有機層沉積設備、有機發(fā)光顯示設備及其制造方法
【專利摘要】一種有機層沉積設備，有機發(fā)光顯示設備及其制造方法。該有機層沉積設備包括：包括第一運送單元和第二運送單元的運送單元、加載單元和卸載單元以及沉積單元。轉(zhuǎn)移單元在第一運送單元與第二運送單元之間移動，并且附接到轉(zhuǎn)移單元的基板在由第一運送單元轉(zhuǎn)移時與沉積單元的多個有機層沉積組件隔開。有機層沉積組件包括公共層沉積組件和圖案層沉積組件。
【專利說明】有機層沉積設備、有機發(fā)光顯示設備及其制造方法
[0001]相關申請的交叉引用
[0002]本申請本申請要求2012年7月10日遞交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請N0.10-2012-0075138,2012年7月13日遞交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請N0.10-2012-0076940以及2012年10月4日遞交至韓國知識產(chǎn)權(quán)局的韓國專利申請N0.10-2012-0110095的優(yōu)先權(quán)及權(quán)益。全部三個交叉引用的申請的整體內(nèi)容通過引用合并于此。
【技術(shù)領域】
[0003]本發(fā)明實施例的方面涉及有機層沉積設備、使用該有機層沉積設備制造有機發(fā)光顯示設備(有機發(fā)光顯示裝置)的方法以及使用該方法制造的有機發(fā)光顯示設備。
【背景技術(shù)】
[0004]有機發(fā)光顯示設備(有機發(fā)光顯示裝置)比其它顯示裝置具有較寬的視角、較好的對比度特性和較快的響應速度，因此有機發(fā)光顯示設備已作為下一代顯示裝置受到關注。
[0005]有機發(fā)光顯不設備包括中間層，中間層包括位于第一電極和面對第一電極的第二電極之間的發(fā)射層。電極和中間層可以使用各種方法形成，各種方法之一是獨立的沉積方法。當使用沉積方法制造有機發(fā)光顯示設備時，與待形成的有機層具有相同圖案的精細金屬掩膜(FMM)被放置為緊密接觸其上將形成有機層等的基板，并通過FMM沉積有機層材料以形成具有期望圖案的有機層。
[0006]然而，使用這種FMM的沉積方法在使用大的母體玻璃制造大的有機發(fā)光顯示設備方面存在困難。例如，當使用大掩膜時，掩膜會由于其自身的重量(自身重力)而彎曲，從而使圖案扭曲。鑒于當前的趨向高清晰度圖案的趨勢，這種缺點可能使FMM方法不受歡迎。
[0007]此外，將基板與FMM對齊以使彼此緊密接觸、在其上執(zhí)行沉積以及將FMM從基板分離的過程是耗時的，導致制造時間長，且可能導致生產(chǎn)效率低。
[0008]本【背景技術(shù)】部分中公開的信息是本發(fā)明的發(fā)明人在實現(xiàn)本發(fā)明之前就已經(jīng)知道的，或者是在實現(xiàn)本發(fā)明的過程中獲知的技術(shù)信息。因此，其可能包含不形成本國中對本領域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0009]為了解決使用精細金屬掩膜(FMM)的沉積方法的缺點和/或其它問題，本發(fā)明的各方面致力于適于在大基板的批量生產(chǎn)中使用的有機層沉積設備，實現(xiàn)高精細圖案化，減少對有機層的厚度進行校正/補償?shù)臅r間和成本，致力于通過使用該有機層沉積設備制造有機發(fā)光顯示設備(有機發(fā)光顯示裝置)的方法以及使用該方法制造的有機發(fā)光顯示設備。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供一種有機層沉積設備。該有機層沉積設備包括:運送單元，包括:用于附接基板并被配置為與基板一起移動的轉(zhuǎn)移單元、用于在第一方向上移動附接有基板的轉(zhuǎn)移單元的第一運送單元，以及用于在與第一方向相反的第二方向上移動在沉積已完成之后與基板分離的轉(zhuǎn)移單元；用于將基板附接到轉(zhuǎn)移單元的加載單元；沉積單元，包括:被配置為維持真空狀態(tài)的腔室和用于在附接到從加載單元轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移單元的基板上沉積有機層的多個有機層沉積組件；以及卸載單元，用于將在穿過沉積單元時已完成沉積的基板與轉(zhuǎn)移單元分離，其中轉(zhuǎn)移單元被配置為在第一運送單元與第二運送單元之間移動，轉(zhuǎn)移單元被配置為由第一運送單元轉(zhuǎn)移時，附接的基板與多個有機層沉積組件隔開，多個沉積組件中的每一個包括:多個沉積源，多個沉積源中的每一個被配置為放出多種沉積材料中的相應一種；以及沉積源噴嘴單元，位于沉積源中的每一個的一側(cè)處并且包括一個或多個沉積源噴嘴，有機層沉積組件包括用于形成公共層的多個公共層沉積組件和用于形成圖案層的多個圖案層沉積組件，圖案層沉積組件中的每一個進一步包括校正狹縫片，所述校正狹縫片包括多個校正狹縫，圖案層沉積組件的校正狹縫沿第一方向關于彼此偏移，并且從沉積源放出的沉積材料穿過相應的所述校正狹縫片，并以一圖案沉積在基板上。[0011 ] 在一個實施例中，校正狹縫中的每一個在第一方向上延伸。
[0012]不同圖案層沉積組件中的校正狹縫片的校正狹縫的位置在第一方向上可以彼此不同。
[0013]通過校正狹縫片沉積在基板上的圖案層可以彼此不重疊。
[0014]校正狹縫片的校正狹縫可以具有相等的長度。
[0015]校正狹縫片的校正狹縫可以具有不同的長度。
[0016]校正狹縫片的校正狹縫的長度可以隨著校正狹縫遠離校正狹縫片的各自的中心而增大。
[0017]有機層沉積設備可以進一步包括校正板，該校正板位于校正狹縫片中的相應一個的一側(cè)處并且至少遮蔽從沉積源放出的沉積材料的一部分。
[0018]校正板的寬度可以從校正狹縫片中的相應一個的中心向邊緣減小。
[0019]校正板可以具有圓弧或余弦形狀。
[0020]校正板在與校正狹縫片中的相應一個的中心對應的區(qū)域處的寬度可以比在校正板的邊緣處的寬度大。
[0021 ] 校正板可以具有使沉積材料在校正狹縫片的中心比在校正狹縫片的邊緣更好地被遮蔽的形狀。
[0022]第一運送單元和第二運送單元可以被配置為穿過沉積單元。
[0023]第一運送單元和第二運送單元可以一個在另一個之上地布置并且可以彼此平行。
[0024]第一運送單元可以被配置為移動轉(zhuǎn)移單元以依次穿過加載單元、沉積單元和卸載單元(以此順序)。
[0025]第二運送單元可以被配置為移動轉(zhuǎn)移單元以依次穿過卸載單元、沉積單元和加載單元(以此規(guī)定順序)。
[0026]有機層沉積組件的校正狹縫片在第一方向或第二方向中至少之一上的長度可以小于基板的長度。
[0027]根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種通過使用用于在基板上形成有機層的有機層沉積設備制造有機發(fā)光顯示設備的方法。該方法包括:在加載單元中將基板附接到轉(zhuǎn)移單元；通過使用穿過腔室的第一運送單元，將附接有基板的轉(zhuǎn)移單元沿第一方向傳輸?shù)角皇抑校辉诨逑鄬τ谟袡C層沉積組件移動時，沉積從有機層沉積組件放出的材料沉積，以在基板上形成有機層，有機層沉積組件位于腔室中并與基板隔開；在卸載單元中將基板與轉(zhuǎn)移單元分離，在基板上已完成沉積；以及通過使用被安裝為穿過腔室的第二運送單元，將與基板分離的轉(zhuǎn)移單元傳輸?shù)郊虞d單元，其中多個有機層沉積組件中的每一個包括:多個沉積源，多個沉積源中的每一個被配置為放出多種沉積材料中的相應一種；以及沉積源噴嘴單元，位于沉積源中的每一個的一側(cè)處并且包括一個或多個沉積源噴嘴，有機層沉積組件包括用于形成公共層的多個公共層沉積組件和用于形成圖案層的多個圖案層沉積組件，圖案層沉積組件中的每一個進一步包括校正狹縫片，校正狹縫片包括多個校正狹縫，圖案層沉積組件的校正狹縫沿垂直于第一方向的第二方向關于彼此偏移，并且基板與有機層沉積設備隔開，以便關于有機層沉積設備能相對移動，并且從沉積源放出的沉積材料穿過相應的所述校正狹縫片，并以一圖案沉積在基板上。
[0028]腔室可以容納有機層沉積組件，使用有機層沉積組件在基板上連續(xù)執(zhí)行沉積。
[0029]轉(zhuǎn)移單元可以在第一運送單元與第二運送單元之間循環(huán)。
[0030]第一運送單元與第二運送單元可以平行且一個在另一個之上地布置。
[0031 ] 有機層沉積組件的圖案化狹縫片在第一方向或與第一方向垂直的第二方向中至少之一上的長度可以小于基板的長度。
[0032]根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，一種有機發(fā)光顯示設備包括:基板；多個薄膜晶體管，位于基板上并且各自包括半導體有源層、與半導體有源層絕緣的柵電極以及各自接觸半導體有源層的源電極和漏電極；分別位于薄膜晶體管上的多個像素電極；分別位于多個像素電極上的多個有機層；以及位于多個有機層上的對置電極，其中位于基板上的有機層中的距沉積區(qū)域的中心較遠的至少一個有機層的頂邊與底邊之間的斜邊的長度，大于有機層中的被形成為距沉積區(qū)域的中心較近的其它有機層的斜邊的長度，并且位于基板上的有機層中的至少一個有機層是使用上述方法形成的線性圖案化的有機層。
[0033]基板可以具有40英寸或更大的尺寸。
[0034]有機層中的每一個可以至少包括發(fā)射層。
[0035]有機層可以具有不均勻的厚度。
[0036]在位于沉積區(qū)域中的有機層中，距沉積區(qū)域的中心較遠的有機層比距中心較近的有機層可以在第一方向上延伸的有機層的圖案的對向側(cè)之間具有更窄的間隔。
[0037]沉積區(qū)域中的有機層距沉積區(qū)域的中心越遠，有機層的兩側(cè)的重疊區(qū)域可以越窄。
[0038]設置在沉積區(qū)域的中心處的有機層的頂邊和底邊之間的斜邊可以具有基本相等的長度。
[0039]沉積區(qū)域中的有機層可以關于沉積區(qū)域的中心對稱布置。
[0040]根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種有機層沉積設備。該有機層沉積設備包括:運送單元，包括:用于附接基板并被配置為與基板一起移動的轉(zhuǎn)移單元、用于在第一方向上移動附接有基板的轉(zhuǎn)移單元的第一運送單元，以及用于在與第一方向相反的第二方向上移動在沉積已完成之后與基板分離的轉(zhuǎn)移單元；用于將基板附接到轉(zhuǎn)移單元的加載單元；沉積單元，包括:維持真空狀態(tài)的腔室和用于在附接到從加載單元轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移單元的基板上沉積有機層的多個有機層沉積組件；以及卸載單元，用于將在穿過沉積單元時已完成沉積的基板與轉(zhuǎn)移單元分離。轉(zhuǎn)移單元被配置為在第一運送單元與第二運送單元之間移動，并且附接到轉(zhuǎn)移單元的基板被配置為由第一運送單元轉(zhuǎn)移時與多個有機層沉積組件隔開。多個有機層沉積組件中的每一個包括:多個沉積源，多個沉積源中的每一個被配置為放出多種沉積材料中的相應一種；沉積源噴嘴單元，位于多個沉積源中的每一個的一側(cè)處并且包括一個或多個沉積源噴嘴；圖案化狹縫片，面向沉積源噴嘴單元并且包括一個或多個圖案化狹縫；以及改進的閘板，位于多個沉積源與圖案化狹縫片之間，并且包括開口，該開口被配置為允許沉積材料穿過朝向圖案化狹縫片。改進的閘板中的相鄰改進的閘板的開口沿與第一方向垂直的第二方向彼此偏移，并且從多個沉積源放出的沉積材料穿過圖案化狹縫片并以圖案沉積到基板上。
[0041]改進的閘板的開口可以在第一方向上伸長。
[0042]改進的閘板的開口的位置可以彼此不同。
[0043]通過開口沉積到基板上的圖案可以彼此不重疊。
[0044]在一個實施例中，當測量多個有機層的厚度時，改進的基板被轉(zhuǎn)移通過有機層沉積設備，并且改進的閘板位于多個沉積源與圖案化狹縫片之間，使得沉積材料通過穿過改進的閘板的開口沉積到改進的基板上。
[0045]沉積單元可以包括m個有機層沉積組件，m個有機層沉積組件中的每一個可以包括η個沉積源，并且m個有機層沉積組件中的每一個可以包括一個改進的閘板，其中m和η為自然數(shù)。
[0046]在一個實施例中，當測量多個有機層的厚度時，觸發(fā)第η-1個沉積源，并且在第一方向上轉(zhuǎn)移改進的基板，并且沉積材料從觸發(fā)的第η-1個沉積源沉積到改進的基板上，同時除第η-1個沉積源之外的沉積源的沉積材料被阻擋防止到達改進的基板，并且當改進的基板在沉積單元外后，觸發(fā)第η個沉積源，在第一方向上轉(zhuǎn)移改進的基板，并且沉積材料從觸發(fā)的第η個沉積源沉積到改進的基板上，同時除第η個沉積源之外的的沉積源的沉積材料被阻擋防止到達改進的基板。
[0047]多個有機層沉積組件中的每一個可以包括相同數(shù)目的多個沉積源，并且用于測量有機層的厚度的改進的基板的數(shù)目和多個沉積源的數(shù)目可以相同。
[0048]第一運送單元和第二運送單元可以被配置為穿過沉積單元。
[0049]第一運送單元和第二運送單元可以彼此平行一個在另一個之上地布置。
[0050]第一運送單元可以被配置為將轉(zhuǎn)移單元依次轉(zhuǎn)移到加載單元、沉積單元和卸載單元中。
[0051]第二運送單元可以被配置為將轉(zhuǎn)移單元依次轉(zhuǎn)移到卸載單元、沉積單元和加載單元中。
[0052]多個有機層沉積組件中的每一個的圖案化狹縫片在第一方向或與第一方向垂直的第二方向中至少之一上可以比基板小。
[0053]沉積源噴嘴單元可以包括沿與第一方向垂直的第二方向布置的多個沉積源噴嘴，圖案化狹縫片可以包括沿第二方向布置的多個圖案化狹縫，并且有機層沉積設備可以進一步包括遮蔽板組件，該遮蔽板組件沿第二方向布置在沉積源噴嘴單元與圖案化狹縫片之間并包括用于將沉積源噴嘴單元與圖案化狹縫片之間的空間限定為多個沉積空間的多個遮蔽板。
[0054]多個遮蔽板中的每一個可以沿第一方向延伸。[0055]遮蔽板組件可以包括:包括多個第一遮蔽板的第一遮蔽板組件和包括多個第二遮蔽板的第二遮蔽板組件。
[0056]多個第一遮蔽板中的每一個和多個第二遮蔽板中的每一個可以沿第二方向布置，以將沉積源噴嘴單元與圖案化狹縫片之間的空間限定為多個沉積空間。
[0057]沉積源噴嘴單元可以包括沿第一方向布置的多個沉積源噴嘴，并且圖案化狹縫片可以具有沿與第一方向垂直的第二方向布置的多個圖案化狹縫。
[0058]多個沉積源、沉積源噴嘴單元和圖案化狹縫可以通過經(jīng)由連接構(gòu)件彼此連接而整體形成。
[0059]連接構(gòu)件可以被配置為弓I導沉積材料的流動路徑。
[0060]連接構(gòu)件可以被配置為密封沉積源噴嘴圖案化狹縫片之間的空間。
[0061]在根據(jù)本發(fā)明的另一實施例中，提供一種通過使用用于在基板上形成有機層的有機層沉積設備制造有機發(fā)光顯示裝置的方法。該方法包括:在加載單元中將基板附接到轉(zhuǎn)移單元；通過使用穿過腔室的第一運送單元將附接有基板的轉(zhuǎn)移單元傳輸?shù)角皇抑?；當基板在腔室中與多個有機層沉積組件隔開且相對于有機層沉積組件移動時，通過將從有機層沉積組件放出的沉積材料沉積到基板上，形成有機層；在卸載單元中將基板與轉(zhuǎn)移單元分離，在基板上已完成沉積；以及通過使用穿過腔室的第二運送單元，將與基板分離的轉(zhuǎn)移單元傳輸?shù)郊虞d單元。有機層沉積組件中的每一個包括:多個沉積源，多個沉積源中的每一個被配置為放出沉積材料中的相應一種；沉積源噴嘴單元，位于多個沉積源中的每一個的一側(cè)處并且包括一個或多個沉積源噴嘴；圖案化狹縫片，面向沉積源噴嘴單元并且包括一個或多個圖案化狹縫；以及改進的閘板，位于多個沉積源與圖案化狹縫片之間，并且具有開口，開口被配置為允許來自沉積源的沉積材料中的相應一種穿過朝向圖案化狹縫片。改進的閘板中的相鄰改進的閘板的開口沿與傳輸基板的第一方向垂直的第二方向彼此偏移，并且從多個沉積源放出的沉積材料穿過圖案化狹縫片并以圖案沉積到基板上。
[0062]腔室可以包括多個有機層沉積組件，并且其中可以通過使用多個有機層沉積組件中的每一個在基板上依次執(zhí)行沉積。
[0063]轉(zhuǎn)移單元可以在第一運送單元與第二運送單元之間移動。
[0064]第一運送單元與第二運送單元可以上下彼此平行布置。
[0065]有機層沉積組件的圖案化狹縫片可以被形成為在第一方向或與第一方向垂直的第二方向中至少之一上比基板小。
[0066]在根據(jù)本發(fā)明的另一實施例中，提供一種有機發(fā)光顯不設備。該有機發(fā)光顯不設備包括:基板；至少一個薄膜晶體管，位于基板上并且包括半導體有源層、與半導體有源層絕緣的柵電極以及各自接觸半導體有源層的源電極和漏電極；位于至少一個薄膜晶體管上的多個像素電極；位于多個像素電極上的多個有機層；以及位于多個有機層上的對置電極。位于基板上的多個有機層中的距沉積區(qū)域的中心較遠的至少一個有機層的頂邊與底邊之間的斜邊的長度，大于多個有機層中的被形成為距沉積區(qū)域的中心較近的其它有機層的相應頂邊與底邊之間的斜邊的長度，并且位于基板上的多個有機層的至少一個有機層是使用上述有機層沉積設備形成的線性圖案化的有機層。
[0067]基板可以具有40英寸或更大的尺寸。
[0068]多個有機層可以至少包括發(fā)射層。[0069]多個有機層可以具有不均勻的厚度。
[0070]在形成為距沉積區(qū)域的中心較遠的有機層中的每一個中，距沉積區(qū)域的中心較遠的斜邊可以比其它斜邊大。
[0071]沉積區(qū)域中的多個有機層中的一個有機層距沉積區(qū)域的中心越遠，多個有機層中的該一個有機層的兩側(cè)的重疊區(qū)域可以形成得越窄。
[0072]設置在沉積區(qū)域的中心處的有機層的斜邊可以具有基本相同的長度。
[0073]沉積區(qū)域中的多個有機層可以關于沉積區(qū)域的中心對稱布置。
[0074]根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種用于有機層沉積的設備，該設備包括:運送單元，包括:基板被固定在其上以與其一起移動的轉(zhuǎn)移單元，在第一方向上移動其上固定有基板的轉(zhuǎn)移單元的第一運送單元，和在與第一方向相反的方向上移動在沉積后與基板分離的轉(zhuǎn)移單元的第二運送單元；以及包括維持在真空的腔室的沉積單元；以及將有機材料層沉積到固定到轉(zhuǎn)移單元的基板上的一個或多個有機層沉積組件，其中有機層沉積組件包括:發(fā)出沉積材料的沉積源；布置在沉積源的一側(cè)上的沉積源噴嘴單元，該沉積源噴嘴單元包括多個沉積源噴嘴；布置為面對沉積源噴嘴單元的圖案化狹縫片，該圖案化狹縫片包括在一方向上布置的多個圖案化狹縫；以及第一加工閘板，其布置在沉積源與圖案化狹縫片之間以至少覆蓋基板的一部分，第一加工閘板包括在第一方向上形成的一個或多個加工狹縫，其中轉(zhuǎn)移單元能夠在第一運送單元與第二運送單元之間來回移動，并且固定到轉(zhuǎn)移單元的基板在由第一運送單元傳輸時與有機層沉積組件隔開設定距離。
[0075]第一加工閘板可以被布置在多個有機層沉積組件中的每一個處，并且形成在第一加工閘板中的每一個中的加工狹縫可以被形成為彼此偏移。
[0076]第一加工閘板可以布置在多個有機層沉積組件中的用于沉積公共層的有機層沉積組件處。
[0077]在一個實施例中，第一加工閘板被布置為僅在用于加工的基板在沉積單元中被傳輸時至少覆蓋該基板的一部分。
[0078]根據(jù)一個實施例，在多個有機層沉積組件中的用于沉積圖案層的有機層沉積組件中，進一步形成第二加工閘板，第二加工閘板布置在沉積源與圖案化狹縫片之間，以至少覆蓋基板的一部分，且包括沿第一方向在兩相對端處的加工狹縫。
[0079]第二加工閘板的加工狹縫的寬度可以大于圖案化狹縫片的圖案化狹縫的寬度。
[0080]在一個實施例中，第一運送單元和第二運送單元被布置為穿過沉積單元。
[0081]在一個實施例中，第一運送單元和第二運送單元被布置為在豎直方向上彼此相鄰。
[0082]在一個實施例中，該設備進一步包括:在其中將基板固定到轉(zhuǎn)移單元的加載單元；以及在其中基板穿過沉積單元并在其上完成沉積之后與轉(zhuǎn)移單元分開的卸載單元。
[0083]在一個實施例中，第一運送單元將轉(zhuǎn)移單元移動到加載單元、沉積單元和卸載單元(以所述的順序)。
[0084]在一個實施例中，第二運送單元將轉(zhuǎn)移單元移動到卸載單元、沉積單元和加載單元(以所述的順序)。
[0085]在根據(jù)一個實施例的有機層沉積組件中，由沉積源發(fā)出的沉積材料穿過圖案化狹縫片并被沉積，以在基板上形成圖案。[0086]在一個實施例中，有機層沉積組件的圖案化狹縫片小于基板。
[0087]在一個實施例中，在傳送單元的表面中形成磁軌，多個線圈形成在第一運送單元和第二運送單元中的每一個處，并且磁軌和線圈彼此結(jié)合，并構(gòu)成產(chǎn)生用于移動傳遞單元的驅(qū)動電力的驅(qū)動單元。
[0088]在一個實施例中，多個沉積源噴嘴在第一方向上形成在沉積源噴嘴單元處，并且多個圖案化狹縫在第一方向上形成在圖案化狹縫片處。該設備進一步包括遮蔽板組件，該遮蔽板組件包括在第一方向上布置在沉積源噴嘴單元與圖案化狹縫片之間的多個遮蔽板，并將沉積源噴嘴單元與圖案化狹縫片之間的空間限定為多個沉積空間。
[0089]在一個實施例中，多個遮蔽板中的每一個在與第一方向基本垂直的第二方向上延伸。
[0090]在一個實施例中，遮蔽板組件包括:包括多個第一遮蔽板的第一遮蔽板組件；以及包括多個第二遮蔽板的第二遮蔽板組件。
[0091]在一個實施例中，多個沉積源噴嘴在第一方向上形成在沉積源噴嘴單元處，并且多個圖案化狹縫在與第一方向垂直的第二方向上形成在圖案化狹縫片處。
[0092]在一個實施例中，沉積源、沉積源噴嘴單元和圖案化狹縫片經(jīng)由連接構(gòu)件彼此連接，并形成為單一主體。
[0093]在一個實施例中，連接構(gòu)件弓I導沉積材料在其中移動的路徑。
[0094]在一個實施例中，連接構(gòu)件被形成為從外側(cè)密封由沉積源、沉積源噴嘴單元和圖案化狹縫形成的空間。
[0095]根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種使用用于有機層沉積的設備在基板上形成有機材料層的方法，該方法包括:當基板被固定到轉(zhuǎn)移單元時，轉(zhuǎn)移單元由被配置為穿過腔室的第一運送單元傳輸?shù)角皇抑械牟僮?；當有機層沉積組件與基板隔開設定或預定距離時，基板相對于有機層沉積組件移動，并且隨著有機層沉積組件發(fā)出的沉積材料沉積到基板上而形成有機材料層的操作；與基板分離的轉(zhuǎn)移單元由被配置為穿過腔室的第二運送單元向回傳輸?shù)牟僮?，其中形成有機層的操作包括這樣的操作:當用于加工的基板在有機層沉積組件中傳輸時，沉積材料由其中形成有一個或多個加工狹縫的第一加工閘板沉積到加工基板上。
[0096]在一個實施例中，第一加工閘板被布置在多個有機層沉積組件中的每一個中，并且在第一加工閘板中形成的加工狹縫被形成為彼此略微偏移。
[0097]在一個實施例中，第一加工閘板被布置在多個有機層沉積組件中的用于沉積公共層的有機層沉積組件中。
[0098]在一個實施例中，第一加工閘板被布置為僅在加工基板在有機層沉積組件中被傳輸時至少覆蓋基板的一部分。
[0099]在一個實施例中，該方法進一步包括:在加載單元處，由第一運送單元傳輸轉(zhuǎn)移單元之前，將基板固定到轉(zhuǎn)移單元的操作；以及在卸載單元處，由第二運送單元向回傳輸轉(zhuǎn)移單元之前，將已經(jīng)完成沉積的基板與轉(zhuǎn)移單元分開的操作。
[0100]在一個實施例中，轉(zhuǎn)移單元在第一運送單元與第二運送單元之間來回移動。
[0101 ] 在一個實施例中，第一運送單元和第二運送單元在豎直方向上彼此相鄰布置。
[0102]在一個實施例中，有機層沉積組件中的每一個包括:沉積源，其發(fā)出沉積材料；布置在沉積源的一側(cè)處的沉積源噴嘴單元，該沉積源噴嘴單元包括多個沉積源噴嘴；以及布置為面對沉積源噴嘴單元的圖案化狹縫片，圖案化狹縫片包括布置在一方向上的多個圖案化狹縫，并且由沉積源發(fā)出的沉積材料穿過圖案化狹縫片并被沉積，以在基板上形成圖案。
[0103]在根據(jù)一個實施例的多個有機層沉積組件中的用于沉積圖案層的有機層沉積組件中，形成第二加工閘板，第二加工閘板布置在沉積噴嘴與圖案化狹縫片之間以至少覆蓋基板的一部分，且包括在兩相對端處形成的加工狹縫。
[0104]在一個實施例中，第二加工閘板的加工狹縫的寬度大于圖案化狹縫片的圖案化狹縫的寬度。
[0105]在一個實施例中，有機層沉積組件的圖案化狹縫片被形成為在第一方向和與第一方向垂直的第二方向中至少任意之一上比基板小。
[0106]根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，提供一種有機發(fā)光顯不設備，其包括:基板；至少一個薄膜晶體管，位于基板上并且包括半導體有源層、與半導體有源層絕緣的柵電極以及各自接觸半導體有源層的源電極和漏電極；位于至少一個薄膜晶體管上的多個像素電極；設置在多個像素電極上的多個有機層；以及設置在多個有機層上的對置電極，其中形成在基板上的多個有機層中的距沉積區(qū)域的中心較遠的至少一個有機層的頂邊與底邊之間的斜邊的長度，大于被形成為距沉積區(qū)域的中心較近的其它有機層的相應頂邊與底邊之間的斜邊，其中，形成在基板上的多個有機層的至少一個有機層是使用上述有機層沉積設備形成的線性圖案化有機層。
[0107]在一個實施例中，基板具有40英寸或更大的尺寸。
[0108]在一個實施例中，多個有機層至少包括發(fā)射層。
[0109]在一個實施例中，多個有機層具有不均勻的厚度。
[0110]根據(jù)一個實施例，在形成為距沉積區(qū)域的中心較遠的有機層中的每一個中，距沉積區(qū)域的中心較遠的斜邊大于其他斜邊。
[0111]在一個實施例中，沉積區(qū)域中形成的多個有機層中的一個距沉積區(qū)域的中心越遠，則多個有機層中的這個有機層的兩側(cè)的重疊區(qū)域被形成得越窄。
[0112]在一個實施例中，設置在沉積區(qū)域的中心處的有機層的斜邊具有基本相等的長度。
[0113]在一個實施例中，設置在沉積區(qū)域中的多個有機層關于沉積區(qū)域的中心對稱布置。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0114]通過參考附圖對本發(fā)明實施例進行詳細描述，本發(fā)明的以上及其它特征和方面將變得更加明顯，附圖中:
[0115]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的有機層沉積設備的結(jié)構(gòu)的示意性俯視圖；
[0116]圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1的有機層沉積設備的沉積單元的示意性側(cè)視圖；
[0117]圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1的有機層沉積設備的沉積單元的示意性透視圖；
[0118]圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖3的沉積單元的示意性剖視圖；
[0119]圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖3的沉積單元的沉積源的透視圖；
[0120]圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的圖3的沉積單元的沉積源的透視圖；[0121]圖7是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖3的沉積單元的第一運送單元和轉(zhuǎn)移單元的示意性首丨J視圖;
[0122]圖8是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖3的沉積單元沉積有機材料層時的加工閘板(tooling shutter)的示意性透視圖；
[0123]圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖3的沉積單元處于加工操作時的加工閘板的示意性透視圖；
[0124]圖10是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的，在圖9的加工操作期間，在基板穿過第一有機層沉積組件時形成有機材料層的示意性視圖；
[0125]圖11是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的，在圖9的加工操作期間，在基板穿過第二有機層沉積組件時形成有機材料層的示意性視圖；
[0126]圖12是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的，在圖9的加工操作期間，在基板穿過第三有機層沉積組件時形成有機材料層的示意性視圖；
[0127]圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例的包括沉積源的沉積組件的示意性透視圖；
[0128]圖14是校正狹縫片的示例的示意性俯視圖；
[0129]圖15是校正狹縫片的其它示例的示意性俯視圖；
[0130]圖16是根據(jù)本發(fā)明實施例的各自包括沉積源的沉積組件的示意性透視圖；
[0131]圖17和18是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的改進的閘板的操作的示意性俯視圖；
[0132]圖19是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機層沉積組件的示意性視圖；
[0133]圖20是圖19的有機層沉積組件的示意性側(cè)截面視圖；
[0134]圖21是圖19的有機層沉積組件的示意性俯視截面視圖；
[0135]圖22是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機層沉積組件的示意性視圖；
[0136]圖23是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機層沉積組件的示意性視圖；
[0137]圖24是示出圖3的有機層沉積設備的圖案化狹縫片的等距圖案化狹縫的示意性視圖；
[0138]圖25是通過使用圖24的圖案化狹縫片形成的有機層的示意性視圖；以及
[0139]圖26是使用根據(jù)本發(fā)明實施例的有機層沉積設備制造的有源矩陣型有機發(fā)光顯示設備的剖視圖。
【具體實施方式】
[0140]如這里所使用的那樣，詞語“和/或”包括所列出的相關聯(lián)項目中的一個或多個的任意組合和所有組合。諸如中的至少一個”之類的表述當在一列元件之前時修飾整列元素而非修飾該列中的單個元件。
[0141]現(xiàn)在將詳細參照本發(fā)明實施例，實施例的示例示于附圖中，其中相似的附圖標記始終指代相似的元件。為了解釋本發(fā)明的方面，以下通過參照附圖描述實施例。
[0142]圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的有機層沉積設備I的結(jié)構(gòu)的示意性俯視圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1的有機層沉積設備I的沉積單元100的示意性側(cè)視圖。
[0143]參見圖1和圖2，有機層沉積設備I包括沉積單元100、加載單元200、卸載單元300和運送單元400 (參見圖3和圖4)。
[0144]加載單元200可以包括第一支架212、運輸腔室214、第一倒置腔室218和緩沖腔室 219。
[0145]其上還未施加沉積材料的多個基板2 (例如，圖3和圖4中示出一個基板2)堆疊在第一支架212上。傳輸腔室214中包括的傳輸機器人從第一支架212撿起基板2中之一、將基板2放在由第二運送單元420轉(zhuǎn)移的轉(zhuǎn)移單元430上，并將其上放置有基板2的轉(zhuǎn)移單元430移動到第一倒置腔室218中。
[0146]第一倒置腔室218位于與傳輸腔室214相鄰之處。第一倒置腔室218包括第一倒置機器人，第一倒置機器人將轉(zhuǎn)移單元430倒置，然后將其加載到沉積單元100的第一運送單元410上。
[0147]參照圖1,傳輸腔室214的傳輸機器人將基板2中之一放置在轉(zhuǎn)移單兀430的頂表面上，然后，其上放置有基板2的轉(zhuǎn)移單元430被轉(zhuǎn)移到第一倒置腔室218中。第一倒置腔室218的第一倒置機器人將轉(zhuǎn)移單元430倒置，使得基板2在沉積單元100中上下轉(zhuǎn)動。
[0148]卸載單元300被配置為以與以上所述的加載單元200相反的方式操作。例如，第二倒置腔室328中的第二倒置機器人將已經(jīng)穿過沉積單元100的基板2和轉(zhuǎn)移單元430倒置，然后將基板2和轉(zhuǎn)移單元430移動到排出腔室324。然后，排出機器人將基板2和轉(zhuǎn)移單元430從排出腔室324中取出，將基板2與轉(zhuǎn)移單元430分離，然后將基板2加載到第二支架322上。與基板2分離的轉(zhuǎn)移單元430經(jīng)由第二運送單元420返回到加載單元200。
[0149]然而，本發(fā)明不限于以上示例。例如，當將基板2放置在轉(zhuǎn)移單元430上時，基板2可以被固定(或附接)到轉(zhuǎn)移單元430的底表面上，然后被移動到沉積單元100中。在這樣的實施例中，例如，第一倒置腔室218的第一倒置機器人和第二倒置腔室328的第二倒置機器人可以省略。
[0150]沉積單元100可以包括至少一個用于沉積的腔室。在一個實施例中，如圖1和圖2所示，沉積單元100包括腔室101，多個有機層沉積組件(100-1 )、(100-2)至(100-n)可以位于腔室101中。參照圖1，11個有機層沉積組件，即，有機層沉積組件(100-1)、有機層沉積組件(100-2)至有機層沉積組件(100-11)，位于腔室101中，但有機層沉積組件的數(shù)目可以隨期望的沉積材料和沉積條件而改變。在沉積過程中，腔室101維持真空。根據(jù)本發(fā)明實施例，有機層沉積組件(例如，見圖7的100-1、100-2至100-11)可以包括用于形成公共層的多個公共層沉積組件(圖7的100-1、100-2、100-3、100-4、100-10和100-11)以及用于形成圖案層的多個圖案層沉積組件(圖7的100-5、100-6、100-7、100-8和100-9)。這將在稍后描述。
[0151]在圖1所示的實施例中，其上固定有(或附接有)基板2的轉(zhuǎn)移單元430可以通過第一運送單元410至少移動到沉積單元100，或可以繼續(xù)移動到加載單元200、沉積單元100和卸載單元300，并且在卸載單元300中與基板2分離的轉(zhuǎn)移單元430可以通過第二運送單元420移動返回到加載單元200。
[0152]第一運送單元410在穿過沉積單元100時穿過腔室101，并且第二運送單元420運送(或傳輸)與基板2分離的轉(zhuǎn)移單元430。
[0153]在本實施例中，有機層沉積設備I被配置為使得第一運送單元410和第二運送單元420分別布置在上方和下方，以便在基板2與轉(zhuǎn)移單元430分離后(在穿過第一運送單元410時已在基板2上完成沉積)，轉(zhuǎn)移單元430經(jīng)由形成在第一運送單元410下方的第二運送單元420返回到加載單元200，因此，有機層沉積設備I可以具有提高的空間利用效率。換言之，第一運送單元410和第二運送單元420并行布置，一個在另一個之上。
[0154]在一實施例中，圖1所示的沉積單元100可以進一步包括位于每個有機層沉積組件100-n側(cè)面處的沉積源更換單元190。盡管附圖中未特別示出，但沉積源更換單元190可以形成為可以從每個有機層沉積組件拉出到外部的盒式型。因此，有機層沉積組件100-1的沉積源110 (參照圖3)可以相對容易被替換。
[0155]圖1示出并行布置有兩組結(jié)構(gòu)的有機層沉積設備I，其中每組結(jié)構(gòu)各自包括加載單元200、沉積單元100、卸載單元300和運送單元400。亦即，可以看出，兩個有機層沉積設備I分別并排(圖1中上下)布置。在這樣的實施例中，圖案化狹縫片更換單元500可以進一步位于兩個有機層沉積設備I之間。亦即，由于這樣的結(jié)構(gòu)配置，兩個有機層沉積設備I共享圖案化狹縫片更換單元500，與每個有機層沉積設備I包括圖案化狹縫片更換單元500的情況相比，獲得了提聞的空間利用效率。
[0156]圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖1的有機層沉積設備I的沉積單元100的示意性透視圖，圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的圖3的沉積單元100的示意性剖視圖。
[0157]參照圖3和圖4，有機層沉積設備I的沉積單元100包括至少一個有機層沉積組件100-1和運送單元400。
[0158]下文中將描述沉積單元100的整體結(jié)構(gòu)。
[0159]腔室101可以形成為中空盒子型，并可以包括至少一個有機層沉積組件100-1和運送單元400。底座102被形成為將沉積單元100固定到地上，下殼體103位于底座102上，并且上殼體104位于下殼體103上。腔室101容納下殼體103和上殼體104兩者。在這點上，下殼體103與腔室101的連接部被密封，使得腔室101的內(nèi)部與外部完全隔離。由于下殼體103和上殼體104位于固定到地上的底座102的結(jié)構(gòu)，即使腔室101被重復地壓縮和擴張，下殼體103和上殼體104也可以維持在固定位置。因此，下殼體103和上殼體104可以用作沉積單元100中的參照框架。
[0160]上殼體104包括有機層沉積組件100-1和運送單元400的第一運送單元410，并且下殼體103包括運送單元400的第二運送單元420。當轉(zhuǎn)移單元430在第一運送單元410與第二運送單元420之間循環(huán)移動時，沉積過程連續(xù)執(zhí)行。
[0161]下文中詳細描述有機層沉積組件100-1的構(gòu)成。
[0162]有機層沉積組件100-1包括沉積源110、沉積源噴嘴單元120、圖案化狹縫片130、遮蔽構(gòu)件140、第一臺架150、第二臺架160、攝像機170和傳感器180。在這點上，圖3和圖4所示的全部元件可以布置在維持在適當真空狀態(tài)的腔室101中。該結(jié)構(gòu)用于實現(xiàn)沉積材料的線性度。
[0163]例如，為了以期望的圖案將已經(jīng)從沉積源110放出并穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化狹縫片130的沉積材料115沉積到基板2上，需要將腔室(未示出)的真空狀態(tài)維持在與精細金屬掩膜(FMM)沉積方法中使用的一樣的高水平。另外，圖案化狹縫片130的溫度應當比沉積源110的溫度足夠低，這是因為當圖案化狹縫片130的溫度足夠低時，圖案化狹縫片130的熱膨脹被減小或最小化。
[0164]其上將沉積沉積材料115的基板2布置在腔室101中?；?可以是用于平板顯示設備(裝置)的基板。例如，用于制造多個平板顯示器的諸如母體玻璃之類的大基板可以用作基板2。[0165]根據(jù)本實施例，沉積過程可以通過相對有機層沉積組件100-1移動基板2來執(zhí)行。
[0166]在使用FMM的常規(guī)沉積方法中，F(xiàn)MM的尺寸與基板的尺寸相同。因此，隨著基板尺寸增大，F(xiàn)MM的尺寸也增大。由于這些問題，難以制造FMM，并難以通過拉長FMM以精確的圖案對準FMM。
[0167]為解決這些問題，在根據(jù)本實施例的有機層沉積組件100-1中，可以在有機層沉積組件100-1與基板2相對于彼此移動的同時執(zhí)行沉積。換言之，可以在面對有機層沉積組件100-1的基板2沿Y軸方向移動時持續(xù)執(zhí)行沉積。亦即，當基板2沿圖3所示的箭頭A的方向移動時，以掃描的方式執(zhí)行沉積。盡管圖3中，在執(zhí)行沉積時，基板2示出為在腔室101中沿Y軸方向移動，但本發(fā)明不限于此。例如，可以在基板2被固定而有機層沉積組件100-1沿Y軸方向移動時執(zhí)行沉積。
[0168]因此，在有機層沉積組件100-1中，圖案化狹縫片130可以小于(例如，顯著小于)常規(guī)沉積方法中使用的FMM。換言之，在有機層沉積組件100-1中，當基板2沿Y軸方向移動時，持續(xù)執(zhí)行，即以掃描方式執(zhí)行沉積。因此，圖案化狹縫片130沿X軸和Y軸方向的長度中的至少之一可以比基板2沿相同方向的長度小(例如，小很多)。由于圖案化狹縫片130可以形成為小于(例如，顯著小于)常規(guī)沉積方法中使用的FMM，因此可以相對較容易地制造圖案化狹縫片130。亦即，鑒于包括刻蝕以及在刻蝕后執(zhí)行的精確拉長、焊接、轉(zhuǎn)移和沖洗過程的制造過程，小圖案化狹縫片130比常規(guī)沉積方法中使用的FMM更適合。另外，這更適于制造相對較大的顯示設備(裝置)。
[0169]為了如上所述在有機層沉積組件100-1與基板2相對于彼此移動時執(zhí)行沉積，有機層沉積組件100-1和基板2可以彼此以一定距離(例如，一間隙)隔開。這在以下更詳細描述。
[0170]包含沉積材料115并對沉積材料115進行加熱的沉積源110面向基板2位于腔室101中。隨著包含在沉積源110中的沉積材料115被蒸發(fā)，在基板2上執(zhí)行沉積。
[0171]沉積源110包括填充有沉積材料115的坩堝111以及加熱坩堝111以使沉積材料115朝向坩堝111的一側(cè)，特別是朝向沉積源噴嘴單元120蒸發(fā)的加熱器112。
[0172]沉積源噴嘴單元120在一個實施例中位于沉積源110的一側(cè)，例如位于沉積源110的朝向(或面對)基板2的一側(cè)。在這點上，根據(jù)本實施例的有機層沉積組件可以各自包括用于執(zhí)行形成公共層和圖案層的沉積的不同沉積噴嘴。亦即，用于形成圖案層的沉積源噴嘴單元120可以包括沿Y軸方向，亦即，基板2的掃描方向布置的多個沉積源噴嘴121。相應地，沿X軸方向只形成一個沉積源噴嘴121，從而大大減少陰影。用于形成公共層的源噴嘴單元可以包括沿X軸方向布置的多個沉積源噴嘴121，從而可以提高公共層的厚度均勻度。
[0173]在一個實施例中，圖案化狹縫片130可以位于沉積源110與基板2之間。圖案化狹縫片130可以進一步包括具有類似窗框形狀的框架。圖案化狹縫片130包括在X軸方向上布置的多個圖案化狹縫131。已在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化狹縫片130，然后朝基板2移動。在這點上，可以使用與形成FMM，特別是條形掩膜，使用的相同的方法來形成圖案化狹縫片130。例如，可以通過刻蝕形成圖案化狹縫片130。在這點上，圖案化狹縫131的總數(shù)目可以大于沉積源噴嘴121的總數(shù)目。
[0174]在一個實施例中，沉積源110 (以及與其結(jié)合的沉積源噴嘴單元120)和圖案化狹縫片130可以以一定距離(例如，一間隙)彼此間隔開。
[0175]如上所述，在有機層沉積組件100-1相對于基板2移動時執(zhí)行沉積。為了使有機層沉積組件100-1相對于基板2移動，圖案化狹縫片130與基板2以一定距離(例如，一間隙)隔開。
[0176]在使用FMM的常規(guī)沉積方法中，沉積通常在FMM與基板緊密接觸的情況下執(zhí)行，以便防止在基板上形成陰影。然而，當FMM形成為與基板緊密接觸時，基板與FMM之間的接觸可能導致出現(xiàn)缺陷。另外，由于難以相對于基板移動掩膜，掩膜和基板具有相同的尺寸。因此，隨著顯示裝置的尺寸增大，掩膜變得更大。然而，難以形成大掩膜。
[0177]為解決這些問題，在根據(jù)本實施例的有機層沉積組件100-1中，圖案化狹縫片130被形成為與其上待沉積沉積材料的基板2以一定距離(例如，一間隙)隔開。
[0178]根據(jù)本實施例，可以在形成為比基板小的掩膜相對于基板移動時執(zhí)行沉積，因此，相對容易制造掩膜。另外，可以避免由基板與掩膜之間的接觸導致的缺陷。另外，由于在沉積過程中沒必要將基板與掩膜緊密接觸，因此可以提高制造速度。
[0179]下文中將描述上殼體104的元件的特定設置。
[0180]沉積源110和沉積源噴嘴單元120位于上殼體104的底部處。容納部104_1分別形成在沉積單元100和沉積源噴嘴單元120的兩側(cè)上，以具有突起形狀。第一臺架150、第二臺架160和圖案化狹縫片130以此順序依次形成在(或位于)容納部104-1上。
[0181]在這點上，第一臺架150被形成為在X軸和Y軸方向上移動，使得第一臺架150在X軸和Y軸方向上對準圖案化狹縫片130。亦即，第一臺架150包括多個致動器，使得第一臺架150在X軸和Y軸方向上相對于上殼體104移動。
[0182]第二臺架160被形成為在Z軸方向上移動，以在Z軸方向上對準圖案化狹縫片130。亦即，第二臺架160包括多個致動器，以在Z軸方向上相對于第一臺架150移動。
[0183]圖案化狹縫片130位于第二臺架160上。圖案化狹縫片130位于第一臺架150和第二臺架160上，以在X軸、Y軸和Z軸方向上移動，因此，可以執(zhí)行基板2與圖案化狹縫片130之間的對準，特別是實時對準。
[0184]另外，上殼體104、第一臺架150和第二臺架160可以引導沉積材料115的流動路徑，使得通過沉積源噴嘴121放出的沉積材料115不會散落到流動路徑之外。亦即，沉積材料115的流動路徑由上殼體104、第一臺架150和第二臺架160密封，因此，沉積材料115在X軸和Y軸方向上的移動因而可以同時地或同步地被弓I導。
[0185]遮蔽構(gòu)件140可以位于圖案化狹縫片130與沉積源110之間。具體而言，陽極或陰極圖案被形成在基板2的邊緣部分上，并用作檢查產(chǎn)品的端子或在制造產(chǎn)品時用作端子。如果有機材料被施加到基板2的該邊緣部分(B卩，形成有陽極或陰極圖案的部分)上，則陽極或陰極不能充分地執(zhí)行其功能。因此，基板2的邊緣部分被形成為非膜形成區(qū)，有機材料或類似材料不施加到該非膜形成區(qū)上。然而，如上所述，在有機層沉積設備中，在基板2相對于有機層沉積設備移動時以掃描方式執(zhí)行沉積，因此，不容易防止有機材料沉積到基板2的非膜形成區(qū)上。
[0186]因此，為了防止有機材料沉積到基板2的非膜形成區(qū)上，在有機層沉積設備中，遮蔽構(gòu)件140可以位于基板2的邊緣部分處。盡管圖3和圖4中未特別示出，但遮蔽構(gòu)件140可以包括兩個相鄰板。[0187]當基板2不穿過有機層沉積組件100-1時，遮蔽構(gòu)件140遮掩沉積源110，因此，從沉積源Iio放出的沉積材料115不會到達圖案化狹縫片130。當基板2在遮蔽構(gòu)件140遮掩沉積源110的情況下進入有機層沉積組件100-1中時，遮蔽構(gòu)件140的遮掩沉積源110的前部隨基板2的移動一起移動，因此，沉積材料115的流動路徑打開，并且從沉積源110放出的沉積材料115穿過圖案化狹縫片130并沉積到基板2上。同樣，當基板2穿過有機層沉積組件100-1時，遮蔽構(gòu)件140的后部隨基板2的移動一起移動以遮掩沉積源110，以便關閉沉積材料115的流動路徑。因此，從沉積源110放出的沉積材料115不會到達圖案化狹縫片130。
[0188]如上所述，基板2的非膜形成區(qū)由遮蔽構(gòu)件140遮掩，因此，容易(或相對較容易)在不使用分離結(jié)構(gòu)的情況下防止有機材料沉積到基板2的非膜形成區(qū)上。
[0189]下文中更詳細地描述傳送單元400，傳送單元400傳送(或運輸)其上待沉積沉積材料115的基板2。參照圖3和圖4，運送單元400包括第一運送單元410、第二運送單元420和轉(zhuǎn)移單元430。
[0190]第一運送單元410以同軸方式運送(或傳輸)轉(zhuǎn)移單元430和附接到轉(zhuǎn)移單元430的基板2，使得有機層可以通過有機層沉積組件100-1沉積到基板2上，其中轉(zhuǎn)移單元430包括載體431和附接到載體431的靜電卡盤432。第一運送單元410包括線圈411、導向構(gòu)件412、上磁懸浮(例如，磁漂浮或磁性上升)軸承(未示出)、側(cè)磁懸浮(例如，磁漂浮或磁性上升)軸承(未示出)以及間隙傳感器(未示出)。在一個實施例中，磁漂浮軸承和間隙傳感器安裝在導向構(gòu)件412上。
[0191]一個沉積循環(huán)在轉(zhuǎn)移單元430穿過沉積單元100時完成之后，第二運送單元420將在卸載單元300中與基板2分離的轉(zhuǎn)移單元430返回到加載單元200。第二運送單元420包括線圈421、滾輪導向器422和充電軌道423。
[0192]轉(zhuǎn)移單元430包括沿第一運送單元410和第二運送單元420運送(或傳輸)的載體431以及結(jié)合在載體431的表面上(或附接到載體431的表面)的靜電卡盤432?；?附接到靜電卡盤432。
[0193]下文中將更詳細描述運送單元400的各個元件。
[0194]現(xiàn)將詳細描述轉(zhuǎn)移單元430的載體431。
[0195]參照圖7，載體431包括主體部431a、磁軌(例如，線性馬達系統(tǒng)(LMS)磁鐵)431b、非接觸電源(CPS)模塊431c、電源單元431d和導向槽。載體431可以進一步包括凸輪跟隨器 431f。
[0196]主體部431a構(gòu)成載體431的基部，并且可以由例如鐵之類的磁性材料形成。在這點上，由于載體431的主體部431a與將在下文描述的上磁懸浮軸承(例如，磁漂浮軸承)413和側(cè)磁懸浮(例如，磁漂浮軸承)軸承414之間的斥力(和/或引力)，載體431可以維持與導向構(gòu)件412以一定距離(例如，一間隙)隔開。
[0197]導向槽可以分別形成在主體部431a的兩側(cè)處，并且各自可以容納導向構(gòu)件412的導向突起412e。
[0198]磁軌431b可以在主體部431a前進的方向上沿主體部431a的中心線形成。將在下文更詳細描述的主體部431a的磁軌431b和線圈411可以彼此結(jié)合以構(gòu)成線性馬達，并且載體431可以通過線性馬達在箭頭A方向上被運送(或傳輸)。[0199]CPS模塊431c和電源單元431d可以在主體部431a中分別形成在磁軌431b的兩側(cè)上。電源單元431d包括提供電力以便靜電卡盤432能夠卡住(例如，固定或保持)基板2并維持操作的電池(例如，可再充電電池)。CPS模塊431c是對電源單元43 Id進行充電的無線充電模塊。例如，將在下文描述的形成在第二運送單元420中的充電軌道423連接到反相器(未示出)，因此，當載體431被轉(zhuǎn)移到第二運送單元420中時，在充電軌道423與CPS模塊431c之間形成磁場，從而向CPS模塊431c供應電力。供應給CPS模塊431c的電力用于對電源單元431d充電。
[0200]靜電卡盤432可以包括嵌入由陶瓷形成的主體中的電極，其中該電極被供應電力。在高電壓(例如，合適的電壓或相對較高的電壓)被施加到電極時，基板2附接到靜電卡盤432的主體的表面上。
[0201]下文中詳細描述轉(zhuǎn)移單元430。
[0202]線圈411和主體部431a的磁軌431b可以彼此結(jié)合以構(gòu)成操作單元。在這點上，操作單元可以是線性馬達。與常規(guī)滑動導向系統(tǒng)相比，線性馬達由于其小的摩擦系數(shù)和小的位置誤差而具有高度(例如，非常高度的)位置確定性。如上所述，線性馬達可以包括線圈411和磁軌431b。磁軌431b線性地位于載體431上，并且多個線圈411可以位于腔室101內(nèi)側(cè)處，并與磁軌431b以一定距離(例如,一間隙)隔開，以面對磁軌431b。由于磁軌431b代替線圈411位于載體431處，因此載體431可以在不向其供應電力的情況下能夠操作。在這點上，線圈411可以形成在(或位于)空氣大氣中的大氣(ATM)盒中，并且附接磁軌431b的載體431可以在維持真空的腔室101中移動。
[0203]下文中詳細描述第一運送單元410和轉(zhuǎn)移單元430。
[0204]參照圖4和圖7，第一運送單元410運送(或傳輸)固定(或附接到)基板2的靜電卡盤432和運送(或傳輸)靜電卡盤432的載體431。在這點上,第一運送單元410包括線圈411、導向構(gòu)件412、上磁懸浮(例如，磁漂浮)軸承413、側(cè)磁懸浮(例如，磁漂浮)軸承414以及間隙傳感器415和416。
[0205]線圈411和導向構(gòu)件412形成在(或位于)上殼體104內(nèi)部。線圈411形成在(或位于)上殼體104的上部中，并且導向構(gòu)件412分別形成在上殼體104的兩個內(nèi)側(cè)上(或位于上殼體104的兩個內(nèi)側(cè)處)。
[0206]導向構(gòu)件412引導載體431在一方向上移動。在這點上，導向構(gòu)件412被形成為穿過沉積單元100。
[0207]具體而言，導向構(gòu)件412容納載體431的兩側(cè)，以引導載體431沿圖3所示的箭頭A的方向移動。在這點上，導向構(gòu)件412可以包括設置在載體431下方的第一容納部412a、設置在載體431上方的第二容納部412b和連接第一容納部412a和第二容納部412b的連接部412c。容納槽412d由第一容納部412a、第二容納部412b和連接部412c形成。載體431的兩側(cè)分別容納于容納槽412d中，并且載體431沿容納槽412d移動。
[0208]側(cè)磁懸浮(例如，磁漂浮)軸承414分別位于導向構(gòu)件412的連接部412c處(或中)，從而分別與載體431的兩側(cè)對應。側(cè)磁懸浮(例如，磁漂浮)軸承414在載體431與導向構(gòu)件412之間形成(或?qū)е?一距離，使得載體431以不與導向構(gòu)件412接觸的方式沿導向構(gòu)件412移動。亦即，圖7的左側(cè)上的側(cè)磁懸浮(例如，磁漂浮)軸承414與作為磁性材料的載體431之間出現(xiàn)的斥力Rl和圖7的右側(cè)上的側(cè)磁懸浮(例如，磁漂浮)軸承414與作為磁性材料的載體431之間出現(xiàn)的斥力R2維持均衡，因此，在載體431與導向構(gòu)件412的相應部分之間有恒定(或基本恒定)的距離。
[0209]每個上磁懸浮(例如，磁漂浮)軸承413可以位于導向構(gòu)件412的第二容納部412b處(或中)，以位于載體431上方。上磁懸浮(例如，磁漂浮)軸承413使得載體431能夠以與第一容納部412a和第二容納部412b不接觸的形式、在之間維持恒定(或基本恒定)的距離(或間隙)沿導向構(gòu)件412移動。亦即，上磁懸浮軸承413與作為磁性材料的載體431之間出現(xiàn)的斥力(或可替代的引力)R3與重力G維持均衡，因此，在載體431與各個導向構(gòu)件412之間有恒定(或基本恒定)的距離。
[0210]每個導向構(gòu)件412可以進一步包括間隙傳感器415和416。間隙傳感器415和416可以測量載體431與導向構(gòu)件412之間的距離。參照圖7，間隙傳感器415可以設置在第一容納部412a中，以與載體431的底部對應。設置在第一容納部412a中的間隙傳感器415可以測量第一容納部412a與載體431之間的距離。間隙傳感器416可以設置在側(cè)磁懸浮軸承414的一側(cè)處。間隙傳感器416可以測量載體431的側(cè)面與側(cè)磁懸浮軸承414之間的距離。本發(fā)明不限于上述示例，并且間隙傳感器416可以設置在連接部412c中。
[0211]上磁懸浮(例如，磁漂浮)軸承413和側(cè)磁懸浮(例如，磁漂浮)軸承414的磁力可以根據(jù)間隙傳感器415和416測得的值而改變，因此，載體431與相應導向構(gòu)件412之間的距離可以實時調(diào)整。亦即，可以使用上磁懸浮(例如，磁漂浮)軸承413和側(cè)磁懸浮(例如，磁漂浮)軸承414以及間隙傳感器415和416對載體431的精確轉(zhuǎn)移進行反饋控制。
[0212]下文中詳細描述第二運送單元420和轉(zhuǎn)移單元430。
[0213]返回參照圖4，第二運送單元420將已在卸載單元300中與基板2分離的靜電卡盤432以及承載靜電卡盤432的載體431返回到加載單元200。在這點上，第二運送單元420包括線圈421、滾輪導向器422和充電軌道423。
[0214]具體而言，線圈421、滾輪導向器422和充電軌道423可以位于下殼體103的內(nèi)表面處。例如，線圈421和充電軌道423可以位于下殼體103的頂內(nèi)表面處，并且滾輪導向器422可以位于下殼體103的內(nèi)部兩側(cè)處。在這點上，與第一運送單元410的線圈411類似，線圈421可以位于ATM盒中。
[0215]同樣，與第一運送單元410類似，第二運送單元420也包括線圈421，并且線圈421可以與載體431的主體部431a的磁軌431b結(jié)合以構(gòu)成驅(qū)動單元，并且這里驅(qū)動單元可以是線性馬達。載體431可以通過線性馬達沿與圖3中所示箭頭A的方向相反的方向移動。
[0216]滾輪導向器422引導載體431在一方向上移動。在這點上,滾輪導向器422被形成為(例如，被定位或布置為)穿過沉積單元100。具體而言，滾輪導向器422支撐分別形成于載體431兩側(cè)上的凸輪跟隨器431f (見圖7)，以引導載體431沿與圖3中所示箭頭A的方向相反的方向移動。亦即，載體431隨分別布置在載體431的兩側(cè)上的凸輪跟隨器431f沿滾輪導向器422旋轉(zhuǎn)而移動。在這點上，凸輪跟隨器431f用作用于準確重復特定操作的軸承。在一實施例中，多個凸輪跟隨器431f形成在載體431的側(cè)面上，并用作在第二運送單元420中運送載體431的輪子。這里不提供凸輪跟隨器431f的詳細描述。
[0217]第二運送單元420用在將已與基板2分離的載體431返回的過程中，而不用在將有機材料沉積到基板2上的過程中，因此，第二運送單元420的位置精度(或定位精度)不像第一運送單元410所需的那樣。因此，磁懸浮(例如，磁漂浮)應用于需要高位置精度的第一運送單元410，從而獲得位置精度，并且常規(guī)滾輪方法應用于需要相對較低的位置精度的第二運送單元420，從而降低制造成本并簡化有機層沉積設備的結(jié)構(gòu)。盡管圖4中未示出，但磁懸浮也可以應用于第二運送單元420，如在第一運送單元410中一樣。
[0218]根據(jù)本實施例的有機層沉積設備I的有機層沉積組件100-1可以進一步包括用于對準過程的攝像機170和傳感器180。詳細地，攝像機170可以實時地將形成在圖案化狹縫片130的框架135中的第一對準標記與形成在基板2上的第二對準標記對準。在這點上，攝像機170在沉積過程中維持真空的腔室101中被定位用于更精確的視角。為此，攝像機170可以安裝在大氣狀態(tài)下的相應攝像機容納單元171中。
[0219]由于基板2與圖案化狹縫片130彼此以一定距離(例如，一間隙)隔開，因此，使用攝像機170測量位于不同位置處的基板2與圖案化狹縫片130之間的距離。針對此操作，有機層沉積設備I的有機層沉積組件100-1可以包括傳感器180。在這點上，傳感器180可以是共焦傳感器。共焦傳感器可以通過使用掃描鏡來掃描要通過使用高速旋轉(zhuǎn)的激光束來測量的目標，并通過使用激光束發(fā)出的熒光或反射射線來測量距目標的距離。共焦傳感器可以通過檢測不同介質(zhì)之間的界面來測量距離。
[0220]攝像機170和傳感器180的使用使得能夠?qū)崟r地測量基板2與圖案化狹縫片130之間的距離，從而實時地對準基板2和圖案化狹縫片130，因此可以提高(例如，顯著提高)圖案的位置精度(或定位精度)。
[0221]圖5是示出用于形成圖案層的沉積源噴嘴121的透視圖，并且圖6是示出用于形成公共層的沉積源噴嘴121’的透視圖。用于形成圖案層的有機層沉積組件是圖案層沉積組件(例如,見圖13的有機層沉積組件100-5至100-9)，因此，下文中將其稱為圖案層沉積組件，并且用于形成公共層的有機層沉積組件是公共層沉積組件100-1至100-4、100-10和100-11，因此下文中將其稱為公共層沉積組件。
[0222]參照圖5，圖案層沉積組件100-5包括三個沉積源110和三個沉積源噴嘴單元120，并且沉積源噴嘴單元120中的每一個包括位于其中心處的一個沉積源噴嘴121。已在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120，然后朝基板2移動。如上所述，每個沉積源噴嘴單元120具有一個沉積源噴嘴121，并且在根據(jù)一個實施例的單個圖案層沉積組件100-5中，三個沉積源110沿基板2的掃描方向布置，并且最終，多個沉積源噴嘴121在圖案層沉積組件100-5中沿基板2的掃描方向布置。在這點上，如果多個沉積源噴嘴121沿X軸方向布置，則沉積源噴嘴121中的每一個與圖案化狹縫131之間的間隔可以改變，并且在此情形下，可能由從位于距圖案化狹縫131相對較遠之處的沉積源噴嘴射出的沉積材料形成陰影。相應地，如在本實施例中的在X軸方向上僅形成一個沉積源噴嘴121可以對減少(例如，顯著減小或減少)陰影的形成有貢獻。此外，由于沉積源噴嘴121沿掃描方向布置，因此，即使在獨立的沉積源噴嘴之間出現(xiàn)流量差時，流量差也可以得到抵消，因此沉積均勻性可以維持恒定(或基本恒定)。
[0223]此外，盡管圖5中未示出，但在位于圖案層沉積組件100-5中的三個沉積源110中，位于相對端處的沉積源可以用于沉積宿主材料，并且中間的沉積源可以用于沉積摻雜材料。如上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例的有機層沉積設備可以包括用于沉積宿主材料的沉積源和用于沉積摻雜材料的沉積源兩者，以將宿主材料和摻雜材料同時沉積到基板2上，因此過程被快速執(zhí)行，并且也可以提高裝置的效率。[0224]參照圖6，沉積源噴嘴單元120’位于沉積源110’的一側(cè)，例如，位于沉積源110’的面對基板2的一側(cè)。此外，沉積源噴嘴單元120’包括沿X軸方向(亦即，與基板2的掃描方向垂直的方向)布置的多個沉積源噴嘴121’。在一個實施例中，沉積源噴嘴121’可以彼此等距形成，并且根據(jù)另外的實施例，相鄰沉積源噴嘴121’之間的距離可以朝沉積源噴嘴單元120’的相對端而減小。在沉積源110’中蒸發(fā)的沉積材料可以穿過沉積源噴嘴單元120’的沉積源噴嘴121’，以朝基板2移動，沉積材料將要沉積在基板2上。如上所述，在形成公共層的情況中，沉積源噴嘴121’沿X軸方向(亦即，與基板2的掃描方向垂直的方向)形成，因此，可以提高公共層的厚度均勻性。
[0225]在一個實施例中，圖案化狹縫片130可以位于沉積源110與基板2之間。圖案化狹縫片130可以進一步包括具有類似窗框形狀的框架。圖案化狹縫片130包括沿X軸方向布置的多個圖案化狹縫131。已在沉積源110中蒸發(fā)的沉積材料115穿過沉積源噴嘴單元120和圖案化狹縫片130，然后朝基板2移動。在這點上，可以使用與形成FMM，特別是條形掩膜使用的相同的方法來形成圖案化狹縫片130。例如，可以通過刻蝕形成圖案化狹縫片130。例如，圖案化狹縫131的總數(shù)目可以大于沉積源噴嘴121的總數(shù)目。
[0226]在一個實施例中，沉積源110以及與其結(jié)合的沉積源噴嘴單元120可以與圖案化狹縫片130以一定距離(例如，一間隙)間隔開。
[0227]如上所述，在有機層沉積組件100-1相對于基板2移動時執(zhí)行沉積。為了使有機層沉積組件100-1相對于基板2移動，圖案化狹縫片130被定位成與基板2以一定距離(例如，一間隙)隔開。
[0228]在使用FMM的常規(guī)沉積方法中，通常在FMM與基板緊密接觸的情況下執(zhí)行沉積，以便防止在基板上形成陰影。然而，當FMM被形成為與基板緊密接觸時，基板與FMM之間的接觸可能導致出現(xiàn)缺陷。另外，由于難以相對于基板移動掩膜，掩膜和基板具有相同的尺寸。因此，隨著顯示裝置的尺寸增大，掩膜變得更大。然而，難以形成大掩膜。
[0229]為解決這些問題，在根據(jù)本實施例的有機層沉積組件100-1中，圖案化狹縫片130被形成為與其上待沉積沉積材料的基板2以一定距離(例如，一間隙)隔開。
[0230]根據(jù)本實施例，可以在形成為比基板小的掩膜相對于基板移動時執(zhí)行沉積，因此，相對容易制造掩膜。另外，可以避免由基板與掩膜之間的接觸導致的缺陷。另外，由于在沉積過程中沒必要將基板與掩膜緊密接觸，因此可以提高制造速度。
[0231]在一個實施例中，參照圖4，攝像機170可以實時地將形成在圖案化狹縫片130的框架135上的第一標記與形成在基板2上的第二標記(未示出)對準。傳感器180可以是共焦傳感器。如上所述，由于基板2與圖案化狹縫片130之間的距離能使用攝像機170和傳感器180實時地測量，因此，基板2可以與圖案化狹縫片130實時地對準，藉此可以顯著提高圖案的位置精度。
[0232]根據(jù)本發(fā)明實施例的用于有機材料沉積的設備I的有機層沉積組件100-1可以進一步包括特別設計的遮蔽構(gòu)件140，即用于控制在基板2上形成的有機材料層的厚度的加工閘板140’(見圖9)。以下給出其詳細描述。
[0233]更詳細地，有機發(fā)光裝置的特性很大程度上取決于有機材料層的厚度。因此，為了制造具有優(yōu)異質(zhì)量的有機發(fā)光顯示設備，需要用于在形成有機材料層之前對所有的有機材料層的厚度進行校正的加工操作。這里，加工操作是指用于通過以下步驟將有機材料沉積到期望的厚度的操作:以設定或預定沉積速率將有機材料沉積到其上還沒有沉積器件(例如，TFT)的基板上，通過使用用于測量厚度的分析裝置，例如橢率計，來測量沉積的有機材料的厚度，以及基于測量的厚度來改變有機材料的加工系數(shù)(T/F)或調(diào)整沉積速率。這里，T/F是指加工操作中基于通過傳感器實際測得的有機材料層的厚度與有機材料層的目標厚度之間的比的控制參數(shù)。
[0234]然而，如果使用相關技術(shù)中的方法在要形成在基板上的有機材料層上執(zhí)行加工操作，則必須針對每個要形成的有機材料層、每個沉積源或每個組件執(zhí)行加工操作。換言之，需要以一個接一個為基礎針對有機材料中的每一個執(zhí)行加工操作，為此花費相當長的時間。例如，在圖1所示的用于有機層沉積的設備的情況下，總共布置有十一個有機層沉積組件，并且有機層沉積組件中的每一個包括三個沉積源。必須要對所有的沉積源總共執(zhí)行33次加工操作。而且，由于必須在玻璃基板上形成有機材料層并對其進行分析，因此，必須在用于沉積的材料和用于加工操作的分析裝置上進行投資。因此，相關技術(shù)中的執(zhí)行加工操作的方法使生產(chǎn)效率降低并提高材料成本和投資成本。
[0235]為解決這些問題，用于有機層沉積的設備進一步包括用于對形成在基板2上的有機材料層的厚度進行控制的加工閘板140’，其中多個有機材料層形成在單個基板上，并且在多個沉積源上一次執(zhí)行加工操作。
[0236]圖8是當圖3的沉積單元100正在沉積有機材料層時的加工閘板140’的示意性透視圖，并且圖9是示出當沉積單元100處于加工操作時的加工閘板140’的示意性透視圖。
[0237]圖8和圖9示出三個有機層沉積組件，假定第一有機層沉積組件100-1和第三有機層沉積組件100-3是用于沉積公共層的有機層沉積組件，并且第二有機層沉積組件100-2是用于沉積圖案層的有機層沉積組件。
[0238]在此情形下，用于沉積公共層的第一有機層沉積組件100-1和第三有機層沉積組件100-3分別包括第一加工閘板141。在第一加工閘板141中可以形成有多個加工狹縫141a，以具有在基板移動的方向上延伸的長形。在基板上形成的多個有機材料層的厚度的平均通過使用多個加工狹縫141a得到，并且基于該平均執(zhí)行用于校正有機材料層的厚度的加工操作。
[0239]第一加工閘板141被形成為能夠在有機層沉積組件中移動，并且第一加工閘板141可以僅在執(zhí)行加工操作時才布置在沉積源110的前面。換言之，在沉積有機材料層期間，如圖8所示，由于第一加工閘板141與沉積源110在一方向上以設定或預定距離間隔開，形成沉積材料115在其中移動的路徑，因此由沉積源110發(fā)出的沉積材料115沉積到基板2上。在加工操作期間，如圖9所示，第一加工閘板141布置在沉積源110的前面，因此在沉積源110處蒸發(fā)的有機材料穿過第一加工閘板141，并在基板2上形成設定或預定圖案層。
[0240]這里，布置在有機層沉積組件中的每一個中的第一加工閘板141的加工狹縫141a可以被形成為一個與另一個有一定的偏移。換言之，第一有機層沉積組件100-1的加工狹縫141a可以不與第三有機層沉積組件100-3的加工狹縫141a布置在相同的直線上，因此，在第一有機層沉積組件100-1處蒸發(fā)的有機材料和在第三有機層沉積組件100-3處蒸發(fā)的有機材料可以沉積在基板上的不同區(qū)域處。
[0241]用于圖案層沉積的第二有機層沉積組件100-2包括第二加工閘板142。用于測量有機材料層的厚度的加工狹縫142a可以布置在第二加工閘板142的兩個相對端處，以具有在基板移動的方向上延伸的長形。
[0242]如上所述，形成在基板上的多個圖案層的厚度的平均通過使用在第二加工閘板142的兩個相對端處形成的加工狹縫142a而得到，并且基于該平均執(zhí)行用于校正有機材料層的厚度的加工操作。
[0243]第二加工閘板142被形成為能夠在有機層沉積組件中移動，并且第二加工閘板142可以僅在執(zhí)行加工操作時才布置在沉積源110的前面。換言之，在沉積有機材料層期間，如圖8所示，由于第二加工閘板142與沉積源110在一方向上以設定或預定距離間隔開，形成沉積材料115在其中移動的路徑，因此由沉積源110發(fā)出的沉積材料115沉積到基板2上。在加工操作期間，如圖9所示，第二加工閘板142布置在沉積源110的前面，因此在沉積源110處蒸發(fā)的有機材料穿過第二加工閘板142，并在基板2上形成設定或預定圖案層。
[0244]這里，第二加工閘板142的加工狹縫142a的寬度可以比圖案化狹縫片130的圖案化狹縫131的寬度大。盡管圖案化狹縫片130的圖案化狹縫131的寬度約為幾百ym并且與圖案層的厚度類似，但圖案層的最小可測厚度為約2_，因此，必須將用于加工操作的第二加工閘板142的加工狹縫142a形成為具有比圖案化狹縫片130的圖案化狹縫131的寬度大的覽度。
[0245]如上所述，通過將多個線性圖案層形成在單個基板上，多個有機材料層形成在該單個基板上，并且可以關于多個沉積源同時執(zhí)行加工操作。
[0246]下文中將更詳細描述用于有機層沉積的設備校正厚度所使用的方法。
[0247]圖10是示出在圖9的加工操作期間，在基板穿過第一有機層沉積組件100-1時形成有機材料層的示意性視圖。圖11是示出在圖9的加工操作期間，在基板穿過第二有機層沉積組件100-2時形成有機材料層的示意性視圖。圖12是示出在圖9的加工操作期間，在基板穿過第三有機層沉積組件100-3時形成有機材料層的示意性視圖。
[0248]以下將描述校正厚度的對比例方法。首先，通過使用任意T/F和任意沉積速率將用于膜形成的有機材料沉積到相應沉積玻璃基板上來形成有機材料膜。接著，通過使用用于測量厚度的分析裝置，例如橢率計，來測量有機材料膜的厚度。通過基于測得的厚度調(diào)整T/F來滿足目標厚度。接著，為了確定校正后的T/F是否準確，必須對各個有機材料再次執(zhí)行加工操作，并且即使在形成有機材料膜之后，也必須在每100至120次沉積中再次執(zhí)行加工操作。
[0249]然而，通過使用根據(jù)本發(fā)明實施例的校正厚度的方法，通過使用單個基板一次通過形成膜，而不是關于沉積源中的每一個形成膜。換言之，加工閘板140’如圖9所示布置，并且基板2在加工操作過程中在箭頭A的方向上移動時，第一有機層沉積組件100-1中容納的沉積材料在基板2穿過第一有機層沉積組件100-1時被圖案化到基板2上，因此，在基板2上形成第一加工圖案層2a,如圖10中所不。這里，第一加工圖案層2a通過第一有機層沉積組件100-1的加工閘板140’被圖案化。
[0250]這里，基板2繼續(xù)移動，并且當基板2穿過第二有機層沉積組件100-2時，第二有機層沉積組件100-2中容納的沉積材料被圖案化到基板2上，因此，在基板2上形成第二加工圖案層2b，如圖11中所示。第二加工圖案層2b通過第二有機層沉積組件100-2的圖案化狹縫片130的圖案化狹縫131b被圖案化。
[0251]這里，基板2繼續(xù)移動，并且當基板2穿過第三有機層沉積組件100-3時，第三有機層沉積組件100-3中容納的沉積材料被圖案化到基板2上，因此，在基板2上形成第三加工圖案層2c，如圖12中所示。第三加工圖案層2c通過第三有機層沉積組件100-3的加工閘板140’被圖案化。
[0252]如上所述，根據(jù)本發(fā)明實施例，通過使用單個基板一次通過執(zhí)行加工操作，而不根據(jù)各個沉積源在不同的基板上形成膜，與在基板的每一個處測量膜的厚度的情況相比，時間段可以減少，因此可以提高生產(chǎn)力。進一步，由于基于基板成本的降低和分析裝置數(shù)目的減少的投資的減少，產(chǎn)品的單位價格可以降低。因此，可以顯著提高批量生產(chǎn)力。
[0253]圖13是根據(jù)本發(fā)明實施例的包括沉積源的沉積組件的示意性透視圖。參照圖13，根據(jù)本發(fā)明實施例的有機層沉積設備包括十一個有機層沉積組件100-1、100-2至100-11。另外，沉積組件100-1、100-2至100-11中的每一個包括三個沉積源。例如，沉積組件100-1可以包括三個沉積源IlO-1aUlO-1b和110-lc，并且沉積組件100-2可以包括三個沉積源110-2a、110-2b 和 110_2c。
[0254]如上所述，有機層沉積組件100-1、100-2至100-11包括公共層沉積組件100_1、100-2、100-3、100-4、100-10 和 100-11 和圖案層沉積組件 100-5 至 100-9。
[0255]公共層沉積組件100-1、100-2、100-3、100-4、100-10和100-11可以形成有機層的公共層(例如，見圖26的0LED)。亦即，公共層沉積組件100-1的沉積源IlO-1aUlO-1b和IlO-1c可以包括用于形成空穴注入層的沉積材料，并且公共層沉積組件100-2的沉積源110-2a、110-2b和110_2c可以包括用于形成中間層的沉積材料，公共層沉積組件100-3的沉積源110-3a、110-3b和110_3c可以包括用于形成空穴傳輸層的沉積材料，公共層沉積組件100-4的沉積源110-4a、110-4b和110_4c可以包括用于形成空穴注入層的沉積材料。另外，公共層沉積組件100-10的沉積源110-10a、IOO-1Ob和IlO-1Oc可以包括用于形成電子傳輸層的沉積材料，并且公共層沉積組件100-11的沉積源110-lla、100-llb和IlO-1lc可以包括用于形成電子注入層的沉積材料。通過公共層沉積組件100-1、100-2、100-3、100-4、100-10和100-11形成的沉積層可以在不考慮子像素的情況下公共地形成。相應地，圖案化狹縫片，即具有一個圖案化狹縫的開口掩膜136，可以形成在公共層沉積組件100-1、100-2、100-3、100-4、100-10和100-11的沉積源上(例如，位于沉積源上或上方)。
[0256]圖案層沉積組件100-5、100-6、100-7、100-8和100-9中的每一個可以形成具有對應子像素的有機層62的圖案化層。亦即，圖案層沉積組件100-5的沉積源110-5a、110-5b和110-5C可以包括用于形成紅色子像素和綠色子像素的輔助層的沉積材料，圖案層沉積組件100-6的沉積源110-6a、110-6b和110_6c可以包括用于形成紅色子像素的輔助層的沉積材料，圖案層沉積組件100-7的沉積源110-7a、110-7b和110_7c可以包括用于形成紅色發(fā)射層的沉積材料，圖案層沉積組件100-8的沉積源110-8a、110-8b和110_8c可以包括用于形成綠色發(fā)射層的沉積材料，并且圖案層沉積組件100-9的沉積源110-9a、110-9b和110-9c可以包括用于形成藍色發(fā)射層的沉積材料。
[0257]具有圖案化狹縫131的圖案化狹縫片130可以位于圖案層沉積組件100-5、100-6、100-7,100-8和100-9的沉積源上方。
[0258]本發(fā)明不限于此，并且根據(jù)本發(fā)明另外實施例的有機層沉積設備可以包括兩個或更多沉積組件，并且沉積組件中的每一個可以包括一個或更多沉積源。另外，沉積源中包括的沉積材料可以根據(jù)裝置的結(jié)構(gòu)而改變。
[0259]圖14是校正狹縫片的示例的示意性俯視圖。當測量圖案化層的厚度時，校正狹縫片231、232、233、234和235替換每個圖案層沉積組件(例如，見圖13的100_5、100_6、100-7、100-8和100-9)的圖案化狹縫片(例如，見圖4的130)，以置于第二臺架上(例如，見圖4的160)。亦即，校正狹縫片231、232、233、234和235可以位于圖案層沉積組件(見圖13 的 100-5、100-6、100-7、100-8 和 100-9)的相應第二臺架 160 上。
[0260]校正狹縫片231、232、233、234和235中的每一個可以分別包括(或具有)多個校正狹縫 231a、232a、233a、234a 和 235a。校正狹縫 231a、232a、233a、234a 和 235a 中每一個的縱向方向可以平行于基板2的運送(或傳輸)方向，即第一方向A,并且校正狹縫231a、232a、233a、234a和235a的沿與第一方向A垂直的第二方向的位置彼此不同。亦即，校正狹縫231a、232a、233a、234a和235a可以形成為使得它們在與第一方向A垂直的第二方向上偏移。亦即，位于圖案層沉積組件100-5、100-6、100-7、100-8和100-9上的校正狹縫片231、232、233、234和235的校正狹縫231a、232a、233a、234a和235a的位置關于第一方向A彼此不同。相應地，當已經(jīng)穿過校正狹縫231a、232a、233a、234a和235a的沉積材料沉積到基板2上以形成圖案層時，形成的圖案層不重疊。
[0261]當測量圖案層的厚度時，在圖案層沉積組件100-5、100-6、100-7、100-8和100-9中，沉積源110-5a、110-6a、110-7a、110-8a和110_9a被操作，并且其它沉積源110_5b、110-5c、110-6b、110-7b、110-7c、110-8b、110-8c、110-9b 和 110_9c 的操作停止，或者閘板(圖14中未示出)被用于防止它們的沉積材料到達校正基板，并且在此狀態(tài)下，第一校正基板在第一方向A上被運送(例如，傳輸)，并且被操作的沉積源110-5a、110-6a、110_7a、110-8a和110-9a的沉積材料被允許沉積到第一校正基板上。當?shù)谝恍Ｕ逡呀?jīng)完全穿過沉積單元時，沉積源110-5b、110-6b、110-7b、110-8b和110_9b被操作，同時除沉積源110-5b、110-6b、110-7b、110-8b和110_9b之外的沉積源的沉積材料被防止到達第二校正基板，第二校正基板在第一方向A上被運送(或傳輸)，以允許從沉積源射出的沉積材料沉積到第二校正基板上。當?shù)诙Ｕ逡呀?jīng)完全穿過沉積單元時，沉積源110-5c、110-6c、110-7c、110-8c 和 110-9c 被操作，同時除沉積源 110_5c、110_6c、110_7c、110_8c 和 110_9c之外的沉積源的沉積材料被防止到達第三校正基板，第三校正基板在第一方向A上被運送(或傳輸)，以允許從沉積源射出的沉積材料沉積到第三校正基板上。
[0262]如上所述，當通過使用校正狹縫片231、232、233、234和235執(zhí)行沉積過程以測量圖案層的厚度時，用于測量圖案層的厚度的校正基板的數(shù)目可以與圖案層沉積組件中包括的沉積源的數(shù)目相同。例如，如圖7中所示，由于圖案層沉積組件100-5、100-6、100-7、100-8和100-9中的每一個包括三個沉積源，因此使用三個校正基板來測量沉積源110-5a、110-5b、110-5c、......、110-9a、110-9b 和 110_9c 的圖案層的厚度。
[0263]例如，使用校正狹縫片231、232、233、234和235使得能夠使用三個校正基板測量通過使用沉積源形成的圖案層的厚度。亦即，當不使用具有彼此偏移的校正狹縫231a、232a,233a,234a和235a的校正狹縫片231、232、233、234和235時，可能需要總共15個校
正基板，即與沉積源 110-5a、110-5b、110-5c、.......110_9a、110_9b、110_9c 的數(shù)目相同
數(shù)目的校正基板來測量通過使用沉積源形成的圖案層的厚度。然而，由于根據(jù)本發(fā)明實施例的校正狹縫片231、232、233、234和235包括彼此偏移的校正狹縫23la、232a、233a、234a和235a，因此，通過圖案層沉積組件100-5、100-6、100-7、100-8和100-9的沉積源形成的圖案層不重疊。相應地，當校正基板的數(shù)目與圖案層沉積組件100-5、100-6、100-7、100-8和100-9的沉積源的數(shù)目(圖13中所示實施例中為三個)相同時，通過圖案層沉積組件100-5、100-6、100-7、100-8和100-9的沉積源形成的圖案層的厚度可以被測量。通過這樣做，可以減少圖案層的厚度的測量和校正所需要的時間和成本。
[0264]在圖14中所示實施例中，校正狹縫231a、232a、233a、234a和235a的長度可以全都相同。
[0265]圖15是校正狹縫片的其它示例的示意性俯視圖。
[0266]校正板231b、232b、233b、234b和235b分別位于或置于校正狹縫片331、332、333、334和335的表面上，以至少阻擋從每個沉積源射出的沉積材料的一部分。
[0267]校正板231b、232b、233b、234b和235b被成形為使得校正板的高度(或?qū)挾?在靠近校正狹縫片331、332、333、334和335的各自中心的位置處最大，并且該高度(或?qū)挾?隨著校正板的相應部分接近各個校正狹縫片的邊緣而減小。換言之，每對校正板231b、232b、233b、234b和235b之間的間隙在靠近各個校正狹縫片331、332、333、334和335的中心部分的位置處最小，并且該對校正板之間的間隙隨著校正板231b、232b、233b、234b和235b的部分接近校正狹縫片331、332、333、334和335的各個端部而變得較寬。如圖15所示，校正板231b、232b、233b、234b和235b可以具有圓弧或余弦形狀。
[0268]具有這種形狀的校正板231b、232b、233b、234b和235b可能促使在校正狹縫片的中心處比在校正狹縫片的末端處的遮蔽沉積材料的量大。
[0269]根據(jù)本發(fā)明另一實施例，不是通過使用校正板23lb、232b、233b、234b和235b來阻擋沉積材料，而是可以將校正狹縫片的校正狹縫形成為具有不同長度來阻擋沉積材料。亦即，每個校正狹縫片的校正狹縫遠離校正狹縫片的中心可以具有更大的長度。
[0270]圖16是根據(jù)本發(fā)明實施例的各自包括沉積源的沉積組件的示意性透視圖。參照圖16，根據(jù)本發(fā)明實施例的有機層沉積設備可以包括11個沉積組件100-1至100-11。同樣，沉積組件100-1至100-11中的每一個可以包括三個沉積源。例如，沉積組件100-1包括三個沉積源I IO-1a至110-lc，并且沉積組件100-2可以包括三個沉積源110_2a至110_2c。
[0271]沉積組件100-1至100-4、100-10和100-11中的每一個可以形成圖26的有機層62中的公共層。換言之，沉積組件100-1的沉積源IlO-1a至110-lc可以包括用于形成空穴注入層的沉積材料，沉積組件100-2的沉積源110-2a至110-2C可以包括用于形成注入層的沉積材料，沉積組件100-3的沉積源110-3a至110-3C可以包括用于形成空穴傳輸層的沉積材料，并且沉積組件100-4的沉積源110-4a至110_4c可以包括用于形成空穴注入層的沉積材料。同樣，沉積組件100-10的沉積源IlO-1Oa至IlO-1Oc可以包括用于形成電子傳輸層的沉積材料，并且沉積組件100-11的沉積源IlO-1la至IlO-1lc可以包括用于形成電子注入層的沉積材料。通過沉積組件100-1、100-2、100-3、100-4、100-10和100-11中的某些形成的沉積層可以在不考慮子像素的情況下公共地形成。相應地，圖案化狹縫片，即包括一個圖案化狹縫的開口掩膜，可以設置在沉積組件100-1、100-2、100-3、100-4、100-10和100-11的沉積源上。
[0272]其它沉積組件100-5、100-6、100-7、100-8和100-9中的每一個可以根據(jù)有機層62中的子像素形成圖案化層。換言之，沉積組件100-5的沉積源110-5a至110_5c可以包括用于形成紅色子像素和綠色子像素的輔助層的沉積材料，沉積組件100-6的沉積源110-6a至110-6C可以包括用于形成紅色子像素的輔助層的沉積材料，沉積組件100-7的沉積源110-7a至110-7C可以包括用于形成紅色發(fā)射層的沉積材料，沉積組件100-8的沉積源I IO-Sa至I IO-Sc可以包括用于形成綠色發(fā)射層的沉積材料，并且沉積組件100-9的沉積源110-9a至110-9C可以包括用于形成藍色發(fā)射層的沉積材料。
[0273]包括多個圖案化狹縫131的圖案化狹縫片130可以位于沉積組件100_5、100_6、100-7、100-8和100-9的沉積源處。
[0274]然而，本發(fā)明不限于此，并且根據(jù)本發(fā)明實施例的有機層沉積設備可以包括兩個或更多沉積組件，并且沉積組件中的每一個可以包括一個或更多沉積源。同樣，根據(jù)裝置結(jié)構(gòu)，沉積源中可以包括沉積材料的各種類型中的任何合適的類型。
[0275]圖17和圖18是示出根據(jù)本發(fā)明實施例的改進的閘板的141-1至141-11的操作的示意性俯視圖。圖17是在改進的閘板141-1至141-11分別位于沉積組件100-1至100-11之前的俯視圖，并且圖18是改進的閘板141-1至141-11分別位于沉積組件100-1至100-11之后的俯視圖。
[0276]如圖18所示，改進的閘板141-1至141-11可以位于沉積源110與圖案化狹縫片130之間，并且可以分別包括被配置為允許沉積材料115朝圖案化狹縫片130穿過的開口142-1至142-11。開口 142-1至142-11可以在第一方向A上伸長。改進的閘板141-1至
141-11的開口 142-1至142-11在長度上平行于第一方向A，但具有不同的位置。換言之，開口 142-1至142-11可以被配置為沿與第一方向A垂直的方向(第二方向)彼此偏移。相應地，當穿過開口 142-1至142-11的沉積材料形成沉積在改進的基板2上的圖案層時，通過沉積組件100-1至100-11形成的圖案層彼此不重疊。由于在圖17和圖18中總共有11個沉積組件100-1至100-11，因此可以通過開口 142-1至142-11沿第二方向形成不重疊的圖案層。
[0277]—般而言，圖1的沉積單元100包括m個有機層沉積組件，并且m個有機層沉積組件中的每一個可以包括η個沉積源和一個改進的閘板。這里，m和η可以均為大于或等于2的自然數(shù)。
[0278]當測量有機層的厚度時，可以觸發(fā)第η-1個沉積源，并且改進的基板(例如其上待沉積有機層以進行厚度測量的基板)可以在第一方向上被轉(zhuǎn)移(或傳輸)，并且來自觸發(fā)的第η-1個沉積源的沉積材料可以沉積在改進的基板上，同時來自除第η-1個沉積源的其它沉積源的沉積材料被阻擋防止到達改進的基板。當改進的基板在沉積單元外時，觸發(fā)第η個沉積源，改進的基板在第一方向上被轉(zhuǎn)移，并且來自觸發(fā)的第η個沉積源的沉積材料可以沉積到改進的基板上，同時除第η個沉積源之外的的其它沉積源的沉積材料被阻擋防止到達改進的基板。參照圖17和圖18，可以使用改進的閘板141-1至141-11來測量在基板上形成的有機層的厚度。
[0279]例如，如圖17所示，在測量有機層的厚度之前，改進的閘板141-1至141-11位
于沉積源 110-la、110-lb、110-lc、.......110-lla、110-llb、110-llc 的一側(cè)處，并且如
圖18所示，在要測量厚度時，改進的閘板141-1至141-11布置在沉積源110-la、110-lb、110-lc、......、110-lla、110-llb、110-llc上。然后，可以隨著改進的基板2沿第一方向A移動而執(zhí)行沉積過程。當在改進的基板2上執(zhí)行沉積過程時，在轉(zhuǎn)移之前，觸發(fā)沉積源
110-la、110-lb、110-lc、.......110-lla、110-llb、110-llc 中距改進的基板 2 最近的沉積
源110-la、110-2a、110-1 Ia,并且沉積源110-la、110-2a、110-lla的沉積材料沉積到改進
的基板2上。這里,可以將除沉積源110-la、110_2a、......、110-1 Ia之外的沉積源110-lb、
110-lc、110-2b、110-2c、......、110-llb、110-llc停止被觸發(fā)或通過圖3的遮蔽構(gòu)件140
阻擋，使得其沉積材料不會到達改進的基板2。
[0280]在通過沉積源110-la、110_2a........110-lla全部執(zhí)行沉積過程后，觸發(fā)與沉
積源 110-la、110-2a、......、110-lla 相鄰的沉積源 110-lb、110_2b、.......110-llb,并
且其他沉積源 110-la、110-lc、110-2a、110-2c、......、110-lla、110-llc 停止被觸發(fā)或通
過遮蔽構(gòu)件140阻擋，使得其沉積材料不會到達改進的基板2。
[0281]當這樣執(zhí)行用于測量有機層的厚度的沉積過程時，使用與一個沉積組件中包括的沉積源的數(shù)目相等的數(shù)目的改進的基板2來測量有機層的厚度。例如，參照圖17和圖18，由于在沉積組件100-1至100-11中的每一個中包括三個沉積源，因此可以使用三個改進的
基板 2 來測量通過沉積源 110-la、110-lb、110-lc、......、110-lla、110-llb、110_llc 中的
每一個形成的有機層的厚度。
[0282]通過使用這些改進的閘板141-1至141-11，可以測量通過每個沉積源沉積在三個改進的基板2上的有機層的厚度。換言之，當不使用具有彼此偏移的開口 142-1至142-11
的改進的閘板141-1至141-11時，可能需要與沉積源110-la、110-lb、110-lc、.......HO-llaUlO-llbUlO-llc的數(shù)目相等數(shù)目的改進的基板2來測量通過每個沉積源形成的有機層的厚度。然而，由于改進的閘板141-1至141-11分別包括彼此偏移的開口 142-1至
142-11，因此通過沉積組件100-1至100-11的沉積源形成的有機層彼此不重疊。因此，可以通過使用與沉積組件100-1至100-11中的每一個包括的沉積源的數(shù)目相等數(shù)目的改進的基板2來測量通過沉積組件100-1至100-11的沉積源形成的有機層的厚度。相應地，可以減少用于測量和補償有機層的厚度所需的時間，并且可以減少用于測量和補償有機層的厚度的成本。
[0283]圖19是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機層沉積組件700的示意性透視圖，圖20是圖19的有機層沉積組件700的不意性側(cè)截面視圖，并且圖21是圖19的有機層沉積組件700的示意性俯視截面視圖。
[0284]參照圖19至圖21，根據(jù)本實施例的有機層沉積組件700包括沉積源710、沉積源噴嘴單元720、遮蔽組件(例如，障壁組件或障壁板組件)730和圖案化狹縫片750。
[0285]沉積源710包括填充有沉積材料715的坩堝711以及加熱坩堝711以使沉積材料715朝向沉積源噴嘴單元720蒸發(fā)的加熱器712。沉積源噴嘴單元720位于沉積源710的一側(cè)處。沉積源噴嘴單元720包括沿X軸方向布置的多個沉積源噴嘴721。
[0286]另外，遮蔽板組件730位于沉積源噴嘴單元720的一側(cè)處。遮蔽板組件730包括多個遮蔽板(例如，障壁板)731和位于遮蔽板731外側(cè)(例如，圍繞或環(huán)繞遮蔽板731)的遮蔽框架732。遮蔽板731可以沿X軸方向彼此平行布置。在這點上，遮蔽板731可以彼此等距。另外，遮蔽板731可以沿YZ平面延伸，如圖19中所示，并且可以是矩形的。遮蔽板731可以將沉積源噴嘴單元720與圖案化狹縫片750之間的空間劃分成(例如，限定成)多個沉積空間S。亦即，在根據(jù)本實施例的有機層沉積組件700中，如圖19中所示，由于遮蔽板731，通過其發(fā)射沉積材料的沉積源噴嘴721中的每一個具有一沉積空間S。如上所述，由于遮蔽板731將沉積源噴嘴單元720與圖案化狹縫片750之間的空間劃分成多個沉積空間S，因此從一個沉積源噴嘴721射出的沉積材料可不與從另一沉積源噴嘴721射出的沉積材料混合，并可以穿過圖案化狹縫片750的圖案化狹縫751，以沉積到附接到靜電卡盤600的基板2上。亦即，遮蔽板731可以防止通過各個沉積源噴嘴721射出(或放出)的沉積材料散落，并可以引導它們的移動路徑，即引導它們在Z軸方向上移動。
[0287]如上所述，遮蔽板731可以提供沉積材料的線性度，因此，可以減小(例如，顯著減少)基板2上形成的陰影的尺寸，并且相應地，能夠使有機層沉積組件700保持與基板2以一定距離(例如，一間隙)隔開。
[0288]在一個實施例中，圖案化狹縫片750可以位于沉積源710與基板2之間。圖案化狹縫片750可以進一步包括具有類似窗框形狀的框架755。圖案化狹縫片750包括在X軸方向上布置的圖案化狹縫751，在圖案化狹縫751之間具有區(qū)域或間隔件752。已在沉積源710中蒸發(fā)的沉積材料715穿過沉積源噴嘴單元720和圖案化狹縫片750，然后朝基板2移動。
[0289]圖22是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機層沉積組件800的示意性透視圖。
[0290]參照圖22，根據(jù)本實施例的有機層沉積組件800包括沉積源810、沉積源噴嘴單元820、第一遮蔽板組件(例如，第一障壁板組件)830、第二遮蔽板組件(例如，第二障壁板組件)840和圖案化狹縫片850。在這點上，沉積源810、第一遮蔽板組件830和圖案化狹縫片850的詳細結(jié)構(gòu)與參照圖19中所示實施例描述的基本相同，因此，這里不再呈現(xiàn)其描述。根據(jù)本實施例的有機層沉積組件800與根據(jù)前一實施例的有機層沉積組件700的不同之處在于，第二遮蔽板組件840位于第一遮蔽板組件830的一側(cè)處。
[0291]例如，第二遮蔽板組件840包括多個第二遮蔽板(例如，障壁板)841和位于第二遮蔽板841外側(cè)(例如，圍繞或環(huán)繞遮蔽板841)的第二遮蔽框架842。第二遮蔽板841可以沿X軸方向彼此平行布置。在這點上，第二遮蔽板841可以彼此等距。另外，各個第二遮蔽板841可以被形成為在圖22中平行于YZ平面(或布置在YZ平面中)，亦即，可以被形成在(例如，布置在或定向在)與X軸方向垂直的方向上。
[0292]如上所述布置的第一遮蔽板831和第二遮蔽板841可以劃分沉積源噴嘴單元820與圖案化狹縫片850之間的空間。亦即，由于第一遮蔽板831和第二遮蔽板841，沉積空間被劃分成分別與通過其射出沉積材料的沉積源噴嘴821對應的多個沉積空間。
[0293]在這點上，第二遮蔽板841可以分別對應于第一遮蔽板831定位。換言之，各個第二遮蔽板841與各個第一遮蔽板831對準，使得各個第二遮蔽板841平行于各個第一遮蔽板831。亦即，第一遮蔽板和與其對應的第二遮蔽板可以位于同一平面上。盡管在圖22中，第一遮蔽板831在X軸方向上的寬度(或厚度)看起來與第二遮蔽板841的X軸方向?qū)挾认嗤?，但本發(fā)明實施例不限于此。亦即，需要與圖案化狹縫851精細對準的第二遮蔽板841可以被形成為相對較薄，并且不需要與圖案化狹縫851精細對準的第一遮蔽板831可以被形成為相對較厚，使得第一遮蔽板831和第二遮蔽板841易于制造。區(qū)域或間隔件852在圖案化狹縫851之間。
[0294]圖23是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的有機層沉積組件900的示意性透視圖。
[0295]參照圖23，根據(jù)本實施例的有機層沉積組件900包括沉積源910、沉積源噴嘴單元920和圖案化狹縫片950。
[0296]沉積源910包括填充有沉積材料915的坩堝911以及加熱坩堝911以使沉積材料915朝向沉積源噴嘴單元920蒸發(fā)的加熱器912。沉積源噴嘴單元920位于沉積源910的一側(cè)處。沉積源噴嘴單元920包括沿Y軸方向布置的多個沉積源噴嘴921。在一個實施例中，圖案化狹縫片950和框架955可以進一步位于沉積源910與附接到靜電卡盤600的基板2之間，并且圖案化狹縫片950可以具有沿X軸方向布置的多個圖案化狹縫951和間隔件(或區(qū)域)952。沉積源910和沉積源噴嘴單元920可以通過連接構(gòu)件935連接至圖案化狹縫片950。
[0297]本實施例與前一實施例的不同之處在于沉積源噴嘴單元920中包括的沉積源噴嘴921的布置。以下詳細描述該不同。
[0298]沉積源噴嘴單元920位于沉積源910的一側(cè)處，例如位于沉積源910的朝向基板2的一側(cè)處。另外，沉積源噴嘴單元920包括沿Y軸方向(亦即，基板2的掃描方向)布置的沉積源噴嘴921。在這點上，沉積源噴嘴921可以彼此等距。已在沉積源910中蒸發(fā)的沉積材料915穿過沉積源噴嘴單元920，然后朝基板2移動。最后，在有機層沉積組件900中，沉積源噴嘴921沿基板2的掃描方向布置。在這點上，如果沉積源噴嘴921沿X軸方向布置，則沉積源噴嘴921中的每一個與圖案化狹縫951之間的間隔可能改變，并且在此情形下，可能由從位于距圖案化狹縫951相對較遠之處的沉積源噴嘴射出的沉積材料形成陰影。相應地，如在本實施例中沿X軸方向上僅形成一個沉積源噴嘴921可以對陰影形成的實質(zhì)減少有貢獻。此外，由于沉積源噴嘴921沿掃描方向布置，因此，即使在獨立的沉積源噴嘴之間出現(xiàn)流量差時，流量差也可以得到抵消，因此沉積均勻性可以維持恒定(或基本恒定)。
[0299]下文中更詳細描述使用根據(jù)本發(fā)明實施例的有機層沉積設備形成的有機層的結(jié)構(gòu)。
[0300]圖24是示出有機層沉積設備的圖案化狹縫片130的等距圖案化狹縫131的示意性視圖，并且圖25是通過使用圖24的圖案化狹縫片130形成的有機層的示意性視圖。
[0301]圖24和圖25示出其中的圖案化狹縫131彼此等距的圖案化狹縫片130。亦即，在圖24中，圖案化狹縫131滿足以下條件=I1=I2=I3=I415
[0302]在該實施例中，沿沉積空間S的中心線C放出的沉積材料的入射角基本垂直于基板2。因此，使用已穿過圖案化狹縫131a的沉積材料形成的有機層P1具有最小化的(或減小的)尺寸的陰影，并且右側(cè)陰影SR1和左側(cè)陰影SL1彼此對稱形成(或形成為彼此對稱)。
[0303]然而，穿過位于距沉積空間S的中心線C較遠之處的圖案化狹縫的沉積材料的臨界入射角Θ逐漸增大，因此，穿過最外側(cè)的圖案化狹縫131e的沉積材料的臨界入射角Θ為大約55°。相應地，沉積材料關于圖案化狹縫131e以一傾角入射，并且使用已經(jīng)穿過圖案化狹縫131e的沉積材料形成的有機層P5具有最大的陰影。例如，左側(cè)陰影SL5大于右側(cè)陰影SR5。
[0304]亦即，隨著沉積材料的臨界入射角Θ增大，陰影的尺寸也增大。例如，在距沉積空間S的中心線C越遠的位置處的陰影的尺寸增大。另外，沉積材料的臨界入射角Θ隨著沉積空間S的中心線C與各個圖案化狹縫之間的距離增大而增大。因此，使用穿過位于距沉積空間S的中心線C較遠之處的圖案化狹縫的沉積材料形成的有機層具有較大的陰影尺寸。例如，在各個有機層的兩側(cè)的陰影中，在距沉積空間S的中心線C較遠的位置處的陰影的尺寸比另一位置處的陰影的尺寸大。
[0305]亦即，參照圖25，在沉積空間S的中心線C的左側(cè)上形成的有機層具有其中左斜邊(左側(cè)頂邊和底邊之間的傾斜邊)大于右斜邊(右側(cè)頂邊和底邊之間的斜邊)的結(jié)構(gòu)，因此，在沉積空間S的中心線C的右側(cè)上形成的有機層具有其中右斜邊(例如，右傾斜邊)大于左斜邊(例如，左傾斜邊)的結(jié)構(gòu)。
[0306]同樣，在沉積空間S的中心線C的左側(cè)上形成的有機層中，左斜邊(例如，左傾斜邊)的長度朝左增大。在沉積空間S的中心線C的右側(cè)上形成的有機層中，右斜邊的長度(例如，右傾斜邊)朝右增大。結(jié)果，在沉積空間S中形成的有機層可以關于沉積空間S的中心線C彼此對稱形成。
[0307]現(xiàn)在將更詳細描述該結(jié)構(gòu)。
[0308]穿過圖案化狹 縫131b的沉積材料以臨界入射角Θ b穿過圖案化狹縫131b，并且使用已經(jīng)穿過圖案化狹縫131b的沉積材料形成的有機層P2具有左側(cè)陰影，該陰影具有SL2的尺寸。類似地，穿過圖案化狹縫131c的沉積材料以臨界入射角Θ。穿過圖案化狹縫131c，并且使用已經(jīng)穿過圖案化狹縫131c的沉積材料形成的有機層P3具有左側(cè)陰影，該陰影具有SL3的尺寸。類似地，穿過圖案化狹縫131d的沉積材料以臨界入射角0d穿過圖案化狹縫131d，并且使用已經(jīng)穿過圖案化狹縫131d的沉積材料形成的有機層P4具有左側(cè)陰影，該陰影具有SL4的尺寸。類似地，穿過圖案化狹縫131e的沉積材料以臨界入射角穿過圖案化狹縫131e，并且使用已經(jīng)穿過圖案化狹縫131e的沉積材料形成的有機層P5具有左側(cè)陰影，該陰影具有SL5的尺寸。
[0309]在這點上，臨界入射角滿足以下條件:Θ b〈 Θ?！?Θ d〈 Θ e，因此，有機層的陰影的尺寸也滿足以下條件AL^SLZSLySLZSLp
[0310]圖26是使用根據(jù)本發(fā)明實施例的有機層沉積設備制造的有源矩陣型有機發(fā)光顯示設備的示意性剖視圖。
[0311]參照圖26，根據(jù)本實施例的有源矩陣有機發(fā)光顯示設備10形成在基板2上?；?可以由例如玻璃、塑料或金屬的透明材料形成。例如緩沖層的絕緣層51形成在基板2的整個表面上。在其它實施例中，絕緣層51可以省略。
[0312]薄膜晶體管(TFT)和有機發(fā)光二極管(OLED)設置在絕緣層51上，如圖26所示。
[0313]半導體有源層52以設定或預定圖案形成在絕緣層51的上表面上。柵絕緣層53被形成為覆蓋半導體有源層52。半導體有源層52可以包括P型或η型半導體材料。
[0314]TFT的柵電極54形成在柵絕緣層53的與半導體有源層52相對應的區(qū)域中。層間絕緣層55形成為覆蓋柵電極54。在形成層間絕緣層55之后，通過例如干法刻蝕對層間絕緣層55和柵絕緣層53進行刻蝕，以形成分別暴露半導體有源層52的部分的接觸孔。
[0315]源/漏電極56和57形成在層間絕緣層55上，以通過各個接觸孔與半導體有源層52接觸。鈍化層58形成為覆蓋源/漏電極56和57，并且被刻蝕以暴露源/漏電極56和57之一的一部分。絕緣層59可以進一步形成在鈍化層58上，以便對鈍化層58進行平坦化。
[0316]另外，OLED通過根據(jù)電流發(fā)射紅色、綠色或藍色光來顯示圖像信息(例如，設定或預定的圖像信息)。OLED包括位于鈍化層58上的像素電極或第一電極61。第一電極61電連接至TFT的暴露的源/漏電極56和57。[0317]像素限定層60被形成為覆蓋第一電極61。開口形成在像素限定層60中，并且包括發(fā)射層(EML)的有機層62形成在開口所限定的區(qū)域中。對置電極或第二電極63形成在有機層62上。
[0318]限定各個像素的像素限定層60可由有機材料形成。像素限定層60還對基板2的形成有第一電極61的區(qū)域的表面，特別是絕緣層59的表面進行平坦化。
[0319]第一電極61和第二電極63彼此電絕緣,并且分別向有機層62施加相反極性的電壓，以誘導光發(fā)射。
[0320]包括EML的有機層62可以由低分子量的有機材料或聞分子量的有機材料形成。當使用低分子量的有機材料時，有機層62可以具有單層或包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、EML、電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)的多層結(jié)構(gòu)?？捎玫挠袡C材料的非限制示例可以包括銅鈦菁(CuPc)、N，N’ -二 (萘-1-基)-N，N’ - 二苯基聯(lián)苯胺(NPB)和8-羥基喹啉鋁(Alq3)。
[0321]包括EML的有機層62可以使用根據(jù)本發(fā)明實施例的有機層沉積設備(例如，見圖1的有機層沉積設備)形成。亦即，有機層沉積設備被設置為與其上要沉積沉積材料的基板以設定或預定距離隔開，其中有機層沉積設備包括:放出沉積材料的沉積源；位于沉積源的一側(cè)處的沉積源噴嘴單元，其中沉積源噴嘴單元包括形成在其中的多個沉積源噴嘴；以及面向沉積源噴嘴單元的圖案化狹縫片，其中圖案化狹縫片包括形成在其中的多個圖案化狹縫。然后，雖然有機層沉積設備(見圖1的I)或基板(見圖1的2)之一相對移動，但從有機層沉積設備(例如，見圖1的有機層沉積設備I)射出的沉積材料被沉積到基板(例如，見圖1的基板2)上。
[0322]在形成有機層62之后，第二電極63可以通過與形成有機層62相同(或基本相同)的沉積方法來形成。
[0323]第一電極61可以充當陽極，并且第二電極63可以充當陰極?？商娲兀谝浑姌O61可以充當陰極，并且第二電極63可以充當陽極。第一電極61可以被圖案化為與獨立的像素區(qū)域相對應，并且第二電極63可以被形成為覆蓋所有像素(例如，基本覆蓋基板的整個區(qū)域)。
[0324]第一電極61可以被形成為透明電極或反射電極。這樣的透明電極可以由氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)形成。這樣的反射電極可以通過由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物形成反射層并在反射層上形成ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0或In2O3的層而形成。第一電極61可以通過以例如濺射形成一層然后通過例如光刻對該層進行圖案化而形成。
[0325]第二電極63也可以被形成為透明電極或反射電極。當?shù)诙姌O63被形成為透明電極時，第二電極63可以用作陰極。為此，這樣的透明電極可以通過在有機層62的表面上沉積例如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或其化合物的具有低功函數(shù)的金屬，并且由ΙΤΟ、IZO、ZnO或In2O3等形成輔助電極層或公共電極線而形成。當?shù)诙姌O層63被形成為反射電極時，反射電極可以通過在有機層62的整個表面上沉積L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物而形成。第二電極63可以使用與以上所述的形成有機層62所使用的相同的沉積方法來形成。
[0326]可以應用以上描述的根據(jù)本發(fā)明實施例的有機層沉積設備來形成有機TFT的有機層或無機層以及由各種合適的材料形成各層。
[0327]根據(jù)本發(fā)明實施例，適于在大基板上批量生產(chǎn)設備中使用的有機層沉積設備使得能夠進行高精細圖案化，使得能夠以減少的時間的方式對有機層的厚度進行校正，導致有機層沉積設備的較高操作率，并且使得校正有機層的厚度的成本降低，以便減少有機發(fā)光顯示設備的制造成本，可以提供使用該有機層沉積設備制造有機發(fā)光顯示設備的方法以及使用該方法制造的有機發(fā)光顯示設備。
[0328]如上所述，本發(fā)明的一個或多個實施例提供:適于在大基板的批量生產(chǎn)中使用的有機層沉積設備，并且能夠高精細圖案化；使用該有機層沉積設備制造有機發(fā)光顯示設備的方法；以及使用該方法制造的有機發(fā)光顯示設備。盡管已示出和描述了本發(fā)明的某些實施例，但本領域普通技術(shù)人員應當理解，可以在不超出本發(fā)明的由權(quán)利要求及其等同物限定的范圍內(nèi)的原理和精神的情況下對這些實施例進行改變。
【權(quán)利要求】
1.一種通過使用用于在基板上形成有機層的有機層沉積設備制造有機發(fā)光顯示設備的方法，該方法包括: 在加載單元中將基板附接到轉(zhuǎn)移單元； 通過使用穿過腔室的第一運送單元，將附接有所述基板的所述轉(zhuǎn)移單元沿第一方向傳輸?shù)剿銮皇抑校? 在所述基板相對于多個有機層沉積組件移動時，沉積從所述多個有機層沉積組件放出的沉積材料，以在所述基板上形成有機層，所述多個有機層沉積組件位于所述腔室中并與所述基板隔開； 在卸載單元中將所述基板與所述轉(zhuǎn)移單元分離，在所述基板上已完成沉積；以及通過使用被安裝為穿過所述腔室的第二運送單元，將與所述基板分離的所述轉(zhuǎn)移單元傳輸?shù)剿黾虞d單元，其中 所述多個有機層沉積組件中的每一個包括: 多個沉積源，所述多個沉積源中的每一個被配置為放出多種沉積材料中的相應一種；以及 沉積源噴嘴單元，位于所述多個沉積源中的每一個的一側(cè)處并且包括一個或多個沉積源噴嘴， 所述多個有機層沉積組件包括用于形成公共層的多個公共層沉積組件和用于形成圖案層的多個圖案層沉積組件， 所述多個圖案層沉積組件中的每一個進一步包括校正狹縫片，所述校正狹縫片包括多個校正狹縫， 所述多個圖案層沉積組件的校正狹縫沿垂直于所述第一方向的第二方向關于彼此偏移，并且 所述基板與所述有機層沉積設備隔開，以便關于所述有機層沉積設備能相對移動，并且 從所述多個沉積源放出的沉積材料穿過相應的所述校正狹縫片，并以一圖案沉積在所述基板上。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述腔室容納所述多個有機層沉積組件，使用所述多個有機層沉積組件在所述基板上連續(xù)執(zhí)行沉積。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)移單元在所述第一運送單元與所述第二運送單元之間循環(huán)。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一運送單元與所述第二運送單元平行且一個在另一個之上地布置。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個有機層沉積組件的圖案化狹縫片在所述第一方向或與所述第一方向垂直的第二方向中至少之一上的長度小于所述基板的長度。
6.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述校正狹縫中的每一個在所述第一方向上延伸。
7.如權(quán)利要求1所述的方法，其中不同圖案層沉積組件中的校正狹縫片的校正狹縫的位置在所述第一方向上彼此不同。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述校正狹縫片的校正狹縫的長度隨著所述校正狹縫遠離所述校正狹縫片各自的中心而增大。
9.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述有機層沉積設備進一步包括: 校正板，位于所述校正狹縫片中的相應一個的一側(cè)處，并且至少遮蔽從沉積源放出的沉積材料的一部分。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中 所述校正板的寬度從所述校正狹縫片中的相應一個的中心向邊緣減小。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中所述校正板具有圓弧或余弦形狀。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述校正板在與所述校正狹縫片中的相應一個的中心對應的區(qū)域處的寬度比在所述校正板的邊緣處的寬度大。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其中所述校正板具有使沉積材料在所述校正狹縫片的中心比在所述校正狹縫片的邊緣更好地被遮蔽的形狀。
14.一種有機發(fā)光顯不設備,包括: 基板； 多個薄膜晶體管，位于所述基板上并且各自包括半導體有源層、與所述半導體有源層絕緣的柵電極以及各自接觸所述半導體有源層的源電極和漏電極； 分別位于所述多個薄膜晶體管上的多個像素電極； 分別位于所述多個像素電極上的多個有機層；以及 位于所述多個有機層上的對置電極， 其中位于所述基板上的所述多個有機層中的距沉積區(qū)域的中心較遠的至少一個有機層的頂邊與底邊之間的斜邊的長度，大于所述多個有機層中的被形成為距所述沉積區(qū)域的中心較近的其它有機層的斜邊的長度，并且 位于所述基板上的所述多個有機層中的所述至少一個有機層是使用權(quán)利要求1所述方法形成的線性圖案化的有機層。
15.一種通過使用用于在基板上形成有機層的有機層沉積設備制造有機發(fā)光顯示裝置的方法，該方法包括: 在加載單元中將所述基板附接到轉(zhuǎn)移單元； 通過使用穿過腔室的第一運送單元，將附接有所述基板的所述轉(zhuǎn)移單元傳輸?shù)剿銮皇抑? 當所述基板在所述腔室中與多個有機層沉積組件隔開且相對于多個有機層沉積組件移動時，通過將從所述多個有機層沉積組件放出的沉積材料沉積到所述基板上形成有機層； 在卸載單元中將所述基板與所述轉(zhuǎn)移單元分離，在所述基板上已完成沉積；以及通過使用穿過所述腔室的第二運送單元，將與所述基板分離的所述轉(zhuǎn)移單元傳輸?shù)剿黾虞d單元， 其中所述多個有機層沉積組件中的每一個包括: 多個沉積源，所述多個沉積源中的每一個被配置為放出沉積材料中的相應一種； 沉積源噴嘴單元，位于所述多個沉積源中的每一個的一側(cè)處并且包括一個或多個沉積源噴嘴； 圖案化狹縫片，面向所述沉積源噴嘴單元并且包括一個或多個圖案化狹縫；以及 改進的閘板，位于所述多個沉積源與所述圖案化狹縫片之間，并且具有開口，所述開口被配置為允許來自所述多個沉積源的沉積材料中的相應沉積材料穿過朝向所述圖案化狹縫片， 其中所述改進的閘板中的相鄰改進的閘板的開口沿與傳輸所述基板的第一方向垂直的第二方向彼此偏移，并且 從所述多個沉積源放出的沉積材料穿過所述圖案化狹縫片并以圖案沉積到所述基板上。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述腔室容納所述多個有機層沉積組件，并且其中通過使用所述多個有機層沉積組件中的每一個在所述基板上依次執(zhí)行沉積。
17.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)移單元在所述第一運送單元與所述第二運送單元之間移動。
18.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述第一運送單元與所述第二運送單元上下彼此平行布置。
19.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述有機層沉積組件的所述圖案化狹縫片被形成為在第一方向或與所述第一方向垂直的所述第二方向中至少之一上比所述基板小。
20.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述改進的閘板中每一個的開口在所述第一方向上伸長。
21.如權(quán)利要求15所述的方法，其中所述改進的閘板的開口的位置彼此不同。
22.如權(quán)利要求15所述的方法，其中，當測量多個有機層的厚度時，改進的基板被轉(zhuǎn)移通過所述有機層沉積設備，并且 所述改進的閘板位于所述多個沉積源與所述圖案化狹縫片之間，使得所述沉積材料通過穿過所述改進的閘板的開口沉積到所述改進的基板上。
23.如權(quán)利要求22所述的方法，其中沉積單元包括m個有機層沉積組件，所述m個有機層沉積組件中的每一個包括η個沉積源，并且所述m個有機層沉積組件中的每一個包括一個改進的閘板，其中m和η是自然數(shù)。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其中當測量所述多個有機層的厚度時，觸發(fā)第η-1個沉積源，并且在所述第一方向上轉(zhuǎn)移所述改進的基板，并且沉積材料從觸發(fā)的第η-1個沉積源沉積到所述改進的基板上，同時除所述第η-1個沉積源之外的沉積源的沉積材料被阻擋防止到達所述改進的基板，并且 當所述改進的基板在所述沉積單元外后，觸發(fā)第η個沉積源，在所述第一方向上轉(zhuǎn)移所述改進的基板，并且沉積材料從觸發(fā)的第η個沉積源沉積到所述改進的基板上，同時除第η個沉積源之外的沉積源的沉積材料被阻擋防止到達所述改進的基板。
25.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括: 基板； 至少一個薄膜晶體管，位于所述基板上并且包括半導體有源層、與所述半導體有源層絕緣的柵電極以及各自接觸所述半導體有源層的源電極和漏電極； 位于所述至少一個薄膜晶體管上的多個像素電極； 位于所述多個像素電極上的多個有機層；以及 位于所述多個有機層上的對置電極， 其中位于所述基板上的所述多個有機層中的距沉積區(qū)域的中心較遠的至少一個有機層的頂邊與底邊之間的斜邊的長度，大于所述多個有機層中的被形成為距所述沉積區(qū)域的中心較近的其它有機層的相應頂邊與底邊之間的斜邊的長度，并且 位于所述基板上的所述多個有機層的所述至少一個有機層是使用權(quán)利要求11所述方法形成的線性圖案化的有機層。
26.一種使用用于有機層沉積的設備在基板上形成有機材料層的方法，該方法包括: 通過被配置為穿過腔室的第一運送單元向通道內(nèi)傳輸轉(zhuǎn)移單元，所述基板被固定在所述轉(zhuǎn)移單元上； 在所述基板上形成有機層，當多個有機層沉積組件與所述基板隔開設定距離時，所述基板相對于所述多個有機層沉積組件移動，并且隨著所述多個有機層沉積組件發(fā)出的沉積材料沉積到所述基板上，有機材料層被形成；以及 通過被配置為穿過所述腔的第二運送單元，將與所述基板分開的所述轉(zhuǎn)移單元向回傳輸， 其中形成所述有機材料層包括這樣的操作:其中，當用于加工的基板在所述多個有機層沉積組件中被傳輸時，沉積材料通過第一加工閘板被沉積到加工基板上，其中一個或多個加工狹縫形成在所述第一加工閘板中。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其中，所述第一加工閘板被布置在所述多個有機層沉積組件中的每一個中，并且形成在所述第一加工閘板中的加工狹縫被形成為至少部分地彼此偏移。
28.如權(quán)利要求27所述的方法，其中所述第一加工閘板被布置在所述多個有機層沉積組件中的用于沉積公共層的有機層沉積組件中。
29.如權(quán)利要求26所述的方法，其中所述第一加工閘板被布置為僅在所述加工基板在所述多個有機層沉積組件中被傳輸時至少覆蓋所述基板的一部分。
30.如權(quán)利要求26所述的方法，進一步包括這樣的操作:其中在加載單元處，由所述第一運送單元傳輸所述轉(zhuǎn)移單元之前，所述基板被固定到所述轉(zhuǎn)移單元；以及 這樣的操作:其中在卸載單元處，由所述第二運送單元將所述轉(zhuǎn)移單元向回傳輸之前，將所述基板與所述轉(zhuǎn)移單元分離，在所述基板上已完成沉積。
31.如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述轉(zhuǎn)移單元在所述第一運送單元與所述第二運送單元之間來回移動。
32.如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述第一運送單元和所述第二運送單元在豎直方向上彼此相鄰布置。
33.如權(quán)利要求30所述的方法，其中所述多個有機層沉積組件中的每一個包括: 沉積源，該沉積源發(fā)出沉積材料； 布置在所述沉積源的一側(cè)處的沉積源噴嘴單元，所述沉積源噴嘴單元包括多個沉積源噴嘴；以及 布置為面對所述沉積源噴嘴單元的圖案化狹縫片，所述圖案化狹縫片包括布置在一方向上的多個圖案化狹縫， 其中由所述沉積源發(fā)出的沉積材料穿過所述圖案化狹縫片并被沉積，以在所述基板上形成圖案。
34.如權(quán)利要求33所述的方法，其中，在所述多個有機層沉積組件中的用于沉積圖案層的有機層沉積組件中，形成第二加工閘板，所述第二加工閘板布置在所述沉積源噴嘴單元與所述圖案化狹縫片之間以至少覆蓋所述基板的一部分，并包括在兩相對端處形成的加工狹縫。
35.如權(quán)利要求34所述的方法，其中所述第二加工閘板的加工狹縫的寬度大于所述圖案化狹縫片的圖案化狹縫的寬度。
36.如權(quán)利要求33所述的方法，其中所述有機層沉積組件的所述圖案化狹縫片被形成為在第一方向和與所述第一方向垂直的第二方向中至少任意之一上比所述基板小。
37.一種有機發(fā)光顯不設備,包括: 基板； 至少一個薄膜晶體管，位于所述基板上并且包括半導體有源層、與所述半導體有源層絕緣的柵電極以及各自接觸所述半導體有源層的源電極和漏電極； 位于所述至少一個薄膜晶體管上的多個像素電極； 位于所述多個像素電極上的多個有機層；以及 位于所述多個有機層上的對置電極， 其中形成在所述基板上的所述多個有機層中的距沉積區(qū)域的中心較遠的至少一個有機層的頂邊與底邊之間的斜邊的長度，大于所述多個有機層的距所述沉積區(qū)域的中心較近的其它有機層的相應頂邊與底邊之間的斜邊的長度，并且 其中，形成在所述基板上的所述多個有機層的所述至少一個有機層是使用權(quán)利要求19所述方法形成的線性圖案化的有機層。
【文檔編號】H01L51/56GK103545460SQ201310285678
【公開日】2014年1月29日 申請日期:2013年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月10日
【發(fā)明者】李秀奐, 成沄澈, 金彩雄, 崔永默 申請人:三星顯示有限公司