本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種化學(xué)干法蝕刻方法和半導(dǎo)體器件的形成方法。

背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，蝕刻工藝是一種有選擇性的去除材料的工藝過(guò)程。蝕刻工藝主要分為干法蝕刻和濕法蝕刻這兩種。其中，干法蝕刻是亞微米、深亞微米尺寸下蝕刻器件的最主要方法，其是把晶圓表面暴露于氣態(tài)中產(chǎn)生的等離子體，等離子體通過(guò)晶圓上被圖形化的掩模中開(kāi)出的窗口，與硅片發(fā)生反應(yīng)，從而去除暴露的表面材料。具體地，干法蝕刻又分為三種：物理性蝕刻、化學(xué)性蝕刻和物理化學(xué)性蝕刻。其中：物理性蝕刻又稱為濺射蝕刻，一般利用惰性氣體在強(qiáng)電場(chǎng)下轟擊硅片表面，方向性很強(qiáng)，可以做到各向異性蝕刻，且不能進(jìn)行選擇性蝕刻；化學(xué)性蝕刻（以下稱為化學(xué)干法蝕刻）利用等離子體產(chǎn)生的反應(yīng)元素（自由基和反應(yīng)原子）與晶圓表面的物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，反應(yīng)中產(chǎn)生的揮發(fā)性生成物被真空泵抽走，從而實(shí)現(xiàn)蝕刻目的；物理化學(xué)性蝕刻則兼顧物理性蝕刻和化學(xué)性蝕刻的雙重作用。化學(xué)干法蝕刻的應(yīng)用領(lǐng)域主要在坡面多晶硅蝕刻（Slopepolyetch）、有源多晶硅回蝕（Sourcepolyetchback）、記憶多晶硅蝕刻（Memorypolyetch）、多晶硅細(xì)脈蝕刻（Polystringeretch）、氮化物細(xì)脈蝕刻（Nitridestringeretch）以及功率器件的底部圓形蝕刻（Bottomroundingetch）等。更多關(guān)于化學(xué)干法蝕刻的工藝可以參考公開(kāi)號(hào)為102496561A、公開(kāi)日為2012年6月13日的中國(guó)專利申請(qǐng)?，F(xiàn)有技術(shù)中化學(xué)干法蝕刻多采用化學(xué)干法蝕刻機(jī)（ChemicalDryEtch，CDE）實(shí)現(xiàn)。CDE設(shè)備中都包括石英玻璃管，蝕刻氣體通入該石英玻璃管中，從而蝕刻氣體與石英玻璃管通過(guò)微波（Microwave）電離出正、負(fù)離子，這些正、負(fù)離子和晶圓進(jìn)行反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)晶圓的刻蝕。但是，在采用上述CDE設(shè)備進(jìn)行蝕刻的過(guò)程中，容易發(fā)生蝕刻速率隨意下降（randomdrop），甚至晶圓報(bào)廢（scrap）的現(xiàn)象。此外，石英玻璃管也容易發(fā)生破裂（broken）的情況。因此，在進(jìn)行化學(xué)干法蝕刻時(shí)，如何提高蝕刻速率，保證晶圓的良率，且避免石英玻璃管發(fā)生破裂就成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問(wèn)題之一。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明解決的問(wèn)題是提供一種化學(xué)干法蝕刻方法和半導(dǎo)體器件的形成方法，可以避免CDE設(shè)備中的石英玻璃管發(fā)生破裂，且可以提高蝕刻速率和晶圓的良率。為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種化學(xué)干法蝕刻方法，包括：提供化學(xué)干法蝕刻機(jī)，所述化學(xué)干法蝕刻機(jī)包括石英玻璃管；對(duì)所述石英玻璃管進(jìn)行脫羥處理；采用所述化學(xué)干法蝕刻機(jī)進(jìn)行干法蝕刻。可選的，所述脫羥處理包括：采用氫氟酸對(duì)所述石英玻璃管進(jìn)行清洗?？蛇x的，所述氫氟酸的體積百分比大于或等于10%且小于或等于80%?？蛇x的，所述脫羥處理的時(shí)間大于或等于10分鐘且小于或等于30分鐘。可選的，在采用氫氟酸對(duì)所述石英玻璃管進(jìn)行清洗之后且在進(jìn)行干法蝕刻之前，所述方法還包括：采用去離子水清洗所述石英玻璃管。可選的，在采用去離子水清洗所述石英玻璃管之后且在進(jìn)行干法蝕刻之前，所述方法還包括：對(duì)所述石英玻璃管進(jìn)行烘干處理?？蛇x的，所述烘干處理的溫度包括80℃～110℃，時(shí)間包括30分鐘～100分鐘?？蛇x的，所述脫羥處理包括：將所述石英玻璃管在1000℃～1200℃的環(huán)境中放置2小時(shí)～4小時(shí)?？蛇x的，進(jìn)行所述干法蝕刻包括：坡面多晶硅蝕刻、有源多晶硅回蝕、記憶多晶硅蝕刻、多晶硅細(xì)脈蝕刻、氮化物細(xì)脈蝕刻或功率器件的底部圓形蝕刻中的一種或多種。為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明還提供了一種包括上述化學(xué)干法蝕刻方法的半導(dǎo)體器件的形成方法。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn)：在采用化學(xué)干法蝕刻機(jī)進(jìn)行干法蝕刻之前，先對(duì)化學(xué)干法蝕刻機(jī)中的石英玻璃管進(jìn)行脫羥處理，從而可以減少或去除石英玻璃管表面或內(nèi)部的羥基自由基含量，避免形成在石英玻璃管中形成氣泡，最終在采用脫羥處理之后的化學(xué)干法蝕刻機(jī)進(jìn)行干法蝕刻時(shí)，可以避免CDE設(shè)備中的石英玻璃管發(fā)生破裂，可以提高晶圓的良率，且可以提高蝕刻速率的穩(wěn)定性。進(jìn)一步的，可以通過(guò)采用氫氟酸對(duì)所述石英玻璃管進(jìn)行清洗的方式實(shí)現(xiàn)脫羥處理，氫氟酸可以置換出石英玻璃管表面或內(nèi)部的羥基自由基，且不會(huì)與石英玻璃管發(fā)生反應(yīng)，從而工藝簡(jiǎn)單，成本低。進(jìn)一步的，也可以將所述石英玻璃管在1000℃～1200℃的環(huán)境中放置2小時(shí)～4小時(shí)從而實(shí)現(xiàn)脫羥處理，從而可以進(jìn)一步簡(jiǎn)化工藝，且降低成本，提高脫羥的安全性。附圖說(shuō)明圖1是石英玻璃管的示意圖；圖2是本發(fā)明化...