晶體管的形成方法
【專利摘要】一種晶體管的形成方法，包括：提供襯底，襯底具有第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，第一有源區(qū)和第二有源區(qū)的類型相反；在襯底上形成具有第一偽柵溝槽和第二偽柵溝槽的層間介質(zhì)層，第一偽柵溝槽位于第一有源區(qū)，第二偽柵溝槽位于第二有源區(qū)；形成柵介質(zhì)層，柵介質(zhì)層覆蓋層間介質(zhì)層、第一偽柵溝槽的側(cè)壁和底部、第二偽柵溝槽的側(cè)壁和底部；在柵介質(zhì)層上形成功函數(shù)層、位于功函數(shù)層上的帽層；形成圖形化的光刻膠層；刻蝕去除第二偽柵溝槽中的功函數(shù)層和帽層；去除圖形化的光刻膠層，之后，刻蝕去除層間介質(zhì)層上、第一偽柵溝槽中的帽層；在第一偽柵溝槽中形成柵極。帽層用于避免去除圖形化的光刻膠層時(shí)功函數(shù)層遭到損傷，保證功函數(shù)層的完整性。
【專利說(shuō)明】晶體管的形成方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，特別涉及一種晶體管的形成方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 在半導(dǎo)體【技術(shù)領(lǐng)域】，"后柵（gate last) "工藝為形成金屬柵極的一個(gè)主要工藝。這 種技術(shù)的特點(diǎn)是在對(duì)硅片進(jìn)行漏/源區(qū)離子注入操作以及隨后的高溫退火步驟完成之后， 再形成高K柵介質(zhì)層和位于高K柵介質(zhì)層上的金屬柵極。后柵工藝大大提升了晶體管的性 能。
[0003] 具體地，參照?qǐng)D1?圖5,現(xiàn)有技術(shù)的后柵工藝形成PM0S晶體管的方法包括：
[0004] 參照?qǐng)D1，半導(dǎo)體襯底100包括P型有源區(qū)和N型有源區(qū)，在半導(dǎo)體襯底100上形 成層間介質(zhì)層101，在層間介質(zhì)層101中形成有第一偽柵溝槽102和第二偽柵溝槽103,第 一偽柵溝槽102位于P型有源區(qū)，第二偽柵溝槽103位于N型有源區(qū)；
[0005] 參照?qǐng)D2,沉積高K介質(zhì)層104,高K介質(zhì)層104覆蓋層間介質(zhì)層103、第一偽柵溝 槽102的底部和側(cè)壁、第二偽柵溝槽103的底部和側(cè)壁；在高K介質(zhì)層104上形成TaN層 105、位于TaN層105上的TiN層106，TaN層105用于阻擋TiN材料向高K介質(zhì)層104中擴(kuò) 散，TiN層106用于調(diào)整PM0S晶體管的功函數(shù)。
[0006] 參照?qǐng)D3,形成圖形化的光刻膠層107,以圖形化的光刻膠層107為掩模，使用濕法 刻蝕法，刻蝕去除第二偽柵溝槽103中的TiN層106 ;
[0007] 參照?qǐng)D4,使用灰化工藝去除圖形化的光刻膠層；
[0008] 參照?qǐng)D5,在第一偽柵溝槽102中形成金屬柵極108。形成金屬柵極108后，接著 在第二偽柵溝槽中重復(fù)上述步驟形成另一金屬柵極，在此不再詳述。
[0009] 但是，使用現(xiàn)有技術(shù)的后柵工藝形成的PM0S晶體管性能不佳。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 本發(fā)明解決的問(wèn)題是使用現(xiàn)有技術(shù)的后柵工藝形成的PM0S晶體管性能不佳。
[0011] 為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種新的晶體管的形成方法，包括：
[0012] 提供襯底，所述襯底具有第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述第一有源區(qū)和第二有源 區(qū)的類型相反；
[0013] 在所述襯底上形成具有第一偽柵溝槽和第二偽柵溝槽的層間介質(zhì)層，所述第一偽 柵溝槽位于所述第一有源區(qū)，所述第二偽柵溝槽位于第二有源區(qū)；
[0014] 形成柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層覆蓋所述層間介質(zhì)層、第一偽柵溝槽的側(cè)壁和底部、 第二偽柵溝槽的側(cè)壁和底部；
[0015] 在所述柵介質(zhì)層上形成功函數(shù)層，在所述功函數(shù)層上形成帽層；
[0016] 在所述帽層上形成圖形化的光刻膠層；
[0017] 以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，刻蝕去除第二偽柵溝槽中的功函數(shù)層和帽層；
[0018] 去除所述圖形化的光刻膠層，之后，刻蝕去除所述層間介質(zhì)層上、第一偽柵溝槽中 的帽層；
[0019] 刻蝕去除第一偽柵溝槽中的帽層之后，在第一偽柵溝槽中形成柵極。
[0020] 可選地，所述帽層材料為氧化硅、氮化硅或多晶硅。
[0021] 可選地，刻蝕去除所述層間介質(zhì)層上、第一偽柵溝槽中的帽層的方法為濕法刻蝕 法。
[0022] 可選地，所述帽層材料為氧化硅或氮化硅，在濕法刻蝕過(guò)程中使用的刻蝕劑為稀 釋氫氟酸溶液。
[0023] 可選地，所述帽層材料為多晶硅，在濕法刻蝕過(guò)程中使用的刻蝕劑為四甲基氫氧 化銨溶液。
[0024] 可選地，所述帽層的厚度范圍為lnm?5nm。
[0025] 可選地，去除所述圖形化的光刻膠層的方法為灰化工藝。
[0026] 可選地，形成帽層的方法為化學(xué)氣相沉積法或原子層沉積法。
[0027] 可選地，刻蝕去除第二偽柵溝槽中的功函數(shù)層和帽層的方法為濕法刻蝕法。
[0028] 可選地，所述第一有源區(qū)為P型有源區(qū)，所述功函數(shù)層的材料為氮化鈦；或者，所 述第一有源區(qū)為N型有源區(qū)，所述功函數(shù)層的材料為碳化鈦。
[0029] 可選地，在形成柵介質(zhì)層后，形成功函數(shù)層前，形成覆蓋柵介質(zhì)層的擴(kuò)散阻擋層。
[0030] 可選地，在第一偽柵溝槽中形成柵極的方法包括：
[0031] 沉積導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料覆蓋層間介質(zhì)層、填充第一偽柵溝槽；
[0032] 去除層間介質(zhì)層上的所述導(dǎo)電材料、功函數(shù)層和柵介質(zhì)層，剩余第一偽柵溝槽中 的導(dǎo)電材料為柵極。
[0033] 可選地，所述柵介質(zhì)層材料為氧化鉿、硅酸鉿、氧化鋯、碳酸鍶鋇或鋯鈦酸鉛。
[0034] 與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：
[0035] 本發(fā)明在柵介質(zhì)層上形成功函數(shù)層后，在功函數(shù)層上形成帽層，帽層用作功函數(shù) 層的保護(hù)層，避免后續(xù)去除圖形化的光刻膠層時(shí)功函數(shù)層遭到損傷，保證功函數(shù)層的完整 性，也確保晶體管的性能穩(wěn)定、可靠。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0036] 圖1?圖5是現(xiàn)有技術(shù)的后柵工藝形成PM0S晶體管方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0037] 圖6?圖12是本發(fā)明具體實(shí)施例的晶體管形成方法的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0038] 發(fā)明人針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題進(jìn)行了分析，發(fā)現(xiàn)：參照?qǐng)D3和圖4,在使用灰 化工藝去除圖形化的光刻膠層107的過(guò)程中，由于光刻膠層比較難去除，通常會(huì)在反應(yīng)腔 內(nèi)通入過(guò)量氣體以保證較強(qiáng)的反應(yīng)強(qiáng)度，以達(dá)到徹底去除圖形化的光刻膠層的目的。但是， 反應(yīng)腔內(nèi)的過(guò)量氣體、較強(qiáng)的反應(yīng)強(qiáng)度會(huì)損傷位于第一偽柵溝槽102底部和側(cè)壁的TiN層 106。進(jìn)一步地，結(jié)合參照?qǐng)D5, TiN層106遭到損傷，會(huì)影響到金屬柵極108的功函數(shù)，進(jìn) 而減小晶體管的閾值電壓，最終影響到PM0S晶體管的功函數(shù)，進(jìn)而影響到PM0S晶體管的性 能，造成晶體管性能不佳。
[0039] 發(fā)明人經(jīng)過(guò)創(chuàng)造性勞動(dòng)，得到一種新的晶體管的形成方法。
[0040] 為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明 的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說(shuō)明。
[0041] 參照?qǐng)D6,提供襯底300,所述襯底300具有第一有源區(qū)I和第二有源區(qū)II，第一有 源區(qū)I和第二有源區(qū)II的類型相反。在本實(shí)施例中，第一有源區(qū)I為P型有源區(qū)，第二有 源區(qū)II為N型有源區(qū)。第一有源區(qū)I、第二有源區(qū)II為隔離結(jié)構(gòu)(未標(biāo)號(hào)）所隔離。
[0042] 繼續(xù)參照?qǐng)D6,在襯底300上形成具有第一偽柵溝槽301和第二偽柵溝槽302的 層間介質(zhì)層303,第一偽柵溝槽301位于第一有源區(qū)I，第二偽柵溝槽302位于第二有源區(qū) Π ，第一偽柵溝槽301和第二偽柵溝槽302為層間介質(zhì)層303所隔開(kāi)。
[0043] 在具體實(shí)施例中，形成本發(fā)明的第一偽柵溝槽301和第二偽柵溝槽302的方法包 括：首先，在襯底300上形成位于第一有源區(qū)I的第一偽柵極和位于第二有源區(qū)II的第二 偽柵極；然后，沉積層間介質(zhì)層303,層間介質(zhì)層303覆蓋第一偽柵極、第二偽柵極、第一偽 柵極和第二偽柵極周圍的襯底部分，層間介質(zhì)層303的上表面與第一偽柵極上表面、第二 偽柵極上表面持平；去除第一偽柵極形成第一偽柵溝槽301和去除第二偽柵極形成第二偽 柵溝槽302。其中，在沉積層間介質(zhì)層303之前，還包括在第一偽柵極兩側(cè)襯底中進(jìn)行N型離 子重?fù)诫s形成源極和漏極、在第二偽柵極兩側(cè)襯底中進(jìn)行P離子重?fù)诫s形成源極和漏極， 此為后柵工藝的公知技術(shù)，具體工藝不再詳述。
[0044] 另外，在具體實(shí)施例中，在形成第一偽柵極和第二偽柵極之前，在襯底300表面形 成界面層（interfacial layer，IL)(未示出），所述界面層在去除第一偽柵極和第二偽柵極 時(shí)并未被去除。該界面層不僅能在襯底300和界面層之間提供較佳品質(zhì)的界面，還能在后 續(xù)位于界面層上的高K柵介質(zhì)層和界面層之間提供較佳品質(zhì)的界面，從而改善高K柵介質(zhì) 層與襯底之間的界面特性，進(jìn)而提高晶體管的電學(xué)性能。通常，界面層的材料為氧化硅。
[0045] 在具體實(shí)施例中，所述襯底300為硅襯底、鍺襯底、氮化硅襯底或者絕緣體上硅襯 底等；或者還可以包括其它的材料，例如砷化鎵等III- V族化合物。本領(lǐng)域的技術(shù)人員可 以根據(jù)襯底300上形成的晶體管類型選擇襯底，因此襯底的類型不應(yīng)限制本發(fā)明的保護(hù)范 圍。
[0046] 在形成第一偽柵溝槽301和第二偽柵溝槽302后，參照?qǐng)D7,形成柵介質(zhì)層304,柵 介質(zhì)層304覆蓋層間介質(zhì)層303、第一偽柵溝槽301的側(cè)壁和底部、第二偽柵溝槽302的側(cè) 壁和底部。在本實(shí)施例中，柵介質(zhì)層304選擇高K介質(zhì)層材料，如氧化鉿、硅酸鉿、氧化鋯、 碳酸銀鋇或锫鈦酸鉛。具體形成工藝可選擇化學(xué)氣相沉積（Chemical Vapor Deposition, CVD)或物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition, PVD)，在本實(shí)施例中采用物理氣相沉 積，如濺射工藝。
[0047] 接著，繼續(xù)參照?qǐng)D7,在柵介質(zhì)層304上形成擴(kuò)散阻擋層305,在擴(kuò)散阻擋層305上 形成功函數(shù)層306,在功函數(shù)層306上形成帽層307。擴(kuò)散阻擋層305用于阻擋形成功函數(shù) 層306的材料向柵介質(zhì)層304中擴(kuò)散，帽層307作為功函數(shù)層306的保護(hù)層，避免后續(xù)去除 圖形化的光刻膠層時(shí)，功函數(shù)層306遭到損傷。
[0048] 在本實(shí)施例中，擴(kuò)散阻擋層305可選擇氮化鉭層，形成氮化鉭層可以與形成高K柵 介質(zhì)層在同一反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行，形成氮化鉭層的工藝同樣為物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積工 藝。
[0049] 在沉積形成擴(kuò)散阻擋層305后，接著形成功函數(shù)層306。形成功函數(shù)層306的工藝 選擇物理氣相沉積或化學(xué)氣相沉積，可以與擴(kuò)散阻擋層305在同一反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行。在形成 功函數(shù)層306過(guò)程，擴(kuò)散阻擋層305用于避免功函數(shù)層306的材料擴(kuò)散進(jìn)入柵介質(zhì)層304， 甚至擴(kuò)散進(jìn)入襯底300。在本實(shí)施例中，第一有源區(qū)I為P型有源區(qū)，則在第一偽柵溝槽301 中形成的功函數(shù)層用于增大PMOS晶體管的功函數(shù)，功函數(shù)層306的材料選擇氮化鈦。
[0050] 在形成功函數(shù)層306后，形成帽層307,帽層307覆蓋功函數(shù)層306。形成帽層307 的方法包括化學(xué)氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition, CVD)或原子層沉積法（Atom Layer Deposition，ALD)。在本實(shí)施例中，使用原子層沉積法，原子層沉積法可以有效控制 沉積材料的厚度、覆蓋范圍。最終形成的帽層307厚度范圍lnm?5nm，例如可選擇lnm， 3nm，或5nm。若帽層厚度范圍低于lnm，在后續(xù)去除圖形化的掩模層時(shí)，無(wú)法起到較好的保 護(hù)作用。若帽層厚度范圍高于5nm，后續(xù)很難去除該帽層。
[0051] 在具體實(shí)施例中，帽層307的材料可選擇氧化硅、氮化硅或多晶硅。
[0052] 在形成帽層307后，參照?qǐng)D8,形成圖形化的光刻膠層308,圖形化的光刻膠層308 定義第二偽柵溝槽302的位置。形成圖形化的光刻膠層308的工藝成熟、簡(jiǎn)單。具體地， 首先可使用旋涂工藝形成光刻膠層，該光刻膠層覆蓋層間介質(zhì)層303并填充第一偽柵溝槽 301和第二偽柵溝槽302 ;接著，曝光、顯影，大致去除第二偽柵溝槽302中的光刻膠層，形成 圖形化的光刻膠層308。
[0053] 接著，參照?qǐng)D9,以圖形化的光刻膠層308為掩模，刻蝕去除第二偽柵溝槽302中的 功函數(shù)層和帽層，剩余層間介質(zhì)層303上、第一偽柵溝槽301中的功函數(shù)層316和帽層317。
[0054] 在本實(shí)施例中，功函數(shù)層的材料選擇對(duì)應(yīng)第一有源區(qū)I的類型，因此，需去除第二 偽柵溝槽中的功函數(shù)層。去除功函數(shù)層和帽層的方法選擇濕法刻蝕法。功函數(shù)層的材料主 要是金屬，干法刻蝕去除功函數(shù)層的難度很大，因此使用濕法刻蝕，可以容易、徹底地去除 第二偽柵溝槽中的功函數(shù)層。濕法刻蝕去除功函數(shù)層的方法為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的工 藝，在此不再詳述。
[0055] 在具體實(shí)施例中，參照?qǐng)D9,濕法刻蝕去除第二偽柵溝槽302中的帽層過(guò)程，使 用的刻蝕劑種類與帽層的材料有關(guān)。若帽層的材料選擇氧化硅或氮化硅時(shí)，使用的刻蝕 劑為稀釋氫氟酸（DHF)溶液；當(dāng)帽層材料為多晶硅時(shí)，使用的刻蝕劑為四甲基氫氧化銨 (Tetramethylammonium hydroxide, TMAH)溶液。這些刻蝕劑的具體參數(shù)可根據(jù)帽層的材 料進(jìn)行選擇，不再詳述。
[0056] 之后，參照?qǐng)D9、圖10,使用灰化工藝去除圖形化的光刻膠層308,剩余帽層317用 于保護(hù)剩余功函數(shù)層316?；一に嚍楸绢I(lǐng)域技術(shù)人員所公知，在此不再贅述。為徹底去除 圖形化的光刻膠層308,灰化工藝中通入過(guò)量反應(yīng)氣體，由于帽層317的存在，過(guò)量反應(yīng)氣 體不會(huì)損傷功函數(shù)層316,保證功函數(shù)層316的完整。
[0057] 去除圖形化的光刻膠層后，參照?qǐng)D10、圖11，刻蝕去除層間介質(zhì)層303上、第一偽 柵溝槽301中的剩余帽層317,暴露第一偽柵溝槽301中、層間介質(zhì)層303上的功函數(shù)層 316。去除剩余帽層317的方法為濕法刻蝕，在濕法刻蝕過(guò)程中使用的刻蝕劑與帽層的材料 有關(guān)。若帽層的材料為氧化硅或氮化硅，使用的刻蝕劑包括稀釋氫氟酸溶液。若帽層的材 料為多晶硅時(shí)，使用的刻蝕劑為四甲基氫氧化銨溶液。在同一刻蝕條件下，帽層317的刻蝕 速率高于功函數(shù)層316的刻蝕速率，在刻蝕去除帽層317時(shí)不會(huì)損傷功函數(shù)層316。
[0058] 在刻蝕去除第一偽柵溝槽301中的帽層之后，參照?qǐng)D11、圖12,在第一偽柵溝槽 301中形成柵極309。在本實(shí)施例中，柵極309為金屬柵極。除金屬外，在其他實(shí)施例中，柵 極309的材料還可選擇其他導(dǎo)電材料。
[0059] 在具體實(shí)施例中，形成柵極309的方法包括：沉積導(dǎo)電材料，該導(dǎo)電材料覆蓋層間 介質(zhì)層303、填充第一偽柵溝槽301 ;使用化學(xué)機(jī)械拋光法或回刻蝕，去除層間介質(zhì)層303上 的導(dǎo)電材料，也去除層間介質(zhì)層303上的剩余功函數(shù)層、柵介質(zhì)層、擴(kuò)散阻擋層。剩余第一 偽柵溝槽301中的導(dǎo)電材料為柵極309,剩余第一偽柵溝槽301中的柵介質(zhì)層為柵介質(zhì)層 310。
[0060] 執(zhí)行以上方案，在第一偽柵溝槽所在襯底上形成PM0S晶體管，之后，可接著在第 二偽柵溝槽所在襯底上形成另一 NM0S晶體管，具體工藝可以參照上述PM0S晶體管的形成 工藝，不再贅述。
[0061] 在本實(shí)施例中，第一有源區(qū)I為P型有源區(qū)，第二有源區(qū)II為N型有源區(qū)。但不 限于此，在其他實(shí)施例中，第一有源區(qū)I為N型有源區(qū)，第二有源區(qū)II為P型有源區(qū)，在第 一有源區(qū)I中形成NM0S晶體管，形成工藝步驟與前述PM0S晶體管的形成工藝相同，但功函 數(shù)層的材料選擇碳化鈦。
[0062] 雖然本發(fā)明披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本 發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所 限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1. 一種晶體管的形成方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底具有第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)的 類型相反； 在所述襯底上形成具有第一偽柵溝槽和第二偽柵溝槽的層間介質(zhì)層，所述第一偽柵溝 槽位于所述第一有源區(qū)，所述第二偽柵溝槽位于第二有源區(qū)； 形成柵介質(zhì)層，所述柵介質(zhì)層覆蓋所述層間介質(zhì)層、第一偽柵溝槽的側(cè)壁和底部、第二 偽柵溝槽的側(cè)壁和底部； 在所述柵介質(zhì)層上形成功函數(shù)層，在所述功函數(shù)層上形成帽層； 在所述帽層上形成圖形化的光刻膠層； 以所述圖形化的光刻膠層為掩膜，刻蝕去除第二偽柵溝槽中的功函數(shù)層和帽層； 去除所述圖形化的光刻膠層，之后，刻蝕去除所述層間介質(zhì)層上、第一偽柵溝槽中的帽 層； 刻蝕去除第一偽柵溝槽中的帽層之后，在第一偽柵溝槽中形成柵極。
2. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述帽層材料為氧化硅、氮化硅或多晶 硅。
3. 如權(quán)利要求2所述的形成方法，其特征在于，刻蝕去除所述層間介質(zhì)層上、第一偽柵 溝槽中的帽層的方法為濕法刻蝕法。
4. 如權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述帽層材料為氧化硅或氮化硅，在濕 法刻蝕過(guò)程中使用的刻蝕劑為稀釋氫氟酸溶液。
5. 如權(quán)利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述帽層材料為多晶硅，在濕法刻蝕過(guò) 程中使用的刻蝕劑為四甲基氫氧化銨溶液。
6. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述帽層的厚度范圍為lnm?5nm。
7. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除所述圖形化的光刻膠層的方法為 灰化工藝。
8. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成帽層的方法為化學(xué)氣相沉積法或 原子層沉積法。
9. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，刻蝕去除第二偽柵溝槽中的功函數(shù)層 和帽層的方法為濕法刻蝕法。
10. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一有源區(qū)為P型有源區(qū)，所述功 函數(shù)層的材料為氮化鈦；或者，所述第一有源區(qū)為N型有源區(qū)，所述功函數(shù)層的材料為碳化 鈦。
11. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成柵介質(zhì)層后，形成功函數(shù)層前， 形成覆蓋柵介質(zhì)層的擴(kuò)散阻擋層。
12. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，在第一偽柵溝槽中形成柵極的方法包 括： 沉積導(dǎo)電材料，所述導(dǎo)電材料覆蓋層間介質(zhì)層、填充第一偽柵溝槽； 去除層間介質(zhì)層上的所述導(dǎo)電材料、功函數(shù)層和柵介質(zhì)層，剩余第一偽柵溝槽中的導(dǎo) 電材料為柵極。
13. 如權(quán)利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述柵介質(zhì)層材料為氧化鉿、硅酸鉿、
【文檔編號(hào)】H01L21/266GK104217954SQ201310224047
【公開(kāi)日】2014年12月17日 申請(qǐng)日期:2013年6月5日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月5日
【發(fā)明者】韓秋華, 孟曉瑩 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司