半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶及半導(dǎo)體晶片的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶及半導(dǎo)體晶片的制造方法，其中，所述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶在基材膜上至少具有1層放射線固化型粘合劑層，下述的固化收縮值S為0.3～1.8，相對于不銹鋼研磨面的放射線照射前的粘合力A為1.5N/25mm～20N/25mm、并且放射線照射后的粘合力B為0.01N/25mm～1.5N/25mm，在所述半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的貼合面?zhèn)鹊谋砻嫔洗嬖诘陌纪沟捻敳康母叨扰c底部的高度的最大差為10μm～300μm，所述放射線固化型粘合劑層的厚度為1μm～30μm。
【專利說明】半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶及半導(dǎo)體晶片的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶及半導(dǎo)體晶片的制造方法。進(jìn)一步詳細(xì)而言，本發(fā)明涉及可以適用于其表面具有凹凸的半導(dǎo)體晶片的背面磨削(Back grinding)工序的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶及半導(dǎo)體晶片的制造方法。
【背景技術(shù)】[0002]在半導(dǎo)體晶片的制造工序中，對于形成圖案后的半導(dǎo)體晶片來說，為了使其厚度變薄，通常對半導(dǎo)體晶片背面實(shí)施背面磨削、蝕刻等處理。此時(shí)，以保護(hù)半導(dǎo)體晶片表面的圖案作為目的，將半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶貼附在該圖案面上。半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶通常是在基材膜上層積粘合劑層而成的，并且是將粘合劑層貼附在半導(dǎo)體晶片的表面上來使用的。
[0003]近年來，伴隨移動(dòng)電話或便攜式電腦等的小型化、高功能化，開發(fā)出了與線焊(Wire bonding)相比能夠以較為節(jié)省空間的方式進(jìn)行安裝的倒裝芯片(Flip chip)安裝。倒裝芯片安裝中，在將芯片表面與基板進(jìn)行電連接時(shí)，通過在半導(dǎo)體晶片表面上所形成的球狀或圓柱狀的凸點(diǎn)(bump)來進(jìn)行連接。在如此形成有凸點(diǎn)的半導(dǎo)體晶片的背面磨削工序中，因該半導(dǎo)體晶片的形狀會(huì)導(dǎo)致切削水進(jìn)入半導(dǎo)體晶片與膠帶之間從而使產(chǎn)生滲漏(seepage)的風(fēng)險(xiǎn)升高，該滲漏會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片受到污染，因此要求半導(dǎo)體晶片與膠帶之間更強(qiáng)的密合性，但若提高密合性，則膠帶的剝離性變差。特別是，半導(dǎo)體晶片的厚度正在傾向于越來越薄，加工成100 μ m以下的厚度并不少見，因而剝離性的變差易導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片破損。
[0004]為了解決上述問題，提出了如下方案:使用放射線固化型粘合劑，在將半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶剝離時(shí)使粘合力下降(例如參照專利文獻(xiàn)I)。
[0005]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)
[0007]專利文獻(xiàn)1:日本特開2010-215769號公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0008]發(fā)明要解決的問題
[0009]但是，對于以往的放射線固化型的膠帶來說，若對其進(jìn)行放射線固化，則有時(shí)粘合劑會(huì)侵入到凸點(diǎn)等半導(dǎo)體晶片表面的凹凸，固著效果(anchor effect)增強(qiáng)，變得難以剝離，這種情況下，會(huì)產(chǎn)生凸點(diǎn)部的破損、或剝離后粘合劑殘留在半導(dǎo)體晶片的表面上這樣的問題。隨著以提高半導(dǎo)體的可靠性為目的的、凸點(diǎn)的高凸點(diǎn)化及凸點(diǎn)間距離的窄間距化，上述問題更加顯著。
[0010]因此，本發(fā)明的課題在于提供一種半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶以及使用了該膠帶的半導(dǎo)體晶片的制造方法，所述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶在半導(dǎo)體晶片加工時(shí)可以牢固地密合在半導(dǎo)體晶片上，并且在剝離時(shí)可以在沒有半導(dǎo)體晶片破碎或余膠的情況下進(jìn)行剝離。
[0011]用于解決問題的手段
[0012]鑒于上述問題，本發(fā)明人進(jìn)行深入了研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)放射線照射前后的粘合力和固化收縮值是很重要的，并且進(jìn)一步反復(fù)進(jìn)行了深入研究，從而完成了本發(fā)明。
[0013]即，上述課題可以通過以下手段來達(dá)成。
[0014](I) 一種半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶，其是貼合在半導(dǎo)體晶片并在進(jìn)行背面磨削時(shí)所使用的表面保護(hù)用膠帶，
[0015]所述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的特征在于，
[0016]所述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶在基材膜上至少具有I層放射線固化型粘合劑層，且下述固化收縮值S為0.3~1.8，放射線照射前的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力A為1.5N/25mm~20N/25mm、且放射線照射后的粘合力B為0.01N/25mm~1.5N/25mm,
[0017]在所述半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的貼合面一側(cè)的表面上存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的最大差為IOym~300μπι，所述放射線固化型粘合劑層的厚度為I μ m~30 μ m。
[0018]固化收縮值S= {(B/A)/(D/C)}
[0019](上述式中，A表示放射線照射前的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力，B表示放射線照射后的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力，C表示放射線照射前的膠帶面上的膠粘力(峰值)，D表示放射線照射后的膠帶面上的膠粘力(峰值))。
`[0020](2)如(I)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶，其特征在于，在所述基材膜與所述放射線固化型粘合劑層之間具有放射線非固化型粘合劑層或由樹脂構(gòu)成的中間層，所述放射線非固化型粘合劑層或由樹脂構(gòu)成的中間層在25°C或60°C的儲(chǔ)能模量為IX IO4Pa~IXlO6Pa0
[0021](3)如(I)或(2)所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶，其特征在于，在具有所述放射線固化型粘合劑層一側(cè)的基材膜上所存在的層的總厚度大于等于在所述半導(dǎo)體晶片面上存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的所述最大差。
[0022](4) 一種半導(dǎo)體晶片的制造方法，該半導(dǎo)體晶片的制造方法包括下述工序:利用在基材膜上具有粘合劑層的表面保護(hù)用膠帶來保護(hù)半導(dǎo)體晶片的晶片表面，對該晶片的背面進(jìn)行磨削，從而加工得到半導(dǎo)體晶片；所述半導(dǎo)體晶片的制造方法的特征在于，
[0023]所述表面保護(hù)用膠帶在基材膜上至少具有I層放射線固化型粘合劑層，且下述固化收縮值S為0.3~1.8，放射線照射前的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力A為
1.5N/25mm~20N/25mm、且放射線照射后的粘合力B為0.01N/25mm~1.5N/25mm,
[0024]在所述半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的貼合面一側(cè)的表面所存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的最大差為IOym~300μπι，所述放射線固化型粘合劑層的厚度為I μ m~30 μ m。
[0025]固化收縮值S= {(B/A) / (D/C)}
[0026](上述式中，A表示放射線照射前的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力，B表示放射線照射后的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力，C表示放射線照射前的膠帶面上的膠粘力(峰值)，D表示放射線照射后的膠帶面上的膠粘力(峰值))。
[0027](5)如(4)所述的半導(dǎo)體晶片的制造方法，其特征在于，所述表面保護(hù)用膠帶在所述基材膜與所述放射線固化型粘合劑層之間具有放射線非固化型粘合劑層或由樹脂構(gòu)成的中間層，所述放射線非固化型粘合劑層或由樹脂構(gòu)成的中間層在25°C或60°C的儲(chǔ)能模量為 I X IO4Pa ~IXlO6Pa0
[0028](6)如(4)或(5)所述的半導(dǎo)體晶片的制造方法，其特征在于，在具有所述放射線固化型粘合劑層一側(cè)的基材膜上所存在的層的總厚度大于等于在所述半導(dǎo)體晶片面存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的所述最大差。
[0029]發(fā)明的效果
[0030]根據(jù)本發(fā)明，可以提供一種半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶及半導(dǎo)體晶片的制造方法，所述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶在半導(dǎo)體晶片加工時(shí)牢固地密合在半導(dǎo)體晶片上由此可以大幅減少滲漏等的產(chǎn)生，可以在沒有半導(dǎo)體晶片破損和余膠的情況下進(jìn)行剝離。
【具體實(shí)施方式】
[0031]以下，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0032]《半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶》
[0033]本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶在基材膜的至少一個(gè)面上形成有放射線固化型粘合劑層。
[0034]這里，放射線固化型粘合劑層通過放射線(例如，紫外線之類的光線(也包括激光光線)、電子射線等電離性放射線)的照射而固化。所照射的放射線優(yōu)選為紫外線。
[0035]<固化收縮值>
[0036]本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的固化收縮值S為0.3~1.8。通過使該固化收縮值S為0.3~1.8，由此可以抑制由于粘合劑侵入半導(dǎo)體晶片表面而導(dǎo)致的固著效果的產(chǎn)生，并可抑制對剝離性的不良影響。
[0037]此處，固化收縮值S通過下式求出。
[0038]固化收縮值S= {(B/A) / (D/C)}
[0039]式中，A表示放射線照射前的相對于不銹鋼(Steel Use Stainless、SUS)的研磨面的粘合力，B表示放射線照射后的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力，C表示放射線照射前的膠帶面上的膠粘力，D表示放射線照射后的膠帶面上的膠粘力。
[0040]本發(fā)明中，固化收縮值S更優(yōu)選為1.5以下、進(jìn)一步優(yōu)選為1.0以下。
[0041]粘合力和膠粘力通過以下的測定而得到。
[0042]需要說明的是，不銹鋼(Steel Use Stainless、SUS)是JIS G4305中規(guī)定的SUS304鋼板，其是利用砂紙打磨后的不銹鋼鋼板。對于打磨方法，可以根據(jù)JIS Z0237來進(jìn)行精加工，砂紙使用粗度為280號的砂紙。
[0043][粘合力的測定]
[0044]自半導(dǎo)體晶片加工用膠帶切出寬25mm、長300mm的試驗(yàn)片。采用2kg的橡膠棍將上述試驗(yàn)片反復(fù)3次壓接在利用JIS R6253中規(guī)定的280號的耐水砂紙進(jìn)行了精加工的JIS G4305中規(guī)定的厚度為1.5mm的不銹鋼(Steel Use Stainless、SUS)板上，放置I小時(shí)后，使用測定值落入其容量的15%~85%的范圍的適于JIS B7721的拉伸試驗(yàn)機(jī)(例如，Instron公司制造的拉伸試驗(yàn)機(jī)(Dual Column Tabletop model5567))來測定放射線照射前的粘合力A。同樣，從膠帶貼合面的基材膜背面對膠帶壓接后經(jīng)過I個(gè)小時(shí)的材料照射1000mJ/cm2(照度為40mW/cm2)的紫外線，放置I小時(shí)后，測定放射線照射后的粘合力B。測定是按照180°剝離法，在拉伸速度為300mm/min、25°C、相對濕度50%的條件下進(jìn)行的；對各膠帶分別實(shí)施3次測定，求出其算術(shù)平均值，并將其作為粘合力。
[0045][膠粘力的測定][0046]自半導(dǎo)體晶片加工用膠帶切出寬25mm、長150mm作為試驗(yàn)片。使用膠粘力(tacking)試驗(yàn)機(jī)(例如，商品名:TAC II, Rhesca制)，在貼合于半導(dǎo)體晶片表面的粘合劑層側(cè)，以30mm/min的速度壓入.3mmtp圓柱狀探針，以制動(dòng)載荷100gf保持I秒鐘，之后以600mm/min的速度上拉，將此時(shí)的峰值載荷作為放射線照射前的膠粘力C。切出試驗(yàn)片后，從基材膜背面照射lOOOmJ/cm2的紫外線(照度為40mW/cm2)并放置I個(gè)小時(shí)，將其作為試驗(yàn)片，按照同樣的方法求出放射線照射后的膠粘力D。測定是在25°C、相對濕度50%的條件下進(jìn)行的；在各膠帶的各試驗(yàn)片中測定不同的5個(gè)點(diǎn)，求出其算術(shù)平均值，將其作為膠粘力。
[0047]SUS鋼板與膠帶的接合主要是物理性作用(范德華力等)、化學(xué)性作用(界面彼此間的化學(xué)鍵合)、以及機(jī)械性作用(固著效果)發(fā)揮作用。
[0048]若利用放射線使膠帶固化，則放射線固化型粘合劑可進(jìn)行高彈性化、低極性化，會(huì)導(dǎo)致上述作用下降，因此膠帶的剝離可以順利地進(jìn)行。但是，膠帶在放射線固化時(shí)會(huì)發(fā)生收縮，因此粘合劑會(huì)侵入研磨后的SUS鋼板的微細(xì)的凹凸處，從而有時(shí)會(huì)導(dǎo)致固著效果增加。
[0049]在本發(fā)明中，粘合力用于以所述剝離時(shí)的剝離力來表示該接合性。
[0050]另一方面，膠粘力表示瞬間接合的難易程度，難以受固著效果的影響。
[0051]因此，若使固化收縮值為0.3~1.8，則即使相對于具有如凸點(diǎn)那樣的凹凸的面也可以順利地進(jìn)行剝離。
[0052]<粘合力>
[0053]本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶中，以上述方法測定得到的放射線固化后的粘合力 B 在 25°C 時(shí)為 0.01N/25mm ~1.5N/25mm。
[0054]需要說明的是，出于固化的目的，放射線固化后的粘合力B優(yōu)選低于后述的放射線固化前的粘合力A。
[0055]放射線固化后的粘合力B優(yōu)選為0.01N/25mm~1.0N/25mm。
[0056]此處，近年來在對膠帶進(jìn)行剝離時(shí)，例如有時(shí)進(jìn)行50°C左右的加溫，在這樣的情況下，期望即使在剝離時(shí)的溫度也滿足上述范圍。
[0057]使放射線固化后的粘合力B為0.01N/25mm~1.5N/25mm,由此可以減少粘合劑殘存在半導(dǎo)體晶片表面、及半導(dǎo)體晶片表面的凸點(diǎn)被剝離的風(fēng)險(xiǎn)。若放射線固化后的粘合力B超過1.5N/25mm,則無法得到所述效果。相反,若小于0.01N/25mm,則在剝離前,表面保護(hù)用膠帶浮起，根據(jù)情況表面保護(hù)用膠帶有可能發(fā)生卷曲、產(chǎn)生剝離錯(cuò)誤。
[0058]如此，通過使放射線固化后的粘合力B為0.01N/25mm~1.5N/25mm，從而具有如下效果:在半導(dǎo)體晶片剝離時(shí)可抑制半導(dǎo)體晶片的破損和粘合劑殘留。
[0059]本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶中，以上述方法測定得到的放射線固化前的粘合力 A 在 25°C 時(shí)為 1.5N/25mm ~20N/25mm。
[0060]若放射線固化前的粘合力A小于1.5N/25mm，則相對于半導(dǎo)體晶片表面凹凸的密合性下降，可能會(huì)產(chǎn)生半導(dǎo)體晶片磨削時(shí)的灰塵滲入、或膠帶從半導(dǎo)體晶片表面浮起；相反，若超過20N/25mm，則密合性過強(qiáng)，因此導(dǎo)致利用放射線固化也難以降低粘合力，若增強(qiáng)放射線固化，則由于其固化收縮而會(huì)導(dǎo)致固著效果增大。
[0061]本發(fā)明中，放射線固化前的粘合力A優(yōu)選為1.5N/25mm~15N/25mm、更優(yōu)選為2N/25mm~15N/25mm、進(jìn)一步優(yōu)選為2N/25mm~10N/25mm。另外，放射線固化后的粘合力B優(yōu)選為0.01N/25mm~1.0N/25mm、更優(yōu)選為0.05N/25mm~1.0N/25mm、進(jìn)一步優(yōu)選為
0.lN/25mm ~1.0N/25mm。
[0062]<膠粘力>
[0063]在本發(fā)明中，出于在半導(dǎo)體晶片上進(jìn)行貼合時(shí)的操作性的目的，放射線固化前的膠粘力C優(yōu)選為50kPa~600kPa、更優(yōu)選為IOOkPa~300kPa。另外，放射線固化后的膠粘力D優(yōu)選為3kPa~lOOkPa。
[0064]對于固化收縮值S，如后所述可以通過適當(dāng)調(diào)節(jié)粘合劑組合物的分子量、添加劑的種類和數(shù)量、放射線固化型粘合劑層的厚度等而使其為本發(fā)明的范圍。
[0065]以下，對滿足上述的固化收縮值、粘合力、膠粘力的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的各構(gòu)成要素進(jìn)行詳細(xì)的說明。
[0066]<基材膜>
[0067]基材膜優(yōu)選由樹脂膜構(gòu)成，可以使用公知的塑料、橡膠等?？梢耘e出例如聚烯烴樹脂〔聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1等聚烯烴樹脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；乙烯_(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸甲酯共聚物等乙烯_(甲基)丙烯酸酯共聚物；乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物、離聚物等α-烯烴的均聚物或者共聚物、或它們的混合物〕、聚酯樹脂(聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯)、聚碳酸酯樹脂、聚氨`酯樹脂、工程塑料(聚甲基丙烯酸甲酯等)、合成橡膠類(苯乙烯-乙烯-丁烯或者戊烯系共聚物)、熱塑性彈性體(聚酰胺-多元醇共聚物等)、以及它們的混合物。另外，還可以使用對上述物質(zhì)進(jìn)行多層層積的材料。
[0068]本發(fā)明中，基材膜優(yōu)選聚烯烴樹脂，其中優(yōu)選乙烯-乙酸乙烯酯共聚物膜。
[0069]對于基材膜的厚度，從強(qiáng)伸長率特性、表面保護(hù)膠帶的剝離性、在貼合機(jī)上的切割性的觀點(diǎn)出發(fā)，若為聚乙烯或乙烯共聚物等具有柔軟性的基材，則厚度優(yōu)選為50μπι~300 μ m ;若為聚酯等具有剛性的基材，則厚度優(yōu)選為10 μ m~100 μ m。
[0070]本發(fā)明中，基材膜的厚度優(yōu)選為50μπι~300μπι。
[0071]〈中間層〉
[0072]作為防止在對表面具有凹凸的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行背面磨削時(shí)的磨削粉塵(dust)滲入等的方法，認(rèn)為有使膠帶追從半導(dǎo)體晶片整面的凹凸的方法、和使膠帶僅密合在半導(dǎo)體晶片周邊部的方法。在前一種方法中，若為了使放射線固化型的粘合劑具有追從凹凸的功能，則需要與半導(dǎo)體晶片表面的凹凸同樣或更大的粘合劑厚度，因此固化收縮增大，會(huì)導(dǎo)致成為剝離不良的原因。另一方面，若使粘合劑層的厚度變薄，利用I層基材膜來追從凹凸，則需要為儲(chǔ)能模量低于I X IO6Pa這樣的低彈性基材膜，若使用這樣的低彈性膜，則可能會(huì)產(chǎn)生背面磨削后的變薄了的半導(dǎo)體晶片的平坦保持力變差、或使膠帶的制造性變差。
[0073]為了解決上述問題，本發(fā)明中優(yōu)選在基材膜與放射線固化型粘合劑層之間具有中間層，該中間層具有凹凸追從性。
[0074]此處，中間層是指在基材膜與放射線固化型粘合劑層之間所具有的層，該中間層可以僅為樹脂層或樹脂膜(非粘合性的樹脂層或樹脂膜)、也可以為放射線非固化型粘合劑層。另外，也可以具有2個(gè)以上中間層。
[0075]中間層為樹脂層或樹脂膜的情況下，可以使用眾所周知的樹脂膜。另外，中間層為放射線非固化型的粘合劑層的情況下，可以使用現(xiàn)有的放射線非固化型粘合劑層。
[0076]在本發(fā)明中，為了實(shí)現(xiàn)凹凸追從性，中間層的儲(chǔ)能模量優(yōu)選為IXlO4Pa~lX106Pa、更優(yōu)選為3X104Pa~5X105Pa。若儲(chǔ)能模量為I X IO4Pa以下則剛性過低，因此有可能導(dǎo)致外層的紫外線固化型粘合劑因固化收縮而容易向半導(dǎo)體晶片侵入、或凝聚力不足而成為余膠等的原因；若彈性模量為IXlO6Pa以上，則半導(dǎo)體晶片上的凹凸追從性不充分。為了提高半導(dǎo)體晶片與膠帶的密合性等，在貼合膠帶時(shí)有時(shí)進(jìn)行加熱。這樣的情況下，優(yōu)選在例如60°C等加熱溫度為上述儲(chǔ)能模量。
[0077](放射線非固化型粘合劑的中間層)
[0078]用作中間層的放射線非固化型粘合劑(粘合劑樹脂、基礎(chǔ)樹脂)可以使用例如(甲基)丙烯酸系粘合劑。(甲基)丙烯酸系粘合劑可以舉出(甲基)丙烯酸酯單體、或由(甲基)丙烯酸酯單體與(甲基)丙烯酸導(dǎo)出的結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成的(甲基)丙烯酸酯共聚物。此處，(甲基)丙烯酸酯單體可以舉出例如(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯、(甲基)丙烯酸芐酯、烷基的碳原子數(shù)為I~18的(甲基)丙烯酸烷基酯、醇部具有羥基的(甲基)丙烯酸酯(例如丙烯酸羥基乙酯)。
[0079]作為粘合成分以外的其他成分，優(yōu)選為與粘合成分相溶性良好的物質(zhì)，只要對粘合性不會(huì)產(chǎn)生問題則可以根據(jù)需要混配賦粘劑、粘合調(diào)整劑、表面活性劑或其他的改性劑等。另外，還可以適當(dāng)添加無機(jī)化合物填料。本發(fā)明中，中間層有必要為放射線非固化型，但在對固化收縮不造成影響的范圍內(nèi)，以提高剝離性、提高凝聚力、提高中間層上的與放射線固化型粘合劑層的層間密合性等為目的，可以少量添加放射線固化型的低聚物等(例如，相對于100質(zhì)量份的中間層的上述粘合劑樹脂(基礎(chǔ)樹脂)為I質(zhì)量份~50質(zhì)量份)。
[0080]需要說明的是，中間層為放射線非固化型的主要的目的是為了抑制固化收縮，SP使中間層為放射線固化型，在貼合在半導(dǎo)體晶片之前使其放射線固化并調(diào)整彈性模量和粘合物性則也可以使用。
[0081] 粘合劑組合物可以根據(jù)需要含有交聯(lián)劑。交聯(lián)劑為選自多異氰酸酯類、三聚氰胺/甲醛樹脂、和環(huán)氧樹脂的化合物，可以單獨(dú)使用、或組合兩種以上來使用。通過可以與(甲基)丙烯酸系共聚物反應(yīng)的交聯(lián)結(jié)構(gòu)，可以在涂布粘合劑后提高粘合劑的凝聚力。
[0082]對于多異氰酸酯類無特別限制，例如可以舉出六亞甲基二異氰酸酯、2，2，4-三甲基-六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、4，4’-二環(huán)己基甲烷二異氰酸酯、2，4’-二環(huán)己基甲烷二異氰酸酯、賴氨酸二異氰酸酯、賴氨酸三異氰酸酯、4，4’ - 二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯、4，4’ - 二苯基醚二異氰酸酯、4，4’ -〔2，2-雙(4-苯氧基苯基)丙烷〕二異氰酸酯等?？梢允褂檬惺燮返腃0R0NETL(NipponPolyurethane株式會(huì)社制造)等。
[0083]另外，三聚氰胺/甲醛樹脂可以使用NIKALAC MX-45 (Sanwa Chemical公司制造)、Meylan (日立化成工業(yè)株式會(huì)社制造)等。
[0084]進(jìn)一步，環(huán)氧樹脂可以使用TETRAD-X (三菱化學(xué)株式會(huì)社制造)等。
[0085]相對于100質(zhì)量份的上述粘合劑樹脂(基礎(chǔ)樹脂)，交聯(lián)劑的添加量優(yōu)選為0.1質(zhì)量份~20質(zhì)量份，為了和粘合劑樹脂(基礎(chǔ)樹脂)的能夠與交聯(lián)劑反應(yīng)的官能團(tuán)(例如羥基、羧基、氨基、巰基)的數(shù)量相應(yīng)、并且得到期望的粘合物性和彈性模量，可以適當(dāng)調(diào)整該量。若添加量小于0.1質(zhì)量份，則凝聚力提高效果傾向于不充分；若超過20質(zhì)量份，則在粘合劑的混配及涂布操作中固化反應(yīng)急速進(jìn)行，傾向于形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)，因此可能對操作性有損。為了得到如上所述的儲(chǔ)能模量，交聯(lián)劑的添加量優(yōu)選為0.1質(zhì)量份~5質(zhì)量份。
[0086]中間層可以通過下述方法來形成:將上述粘合劑組合物涂布在基材膜上并使其干燥；或?qū)⑸鲜稣澈蟿┙M合物涂布在后述的剝離膜上并使其干燥然后轉(zhuǎn)印在基材膜上，由此形成中間層。另外，也可以通過與設(shè)置在中間層上的放射線固化型粘合劑層一同進(jìn)行層積、并進(jìn)行涂布使其干燥的方法來形成，該方法在提高中間層與放射線固化型粘合劑層之間的層間密合性及操作的效率化方面是有用的。
[0087](樹脂層或者樹脂膜的中間層)
[0088]中間層可以為樹脂層或樹脂膜。樹脂層或者樹脂膜為單純的樹脂層或者樹脂膜，其并非以粘合為目的，因此優(yōu)選為非粘合性。
[0089]這樣的樹脂層或者樹脂膜可以舉出例如聚乙烯；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物；乙烯_(甲基)丙烯酸乙酯共聚物、乙烯_(甲基)丙烯酸甲酯共聚物這樣的乙烯_(甲基)丙烯酸酯共聚物；乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物、離聚物等α -烯烴的均聚物或共聚物；或者它們的混合物。可以具有2層以上這些樹脂層或者樹脂膜。
[0090]從制造性和彈性模量的調(diào)整容易程度方面考慮，用于中間層的樹脂層或者樹脂膜優(yōu)選為乙烯-乙酸乙烯酯共聚物，若乙烯-乙酸乙烯酯共聚物中的乙酸乙烯酯的含有率為20質(zhì)量％~50質(zhì)量％，則在儲(chǔ)能模量、耐熱性、和制造操作方面較適合。
[0091]對于樹脂層或者樹脂膜的層積方法，只要對樹脂層或者樹脂膜的厚度的精度不造成影響、以及對該樹脂層或者樹脂膜不造成缺陷的范圍，則無特別限制，例如可以舉出通過共擠出來制膜及利用接合劑來貼合等。
[0092]在設(shè)置有放射線固化型粘合劑層(或在具有2個(gè)以上的中間層的情況下為放射線非固化型粘合劑層)一側(cè)的樹脂層或者樹脂膜表面上，為了提高與放射線固化型粘合劑層(或在具有2個(gè)以上的中間層的情況下為放射線非固化型粘合劑層)的密合性，可以適當(dāng)實(shí)施電暈處理或設(shè)置底涂層等處理。
[0093]中間層的厚度優(yōu)選為30 μ m~500 μ m、更優(yōu)選為80 μ m~300 μ m。 [0094]<放射線固化型粘合劑層>
[0095]本發(fā)明在基材膜上、優(yōu)選在中間層上至少具有I層放射線固化型粘合劑層，該放射線固化型粘合劑層通過放射線照射而固化并使粘合力下降。此處，至少I層的放射線固化型粘合劑層在貼合時(shí)接觸于半導(dǎo)體晶片面。
[0096]對于構(gòu)成放射線固化型粘合劑層的粘合劑組合物來說，只要是在將粘合劑層貼合在表面具有凹凸的晶片上時(shí)可追從該凹凸、并且固化收縮值小的組合物就沒有特別限定，其主要成分的聚合物(粘合劑基礎(chǔ)樹脂)優(yōu)選為(甲基)丙烯酸類樹脂。使用(甲基)丙烯酸類樹脂作為主要成分的聚合物，由此使得粘合力的控制變得容易，可以控制彈性模量等，因此可以減少半導(dǎo)體晶片被有機(jī)物污染、以及在剝離半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶后粘合劑殘留在半導(dǎo)體晶片上。
[0097]對于構(gòu)成粘合劑層的粘合劑組合物并無沒有特別限定，優(yōu)選粘合劑組合物所具有的密合性為在背面磨削工序中不會(huì)產(chǎn)生晶片破裂、且不會(huì)由于磨削時(shí)的灰塵滲入而使圖案表面受到污染的程度。伴隨著半導(dǎo)體晶片的薄壁化，也存在由于粘合劑的放射線固化收縮而產(chǎn)生晶片破裂的危險(xiǎn)，因此以放射線固化后的收縮小的組合物、因加熱工序而產(chǎn)生的氣體少的組合物、在經(jīng)過加熱工序后也可通過放射線照射而使粘合力充分降低的組合物為且。
[0098]為了通過放射線的照射來進(jìn)行固化，粘合劑基礎(chǔ)樹脂等樹脂具有烯鍵式不飽和基團(tuán)(非芳香族性的碳-碳雙鍵)、或在粘合劑基礎(chǔ)樹脂中合用具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的化合物。
[0099]在本發(fā)明中，具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的粘合劑基礎(chǔ)樹脂等樹脂優(yōu)選使用在側(cè)鏈具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的樹脂。將烯鍵式不飽和基團(tuán)固定在粘合劑基礎(chǔ)樹脂等的側(cè)鏈上，由此可容易通過烯鍵式不飽和基團(tuán)的放射線交聯(lián)點(diǎn)間的距離收縮來抑制固化收縮。
[0100]在粘合劑基礎(chǔ)樹脂中合用具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的化合物的情況下，為了抑制固化收縮，如實(shí)施例所示，可以舉出使烯鍵式不飽和基團(tuán)的官能團(tuán)數(shù)減少至例如5官能以下；或使所添加的量并非過剩而適當(dāng)添加(例如，相對于100質(zhì)量份的粘合劑基礎(chǔ)樹脂為50質(zhì)量份~100質(zhì)量份)等方法。
[0101]另外，優(yōu)選在粘合劑組合物中含有光聚合引發(fā)劑；為了調(diào)整放射線固化后的收縮，優(yōu)選含有交聯(lián)劑。
[0102](具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的樹脂)
[0103]對于具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的樹脂無特別限制，優(yōu)選為(甲基)丙烯酸類樹脂。
[0104]作為樹脂中所含有的雙鍵的量的指標(biāo)，碘價(jià)優(yōu)選為0.5~20。該碘價(jià)更優(yōu)選為
0.8~10。若碘價(jià)為0.5以上，則可以得到放射線照射后的粘合力下降的效果；若碘價(jià)為20以下，則可以防止過度的放射線固化，可以抑制固化收縮。通過調(diào)整雙鍵的量，可以特別對放射線固化后的粘合力進(jìn)行調(diào)整。
[0105]另外，具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的樹脂的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)優(yōu)選為-70°C~(TC。玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)若為-70°c以上，則對于伴隨放射線照射等產(chǎn)生的熱的耐熱性增加。
[0106]具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的樹脂的制造方法無特別限制，優(yōu)選下述方法:使在側(cè)鏈具有官能團(tuán)(α)的(甲基)丙烯酸類樹脂、與具有烯鍵式不飽和基團(tuán)和能夠與上述樹脂中的官能團(tuán)(α)反應(yīng)的官能團(tuán)(β)的化合物發(fā)生反應(yīng)，從而將烯鍵式不飽和基團(tuán)導(dǎo)入(甲基)丙烯酸類樹脂的側(cè)鏈。
[0107]對于烯鍵式不飽和基團(tuán)無特別限制，優(yōu)選為(甲基)丙烯?；?甲基)丙烯酰氧基、(甲基)丙烯酰氨基、烯丙基、1-丙烯基、乙烯基(包括苯乙烯或者取代苯乙烯)，更優(yōu)選(甲基)丙烯?；?甲基)丙烯酰氧基。
[0108]作為能夠與官能團(tuán)(α)反應(yīng)的官能團(tuán)(β)，可以舉出羧基、羥基、氨基、巰基、環(huán)狀酸酐基、環(huán)氧基、異氰酸酯基等。
[0109]此處，在官 能團(tuán)(α)和官能團(tuán)(β)之中的一個(gè)官能團(tuán)為羧基、羥基、氨基、巰基、或環(huán)狀酸酐基的情況下，作為另一個(gè)官能團(tuán)，可以舉出環(huán)氧基、異氰酸酯基；其中一個(gè)官能團(tuán)為環(huán)狀酸酐基的情況下，作為另一個(gè)官能團(tuán)，可以舉出羧基、羥基、氨基、巰基。需要說明的是，其中一個(gè)官能團(tuán)為環(huán)氧基的情況下，其它官能團(tuán)也可以為環(huán)氧基。
[0110]側(cè)鏈上具有官能團(tuán)(α )的(甲基)丙烯酸類樹脂可以通過使具有官能團(tuán)(α )的(甲基)丙烯酸酯、具有官能團(tuán)U)的丙烯酸或具有官能團(tuán)U)的(甲基)丙烯酰胺聚合而得到。
[0111]作為官能團(tuán)(α)，可以舉出羧基、羥基、氨基、巰基、環(huán)狀酸酐基、環(huán)氧基、異氰酸酯基等，優(yōu)選為竣基、羥基，特別優(yōu)選為羥基。
[0112]這樣的單體可以舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、肉桂酸、衣康酸、富馬酸、鄰苯二甲酸、丙烯酸2-羥基烷基酯類、甲基丙烯酸2-羥基烷基酯類、二醇單丙烯酸酯類、二醇單甲基丙烯酸酯類、N-羥甲基丙烯酰胺、N-羥甲基甲基丙烯酰胺、烯丙醇、N-烷基氨基丙烯酸乙酯類、N-烷基氨基甲基丙烯酸乙酯類、丙烯酰胺類、甲基丙烯酰胺類、馬來酸酐、衣康酸酐、富馬酸酐、鄰苯二甲酸酐、丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油基酯、烯丙基縮水甘油基醚、利用具有羥基或羧基以及放射線固化性碳-碳雙鍵的單體使多異氰酸酯化合物的異氰酸酯基的一部分氨酯化的物質(zhì)等。
[0113]這些之中，優(yōu)選為丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羥基烷基酯類、甲基丙烯酸2-羥基烷基酯類、丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸縮水甘油基酯，更優(yōu)選丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸2-羥基烷基酯類、甲基丙烯酸2-羥基烷基酯類，進(jìn)一步優(yōu)選丙烯酸2-羥基烷基酯類、甲基丙烯酸2-羥基烷基酯類。
[0114]具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的樹脂、特別是具有乙烯性不飽和基團(tuán)的樹脂優(yōu)選上述的單體與(甲基)丙烯酸酯等其他的單體的共聚物。
[0115](甲基)丙烯酸酯可以舉出丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸異丁酯、丙烯酸正戊酯、丙烯酸正己酯、丙烯酸正辛酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸十二烷基酯、丙烯酸癸酯、丙烯酸己酯、以及與它們對應(yīng)的甲基丙烯酸酯。
[0116](甲基)丙烯酸酯為I種或2種以上均可，優(yōu)選合用醇部的碳原子數(shù)為5以下的(甲基)丙烯酸酯與碳原子數(shù)為6~12的(甲基)丙烯酸酯。
[0117]對于具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的樹脂來說，除了(甲基)丙烯酸酯以外，優(yōu)選進(jìn)一步共聚(甲基)丙烯酸而成的樹脂。
[0118]上述(甲基)丙烯酸類樹脂可以例如如日本特開2003-82307號公報(bào)所述那樣以(甲基)丙烯酸乳液系聚合物為主要成分，所述(甲基)丙烯酸乳液系聚合物是利用氧化還原系聚合引發(fā)劑對以(甲基)丙烯酸烷基酯為主要成分的單體混合物、與含有自由基聚合性官能團(tuán)且環(huán)氧乙烯平均加成摩爾數(shù)或者環(huán)氧丙烷平均加成摩爾數(shù)為15以下的非離子陰離子系反應(yīng)性乳化劑進(jìn)行乳液聚合而得到的。
[0119]另外，作為以(甲基)丙烯酸乳液系聚合物為主要成分的(甲基)丙烯酸類樹脂，可以使用如下所述的聚合物:所述聚合物通過使作為主要單體的(甲基)丙烯酸烷基酯與根據(jù)需要所添加的與這些主要單體能夠共聚的其他單體進(jìn)行乳液聚合來得到。
[0120]具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的樹脂、特別是具有乙烯性不飽和基團(tuán)的樹脂的聚合反應(yīng)可以為溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合中任一種。
[0121]使側(cè)鏈上具有官能團(tuán)(α )的(甲基)丙烯酸類樹脂、與具有烯鍵式不飽和基團(tuán)和能夠與上述樹脂中的官能團(tuán)(α)反應(yīng)的官能團(tuán)(β)的化合物發(fā)生反應(yīng)的情況下，按照使一方過剩的方式來進(jìn)行反應(yīng)，通過殘留有未反應(yīng)的官能團(tuán)，由此可以調(diào)整為所期望的粘合物性和彈性模量。
[0122]以溶液聚合進(jìn)行時(shí)的有機(jī)溶劑可以使用酮系、酯系、醇系、芳香族系有機(jī)溶劑，其中優(yōu)選甲苯、乙酸乙酯、異丙醇、苯甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丙酮、甲基乙基酮等通常(甲基)丙烯酸系聚合物的良溶劑且沸點(diǎn)為60°C~120°C的溶劑；如為乳液聚合，優(yōu)選使用水、或與水混合的水溶性溶劑，優(yōu)選使用表面活性劑。
[0123]聚合引發(fā)劑通常使用α，α ’ -偶氮二異丁腈等偶氮二系、苯甲?；^氧化物等有機(jī)過氧化物系等自由基引發(fā)劑。此時(shí)，根據(jù)需要可以合用催化劑、阻聚劑，通過對聚合溫度和聚合時(shí)間進(jìn)行調(diào)節(jié)，可得到所期望的分子量的樹脂。另外，關(guān)于分子量的調(diào)節(jié)，優(yōu)選使用硫醇系或四氯化碳系的溶劑。
[0124]具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的樹脂的重均分子量優(yōu)選為20萬~150萬左右、更優(yōu)選為70萬~120萬。通過形成這樣分子量大的高分子，由此通過放射線固化不會(huì)過度地提高交聯(lián)密度而保持凝聚力，因而在抑制固化收縮方面是有優(yōu)勢的。另外，通過減少低分子量成分，可以抑制半導(dǎo)體晶片表面污染，例如優(yōu)選分子量為10萬以下的分子為整體的10%以下等。若分子量超過150萬，則在合成時(shí)和涂布時(shí)可能發(fā)生凝膠化。需要說明的是，若具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的樹脂的羥值為5mgK0H/g~100mgK0H/g，則放射線照射后的粘合力減少，從而可以進(jìn)一步降低膠帶剝離不良的危險(xiǎn)性，因此優(yōu)選。
[0125]對具有烯鍵式不飽和基團(tuán)和能夠與官能團(tuán)(α)反應(yīng)的官能團(tuán)(β)的化合物進(jìn)行說明。
[0126]烯鍵式不飽和基團(tuán)優(yōu)選之前所述的基團(tuán)，優(yōu)選范圍也相同。
[0127]能夠與官能團(tuán)(α)反應(yīng)的官能團(tuán)(β)可以舉出之前所述的基團(tuán)。作為官能團(tuán)(β)，特別優(yōu)選異氰酸酯基。
[0128]作為具有烯鍵式不飽和基團(tuán)和能夠與官能團(tuán)(α)反應(yīng)的官能團(tuán)(β)的化合物，可以舉出具有官能團(tuán)(α)的單體的化合物、醇部具有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯，優(yōu)選醇部具有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯。對于醇部具有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯來說，優(yōu)選在醇部的末端`具有異氰酸酯基，優(yōu)選醇部的異氰酸酯基以外的碳原子數(shù)為2~8，優(yōu)選醇部為直鏈烷基。醇部具有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯優(yōu)選可以舉出例如丙烯酸-2-異氰酸根合乙酯、甲基丙烯酸-2-異氰酸根合乙酯。
[0129](交聯(lián)劑)
[0130]交聯(lián)劑優(yōu)選多異氰酸酯類、三聚氰胺/甲醛樹脂或具有2個(gè)以上環(huán)氧基的環(huán)氧化合物，特別優(yōu)選多異氰酸酯類。
[0131 ] 交聯(lián)劑可以單獨(dú)使用、或組合兩種以上來使用。交聯(lián)劑通過對樹脂聚合物進(jìn)行交聯(lián)可以在涂布粘合劑后提高粘合劑的凝聚力。另外，通過調(diào)整其添加量，可以特別對放射線交聯(lián)前的粘合力進(jìn)行調(diào)整。
[0132]對于多異氰酸酯類，例如可以舉出六亞甲基二異氰酸酯、2，2，4-三甲基-六亞甲基二異氰酸酯、異佛爾酮二異氰酸酯、4，4’ - 二環(huán)己基甲烷二異氰酸酯、2，4’ - 二環(huán)己基甲烷二異氰酸酯、賴氨酸二異氰酸酯、賴氨酸三異氰酸酯、4，4’ - 二苯基甲烷二異氰酸酯、甲苯二異氰酸酯、苯二亞甲基二異氰酸酯、4，4’ - 二苯基醚二異氰酸酯、4，4’ -〔2，2_雙(4-苯氧基苯基)丙烷〕二異氰酸酯等，具體而言，作為市售品，可以使用CORONET L(NipponPolyurethane株式會(huì)社制造)等。
[0133]對于三聚氰胺/甲醛樹脂，作為市售品可以使用NIKALAC MX-45 (Sanwa Chemical社制造)、Meylan(日立化成工業(yè)株式會(huì)社制造)等。進(jìn)一步，環(huán)氧樹脂可以使用TETRAD-X (三菱化學(xué)株式會(huì)社制造)等。
[0134]相對于100質(zhì)量份的具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的樹脂，交聯(lián)劑的添加量優(yōu)選為0.1質(zhì)量份~20質(zhì)量份、更優(yōu)選為1.0質(zhì)量份~10質(zhì)量份，為了與具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的樹脂的官能團(tuán)數(shù)相應(yīng)、并且得到所期望的粘合物性和彈性模量可以適當(dāng)調(diào)整交聯(lián)劑的添加量。若交聯(lián)劑的量小于0.1質(zhì)量份，則凝聚力提高效果傾向于不充分；若超過20質(zhì)量份，則傾向于在粘合劑的混配和涂布操作中固化反應(yīng)急速進(jìn)行，形成交聯(lián)結(jié)構(gòu)，因此可能使操作性受損。通過利用交聯(lián)劑進(jìn)行交聯(lián)，可以防止由于放射線固化而導(dǎo)致的急劇交聯(lián)，可抑制固化收縮。
[0135](光聚合引發(fā)劑)
[0136]放射線固化型粘合劑層中可以根據(jù)需要含有光聚合引發(fā)劑。對于光聚合引發(fā)劑來說，只要是利用透過基材的放射線可發(fā)生反應(yīng)的物質(zhì)就無特別限制，可以使用以往已知的物質(zhì)。例如可以舉出二苯甲酮、4，4’ - 二甲基氨基二苯甲酮、4，4’ - 二乙基氨基二苯甲酮、4，4’ - 二氯二苯甲酮等二苯甲酮類；苯乙酮、二乙氧基苯乙酮等苯乙酮類；2_乙基蒽醌、叔丁基蒽醌等蒽醌類；2_氯噻噸酮、苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、聯(lián)苯甲酰、2，4，5-三芳基咪唑二聚物(洛粉堿二聚物)、吖啶系化合物、?；⒀趸镱悾鹊?；這些化合物可以單獨(dú)使用、或組合2種以上來使用。
[0137]相對于100質(zhì)量份的具有烯鍵式不飽和基團(tuán)的樹脂，光聚合引發(fā)劑的添加量優(yōu)選為0.1質(zhì)量份~10質(zhì)量份、更優(yōu)選為0.5質(zhì)量份~5質(zhì)量份、進(jìn)一步優(yōu)選為0.5質(zhì)量份~3質(zhì)量份。若光聚合引發(fā)劑的添加量多，則放射線固化在多處且急劇地發(fā)生，因此固化收縮增大，因而，相比以往的的放射線固化型的表面保護(hù)用膠帶也減少了光聚合引發(fā)劑的量，從抑制固化收縮方面出發(fā)是有用的。
[0138](其他的添加物)
[0139]在放射線固化型粘合劑層中可以根據(jù)需要混配賦粘劑、粘合調(diào)整劑、表面活性劑等；或者其他的改性劑；等等。另外，還可以適當(dāng)添加無機(jī)化合物填料。
[0140]放射線固化型粘合劑層可以通過如下所述的方法形成:將放射線固化型粘合劑組合物涂布在基材膜上(設(shè)置有中間層的情況下為中間層上)并進(jìn)行干燥，由此形成放射線固化型粘合劑層；或者涂布在后述的剝離膜上并進(jìn)行干燥，之后轉(zhuǎn)印在基材膜(設(shè)置有中間層的情況下為中間層上)上，由此形成放射線固化型粘合劑層。
[0141]由于具有放射線固化型粘合劑層，由此使從半導(dǎo)體晶片的剝離變輕，但為了發(fā)揮該效果，若有一定以上的厚度較佳；變得過厚時(shí)，則固化收縮增大，因此不優(yōu)選。具體而言，放射線固化型粘合劑層的厚度為I μ m~30 μ m、更優(yōu)選為5 μ m~20 μ m。放射線固化型粘合劑層可以為2個(gè)以上的放射線固化型粘合劑層層積而成的構(gòu)成。
[0142]本發(fā)明中，優(yōu)選半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的具有放射線固化型粘合劑層一側(cè)的基材膜上的層的總厚度大于等于在所保護(hù)的半導(dǎo)體晶片的貼合面?zhèn)鹊谋砻娲嬖诘陌纪沟捻敳康母叨扰c底部的高度的最大差，更優(yōu)選為該最大差的120%以上。
[0143]即，具有中間層的情況下，優(yōu)選中間層和放射線固化型粘合劑層相加的總厚度大于等于在進(jìn)行加工的半導(dǎo)體晶片面上存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的最大差，更優(yōu)選為該最大差的120%以上。
[0144]需要說明的是，本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶用于進(jìn)行貼合的半導(dǎo)體晶片的貼合面一側(cè)的表面存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的最大差為IOym~300μπι的半導(dǎo)體晶片，更優(yōu)選用于所述最大差為80 μ m~200 μ m的半導(dǎo)體晶片。
[0145](剝離膜)
[0146]剝離膜也稱為分離板或剝離層、剝離襯墊，是用于保護(hù)放射線固化型粘合劑層、以及用于使放射線固化型粘合劑平滑而根據(jù)需要設(shè)置的。作為剝離膜的構(gòu)成材料，可以舉出聚乙烯、聚丙烯、聚對苯二甲酸乙二醇酯等的合成樹脂膜或紙等。在剝離膜的表面上，為了提高相對于放射線固化型粘合劑層的剝離性，可以根據(jù)需要實(shí)施硅酮處理、長鏈烷基處理、氟處理等剝離處理。另外，也可以根據(jù)需要實(shí)施防紫外線處理以便使粘合劑層不會(huì)因環(huán)境紫外線而發(fā)生反應(yīng)。剝離膜的厚度通常為ΙΟμπι~ΙΟΟμπι，優(yōu)選為25μπι~50μπι左右。
[0147]〈〈半導(dǎo)體晶片的制造方法》
[0148]在本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片的制造方法中，包括如下工序:利用半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶來保護(hù)半導(dǎo)體晶片的晶片表面，并對該晶片的背面進(jìn)行磨削從而對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加工。
[0149]本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片使用如下所述半導(dǎo)體晶片:在貼合有半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的半導(dǎo)體晶片的貼合面一側(cè)的表面上存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的最大差為 10 μ m ~300 μ m。
[0150]優(yōu)選按照在保護(hù)半導(dǎo)體晶片的晶片表面時(shí)所使用的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的具有放射線固化型粘合劑層一側(cè)的基材膜上的層的總厚度與所保護(hù)的半導(dǎo)體晶片的表面凹凸的高低度相應(yīng)的方式來使用半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶，使用總厚度大于等于在半導(dǎo)體晶片的貼合面?zhèn)鹊谋砻嫔洗嬖诘陌纪沟捻敳康母叨扰c底部的高度的最大差的表面保護(hù)用膠帶。
[0151]如此，可事先對所保護(hù)的半導(dǎo)體晶片的表面凹凸進(jìn)行調(diào)查、然后對表面保護(hù)用膠帶的具有放射線固化型粘合劑層一側(cè)的基材膜上的層的總厚度進(jìn)行調(diào)整，或者制作2個(gè)以上的厚度不同的表面保護(hù)用膠帶，從中選擇進(jìn)行使用，從而使之相應(yīng)。
[0152]除了考慮半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶與所保護(hù)的半導(dǎo)體晶片的表面凹凸的關(guān)系來使用半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶以外，可應(yīng)用通常的半導(dǎo)體晶片的制造工序。
[0153]具體而言，首先，按照放射線固化型粘合劑層為貼合面的方式，將本發(fā)明的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶貼合在半導(dǎo)體晶片的電路圖案面(表面)上。接著，對半導(dǎo)體晶片的無電路圖案的面一側(cè)進(jìn)行磨削直至半導(dǎo)體晶片的厚度為例如10 μ m~200 μ m的規(guī)定厚度。之后，將貼合有該半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的面作為下側(cè)而放置于加熱吸附臺(tái)上，在這樣的狀態(tài)下，可以將切割模片粘合膜(Dicing die bonding film)貼合在半導(dǎo)體晶片的無電路圖案的磨削后的面一側(cè)上。之后，將熱封型(熱融合型)或者粘合型的剝離帶接合在半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的基材膜的背面，從而將半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶從半導(dǎo)體晶片上剝離。
[0154]【實(shí)施例】
[0155]以下基于實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)的說明，但本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。
[0156]如下所述制備粘合劑組合物，并按照以下方法制作半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶，并評價(jià)其性能。[0157]〔粘合劑組合物的制備〕
[0158][粘合劑組合物2A]
[0159]相對于由丙烯酸2-乙基己酯80質(zhì)量份、丙烯酸2-羥基乙酯19質(zhì)量份、甲基丙烯酸I質(zhì)量份構(gòu)成的共聚物100質(zhì)量份,加入0.5質(zhì)量份的CORONET L (Nippon Polyurethane公司制造)作為多異氰酸酯并進(jìn)行混合，從而得到粘合劑組合物2A。對儲(chǔ)能模量進(jìn)行了測定，結(jié)果為4X IO4Pa0
[0160][粘合劑組合物2B]
[0161]相對于由丙烯酸2-乙基己酯85質(zhì)量份、丙烯酸2-羥基乙酯14質(zhì)量份、甲基丙烯酸I質(zhì)量份構(gòu)成的共聚物100質(zhì)量份，使10質(zhì)量份的甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯作為放射線反應(yīng)基發(fā)生反應(yīng)，加入0.3質(zhì)量份的CORONET L作為多異氰酸酯、5.0質(zhì)量份的SPEED⑶RE BKL作為光聚合引發(fā)劑并進(jìn)行混合，從而得到粘合劑組合物2B。對儲(chǔ)能模量進(jìn)行了測定測定，結(jié)果為3X104Pa。
[0162][粘合劑組合物2C]
[0163]將CORONET L (Nippon Polyurethane公司制造)的混配量變更為0.3質(zhì)量份，除此之外，按照與2A相同的方法得到粘合劑組合物2C。對儲(chǔ)能模量進(jìn)行了測定，結(jié)果為
3X IO4Pa0
[0164][粘合劑組合物2D]
[0165]將CORONET L (Nippon Polyurethane 公司制造)變更為 1.0 質(zhì)量份、將 SPEEDCUREBKL變更為2.0質(zhì)量份，除此之外，按照與2B相同的方法得到粘合劑組合物2D。對儲(chǔ)能模量進(jìn)行了測定，結(jié)果為6X104Pa。
[0166][粘合劑組合物2E]
[0167]相對于由丙烯酸2-乙基己酯69質(zhì)量份、丙烯酸2-羥基乙酯20質(zhì)量份、甲基丙烯酸甲酯10質(zhì)量份、甲基丙烯酸I質(zhì)量份構(gòu)成的共聚物100質(zhì)量份，使10質(zhì)量份的甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯作為放射線反應(yīng)基發(fā)生反應(yīng)，加入1.0質(zhì)量份的CORONET L (NipponPolyurethane公司制造)作為多異氰酸酯、3.0質(zhì)量份的SPEED⑶RE BKL作為光聚合引發(fā)劑并進(jìn)行混合，從而得到粘合劑組合物2E。對儲(chǔ)能模量進(jìn)行了測定，結(jié)果為4X 104Pa。
[0168][粘合劑組合物2F]
[0169]相對于由丙烯酸2-乙基己酯80質(zhì)量份、丙烯酸2-羥基乙酯19質(zhì)量份、甲基丙烯酸I質(zhì)量份構(gòu)成的共聚物100質(zhì)量份，加入70質(zhì)量份的5官能的聚氨酯丙烯酸酯低聚物、
3.0質(zhì)量份的CORONET L (Nippon Polyurethane公司制造)作為多異氰酸酯、3.0質(zhì)量份的SPEED⑶RE BKL作為光聚合引發(fā)劑并進(jìn)行混合，從而得到粘合劑組合物2F。對儲(chǔ)能模量進(jìn)行了測定，結(jié)果為5X104Pa。
[0170][粘合劑組合物2G]
[0171]相對于由丙烯酸2-乙基己酯85質(zhì)量份、丙烯酸2-羥基乙酯14質(zhì)量份、甲基丙烯酸I質(zhì)量份構(gòu)成的共聚物100質(zhì)量份，加入100質(zhì)量份的5官能的聚氨酯丙烯酸酯低聚物、
2.0質(zhì)量份的CORONET L(Nippon Polyurethane公司制造)作為多異氰酸酯、3.0質(zhì)量份的SPEED⑶RE BKL作為光聚合引發(fā)劑并進(jìn)行混合，從而得到粘合劑組合物2G。對儲(chǔ)能模量進(jìn)行了測定，結(jié)果為4X104Pa。
[0172][粘合劑組合物2H][0173]相對于由丙烯酸2-乙基己酯60質(zhì)量份、丙烯酸2-羥基乙酯20質(zhì)量份、丙烯酸丁酯17質(zhì)量份、甲基丙烯酸3質(zhì)量份構(gòu)成的共聚物100質(zhì)量份，加入100質(zhì)量份的6官能的聚氨酯丙烯酸酯低聚物、3.0質(zhì)量份的CORONET L (Nippon Polyurethane公司制造)作為多異氰酸酯、5.0質(zhì)量份的SPEED⑶RE BKL作為光聚合引發(fā)劑并進(jìn)行混合，從而得到粘合劑組合物2H。對儲(chǔ)能模量進(jìn)行了測定，結(jié)果為4X 104Pa。
[0174][粘合劑組合物21]
[0175]相對于由丙烯酸2-乙基己酯60質(zhì)量份、丙烯酸2-羥基乙酯20質(zhì)量份、丙烯酸丁酯15質(zhì)量份、甲基丙烯酸5質(zhì)量份構(gòu)成的共聚物100質(zhì)量份，加入70質(zhì)量份的6官能的聚氨酯丙烯酸酯低聚物、2.0質(zhì)量份的CORONET L (Nippon Polyurethane公司制造)作為多異氰酸酯、5.0質(zhì)量份的SPEED⑶RE BKL作為光聚合引發(fā)劑并進(jìn)行混合，從而得到粘合劑組合物21。對儲(chǔ)能模量進(jìn)行了測定，結(jié)果為4X104Pa。
[0176][粘合劑組合物2J]
[0177]將CORONET L (Nippon Polyurethane公司制造)的混配量變更為2.0質(zhì)量份，除此之外，按照與2B 相同的方法得到粘合劑組合物2J。對儲(chǔ)能模量進(jìn)行了測定，結(jié)果為8 X IO4Pa0
[0178]此處，儲(chǔ)能模量按照如下所述的方法進(jìn)行測定。
[0179][儲(chǔ)能模量]
[0180]儲(chǔ)能模量是通過使用動(dòng)態(tài)粘彈性測定裝置(例如TA Instruments公司制造的ARES)、以0.6rad/sec的頻率進(jìn)行測定的。對于溫度，使其從(TC升溫至100°C，對25°C和60°C的儲(chǔ)能模量的值進(jìn)行確認(rèn)。需要說明的是，實(shí)施例中示出了 60°C的值。
[0181]樣品為粘合劑組合物的情況下，使用如下所述的粒狀物:對涂布在進(jìn)行了脫模處理的分離板上并進(jìn)行了干燥的粘合劑進(jìn)行層積，將形成為2mm厚度的材料沖裁成粒狀，從而得到所述粒狀物。樣品為樹脂層的情況下，使用如下形成的樣品:在進(jìn)行了脫模處理的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜上進(jìn)行樹脂層的制膜，切出50mmX50mm的材料，從中將PET膜剝離并進(jìn)行疊加直至為約2mm的厚度，在加熱爐中以150°C實(shí)施3小時(shí)的加熱后，將其沖裁成粒狀，從而得到樣品。
[0182][放射線固化性半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的制作]
[0183]〈實(shí)施例1>
[0184]在厚度為38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的分離板上，按照干燥后的膜厚為95 μ m的方式涂布粘合劑組合物2A作為中間層，進(jìn)行干燥后，將其與厚度為200 μ m的由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜構(gòu)成的基材膜貼合。進(jìn)一步，在厚度為38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的分離板上，按照干燥后的膜厚為5μπι的方式涂布粘合劑組合物2D，進(jìn)行干燥后，將其與剝離了分離板的中間層面貼合，從而得到厚度為300μπι的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶。
[0185]〈實(shí)施例2>
[0186]在厚度為38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的分離板上，按照干燥后的膜厚為90 μ m的方式涂布粘合劑組合物2A作為中間層，進(jìn)行干燥后，將其與厚度為200 μ m的由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜構(gòu)成的基材膜貼合。進(jìn)一步，在厚度為38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的分離板上，按照干燥后的膜厚為30 μ m的方式涂布粘合劑組合物2E，進(jìn)行干燥后，將其與剝離了分離板的中間層面貼合，從而得到厚度為320μπι的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶。
[0187]〈實(shí)施例3>
[0188]通過共擠出制膜，制作了 50 μ m的聚丙烯樹脂(PP)與150 μ m的在60°C的儲(chǔ)能模量為9 X IO4Pa的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)的層積基材膜(總厚度200 μ m)。在厚度為38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的分離板上，按照干燥后的膜厚為20μπι的方式涂布粘合劑組合物2F，進(jìn)行干燥后，將其與上述層積基材膜的EVA膜面貼合，從而得到厚度為220 μ m的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶。
[0189]〈實(shí)施例4>
[0190]通過共擠出制膜，制作了 50 μ m的低密度聚乙烯(LDPE)與200 μ m的在60°C的儲(chǔ)能模量為I X IO5Pa的乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)的層積基材膜(總厚度250 μ m)。在厚度為38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的分離板上，按照干燥后的膜厚為ΙΟμπι的方式涂布粘合劑組合物2D，進(jìn)行干燥后，將其與上述層積基材膜的EVA膜面貼合，從而得到厚度為260 μ m的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶。
[0191]〈實(shí)施例5>
[0192]在厚度為38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的分離板上，按照干燥后的膜厚為30 μ m的方式涂布粘合劑組合物2G,進(jìn)行干燥后,將其與厚度為IOOym的由低密度聚乙烯(LDPE)膜構(gòu)成的基材膜貼合，從而得到厚度為130 μ m的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶。
[0193]<比較例1>
[0194]使用2B來代替粘合`劑組合物2A作為中間層，除此之外，按照與實(shí)施例1相同的方法得到半導(dǎo)體晶片保護(hù)用膠帶。
[0195]〈比較例2>
[0196]在厚度為38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的分離板上，按照干燥后的膜厚為60 μ m的方式涂布粘合劑組合物2H,進(jìn)行干燥后,將其與厚度為200 μ m的由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜構(gòu)成的基材膜貼合。進(jìn)一步，在厚度為38μπι的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的分離板上，按照干燥后的膜厚為60 μ m的方式涂布粘合劑組合物2Η，進(jìn)行干燥后，在剝離了分離板之后，將其與之前進(jìn)行了涂布/干燥的2H面貼合，從而得到厚度為320 μ m的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶。
[0197]〈比較例3>
[0198]在厚度為38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的分離板上，按照干燥后的膜厚為90 μ m的方式涂布粘合劑組合物2C作為中間層，進(jìn)行干燥后，將其與厚度為100 μ m的由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜構(gòu)成的基材膜貼合。進(jìn)一步，在厚度為38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的分離板上，按照干燥后的膜厚為30μπι的方式涂布粘合劑組合物21，進(jìn)行干燥后，將其與剝離了分離板的中間層面貼合，從而得到厚度為220 μ m的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶。
[0199]〈比較例4>
[0200]在厚度為38 μ m的聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)的分離板上，按照干燥后的膜厚為30 μ m的方式涂布粘合劑組合物2J，進(jìn)行干燥后，將其與厚度100 μ m的由乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)膜構(gòu)成的基材膜貼合，從而得到厚度為130 μ m的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶。
[0201]對如上述制作的各半導(dǎo)體晶片加工用膠帶的粘合力和膠粘力進(jìn)行了測定。
[0202][粘合力]
[0203]自半導(dǎo)體晶片加工用膠帶切出寬度為25mm、長度為300mm的試驗(yàn)片。采用2kg的橡膠輥將上述試驗(yàn)片反復(fù)3次壓接在利用JIS R6253中規(guī)定的280號的耐水砂紙進(jìn)行了精加工的JIS G4305中規(guī)定的厚度為1.5mm的不銹鋼(Steel Use Stainless、SUS)板上，放置I小時(shí)后，使用測定值落入其容量的15%~85%的范圍的適于JIS B7721的Instron公司制造的拉伸試驗(yàn)機(jī)(Dual Column Tabletop model5567)來測定放射線照射前的粘合力A。同樣，從膠帶貼合面的基材膜背面對膠帶壓接后經(jīng)過I個(gè)小時(shí)的材料照射lOOOmJ/cm2 (照度為40mW/cm2)的紫外線，放置I小時(shí)后，測定放射線照射后的粘合力B。測定是按照180°剝離法，在拉伸速度為300mm/min、25°C、相對濕度50%的條件下進(jìn)行的，對各膠帶分別實(shí)施3次測定，求出其算術(shù)平均值，并將其作為粘合力。
[0204][膠粘力]
[0205]自半導(dǎo)體晶片加工用膠帶切出寬度為25mm、長度為150mm作為試驗(yàn)片。使用膠粘力試驗(yàn)機(jī)(商品名:TAC I1、Rhesca制造)，在貼合于半導(dǎo)體晶片表面上的粘合劑層側(cè)，以30mm/min的速度壓入3mmcp圓柱狀探針，以制動(dòng)載荷100gf保持I秒鐘，之后以600mm/min的速度上拉，將此時(shí)的峰值載荷作為放射線照射前的膠粘力C。切出試驗(yàn)片后，從基材膜背面照射lOOOmJ/cm2的紫外線(照度為40mW/cm2)并放置I個(gè)小時(shí)，將其作為試驗(yàn)片，按照同樣的方法求出放射線照射后的膠粘力D。測定是在25°C、相對濕度50%的條件下進(jìn)行的，在各膠帶的各試驗(yàn)片中測定不同的5個(gè)點(diǎn)，求出其算術(shù)平均值，將其作為膠粘力。
[0206][性能評價(jià)] [0207]對實(shí)施例1~5、比較例I~4的各半導(dǎo)體晶片加工用膠帶進(jìn)行下述評價(jià)。
[0208](晶片磨削后的晶片背面狀態(tài))
[0209]在60°C的貼合溫度，使用日東精機(jī)株式會(huì)社制造的DR8500II (產(chǎn)品名)作為貼合機(jī)將半導(dǎo)體晶片加工用膠帶貼合在表面具有高度100 μ m的凸點(diǎn)的直徑為8英寸的半導(dǎo)體晶片上。之后，使用株式會(huì)社Disco制的DFG8760 (商品名)，分別對2片帶有凸點(diǎn)的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行磨削加工直至厚度為75 μ m，目測實(shí)施半導(dǎo)體晶片背面的觀察。半導(dǎo)體晶片背面狀態(tài)的評價(jià)按下如下進(jìn)行:2片半導(dǎo)體晶片中未發(fā)生I處破損或凹坑的情況視為合格品并表不為AA ;未發(fā)生破損但一部分產(chǎn)生較淺的凹坑的情況視為合格品并表不為A ;2片半導(dǎo)體晶片上均有破損或者半導(dǎo)體晶片的整個(gè)面廣生凹坑的情況視為不合格品并表不為C。另外，對切削水從磨削后的晶片外周部浸入進(jìn)行了調(diào)查。未發(fā)現(xiàn)浸入的情況記為A ;發(fā)現(xiàn)有浸入的情況記為C。
[0210](粘合劑殘存評價(jià))
[0211]對磨削后的半導(dǎo)體晶片照射lOOOmJ/cm2的紫外線，使用Lintec株式會(huì)社制造的RAD2700(商品名)，在剝離溫度為25°C進(jìn)行剝離。目測觀察剝離后的半導(dǎo)體晶片的破損和粘合劑殘留。2片半導(dǎo)體晶片中未發(fā)生I處破損和粘合劑殘留的情況視為合格品并表不為A ;即使在I片中發(fā)生I處以上的破損或粘合劑殘留的情況視為不合格品并表不為C。
[0212]【表1】
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶，其是貼合在半導(dǎo)體晶片并在進(jìn)行背面磨削時(shí)所使用的表面保護(hù)用膠帶， 所述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的特征在于， 所述半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶在基材膜上至少具有I層放射線固化型粘合劑層，且下述固化收縮值S為0.3~1.8，放射線照射前的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力A為1.5N/25mm~20N/25mm、且放射線照射后的粘合力B為0.01N/25mm~1.5N/25mm, 在所述半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的貼合面一側(cè)的表面上存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的最大差為IOym~300μπι，所述放射線固化型粘合劑層的厚度為 I μ m ~ 30 μ m, 固化收縮值S={(B/A)/(D/C)} 上述式中，A表示放射線照射前的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力，B表示放射線照射后的相對于不銹鋼的研磨面的粘合力，C表示放射線照射前的膠帶面上的膠粘力，D表示放射線照射后的膠帶面上的膠粘力。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶，其特征在于，在所述基材膜與所述放射線固化型粘合劑層之間具有放射線非固化型粘合劑層或由樹脂構(gòu)成的中間層，所述放射線非固化型粘合劑層或由樹脂構(gòu)成的中間層在25°C或60°C的儲(chǔ)能模量為IX IO4Pa~IXlO6Pa0
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶，其特征在于，在具有所述放射線固化型粘合劑層一側(cè)的基材膜上所存在的層的總厚度大于等于在所述半導(dǎo)體晶片面上存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的所述最大差。`
4.一種半導(dǎo)體晶片的制造方法，該半導(dǎo)體晶片的制造方法包括下述工序:利用在基材膜上具有粘合劑層的表面保護(hù)用膠帶來保護(hù)半導(dǎo)體晶片的晶片表面，對該晶片的背面進(jìn)行磨削從而對半導(dǎo)體晶片進(jìn)行加工； 所述半導(dǎo)體晶片的制造方法的特征在于， 所述表面保護(hù)用膠帶在基材膜上至少具有I層放射線固化型粘合劑層，且下述固化收縮值S為0.3~1.8，放射線照射前的相對于不銹鋼研磨面的粘合力A為1.5N/25mm~20N/25mm、且放射線照射后的粘合力B為0.01N/25mm~1.5N/25mm, 在所述半導(dǎo)體晶片的半導(dǎo)體晶片表面保護(hù)用膠帶的貼合面一側(cè)的表面存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的最大差為IOym~300μπι，所述放射線固化型粘合劑層的厚度為 I μ m ~ 30 μ m, 固化收縮值S={(B/A)/(D/C)} 上述式中，A表示放射線照射前的對不銹鋼的研磨面的粘合力，B表示放射線照射后的對不銹鋼的研磨面的粘合力，C表示放射線照射前的膠帶面上的膠粘力，D表示放射線照射后的膠帶面上的膠粘力。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體晶片的制造方法，其特征在于，所述表面保護(hù)用膠帶在所述基材膜與所述放射線固化型粘合劑層之間具有放射線非固化型粘合劑層或由樹脂構(gòu)成的中間層，所述放射線非固化型粘合劑層或由樹脂構(gòu)成的中間層在25°C或60°C的儲(chǔ)能模量為 I X IO4Pa ~I X IO6Pa0
6.如權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體晶片的制造方法，其特征在于，在具有所述放射線固化型粘合劑層一側(cè)的基材膜上所存在的層的總厚度大于等于在所述半導(dǎo)體晶片面存在的凹凸的頂部的高度與底部的高度的`所述最大差。
【文檔編號】H01L21/683GK103525324SQ201310279317
【公開日】2014年1月22日 申請日期:2013年7月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月6日
【發(fā)明者】大倉雅人 申請人:古河電氣工業(yè)株式會(huì)社