有機(jī)電致發(fā)光器件及其封裝方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其封裝方法，該器件包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、陰極及層疊于陰極的5～7個(gè)保護(hù)層，每個(gè)保護(hù)層包括層疊的有機(jī)阻擋層及無機(jī)阻擋層；有機(jī)阻擋層由酞菁銅、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-聯(lián)苯-4,4'-二胺、(8-羥基喹啉)-鋁、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2,9-二甲基-4,7-聯(lián)苯-1,10-鄰二氮雜菲形成，無機(jī)阻擋層由氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種與硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅及硫化鎳中的一種混合形成，使器件的使用壽命較長。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其封裝方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電致發(fā)光【技術(shù)領(lǐng)域】，特別是涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其封裝方法。

【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層,發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]OLED器件具有主動(dòng)發(fā)光、發(fā)光效率高、功耗低、輕、薄、無視角限制等優(yōu)點(diǎn)，被業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的新一代器件。作為一項(xiàng)嶄新的照明和顯示技術(shù)，OLED技術(shù)在過去的十多年里發(fā)展迅猛，取得了巨大的成就。由于全球越來越多的照明和顯示廠家紛紛投入研發(fā)，大大的推動(dòng)了 OLED的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程，使得OLED產(chǎn)業(yè)的成長速度驚人，目前已經(jīng)到達(dá)了大規(guī)模量產(chǎn)的前夜。
[0004]然而,OLED中的發(fā)光層對于大氣中的污染物、氧氣、水汽等十分敏感,在污染物、氧氣及水汽等的作用下發(fā)生化學(xué)反應(yīng)會(huì)導(dǎo)致發(fā)光量子效率的降低，而陰極一般由較活潑的金屬形成，在空氣或氧氣中易受侵蝕，從而導(dǎo)致OLED的穩(wěn)定性較差，使用壽命較短。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]基于此，有必要提供一種使用壽命較長的有機(jī)電致發(fā)光器件及其封裝方法。
[0006]—種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，還包括層疊于所述陰極上的5?7個(gè)保護(hù)層，每個(gè)保護(hù)層包括有機(jī)阻擋層及層疊于所述有機(jī)阻擋層上的無機(jī)阻擋層；其中，所述有機(jī)阻擋層由酞菁銅、N, N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)-1, I’ -聯(lián)苯-4，4’ - 二胺、(8-羥基喹啉)-鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲形成，所述無機(jī)阻擋層由氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種與硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅及硫化鎳中的一種混合形成。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種占所述無機(jī)阻擋層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10?30%。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述有機(jī)阻擋層的厚度為200納米?300納米。
[0009]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述無機(jī)阻擋層的厚度為100納米?200納米。
[0010]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，包括如下步驟:
[0011]步驟一:提供陽極，采用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層；
[0012]步驟二:采用真空蒸鍍在所述空穴注入層上形成空穴傳輸層；
[0013]步驟三:采用真空蒸鍍在所述空穴傳輸層上形成發(fā)光層；
[0014]步驟四:采用真空蒸鍍在所述發(fā)光層上形成電子傳輸層；
[0015]步驟五:采用真空蒸鍍在所述電子傳輸層上形成電子注入層；
[0016]步驟六:采用真空蒸鍍在所述電子注入層上陰極；
[0017]步驟七:采用真空蒸鍍在所述陰極上形成有機(jī)阻擋層，所述有機(jī)阻擋層由酞菁銅、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、(8-羥基喹啉)-鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲形成；
[0018]步驟八:采用真空蒸鍍在所述有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層，所述無機(jī)阻擋層由氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種與硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅及硫化鎳中的一種混合形成，所述有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層形成一個(gè)保護(hù)層；
[0019]步驟九:交替重復(fù)所述步驟七和所述步驟八4至6次，在所述陰極上形成5?7個(gè)保護(hù)層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0020]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述步驟七?步驟九中，真空蒸鍍的真空度為lX10_5Pa?I X KT3Pa。
[0021]在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述步驟七?步驟九中，蒸發(fā)速度為0.5A/s?5 A/s。
[0022]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述采用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層的步驟之前，還包括對陽極的清洗步驟，所述清洗步驟為:將所述陽極依次放入丙酮、乙醇、去離子水及乙醇中進(jìn)行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烘干?br> [0023]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述清洗步驟完成之后，所述采用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層的步驟之前還包括對所述陽極進(jìn)行表面活化處理的步驟，所述活化處理的步驟為:采用紫外-臭氧對清洗干燥后的陽極進(jìn)行處理30?50分鐘。
[0024]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的陰極上層疊5?7個(gè)保護(hù)層，將活潑的有機(jī)層和陰極封裝于保護(hù)層與陽極之間，由上述有機(jī)材料和無機(jī)材料形成的致密的保護(hù)層能夠有效地減少外部水、氧等活性物質(zhì)對有機(jī)層和陰極的侵蝕，并且5?7個(gè)保護(hù)層能夠滿足封裝的密封性要求，對有機(jī)電致發(fā)光器件的有機(jī)層和陰極形成有效的保護(hù)，從而使有機(jī)電致發(fā)光器件的使用壽命較高。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0025]圖1為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖2為一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0027]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進(jìn)，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實(shí)施的限制。
[0028]請參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100，包括依次層疊的陽極10、空穴注入層20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、電子傳輸層50、電子注入層60、陰極70及保護(hù)層80。
[0029]陽極10可以為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(IZO)，優(yōu)選為銦錫氧化物玻璃(IT0)。
[0030]在其他實(shí)施方式中，陽極10也可以包括聚碳酸酯板基板等透過性較高的柔性基板及層疊于柔性基板上的銦錫氧化物薄膜、鋁鋅氧化物薄膜或銦鋅氧化物薄膜。
[0031]優(yōu)選地，陽極10的厚度為100納米。
[0032]空穴注入層20由三氧化鑰(MoO3)摻雜于N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯-4，4’-=K(NPB)中形成。其中，三氧化鑰(MoO3)占空穴注入層20的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%。
[0033]優(yōu)選地，空穴注入層20的厚度為10納米。
[0034]空穴傳輸層30由4，4’，4’ ’ -三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)形成。
[0035]優(yōu)選地，空穴傳輸層30的厚度為30納米。
[0036]發(fā)光層40由三(2-苯基吡啶)合銥(Ir (ppy) 3)摻雜于1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中形成。其中，三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)占發(fā)光層40的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%。
[0037]優(yōu)選地，發(fā)光層40的厚度為20納米。
[0038]電子傳輸層50由4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)形成。
[0039]優(yōu)選地，電子傳輸層50的厚度為10納米。
[0040]電子注入層60由疊氮化銫(CsN3)摻入4，7_ 二苯基-1, 10-菲羅啉(Bphen)中形成。其中，疊氮化銫(CsN3)占電子注入層60的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%。
[0041]優(yōu)選地，電子注入層60的厚度為20納米。
[0042]陰極70由金屬鋁(Al)形成。優(yōu)選地，陰極70的厚度為150納米。
[0043]本實(shí)施方式中，保護(hù)層80的數(shù)量為5個(gè)，5個(gè)保護(hù)層層疊于陰極70上。在其他實(shí)施方式中，保護(hù)層80的數(shù)量可以為6個(gè)或7個(gè)。5~7個(gè)保護(hù)層80使有機(jī)電致發(fā)光器件100的防水氧性能較高。
[0044]每一個(gè)保護(hù)層80包括有機(jī)阻擋層81和層疊于有機(jī)阻擋層81上的無機(jī)阻擋層82。
[0045]有機(jī)阻擋層81由酞菁(4卩(:)、隊(duì)^-二苯基州州’-二(1-萘基聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)、(8-羥基喹啉)-鋁(Alq3)、4，4，，4，，-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)或2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)形成。由這幾種物質(zhì)形成的有機(jī)阻擋層的平整度高，透光率高，內(nèi)應(yīng)力小，有利于在有機(jī)阻擋層81上形成致密的、平整的無機(jī)阻擋層82。
[0046]優(yōu)選地，有機(jī)阻擋層81的厚度為200納米~300納米。
[0047]無機(jī)阻擋層82由氧化二錸(Re20)、氧化錸(ReO)、三氧化二錸(Re203)、二氧化錸(ReO2)、五氧化二錸(Re2O5)及三氧化錸(ReO3)中的一種與硫化鎘(CdS )、硫化鉛(PbS )、二硫化鐵(FeS2)、硫化銅(CuS )、硫化鋅(ZnS )及硫化鎳(Ni S )中的一種混合形成。氧化物的阻擋性能和透光率較高，硫化物起到應(yīng)力緩沖作用，使得無機(jī)阻擋層82具有較高的阻擋性能和透光率，且穩(wěn)定性較高，無機(jī)阻擋層82層疊于有機(jī)阻擋層81上形成較為穩(wěn)定的保護(hù)層80。
[0048]無機(jī)阻擋層82由硫化物和錸的氧化物共蒸形成，硫化物和錸的氧化物的共蒸致密性較好，能夠在有機(jī)阻擋層81的表面上形成致密的薄膜，從而提高防水氧性能。
[0049]優(yōu)選地，無機(jī)阻擋層82的厚度為100納米~200納米。
[0050]本實(shí)施方式中，由多個(gè)有機(jī)阻擋層81和無機(jī)阻擋層82交替層疊形成的5個(gè)保護(hù)層80能夠很好的隔絕水、氧等活性物質(zhì)，使有機(jī)電致發(fā)光器件100的壽命(T70@1000cd/m2)達(dá)到2000小時(shí)以上。
[0051]由上述材料形成的有機(jī)阻擋層81的平整度好，有利于無機(jī)物在有機(jī)阻擋層81表面上成膜，有利于形成致密的無機(jī)阻擋層82，從而形成致密性較高的保護(hù)層80，使得保護(hù)層80能夠有效地阻擋空氣中的氧氣、水汽等，水汽滲透率達(dá)10_3g/m2 - day,并且5~7個(gè)保護(hù)層能夠進(jìn)一步滿足封裝的密封性要求，能夠有效地保護(hù)空穴注入層20、空穴傳輸層30、發(fā)光層40、電子傳輸層50、電子注入層60及陰極70，使得有機(jī)電致發(fā)光器件100的使用壽命較長。
[0052]請參閱圖2，一實(shí)施方式中的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，包括如下步驟:
[0053]步驟SllO:提供陽極，采用真空蒸鍍在陽極上形成空穴注入層。
[0054]陽極可以為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)、鋁鋅氧化物玻璃(AZO)或銦鋅氧化物玻璃(ΙΖ0)，優(yōu)選為銦錫氧化物玻璃(ΙΤ0)。
[0055]在其他實(shí)施方式中，陽極也可以由聚碳酸酯板基板等透過性較高的柔性基板及層疊于柔性基板上的銦錫氧化物薄膜、鋁鋅氧化物薄膜或銦鋅氧化物薄膜形成。
[0056]采用真空蒸鍍在潔凈的干燥的玻璃基板上或聚碳酸酯板基板蒸鍍銦錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鋅氧化物，在玻璃基板或聚碳酸酯板基板形成陽極圖形，得到陽極。
[0057]優(yōu)選地，陽極的厚度為100納米。
[0058]采用真空蒸鍍在陽極上形成空穴注入層之前，首先將陽極依次放入丙酮、乙醇、去離子水及乙醇中進(jìn)行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烘干，得到潔凈、干燥的陽極。進(jìn)一步將陽極進(jìn)行表面活性處理，以增加陽極表面的含氧量，提高陽極的功函數(shù)。進(jìn)行表面活性處理的步驟為采用紫外-臭氧(UV-ozone)對清洗干燥后的陽極進(jìn)行處理30~50分鐘。
[0059]空穴注入層由三氧化鑰(MoO3)摻雜于N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，1'-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)中形成。其中，三氧化鑰(MoO3)占空穴注入層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%。
[0060]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為10納米。
[0061]真空蒸鍍的真空度為lX10_5Pa。蒸發(fā)速度為0.lA/s。
[0062]步驟S120:采用真空蒸鍍在空穴注入層上形成空穴傳輸層。
[0063]空穴傳輸層由4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)形成。
[0064]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為30納米。
[0065]真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa。蒸發(fā)速度為0.1人/S。
[0066]步驟S130:采用真空蒸鍍在空穴傳輸層上形成發(fā)光層。
[0067]發(fā)光層由三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)摻雜于1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中形成。其中，三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)占發(fā)光層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5%。
[0068]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20納米。
[0069]真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa。蒸發(fā)速度為0.2A/S。
[0070]步驟S140:采用真空蒸鍍在發(fā)光層上形成電子傳輸層。
[0071]電子傳輸層由4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)形成。
[0072]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為10納米。
[0073]真空蒸鍍的真空度為3 X 10?.蒸發(fā)速度為0.1A/S,
[0074]步驟S150:采用真空蒸鍍在電子傳輸層上形成電子注入層。
[0075]電子注入層由疊氮化銫(CsN3)摻入4，7- 二苯基-1, 10-菲羅啉(Bphen)中形成。其中，疊氮化銫(CsN3)占電子注入層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%。
[0076]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為20納米。
[0077]真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa。蒸發(fā)速度為0.2A/S。
[0078]步驟S160:采用真空蒸鍍在電子注入層上陰極。
[0079]陰極由金屬鋁(Al)形成。優(yōu)選地，陰極的厚度為150納米。
[0080]真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa。蒸發(fā)速度為lA/s。
[0081]步驟S170:采用真空蒸鍍在陰極上形成有機(jī)阻擋層，有機(jī)阻擋層由酞菁銅、N，N’ - 二苯基-N，N’ - 二(1-萘基)_1，I’ -聯(lián)苯 _4，4’ - 二胺、(8-羥基喹啉)_ 鋁、4，4’，4’ ’ -三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2，9- 二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲形成。
[0082]優(yōu)選地，有機(jī)阻擋層的厚度為200納米~300納米。
[0083]真空蒸鍍的真空度為I X KT5Pa~I X 10_3Pa。蒸發(fā)速度為0.5A/S~5A/S。
[0084]步驟S180:采用真空蒸鍍在有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層，無機(jī)阻擋層由氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種與硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅及硫化鎳中的一種混合形成，，有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層形成一個(gè)保護(hù)層。
[0085]硫化物和錸的氧化物共蒸形成無機(jī)阻擋層。無機(jī)阻擋層層疊于有機(jī)阻擋層上形成一個(gè)保護(hù)層。
[0086]優(yōu)選地，無機(jī)阻擋層的厚度為100納米~200納米。
[0087]真空蒸鍍的真空度為I X KT5Pa~I X 10_3Pa。蒸發(fā)速度為0.SA/s-SA/s.
[0088]無機(jī)阻擋層層疊于有機(jī)阻擋層形成一個(gè)保護(hù)層。
[0089]步驟S190:交替重復(fù)步驟S170和步驟S1804至6次，在陰極上形成5~7個(gè)保護(hù)層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0090]交替重復(fù)步驟S170和步驟S1804至6次，形成4~6個(gè)保護(hù)層，從而在陰極上形成5~7個(gè)保護(hù)層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0091]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法采用真空蒸鍍的方法在陰極上形成5~7個(gè)保護(hù)層，從而將空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極封裝于陽極和5~7個(gè)保護(hù)層之間，能夠很好的保護(hù)空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極封裝于保護(hù)層和陽極，封裝得到穩(wěn)定性較高、使用壽命較長的有機(jī)電致發(fā)光器件，并且封裝工藝簡單，易于大規(guī)模封裝。
[0092]以下為具體實(shí)施例。
[0093]實(shí)施例1
[0094] 結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/ZnS/Ag/ZnS/(CuPc/Re20:NiS)7的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝
[0095](I)提供陽極，陽極為銦錫氧化物玻璃，表示為ΙΤ0。首先將陽極依次放入丙酮、乙醇、去離子水及乙醇中進(jìn)行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈桑儆煤嫦浜娓?，得到潔凈、干燥的陽極。進(jìn)一步采用紫外-臭氧(UV-ozone)對清洗干燥后的陽極進(jìn)行處理進(jìn)行表面活性處理30分鐘，以增加陽極表面的含氧量，提高陽極的功函數(shù)；
[0096](2)采用真空蒸鍍在陽極的表面上形成的空穴注入層，真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s;空穴注入層由三氧化鑰(MoO3)摻雜于N，N’-二苯基-N, N，- 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)中形成，表示為Μο03:ΝΡΒ，其中三氧化鑰(MoO3)占空穴注入層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30% ;空穴注入層的厚度為10納米；
[0097](3)采用真空蒸鍍在空穴注入層的表面上形成的空穴傳輸層，真空蒸鍍的真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s；空穴傳輸層由4，4’，4’ ’ -三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)形成；空穴傳輸層的厚度為30納米；
[0098](4)采用真空蒸鍍在空穴傳輸層上形成發(fā)光層，真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2人/S;發(fā)光層由三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(PPy)3)摻雜于1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)中形成，表示為Ir (ppy)3:TPBI，其中三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)占發(fā)光層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為5% ;發(fā)光層的厚度為20納米；
[0099](5 )采用真空蒸鍍在發(fā)光層上形成電子傳輸層，真空蒸鍍的真空度為3 X 10?,蒸發(fā)速度為Ο.?Λ/s;電子傳輸層由4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)形成，電子傳輸層的厚度為10納米；
[0100](6)采用真空蒸鍍在電子傳輸層上形成電子注入層，真空蒸鍍的真空度為3父10_^，蒸發(fā)速度為0.2人/5,..電子注入層由疊氮化銫(CsN3)摻入4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen )中形成，表示為CsN3: Bphen，其中疊氮化銫(CsN3)占電子注入層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30% ；電子注入層的厚度為20納米；
[0101](7)采用真空蒸鍍在電子注入層上形成陰極，真空蒸鍍的真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;陰極包括依次層疊于電子注入層上的第一硫化鋅層、銀層和第二硫化鋅層，表示為ZnS/Ag/ZnS，第一硫化鋅層和第二硫化鋅層的厚度均為30納米，銀層的厚度為10納米;
[0102](8)采用真空蒸鍍在陰極上形成有機(jī)阻擋層，真空蒸鍍的真空度為IX 10_5Pa，蒸發(fā)速度為1A/S.，有機(jī)阻擋層由酞菁銅(CuPc)形成，有機(jī)阻擋層的厚度為300納米；
[0103](9)采用真空蒸鍍共蒸氧化二錸與硫化鎳，在有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層，真空度為1\10_中8，蒸發(fā)速度為21/8;無機(jī)阻擋層由氧化二錸與硫化鎳混合形成，表示為Re20:NiS，其中氧化二錸占無機(jī)阻擋層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，無機(jī)阻擋層的厚度為150納米；有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層形成一個(gè)保護(hù)層，表示為CuPc/Re20:NiS ；
[0104](10 )交替重復(fù)步驟(8 )和步驟(9 )6次，最終在陰極上形成層疊的7個(gè)保護(hù)層，表示為(CuPc/Re20: NiS) 7，得到結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (CuPc/Re20:NiS) 7 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0105]實(shí)施例2
[0106]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/ZnS/Ag/ZnS/(NBP/ReO: ZnS) 6的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝
[0107]步驟(1)~(7)中，除對陽極進(jìn)行表面活化處理的時(shí)間為50分鐘外，其余同實(shí)施例I。
[0108](8)采用真空蒸鍍在陰極上形成有機(jī)阻擋層，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為5A/S；有機(jī)阻擋層由N，N’ - 二苯基-N, N’ - 二 (1-萘基)-1, I，-聯(lián)苯-4，4’ - 二胺(NPB)形成，有機(jī)阻擋層的厚度為300納米；
[0109](9)采用真空蒸鍍共蒸氧化錸與硫化鋅，在有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層，真空度為5X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5人/S;無機(jī)阻擋層由氧化錸與硫化鋅混合形成，表示為
ReO:ZnS，其中氧化錸占無機(jī)阻擋層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10%，無機(jī)阻擋層的厚度為100納米；有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層形成一個(gè)保護(hù)層，表示為NBP/ReO:ZnS ；
[0110](10)交替重復(fù)步驟(8)和步驟(9) 5次，最終在陰極上形成層疊的6個(gè)保護(hù)層，表示為(NBP/ReO: ZnS) 6,得到結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ ZnS/Ag/ZnS/ (NBP/ReO: ZnS) 6的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0111]實(shí)施例3
[0112]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/ZnS/Ag/ZnS/(Alq3/Re203: CuS) 6的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝
[0113]步驟(1)~(7)中，除對陽極進(jìn)行表面活化處理的時(shí)間為40分鐘外，其余同實(shí)施例I。
[0114](8)采用真空蒸鍍在陰極上形成有機(jī)阻擋層，真空蒸鍍的真空度為5 X 1-5Pa,蒸發(fā)速度為0.5A/S:有機(jī)阻擋層由(8-羥基喹啉)-鋁(Alq3)形成，有機(jī)阻擋層的厚度為200納米;
[0115](9)采用真空蒸鍍共蒸三氧化二錸與硫化銅，在有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層，真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為5A/S；無機(jī)阻擋層由三氧化二錸與硫化銅混合形成，表示為Re203:CuS，其中三氧化二錸占無機(jī)阻擋層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為30%，無機(jī)阻擋層的厚度為200納米；有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層形成一個(gè)保護(hù)層，表不為Alq3/Re203:CuS ；
[0116](10 )交替重復(fù)步驟(8 )和步驟(9 )5次，最終在陰極上形成層疊的6個(gè)保護(hù)層，表示為(Alq3/Re203: CuS) 6，得到結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (Alq3/Re203: CuS) 6 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0117]實(shí)施例4
[0118]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/ZnS/Ag/ZnS/(m-MTDATA/Re02: FeS2) 6的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝
[0119]步驟(1)~(7)中，除對陽極進(jìn)行表面活化處理的時(shí)間為45分鐘外，其余同實(shí)施例I。
[0120](8)采用真空蒸鍍在陰極上形成有機(jī)阻擋層，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為2A/S；有機(jī)阻擋層由4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)形成，有機(jī)阻擋層的厚度為240納米；
[0121](9)采用真空蒸鍍共蒸二氧化錸和二硫化鐵，在有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層，真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為3A/S；無機(jī)阻擋層由二氧化錸與二硫化鐵混合形成，表示為ReO2 = FeS2，其中二氧化錸占無機(jī)阻擋層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%，無機(jī)阻擋層的厚度為180納米；有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層形成一個(gè)保護(hù)層，表示為m-MTDATA/Re02 = FeS2 ；
[0122](10)交替重復(fù)步驟(8)和步驟(9) 5次，最終在陰極上形成層疊的6個(gè)保護(hù)層，表示為(m-MTDATA/Re02: FeS2) 6，得到結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (m_MTDATA/Re02: FeS2) 6 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0123]實(shí)施例5
[0124]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo 03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/(BCP/Re205: PbS) 6的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝
[0125]步驟(1)~(7)同實(shí)施例1。
[0126](8)采用真空蒸鍍在陰極上形成有機(jī)阻擋層，真空蒸鍍的真空度為5X10_5Pa，蒸發(fā)速度為lA/s;有機(jī)阻擋層由2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲(BCP)形成，有機(jī)阻擋層的厚度為260納米；
[0127](9)采用真空蒸鍍共蒸五氧化二錸與硫化鉛，在有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層，真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為2A/S;無機(jī)阻擋層由五氧化二錸與硫化鉛混合形成，表示為Re205:PbS，其中五氧化二錸占無機(jī)阻擋層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為20%，無機(jī)阻擋層的厚度為140納米；有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層形成一個(gè)保護(hù)層，表示為BCP/Re205:PbS ；
[0128](10 )交替重復(fù)步驟(8 )和步驟(9 )5次，最終在陰極上形成層疊的6個(gè)保護(hù)層，表示為(BCP/Re205: PbS) 6，得到結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (BCP/Re205:PbS)6 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0129]實(shí)施例6
[0130]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS/(CuPc/Re03: CdS) 5的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝
[0131]步驟(1)~(7)同實(shí)施例1。
[0132](8)采用真空蒸鍍在陰極上形成有機(jī)阻擋層，真空蒸鍍的真空度為IX 10_3Pa，蒸發(fā)速度為1A/S.，有機(jī)阻擋層由酞菁銅(CuPc)形成，有機(jī)阻擋層的厚度為220納米；
[0133](9)采用真空蒸鍍共蒸三氧化錸與硫化鎘，在有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層，真空度為1\10，&，蒸發(fā)速度為21/8;無機(jī)阻擋層由三氧化錸與硫化鎘混合形成，表示為Re03:CdS，其中三氧化錸占無機(jī)阻擋層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為19%，無機(jī)阻擋層的厚度為150納米；有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層形成一個(gè)保護(hù)層，表不為CuPc/Re03:CdS ；
[0134](10 )交替重復(fù)步驟(8 )和步驟(9 )4次，最終在陰極上形成層疊的5個(gè)保護(hù)層，表示為(CuPc/Re03:CdS)5，得到結(jié)構(gòu)為 IT0/Mo03:NPB/TCTA/Ir (ppy) 3:TPBI/Bphen/CsN3:Bphen/ZnS/Ag/ZnS/ (CuPc/Re03: CdS) 5 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0135]對比例I
[0136]結(jié)構(gòu)為IT0/Mo03: NPB/TCTA/Ir (ppy) 3: TPBI/Bphen/CsN3: Bphen/ZnS/Ag/ZnS 的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝
[0137]該有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)除了沒有保護(hù)層以外，其余同實(shí)施例1。
[0138]方法同實(shí)施例1的步驟(1)~(7)。
[0139]表1為實(shí)施例1~6及對比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件的水汽滲透率及使用壽命。
[0140]表1實(shí)施例1~6及對比例I的有機(jī)電致發(fā)光器件的水汽滲透率及使用壽命
[0141]

【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層及陰極，其特征在于，還包括層疊于所述陰極上的5~7個(gè)保護(hù)層，每個(gè)保護(hù)層包括有機(jī)阻擋層及層疊于所述有機(jī)阻擋層上的無機(jī)阻擋層；其中，所述有機(jī)阻擋層由酞菁銅、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、(8-羥基喹啉)-鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲形成，所述無機(jī)阻擋層由氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種與硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅及硫化鎳中的一種混合形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種占所述無機(jī)阻擋層的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為10 ~30%O
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機(jī)阻擋層的厚度為200納米~300納米。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述無機(jī)阻擋層的厚度為100納米~200納米。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，包括如下步驟: 步驟一:提供陽極，采用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層； 步驟二:采用真空蒸鍍在所述空穴注入層上形成空穴傳輸層； 步驟三:采用真空蒸鍍在 所述空穴傳輸層上形成發(fā)光層； 步驟四:采用真空蒸鍍在所述發(fā)光層上形成電子傳輸層； 步驟五:采用真空蒸鍍在所述電子傳輸層上形成電子注入層； 步驟六:采用真空蒸鍍在所述電子注入層上陰極； 步驟七:采用真空蒸鍍在所述陰極上形成有機(jī)阻擋層，所述有機(jī)阻擋層由酞菁銅、N，N’-二苯基-N，N’-二(1-萘基)_1，I’-聯(lián)苯_4，4’-二胺、(8-羥基喹啉)-鋁、4，4’，4’’-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺或2，9-二甲基-4，7-聯(lián)苯-1，10-鄰二氮雜菲形成； 步驟八:采用真空蒸鍍在所述有機(jī)阻擋層上形成無機(jī)阻擋層，所述無機(jī)阻擋層由氧化二錸、氧化錸、三氧化二錸、二氧化錸、五氧化二錸及三氧化錸中的一種與硫化鎘、硫化鉛、二硫化鐵、硫化銅、硫化鋅及硫化鎳中的一種混合形成，所述有機(jī)阻擋層和無機(jī)阻擋層形成一個(gè)保護(hù)層； 步驟九:交替重復(fù)所述步驟七和所述步驟八4至6次，在所述陰極上形成5~7個(gè)保護(hù)層，得到有機(jī)電致發(fā)光器件。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，所述步驟七~步驟九中，真空蒸鍍的真空度為I X 10_5Pa~I X 10_3Pa。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，所述步驟七~步驟九中，蒸發(fā)速度為0.5A/s~5 A/s。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，所述采用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層的步驟之前，還包括對陽極的清洗步驟，所述清洗步驟為:將所述陽極依次放入丙酮、乙醇、去離子水及乙醇中進(jìn)行超聲清洗，每次超聲清洗5分鐘，然后用氮?dú)獯蹈?，再用烘箱烘干?br> 9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的封裝方法，其特征在于，所述清洗步驟完成之后，所述采用真空蒸鍍在所述陽極上形成空穴注入層的步驟之前還包括對所述陽極進(jìn)行表面活化處理的步驟，所述活化處理的步驟為:采用紫外-臭氧對清洗干燥后的陽極進(jìn)行處理30~50分 鐘。
【文檔編號(hào)】H01L51/56GK104051646SQ201310084228
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年3月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月15日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司