在無芯襯底中具有嵌入式rf管芯的系統(tǒng)級封裝的制作方法
【專利摘要】描述了一種電子組件及其制造方法。一種組件包括：無芯襯底，所述無芯襯底包括多個電介質(zhì)層和導(dǎo)電通路，所述無芯襯底包括第一側(cè)以及與第一側(cè)相對的第二側(cè)。所述組件包括被嵌入到無芯襯底的第一管芯，所述第一管芯包括RF管芯，所述第一管芯位于延伸到無芯襯底的第一側(cè)的電介質(zhì)層中。所述組件包括位于第一側(cè)上的第二管芯，第二管芯位于第一管芯上。另一方面，模制材料可以位于管芯側(cè)，其中第一管芯和第二管芯由模制材料所覆蓋。另一方面，電屏蔽層可以位于第一側(cè)之上。描述并且要求保護其它實施例。
【專利說明】在無芯襯底中具有嵌入式RF管芯的系統(tǒng)級封裝
【背景技術(shù)】
[0001] 隨著電子器件被制造得越來越小以及無線通信需求的增加，包括位于封裝襯底上 的射頻管芯（RF管芯）的傳統(tǒng)組件的厚度使得低輪廓小形狀因素無線通信器件的形成難以 實現(xiàn)。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0002] 通過示例并且參考附圖來描述實施例，所述附圖并非按比例繪制。
[0003] 圖1示出了根據(jù)某些實施例包括多層襯底的組件，所述多層襯底包括嵌入式RF管 -I-H 4、_』、〇
[0004] 圖2示出了根據(jù)某些實施例包括多層襯底的組件，所述多層襯底包括嵌入式RF管 芯和另一嵌入式管芯。
[0005] 圖3示出了根據(jù)某些實施例包括多層襯底的組件，所述多層襯底包括嵌入式RF管 芯以及襯底表面上的倒裝芯片管芯。
[0006] 圖4示出了根據(jù)某些實施例包括嵌入式RF管芯和倒裝芯片管芯的組件，其中倒裝 芯片管芯和襯底的表面之間有間隙。
[0007] 圖5是用于形成根據(jù)實施例包括多層襯底的組件的操作流程圖，所述多層襯底包 括嵌入式RF管芯。
[0008] 圖6示出了能夠應(yīng)用實施例的電子系統(tǒng)設(shè)備。
【具體實施方式】
[0009] 下面將參考附圖，其中為相同的結(jié)構(gòu)提供相同的附圖標記。為了最清楚地示出各 實施例中的結(jié)構(gòu)，本文中的附圖包括電子設(shè)備和各個元件的圖示。因此，所制造的結(jié)構(gòu)的實 際外觀可能顯得不同，但是仍然并入所示出的實施例所要求保護的結(jié)構(gòu)中。此外，附圖可能 僅僅示出了用于理解所示出的實施例的必要結(jié)構(gòu)。為了保持附圖的清楚，沒有包括現(xiàn)有技 術(shù)中已知的其它結(jié)構(gòu)。
[0010] RF(射頻）封裝組件形成為包括位于襯底上的一個或多個RF管芯結(jié)構(gòu)連同其它部 件，包括但不限于功率放大器、開關(guān)以及其它器件。
[0011] 某些實施例涉及的組件結(jié)構(gòu)包括嵌入襯底中的RF管芯以及位于RF管芯上的部 件。某些實施例還涉及多個嵌入式RF管芯結(jié)構(gòu)和多個部件的使用。其它實施例還涉及用 于制造包括嵌入式RF管芯結(jié)構(gòu)的組件結(jié)構(gòu)的方法。
[0012]圖1是包括組件2的實施例的截面圖，所述組件2包括襯底10。如圖所示的襯底 10是無芯的，并且包括第一側(cè)I2和第二側(cè)14。如圖1的實施例所示，第一側(cè)12可以被稱 為器件安裝側(cè)，因為電氣部件（包括但不限于，放大器、開關(guān)、處理器）可以位于所述器件安 裝側(cè)上。第二側(cè)14可以被稱為焊盤側(cè)，并且包括多個互連焊盤16，在互連焊盤16上可以制 造與諸如板（在圖1中未示出）的其它器件的電氣連接。襯底10包括多個層，所述多個層 包括電介質(zhì)層18、20、22、24、26。層26可以是阻焊劑層。襯底10還包括在襯底10內(nèi)形成 用于傳輸電信號的導(dǎo)電通路。圖1示出了在電介質(zhì)層W中并且延伸進入電介質(zhì)層20內(nèi)的 導(dǎo)電通路的示例，所述導(dǎo)電通路包括經(jīng)構(gòu)圖的金屬層28以及延伸到用作引線鍵合的焊盤 的焊盤金屬區(qū)域38、40的導(dǎo)電過孔30、32、34、36。如圖1所示的金屬路徑布設(shè)是一種示例 性布設(shè)，并且可以對其做出各種修改。為簡單起見，沒有示出通過大部分電介質(zhì)層的金屬通 路。在圖1的實施例中，可以使用無焊內(nèi)建層（BBUL)技術(shù)來形成襯底10,其中電介質(zhì)層和 金屬層被沉積和層壓以形成無芯無焊內(nèi)建層（BBUL-C)封裝。
[0013] 如圖1的實施例所示，RF管芯44嵌入到襯底10的上部電介質(zhì)層18中。RF管芯 44可以包括位于其背側(cè)的金屬化層52。所述金屬化層可以是單個金屬層或可以是金屬層 的疊置體。通過連接46、48在RF管芯44的有源側(cè)制作往返于RF管芯44的電氣連接。為 簡單起見，僅示出了兩個連接46、48。管芯附著膜54例如由聚合物形成，位于金屬化層52 上，其中金屬化層52位于RF管芯44和管芯附著膜54之間。
[0014] 諸如管芯56的另一部件可以位于襯底上10的RF管芯44上的管芯附著膜54上。 在某些實施例中，管芯56可以包括通過引線鍵合 58、6〇在焊盤區(qū)域38、40被引線鍵合到襯 底10的第二RF管芯。管芯56還可以包括金屬化層62和管芯附著膜64,其中金屬化層62 位于管芯附著層Μ和管芯 56之間，并且管芯附著膜Μ耦合到RF管芯44上的管芯附著膜 54。應(yīng)當理解的是，根據(jù)具體使用的管芯結(jié)構(gòu)和/或部件，在某些實施例中，可以修改或省 略一個或多個管芯附著層54、M和金屬化層52、62。還應(yīng)當理解的是，在圖1中示出的各個 層不一定按比例繪制，不必是均勻厚度，并且可以與所示的實施例不同。
[0015] 如圖1中所示的，RF管芯44嵌入到襯底10中，并且管芯56位于RF管芯44上， 通過金屬化層 52、62和附著膜層54、64與RF管芯44分隔開。當從上面觀察時，圖1的放 大部分示出了各層之間的關(guān)系，其中附著膜層 54和64是彼此接觸的。可以形成諸如聚合 物的模制層66以覆蓋襯底表面，所述襯底表面包括管芯56以及耦合到焊盤區(qū)域38、40的 引線鍵合58和60。適當?shù)墓残纹帘渭?8也可以形成在模制層66的側(cè)面和頂部，以屏蔽電 磁（EM)噪音。為了使得組件的高度最小化，可以通過互連焊盤16使用柵格陣列（LGA)制 造到板的連接。其它的互連配置，包括還可以使用球柵陣列（BGA)，但不限于此。在某些實 施例中，RF管芯44可以包括基帶和介質(zhì)訪問控制電路（BB-MAC)。此外，在某些實施例中， 部件 56可以選自包括但不限于另一 RF管芯或模擬管芯元件的結(jié)構(gòu)。
[0016] 通過形成諸如圖1中所示的包括封裝結(jié)構(gòu)的組件，在某些實施例中可以提供一個 或多個以下優(yōu)點。第一，通過將RF管芯44嵌入到襯底10,與具有RF管芯沒有被嵌入到襯 底中的封裝相比，可以減小封裝的高度。第二，通過嵌入RF管芯44,可以減小信號長度。第 三，圖1中所示的設(shè)計還提供RF管芯44的原位屏蔽。第四，如圖1中所示，通過將管芯 56 設(shè)置在RF管芯44上，例如，與具有不同配置的管芯結(jié)構(gòu)的封裝相比，可以減小襯底1〇的寬 度，并且可以減小互連長度。
[0017]圖2示出了根據(jù)某些實施例包括襯底110的組件1〇2的截面圖。襯底 110是無 芯的，并且包括第一側(cè)112和第二側(cè)114。襯底110包括第一側(cè)112,第一側(cè)112包括設(shè)置 于其上的電氣部件（包括但不限于放大器、開關(guān)、處理器）。第二側(cè)114包括多個互連焊盤 II6,在其上可以制造到諸如板（未在圖2中示出）的其它器件的電氣連接。襯底u〇可以 包括多個層，所述多個層包括電介質(zhì)層118、120、1 22、124、126。層126可以是阻焊劑層。電 介質(zhì)層的厚度無需是均勻的。襯底110包括形成為用于傳輸電信號的導(dǎo)電通路。圖2示出 了在電介質(zhì)層118中并且延伸到電介質(zhì)層120的導(dǎo)電通路的示例，其包括電介質(zhì)層126內(nèi) 的經(jīng)構(gòu)圖的金屬層128,以及接觸金屬層128的導(dǎo)電過孔131、132、133、134、135和136,以 及用作引線鍵合區(qū)的焊盤區(qū)138、139、140和141。如圖2所示的導(dǎo)電通路是一種示例性布 設(shè)，并且可以對其做出各種修改。為了簡單起見，導(dǎo)電通路（包括例如，經(jīng)構(gòu)圖的金屬層、過 孔，以及諸如如上所述的其它金屬區(qū)）可以延伸通過沒有示出的其它電介質(zhì)層?？梢允褂?無焊內(nèi)建層（BBUL)技術(shù)來形成襯底110,以形成無芯無焊內(nèi)建層（BBUL-C)封裝。襯底110 可以包括模制層166和位于其上的共形屏蔽件168。
[0018] 在某些實施例中，多個管芯結(jié)構(gòu)可以嵌入到襯底中。如圖2的實施例所示，RF管芯 144和管芯145嵌入到襯底110的上部電介質(zhì)層118中。在一個實施例中，RF管芯144包 括射頻集成電路（RFIC)，所述射頻集成電路包括基帶和介質(zhì)訪問控制電路（BB-MAC)。在一 個實施例中，管芯145可以是集成無源器件（IH))，例如，包括為功率放大器提供RF匹配和 頻率調(diào)整功能的電路?？梢栽赗F管芯144上設(shè)置金屬化層152和管芯附著膜154,可以在 管芯145上設(shè)置管芯附著膜155。通過連接146U48在如圖2所示的實施例中的有源側(cè)制 造往返于RF管芯144的電氣連接。為簡單起見，示出了兩個連接146、148,盡管實施例可包 括更多數(shù)量的連接。管芯附著膜154可以被設(shè)置在金屬化層152上，使得金屬化層152被 設(shè)置在RF管芯144和管芯附著膜154之間。
[0019] 諸如管芯156的部件可以是，例如RF功率放大器管芯，并且可以位于在襯底110 上被嵌入到襯底中的RF管芯144上的管芯附著膜154上。在某些實施例中，管芯156可以 通過引線鍵合158、160而在焊盤區(qū)138、140被引線鍵合到襯底110。如在圖2中的左側(cè)放 大部分所示，管芯156還可以包括金屬化層162和管芯附著膜164,其中管芯附著膜164耦 合到RF管芯144上的管芯附著膜154。
[0020] 如在圖2中的右側(cè)放大部分所示，諸如管芯157的部件可以是，例如RF開關(guān)管芯， 并且可以位于在襯底110上被嵌入到襯底110中的管芯145上的管芯附著膜155上。在 某些實施例中，管芯157可以通過引線鍵合159、161在焊盤區(qū)139、141被引線鍵合到襯底 110。諸如RF開關(guān)管芯的管芯157還可以包括金屬化層163和管芯附著膜165,其中金屬化 層163位于管芯附著膜165和管芯157之間，并且管芯附著膜165耦合到RF管芯144上的 管芯附著膜155。
[0021] 根據(jù)如圖2所示的實施例的組件可以包括嵌入到多層襯底的器件附著側(cè)中或位 于多層襯底的器件附著側(cè)上的各種RF部件。這種組件在某些實施例中能夠形成完整的RF 收發(fā)器封裝。
[0022] 圖3示出了根據(jù)某些實施例包括襯底210的組件202的截面圖，所述襯底210包括 位于嵌入式RF管芯244上的倒裝芯片管芯256。襯底210是無芯的，并且包括第一側(cè) 212 和第二側(cè)214。第一側(cè)212可以包括位于其上的電氣部件（包括但不限于放大器、開關(guān)、處 理器）。第二側(cè)214包括多個互連焊盤216,在其上可以制造連接到諸如板的另一器件的電 氣連接。襯底210包括多個層，所述多個層包括電介質(zhì)層218、220、222、224、226。層226可 以是阻焊劑層。襯底210還包括形成為用于在襯底210中傳輸電信號的導(dǎo)電通路。圖3示 出了在電介質(zhì)層218中并且延伸進入電介質(zhì)層220內(nèi)的導(dǎo)電通路的示例，其包括經(jīng)構(gòu)圖的 金屬層228和延伸到焊盤金屬區(qū)238、240的導(dǎo)電過孔230、232、234、236。如圖3所示的金 屬路徑布設(shè)是一種示例性布設(shè)，并且可以對其做出各種修改。為簡單起見，沒有示出在其它 電介質(zhì)層內(nèi)的金屬通路。可以使用無焊內(nèi)建層（BBUL)技術(shù)來形成襯底210,其中金屬和電 介質(zhì)層被沉積和層疊以形成無芯無焊內(nèi)建層（BBUL-C)封裝。襯底210包括模制層2明以 及位于其上的共形屏蔽件268。
[0023] 在圖3所示的實施例中，倒裝芯片管芯256位于嵌入到上部電介質(zhì)層218的RF管 芯244上的附著膜254上。RF管芯244可以包括位于其背側(cè)表面上的金屬化層 252。可以 通過電連接246、248在RF管芯的有源側(cè)制造到RF管芯244的電氣連接。倒裝芯片管芯 256可以通過例如到焊盤區(qū)238、240的電氣連接241、243而電耦合到RF管芯244。可以使 焊盤區(qū)238、240凹陷，以最小化組件的垂直高度。如圖3中所示，凹陷區(qū)251、253被形成在 第一側(cè)212上的電介質(zhì)層226中，并且電氣連接241、243延伸穿過倒裝芯片管芯256和焊 盤區(qū)238、240之間的凹陷區(qū)251、253。根據(jù)凹陷區(qū)251、253的尺寸和精確配置，在某些實施 例中，管芯結(jié)構(gòu)可以至少部分位于凹陷區(qū)中，并且至少部分被嵌入到襯底210中。
[0024] 圖4示出了根據(jù)某些實施例中，在某些方面類似于圖3的組件302的截面圖，所述 組件302包括襯底310以及位于嵌入式RF管芯344上的倒裝芯片管芯356。襯底310是無 芯的，并且包括第一側(cè)312以及第二側(cè)314,第一側(cè)312可以包括位于其上的電氣部件（包 括但不限于放大器、開關(guān)、處理器），第二側(cè)314包括多個互連焊盤316,在其上可以制造到 諸如板的另一器件的電氣連接。襯底310包括多個層，所述多個層包括電介質(zhì)層318、320、 322、324、326。層326可以是阻焊劑層。襯底310還包括形成為用于在襯底310內(nèi)傳輸電信 號的導(dǎo)電通路。圖4示出了在電介質(zhì)層318中并且延伸進入電介質(zhì)層320內(nèi)的導(dǎo)電通路的 示例，其包括經(jīng)構(gòu)圖的金屬層328和延伸到焊盤金屬區(qū)338、340的導(dǎo)電過孔330、332、334、 336。如圖4所示的金屬路徑布設(shè)是一種示例性布設(shè)，并且可以對其做出各種修改。為簡單 起見，沒有示出在大部分電介質(zhì)層中的金屬通路。可以使用無焊內(nèi)建層（BBUL)技術(shù)來形成 襯底310,其中金屬和電介質(zhì)層被沉積和層疊以形成無芯無焊內(nèi)建層（BBUL-C)封裝。襯底 310可以包括模制層366以及位于其上的共性屏蔽件368。
[0025] 在圖4所示的實施例中，倒裝芯片管芯356電耦合到嵌入到上部電介質(zhì)層318中 的RF管芯344。RF管芯344可以包括金屬化層352以及在其背側(cè)表面上的管芯附著膜354。 可以通過耦合到經(jīng)構(gòu)圖的金屬層328的電氣連接346、348在管芯的有源側(cè)制造到RF管芯 344的電氣連接。倒裝芯片管芯356可以通過例如到焊盤區(qū)338、340的電氣連接341、343 而電耦合到RF管芯344。焊盤區(qū)338、340延伸到襯底310側(cè)面312的表面。在倒裝芯片 管芯356上還存在其它層，但為簡單起見而沒有示出。倒裝芯片管芯356被設(shè)置為在管芯 356和襯底310的一側(cè)314的表面之間具有間隙359。這種間隙359用作使得倒裝芯片管 芯356和RF管芯344之間的電氣千擾最小化?？梢酝ㄟ^電氣連接341、343的高度來控制 倒裝芯片管芯356和襯底310的一側(cè)314的表面之間的間隙359的大小。
[0026] 圖5示出了根據(jù)某些實施例用于形成包括嵌入式RF管芯的組件的操作流程圖。 方框401是在襯底的管芯側(cè)，在襯底電介質(zhì)層中嵌入至少一個RF管芯?？梢允褂萌魏魏线m 的處理操作，包括但不限于BBUL-C處理。在BBUL-C工藝中，RF管芯可以被設(shè)置在表面上， 然后圍繞RF管芯構(gòu)建電介質(zhì)層。在某些實施例中，然后形成穿過電介質(zhì)層的接觸開口，并 且利用金屬填充開口以形成用于連接到RF管芯的電氣通路。方框403是在包含RF管芯的 電介質(zhì)層之上形成其它電介質(zhì)和金屬層。在BBUL工藝中，這種層被層疊到結(jié)構(gòu)（具有形成 的適當電氣通路）上以產(chǎn)生多層襯底。方框405是在多層襯底上形成連接焊盤，以用于將 襯底附著到印刷電路板（PCB)。方框407是在器件附著側(cè)（在形成的連接焊盤的相對側(cè)） 上設(shè)置其它的管芯，其中設(shè)置其它的管芯以使得所述其它的管芯的至少一部分直接位于嵌 入式管芯之上。這種布設(shè)用于使得嵌入式管芯和其它的管芯之間的電氣連接距離最小化。 方框409是在器件附著側(cè)在其它的管芯和嵌入式管芯之上設(shè)置模制層和屏蔽件，以提供保 護和電屏蔽。應(yīng)當理解的是，對結(jié)合圖4描述的上述操作，可以在各個實施例范圍以內(nèi)進行 各種增加、減少、和/或修改。例如，在方框407中，其它的管芯可以是封裝襯底組件的一部 分，其大小可以被設(shè)計為適合在附著側(cè)上的嵌入式RF管芯之上。此外，某些實施例可能涉 及圖4中指定的操作的子集，并且獨立于圖4中指定的其它操作。
[0027] 本發(fā)明描述的實施例可以提供一個或多個如下優(yōu)點。第一，RF管芯和一個或多個 其它的管芯結(jié)構(gòu)的嵌入式結(jié)構(gòu)使封裝結(jié)構(gòu)具有更小的高度（z-方向），某些實施例包括含 有模制層的襯底具有小于1mm的總高度。第二，通過在嵌入式管芯上堆疊部件，封裝襯底 可以具有更小的橫向尺寸（x-y方向）。在某些實施例中，這種配置使得橫向尺寸可以減小 5〇 %。第三，通過在彼此頂部上設(shè)置RF管芯，可以制造更短和可靠的連接，從而使得RF損 失最小化并且改善RF性能。第四，根據(jù)位于襯底中或位于襯底上的部件的類型，可以在單 個封裝襯底組件中實現(xiàn)多種技術(shù)的多種集成。第五，RF收發(fā)器可以被定制在單個封裝襯底 上。此外，諸如圖1-4中形成在一個或多個管芯結(jié)構(gòu)上的金屬化層可以用作使得電氣干擾 最小化。
[0028] 包括形成在上述實施例中的結(jié)構(gòu)的組件可以在各種電子部件中找到應(yīng)用。圖6示 意性示出了電子系統(tǒng)組件的示例，其中可以體現(xiàn)描述的實施例的各個方面。其它實施例不 需要包括圖6中指定的所有特征，并且可以包括圖6中沒有指定的替代特征。
[0029] 圖6的組件502可以包括在襯底510中的至少一個嵌入式RF管芯544。RF管芯 544可以電耦合到設(shè)置在RF管芯上的其它的管芯556。如圖6中所示，其它的管芯556的 一部分被切除以示出RF管芯544 (虛線表示，以指示它是被嵌入到襯底510中）。RF管芯 544和位于其上的其它的管芯556可以被配置為如上述某些實施例中所示，例如，包括圖1、 3和4中示出的那些。盡管在圖6中示出的僅僅是一個嵌入式RF管芯和一個其它的管芯， 但是實施例中可以包括在襯底上的多個嵌入式管芯和多個其它的管芯（RF管芯或其它類 型的管芯結(jié)構(gòu)），例如，如結(jié)合圖2中所描述的。通過在封裝襯底中或封裝襯底上設(shè)置各種 部件（例如，CPU、，放大器等等），可以減小系統(tǒng)的大小。
[0030] 襯底510可以耦合到印刷電路板588。組件502可以進一步包括其它部件，包括但 不限于存儲器590以及一個或多個控制器592a、592b……592η，這些存儲器和控制器都分 散在板588上。板588可以是單層或具有多個導(dǎo)電線的多層板，其提供封裝襯底510中的 電路與安裝到板588上的其它部件之間的通信。在某些實施例中，板588可以包括諸如子 卡或擴展卡的卡。某些部件還可以被座入到插頭中或直接連接到板。各種部件還可以被集 成到同一封裝中。還可以包括顯示器594。
[0031] 在存儲器59〇中，可以執(zhí)行和保留任何適當?shù)牟僮飨到y(tǒng)和各種應(yīng)用。保留在存儲 器59〇中的內(nèi)容可以按照已知的緩存技術(shù)進行緩存。存儲器590中的程序和數(shù)據(jù)可以被交 換到存儲器件596作為存儲器管理操作的一部分。系統(tǒng)組件502可以包括任何合適的計算 器件，包括但不限于主機、服務(wù)器、個人電腦、工作站、筆記本電腦、掌上電腦、上網(wǎng)本、超級 本、干板電腦、電子書、手持式游戲設(shè)備、手持式娛樂設(shè)備（例如，MP3 (動態(tài)影像專家壓縮標 準音頻層面3)播放器）、PDA(個人數(shù)字助理）、智能手機或其它電話設(shè)備（無線或有線）， 網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用設(shè)備、虛擬化設(shè)備、存儲控制器、網(wǎng)絡(luò)控制器、路由器等等。
[0032] 控制器592a、592b……592η包括一個或多個系統(tǒng)控制器、外設(shè)控制器、存儲控制 器、集線控制器、I/O(輸入/輸出）總線控制器、視頻控制器、網(wǎng)絡(luò)控制器、存儲器件控制器、 通信控制器等等。例如，存儲控制器可以根據(jù)存儲協(xié)議層來控制從存儲器件596讀取數(shù)據(jù) 以及向其寫入數(shù)據(jù)。存儲協(xié)議層可以是任何數(shù)量的已知的存儲協(xié)議。寫入到存儲器件596 或從存儲器件596讀取的數(shù)據(jù)可以通過已知的緩存技術(shù)進行緩存。網(wǎng)絡(luò)控制器可以包括一 個或多個協(xié)議層，以通過網(wǎng)絡(luò)59S發(fā)送網(wǎng)絡(luò)數(shù)據(jù)包到遠程設(shè)備和接收來自遠程設(shè)備的網(wǎng)絡(luò) 數(shù)據(jù)包。網(wǎng)絡(luò)598可以包括局域網(wǎng)（LAN)、因特網(wǎng)、廣域網(wǎng)（WAN)、存儲區(qū)域網(wǎng)絡(luò)（SAN)等等。 實施例可以被配置成通過無線網(wǎng)絡(luò)或連接來傳輸和接收數(shù)據(jù)。在某些實施例中，網(wǎng)絡(luò)控制 器和各種協(xié)議層可以采用通過非屏蔽雙絞線電纜的以太協(xié)議、令牌環(huán)協(xié)議、光纖通道協(xié)議 等等，或任何其它合適的網(wǎng)絡(luò)通信協(xié)議。
[0033] 應(yīng)當意識到，可以在本文所描述的實施例的范圍內(nèi)作出各種修改。本文中使用的 術(shù)語管芯是指通過各種工藝操作以轉(zhuǎn)換成期望的電子器件的工件。管芯通常是從晶圓分割 的單片，可以是由半導(dǎo)體、非半導(dǎo)體或半導(dǎo)體和非半導(dǎo)體材料的結(jié)合制作的。諸如"第一"、 "第二"以及類似的術(shù)語如果本文中使用，并不必然表示特定的順序、數(shù)量或重要性，僅僅是 用于區(qū)分不同要素。諸如"頂部"、"底部"、"上部"、"下部"、"之上"、"之下"以及類似的術(shù)語 是為了描述的目的，并且用于提供相對的位置，而不應(yīng)被理解為限制。實施例可以被制造、 使用和包括在各種位置和取向內(nèi)。
[0034] 在上述詳細描述中，出于簡化公開的目的，各種特征被組合在一起。本公開的這種 方法并不應(yīng)解釋為反映意圖，即在每個權(quán)利要求中，所要求保護的本發(fā)明的實施例要求比 明確記載的特征更多的特征。相反地，如以下權(quán)利要求所反映的，發(fā)明的主題可以少于單個 公開實施例的所有特征。因此，以下權(quán)利要求由此被結(jié)合到詳細說明中，每個權(quán)利要求自身 作為單獨的優(yōu)選實施例。
[0035] 雖然已經(jīng)描述某些示例性實施例，并且將其示出在附圖中，但是應(yīng)當理解的是，這 種實施例僅僅是說明性的，而非限制性的，并且實施例不限于示出和描述的特定構(gòu)造和布 置，因為本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對其進行相應(yīng)的修改。
【權(quán)利要求】
1. 一種組件，包括： 無芯襯底，所述無芯襯底包括多個電介質(zhì)層和導(dǎo)電通路，所述無芯襯底包括第一側(cè)以 及與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)； 第一管芯，所述第一管芯被嵌入在所述無芯襯底中，所述第一管芯包括RF管芯，所述 第一管芯位于延伸到所述無芯襯底的所述第一側(cè)的電介質(zhì)層中；以及 桌一管心，所述弟-管心位于桌一側(cè)上，所述第二管芯位于所述第~管芯上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，還包括： 模制材料，所述模制材料位于管芯側(cè)上，其中所述第一管芯和所述第二管芯由所述模 制材料覆蓋；以及 電屏蔽層，所述電屏蔽層位于所述第一側(cè)之上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，還包括： 第三管芯，所述第三管芯被嵌入在所述無芯襯底中，所述第三管芯與所述第一管芯位 于相同的電介質(zhì)層中；以及 第四管芯，所述第四管芯位于所述無芯襯底的所述第一側(cè)上的所述第三管芯上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，還包括在所述無芯襯底的焊盤側(cè)上的多個互連焊盤； 以及印刷電路板，其中所述無芯襯底通過所述互連焊盤電耦合到所述印刷電路板。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述第一管芯包括有源側(cè)和背側(cè)，所述第一管芯 的所述有源側(cè)位于所述第一管芯的所述背側(cè)和所述無芯襯底的所述第二側(cè)之間。
6·根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，還包括將所述第二管芯電耦合到所述無芯襯底的引線 鍵合。
7·根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述第二管芯包括功率放大器，并且其中所述第 二管芯電耦合到所述第一管芯。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述第二管芯包括有源側(cè)和背側(cè)，并且其中所述 第二管芯的背側(cè)面向所述第一管芯的背側(cè)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述第二管芯的至少一部分直接位于所述第一管 芯之上。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，其中所述第二管芯包括有源側(cè)和背側(cè)，并且其中所述 第二管芯的有源側(cè)面向所述第一管芯的背側(cè)。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的組件，還包括所述第二管芯與所述無芯襯底的背側(cè)之間的 間隙。
12. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的組件，所述第一管芯包括在其背側(cè)上的金屬化層。
13. -種組件，包括： 無芯襯底，所述無芯襯底包括第一側(cè)和第二側(cè)； 第一管芯，所述第一管芯被嵌入在所述無芯襯底中的電介質(zhì)層中，所述第一管芯包括 RF管芯； 第二管芯，所述第二管芯位于所述無芯襯底的所述第一側(cè)上并且電耦合到所述第一管 芯； 其中所述第一管芯通過多個電介質(zhì)層與所述第二側(cè)分隔開；并且 其中所述第二管芯與所述第一管芯對準，使得當從上方觀察時，所述第二管芯覆蓋所 述第一管芯的至少一部分。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的組件，還包括： 模制材料，所述模制材料位于所述第一側(cè)上，其中所述第一管芯和所述第二管芯由所 述模制材料覆蓋；以及 電屏蔽結(jié)構(gòu)，所述電屏蔽結(jié)構(gòu)在所述第一側(cè)上耦合到所述模制材料。
15. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的組件， 所述第一管芯包括金屬化層以及位于其上的管芯附著膜；并且 所述第二管芯包括金屬化層以及位于其上的管芯附著膜； 其中所述第二管芯的管芯附著膜被設(shè)置成與所述第一管芯的管芯附著膜接觸。
16. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的組件，其中所述第一管芯位于延伸到所述無芯襯底的所述 第一側(cè)的電介質(zhì)層中。
17. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的組件，還包括：被嵌入在所述電介質(zhì)層中的第三管芯；以及 位于所述無芯襯底的管芯附著側(cè)上的第四管芯。
18. -種方法，包括： 在無芯襯底的電介質(zhì)層中嵌入包括RF管芯的第一管芯，所述無芯襯底包括第一側(cè)以 及與所述第一側(cè)相對的第二側(cè)，所述第一管芯位于延伸到所述第一側(cè)的電介質(zhì)層中； 在所述無芯襯底的所述第一側(cè)上設(shè)置第二管芯，所述第二管芯位于所述第一管芯之 上； 在所述襯底的所述第一側(cè)上形成模制層，所述模制層覆蓋所述第一管芯和所述第二管 芯；以及 提供耦合到管芯側(cè)的所述模制層的電屏蔽層。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括：將第三管芯與所述第一管芯嵌入在相同的 電介質(zhì)層中；在所述無芯襯底的所述第一側(cè)上設(shè)置第四管芯，所述第四管芯位于所述第三 管芯上。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括：設(shè)置所述第一管芯和所述第二管芯，使得所 述第一管芯的有源側(cè)面向所述無芯襯底的所述第二側(cè)并且所述第一管芯的背側(cè)面向所述 第二管芯。
21. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括：設(shè)置所述第二管芯，使得所述第二管芯的背 側(cè)面向所述第一管芯的背側(cè)。
22. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括：設(shè)置所述第二管芯，使得所述第二管芯的有 源側(cè)面向所述第一管芯的背側(cè)。
23. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，還包括：在所述第一側(cè)上形成凹陷區(qū)，其中在所述凹 陷區(qū)中制造從所述第二管芯到所述無芯襯底的多個電連接。
24. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述第二管芯與所述無芯襯底的所述第一側(cè)間 隔開。
【文檔編號】H01L23/64GK104221146SQ201380004447
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2013年6月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月29日
【發(fā)明者】V·K·奈爾, J·S·居澤爾, J·M·斯旺 申請人:英特爾公司