一種led封裝基板的制作方法
【專利摘要】本實(shí)用新型公開了一種LED封裝基板，包括基板、設(shè)置在基板上的線路層以及用于使封裝膠水固定在基板上的圍壩欄，所述線路層上包括用于封裝LED芯片的封裝單元矩陣，所述封裝單元矩陣的封裝單元上封裝的LED芯片與線路層連接，封裝在封裝單元矩陣同一列上的所有LED芯片通過線路層串聯(lián)在一起，所述封裝單元矩陣的多列封裝單元之間通過線路層并聯(lián)在一起，所述封裝單元矩陣的同一列封裝單元的相鄰的封裝單元之間的連接處設(shè)有通孔或盲孔。本實(shí)用新型減少了浪費(fèi)，提高了LED封裝基板的利用率，而且可以分多種方式進(jìn)行點(diǎn)亮測(cè)試，測(cè)試效率高且靈活性大，同時(shí)還提高了封裝膠水與LED封裝基板的結(jié)合力，可廣泛應(yīng)用于LED封裝領(lǐng)域中。
【專利說明】一種LED封裝基板
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及LED制造領(lǐng)域，特別是涉及一種LED封裝基板。
【背景技術(shù)】
[0002]LED由于其體積小、光效高及壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)得到了廣泛的應(yīng)用，目前LED封裝更是逐步往小尺寸高功率的方向發(fā)展。目前來說，LED行業(yè)內(nèi)常用膜造方式進(jìn)行LED封裝作業(yè)，不過這種方式會(huì)帶來熒光膠的浪費(fèi)，導(dǎo)致LED的封裝成本提高。還有，由于膜造方式的注膠口位置單一，注膠口附近及遠(yuǎn)離注膠口的位置存在熒光粉分布不均勻的現(xiàn)象。而且，對(duì)LED封裝產(chǎn)品進(jìn)行壓膜，容易造成金線壓塌的現(xiàn)象。
[0003]目前應(yīng)用于LED封裝的基板有很多種，平面型的LED封裝基板也逐漸被推廣，目前來說，平面LED封裝基板還存在以下缺陷:平面LED封裝基板由于采用模造或壓膜的方式，其膜具不能隨意改動(dòng)，因此只能整片作業(yè)，在進(jìn)行樣品制作或者熒光膠配方調(diào)試時(shí)，即使只需要一片LED封裝基板上的小部分也必須對(duì)整片基板進(jìn)行封裝，導(dǎo)致產(chǎn)生大量的浪費(fèi)現(xiàn)象；同時(shí)，平面LED封裝基板由于需要固晶焊或共晶焊，對(duì)基板平整度要求較高，故必須提高基板的平整度，但是這樣會(huì)反過來降低膠材與基板的結(jié)合力；最后，目前的平面LED封裝基板中，LED器件之間都是單顆獨(dú)立的，只能單顆亮點(diǎn)進(jìn)行檢測(cè)，測(cè)試效率低。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0004]為了解決上述的技術(shù)問題，本實(shí)用新型的目的是提供一種LED封裝基板。
[0005]本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:
[0006]一種LED封裝基板，包括基板、設(shè)置在基板上的線路層以及用于使封裝膠水固定在基板上的圍壩欄，所述線路層上包括用于封裝LED芯片的封裝單元矩陣，所述封裝單元矩陣的封裝單元上封裝的LED芯片與線路層連接，封裝在封裝單元矩陣同一列上的所有LED芯片通過線路層串聯(lián)在一起，所述封裝單元矩陣的多列封裝單元之間通過線路層并聯(lián)在一起，所述封裝單元矩陣的同一列封裝單元的相鄰的封裝單元之間的連接處設(shè)有通孔或盲孔。
[0007]進(jìn)一步，所述圍壩欄包括多個(gè)用于將基板劃分為多個(gè)區(qū)域的圍欄。
[0008]進(jìn)一步，所述基板背部設(shè)有焊盤層，所述通孔內(nèi)壁設(shè)有第一導(dǎo)電層，所述線路層通過第一導(dǎo)電層與焊盤層連接。
[0009]進(jìn)一步，所述基板背部設(shè)有焊盤層，所述盲孔內(nèi)壁設(shè)有第二導(dǎo)電層且所述基板上還設(shè)有將線路層與焊盤層連接的導(dǎo)電孔。
[0010]進(jìn)一步，所述線路層上設(shè)有多個(gè)凹槽。
[0011]進(jìn)一步，所述基板的材料為氮化鋁、三氧化二鋁、鋁碳化硅、硅或碳化硅，所述線路
層直接設(shè)置在基板上。
[0012]進(jìn)一步，所述基板的材料為金屬、石墨或EMC材料，所述基板與線路層之間還設(shè)有絕緣層，所述絕緣層通過壓合BT板及燒結(jié)陶瓷構(gòu)成。[0013]本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型的一種LED封裝基板，包括基板、設(shè)置在基板上的線路層以及用于使封裝膠水固定在基板上的圍壩欄，線路層上包括用于封裝LED芯片的封裝單元矩陣，本實(shí)用新型可通過調(diào)整圍壩欄的位置及大小，在LED封裝基板上分割出任意大小的封裝區(qū)域，用于進(jìn)行樣品制作等，減少了浪費(fèi)，提高了 LED封裝基板的利用率；而且不僅可以對(duì)單個(gè)封裝單元進(jìn)行點(diǎn)亮測(cè)試，也可以直接LED封裝基板上的封裝單元矩陣進(jìn)行點(diǎn)亮測(cè)試，或者對(duì)單列封裝單元進(jìn)行點(diǎn)亮測(cè)試等，可采取多種方式進(jìn)行點(diǎn)亮測(cè)試，測(cè)試效率高且靈活性大；
[0014]而且通過在線路層上設(shè)有多個(gè)凹槽，可以提高封裝膠水與LED封裝基板的結(jié)合力。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0015]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。
[0016]圖1是本實(shí)用新型的一種LED封裝基板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0017]圖2是本實(shí)用新型的實(shí)施例一的封裝單元的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0018]圖3是本實(shí)用新型的實(shí)施例一的封裝單元的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0019]圖4是本實(shí)用新型的實(shí)施例一的LED封裝基板的圍壩欄的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0020]圖5是本實(shí)用新型的實(shí)施例一的LED封裝基板的圍壩欄的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0021]圖6是本實(shí)用新型的實(shí)施例一的LED封裝基板的整體結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖7是本實(shí)用新型的實(shí)施例一的封裝單元的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖8是本實(shí)用新型的實(shí)施例二的封裝單元的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖9是本實(shí)用新型的實(shí)施例三的封裝單元的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0025]參照?qǐng)D1，本實(shí)用新型提供了一種LED封裝基板，包括基板1、設(shè)置在基板I上的線路層3以及用于使封裝膠水4固定在基板I上的圍壩欄2，所述線路層3上包括用于封裝LED芯片5的封裝單元矩陣，所述封裝單元矩陣的封裝單元上封裝的LED芯片5與線路層3連接，封裝在封裝單元矩陣同一列上的所有LED芯片5通過線路層3串聯(lián)在一起，所述封裝單元矩陣的多列封裝單元之間通過線路層3并聯(lián)在一起，所述封裝單元矩陣的同一列封裝單元的相鄰的封裝單元之間的連接處設(shè)有通孔12或盲孔13。
[0026]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述圍壩欄2包括多個(gè)用于將基板I劃分為多個(gè)區(qū)域的圍欄21。
[0027]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述基板I背部設(shè)有焊盤層，所述通孔12內(nèi)壁設(shè)有第一導(dǎo)電層31-1，所述線路層3通過第一導(dǎo)電層31-1與焊盤層連接。
[0028]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述基板I背部設(shè)有焊盤層，所述盲孔13內(nèi)壁設(shè)有第二導(dǎo)電層31-2且所述基板I上還設(shè)有將線路層3與焊盤層連接的導(dǎo)電孔14。
[0029]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述線路層3上設(shè)有多個(gè)凹槽32。
[0030]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述基板I的材料為氮化鋁、三氧化二鋁、鋁碳化硅、硅或碳化硅，所述線路層3直接設(shè)置在基板I上。
[0031]進(jìn)一步作為優(yōu)選的實(shí)施方式，所述基板I的材料為金屬、石墨或EMC材料，所述基板I與線路層3之間還設(shè)有絕緣層，所述絕緣層通過壓合BT板及燒結(jié)陶瓷構(gòu)成。
[0032]下面結(jié)合【具體實(shí)施方式】對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步說明。
[0033]實(shí)施例一
[0034]參照?qǐng)D1?圖7所示，一種LED封裝基板，包括基板1、設(shè)置在基板I上的線路層3以及用于使封裝膠水4固定在基板I上的圍壩欄2，線路層3上包括用于封裝LED芯片5的封裝單元矩陣，封裝單元矩陣的封裝單元上封裝的LED芯片5與線路層3連接，封裝在封裝單元矩陣同一列上的所有LED芯片5通過線路層3串聯(lián)在一起，封裝單元矩陣的多列封裝單元之間通過線路層3并聯(lián)在一起，封裝單元矩陣的同一列封裝單元的相鄰的封裝單元之間的連接處設(shè)有通孔12或盲孔13。
[0035]參照?qǐng)D2及圖3所示，基板I背部設(shè)有焊盤層，通孔12內(nèi)壁設(shè)有第一導(dǎo)電層31_1，線路層3通過第一導(dǎo)電層31-1與焊盤層連接，因此可將每個(gè)封裝單元的正極及負(fù)極直接與焊盤層相連接，無需設(shè)置導(dǎo)電填充孔。圖2中采用的是正裝型LED芯片5，LED芯片5的正負(fù)極通過金線6與線路層3連接。本實(shí)施例可直接對(duì)單個(gè)封裝單元旁邊的兩個(gè)通孔12施加直流電源，從而點(diǎn)亮單個(gè)封裝單元，通孔12內(nèi)壁設(shè)有第一導(dǎo)電層31-1，該第一導(dǎo)電層31-1將線路層3與焊盤層連接可進(jìn)行點(diǎn)亮測(cè)試。
[0036]基板I的材料可以是絕緣材料也可以是導(dǎo)電材料，當(dāng)基板I采用氮化鋁、三氧化二鋁、鋁碳化硅、硅或碳化硅等絕緣材料時(shí)，線路層3直接設(shè)置在基板I上，當(dāng)基板I的材料為金屬、石墨或EMC材料等導(dǎo)電材料時(shí)，基板I與線路層3之間還設(shè)有絕緣層，絕緣層通過壓合BT板及燒結(jié)陶瓷構(gòu)成。
[0037]圍壩欄2用于使封裝膠水4固定在基板I上，在基板I上設(shè)置圍壩欄2后，再注入封裝膠水4，封裝膠水4將在圍壩欄2圍成的封裝區(qū)域內(nèi)成型，而且可以較為均勻地鋪在LED封裝基板上，使得封裝膠水4中的熒光粉分布均勻。圍壩欄2的形狀可以任意設(shè)定，從而在本實(shí)施例的LED封裝基板上分割出任意大小的封裝區(qū)域，可用于制作樣品或者調(diào)試熒光膠的配方。
[0038]本實(shí)施例中，圍壩欄2包括多個(gè)用于將基板I劃分為多個(gè)區(qū)域的圍欄21，可進(jìn)行樣品制作或配比試做等。參照?qǐng)D4及圖5所示，圖中圍欄21是圍壩欄2的一種實(shí)現(xiàn)方式，通過圍欄21將LED封裝基板的封裝區(qū)域劃分為多組，在進(jìn)行調(diào)試熒光膠配方的試驗(yàn)時(shí)，可以對(duì)LED封裝基板進(jìn)行切割后，獲得如圖3所示的一部分，然后在圖3的圍欄21的區(qū)域內(nèi)進(jìn)行點(diǎn)膠作業(yè)，注入封裝膠水41，避免了造成整片基板及其它物料的浪費(fèi)。
[0039]參照?qǐng)D2、圖6及圖7所示，線路層3上還設(shè)有正極區(qū)33和負(fù)極區(qū)34，封裝單元矩陣的每個(gè)封裝單元均設(shè)有正極跟負(fù)極，因?yàn)榉庋b單元矩陣是設(shè)在線路層3上，因此每個(gè)封裝單元的正極跟負(fù)極也是線路層3的一部分。參照?qǐng)D2，本實(shí)施例的LED封裝基板用于封裝正裝型LED芯片5，每個(gè)封裝單元可劃分為正極、負(fù)極及焊盤3個(gè)區(qū)域，正極區(qū)域通過金線6與LED芯片5的正極連接，負(fù)極區(qū)域通過金線6與LED芯片5的負(fù)極連接，焊盤區(qū)域用于固定LED芯片5。同一列的多個(gè)封裝單元中，第一個(gè)封裝單元的正極跟線路層3的正極區(qū)33相連，其負(fù)極跟第二個(gè)封裝單元的正極相連，第二個(gè)封裝單元的負(fù)極跟第三個(gè)封裝單元的正極相連，以此類推，最后一個(gè)封裝單元的負(fù)極跟線路層3的負(fù)極區(qū)34相連，即同一列封裝單元串聯(lián)在一起，故封裝在同一列封裝單元上的LED芯片5通過線路層3串聯(lián)在一起。而且每列封裝單元的第一個(gè)封裝單元的正極均跟線路層3的正極區(qū)33相連且最后一個(gè)封裝單元的負(fù)極均跟線路層3的負(fù)極區(qū)34相連，因此，多列封裝單元之間是并聯(lián)關(guān)系。因此，只要選擇合適的直流電源，即可對(duì)同一列封裝單元兩端的兩個(gè)通孔12施加直流電源進(jìn)行單列封裝單元的點(diǎn)亮測(cè)試，或者對(duì)正極區(qū)33和負(fù)極區(qū)34施加直流電源進(jìn)行整個(gè)封裝單元矩陣的點(diǎn)亮測(cè)試。
[0040]參照?qǐng)D7可知，線路層3上設(shè)有多個(gè)凹槽32，通過設(shè)置凹槽32可增加LED封裝基板與封裝膠水4的結(jié)合力。本實(shí)施例中，增加線路層3的厚度使得其更加適合共晶焊，而因?yàn)榘疾?2的存在，并不會(huì)降低LED封裝基板與封裝膠水4的結(jié)合力。
[0041]優(yōu)選的，如圖7所示，本實(shí)施例的LED封裝基板的封裝單元矩陣的同一列封裝單元的相鄰的封裝單元之間的連接處選擇設(shè)置盲孔13而不采用通孔12，基板I背部設(shè)有焊盤層，所述盲孔13內(nèi)壁設(shè)有第二導(dǎo)電層31-2且所述基板I上還設(shè)有將線路層3與焊盤層連接的導(dǎo)電孔14。因此可直接對(duì)單個(gè)封裝單元旁邊的兩個(gè)盲孔13施加直流電源，從而點(diǎn)亮單個(gè)封裝單元。這樣可以避免在切割中出現(xiàn)金線毛刺現(xiàn)象，或者可以避免在焊接過程中，錫膏沿通孔12爬上LED封裝基板表面，而且可方便進(jìn)行點(diǎn)亮測(cè)試。
[0042]實(shí)施例二
[0043]本實(shí)施例與實(shí)施例1基本類似，區(qū)別在于本實(shí)施例的LED封裝基板用于封裝垂直型LED芯片5，參照?qǐng)D8所示，每個(gè)封裝單元可劃分為正極、負(fù)極及焊盤3個(gè)區(qū)域，焊盤區(qū)域用于固定LED芯片5，因?yàn)長(zhǎng)ED芯片5的正極在底部，因此，焊盤區(qū)域?qū)嶋H也跟LED芯片5的正極相連，因此通過金線6與正極區(qū)域連接，負(fù)極區(qū)域通過金線6與LED芯片5的負(fù)極連接。
[0044]實(shí)施例三
[0045]本實(shí)施例與實(shí)施例1基本類似，區(qū)別在于本實(shí)施例的LED封裝基板用于封裝共晶型LED芯片5，參照?qǐng)D9所示，每個(gè)封裝單元可劃分為正極及負(fù)極2個(gè)區(qū)域，LED芯片5的正極直接與正極區(qū)域共晶連接，LED芯片5的負(fù)極直接與負(fù)極區(qū)域共晶連接。
[0046]以上是對(duì)本實(shí)用新型的較佳實(shí)施進(jìn)行了具體說明，但本發(fā)明創(chuàng)造并不限于實(shí)施例，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員在不違背本實(shí)用新型精神的前提下還可做出種種的等同變形或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請(qǐng)權(quán)利要求所限定的范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種LED封裝基板，其特征在于，包括基板(I)、設(shè)置在基板(I)上的線路層(3)以及用于使封裝膠水(4 )固定在基板(I)上的圍壩欄(2 )，所述線路層(3 )上包括用于封裝LED芯片(5)的封裝單元矩陣，所述封裝單元矩陣的封裝單元上封裝的LED芯片(5)與線路層(3)連接，封裝在封裝單元矩陣同一列上的所有LED芯片(5)通過線路層(3)串聯(lián)在一起，所述封裝單元矩陣的多列封裝單元之間通過線路層(3)并聯(lián)在一起，所述封裝單元矩陣的同一列封裝單元的相鄰的封裝單元之間的連接處設(shè)有通孔(12)或盲孔(13)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED封裝基板，其特征在于，所述圍壩欄(2)包括多個(gè)用于將基板(I)劃分為多個(gè)區(qū)域的圍欄(21)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED封裝基板，其特征在于，所述基板(I)背部設(shè)有焊盤層，所述通孔(12)內(nèi)壁設(shè)有第一導(dǎo)電層(31-1)，所述線路層(3)通過第一導(dǎo)電層(31-1)與焊盤層連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED封裝基板，其特征在于，所述基板(I)背部設(shè)有焊盤層，所述盲孔(13)內(nèi)壁設(shè)有第二導(dǎo)電層(31-2 )且所述基板(I)上還設(shè)有將線路層(3 )與焊盤層連接的導(dǎo)電孔(14)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED封裝基板，其特征在于，所述線路層(3)上設(shè)有多個(gè)凹槽(32)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED封裝基板，其特征在于，所述基板(I)的材料為氮化鋁、三氧化二鋁、鋁碳化硅、硅或碳化硅，所述線路層(3 )直接設(shè)置在基板(I)上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種LED封裝基板，其特征在于，所述基板(I)的材料為金屬、石墨或EMC材料，所述基板(I)與線路層(3)之間還設(shè)有絕緣層，所述絕緣層通過壓合BT板及燒結(jié)陶瓷構(gòu)成。
【文檔編號(hào)】H01L33/48GK203659924SQ201320892985
【公開日】2014年6月18日 申請(qǐng)日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】李坤錐, 尹鍵, 熊毅 申請(qǐng)人:廣州市鴻利光電股份有限公司