導(dǎo)電氧化物層125的材料為透明的氧化物以提高透光率，且可以導(dǎo)電。
[0080]為了對(duì)LED芯片12做更詳細(xì)的說(shuō)明，在本實(shí)施例中將所述LED芯片12分別命名為第一 LED芯片12’、第二 LED芯片12”及第三LED芯片12”’。第一 LED芯片12’為藍(lán)寶石基板11上的最左側(cè)的LED芯片12，而第二 LED芯片12”為藍(lán)寶石基板11上的最右側(cè)的LED芯片12，第三LED芯片12”’則位在第一 LED芯片12’及第二 LED芯片12”之間，然而也可以設(shè)置多個(gè)第三LED芯片12”’，例如在本發(fā)明實(shí)施例中有兩個(gè)第三LED芯片12”’。
[0081]第一鈍化層20，其設(shè)置于每一 LED芯片12的側(cè)邊，例如每一 N型層121、量子井層123、P型層124及透明導(dǎo)電氧化物層125的側(cè)邊。
[0082]共電連層30，其包括:第一電連層31、第二電連層32及第三電連層33。第一電連層31位于每一透明導(dǎo)電氧化物層125的表面上，第二電連層32位于每一 N型表面122上，而第三電連層33則是連接每一相鄰的第一電連層31及第二電連層32，并覆蓋每一 LED芯片12側(cè)邊的第一鈍化層20。換句話說(shuō)，第三電連層33從LED芯片12的第一電連層31端沿著LED芯片12的側(cè)邊延伸至相鄰的另一 LED芯片12的第二電連層32端，以使多個(gè)LED芯片12彼此串聯(lián)，形成高壓LED結(jié)構(gòu)。
[0083]形成共電連層30的材料可以與透明導(dǎo)電氧化物層125相同，透明的導(dǎo)電材料可以避免共電連層30擋住出光，而同時(shí)達(dá)到導(dǎo)電及提高發(fā)光效率的目的。
[0084]第二鈍化層40，其包覆第一鈍化層20及共電連層30，并覆蓋所有LED芯片12以形成平坦的鈍化表面41，進(jìn)而提供后續(xù)工藝進(jìn)行。
[0085]鏡面層50，其設(shè)置于鈍化表面41上，由于鈍化表面41十分平坦，故位于其上的鏡面層50也具有相同的水平高度，可以在同樣高度進(jìn)行光反射而得到反射量及強(qiáng)度一致的反射光，同時(shí)彼此之間沒(méi)有光程差的反射光可以往藍(lán)寶石基板11方向出光。其中，鏡面層50可以由分布布拉格反射鏡(DBR)及金屬組成，而金屬可以為鋁或銀。
[0086]兩接合金屬61，其分別在相對(duì)于第一 LED芯片12’上方附近的位置及在相對(duì)于第二 LED芯片12”上方附近的位置自鏡面層50的表面穿過(guò)鏡面層50及第二鈍化層40，以分別與第一 LED芯片12’的第一電連層31及第二 LED芯片12”的第二電連層32相接以形成電性連接。
[0087]兩接合金屬層70，其分別設(shè)置于鏡面層50上并一對(duì)一的與所述接合金屬61接合以形成電性連接，且所述接合金屬層70彼此分離以避免短路。其中，所述接合金屬層70的表面電鍍有金薄膜以增進(jìn)導(dǎo)電度。
[0088]如圖15所示，高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)100可以進(jìn)一步包括電路板80，其以電路板80上的導(dǎo)電金屬81與所述接合金屬層70電性連接，并將電性結(jié)合電路板80后的結(jié)構(gòu)倒置形成最終的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)100。其中，電路板80也可以為陶瓷電路板。
[0089]以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于包括: 提供芯片基板，其中該芯片基板包括:藍(lán)寶石基板；及多個(gè)LED芯片，彼此分離地形成于該藍(lán)寶石基板上，每一該LED芯片由下往上形成N型層、量子井層、P型層及透明導(dǎo)電氧化物層，且該N型層露出N型表面，所述LED芯片包括第一 LED芯片及第二 LED芯片； 沉積第一鈍化層，其在所述LED芯片周圍沉積該第一鈍化層； 形成共電連層，其在除去位在每一該透明導(dǎo)電氧化物層及每一該N型表面上的該第一鈍化層后，分別于每一該透明導(dǎo)電氧化物層及每一該N型表面上形成第一電連層及第二電連層，并形成第三電連層以連接該LED芯片的該第一電連層及相鄰的另一該LED芯片的該第二電連層，該第一電連層、該第二電連層及該第三電連層構(gòu)成該共電連層； 沉積第二鈍化層，其沉積于該第一鈍化層及該共電連層上并形成平坦的鈍化表面； 沉積鏡面層，其在該鈍化表面上沉積該鏡面層； 蝕刻兩導(dǎo)電通道，其分別由該鏡面層往下蝕刻至該第一 LED芯片的該第一電連層及往下蝕刻至該第二 LED芯片的該第二電連層以形成所述導(dǎo)電通道；以及 設(shè)置兩接合金屬層，其分別在每一該導(dǎo)電通道填充接合金屬，并設(shè)置所述接合金屬層于該鏡面層上，以分別與該接合金屬接合，且所述接合金屬層彼此分離。
2.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于進(jìn)一步包括形成多個(gè)微結(jié)構(gòu)于該藍(lán)寶石基板的背側(cè)表面。
3.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于進(jìn)一步包括結(jié)合電路板，其以所述接合金屬層與該電路板上的導(dǎo)電金屬電性連接。
4.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于其中該鏡面層由分布布拉格反射鏡及金屬組成。
5.如權(quán)利要求4所述的制造方法，其特征在于其中該金屬為鋁或銀。
6.如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于其中所述接合金屬層的表面電鍍有金薄膜。
7.一種高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)，其特征在于包括: 芯片基板，其中該芯片基板包括:藍(lán)寶石基板；及多個(gè)LED芯片，彼此分離地形成于該藍(lán)寶石基板上，每一該LED芯片由下往上形成N型層、量子井層、P型層及透明導(dǎo)電氧化物層，且該N型層露出N型表面，所述LED芯片包括第一 LED芯片及第二 LED芯片； 第一鈍化層，其設(shè)置于每一該LED芯片的側(cè)邊； 共電連層，其包括:第一電連層，其位于每一該透明導(dǎo)電氧化物層上；第二電連層，其位于每一該N型表面上；及第三電連層，其連接每一相鄰的該第一電連層及該第二電連層并覆蓋于每一該LED芯片側(cè)邊的該第一鈍化層； 第二鈍化層，其包覆該第一鈍化層及該共電連層以形成平坦的鈍化表面； 鏡面層，其設(shè)置于該鈍化表面上； 兩接合金屬，其穿過(guò)該鏡面層及該第二鈍化層以分別與該第一 LED芯片的該第一電連層及該第二 LED芯片的該第二電連層相接；以及 兩接合金屬層，其分別設(shè)置于該鏡面層上并與所述接合金屬接合，且所述接合金屬層彼此分尚。
8.如權(quán)利要求7所述的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)，其特征在于其進(jìn)一步包括電路板，其以導(dǎo)電金屬與所述接合金屬層電性連接。
9.如權(quán)利要求7所述的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該鏡面層由分布布拉格反射鏡及金屬組成。
10.如權(quán)利要求9所述的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該金屬為鋁或銀。
11.如權(quán)利要求7所述的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述接合金屬層的表面電鍍有金薄膜。
12.如權(quán)利要求7所述的高壓覆晶LED結(jié)構(gòu)，其特征在于其中該藍(lán)寶石基板的背側(cè)表面進(jìn)一步包括多個(gè) 微結(jié)構(gòu)。
【文檔編號(hào)】H01L33/00GK103915530SQ201310002699
【公開(kāi)日】2014年7月9日 申請(qǐng)日期:2013年1月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年1月5日
【發(fā)明者】陳明鴻, 許世昌 申請(qǐng)人:海立爾股份有限公司