銅蝕刻液添加劑以及銅蝕刻液的生成方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種銅蝕刻液添加劑以及銅蝕刻液的生成方法。方法包括:生成銅蝕刻液添加劑,其中銅蝕刻液添加劑為包括二價銅離子的無機(jī)溶液,銅蝕刻液添加劑以去離子水為溶劑,呈電中性;在進(jìn)行濕法蝕刻之前將銅蝕刻液添加劑添加到銅蝕刻液中,使得二價銅離子的濃度為700?1000ppm。通過以上方式,本發(fā)明能夠改善銅蝕刻液的蝕刻品質(zhì),使蝕刻速率、均一性得到提高。
【專利說明】
銅蝕刻液添加劑以及銅蝕刻液的生成方法
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及液晶面板技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種銅蝕刻液添加劑以及銅蝕刻液的生成方法。
【背景技術(shù)】
[0002]液晶面板的生產(chǎn)工藝包括清洗-成膜-曝光-顯影-蝕刻-剝離-檢查。其中,成膜方法包括物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積(CVD),蝕刻方法包括濕法蝕刻(WET)和干法蝕刻(DRY)。其中濕法蝕刻的效果對于布線的精細(xì)程度以及最終面板的品質(zhì)有很大的影響。以往的液晶顯示裝置的金屬配線是用的多為鋁或者鋁合金,蝕刻液體系一般為無機(jī)酸的混合物。隨著顯示技術(shù)的發(fā)展,尤其是顯示技術(shù)向著大型化及高分辨率化的發(fā)展中,傳統(tǒng)的金屬導(dǎo)線會隨著配線的變長,電阻的增加,從而放大信號延遲等問題,造成顯示效果的退化。所以,開始了向是用電阻更低的金屬配線的研發(fā),即銅制成的研發(fā)。由于金屬特性的不同,相應(yīng)的,也開發(fā)出新型的金屬蝕刻液。銅蝕刻液目前多為雙氧水體系配以一定的添加劑,已在實際生產(chǎn)中得到應(yīng)用,是一種較為成熟的技術(shù)。
[0003]然而在實際蝕刻過程中,多數(shù)蝕刻液在試用周期的初期會存在蝕刻性能不穩(wěn)定的一個階段。進(jìn)一步研究表明,這個不穩(wěn)定期是由于蝕刻液中二價銅離子含量的增加引起的。具體來說,當(dāng)蝕刻液中二價銅離子含量增加時,由于二價銅離子的氧化性,會加速蝕刻液的蝕刻能力。因此,需要有效的控制蝕刻液中二價銅離子的含量。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]本發(fā)明實施例提供了一種銅蝕刻液添加劑以及銅蝕刻液的生成方法,能夠改善銅蝕刻液的蝕刻品質(zhì),使蝕刻速率、均一性得到提高。
[0005]本發(fā)明提供一種銅蝕刻液的生成方法,包括:生成銅蝕刻液添加劑,其中銅蝕刻液添加劑為包括二價銅離子的無機(jī)溶液,銅蝕刻液添加劑以去離子水為溶劑,呈電中性;在進(jìn)行濕法蝕刻之前將銅蝕刻液添加劑添加到銅蝕刻液中,使得二價銅離子的濃度為700-1OOOppm0
[0006]其中,生成銅蝕刻液添加劑的步驟包括:在10g水中溶解18g五水硫酸銅形成銅蝕刻液添加劑。
[0007]其中,在進(jìn)行濕法蝕刻之前將銅蝕刻液添加劑添加到銅蝕刻液中的步驟包括:將銅蝕刻液添加劑以每500mL銅蝕刻液添加12.8g銅蝕刻液添加劑至銅蝕刻液中,使得二價銅離子濃度為lOOOppm。
[0008]其中,生成銅蝕刻液添加劑的步驟包括:在10g水中溶解1g五水硫酸銅與1g硝酸銅形成銅蝕刻液添加劑。
[0009]其中,在進(jìn)行濕法蝕刻之前將銅蝕刻液添加劑添加到銅蝕刻液中的步驟包括:將銅蝕刻液添加劑以每500mL銅蝕刻液添加1g銅蝕刻液添加劑至銅蝕刻液中,使得二價銅離子濃度為lOOOppm。
[0010]本發(fā)明還提供一種銅蝕刻液添加劑,銅蝕刻液添加劑為包括二價銅離子的無機(jī)溶液,銅蝕刻液添加劑以去離子水為溶劑,呈電中性,銅蝕刻液添加劑在進(jìn)行濕法蝕刻之前添加到銅蝕刻液中,使得二價銅離子的濃度為700-1000ppm。
[0011]其中,銅蝕刻液添加劑為硫酸銅水溶液,通過在1 O g水中溶解18 g五水硫酸銅形成。
[0012]其中,銅蝕刻液添加劑以每500mL銅蝕刻液添加12.8g銅蝕刻液添加劑至銅蝕刻液中,使得二價銅離子濃度為lOOOppm。
[0013]其中,銅蝕刻液添加劑為硫酸銅+硝酸銅水溶液,通過在10g水中溶解1g五水硫酸銅與1g硝酸銅形成。
[0014]其中,銅蝕刻液添加劑以每500mL銅蝕刻液添加1g銅蝕刻液添加劑至銅蝕刻液中,使得二價銅離子濃度為lOOOppm。
[0015]通過上述方案,本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明的銅蝕刻液添加劑為包括二價銅離子的無機(jī)溶液,銅蝕刻液添加劑以去離子水為溶劑,呈電中性,銅蝕刻液添加劑在進(jìn)行濕法蝕刻之前添加到銅蝕刻液中,使得二價銅離子的濃度為700-1000ppm,能夠改善銅蝕刻液的蝕刻品質(zhì),使蝕刻速率、均一性得到提高。
【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。其中:
[0017]圖1是本發(fā)明實施例的銅蝕刻液的生成方法的流程示意圖。
【具體實施方式】
[0018]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部實施例。基于本發(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性的勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0019]本發(fā)明實施例的銅蝕刻液添加劑為包括二價銅離子的無機(jī)溶液,銅蝕刻液添加劑以去離子水為溶劑,呈電中性,銅蝕刻液添加劑在進(jìn)行濕法蝕刻之前添加到銅蝕刻液中,使得二價銅離子的濃度為700-1000ppm。
[0020]本發(fā)明實施例的銅蝕刻液中,陰離子為氯,溴,硫酸根,硝酸根等的一種或幾種,溶液整體呈電中性,二價銅離子全部電解,未形成絡(luò)合物或沉淀。溶液濃度以銅離子濃度計算,從大于SOOppm到銅離子溶解度極限均可。使用方法為在蝕刻液進(jìn)行濕法蝕刻之前添加銅蝕刻液添加劑,并攪拌均勻,穩(wěn)定10_30min使蝕刻液中銅離子濃度提高到700-1000ppm左右,即可得到穩(wěn)定的蝕刻效果。
[0021 ]在本發(fā)明實施例中,銅蝕刻液添加劑可以為硫酸銅水溶液,通過在10g水中溶解18g五水硫酸銅形成,混合均勻后得到藍(lán)色溶液。銅蝕刻液添加劑以每500mL銅蝕刻液添加12.Sg上述銅蝕刻液添加劑至銅蝕刻液中,使得二價銅離子濃度為lOOOppm。如此所制得的該銅蝕刻液可得到穩(wěn)定的蝕刻效果,能夠提高蝕刻液的品質(zhì),使蝕刻速率、均一性得到提尚O
[0022]銅蝕刻液添加劑也可以為硫酸銅+硝酸銅水溶液,通過在10g水中溶解1g五水硫酸銅與1g硝酸銅形成,混合均勻后得到藍(lán)色溶液。銅蝕刻液添加劑以每500mL銅蝕刻液添加1g上述銅蝕刻液添加劑至銅蝕刻液中,使得二價銅離子濃度為lOOOppm。如此所制得的該銅蝕刻液可得到穩(wěn)定的蝕刻效果,能夠提高蝕刻液的品質(zhì),使蝕刻速率、均一性得到提尚O
[0023]圖1是本發(fā)明實施例的銅蝕刻液的生成方法的流程示意圖。如圖1所示,銅蝕刻液的生成方法:
[0024]步驟S10:生成銅蝕刻液添加劑,其中銅蝕刻液添加劑為包括二價銅離子的無機(jī)溶液,銅蝕刻液添加劑以去離子水為溶劑,呈電中性。
[0025]在步驟SlO中,可以在10g水中溶解18g五水硫酸銅形成銅蝕刻液添加劑,混合均勻后得到藍(lán)色溶液。或者也可以在10g水中溶解1g五水硫酸銅與1g硝酸銅形成銅蝕刻液添加劑,混合均勻后得到藍(lán)色溶液。
[0026]步驟Sll:在進(jìn)行濕法蝕刻之前將銅蝕刻液添加劑添加到銅蝕刻液中,使得二價銅離子的濃度為700-1000ppm。
[0027]本發(fā)明實施例的銅蝕刻液中,陰離子為氯,溴,硫酸根,硝酸根等的一種或幾種,溶液整體呈電中性,二價銅離子全部電解,未形成絡(luò)合物或沉淀。溶液濃度以銅離子濃度計算,從大于SOOppm到銅離子溶解度極限均可。使用方法為在蝕刻液進(jìn)行濕法蝕刻之前添加銅蝕刻液添加劑,并攪拌均勻,穩(wěn)定10_30min使蝕刻液中銅離子濃度提高到700-1000ppm左右,即可得到穩(wěn)定的蝕刻效果。
[0028]具體地,在步驟Sll中,在進(jìn)行濕法蝕刻之前,將銅蝕刻液添加劑以每500mL銅蝕刻液添加12.8g銅蝕刻液添加劑至銅蝕刻液中,使得二價銅離子濃度為lOOOppm。如此所制得的該銅蝕刻液可得到穩(wěn)定的蝕刻效果,能夠提高蝕刻液的品質(zhì),使蝕刻速率、均一性得到提尚O
[0029]或者,在進(jìn)行濕法蝕刻之前,將銅蝕刻液添加劑以每500mL銅蝕刻液添加1g銅蝕刻液添加劑至銅蝕刻液中,使得二價銅離子濃度為lOOOppm。如此所制得的該銅蝕刻液也可得到穩(wěn)定的蝕刻效果,能夠提高蝕刻液的品質(zhì),使蝕刻速率、均一性得到提高。
[0030]綜上所述,本發(fā)明的銅蝕刻液添加劑為包括二價銅離子的無機(jī)溶液,銅蝕刻液添加劑以去離子水為溶劑,呈電中性,銅蝕刻液添加劑在進(jìn)行濕法蝕刻之前添加到銅蝕刻液中,使得二價銅離子的濃度為700-1000ppm,能夠改善銅蝕刻液的蝕刻品質(zhì),使蝕刻速率、均一性得到提尚。
[0031]以上所述僅為本發(fā)明的實施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【主權(quán)項】
1.一種銅蝕刻液的生成方法,其特征在于,所述方法包括: 生成銅蝕刻液添加劑,其中所述銅蝕刻液添加劑為包括二價銅離子的無機(jī)溶液,所述銅蝕刻液添加劑以去離子水為溶劑,呈電中性; 在進(jìn)行濕法蝕刻之前將所述銅蝕刻液添加劑添加到銅蝕刻液中,使得所述二價銅離子的濃度為700-1000ppm。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述生成銅蝕刻液添加劑的步驟包括: 在10g水中溶解18g五水硫酸銅形成所述銅蝕刻液添加劑。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其特征在于,所述在進(jìn)行濕法蝕刻之前將所述銅蝕刻液添加劑添加到銅蝕刻液中的步驟包括: 將所述銅蝕刻液添加劑以每500mL所述銅蝕刻液添加12.Sg所述銅蝕刻液添加劑至所述銅蝕刻液中,使得所述二價銅離子濃度為lOOOppm。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法,其特征在于,所述生成銅蝕刻液添加劑的步驟包括: 在10g水中溶解1g五水硫酸銅與1g硝酸銅形成所述銅蝕刻液添加劑。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法,其特征在于, 所述在進(jìn)行濕法蝕刻之前將所述銅蝕刻液添加劑添加到銅蝕刻液中的步驟包括: 將所述銅蝕刻液添加劑以每500mL所述銅蝕刻液添加1g所述銅蝕刻液添加劑至所述銅蝕刻液中,使得所述二價銅離子濃度為I OOOppm。6.一種銅蝕刻液添加劑,其特征在于,所述銅蝕刻液添加劑為包括二價銅離子的無機(jī)溶液,所述銅蝕刻液添加劑以去離子水為溶劑,呈電中性,所述銅蝕刻液添加劑在進(jìn)行濕法蝕刻之前添加到銅蝕刻液中,使得所述二價銅離子的濃度為700-1000ppm。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的銅蝕刻液添加劑,其特征在于,所述銅蝕刻液添加劑為硫酸銅水溶液,通過在I OOg水中溶解18g五水硫酸銅形成。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的銅蝕刻液添加劑,其特征在于,所述銅蝕刻液添加劑以每500mL所述銅蝕刻液添加12.Sg所述銅蝕刻液添加劑至所述銅蝕刻液中,使得所述二價銅離子濃度為lOOOppm。9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的銅蝕刻液添加劑,其特征在于,所述銅蝕刻液添加劑為硫酸銅+硝酸銅水溶液,通過在I OOg水中溶解I Og五水硫酸銅與I Og硝酸銅形成。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的銅蝕刻液添加劑,其特征在于,所述銅蝕刻液添加劑以每500mL所述銅蝕刻液添加1g所述銅蝕刻液添加劑至所述銅蝕刻液中,使得所述二價銅離子濃度為lOOOppm。
【文檔編號】C23F1/18GK105862040SQ201610446967
【公開日】2016年8月17日
【申請日】2016年6月20日
【發(fā)明人】武岳, 周佑聯(lián), 周志超
【申請人】深圳市華星光電技術(shù)有限公司