高速同軸光電探測組件的制作方法
【專利摘要】本實用新型提供了一種高速同軸光電探測組件，包括一TIA芯片（1）、一TO底座（4）、一PD芯片（2）以及一一體化濾波電容（3），TIA芯片（1）設(shè)于TO底座（4）上，PD芯片（2）設(shè)于一體化濾波電容（3）上，一體化濾波電容（3）安裝于TO底座（4）上，其中，一體化濾波電容（3）由至少二個電容（C1、C2）設(shè)置于同一基板上而形成，一體化濾波電容（3）既可以實現(xiàn)對多個電源進行濾波的功能，又可以使得對一體化濾波電容（3）的貼片改為一次貼片，從而提高了生產(chǎn)效率，而每個電容（C1、C2）的位置已固定，使用自動化焊線設(shè)備可保證焊線一致性，同時有效控制金絲寄生電感，從而保證高速同軸光電探測組件具有較高的靈敏度。
【專利說明】高速同軸光電探測組件
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種高速同軸光電探測組件，尤其涉及一種采用一體化濾波電容的高速同軸光電探測組件。
【背景技術(shù)】
[0002]目前常見的一種高速同軸光電探測組件，其內(nèi)部的光電探測元件主要包括:ro芯片、TIA芯片、濾波電容、TO底座等，而上述的各元件之間是通過導電膠粘和金絲鍵合的方式形成電氣連接。一般來說，高速同軸光電探測組件內(nèi)部需要多個獨立的電源為上述的不同芯片(如TiA、ro等)供電，而濾波電容的目的則是對上述的多個電源進行濾波。目前，業(yè)界中采用的方法是利用多個分立的電容(單層或者多層打線電容)對不同供電電源濾波。
[0003]而在高速同軸光電探測組件中，控制金絲鍵合引線線長，即控制金絲寄生電感對于提升整個高速同軸光電探測組件的靈敏度來說是極其重要的，而兩元件之間的距離決定了它們之間的引線長度。對于目前多個分立電容的設(shè)計，若采用手動貼片，就需要對不同電容進行多次定位和貼片，影響生產(chǎn)效率；若采用自動貼片，多個分立電容的貼片位置則取決于貼片設(shè)備的精度以及膠量的控制，故不能有效地控制金絲鍵合引線線長，即不能有效地控制金絲寄生電感，從而不能保證高速同軸光電探測組件具有較高的靈敏度。
[0004]因此有必要設(shè)計一種新型的高速同軸光電探測組件，以克服上述問題。
實用新型內(nèi)容
[0005]本實用新型的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷，提供了一種具有較高的靈敏度且可提高生產(chǎn)效率的高速同軸光電探測組件。
[0006]本實用新型是這樣實現(xiàn)的:
[0007]本實用新型提供一種高速同軸光電探測組件，包括一 TIA芯片(I)、一 TO底座(4)、一 PD芯片(2)以及——體化濾波電容(3)，所述TIA芯片(I)設(shè)于所述TO底座(4)上，所述ro芯片(2)設(shè)于所述一體化濾波電容(3)上，所述一體化濾波電容(3)安裝于所述TO底座(4)上，其中，所述一體化濾波電容(3)由至少二個電容(Cl、C2)設(shè)置于同一基板上而形成。
[0008]進一步地，所述TIA芯片(I)為裸片封裝形式。
[0009]進一步地，所述TO底座(4)為光通信行業(yè)廣泛使用的T0-46或T0-56底座。
[0010]進一步地，所述H)芯片(2)可以是平面結(jié)構(gòu)，也可以是臺面結(jié)構(gòu)。
[0011]進一步地,所述ro芯片(2)具有一光敏面(40)，所述光敏面(40)與所述TO底座(4)同心設(shè)置。
[0012]更進一步地，所述一體化濾波電容(3)可以是單層電容，也可以是多層電容。
[0013]本實用新型具有以下有益效果:
[0014]1、所述TIA芯片(I)設(shè)于所述TO底座(4)上，所述H)芯片(2)設(shè)于所述一體化濾波電容(3)上，所述一體化濾波電容(3)安裝于所述TO底座(4)上，其中，所述一體化濾波電容(3 )由至少二個電容(Cl、C2 )設(shè)置于同一基板上而形成，所述一體化濾波電容(3 )既可以實現(xiàn)對多個電源進行濾波的功能；又可以使得對所述一體化濾波電容(3)的貼片改為一次貼片，從而提聞了生廣效率；
[0015]2、所述一體化濾波電容(3)由至少二個電容(Cl、C2)設(shè)置于同一基板上而形成，每個電容(Cl、C2)的位置已固定，使用自動化焊線設(shè)備，可保證焊線一致性，同時有效控制金絲寄生電感，從而保證所述高速同軸光電探測組件具有較高的靈敏度。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖。
[0017]圖1為本實用新型實施例提供的高速同軸光電探測組件的內(nèi)部示意圖。
[0018]標號說明:
[0019]I——TIA芯片 2——PD芯片
[0020]3——一體化濾波電容(包括2個電容Cl和C2)
[0021]4——TO底座 30——TIA的Vcc Pad 40-----光敏面
[0022]21-----TIA Vcc Pad (30)到電容C2的鍵合金絲
[0023]22-----電容Cl到Vpd電源引腳的鍵合金絲
[0024]23-----電容C2到Vcc電源引腳的鍵合金絲。
【具體實施方式】
[0025]下面將結(jié)合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。
[0026]如圖1，本實用新型實施例提供一種高速同軸光電探測組件，其內(nèi)部的光電探測元件主要包括一 TIA芯片(I)、一 TO底座(4)、一 PD芯片(2)以及體化濾波電容(3)。所述TIA芯片(I)為裸片封裝形式，所述TIA芯片(I)裝設(shè)于所述TO底座(4)上。所述TO底座(4 )為光通信行業(yè)廣泛使用的T0-46或T0-56底座，所述H)芯片(2 )可以是平面結(jié)構(gòu)，也可以是臺面結(jié)構(gòu)，且所述H)芯片(2)具有一光敏面(40)，所述光敏面(40)與所述TO底座
(4)同心設(shè)置，即所述光敏面(40)與所述TO底座(4)的中心互相重合。
[0027]如圖1，所述H)芯片(2 )裝設(shè)于所述一體化濾波電容(3 )上，所述一體化濾波電容
(3)安裝于所述TO底座(4)上，其中，所述一體化濾波電容(3)由至少二個電容(Cl、C2)設(shè)置于同一基板上而形成，因此，所述一體化濾波電容(3)既可以實現(xiàn)對多個電源進行濾波的功能，又可以使得對所述一體化濾波電容(3)的貼片改為一次貼片，從而提高了生產(chǎn)效率；并且，每個電容(C1、C2)的位置已固定，使用自動化焊線設(shè)備，可保證焊線一致性，同時有效控制金絲寄生電感，從而保證所述高速同軸光電探測組件具有較高的靈敏度。 [0028]而所述一體化濾波電容(3)可以是單層電容，也可以是多層電容。所述一體化濾波電容(3)上的金絲鍵合方式采用自動化球焊或楔焊工藝。
[0029]如圖1，組裝時，按照如下步驟進行:
[0030]1、將所述TIA芯片(I)在TO底座(4)上進行定位和安裝，并完成其TIA的Vcc Pad
(30)的金絲鍵合。
[0031 ] 2、將所述H)芯片(2 )安裝在所述一體化濾波電容(3 )上，再將所述一體化濾波電容(3)安裝到所述TO底座(4)上，并使所述ro芯片(2)的所述光敏面(40)與所述TO底座
(4)同心設(shè)置，S卩完成多個濾波電容(Cl、C2)在TO底座(4)上的定位。
[0032]3、根據(jù)上述的定位位置，分別設(shè)計TIA Vcc Pad (30)到電容C2的鍵合金絲(21)、電容Cl到Vpd電源引腳的鍵合金絲(22)以及電容C2到Vcc電源引腳的鍵合金絲(23)的線長，再使用自動化焊線設(shè)備完成鍵合，因此可保證焊線一致性，同時有效控制金絲寄生電感，從而保證所述高速同軸光電探測組件具有較高的靈敏度。
[0033]4、完成所述高速同軸光電探測組件中其它引線的鍵合，即可完成所有的組裝過程。
[0034]以上所述僅為本實用新型的較佳實施例而已，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應(yīng)包含在本實用新型的保護范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種高速同軸光電探測組件，其特征在于，包括一 TIA芯片(I )、一 TO底座(4)、一 ro芯片(2)以及——體化濾波電容(3)，所述TIA芯片(I)設(shè)于所述TO底座(4)上，所述H)芯片(2)設(shè)于所述一體化濾波電容(3)上，所述一體化濾波電容(3)安裝于所述TO底座(4)上，其中，所述一體化濾波電容(3)由至少二個電容(Cl、C2)設(shè)置于同一基板上而形成。
2.如權(quán)利要求1所述的高速同軸光電探測組件，其特征在于:所述TIA芯片(I)為裸片封裝形式。
3.如權(quán)利要求1所述的高速同軸光電探測組件，其特征在于:所述TO底座(4)為光通信行業(yè)廣泛使用的T0-46或T0-56底座。
4.如權(quán)利要求1所述的高速同軸光電探測組件，其特征在于:所述H)芯片(2)可以是平面結(jié)構(gòu)，也可以是臺面結(jié)構(gòu)。
5.如權(quán)利要求1所述的高速同軸光電探測組件，其特征在于:所述ro芯片(2)具有一光敏面(40 )，所述光敏面(40 )與所述TO底座(4 )同心設(shè)置。
6.如權(quán)利要求1所述的高速同軸光電探測組件，其特征在于:所述一體化濾波電容(3)可以是單層電容，也可以是多層電容。
【文檔編號】H01L25/00GK203596347SQ201320696436
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2013年11月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月7日
【發(fā)明者】阮揚, 米全林 申請人:武漢電信器件有限公司