Led芯片及其制造方法
【專利摘要】一種LED芯片，包含基底，基底的一面作為底面，在遠離底面的另一面上依次生長有第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，電極與第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層電連接，LED芯片的傾斜面與底面夾角小于45度。本發(fā)明還提供一種LED芯片制造方法。按照本發(fā)明所提供LED芯片制造方法制造LED芯片，可有效減少LED芯片的全反射現(xiàn)象，增加出光量。
【專利說明】LED芯片及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及一種LED芯片制造方法，特別涉及利用納米壓印技術(shù)制造 LED芯片的 方法，還涉及一種LED芯片。

【背景技術(shù)】
[0002] LED (Light-emitting diode,發(fā)光二極管）產(chǎn)業(yè)是近幾年最受矚目的產(chǎn)業(yè)之一， 發(fā)展至今，LED產(chǎn)品已具有節(jié)能、省電、高效率、反應(yīng)時間快、壽命長，且不含汞，具有環(huán)保效 益等優(yōu)點，因此被認為是新世代綠色節(jié)能照明的最佳光源。為了提高LED的出光量，現(xiàn)有技 術(shù)依靠黃光制程將LK)芯片側(cè)面制作成傾斜面，以減少全反射現(xiàn)象的發(fā)生，增加出光量，然 而，現(xiàn)有黃光制程的局限性使得LED芯片的底面和傾斜面的夾角大于45度，針對增加 LED 芯片的出光量而言，采用黃光制程制作Lm)芯片傾斜面的方法依然不夠理想。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0003] 有鑒于此，有必要提供一種制造底面與傾斜面夾角角度更小的LED芯片的制造方 法，及底面與傾斜面夾角更小的LED芯片。
[0004] -種LED芯片制造方法，該制造方法包括步驟：提供一 LED壘層結(jié)構(gòu)，在LED壘層 結(jié)構(gòu)上涂布壓印膠；提供一納米壓印模板，該納米壓印模板具有圖案化結(jié)構(gòu)，該圖案化結(jié)構(gòu) 包含具有斜邊與底邊的梯形凹槽，且斜邊與底邊的夾角小于45度，將納米壓印模板壓印于 涂布在LED壘層結(jié)構(gòu)上的壓印膠上；固化壓印膠，去除納米壓印模板；蝕刻帶有固化后的壓 印膠的LED壘層結(jié)構(gòu)，以去除壓印膠以及部分Lm)壘層結(jié)構(gòu)；在蝕刻后的ED壘層結(jié)構(gòu)上設(shè) 置電極以形成LED芯片。
[0005] 一種LED芯片，包含基底，基底的一面作為底面，在遠離底面的另一面上依次生長 有桌一半導(dǎo)體層、有源層和第一半導(dǎo)體層，電極與第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層電連接， LED芯片的傾斜面與底面夾角小于45度。
[0006] 采用上述LED芯片制造方法制造完成的LED芯片的傾斜面與底面夾角小于45度， 其可更加有效地減少全反射現(xiàn)象，增加 LED芯片的出光量。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0007] 圖1是本發(fā)明LED芯片制造方法的流程圖。
[0008] 圖2是本發(fā)明LED芯片制造方法的步驟一的示意圖。
[0009] 圖3是本發(fā)明LH)芯片制造方法的步驟二的示意圖。
[0010]圖4和圖5是本發(fā)明LED芯片制造方法的步驟三的示意圖。
[0011]圖6和圖7是本發(fā)明LED芯片制造方法的步驟四的示意圖。
[0012] 圖8是本發(fā)明LED芯片制造方法的步驟五的示意圖。
[0013] 圖9是納米壓印模板的示意圖。
[0014] 圖10是利用圖9的納米壓印模板制造的LED芯片的示意圖。
[0015] 主要元件符號說明

【權(quán)利要求】
1. 一種LED芯片制造方法，該制造方法包括步驟： 提供一 LED壘層結(jié)構(gòu)，在LED壘層結(jié)構(gòu)上涂布壓印膠； 提供一納米壓印模板，該納米壓印模板具有圖案化結(jié)構(gòu)，該圖案化結(jié)構(gòu)包含具有斜邊 與底邊的梯形凹槽，且斜邊與底邊的夾角小于45度，將納米壓印模板壓印于涂布在LED壘 層結(jié)構(gòu)上的壓印膠上； 固化壓印膠，去除納米壓印模板； 蝕刻帶有固化后的壓印膠的LED壘層結(jié)構(gòu)，以去除壓印膠以及部分LED壘層結(jié)構(gòu)； 在蝕刻后的LED壘層結(jié)構(gòu)上設(shè)置電極以形成LED芯片。
2. 如權(quán)利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：所述LED壘層結(jié)構(gòu)包括基底， 第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，基底的一面作為LED壘層結(jié)構(gòu)的底面，第一半導(dǎo)體 層、有源層和第二半導(dǎo)體層在遠離底面的另一面上依次生長。
3. 如權(quán)利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：所述壓印膠為紫外固化性壓 印膠或熱固化性壓印膠。
4. 如權(quán)利要求3所述的LED芯片制造方法，其特征在于：所述梯形凹槽的斜邊包含三 維結(jié)構(gòu)。
5. 如權(quán)利要求1所述的LED芯片制造方法，其特征在于：采用電感耦合等離子蝕刻法 或反應(yīng)離子束蝕刻法進行蝕刻。
6. -種LED芯片，包含基底，基底的一面作為底面，在遠離底面的另一面上依次生長有 第一半導(dǎo)體層、有源層和第二半導(dǎo)體層，電極與第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層電連接，其特 征在于：LED芯片的傾斜面與底面夾角小于45度。
7. 如權(quán)利要求6所述的LED芯片，其特征在于：在基底上先生長一緩沖層，在緩沖層上 再生長第一半導(dǎo)體層。
8. 如權(quán)利要求6所述的LED芯片，其特征在于：LED芯片的傾斜面具有三維結(jié)構(gòu)。
【文檔編號】H01L33/00GK104241455SQ201310230275
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年6月11日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月11日
【發(fā)明者】沈佳輝, 洪梓健 申請人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司