專利名稱：層疊陶瓷電子部件的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及層疊陶瓷電子部件的制造方法。
背景技術(shù)：
近幾年，隨著移動電話或便攜式音樂播放器等電子設(shè)備的小型化的推進(jìn)，搭載于電子設(shè)備的層疊陶瓷電容器等層疊陶瓷電子部件的小型化得到迅速發(fā)展。例如，在專利文獻(xiàn)I中作為層疊陶瓷電容器的制造方法而記載了如下方法:使沿著垂直于厚度方向的第I方向排列的切割刀刃在厚度方向上移動來切削在內(nèi)部形成了內(nèi)部電極形成用的導(dǎo)電膜的主陶瓷層疊體，在形成長條狀之后，進(jìn)一步使沿著厚度方向及垂直于第I方向的第2方向排列的切割刀刃在厚度方向上移動來切削所述主陶瓷層疊體，從而獲得長方體狀的電子部件主體。在先技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I特開昭61-248413號公報近幾年，從實現(xiàn)層疊陶瓷電子部件的高性能化的觀點(diǎn)出發(fā)，推進(jìn)了位于第I內(nèi)部電極與第2內(nèi)部電極之間的陶瓷層的薄膜化。若通過專利文獻(xiàn)I記載的制造方法制造該陶瓷層薄的層疊陶瓷電子部件，則存在容易產(chǎn)生第I內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極之間的短路的問題。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明鑒于這一點(diǎn)而完成，其目的在于，提供一種即使是陶瓷層薄的層疊陶瓷電子部件也不易產(chǎn)生第I及第2內(nèi)部電極間的短路且能夠很好地制造的方法。在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電子部件的制造方法中，進(jìn)行準(zhǔn)備工序:準(zhǔn)備具有長方體狀的陶瓷層疊體主體、第I內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極的陶瓷層疊體，其中，所述陶瓷層疊體主體具有沿著長度方向及寬度方向延伸的第I及第2主面、沿著長度方向及厚度方向延伸的第I及第2側(cè)面、和沿著寬度方向及厚度方向延伸的第I及第2端面；所述第I內(nèi)部電極在陶瓷層疊體主體的內(nèi)部被設(shè)置成與第I及第2主面平行，且露出于第I端面以及所述第I及第2側(cè)面；所述第2內(nèi)部電極在陶瓷層疊體主體的內(nèi)部被設(shè)置成隔著陶瓷層在厚度方向上與第I內(nèi)部電極對置，且露出于第2端面以及第I及第2側(cè)面。在準(zhǔn)備工序中，層疊在表面上形成了用于構(gòu)成第I或第2內(nèi)部電極的導(dǎo)電膜的陶瓷生片(green sheet)，來制造陶瓷生片層疊體。進(jìn)行切斷陶瓷生片層疊體來形成使第I及第2內(nèi)部電極中的任一方露出的第I及第2端面的第I切斷工序。進(jìn)行切斷陶瓷生片層疊體來形成使第I及第2內(nèi)部電極這兩個電極露出的第I及第2側(cè)面的第2切斷工序。在第2切斷工序中，通過使切割刀刃沿著長度方向或?qū)挾确较蛞苿?，從而切削陶瓷生片層疊體。在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電子部件的制造方法的某一特定方式中，陶瓷生片的厚度在1.5 μ m以下。
在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電子部件的制造方法的其他特定方式中，在第I切斷工序中，將陶瓷生片層疊體切斷成長條狀，在使長條體粘接在基盤上的狀態(tài)下進(jìn)行第2切斷工序。在本發(fā)明所涉及的層疊陶瓷電子部件的制造方法的又一特定方式中，電子部件的制造方法在所述第I及第2切斷工序之前，還具備切除陶瓷生片層疊體的外周部來使導(dǎo)電膜露出的工序。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種即使是陶瓷層薄的層疊陶瓷電子部件也不易產(chǎn)生第I及第2內(nèi)部電極間的短路且能夠很好地制造的方法。


圖1是第I實施方式中的層疊陶瓷電子部件的簡略立體圖。圖2是在圖1中的I1-1I線切出的部分的簡略剖視圖。圖3是在圖1中的II1-1II線切出的部分的簡略剖視圖。圖4是在圖3中的IV-1V線切出的部分的簡略剖視圖。圖5是在圖3中的V-V線切出的部分的簡略剖視圖。圖6是印刷了導(dǎo)電性糊劑的陶瓷生片的示意性俯視圖。圖7是陶瓷生片層疊體的示意性分解側(cè)視圖。

圖8是用于說明第2切斷工序的示意性立體圖。圖9是用于說明第2切斷工序的示意性立體圖。圖10是原始陶瓷層疊體的示意性立體圖。圖11是原始陶瓷層疊體的簡略剖視圖。圖12是原始陶瓷層疊體的簡略剖視圖。圖13是原始陶瓷坯體的示意性立體圖。圖14是用于說明在第2切斷工序中沿著導(dǎo)電膜的層疊方向切斷了陶瓷生片層疊體的情況的簡略剖視圖。圖15是第2實施方式中的陶瓷生片的示意性俯視圖。圖16是第2實施方式中的陶瓷生片層疊體的示意性分解側(cè)視圖。圖17是用于說明第2實施方式的第I切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。圖18是用于說明第2實施方式的第2切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。圖19是用于說明第2實施方式的第2切斷工序中的切割線的示意性側(cè)視圖。圖20是第3實施方式中的陶瓷生片的示意性俯視圖。圖21是用于說明第3實施方式中的陶瓷生片的層疊工序的示意性俯視圖。圖22是用于說明第3實施方式的第I切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。圖23是用于說明第3實施方式的第2切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。符號說明1...層疊陶瓷電子部件9…電子部件主體10…陶瓷坯體
IOa…第I主面IOb…第2主面IOc…第I側(cè)面IOd…第2側(cè)面IOe…第I端面IOf…第2端面IOg…陶瓷層I Oh…保護(hù)部11…第I內(nèi)部電極12...第2內(nèi)部電 極13…第I外部電極14…第2外部電極20…陶瓷生片21...導(dǎo)電膜22…陶瓷生片層疊體23…陶瓷層疊體24…陶瓷層疊體主體24a…第I主面24b…第2主面24c…第I側(cè)面24d…第2側(cè)面24e…第I端面24f…第2端面24g…陶瓷層29a、29b …保護(hù)部30…陶瓷坯體31...長條體31a…第I側(cè)面31b…第2側(cè)面41、42…切割刀刃43…基盤50…陶瓷生片50a…導(dǎo)電部50b…線狀陶瓷部60…陶瓷生片60a…導(dǎo)電部60b…線狀陶瓷部60(τ..點(diǎn)狀陶瓷部
具體實施例方式以下，說明實施了本發(fā)明的優(yōu)選方式的一例。但是，下述的實施方式是簡單的例示。本發(fā)明并不限于下述的實施方式。此外，在實施方式等中參考的各附圖中，對實質(zhì)上具有同一功能的部件附加同一符號來進(jìn)行參考。此外，在實施方式等中所參考的附圖僅僅是示意性記載，附圖中描繪的物體的尺寸的比率等有時不同于現(xiàn)實物體的尺寸的比率等。附圖相互之間，有時物體的尺寸比率等也會不同。具體的物體的尺寸比率等應(yīng)參考以下的說明來判斷。(第I實施方式)(層疊陶瓷電子部件I的結(jié)構(gòu))圖1是第I實施方式中的層疊陶瓷電子部件的簡略立體圖。圖2是在圖1中的I1-1I線切出的部分的簡略剖視圖。圖3是在圖1中的II1-1II線切出的部分的簡略剖視圖。圖4是在圖3中的IV-1V線切出的部分的簡略剖視圖。圖5是在圖3中的V-V線切出的部分的簡略剖視圖。首先，參照圖1 圖5，說明在本實施方式中制造的層疊陶瓷電子部件I的結(jié)構(gòu)。如圖1 3所示，層疊陶瓷電子部件I具備長方體狀的陶瓷坯體10。陶瓷坯體10具有沿著長度方向L及寬度方向W延伸的第I及第2主面10a、10b。如圖1及圖3所示，陶瓷坯體10具有沿著厚度方向T及長度方向L延伸的第I及第2側(cè)面10c、10d。此外，如圖2所示，具有沿著厚度方向T及寬度方向W延伸的第I及第2端面10e、10f。另外，在本發(fā)明中 ，“長方體狀”包括角部或棱角部圓滑的長方體。即，“長方體狀”的部件意味著具有第I及第2主面、第I及第2側(cè)面以及第I及第2端面的全部部件。此夕卜，也可以在主面、側(cè)面、端面的一部分或全部中形成凹凸等。陶瓷坯體10的尺寸沒有特別限定，例如，可以將陶瓷坯體10的高度尺寸、長度尺寸及寬度尺寸分別設(shè)為0.1mm IOmm左右。陶瓷坯體10由適當(dāng)?shù)奶沾芍破窐?gòu)成。構(gòu)成陶瓷坯體10的陶瓷制品的種類科根據(jù)期望的層疊陶瓷電子部件I的特性來適當(dāng)選擇。例如，在層疊陶瓷電子部件I為電容器的情況下，可由電介質(zhì)陶瓷形成陶瓷坯體10。作為電介質(zhì)陶瓷的具體例，例如可列舉BaTi03、CaTiO3> SrTiO3> CaZrO3等。例如，在層疊陶瓷電子部件I為壓電部件的情況下，可由壓電陶瓷形成陶瓷坯體
10。作為壓電陶瓷的具體例，例如可列舉PZT(鋯鈦酸鉛陶瓷)系陶瓷等。例如，在層疊陶瓷電子部件I為熱敏電阻的情況下，可由半導(dǎo)體陶瓷形成陶瓷坯體10。作為半導(dǎo)體陶瓷的具體例，例如可列舉尖晶石系陶瓷等。例如，在層疊陶瓷電子部件I為電感器的情況下，可由磁性體陶瓷形成陶瓷坯體
10。磁性體陶瓷的具體例，例如可列舉鐵氧體陶瓷等。如圖2及圖3所示，在陶瓷坯體10的內(nèi)部沿著厚度方向T以等間隔交替地配置大致長條狀的多個第I及第2內(nèi)部電極11、12。第I及第2內(nèi)部電極11、12分別與第I及第2主面10a、10b平行。第I及第2內(nèi)部電極11、12在厚度方向T上隔著陶瓷層IOg而相互對置。另外，陶瓷層IOg的厚度優(yōu)選在1.5μπι以下。由此，通過使陶瓷層IOg較薄，能夠?qū)崿F(xiàn)層疊陶瓷電子部件I的高性能化。
第I內(nèi)部電極11露出于第I端面10e，在第I及第2主面IOaUObj I及第2側(cè)面10c、10d以及第2端面IOf上并沒有露出。另一方面，第2內(nèi)部電極12露出于第2端面IOf，在第I及第2主面10a、10b、第I及第2側(cè)面10c、10d以及第I端面IOe上并沒有露出。因此，第I內(nèi)部電極11和第2內(nèi)部電極12在陶瓷坯體10的長度方向L的中央部且寬度方向W的中央部沿著厚度方向T對置。該第I內(nèi)部電極11和第2內(nèi)部電極12在厚度方向T上對置的部分構(gòu)成實現(xiàn)層疊陶瓷電子部件I的功能的有效部。如圖3所示，在陶瓷坯體10的寬度方向W的兩側(cè)部分設(shè)有未設(shè)置第I及第2內(nèi)部電極11、12的保護(hù)部10h。該保護(hù)部IOh不對層疊陶瓷電子部件I的功能作貢獻(xiàn)。因此，從實現(xiàn)層疊陶瓷電子部件I的高性能化的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選保護(hù)部IOh越薄越好。例如，在層疊陶瓷電子部件I為陶瓷電容器的情況下，保護(hù)部IOh越薄，能夠使靜電電容越大。但是，若保護(hù)部IOh過于薄或者不設(shè)置保護(hù)部10h，則從空氣中水分侵入到第I內(nèi)部電極11與第2內(nèi)部電極12之間而導(dǎo)致耐濕性下降，因此是不優(yōu)選的。保護(hù)部IOh沿著寬度方向W的尺寸例如優(yōu)選在0.02mm 0.5mm左右。第I及第2內(nèi)部電極11、12可通過適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料構(gòu)成。第I及第2內(nèi)部電極
11、12例如由合金(例如、Ag-Pd合金等)構(gòu)成,該合金包含從由N1、Cu、Ag、Pd及Au構(gòu)成的組中選出的金屬或從由N1、Cu、Ag、Pd及Au構(gòu)成的組中選出的一種以上的金屬。如圖1及圖2所示，層疊陶瓷電子部件I具備第I及第2外部電極13、14。如圖2及圖4所示，第I外部電極13與第I內(nèi)部電極11連接。另一方面，如圖2及圖5所示，第2外部電極14與第2內(nèi)部電極12連接。如圖1、圖2、圖4及圖5所示，第I及第2外部電極13、14分別形成為從兩端面IOeUOf到達(dá)第I及第2主面10 a、IOb以及第I及第2側(cè)面10c、10d。換言之，第I及第2外部電極13、14各自的一部分位于第I及第2主面10a、IOb以及第I及第2側(cè)面10c、10d上。詳細(xì)而言，第I外部電極13具有在第I端面IOe上形成的第I部分13a、在第I主面IOa上形成的第2部分13b、在第2主面IOb上形成的第3部分13c、在第I側(cè)面IOc上形成的第4部分13d、和在第2側(cè)面IOd上形成的第5部分13e。第2外部電極14具有在第2端面IOf上形成的第I部分14a、在第I主面IOa上形成的第2部分14b、在第2主面IOb上形成的第3部分14c、在第I側(cè)面IOc上形成的第4部分14d、和在第2側(cè)面IOd上形成的第5部分14e。通過第2內(nèi)部電極12和保護(hù)部10h，，使第I外部電極13的第4部分13d及第5部分13e電絕緣。通過第I內(nèi)部電極11和保護(hù)部10h，使第2外部電極14的第4部分14d及第5部分14e電絕緣。第I及第2外部電極13、14可通過適當(dāng)?shù)膶?dǎo)電材料構(gòu)成。此外，第I及第2外部電極13、14也可以由多層導(dǎo)電膜構(gòu)成。在本實施方式中，具體而言，第I及第2外部電極13、14分別具有在第1、第2端面10e、10f上形成的由I個或多個導(dǎo)電膜構(gòu)成的基底層、和在基底層上形成的I個或多個
鍍覆層?；讓永缈捎蓪?dǎo)電性樹脂層構(gòu)成，該導(dǎo)電性樹脂層由燒結(jié)金屬層、鍍覆層、或者向熱固化性樹脂或光固化性樹脂添加導(dǎo)電性填料的導(dǎo)電性樹脂構(gòu)成。燒結(jié)金屬層可以通過同時燒成第I及第2內(nèi)部電極11、12的共燒(cofiring)形成，也可以通過涂敷導(dǎo)電性糊劑后進(jìn)行燒盡的后燒(post firing)形成。包含在基底層中的導(dǎo)電材料并沒有特別限定，作為包含在基底層中的導(dǎo)電材料的具體例，例如可以列舉Cu、N1、Ag、Pd、Au等金屬、包含Ag-Pd等上述金屬中的I種以上的合
全坐
W.-rf* ο基底層的最大厚度例如可以設(shè)為20 μ m 100 μ m。鍍覆層例如可通過Cu、N1、Sn, Ag、Pd、Au等金屬、包含Ag-Pd等上述金屬中的I種以上的合金等形成。鍍覆層每I層的最大厚度例如可設(shè)為Ιμπι ΙΟμπι。另外，在基底層與鍍覆層之間可配置應(yīng)力緩和用的樹脂層。(層疊陶瓷電子部件I的制造方法)圖6是印刷了導(dǎo)電性糊劑的陶瓷生片的示意性俯視圖。圖7是陶瓷生片層疊體的示意性分解側(cè)視圖。圖8是用于說明第2切斷工序的示意性立體圖。圖9是用于說明第2切斷工序的示意性立體圖。圖10是原始陶瓷層疊體的示意性立體圖。圖11是原始陶瓷層疊體的簡略剖視圖。圖12是原始陶瓷層疊體的簡略剖視圖。圖13是原始陶瓷坯體的示意性立體圖。圖14是在第2切斷工序中用于說明沿著導(dǎo)電膜的層疊方向切斷了陶瓷生片層疊體的情況的簡略剖視圖。接著，主要 參照圖6 圖14，說明本實施方式中的層疊陶瓷電子部件I的制造方法。首先，制造多個用于形成陶瓷坯體10的陶瓷生片20 (參照圖6)。陶瓷印刷電路基例如可通過以下的要領(lǐng)制作。首先，準(zhǔn)備陶瓷粉末、分散劑、和根據(jù)需要包含粘合劑等的陶瓷糊劑?？梢詫⒃撎沾珊齽┮员“鍫钣∷⒊蓸渲∧さ缺∧睿ㄟ^進(jìn)行干燥來制造陶瓷生片20。另外，陶瓷糊劑的印刷例如可通過壓膜法、螺旋輥涂法、微螺旋輥涂法等來進(jìn)行。另外，在本實施方式中，陶瓷生片20的厚度在1.5μπι以下。由此，能夠使陶瓷層IOg較薄。因此，能夠使層疊陶瓷電容器高電容化。接著，在陶瓷生片20上形成用于形成內(nèi)部電極11、12的導(dǎo)電膜21。具體而言，在X方向上相互隔著間隔以條紋狀印刷多個導(dǎo)電膜21。導(dǎo)電膜21的印刷例如可通過絲網(wǎng)印刷法、噴墨印刷法、照相凹版印刷法等來進(jìn)行。導(dǎo)電膜21的厚度例如在1.5 μ m。接著，如圖7所示，層疊多個未印刷導(dǎo)電膜21的陶瓷生片20之后，在垂直于導(dǎo)電膜21延伸的方向y的方向X上使彼此錯開來層疊多個印刷了導(dǎo)電膜21的陶瓷生片20。接著，進(jìn)一步在該基板上層疊多個未印刷導(dǎo)電膜21的陶瓷生片20。由此，完成陶瓷生片層疊體22。也可以根據(jù)需要在厚度方向z上對陶瓷生片層疊體22進(jìn)行等靜壓壓制。通過將該陶瓷生片層疊體分割為多個，從而制作圖10 圖12所示的原始陶瓷層疊體23。通過以上的要領(lǐng)進(jìn)行準(zhǔn)備原始陶瓷層疊體23的準(zhǔn)備工序。原始陶瓷層疊體23具有長方體狀的陶瓷層疊體主體24。陶瓷層疊體主體24具有第I及第2主面24a、24b、第I及第2側(cè)面24c、24d、和第I及第2端面24e、24f。第I及第2主面24a、24b沿著長度方向L及寬度方向W延伸。第I及第2側(cè)面24c、24d沿著長度方向L及厚度方向T延伸。第I及第2端面24e、24f沿著寬度方向W及厚度方向T延伸。在陶瓷層疊體主體24的內(nèi)部形成由導(dǎo)電膜21構(gòu)成的第I及第2內(nèi)部電極11、12。第I內(nèi)部電極11與第I及第2主面24a、24b平行。第I內(nèi)部電極11露出于第I端面24e以及第I及第2側(cè)面24c、24d。第I內(nèi)部電極11未露出于第2端面24f。第2內(nèi)部電極12與第I及第2主面24a、24b平行。第2內(nèi)部電極12露出于第2端面24f以及第I及第2側(cè)面24c、24d。第2內(nèi)部電極12并未露出于第I端面24e。第I內(nèi)部電極11和第2內(nèi)部電極12隔著陶瓷層24g在厚度方向T上對置。接著，如圖13所示，在原始陶瓷層疊體23上設(shè)置保護(hù)部29a、29b。具體而言，首先，準(zhǔn)備陶瓷粉末、分散劑、和根據(jù)需要包含粘合劑等的陶瓷糊劑。該陶瓷糊劑也可以是與在陶瓷生片20的形成中所使用的陶瓷糊劑相同種類的糊劑。接著，在原始陶瓷層疊體23的第I及第2側(cè)面24c、24d的各個側(cè)面上以覆蓋第I及第2內(nèi)部電極11、12的方式涂敷陶瓷糊劑，并使其干燥。由此，形成第I及第2保護(hù)部29a、29b，獲得具有第I及第2保護(hù)部29a、29b、和原始陶瓷層疊體23的原始陶瓷坯體30。此外，也可以向陶瓷生片按壓原始陶瓷層疊體23，并沖孔，將陶瓷生片粘貼到原始陶瓷層疊體23上，從而形成保護(hù)部。對通過以上的要領(lǐng)制造的原始陶瓷坯體30進(jìn)行燒成，從而能夠完成原始陶瓷坯體30被燒成而形成的陶瓷坯體10、和具有第I及第2內(nèi)部電極11、12的電子部件主體9。另外，保護(hù)部IOh由保護(hù)部29a、29b被燒成而形成的陶瓷層構(gòu)成。最后，通過形成第I及第2外部電極13、14，能夠完成層疊陶瓷電子部件I。第I及第2外部電極13、14的形成例如涂敷導(dǎo)電性糊劑并使其燒盡來形成，也可以通過鍍覆法來形成。接著，參照圖7 圖9，詳細(xì)說明本實施方式中的分割陶瓷生片層疊體22的工序。首先，通過切除陶瓷生片層疊體22的外周部，在陶瓷生片層疊體22的4個端面上使導(dǎo)電膜21或者切斷用的位置標(biāo)記露出。在切除了外周部的陶瓷生片層疊體22的X方向的兩側(cè)端面、和I方向兩側(cè)端面中，露出 的導(dǎo)電膜21或者標(biāo)記的形狀不同。因此，如本實施方式所示，通過預(yù)先切除陶瓷生片層疊體22的外周部，從而容易識別在陶瓷生片層疊體22內(nèi)配置的導(dǎo)電膜21延伸的方向。接著，進(jìn)行第I切斷工序。具體而言，使沿著在y方向上延伸的第I切割線CLl排列的切割刀刃41在z方向上移動，從而切削陶瓷生片層疊體22。由此，形成圖10所示的第I及第2端面24e、24f。即，形成多個具有作為第I及第2端面24e、24f的第I及第2側(cè)面31a,31b的長條體31。接著，進(jìn)行第2切斷工序。具體而言，通過根據(jù)圖8所示的切割線CL2切斷長條體31，從而形成第I及第2側(cè)面24c、24d，完成圖10所示的原始陶瓷層疊體23。在該第2切斷工序中，使沿著z方向(層疊方向)排列的切割刀刃42在垂直于z方向(導(dǎo)電膜21的層疊方向)的X方向上移動，從而沿著z方向及X方向切削長條體31。更具體而言，在由彈性體構(gòu)成的基盤43上以第I側(cè)面31a朝上的方式相互平行地保持多個長條體31。在該狀態(tài)下，使沿這z方向及y方向排列的切割刀刃42(在圖9中未圖示)在X方向上移動，從而切削長條體31。通過反復(fù)進(jìn)行該切削工序，從而由長條體31制造多個原始陶瓷層疊體23。另外，也可以同時切削多個長條體31。此時，進(jìn)一步提高切斷效率。如本實施方式所示，通過在由彈性體構(gòu)成的基盤43上保持長條體31，從而例如即使在長條體31的上表面上形成因?qū)щ娔?1引起的凸部，也能夠很好地固定。因此，能夠很好地進(jìn)行第2切斷工序。
但是，從制造容易性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選陶瓷生片層疊體22的分割在第2切斷工序中也如圖14所示那樣使切割刀刃42沿著z方向移動來進(jìn)行切削。這是因為此時在第I切斷工序和第2切斷工序之間，不需要進(jìn)行使長條體31旋轉(zhuǎn)后固定的工序，能夠簡化制造工序。但是，在如本實施方式那樣陶瓷層IOg的厚度薄到1.5μπι的情況下，切割刀刃42沿著ζ方向移動的同時，陶瓷生片20及導(dǎo)電膜21的切斷部附近在ζ方向上產(chǎn)生位移。由此，有時要形成的第I及第2內(nèi)部電極會短路。相對于此，在本實施方式中，如圖8所示，在第2切斷工序中，使沿著Z方向排列的切割刀刃42在垂直于層疊方向即ζ方向的X方向上移動，從而進(jìn)行長條體31的切斷。因此，切削的同時，導(dǎo)電膜21很難產(chǎn)生變形，很難產(chǎn)生第I及第2內(nèi)部電極11、12間的短路。因此，即使是陶瓷層IOg薄的層疊陶瓷電子部件1，也能夠很好地以高成品率制造。特別是層疊陶瓷電子部件I為電容器的情況下，通過使陶瓷層IOg較薄，從而獲得高的電容，并且能夠以聞成品率制造。以下，說明本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的其他例。在以下的說明中，對于與上述第I實施方式實質(zhì)上具有共同功能的部件附加共同的符號，并省略說明。(第2及第3實施方式)圖15是第2實施方式中的陶瓷生片的示意性俯視圖。圖16是第2實施方式中的陶瓷生片層疊體的示意性分解側(cè)視圖。圖17是用于說明第2實施方式的第I切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。圖18是用于說明第2實施方式的第2切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。圖19是用于說明第2實施方式的第2切斷工序中的切割線的示意性側(cè)視圖。圖20是第3實施方式中的陶瓷生片的示意性俯視圖。圖21是用于說明第3實施方式中的陶瓷生片的層疊工序的示意性俯視圖。圖22是用于說明第3實施方式的第I切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。圖23是用于說明第3實施方式的第2切斷工序中的切割線的示意性俯視圖。在上述第I實施方式中，說明了利用多個導(dǎo)電膜21形成為條紋狀的陶瓷生片20形成陶瓷生片層疊體22的例。但是，本發(fā)明并不限于此。例如，也可以如以下那樣形成陶瓷生片層疊體22。在第2實施方式中，與圖6所示的僅由陶瓷部構(gòu)成的陶瓷生片20—起，如圖15所示那樣，準(zhǔn)備具有導(dǎo)電部50a、和經(jīng)過設(shè)置在導(dǎo)電部50a中的多個貫通孔后露出于表面的多個線狀陶瓷部50b的陶瓷生片50。接著，如圖16所示，在層疊了多個陶瓷生片20的基礎(chǔ)上，以線狀陶瓷部50b的位置沿著y方向交替地錯開的方式層疊多個陶瓷生片50，進(jìn)一步在這上面層疊多個陶瓷生片20，從而形成陶瓷生片層疊體22。此時，在第I切斷工序中，如圖17所示，使沿著在與線狀陶瓷部50b延伸的方向平行的X方向上延伸的切割線CLll排列的切割刀刃在ζ方向上移動來切削陶瓷生片層疊體22，從而形成長條體31，在第2切斷工序中，如圖18及圖19所示，使沿著在ζ方向上延伸的切割線CL12的切割刀刃42在與層疊方向即ζ方向垂直的y方向上移動，從而切削長條體31。此時，也與第I實施方式相同，即使是陶瓷層IOg薄的高性能的層疊陶瓷電子部件1，也能夠很好地以高成品率制造。在第3實施方式中，與圖6所示的僅由陶瓷部構(gòu)成的陶瓷生片20 —起，如圖20所示那樣，準(zhǔn)備具有導(dǎo)電 部60a、經(jīng)過設(shè)置在導(dǎo)電部60a中的多個貫通孔后露出于表面的多個線狀陶瓷部60b、和多個點(diǎn)狀陶瓷部60c的陶瓷生片60。在y方向上相互隔著間隔排列多個線狀陶瓷部60b。在y方向上相鄰的線狀陶瓷部60b之間，沿著X方向相互隔著間隔而排列多個點(diǎn)狀陶瓷部60c。接著，在層疊了多個陶瓷生片20的基礎(chǔ)上，如圖21所示，將多個陶瓷生片60層疊成在ζ方向上與線狀陶瓷部60b和點(diǎn)狀陶瓷部60c重疊，并且在陶瓷生片60上層疊多個陶瓷生片20，從而形成陶瓷生片層疊體22。此時，在第I切斷工序中，如圖22所示那樣，使沿著在與線狀陶瓷部60b延伸的方向平行的X方向上延伸的切割線CL21排列的切割刀刃在ζ方向上移動，從而切削陶瓷生片層疊體22來形成長條體31，在第2切斷工序中，如圖23所示那樣，使沿著在ζ方向上延伸的切割線CL22的切割刀刃42在垂直于層疊方向即ζ方向的y方向上移動，從而切削長條體31。此時，也與第I實施方式相同，即使是陶瓷層IOg薄的高性能的層疊陶瓷電子部件1，也能夠很好地以高成品率制造。(實施例)在第I實施方式所涉及的制造方法中，在下述的條件下約制造了 3000個與第I實施方式所涉及的層疊陶瓷電子部件I相同的層疊陶瓷電子部件。接著，從約3000個樣品中抽出200個樣品，測量有無第I及第2內(nèi)部電極11、12間的短路，計算出產(chǎn)生了短路的不合格率。結(jié)果如表I所示。陶瓷坯體10的長度:1.2mm陶瓷坯體10的寬度:0.6mm陶瓷坯體10的厚度:0.6mm內(nèi)部電極的厚度:0.4μπι陶瓷生片的層疊數(shù):500層陶瓷生片的厚度:1.5μπι、1.2 μπι、1.Ομπι 或 0.7μπι(比較例)在第2切斷工序中使切割刀刃沿著層疊方向即ζ方向移動來進(jìn)行切削以外，與實施例相同地制造了約3000個層疊陶瓷電容器。接著，從約3000個樣品中抽出200個樣品，測量有無第I及第2內(nèi)部電極11、12間的短路，計算出產(chǎn)生了短路的不合格率。結(jié)果如表I所示。表I
權(quán)利要求
1.一種層疊陶瓷電子部件的制造方法，包括:準(zhǔn)備工序，準(zhǔn)備具有長方體狀的陶瓷層疊體主體、第I內(nèi)部電極和第2內(nèi)部電極的陶瓷層疊體，其中，所述陶瓷層疊體主體具有沿著長度方向及寬度方向延伸的第I及第2主面、沿著長度方向及厚度方向延伸的第I及第2側(cè)面、和沿著寬度方向及厚度方向延伸的第I及第2端面；所述第I內(nèi)部電極在所述陶瓷層疊體主體的內(nèi)部被設(shè)置成與所述第I及第2主面平行，且露出于所述第I端面以及所述第I及第2側(cè)面；所述第2內(nèi)部電極在所述陶瓷層疊體主體的內(nèi)部被設(shè)置成隔著陶瓷層在厚度方向上與所述第I內(nèi)部電極對置，且露出于所述第2端面以及所述第I及第2側(cè)面， 所述準(zhǔn)備工序包括: 層疊在表面上形成了用于構(gòu)成所述第I或第2內(nèi)部電極的導(dǎo)電膜的陶瓷生片，來制造陶瓷生片層疊體的工序； 切斷所述陶瓷生片層疊體來形成使所述第I及第2內(nèi)部電極中的任一方露出的所述第I及第2端面的第I切斷工序；和 切斷所述陶瓷生片層疊體來形成使所述第I及第2內(nèi)部電極這兩個電極露出的所述第I及第2側(cè)面的第2切斷工序， 在所述第2切斷工序中，通過使切割刀刃沿著長度方向或?qū)挾确较蛞苿?，從而切削所述陶瓷生片層疊體。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的層疊陶瓷電子部件的制造方法，其中， 所述陶瓷生片的厚度在1.5μπι以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的層疊陶瓷電子部件的制造方法，其中， 在所述第I切斷工 序中，將所述陶瓷生片層疊體切斷成長條狀，在使所述長條體粘接在基盤上的狀態(tài)下進(jìn)行所述第2切斷工序。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3的任一項所述的層疊陶瓷電子部件的制造方法，其中， 在所述第I及第2切斷工序之前，還具備切除所述陶瓷生片層疊體的外周部來使所述導(dǎo)電膜露出的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種即使是陶瓷層薄的層疊陶瓷電子部件也很難產(chǎn)生第1及第2內(nèi)部電極間的短路且能夠很好地制造的方法。層疊在表面上形成了用于構(gòu)成第1或第2內(nèi)部電極(11、12)的導(dǎo)電膜(21)的陶瓷生片(20)，來制造陶瓷生片層疊體(22)。進(jìn)行切斷陶瓷生片層疊體(22)來形成使第1及第2內(nèi)部電極(11、12)中的任一方露出的第1及第2端面(24e、24f)的第1切斷工序。進(jìn)行切斷陶瓷生片層疊體(22)來形成使第1及第2內(nèi)部電極(11、12)這兩個電極露出的第1及第2側(cè)面(24c、24d)的第2切斷工序。在第2切斷工序中，使切割刀刃(42)沿著長度方向或?qū)挾确较蛞苿觼砬邢魈沾缮瑢盈B體(22)。
文檔編號H01G4/30GK103247442SQ20131004605
公開日2013年8月14日 申請日期2013年2月5日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月7日
發(fā)明者田中淳也, 堤啟恭 申請人:株式會社村田制作所