透明導(dǎo)電元件及其制造方法、輸入裝置、電子設(shè)備以及透明導(dǎo)電層的加工方法
【專利摘要】容易大面積地形成微小圖案的透明導(dǎo)電元件，具備：具有表面的基體材料，以及在表面平面地交替設(shè)置的透明導(dǎo)電部及透明絕緣部。在透明導(dǎo)電部及透明絕緣部的至少一個，重復(fù)具有隨機圖案的至少1種單位區(qū)段。
【專利說明】透明導(dǎo)電元件及其制造方法、輸入裝置、電子設(shè)備以及透明 導(dǎo)電層的加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本技術(shù)涉及透明導(dǎo)電元件及其制造方法、輸入裝置、電子設(shè)備以及透明導(dǎo)電層的 加工方法。詳細(xì)而言，涉及透明導(dǎo)電部及透明絕緣部在基體材料表面平面地交替設(shè)置的透 明導(dǎo)電元件。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，靜電電容式的觸摸面板搭載于便攜電話和便攜音樂終端等的移動設(shè)備的 情況不斷增加。靜電電容式的觸摸面板中，使用在基體材料膜表面設(shè)有被構(gòu)圖的透明導(dǎo)電 層的透明導(dǎo)電膜。
[0003] 在專利文獻1中，提出了如下構(gòu)成的透明導(dǎo)電片。透明導(dǎo)電片具備：在基體片上形 成的導(dǎo)電圖案層；以及在基體片的未形成導(dǎo)電圖案層的部分形成的絕緣圖案層。而且，導(dǎo)電 圖案層具有多個微小小孔，絕緣圖案層由狹小槽形成為多個島狀。
[0004] 現(xiàn)有技術(shù)文獻 專利文獻 專利文獻1 :日本特開2010-157400號公報。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0005] 發(fā)明要解決的課題 近年來，期望大面積地制作如上所述具有微小圖案的透明導(dǎo)電層。為了順應(yīng)這樣的要 求，優(yōu)選微小圖案也容易大面積地形成的透明導(dǎo)電層。
[0006] 因此，本技術(shù)的目的在于，提供大面積微小圖案的形成容易的透明導(dǎo)電元件及其 制造方法、輸入裝置、電子設(shè)備以及透明導(dǎo)電層的加工方法。
[0007] 用于解決課題的方案 為了解決上述課題，第1技術(shù)是一種透明導(dǎo)電元件，具備： 具有表面的基體材料；以及 在表面平面地交替設(shè)置的透明導(dǎo)電部及透明絕緣部， 在透明導(dǎo)電部及透明絕緣部的至少一個，重復(fù)具有隨機圖案的至少1種單位區(qū)段。
[0008] 第2技術(shù)是一種輸入裝置，具備： 具有第1表面及第2表面的基體材料；以及 平面地交替設(shè)在第1表面及第2表面的發(fā)透明導(dǎo)電部及透明絕緣部， 在透明導(dǎo)電部及透明絕緣部的至少一個，重復(fù)具有隨機圖案的至少1種單位區(qū)段。
[0009] 第3技術(shù)是一種輸入裝置，具備： 第1透明導(dǎo)電元件；以及 設(shè)在第1透明導(dǎo)電元件的表面的第2透明導(dǎo)電元件， 第1透明導(dǎo)電元件及第2透明導(dǎo)電元件具備： 具有表面的基體材料；以及 在表面平面地交替設(shè)置的透明導(dǎo)電部及透明絕緣部， 在透明導(dǎo)電部及透明絕緣部的至少一個，重復(fù)具有隨機圖案的至少1種單位區(qū)段。 [0010] 第4技術(shù)是一種電子設(shè)備，具備： 透明導(dǎo)電元件，包括具有第1表面及第2表面的基體材料以及平面地交替設(shè)在第1表 面及第2表面的透明導(dǎo)電部及透明絕緣部， 在透明導(dǎo)電部及透明絕緣部的至少一個，重復(fù)具有隨機圖案的至少1種單位區(qū)段。
[0011] 第5技術(shù)是一種電子設(shè)備，具備： 第1透明導(dǎo)電元件；以及 設(shè)在第1透明導(dǎo)電元件的表面的第2透明導(dǎo)電元件， 第1透明導(dǎo)電元件及第2透明導(dǎo)電元件具備： 具有第1表面及第2表面的基體材料；以及 平面地交替設(shè)在第1表面及第2表面的透明導(dǎo)電部及透明絕緣部， 在透明導(dǎo)電部及透明絕緣部的至少一個，重復(fù)具有隨機圖案的至少1種單位區(qū)段。
[0012] 第6技術(shù)是一種透明導(dǎo)電元件的制造方法， 經(jīng)由具有隨機圖案的至少1種掩模對基體材料表面的透明導(dǎo)電層照射光，來反復(fù)形成 單位區(qū)段，從而在基體材料表面平面地交替形成透明導(dǎo)電部及透明絕緣部。
[0013] 第7技術(shù)是一種透明導(dǎo)電層的加工方法， 通過將具有圖案的至少1種掩模對基體材料表面的透明導(dǎo)電層照射光，反復(fù)形成單位 區(qū)段，從而在基體材料表面平面地交替形成透明導(dǎo)電部及透明絕緣部。
[0014] 本技術(shù)中，在透明導(dǎo)電部及透明絕緣部的至少一個，重復(fù)具有隨機圖案的至少1 種單位區(qū)段，因此能夠容易大面積地形成隨機圖案。
[0015] 本技術(shù)中，在基體材料表面平面地交替設(shè)有透明導(dǎo)電部及透明絕緣部，因此能夠 降低設(shè)有透明導(dǎo)電部的區(qū)域與未設(shè)有透明導(dǎo)電部的區(qū)域的反射率差。因此，能夠抑制透明 導(dǎo)電部的圖案的視覺辨認(rèn)。
[0016] 發(fā)明的效果 如以上說明的那樣，依據(jù)本技術(shù)，能夠提供大面積微小圖案的形成容易的透明導(dǎo)電元 件。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0017] 圖1是示出本技術(shù)的第1實施方式所涉及的信息輸入裝置的一構(gòu)成例的截面圖。
[0018] 圖2A是示出本技術(shù)的第1實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平 面圖。圖2B是沿圖2A所示的A-A線的截面圖。
[0019] 圖3A是示出第1透明導(dǎo)電元件的透明電極部的一構(gòu)成例的平面圖。圖3B是示出 第1透明導(dǎo)電元件的透明絕緣部的一構(gòu)成例的平面圖。
[0020] 圖4A是示出第1透明導(dǎo)電元件的透明電極部的單位區(qū)段的一構(gòu)成例的平面圖。圖 4B是沿圖4A所示的A-A線的截面圖。圖4C是示出第1透明導(dǎo)電元件的透明絕緣部的單位 區(qū)段的一構(gòu)成例的平面圖。圖4D是沿圖4C所示的A-A線的截面圖。
[0021] 圖5是示出邊界部的形狀圖案的一個例子的平面圖。
[0022] 圖6A是示出本技術(shù)的第1實施方式所涉及的第2透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平 面圖。圖6B是沿圖6A所示的A-A線的截面圖。
[0023] 圖7是示出用于制作透明電極部及透明絕緣部的激光加工裝置的一構(gòu)成例的示 意圖。
[0024] 圖8A是示出用于制作透明電極部13的第1掩模的一構(gòu)成例的平面圖。圖8B是 示出用于制作透明絕緣部14的第2掩模的一構(gòu)成例的平面圖。
[0025] 圖9A?圖9C是用于說明本技術(shù)的第1實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的制 造方法的一個例子的工序圖。
[0026] 圖10A是示出透明電極部的單位區(qū)段的變形例的平面圖。圖10B是沿圖10A所示 的A-A線的截面圖。圖10C是示出透明絕緣部的單位區(qū)段的變形例的平面圖。圖10D是沿 圖10C所示的A-A線的截面圖。
[0027] 圖11A?圖11D是示出本技術(shù)的第1實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的變形 例的截面圖。
[0028] 圖12A、圖12B是示出本技術(shù)的第1實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的變形例 的截面圖。
[0029] 圖13A是示出本技術(shù)的第2實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平 面圖。圖13B是用于在透明電極部及透明絕緣部的邊界部制作邊界圖案的第3掩模的一構(gòu) 成例的平面圖。
[0030] 圖14A是示出本技術(shù)的第3實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的透明電極部的 一構(gòu)成例的平面圖。圖14B是示出本技術(shù)的第3實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的透 明絕緣部的一構(gòu)成例的平面圖。
[0031] 圖15A是示出透明電極部的單位區(qū)段的一構(gòu)成例的平面圖。圖15B是沿圖15A所 示的A-A線的截面圖。圖15C是示出透明絕緣部的單位區(qū)段的一構(gòu)成例的平面圖。圖15D 是沿圖15C所示的A-A線的截面圖。
[0032] 圖16是示出邊界部的形狀圖案的一個例子的平面圖。
[0033] 圖17A是示出本技術(shù)的第4實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平 面圖。圖17B是示出用于在透明電極部及透明絕緣部的邊界部制作邊界圖案的第3掩模的 一構(gòu)成例的平面圖。
[0034] 圖18是示出本技術(shù)的第5實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平 面圖。
[0035] 圖19A是示出本技術(shù)的第6實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平 面圖。圖19B是用于在透明電極部及透明絕緣部的邊界部制作邊界圖案的第3掩模的一構(gòu) 成例的平面圖。
[0036] 圖20A是示出本技術(shù)的第7實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平 面圖。圖20B是示出本技術(shù)的第7實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的變形例的平面圖。
[0037] 圖21A是示出本技術(shù)的第8實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平 面圖。圖20B是示出本技術(shù)的第8實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的變形例的平面圖。
[0038] 圖22A是示出本技術(shù)的第9實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平 面圖。圖22B是示出本技術(shù)的第9實施方式所涉及的第2透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平面 圖。
[0039] 圖23是示出本技術(shù)的第10實施方式所涉及的信息輸入裝置的一構(gòu)成例的截面 圖。
[0040] 圖24A是示出本技術(shù)的第11實施方式所涉及的信息輸入裝置的一構(gòu)成例的平面 圖。圖24B是沿圖24A所示的A-A線的截面圖。
[0041] 圖25A是放大示出圖24A所示的交叉部C附近的平面圖。圖25B是沿圖25A所示 的A-A線的截面圖。
[0042] 圖26是作為電子設(shè)備示出電視機的例的外觀圖。
[0043] 圖27A、圖27B是作為電子設(shè)備不出數(shù)碼相機的例的外觀圖。
[0044] 圖28是作為電子設(shè)備示出筆記本型個人計算機的例的外觀圖。
[0045] 圖29是作為電子設(shè)備示出攝像機的例的外觀圖。
[0046] 圖30是作為電子設(shè)備示出便攜終端裝置的例的外觀圖。
[0047] 圖31A是示出通過顯微鏡觀察實施例1-5的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果的圖。圖31B 是示出通過顯微鏡觀察實施例2-1的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果的圖。
[0048] 圖32是示出用于制作透明電極部及透明絕緣部的激光加工裝置的變形例的示意 圖。
[0049] 圖33是示出對透明導(dǎo)電片照射激光時的加工深度d的圖。
[0050] 圖34A是示出通過顯微鏡觀察實施例5-4的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果的圖。圖34B 是示出通過顯微鏡觀察實施例5-5的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果的圖。圖34C是示出通過顯微 鏡觀察實施例5-6的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果的圖。
[0051] 圖35A是示出通過顯微鏡觀察實施例5-7的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果的圖。圖35B 是示出通過顯微鏡觀察實施例5-8的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果的圖。
[0052] 圖36是示出實施例5-1?5-3的透明導(dǎo)電片的電阻比的結(jié)果的圖。
[0053] 圖37是示出實施例5-4?5-8的透明導(dǎo)電片的電阻比的結(jié)果的圖。
[0054] 圖38A是示出通過顯微鏡觀察實施例7-1的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果的圖。圖38B 是示出通過顯微鏡觀察實施例7-2的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果的圖。圖38C是示出通過顯微 鏡觀察實施例7-3的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果的圖。
[0055] 圖39是示出實施例7-1?7-3的透明導(dǎo)電片的電阻比的結(jié)果的圖。
[0056] 圖40A是示出通過顯微鏡觀察實施例8-1的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果的圖。圖40B 是示出通過顯微鏡觀察實施例8-2的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果的圖。
[0057] 圖41A是示出通過顯微鏡觀察實施例8-3的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果的圖。圖41B 是示出通過顯微鏡觀察實施例8-4的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果的圖。
[0058] 圖42是示出實施例8-1?8-4的透明導(dǎo)電片的電阻比的結(jié)果的圖。
[0059] 圖43是示出比較例8-1?8-4的透明導(dǎo)電片及實施例8-1?8-4的透明導(dǎo)電片 的表面電阻的結(jié)果的圖。
[0060] 圖44是示出比較例8-1?8-4的透明導(dǎo)電片及實施例8-1?8-4的透明導(dǎo)電片 的電阻比的結(jié)果的圖。
[0061] 圖45A是示出一般的臺（stage)的移動速度的變化的圖。圖45B是示出高速臺的 移動速度的變化的圖。
【具體實施方式】
[0062] 參照附圖的同時按照以下的順序說明本技術(shù)的實施方式。
[0063] 1.第1實施方式(通過具有隨機圖案的單位區(qū)段構(gòu)成透明電極部及透明絕緣部的 例子） 2. 第2實施方式(通過具有隨機的邊界圖案的單位區(qū)段構(gòu)成的邊界部的例子） 3. 第3實施方式(通過具有規(guī)則圖案的單位區(qū)段構(gòu)成透明電極部及透明絕緣部的例 子） 4. 第4實施方式(通過具有規(guī)則的邊界圖案的單位區(qū)段構(gòu)成邊界部的例子） 5. 第5實施方式(將透明電極部設(shè)為連續(xù)膜的例子） 6. 第6實施方式(通過具有隨機圖案的單位區(qū)段構(gòu)成邊界部的例子） 7. 第7實施方式(通過具有隨機圖案的單位區(qū)段構(gòu)成透明電極部，并通過具有規(guī)則圖 案的單位區(qū)段構(gòu)成透明絕緣部的例子） 8. 第8實施方式(通過具有規(guī)則圖案的單位區(qū)段構(gòu)成透明電極部，并通過具有隨機圖 案的單位區(qū)段構(gòu)成透明絕緣部的例子） 9. 第9實施方式(設(shè)有連結(jié)了焊盤部的形狀的透明電極部的例子） 10. 第10實施方式(在基體材料兩面設(shè)有透明電極部的例子） 11. 第11實施方式(在基體材料的一主面交叉設(shè)有透明電極部的例子） 12. 第12實施方式(對電子設(shè)備應(yīng)用的例子） < 1.第1實施方式>
[信息輸入裝置的結(jié)構(gòu)] 圖1是示出本技術(shù)的第1實施方式所涉及的信息輸入裝置的一構(gòu)成例的截面圖。如圖 1所示，信息輸入裝置10設(shè)在顯示裝置4的顯示面上。信息輸入裝置10例如由貼合層5貼 合于顯示裝置4的顯示面。
[0064] (顯示裝置） 應(yīng)用信息輸入裝置10的顯示裝置4雖沒有特別限定，但如果進行例示，則可舉出液晶 顯示器、CRT (Cathode Ray Tube :陰極射線管）顯示器、等離子體顯示器（Plasma Display Panel :PDP)，電致發(fā)光（Electro Luminescence :EL)顯示器、表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件顯示 器（Surface-conduction Electron-emitter Display :SED)等的各種顯不裝置。
[0065] (信息輸入裝置） 信息輸入裝置10是所謂的投影型靜電電容方式觸摸面板，具備第1透明導(dǎo)電元件1和 設(shè)在該第1透明導(dǎo)電元件1的表面上的第2透明導(dǎo)電元件2,第1透明導(dǎo)電元件1與第2透 明導(dǎo)電元件2經(jīng)由貼合層6而貼合。另外，根據(jù)需要，也可以在第2透明導(dǎo)電元件2的表面 上還具備光學(xué)層3。
[0066] (光學(xué)層） 光學(xué)層3例如具備基體材料31和設(shè)在基體材料31與第2透明導(dǎo)電元件2之間的貼合 層32,基體材料31經(jīng)由該貼合層32貼合于第2透明導(dǎo)電元件2的表面。光學(xué)層3并不限 定于該例，也可能是Si02等的陶瓷敷層(覆蓋層)。
[0067] (第1透明導(dǎo)電元件） 圖2A是示出本技術(shù)的第1實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平面圖。 圖2B是沿圖2A所示的A-A線的截面圖。如圖2A及圖2B所示，第1透明導(dǎo)電元件1具備 具有表面的基體材料11和設(shè)在該表面的透明導(dǎo)電層12。在此，將在基體材料11的面內(nèi)處 于正交交叉的關(guān)系的2個方向定義為X軸方向（第1方向）及Y軸方向(第2方向）。
[0068] 透明導(dǎo)電層12具備透明電極部(透明導(dǎo)電部)13和透明絕緣部14。透明電極部13 是沿X軸方向延伸的X電極部。透明絕緣部14是所謂的偽電極部，沿X軸方向延伸，并且 介于透明電極部13之間，是使相鄰的透明電極部13之間絕緣的絕緣部。這些透明電極部 13和透明絕緣部14,朝向Y軸方向平面地交替鄰接而設(shè)在基體材料11的表面。此外，在圖 2A、圖2B，第1區(qū)域凡表示透明電極部13的形成區(qū)域，第2區(qū)域R 2表示透明絕緣部14的 形成區(qū)域。
[0069] (透明電極部、透明絕緣部） 透明電極部13及透明絕緣部14的形狀，優(yōu)選與畫面形狀或驅(qū)動電路等相應(yīng)地適當(dāng)選 擇，可舉出例如直線狀、將多個菱形狀(金剛石形狀）直線狀連結(jié)的形狀等，但并不特別限定 于這些形狀。此外，在圖2A、圖2B中，例示出將透明電極部13及透明絕緣部14的形狀設(shè)為 直線狀的結(jié)構(gòu)。
[0070] 圖3A是示出第1透明導(dǎo)電元件的透明電極部的一構(gòu)成例的平面圖。透明電極部 13如圖3A所示，是具有孔部13a的隨機圖案的單位區(qū)段13p被反復(fù)設(shè)置的透明導(dǎo)電層12。 單位區(qū)段13p例如沿X軸方向以周期Tx反復(fù)設(shè)置，沿Y軸方向以周期Ty反復(fù)設(shè)置。即，單 位區(qū)段13p沿X軸方向及Y軸方向2維排列。周期Tx及周期Ty分別獨立，例如在從微米 量級到納米量級的范圍內(nèi)設(shè)定。
[0071] 圖3B是示出第1透明導(dǎo)電元件的透明絕緣部的一構(gòu)成例的平面圖。透明電極部 13如圖3B所示，是具有島部14a的隨機圖案的單位區(qū)段14p被反復(fù)設(shè)置的透明導(dǎo)電層12。 單位區(qū)段14p例如沿X軸方向以周期Tx反復(fù)設(shè)置，沿Y軸方向以周期Ty反復(fù)設(shè)置。即，單 位區(qū)段14p沿X軸方向及Y軸方向2維排列。周期Tx及周期Ty分別獨立，例如在微米量 級到納米量級的范圍內(nèi)設(shè)定。
[0072] 圖3A及圖3B中，單位區(qū)段13p及單位區(qū)段14p分別是1種的情況被作為例子示 出，但也可以使單位區(qū)段13p及單位區(qū)段14p為2種以上。在該情況下，能夠設(shè)為同一種單 位區(qū)段13p及單位區(qū)段14p沿X軸方向及Y軸方向周期或隨機地重復(fù)。
[0073] 單位區(qū)段13p及單位區(qū)段14p的形狀只要是能夠沿X軸方向及Y軸方向大致沒有 間隙地反復(fù)設(shè)置的形狀即可，并沒有特別限定，但若進行例示，則可舉出三角形狀、四角形 狀、六角形狀或八角形狀等的多邊形狀或不定形狀等。
[0074] 圖4A是示出第1透明導(dǎo)電元件的透明電極部的單位區(qū)段的一構(gòu)成例的平面圖。 圖4B是沿圖4A所示的A-A線的截面圖。圖4C是示出第1透明導(dǎo)電元件的透明絕緣部的 單位區(qū)段的一構(gòu)成例的平面圖。圖4D是沿圖4C所示的A-A線的截面圖。透明電極部13 的單位區(qū)段13p如圖4A及圖4B所示，是多個孔部(絕緣要素）13a分開而以隨機圖案設(shè)置 的透明導(dǎo)電層12,透明導(dǎo)電部13b介于相鄰的孔部13a之間。另一方面，透明絕緣部14的 單位區(qū)段14p如圖4C及圖4D所示，是具有分開而以隨機圖案設(shè)置的多個島部（導(dǎo)電要素） 14a的透明導(dǎo)電層12,作為絕緣部的間隙部14b介于相鄰的島部14a之間。島部14a是例 如以透明導(dǎo)電材料為主成分的島狀的透明導(dǎo)電層12。在此，在間隙部14b，優(yōu)選透明導(dǎo)電層 12被完全除去，但只要在間隙部14b作為絕緣部發(fā)揮功能的范圍內(nèi)，則透明導(dǎo)電層12的一 部分殘留為島狀或薄膜狀也可以。
[0075] 單位區(qū)段13p優(yōu)選作為隨機圖案的圖案要素的孔部13a相切或具有切斷的邊，更 優(yōu)選構(gòu)成單位區(qū)段13p的所有的邊與圖案要素處于這樣的關(guān)系。此外，還能采用作為隨機 圖案的圖案要素的孔部13a與所有的邊分開的結(jié)構(gòu)。
[0076] 單位區(qū)段14p優(yōu)選作為隨機圖案的圖案要素的島部14a相切或具有切斷的邊，更 優(yōu)選構(gòu)成單位區(qū)段14p的所有的邊與圖案要素處于這樣的關(guān)系。此外，還能采用作為隨機 圖案的圖案要素的島部14a與所有的邊分開的結(jié)構(gòu)。
[0077] 作為孔部13a及島部14a的形狀，能夠使用例如點狀。作為點狀，能夠使用從例如 圓形狀、橢圓形狀、將圓形狀的一部分切下的形狀、將橢圓形狀的一部分切下的形狀、多邊 形狀、倒角的多邊形狀及不定形狀構(gòu)成的組中選取的1種以上。作為多邊形狀可舉出例如 三角形狀、四角形狀(例如菱形等)、六角形狀、八角形狀等，但不限于此。在孔部13a及島部 14a采用不同形狀也可以。在此，在圓形中不僅包含數(shù)學(xué)上定義的完整的圓（正圓），還包含 被賦予一些變形的大致圓形。在橢圓形中不僅包含數(shù)學(xué)上定義的完整的橢圓，還包含被賦 予一些變形的大致橢圓形(例如長圓、卵型等)。在多邊形中不僅包含數(shù)學(xué)上定義的完整的 多邊形，還包含對邊賦予了變形的大致多邊形、對角賦予了弧度的大致多邊形以及對邊賦 予了變形并且對角賦予了弧度的大致多邊形等。作為對邊賦予的變形，可舉出凸?fàn)罨虬紶?等的彎曲。
[0078] 孔部13a及島部14a優(yōu)選是不能夠通過目視識別的尺寸。具體而言，孔部13a或 島部14a的尺寸優(yōu)選為100 μ m以下，更優(yōu)選為60 μ m以下。在此，尺寸(直徑Dmax)在不是 圓形的情況下意味著孔部13a及島部14a的直徑的長度之中的最大者。此外，在圓形的情 況下成為直徑Dmax的直徑。若使孔部13a及島部14a直徑Dmax為100 μ m以下，則能夠抑 制通過目視的孔部13a及島部14a的視覺辨認(rèn)。具體而言例如，在使孔部13a及島部14a 為圓形狀的情況下，優(yōu)選它們的直徑為ΙΟΟμπι以下。此外，作為透明導(dǎo)電片的頂面(最外表 面）和底面(激光加工部的底面(達到通過激光照射的燒蝕的基體材料11表面。以下，在基 體材料11內(nèi)也產(chǎn)生燒蝕的情況下，將其露出表面適當(dāng)稱作基體材料11表面)）的隨機圖案 的孔部的深度的距離在圖4中以標(biāo)號d示出。即，從透明導(dǎo)電部13b的表面至孔部13a的 底面(基體材料11的表面)的平均深度d及從島部14a的表面至間隙部14b的底面(基體材 料11的表面）的平均深度d在圖4中示出。
[0079] 在第1區(qū)域&，相對于例如多個孔部13a成為基體材料表面的露出區(qū)域，介于相鄰 的孔部13a間的透明導(dǎo)電部13b成為基體材料表面的覆蓋區(qū)域。另一方面，在第2區(qū)域R 2， 相對于多個島部14a成為基體材料表面的覆蓋區(qū)域，介于相鄰的島部14a間的間隙部14b 成為基體材料表面的露出區(qū)域。將第1區(qū)域&和第2區(qū)域R2的覆蓋率差為60%以下，優(yōu) 選我40%以下，更優(yōu)選為30%以下，并且，優(yōu)選以不能夠用目視視覺辨認(rèn)的大小來形成孔 部13a及島部14a的部分。在通過目視來比較透明電極部13和透明絕緣部14時，感覺透 明導(dǎo)電層12在第1區(qū)域&和第2區(qū)域R 2以相同的方式被覆蓋，因此能夠抑制透明電極部 13和透明絕緣部14的視覺辨認(rèn)。
[0080] 優(yōu)選使第1區(qū)域Ri中的透明導(dǎo)電部13b造成的覆蓋面積的比例較高。這是因為 隨著覆蓋率變低，若想具有相同的導(dǎo)電性，為了增加透明導(dǎo)電部13b的厚度，則必須增加最 初的整個面制膜時的厚度，成本與覆蓋率成反比地增大。例如，覆蓋率為50%的情況下材料 費為2倍，覆蓋率為10%的情況下材料費為10倍。此外還產(chǎn)生通過透明導(dǎo)電部13b的膜厚 變厚，光學(xué)特性變差等的問題。當(dāng)覆蓋率變得過小，則絕緣的可能性也變大。若考慮以上的 點，則優(yōu)選至少覆蓋率為10%以上。覆蓋率的上限值并未特別受限。
[0081] 第2區(qū)域R2中的島部14a造成的覆蓋率，若過高則隨機圖案的生成自身變得困難， 并且存在島部14a彼此接近而短路的擔(dān)心，因此優(yōu)選使島部14a造成的覆蓋率為95%以下。
[0082] 透明電極部13及透明絕緣部14的反射L值之差的絕對值優(yōu)選為不到0. 3。這是 因為能夠抑制透明電極部13及透明絕緣部14的視覺辨認(rèn)。在此，反射L值之差的絕對值， 是遵從JIS Z8722而評價的值。
[0083] 設(shè)在第1區(qū)域（電極區(qū)域)&的透明電極部13的平均邊界線長度La，以及設(shè)在第2 區(qū)域(絕緣區(qū)域）R 2的透明絕緣部14的平均邊界線長度Lb,優(yōu)選是0 < La、Lb < 20mm/mm2 的范圍內(nèi)。但是，平均邊界線長度La是設(shè)在透明電極部13的孔部13a和透明導(dǎo)電部13b 的邊界線的平均邊界線的長度，平均邊界線的長度Lb是設(shè)在透明絕緣部14的島部14a和 間隙部14b的邊界線的平均邊界線的長度。
[0084] 通過使平均邊界線長度La、Lb在上述范圍內(nèi)，在基體材料11的表面，使形成有透 明導(dǎo)電層12的部分與未形成的部分的邊界減少，能夠降低在該邊界上的光散射量。因此， 能夠與后述的平均邊界線長度的比（La/Lb)無關(guān)地，使上述反射L值之差的絕對值為不到 0. 3。即，能夠抑制透明電極部13及透明絕緣部14的視覺辨認(rèn)。
[0085] 在此，關(guān)于透明電極部13的平均邊界線長度La及透明絕緣部14的平均邊界線長 度Lb的求出方法進行說明。
[0086] 可如以下那樣求出透明電極部13的平均邊界線長度La。首先，利用數(shù)碼顯微鏡 (株式會社々一工^ 7 (KEYENCE)制，商品名：VHX-900)在觀察倍率100?500倍的范圍觀 察透明電極部13,保存觀察像。接著，從保存的觀察像通過圖像解析來計測邊界線（Σ Q = Q+……+ Cn)，得到邊界線長度U [mm/mm2]。對于從透明電極部13隨意選出的10個視野 進行該計測，得到邊界線長度U、……、L 1(I。接著，將所得到的邊界線長度U、……、1^簡 單地平均(算術(shù)平均)，求出透明電極部13的平均邊界線長度La。
[0087] 可如以下那樣求出透明絕緣部14的平均邊界線長度Lb。首先，利用數(shù)碼顯微鏡 (株式會社々一 $ ^ 7制，商品名：VHX-900)在觀察倍率100?500倍的范圍觀察透明絕緣 部14,保存觀察像。接著，從保存的觀察像通過圖像解析來計測邊界線（Σ(； = Q +……+ Cn)，得到邊界線長度U [mm/mm2]。對于從透明絕緣部14隨意選出的10個視野進行該計測， 得到邊界線長度U、……、L 1(I。接著，將所得到的邊界線長度U、……、L1(I簡單地平均(算 術(shù)平均)，求出透明絕緣部14的平均邊界線長度Lb。
[0088] 設(shè)在第1區(qū)域（電極區(qū)域）&的透明電極部13的平均邊界線長度La，以及設(shè)在第 2區(qū)域(絕緣區(qū)域)R 2的透明絕緣部14的平均邊界線長度Lb的平均邊界線長度比（La/Lb)， 優(yōu)選是0. 75以上1. 25以下的范圍內(nèi)。若平均邊界線長度比（La/Lb)為上述范圍外，則在透 明電極部13的平均邊界線長度La及透明絕緣部14的平均邊界線長度Lb未設(shè)定為20_/ mm2以下的情況下，即使透明電極部13與透明絕緣部14的覆蓋率差相等，也可視覺辨認(rèn)透 明電極部13及透明絕緣部14。這是由于例如在基體材料11的表面，在具有透明導(dǎo)電層12 的部分與沒有的部分折射率不同。在具有透明導(dǎo)電層12的部分與沒有的部分折射率差較 大的情況下，在具有透明導(dǎo)電層12的部分與沒有的部分的邊界部發(fā)生光散射。由此，透明 電極部13及透明絕緣部14的區(qū)域之中邊界線長度更長的區(qū)域的一方看起來更發(fā)白，與覆 蓋率差無關(guān)地可視覺辨認(rèn)透明電極部13的電極圖案。定量地，遵從JIS Z8722而評價的透 明電極部13與透明絕緣部14的反射L值之差的絕對值成為0. 3以上。
[0089] (邊界部） 圖5是示出邊界部的形狀圖案的一個例子的平面圖。在透明電極部13與透明絕緣部 14的邊界部，設(shè)有隨機的形狀圖案。通過這樣在邊界部設(shè)置隨機的形狀圖案，能夠抑制邊界 部的視覺辨認(rèn)。在此，所謂邊界部，表示透明電極部13與透明絕緣部14之間的區(qū)域，所謂 邊界L，表示劃分透明電極部13與透明絕緣部14的邊界線。此外，取決于邊界部的形狀圖 案，還存在邊界L不是實線而是虛線的情況。
[0090] 邊界部的形狀圖案優(yōu)選包含透明電極部13及透明絕緣部14的至少一個隨機圖案 的圖案要素的整體和/或一部分。更具體而言，邊界部的形狀圖案優(yōu)選包含從由孔部13a 的整體、孔部13a的一部分、島部14a的整體及島部14a的一部分構(gòu)成的組中選取的1種以 上的形狀。
[0091] 邊界部的形狀圖案所包含的孔部13a的整體，例如與透明電極部13側(cè)的邊界L相 切或大致相切地設(shè)置。邊界部的形狀圖案所包含的島部14a的整體，例如與透明絕緣部14 側(cè)的邊界L相切或大致相切地設(shè)置。
[0092] 邊界部的形狀圖案所包含的孔部13a的一部分，例如具有由邊界L將孔部13a部 分切斷的形狀，其切斷邊與透明電極部13側(cè)的邊界L相切或大致相切地設(shè)置。邊界部的形 狀圖案所包含的島部14a的一部分，例如具有由邊界L將島部14a部分切斷的形狀，其切斷 邊與透明絕緣部14側(cè)的邊界L相切或大致相切地設(shè)置。
[0093] 單位區(qū)段13p優(yōu)選作為隨機圖案的圖案要素的孔部13a相切或具有被切斷的邊， 該邊以與透明電極部13及透明絕緣部14的邊界L相切或大致相切的方式設(shè)置。
[0094] 單位區(qū)段14p優(yōu)選作為隨機圖案的圖案要素的島部14a相切或具有切斷的邊，該 邊以與透明電極部13及透明絕緣部14的邊界L相切或大致相切的方式設(shè)置。
[0095] 此外，在圖5中示出邊界部的形狀圖案包含透明電極部13及透明絕緣部14雙方 的隨機圖案的圖案要素的一部分的例子。更具體而言，示出邊界部的形狀圖案包含孔部13a 及島部14a雙方的一部分的例子。該例中，設(shè)為邊界部所包含的孔部13a的一部分具有孔 部13a被邊界L部分切斷的形狀，其切斷邊與透明電極部13側(cè)的邊界L相切。另一方面， 設(shè)為邊界部所包含的島部14a的一部分具有島部14a被邊界L部分切斷的形狀，其切斷邊 與透明絕緣部14側(cè)的邊界L相切。
[0096] (基體材料） 作為基體材料11的材料，能夠使用例如玻璃、塑料。作為玻璃，能夠使用例如公知的 玻璃。作為公知的玻璃，具體而言可舉出例如堿石灰玻璃、鉛玻璃、硬質(zhì)玻璃、石英玻璃、液 晶化玻璃等。作為塑料，能夠使用例如公知的高分子材料。作為公知的高分子材料，具體而 言可舉出例如三醋酸纖維素 （TAC)、聚酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET)、聚萘二甲酸乙二 醇酯（PEN)、聚酰亞胺（PI)、聚酰胺（PA)、芳族聚酰胺、聚乙烯（PE)、聚丙烯酸酯、聚醚砜、聚 砜、聚丙烯（PP)、雙乙酰纖維素、聚氯乙烯、丙烯樹脂（PMMA)、聚碳酸酯（PC)、環(huán)氧樹脂、尿 素樹脂、尿烷樹脂、三聚氰胺樹脂、環(huán)狀烯烴聚合物（C0P)、降冰片烯類熱塑性樹脂等。
[0097] 玻璃基體材料的厚度優(yōu)選為20 μ m?10mm，但并不特別限定于該范圍。塑料基體 材料的厚度優(yōu)選為20 μ m?500 μ m，但并不特別限定于該范圍。
[0098] (透明導(dǎo)電層） 作為透明導(dǎo)電層12的材料，例如能夠使用從具有電導(dǎo)電性的金屬氧化物材料、金屬材 料、碳材料及導(dǎo)電聚合物等構(gòu)成的組中選擇的1種以上。作為金屬氧化物材料，可舉出例如 銦錫氧化物（IT0)、氧化鋅、氧化銦、鋪添加氧化錫、氟添加氧化錫、錯添加氧化鋅、鎵添加氧 化鋅、硅添加氧化鋅、氧化鋅-氧化錫類、氧化銦-氧化錫類、氧化鋅-氧化銦-氧化鎂類等。 作為金屬材料，能夠使用例如金屬納米粒子、金屬線等。作為其具體的材料可舉出例如銅、 銀、金、鉬、鈕、鎳、錫、鈷、銘、銥、鐵、釕、鋨、猛、鑰、鶴、銀、鉭、鈦、秘、鋪、鉛等的金屬，或這些 的合金等。作為碳材料，可舉出例如碳黑、碳纖維、富勒烯、石墨烯、碳納米管、碳微線圈及納 米突等。作為導(dǎo)電聚合物，能夠使用例如置換或無置換的聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩及從這些 選擇的1種或2種構(gòu)成的(共）聚合物等。
[0099] 作為透明導(dǎo)電層12的形成方法，能夠使用例如濺射法、真空蒸鍍法、離子鍍法等 的PVD法、或CVD法、涂抹法、印刷法等。透明導(dǎo)電層12的厚度，優(yōu)選適當(dāng)選擇使得在構(gòu)圖前 的狀態(tài)(在基體材料11的整個面形成有透明導(dǎo)電層12的狀態(tài))下表面電阻成為1000 Ω / 口 以下。
[0100] (第2透明導(dǎo)電元件） 圖6A是示出本技術(shù)的第1實施方式所涉及的第2透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平面圖。 圖6B是沿圖6A所示的A-A線的截面圖。如圖6A及圖6B所示，第2透明導(dǎo)電元件2具備 具有表面的基體材料21和設(shè)在該表面的透明導(dǎo)電層22。在此，將在基體材料21的面內(nèi)處 于正交交叉的關(guān)系的2個方向定義為X軸方向（第1方向）及Y軸方向(第2方向）。
[0101] 透明導(dǎo)電層22具備透明電極部(透明導(dǎo)電部）23和透明絕緣部24。透明電極部 23是在Y軸方向延伸的Y電極部。透明絕緣部24是所謂的偽電極部，在Y軸方向延伸，并 且介于透明電極部23之間，是使相鄰的透明電極部23之間絕緣的絕緣部。這些透明電極 部23和透明絕緣部24,在基體材料21的表面朝向X軸方向交替鄰接設(shè)置。第1透明導(dǎo)電 元件1所具有的透明電極部13及透明絕緣部14,和第2透明導(dǎo)電元件2所具有的透明電極 部23及透明絕緣部24,例如處于互相正交的關(guān)系。此外，圖6A、圖6B中，第1區(qū)域凡表示 透明電極部23的形成用區(qū)域，第2區(qū)域R 2表示透明絕緣部24的形成區(qū)域。
[0102] 關(guān)于第2透明導(dǎo)電元件2,上述以外情況與第1透明導(dǎo)電元件1相同。
[0103] [激光加工裝置] 接著，參照圖7的同時，說明用于制作透明電極部13及透明絕緣部14的激光加工裝置 的一構(gòu)成例。激光加工裝置是利用激光燒蝕工藝對透明導(dǎo)電層進行構(gòu)圖的加工裝置，如圖7 所示，具備激光器41、掩模部42和臺43。掩模部42設(shè)在激光器41與臺43之間。從激光 器41出射的激光經(jīng)由掩模部42,到達在臺43固定的透明導(dǎo)電基體材料la。
[0104] 激光加工裝置構(gòu)成為可調(diào)整加工倍率，例如，可將加工倍率調(diào)整為加工倍率1/4 或加工倍率1/8。以下，示出加工倍率1/4及加工倍率1/8的情況下的掩模部42的激光照 射范圍與在臺固定的透明導(dǎo)電基體材料la的加工范圍的關(guān)系的例子。
[0105] 加工倍率1/4 :激光照射范圍8mmX8mm，加工范圍2mmX2mm 加工倍率1/8 :激光照射范圍8_X8mm，加工范圍1_X1_ 作為激光器41，例如，只要能利用激光燒蝕工藝對透明導(dǎo)電層進行構(gòu)圖即可，并沒有特 別限定，如若進行例示，能夠使用波長248nm的KrF受激準(zhǔn)分子激光、波長266nm的三次諧 波飛秒激光、波長355nm的三次諧波YAG激光等的UV激光。
[0106] 掩模部42具備用于制作透明電極部13的第1掩模和用于制作透明絕緣部14的 第2掩模。掩模部42具有能通過控制裝置（圖示省略）等來切換第1掩模與第2掩模的結(jié) 構(gòu)。因此，利用激光加工裝置，能夠連續(xù)地反復(fù)形成透明電極部13和透明絕緣部14。
[0107] 此外，作為透明電極部13的單位區(qū)段13p具備2種以上的單位區(qū)段13p的情況下， 使得掩模部42具備2種以上的第1掩模即可。另外，作為透明絕緣部14的單位區(qū)段14p 具備2種以上的單位區(qū)段14p的情況下也同樣如此，使得掩模部42具備2種以上的第2掩 模即可。
[0108] 臺43具有用于固定作為被加工體的透明導(dǎo)電基體材料la的固定面。透明導(dǎo)電基 體材料la具備基體材料11和透明導(dǎo)電層12,以基體材料11 一側(cè)的面與固定面對置的方式 固定于臺43。
[0109] 調(diào)整臺43的朝向使得從激光器41出射的激光經(jīng)由掩模部42對臺43的固定面垂 直入射。臺43具有在將激光的入射角度保持為一定的狀態(tài)下，可在X軸方向(水平方向)及 Y軸方向（垂直方向）移動的結(jié)構(gòu)。
[0110] 圖8A是示出用于制作透明電極部13的第1掩模的一構(gòu)成例的平面圖。第1掩模 53如圖8A所不，是多個孔部(光透射要素)53a分開而以隨機圖案設(shè)置在玻璃表面或玻璃內(nèi) 部的遮光層的玻璃掩模，遮光部53b介于相鄰的孔部53a之間。
[0111] 圖8B是示出用于制作透明絕緣部14的第2掩模的一構(gòu)成例的平面圖。第2掩模 54如圖8B所示，是多個遮光部(遮光要素)54a分開而以隨機圖案設(shè)置在玻璃表面或玻璃內(nèi) 部的玻璃掩模，相鄰的遮光部54a之間成為可透射激光的間隙部(光透射部）54b。
[0112] 遮光部53b及遮光部54a只要是能對從激光器41出射的激光遮光的材料即可，并 沒有特別限定，但若進行例示，則可舉出鉻（Cr)等。
[0113] 第1掩模53優(yōu)選作為隨機圖案的圖案要素的孔部53a相切，或具有被切斷的邊， 更優(yōu)選構(gòu)成第1掩模53的所有的邊與圖案要素處于這樣的關(guān)系。此外，還能采用作為隨機 圖案的圖案要素的孔部53a與所有的邊分開的結(jié)構(gòu)。
[0114] 第2掩模54優(yōu)選作為隨機圖案的圖案要素的遮光部54a相切，或具有被切斷的 邊，更優(yōu)選構(gòu)成第2掩模54的所有的邊與圖案要素處于這樣的關(guān)系。此外，還能采用作為 隨機圖案的圖案要素的遮光部54a與所有的邊分開的結(jié)構(gòu)?？撞?3a及遮光部54a的形狀 及大小分別與上述孔部13a及島部14a的形狀及大小相應(yīng)地適當(dāng)選擇。
[0115] [透明導(dǎo)電元件的制造方法] 接著，參照圖9A?圖9C的同時，說明具有上述結(jié)構(gòu)的第1透明導(dǎo)電元件1的制造方法 的一個例子。此外，第2透明導(dǎo)電元件2能夠與第1透明導(dǎo)電元件1大致同樣地制造，因此 省略說明第2透明導(dǎo)電元件2的制造方法。
[0116] (透明導(dǎo)電層的成膜工序） 首先，如圖9A所示，通過在基體材料11的表面上成膜透明導(dǎo)電層12,來制作透明導(dǎo)電 基體材料la。作為透明導(dǎo)電層12的成膜方法，能夠使用干類及濕類的任一種成膜方法。
[0117] 作為干類的成膜方法，能夠使用例如熱CVD、等離子體CVD、光CVD、ALD (Atomic Layer Disposition (原子層沉積法））等的 CVD 法（Chemical Vapor Deposition (化學(xué)蒸鍍 法）：利用化學(xué)反應(yīng)從氣相析出薄膜的技術(shù)）之外，真空蒸鍍、等離子體輔助蒸鍍、濺射、離子 鍍等的PVD法（Physical Vapor Deposition (物理蒸鍍法）：在真空中使物理地氣化的材料 在基板上凝聚來形成薄膜的技術(shù))。
[0118] 在使用干類的成膜方法的情況下，在透明導(dǎo)電層12的成膜后，根據(jù)需要，對透明 導(dǎo)電層12實施燒成處理(退火處理）也可以。由此，透明導(dǎo)電層12成為例如非晶和多晶的 混合狀態(tài)或多晶狀態(tài)，提高透明導(dǎo)電層12的導(dǎo)電性。
[0119] 作為濕類的成膜方法，例如，在將透明導(dǎo)電涂料涂敷或印刷于基體材料11的表面 而在基體材料11的表面形成涂膜后，能夠使用干燥和/或燒成的方法。作為涂敷法，能夠 使用例如微凹版涂敷法、線棒涂敷法、直接凹版涂敷法、模具涂敷法、浸涂法、噴涂法、逆轉(zhuǎn) 輥涂敷法、幕涂敷法、點涂敷法、刀涂敷法、旋涂法等，但并不特別限定于此。另外，作為印刷 法，能夠使用例如凸版印刷法、膠版印刷法、照相凹版印刷法、凹版印刷法、橡膠版印刷法、 絲網(wǎng)印刷法等，但并不特別限定于此。另外，作為透明導(dǎo)電基體材料la，可使用市售的材料。
[0120] (透明電極部及透明絕緣部的形成工序） 接著，使用上述激光加工裝置，交替反復(fù)第1激光加工工序和第2激光加工工序，對透 明導(dǎo)電基體材料la的透明導(dǎo)電層12進行構(gòu)圖。此時，也可以通過吸引處理等來除去通過 激光加工產(chǎn)生的灰塵。接著，根據(jù)需要，對透明導(dǎo)電基體材料la實施送風(fēng)處理和/或沖洗 清洗處理等。由此，透明電極部13及透明絕緣部14朝向一個方向而平面地交替鄰接地形 成。第1激光加工工序是通過經(jīng)由第1掩模53對透明導(dǎo)電基體材料la的透明導(dǎo)電層12照 射激光來進行的工序。第2激光加工工序是通過經(jīng)由第2掩模54對透明導(dǎo)電基體材料la 的透明導(dǎo)電層12照射激光來進行的工序。在此，關(guān)于這些第1激光加工工序及第2激光加 工工序的細(xì)節(jié)，以下進行說明。
[0121] (第1激光加工工序） 如圖9B所示，經(jīng)由第1掩模53對透明導(dǎo)電基體材料la的透明導(dǎo)電層12照射激光，在 透明導(dǎo)電層12的表面形成照射部13L。由此，透明電極部13的單位區(qū)段13p被形成。一邊 使照射部13L在X軸方向及Y軸方向分別以周期Tx及周期Ty移動，一邊對透明導(dǎo)電層12 的第1區(qū)域(透明電極部13的形成區(qū)域)&整體進行該操作。由此，單位區(qū)段13p在X軸方 向及Y軸方向反復(fù)周期性地形成而得到透明電極部13。
[0122] (第2激光加工工序） 如圖9C所示，經(jīng)由第2掩模54對透明導(dǎo)電基體材料la的透明導(dǎo)電層12照射激光，在 透明導(dǎo)電層12的表面形成照射部14L。由此，透明絕緣部14的單位區(qū)段14p被形成。一邊 使照射部14L在X軸方向及Y軸方向分別以周期Tx及周期Ty移動，一邊對透明導(dǎo)電層12 的第2區(qū)域(透明絕緣部14的形成區(qū)域)R 2整體進行該操作。由此，單位區(qū)段14p在X軸方 向及Y軸方向反復(fù)周期性地形成而得到透明絕緣部14。
[0123] 通過以上方式，可得到作為目的的第1透明導(dǎo)電元件1。
[0124] (利用激光加工的加工深度） 圖33示意性示出對透明導(dǎo)電片照射激光時的加工的平均深度d。在圖33中，示出在基 體材料11的表面上成膜有透明導(dǎo)電層12的透明導(dǎo)電基體材料la。此外，在圖33中，為了 簡化，示出以規(guī)則的圖案加工了孔部的透明導(dǎo)電基體材料la。
[0125] 如圖33所示，用激光加工中，在透明導(dǎo)電基體材料la形成(構(gòu)圖）了孔部的情況 下，通過燒蝕，不僅透明導(dǎo)電層12,連基體材料11也被加工。相對于此，雖也取決于基體材 料11的種類，但利用濕蝕刻的透明導(dǎo)電基體材料la的加工中，一般不在基體材料11形成 孔部。因此，是否用激光加工來構(gòu)圖，能夠通過用光學(xué)顯微鏡等，對基體材料11的激光加工 部的狀態(tài)(例如，平均深度d等的形狀)進行評價來確認(rèn)。此外，如果加工的孔部作為絕緣部 發(fā)揮功能，則以在基體材料11產(chǎn)生燒蝕的方式進行加工也可以。
[0126] [效果] 依據(jù)第1實施方式，第1透明導(dǎo)電元件1具備在基體材料11的表面平面地交替鄰接而 設(shè)置的透明電極部13及透明絕緣部14。而且，透明電極部13具有重復(fù)具有隨機圖案的單 位區(qū)段13p的結(jié)構(gòu)，并且透明絕緣部14具有重復(fù)具有隨機圖案的單位區(qū)段14p的結(jié)構(gòu)。因 此，能夠大面積地容易地形成隨機圖案。
[0127] 以隨機圖案設(shè)置單位區(qū)段13p的孔部13a及單位區(qū)段14p的島部14a，因此能夠抑 制云紋的發(fā)生。
[0128] 第1透明導(dǎo)電元件1具備在基體材料11的表面平面地交替鄰接而設(shè)置的透明電 極部13及透明絕緣部14,因此能夠降低透明電極部13與透明絕緣部14的反射率差。因 此，能夠抑制透明電極部13的視覺辨認(rèn)。
[0129] 在透明電極部13與透明絕緣部14的邊界部進一步設(shè)有形狀圖案的情況下，能夠 進一步抑制邊界部的視覺辨認(rèn)。因此，能夠進一步抑制透明電極部13的視覺辨認(rèn)。
[0130] 第2透明導(dǎo)電元件2具備在基體材料21的表面平面地交替鄰接而設(shè)置的透明電 極部23及透明絕緣部24。透明電極部23及透明絕緣部24具有與第1透明導(dǎo)電元件1的 透明電極部13及透明絕緣部14相同的結(jié)構(gòu)。因此，第2透明導(dǎo)電元件2也能夠得到與第 1透明導(dǎo)電元件1相同的效果。
[0131] 在信息輸入裝置10具備疊合的第1透明導(dǎo)電元件1和第2透明導(dǎo)電元件2的情 況下，能夠抑制透明電極部13及透明電極部23的視覺辨認(rèn)。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)視覺辨認(rèn)性優(yōu) 異的信息輸入裝置10。進而在顯示裝置4的顯示面具備該信息輸入裝置10的情況下，能夠 抑制信息輸入裝置10的視覺辨認(rèn)。
[0132] 與其他工藝相比，激光加工在細(xì)微加工的點上具有例如如下的優(yōu)點。即，與絲網(wǎng) 印刷等的濕工藝中是L/S = 30μπι程度的圖案精度相對，激光加工工藝中能夠?qū)崿F(xiàn)L/S < 10 μ m的圖案精度。此外，在此，L是圖案線寬度，S是線間隔。
[0133] 在使用UV激光進行了激光加工的情況下，能夠抑制PET膜等的基體材料11、21的 由蝕刻液等造成的損壞。因此，能夠選擇性地?zé)g包含金屬納米線或銦錫氧化物（ΙΤ0)的 透明導(dǎo)電層。
[0134] (變形例） 以下，說明第1實施方式的變形例。
[0135] (透明電極部） 圖10A是示出透明電極部的單位區(qū)段的變形例的平面圖。圖10B是沿圖10A所示的A-A 線的截面圖。透明電極部13的單位區(qū)段13p如圖10A及圖10B所示，是由設(shè)為隨機的網(wǎng)狀 的透明導(dǎo)電部13b構(gòu)成的透明導(dǎo)電層12。透明導(dǎo)電部13b在隨機的方向延伸設(shè)置，由所延 伸設(shè)置的透明導(dǎo)電部13b形成獨立的孔部13a。因此，在透明電極部13的單位區(qū)段13p，隨 機設(shè)有多個孔部13a。在觀察透明導(dǎo)電元件1的情況下，具有隨機的線狀。
[0136] (透明絕緣部） 圖10C是示出透明絕緣部的單位區(qū)段的變形例的平面圖。圖10D是沿圖10C所示的A-A 線的截面圖。透明絕緣部14的單位區(qū)段14p如圖10C及圖10D所示，是間隙部14b設(shè)為隨 機的網(wǎng)狀的透明導(dǎo)電層12。具體而言，在單位區(qū)段14p配置的透明導(dǎo)電層12,由在隨機的 方向延伸設(shè)置的間隙部14b分割為獨立的島部14a。S卩，單位區(qū)段14p使用透明導(dǎo)電層12 來構(gòu)成，由在隨機的方向延伸設(shè)置的間隙部14b將透明導(dǎo)電層12分割而成的島部14a的圖 案，被配置為隨機圖案。這些島部14a的圖案（即隨機圖案)，例如成為由在隨機的方向延伸 設(shè)置的間隙部14b分割為隨機的多邊形。此外，延伸設(shè)置方向隨機的間隙部14b自身也成 為隨機圖案。間隙部14b例如在從設(shè)有透明導(dǎo)電層12的側(cè)面觀察第1透明導(dǎo)電元件1的 情況下，具有隨機的線狀。間隙部14b例如是設(shè)在島部14a間的槽部。
[0137] 在此，設(shè)在單位區(qū)段14p的各間隙部14b，是在單位區(qū)段14p在隨機的方向延伸設(shè) 置的。相對于延伸設(shè)置方向垂直方向的寬度(稱作線寬度)例如選擇為相同的線寬度。在該 單位區(qū)段14p，通過各間隙部14b的線寬度，可調(diào)整透明導(dǎo)電層12造成的覆蓋率。該單位區(qū) 段14p上的透明導(dǎo)電層12的覆蓋率，優(yōu)選以與透明電極部13上的透明導(dǎo)電層12的覆蓋率 成為相同程度的方式設(shè)定。在此所謂相同程度，意味著透明電極部13及透明絕緣部14不 能夠作為圖案視覺辨認(rèn)的程度。
[0138] (硬涂敷層） 如圖11A所示，第1透明導(dǎo)電元件1的兩表面之中，在至少一個表面設(shè)置硬涂敷層61 也可以。由此，在將塑料基體材料用于基體材料11的情況下，能夠防止工序上的基體材料 11的損傷、賦予耐藥品性、抑制低聚物等的低分子量物的析出。對于硬涂敷材料，最優(yōu)選使 用利用光或電子束等來固化的電離放射線固化型樹脂、或利用熱來固化的熱固化型樹脂、 利用紫外線來固化的感光性樹脂。作為這樣的感光性樹脂，能夠使用例如尿烷丙烯酸酯、環(huán) 氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、多元醇丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯、三聚氰胺丙烯酸酯等的丙烯 酸酯類樹脂。例如，通過使異氰酸酯單體或者預(yù)聚物與聚酯多元醇反應(yīng)，使具有氫氧基的丙 烯酸酯或甲基丙烯酸酯類的單體與所得到的生成物反應(yīng)，從而得到尿烷丙烯酸酯樹脂。硬 涂敷層61的厚度優(yōu)選為Ιμπι?20μπι，但并沒有特別限定于該范圍。
[0139] 硬涂敷層61如下形成。首先，將硬涂敷涂料涂抹于基體材料11的表面。涂抹方 法并未特別限定，能夠使用公知的涂抹方法。作為公知的涂抹方法，可舉出例如微凹版涂敷 法、線棒涂敷法、直接凹版涂敷法、模具涂敷法、浸涂法、噴涂法、逆轉(zhuǎn)輥涂敷法、幕涂敷法、 點涂敷法、刀涂敷法、旋涂法等。硬涂敷涂料例如含有二官能以上的單體和/或低聚物等的 樹脂原料、光聚合引發(fā)劑以及溶劑。接著，根據(jù)需要，通過使涂抹在基體材料11的表面的硬 涂敷涂料干燥，使溶劑揮發(fā)。接著，利用例如電離放射線照射或加熱，使基體材料11的表面 的硬涂敷涂料固化。此外，與上述的第1透明導(dǎo)電元件1相同，第2透明導(dǎo)電元件2的兩表 面之中，在至少一個表面設(shè)置硬涂敷層61也可以。
[0140] (光學(xué)調(diào)整層） 如圖11Β所示，優(yōu)選將光學(xué)調(diào)整層62介于第1透明導(dǎo)電元件1的基體材料11與透明 導(dǎo)電層12之間。由此，能夠有助于透明電極部13的圖案形狀的非視覺辨認(rèn)性。光學(xué)調(diào)整 層62例如由折射率不同的2層以上的層疊體構(gòu)成，在低折射率層側(cè)形成透明導(dǎo)電層12。更 具體而言，作為光學(xué)調(diào)整層62,能夠使用例如現(xiàn)有公知的光學(xué)調(diào)整層。作為這樣的光學(xué)調(diào) 整層，能夠使用例如日本特開2008-98169號公報、日本特開2010-15861號公報、日本特開 2010-23282號公報、日本特開2010-27294號公報所記載的。此外，與上述的第1透明導(dǎo)電 元件1相同，將光學(xué)調(diào)整層62介于第2透明導(dǎo)電元件2的基體材料21與透明導(dǎo)電層22之 間也可以。
[0141] (密合輔助層） 如圖11C所示，作為第1透明導(dǎo)電元件1的透明導(dǎo)電層12的基底層優(yōu)選設(shè)置密合輔助 層63。由此，能夠提高透明導(dǎo)電層12相對于基體材料11的密合性。作為密合輔助層63的 材料，能夠使用例如聚丙烯酸類樹脂、聚酰胺類樹脂、聚酰胺亞胺類樹脂、聚酯類樹脂以及 金屬元素的氯化物或過氧化物或烴氧基金屬等的加水分解及脫水縮合生成物等。
[0142] 不使用密合輔助層63,使用對設(shè)置透明導(dǎo)電層12的表面照射輝光放電或電暈放 電的放電處理也可以。另外，對設(shè)置透明導(dǎo)電層12表面，使用用酸或堿進行處理的化學(xué)藥 品處理法也可以。另外，設(shè)置透明導(dǎo)電層12后，通過壓延處理來提高密合也可以。此外，關(guān) 于第2透明導(dǎo)電元件2,也可以設(shè)置與上述的第1透明導(dǎo)電元件1相同的密合輔助層63。另 夕卜，實施用于提高上述密合性的處理也可以。
[0143] (屏蔽層） 如圖11D所示，優(yōu)選將屏蔽層64設(shè)在第1透明導(dǎo)電元件1。例如，經(jīng)由透明粘著劑層將 設(shè)有屏蔽層64的膜粘合于第1透明導(dǎo)電元件1也可以。另外，在X電極及Y電極形成于1 塊基體材料11的相同面?zhèn)鹊那闆r下，在與其相反側(cè)直接形成屏蔽層64也可以。作為屏蔽 層64的材料，能夠使用與透明導(dǎo)電層12相同的材料。作為屏蔽層64的形成方法，能夠使 用與透明導(dǎo)電層12相同的方法。但是，屏蔽層64未構(gòu)圖而以形成在基體材料11的整個表 面的狀態(tài)使用。通過在第1透明導(dǎo)電元件1形成屏蔽層64,能夠降低從顯示裝置4發(fā)出的 起因于電磁波等的噪聲，提高信息輸入裝置10的位置檢測的精度。此外，與上述的第1透 明導(dǎo)電元件1相同，在第2透明導(dǎo)電元件2設(shè)置屏蔽層64也可以。
[0144] (防止反射層） 如圖12A所示，優(yōu)選進一步在第1透明導(dǎo)電元件1設(shè)置防止反射層65。防止反射層65 例如設(shè)在第1透明導(dǎo)電元件1的兩主面之中、設(shè)有透明導(dǎo)電層12的一側(cè)的相反側(cè)的主面。
[0145] 作為防止反射層65,能夠使用例如低折射率層或蛾眼構(gòu)造體等。在作為防止反射 層65使用低折射率層的情況下，在基體材料11與防止反射層65之間進一步設(shè)置硬涂敷層 也可以。此外，與上述的第1透明導(dǎo)電元件1相同，在第2透明導(dǎo)電元件2也可以進一步設(shè) 置防止反射層65。
[0146] 圖12B是示出設(shè)有防止反射層65的第1透明導(dǎo)電元件及第2透明導(dǎo)電元件的適 用例的截面圖。如圖12B所示，第1透明導(dǎo)電元件1及第2透明導(dǎo)電元件2,以它們的兩主 面之中設(shè)有防止反射層65的一側(cè)的主面與顯示裝置4的顯示面對置的方式，配置在顯示裝 置4上。通過采用這樣的結(jié)構(gòu)，能夠提高來自顯示裝置4的顯示面的光的透射率，提高顯示 裝置4的顯示性能。
[0147] (激光加工裝置） 圖32是示出激光加工裝置的變形例的示意圖。激光加工裝置具備臺43、掩模44、透鏡 45及激光器（圖示省略)。掩模44具有比作為被加工物的透明導(dǎo)電基體材料la更大的尺 寸。掩模44構(gòu)成為可與臺43同步地在X軸方向及Y軸方向移動。激光L經(jīng)由掩模44及 透鏡45,照射至透明導(dǎo)電基體材料la的透明導(dǎo)電層。
[0148] 以下說明具有上述結(jié)構(gòu)的激光加工裝置的動作。
[0149] 首先，經(jīng)由具有圖案的掩模對作為被加工體的透明導(dǎo)電基體材料la的透明導(dǎo)電 層照射激光。接著，通過使掩模44和臺43同步地在X軸方向和/或Y軸方向移動，來移動 激光對掩模的照射位置。由此，透明導(dǎo)電基體材料la的透明導(dǎo)電層的大致整體得以加工， 透明電極部13及透明絕緣部14朝向一個方向平面地交替鄰接而形成。
[0150] 用該變形例的激光加工裝置，不會產(chǎn)生單位區(qū)段13p、14p等的圖案的重疊或圖案 間的未加工區(qū)域，因此得到能夠提高第1透明導(dǎo)電元件1等的特性這一優(yōu)點。
[0151] <2.第2實施方式>
[透明導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)] 圖13A是示出本技術(shù)的第2實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平面 圖。第2實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件1，在還具備在透明電極部13及透明絕緣部 14的邊界部具有邊界圖案的單位區(qū)段15p的點上，與第1實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電 元件1不同。
[0152] 單位區(qū)段15p例如朝向Y軸方向（即邊界部的延伸方向）以周期Ty反復(fù)設(shè)置。圖 13A中，作為例子示出單位區(qū)段15p為1種的情況，但使單位區(qū)段15p為2種以上也可以。 在該情況下，能使同一種單位區(qū)段15p在Y軸方向周期地或隨機地重復(fù)。
[0153] 單位區(qū)段15p的形狀只要是能在邊界部無間隙地反復(fù)設(shè)置的形狀即可，并沒有特 別限定，若進行例示，則可舉出三角形狀、四角形狀、六角形狀或八角形狀等的多邊形狀或 不定形狀等。
[0154] 單位區(qū)段15p如圖13A所示，具有設(shè)有隨機的形狀圖案的邊界部。通過這樣在邊 界部設(shè)置隨機的形狀圖案，能夠抑制邊界部的視覺辨認(rèn)。作為邊界部的形狀圖案，也可采用 與上述第1實施方式相同的圖案，也可以是透明電極部13及透明絕緣部14的隨機圖案的 圖案要素以外的形狀。
[0155] 單位區(qū)段15p具備第1區(qū)段15a和第2區(qū)段15b，兩區(qū)段在邊界L接合。第1區(qū)段 15a例如是透明電極部13的單位區(qū)段13p的一部分。另一方面，第2區(qū)段15b例如是透明 絕緣部14的單位區(qū)段14p的一部分。具體而言，第1區(qū)段15a是由邊界L將單位區(qū)段13p 部分切斷的區(qū)段，其切斷邊與透明電極部13側(cè)的邊界L相切設(shè)置。另一方面，第2區(qū)段15b 是由邊界L將單位區(qū)段14p部分切斷的區(qū)段，其切斷邊與透明絕緣部14側(cè)的邊界L相切而 設(shè)置。
[0156] 此外，圖13A中，示出單位區(qū)段15p的第1區(qū)段15a及第2區(qū)段15b分別由單位區(qū) 段13p及單位區(qū)段14p的一半構(gòu)成的例子。構(gòu)成第1區(qū)段15a及第2區(qū)段15b的單位區(qū)段 13p及單位區(qū)段14p的大小并不限定于此，而是兩者的大小可任意選擇。另外，作為第1區(qū) 段15a及第2區(qū)段15b的隨機圖案，單位區(qū)段13p及單位區(qū)段14p也可使用不同的隨機圖 案。也可替代第1區(qū)段15a及第2區(qū)段15b的隨機圖案，使用規(guī)則圖案。
[0157] [激光加工裝置] 除上述第1實施方式中的第1掩模53及第2掩模54之外，激光加工裝置的掩模部42 還在透明電極部13及透明絕緣部14的邊界部具備用于制作邊界圖案的第3掩模。
[0158] 掩模部42具有能通過控制裝置（圖示省略)等來切換第1掩模53、第2掩模54和 第3掩模的結(jié)構(gòu)。因此，用激光加工裝置，能夠連續(xù)地反復(fù)形成透明電極部13、透明絕緣部 14和它們的邊界部。此外，在作為單位區(qū)段15p具備2種以上的單位區(qū)段15p的情況下，只 要掩模部42具備2種以上的第3掩模即可。
[0159] 圖13B是示出用于在透明電極部13及透明絕緣部14的邊界部制作邊界圖案的 第3掩模的一構(gòu)成例的平面圖。第3掩模55如圖13B所示，具備第1區(qū)段55a及第2區(qū)段 55b，兩區(qū)段在邊界L接合。第1區(qū)段55a例如是第1掩模53的一部分。另一方面，第2區(qū) 段55b例如是第2掩模54的一部分。具體而言，第1區(qū)段55a是由邊界L將第1掩模53 部分切斷的區(qū)段，其切斷邊與邊界L的一側(cè)相切而設(shè)置。另一方面，第2區(qū)段55b是由邊界 L將第2掩模54部分切斷的區(qū)段，其切斷邊與邊界L的另一側(cè)相切而設(shè)置。
[0160] 此外，圖13B中，示出第3掩模55的第1區(qū)段55a及第2區(qū)段55b分別由第1掩 模53及第2掩模54的一半構(gòu)成的例子。分別構(gòu)成第1區(qū)段55a及第2區(qū)段55b的第1掩 模53p及第2掩模54的大小并不限定于此，而是兩者的大小可任意選擇。另外，作為第1 區(qū)段55a及第2區(qū)段55b的隨機圖案，也可使用與第1掩模53及第2掩模54不同的隨機 圖案。也可替代第1掩模53及第2掩模54的隨機圖案，使用規(guī)則圖案。
[0161] [透明導(dǎo)電元件的制造方法] 第2實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的制造方法，在透明電極部及透明絕緣部的 形成工序，在第1激光加工工序及第2激光加工工序之間，還具備第3激光加工工序的點 上，與第1實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的制造方法不同。第3激光加工工序是用 于在透明電極部13及透明絕緣部14的邊界部制作邊界圖案的工序。以下，說明第3激光 加工工序。
[0162] (第3激光加工工序） 經(jīng)由第3掩模55對透明導(dǎo)電基體材料la的透明導(dǎo)電層12照射激光，在透明導(dǎo)電層12 的表面形成照射部。由此，邊界部的單位區(qū)段15p得以形成。一邊使照射部在Y軸方向（即 邊界部的延伸方向）以周期Ty移動，一邊依次反復(fù)進行該操作。由此，單位區(qū)段15p在Y軸 方向反復(fù)周期性地形成，得到設(shè)有隨機的形狀圖案的邊界部。
[0163] 在第2實施方式中，除上述以外的情況，與第1實施方式相同。
[0164] <3.第3實施方式>
[透明導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)] (透明電極部、透明絕緣部） 圖14A是示出第1透明導(dǎo)電元件的透明電極部的一構(gòu)成例的平面圖。圖15A是示出透 明電極部的單位區(qū)段的一構(gòu)成例的平面圖。圖15B是沿圖15A所示的A-A線的截面圖。透 明電極部13是具有孔部13a的規(guī)則圖案的單位區(qū)段13p被反復(fù)設(shè)置的透明導(dǎo)電層12。
[0165] 圖14B是示出第1透明導(dǎo)電元件的透明絕緣部的一構(gòu)成例的平面圖。圖15C是示 出透明絕緣部的單位區(qū)段的一構(gòu)成例的平面圖。圖是沿圖15C所示的A-A線的截面圖。 透明絕緣部14是具有島部14a的規(guī)則圖案的單位區(qū)段14p被反復(fù)設(shè)置的透明導(dǎo)電層12。
[0166] (邊界部） 在透明電極部13與透明絕緣部14的邊界部，設(shè)有規(guī)則的形狀圖案。通過這樣在邊界 部設(shè)置規(guī)則的形狀圖案，能夠抑制邊界部的視覺辨認(rèn)。
[0167] 圖16是示出邊界部的形狀圖案的一個例子的平面圖。邊界部的形狀圖案優(yōu)選包 含透明電極部13及透明絕緣部14的至少一個規(guī)則圖案的圖案要素的整體和/或一部分。 更具體而言，邊界部的形狀圖案優(yōu)選包含從由孔部13a的整體、孔部13a的一部分、島部14a 的整體及島部14a的一部分構(gòu)成的組中選擇的1種以上的形狀。
[0168] 單位區(qū)段13p優(yōu)選作為規(guī)則圖案的圖案要素的孔部13a相切或具有切斷的邊，該 邊以與透明電極部13及透明絕緣部14的邊界L相切或大致相切的方式設(shè)置。
[0169] 單位區(qū)段14p優(yōu)選作為規(guī)則圖案的圖案要素的島部14a相切或具有切斷的邊，該 邊以與透明電極部13及透明絕緣部14的邊界L相切或大致相切的方式設(shè)置。
[0170] 此外，在圖16中，示出邊界部的形狀圖案包含透明電極部13及透明絕緣部14雙 方的規(guī)則圖案的一部分的例子。更具體而言，示出邊界部的形狀圖案包含孔部13a及島部 14a雙方的一部分的例子。該例中，邊界部所包含的孔部13a的一部分，具有孔部13a部分 地被邊界L切斷的形狀，其切斷邊與透明電極部13側(cè)的邊界L相切而設(shè)置。另一方面，邊 界部所包含的島部14a的一部分，具有島部14a被邊界L部分切斷的形狀，其切斷邊與透明 絕緣部14側(cè)的邊界L相切而設(shè)置。
[0171] [透明導(dǎo)電元件的制造方法] 第3實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的制造方法中，作為第1掩模53,使用具有分 開而以規(guī)則圖案設(shè)置的多個孔部(光透射要素）53a的掩模。作為第2掩模54,使用具有分 開而以規(guī)則圖案設(shè)置的多個遮光部(遮光要素）54a的掩模。
[0172] 第3實施方式中除上述以外的情況，與第1實施方式相同。
[0173] <4.第4實施方式>
[透明導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)] 圖17A是示出本技術(shù)的第4實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平面 圖。第4實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件1，在還具備在透明電極部13及透明絕緣部 14的邊界部具有邊界圖案的單位區(qū)段15p的點上，與第3實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電 元件1不同。
[0174] 單位區(qū)段15p如圖17A所示，具有設(shè)有規(guī)則的形狀圖案的邊界部。通過這樣在邊 界部設(shè)置規(guī)則的形狀圖案，能夠抑制邊界部的視覺辨認(rèn)。作為邊界部的形狀圖案，也可采用 與上述第3實施方式相同的圖案，但也可以是透明電極部13及透明絕緣部14的規(guī)則圖案 的圖案要素以外的形狀。
[0175] 此外，圖17A中，示出單位區(qū)段15p的第1區(qū)段15a及第2區(qū)段15b分別由單位區(qū) 段13p及單位區(qū)段14p的一半構(gòu)成的例子。分別構(gòu)成第1區(qū)段15a及第2區(qū)段15b的單位 區(qū)段13p及單位區(qū)段14p的大小并不限定于此，而是兩者的大小可任意選擇。另外，作為第 1區(qū)段15a及第2區(qū)段15b的規(guī)則圖案，也可使用與單位區(qū)段13p及單位區(qū)段14p不同的規(guī) 則圖案。也可替代第1區(qū)段15a及第2區(qū)段15b的規(guī)則圖案，使用隨機圖案。
[0176] [激光加工裝置] 除上述第3實施方式中的第1掩模53及第2掩模54之外，激光加工裝置的掩模部42 還具備用于在透明電極部13及透明絕緣部14的邊界部制作邊界圖案的第3掩模。
[0177] 圖17B是示出用于在透明電極部13及透明絕緣部14的邊界部制作邊界圖案的 第3掩模的一構(gòu)成例的平面圖。第3掩模55如圖17B所示，具備第1區(qū)段55a及第2區(qū)段 55b，兩區(qū)段在邊界L接合。
[0178] 此外，圖17B中，示出第3掩模55的第1區(qū)段55a及第2區(qū)段55b分別由第1掩 模53及第2掩模54的一半構(gòu)成的例子。分別構(gòu)成第1區(qū)段55a及第2區(qū)段55b的第1掩 模53及第2掩模54的大小并不限定于此，而是兩者的大小可任意選擇。另外，作為第1區(qū) 段55a及第2區(qū)段55b的規(guī)則圖案，也可使用與第1掩模53及第2掩模54不同的規(guī)則圖 案。也可替代第1掩模53及第2掩模54的規(guī)則圖案，使用隨機圖案。
[0179] [透明導(dǎo)電元件的制造方法] 第4實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的制造方法，除了使用上述激光加工裝置以 外的情況，與第2實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的制造方法相同。
[0180] 關(guān)于第4實施方式除了上述以外的情況，與第2實施方式相同。
[0181] <5.第5實施方式>
[透明導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)] (透明電極部、透明絕緣部） 圖18是示出本技術(shù)的第5實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平面圖。 第5實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件1如圖18所示，在具備連續(xù)設(shè)置的透明導(dǎo)電層12 作為透明電極部13的點上，與第1實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件不同。
[0182] 透明電極部13,是沒有在第1區(qū)域（電極區(qū)域）&由孔部13a露出基體材料11的 表面、連續(xù)設(shè)置的透明導(dǎo)電層(連續(xù)膜）12。但是，第1區(qū)域（電極區(qū)域）&與第2區(qū)域(絕緣 區(qū)域）R 2的邊界部除外。作為連續(xù)膜的透明導(dǎo)電層12,優(yōu)選具有大致一樣的膜厚。
[0183] (邊界部） 在透明電極部13與透明絕緣部14的邊界部，設(shè)有隨機的形狀圖案。通過這樣在邊界 部設(shè)置隨機的形狀圖案，能夠抑制邊界部的視覺辨認(rèn)。
[0184] 邊界部的形狀圖案包含從由島部14a的整體及島部14a的一部分構(gòu)成的組中選擇 的1種以上的形狀。具體而言例如，邊界部的形狀圖案包含島部14a的整體、島部14a的一 部分或島部14a的整體及一部分雙方。
[0185] 在圖18中，示出邊界部的形狀圖案包含島部14a的一部分的例子。該例中，邊界 部所包含的島部14a的一部分例如具有島部14a由邊界L部分切斷的形狀，其切斷邊與透 明絕緣部14側(cè)的邊界L相切而設(shè)置。
[0186] [透明導(dǎo)電元件的制造方法] 在第4實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件1的制造方法中，省略第1激光加工工序， 僅反復(fù)進行第2激光加工工序的點上，與第1實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件1的制 造方法不同。通過僅反復(fù)進行第2激光加工工序，與透明導(dǎo)電層12的第2區(qū)域(透明絕緣 部14的形成區(qū)域）R 2被構(gòu)圖相對，透明導(dǎo)電層12的第1區(qū)域(透明電極部13的形成區(qū)域） 札未被構(gòu)圖，透明導(dǎo)電層12作為連續(xù)膜殘留。
[0187] 關(guān)于第5實施方式除了上述以外的情況，與第1實施方式相同。
[0188] <6.第6實施方式>
[透明導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)] (透明電極部、透明絕緣部） 圖19A是示出本技術(shù)的第6實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平面 圖。第6實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件1，在還在透明電極部13及透明絕緣部14的 邊界部具備具有邊界圖案的單位區(qū)段15p的點上，與第5實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電 元件1不同。
[0189] 單位區(qū)段15p如圖19A所示，具有設(shè)有隨機的形狀圖案的邊界部。通過這樣在邊 界部設(shè)置隨機的形狀圖案，能夠抑制邊界部的視覺辨認(rèn)。作為邊界部的形狀圖案，也可采用 與上述第5實施方式同樣的圖案，但也可以是透明電極部13及透明絕緣部14的規(guī)則圖案 的圖案要素以外的形狀。
[0190] 此外，圖19A中，示出單位區(qū)段15p的第1區(qū)段15a及第2區(qū)段15b分別由單位區(qū) 段13p (由于是連續(xù)膜所以是假想的單位區(qū)段)及單位區(qū)段14p的一半構(gòu)成的例子。分別構(gòu) 成第1區(qū)段15a及第2區(qū)段15b的單位區(qū)段13p及單位區(qū)段14p的大小并不限定于此，而 是兩者的大小可任意選擇。另外，作為第2區(qū)段15b的規(guī)則圖案，也可使用與單位區(qū)段14p 不同的規(guī)則圖案。也可替代第2區(qū)段15b的隨機圖案，使用規(guī)則圖案。
[0191] [激光加工裝置] 除上述第5實施方式中的第1掩模53及第2掩模54之外，激光加工裝置的掩模部42 還在透明電極部13及透明絕緣部14的邊界部具備用于制作邊界圖案的第3掩模。
[0192] 圖19B是示出用于在透明電極部13及透明絕緣部14的邊界部制作邊界圖案的 第3掩模的一構(gòu)成例的平面圖。第3掩模55如圖19B所示，具備第1區(qū)段55a及第2區(qū)段 55b，兩區(qū)段在邊界L接合。
[0193] 此外，圖19B中，示出第3掩模55的第1區(qū)段55a及第2區(qū)段55b分別由第1掩 模53及第2掩模54的一半構(gòu)成的例子。分別構(gòu)成第1區(qū)段55a及第2區(qū)段55b的第1掩 模53及第2掩模54的大小并不限定于此，而是兩者的大小可任意選擇。另外，作為第2區(qū) 段55b的隨機圖案，也可使用與第2掩模54不同的規(guī)則圖案。也可替代第2掩模54的隨 機圖案，使用規(guī)則圖案。
[0194] [透明導(dǎo)電元件的制造方法] 第6實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的制造方法，除了使用上述激光加工裝置以 外的情況，與第5實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的制造方法相同。
[0195] 關(guān)于第6實施方式除了上述以外的情況，與第5實施方式相同。
[0196] <7.第7實施方式>
[透明導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)] 圖20A是示出本技術(shù)的第7實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平面 圖。透明電極部13是具有孔部13a的隨機圖案的單位區(qū)段13p被反復(fù)設(shè)置的透明導(dǎo)電層 12。具體而言，透明電極部13的結(jié)構(gòu)與第1實施方式中的透明電極部13相同。透明絕緣 部14是具有島部14a的規(guī)則圖案的單位區(qū)段14p被反復(fù)設(shè)置的透明導(dǎo)電層12。具體而言， 透明絕緣部14的結(jié)構(gòu)與第3實施方式所涉及的透明絕緣部14相同。
[0197] 如圖20B所示，在透明電極部13與透明絕緣部14之間還具備具有邊界圖案的單 位區(qū)段15p也可以。
[0198] 關(guān)于第7實施方式除了上述以外的情況，與第1實施方式相同。
[0199] <8.第8實施方式>
[透明導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)] 圖21A是示出本技術(shù)的第8實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平面 圖。透明電極部13是具有孔部13a的規(guī)則圖案的單位區(qū)段13p被反復(fù)設(shè)置的透明導(dǎo)電層 12。具體而言，透明電極部13的結(jié)構(gòu)與第3實施方式中的透明電極部13相同。透明絕緣 部14是具有島部14a的隨機圖案的單位區(qū)段14p被反復(fù)設(shè)置的透明導(dǎo)電層12。具體而言， 透明絕緣部14的結(jié)構(gòu)與第1實施方式所涉及的透明絕緣部14相同。
[0200] 如圖21B所示，在透明電極部13和透明絕緣部14之間還具備具有邊界圖案的單 位區(qū)段15p也可以。
[0201] 關(guān)于第8實施方式除了上述以外的情況，與第1實施方式相同。
[0202] < 9.第9實施方式>
[透明導(dǎo)電元件的結(jié)構(gòu)] 圖22A是示出本技術(shù)的第9實施方式所涉及的第1透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平面 圖。圖22B是示出本技術(shù)的第9實施方式所涉及的第2透明導(dǎo)電元件的一構(gòu)成例的平面圖。 關(guān)于第9實施方式，透明電極部13、透明絕緣部14、透明電極部23及透明絕緣部24的結(jié)構(gòu) 以外，與第1實施方式相同。
[0203] 透明電極部13具備多個焊盤部（單位電極體）13m和將多個焊盤部13m彼此連結(jié) 的多個連結(jié)部13η。連結(jié)部13η在X軸方向延伸，將相鄰的焊盤部13m的端部彼此連結(jié)。焊 盤部13m與連結(jié)部13η被整體地形成。
[0204] 透明電極部23具備多個焊盤部（單位電極體）23m和將多個焊盤部23m彼此連結(jié) 的多個連結(jié)部23η。連結(jié)部23η在Y軸方向延伸，將相鄰的焊盤部23m的端部彼此連結(jié)。焊 盤部23m與連結(jié)部23η被整體地形成。
[0205] 作為焊盤部13m及焊盤部23m的形狀，能夠使用例如菱形(金剛石形）或矩形等的 多邊形狀、星形及十字形等，但并沒有限定于這些形狀。
[0206] 作為連結(jié)部13η及連結(jié)部23η的形狀能夠采用矩形狀，但連結(jié)部13η及連結(jié)部23η 的形狀只要是可將相鄰的焊盤部13m及焊盤部23m彼此連結(jié)的形狀即可，并未特別限定于 矩形狀。作為矩形狀以外的形狀的例，能夠舉出線狀、長圓狀、三角形狀、不定形狀等。
[0207] 為了進一步提高非視覺辨認(rèn)性，優(yōu)選設(shè)定將第1透明導(dǎo)電元件（X電極)1與第2透 明導(dǎo)電元件（Y電極）2的雙方重疊狀態(tài)下的兩元件的覆蓋率的關(guān)系。
[0208] 關(guān)于第9實施方式除了上述以外的情況，與第1實施方式相同。
[0209] [效果] 依據(jù)第9實施方式，能夠得到與第1實施方式相同的效果。
[0210] < 10.第10實施方式>
[信息輸入裝置的結(jié)構(gòu)] 圖23是示出本技術(shù)的第10實施方式所涉及的信息輸入裝置的一構(gòu)成例的截面圖。第 10實施方式所涉及的信息輸入裝置10,在基體材料21的一個主面(第1主面）具備透明導(dǎo) 電層12,在另一個主面(第2主面)具備透明導(dǎo)電層22的點上，與第1實施方式所涉及的信 息輸入裝置10不同。透明導(dǎo)電層12具備透明電極部和透明絕緣部。透明導(dǎo)電層22具備 透明電極部和透明絕緣部。透明導(dǎo)電層12的透明電極部是在X軸方向延伸的X電極部，透 明導(dǎo)電層22的透明電極部是在Y軸方向延伸的Y電極部。因此，透明導(dǎo)電層12及透明導(dǎo) 電層22的透明電極部處于互相正交的關(guān)系。
[0211] 關(guān)于第10實施方式除了上述以外的情況，與第1實施方式相同。
[0212] [效果] 依據(jù)第10實施方式，能夠在第1實施方式的效果之外進一步得到以下的效果。即，在 基體材料21的一個主面設(shè)置透明導(dǎo)電層12,在另一個主面設(shè)置透明導(dǎo)電層22,因此能夠省 略第1實施方式中的基體材料11 (圖1)。因此，能夠使信息輸入裝置10進一步薄型化。
[0213] < 11.第11實施方式>
[信息輸入裝置的結(jié)構(gòu)] 圖24A是示出本技術(shù)的第11實施方式所涉及的信息輸入裝置的一構(gòu)成例的平面圖。圖 24B是沿圖24A所示的A-A線的截面圖。信息輸入裝置10是所謂的投影型靜電電容方式觸 摸面板，如圖24A及圖24B所示，具備基體材料11、多個透明電極部13及透明電極部23、透 明絕緣部14以及透明絕緣層51。多個透明電極部13及透明電極部23,設(shè)在基體材料11 的相同表面。透明絕緣部14設(shè)在基體材料11的面內(nèi)方向上的透明電極部13及透明電極 部23之間。透明絕緣層51介于透明電極部13及透明電極部23的交叉部間。
[0214] 另外，如圖24B所示，根據(jù)需要，在形成有透明電極部13及透明電極部23的基體 材料11的表面還具備光學(xué)層52也可以。此外，圖24A中，省略光學(xué)層52的記載。光學(xué)層 52具備貼合層56和基體57,基體57經(jīng)由貼合層56貼合于基體材料11的表面。信息輸入 裝置10是對于顯示裝置的顯示面適用的合適的裝置。基體材料11及光學(xué)層52例如對于 可見光具有透明性，其折射率η優(yōu)選為1. 2以上1. 7以下的范圍內(nèi)。以下，將在信息輸入裝 置10的表面的面內(nèi)互相正交的2個方向分別設(shè)為X軸方向及Υ軸方向，將垂直于該表面的 方向稱作Ζ軸方向。
[0215] (透明電極部） 透明電極部13在基體材料11的表面在X軸方向(第1方向)延伸，與此相對，透明電極 部23在基體材料11的表面朝向Υ軸方向(第2方向)延伸。因此，透明電極部13與透明電 極部23互相正交交叉。在透明電極部13與透明電極部23交叉的交叉部C，介入有用于將 兩電極間絕緣的透明絕緣層51。在透明電極部13及透明電極部23的一端分別電連接取出 電極，該取出電極與驅(qū)動電路經(jīng)由FPC (Flexible Printed Circuit :柔性印刷電路）連接。
[0216] 圖25A是放大示出圖24A所示的交叉部C附近的平面圖。圖25B是沿圖25A所示 的A-A線的截面圖。透明電極部13具備多個焊盤部(單位電極體）13m和多個焊盤部13m 彼此連結(jié)的多個連結(jié)部13η。連結(jié)部13η在X軸方向延伸，將相鄰的焊盤部13m的端部彼此 連結(jié)。透明電極部23具備多個焊盤部(單位電極體）23m和多個焊盤部23m彼此連結(jié)的多 個連結(jié)部23η。連結(jié)部23η在Y軸方向延伸，將相鄰的焊盤部23m的端部彼此連結(jié)。
[0217] 在交叉部C，連結(jié)部23η、透明絕緣層51、連結(jié)部13η以此順序?qū)盈B于基體材料11 的表面。連結(jié)部13η以橫斷跨過透明絕緣層51的方式形成，跨過透明絕緣層51的連結(jié)部 13η的一端，與相鄰的焊盤部13m的一個電連接，跨過透明絕緣層51的連結(jié)部13η的另一 端，與相鄰的焊盤部13m的另一個電連接。
[0218] 焊盤部23m與連結(jié)部23η整體地形成，與此相對，焊盤部13m與連結(jié)部13η分別形 成。焊盤部13m、焊盤部23m、連結(jié)部23η及透明絕緣部14,例如由設(shè)在基體材料11的表面 的單層的透明導(dǎo)電層12構(gòu)成。連結(jié)部13η例如由導(dǎo)電層構(gòu)成。
[0219] 作為焊盤部13m及焊盤部23m的形狀，能夠使用例如菱形(金剛石形）或矩形等的 多邊形狀、星形及十字形等，但并不限定于這些形狀。
[0220] 作為構(gòu)成連結(jié)部13η的導(dǎo)電層，能夠使用例如金屬層或透明導(dǎo)電層。金屬層包含 金屬作為主成分。作為金屬，優(yōu)選使用導(dǎo)電性高的金屬，作為這樣的材料，可舉出例如Ag、 Al、Cu、Ti、Nb、添加雜質(zhì)的Si等，但若考慮導(dǎo)電性的高低以及成膜性及印刷性等，則優(yōu)選 Ag。優(yōu)選通過使用導(dǎo)電性高的金屬作為金屬層的材料，從而使連結(jié)部13η的寬度變窄，使其 厚度變薄，使其長度變短。由此能夠提高視覺辨認(rèn)性。
[0221] 作為連結(jié)部13η及連結(jié)部23η的形狀能夠采用矩形狀，但只要連結(jié)部13η及連結(jié) 部23η的形狀是能將相鄰的焊盤部13m及焊盤部23m彼此連結(jié)的形狀即可，并沒有特別限 定于矩形狀。作為矩形狀以外的形狀的例子，能夠舉出線狀、長圓狀、三角形狀、不定形狀 等。
[0222] (透明絕緣層） 透明絕緣層51優(yōu)選具有比連結(jié)部13η與連結(jié)部23η交叉的部分更大的面積，例如，具 有蓋上位于交叉部C的焊盤部13m及焊盤部23m的前端程度的大小。
[0223] 透明絕緣層51包含透明絕緣材料作為主成分。作為透明絕緣材料，優(yōu)選使用具有 透明性的高分子材料，作為這樣的材料，可舉出例如聚甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸甲酯和 其他烷基（甲基）丙烯酸酯、苯乙烯等這樣的與乙烯基單體的共聚物等的（甲基）丙烯酸類樹 脂；聚碳酸酯、二甘醇雙碳酸丙烯酸酯（CR-39)等的聚碳酸酯類樹脂；（溴化)雙酚A型二（甲 基）丙烯酸酯的均聚物或共聚物、（溴化）雙酚A單（甲基）丙烯酸酯的尿烷改性單體的聚合 物及共聚物等這樣的熱固化性（甲基）丙烯類樹脂；聚酯特別是聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚 萘二甲酸乙二醇酯及不飽和聚酯、丙烯腈一苯乙烯共聚物、聚氯乙烯、聚尿烷、環(huán)氧樹脂、聚 芳酯、聚醚砜、聚醚酮、環(huán)烯經(jīng)聚合物(商品名：ART0N、ZE0N0R)、環(huán)烯經(jīng)共聚物等。另外，還能 使用考慮了耐熱性的芳族聚酰胺類樹脂。在此，（甲基）丙烯酸酯意味著丙烯酸酯或甲基丙 稀fe醋。
[0224] 透明絕緣層51的形狀在交叉部C介于透明電極部13與透明電極部23之間，只要 是能防止兩電極的電接觸的形狀即可，并沒有特別限定，若進行例示，則能夠舉出四角形等 的多邊形、橢圓形、圓形等。作為四角形，可舉出例如長方形、正方形、菱形、梯形、平行四邊 形、角帶有曲率R的矩形狀。
[0225] 關(guān)于第11實施方式除上述以外的情況，與第1實施方式相同。
[0226] [效果] 依據(jù)第11實施方式，除第1實施方式的效果之外進而還能夠得到以下的效果。即，在 基體材料11的一個主面設(shè)有透明電極部13、23,因此能夠省略第1實施方式中的基體材料 21 (圖1)。因此，能夠使信息輸入裝置10進一步薄型化。
[0227] < 12.第12實施方式> 第12實施方式所涉及的電子設(shè)備，在顯示部具備第1?第11實施方式所涉及的信息 輸入裝置10的任一個。以下，說明本技術(shù)的第12實施方式所涉及的電子設(shè)備的例子。
[0228] 圖26是作為電子設(shè)備示出電視機200的例子的外觀圖。電視機200具備由前面 板202和濾波器玻璃203等構(gòu)成的顯示部201，在該顯示部201還具備第1?第11實施方 式所涉及的信息輸入裝置10的任一個。
[0229] 圖27A、圖27B是作為電子設(shè)備示出數(shù)碼相機的例子的外觀圖。圖27A是從正面?zhèn)?觀察數(shù)碼相機的外觀圖。圖27B是從背面?zhèn)扔^察數(shù)碼相機的外觀圖。數(shù)碼相機210具備閃 光燈用的發(fā)光部211、顯示部212、菜單開關(guān)213、快門按鈕214等，在該顯示部212具備第 1?第11實施方式所涉及的信息輸入裝置10的任一個。
[0230] 圖28是作為電子設(shè)備示出筆記本型個人計算機的例子的外觀圖。筆記本型個人 計算機220在主體221具備輸入字符等時操作的鍵盤222、顯示圖像的顯示部223等，在該 顯示部223具備第1?第11實施方式所涉及的信息輸入裝置10的任一個。
[0231] 圖29是作為電子設(shè)備示出攝像機的例子的外觀圖。攝像機230具備主體部231、 在朝向前方的側(cè)面的拍照對象攝影用的透鏡232、攝影時的開始/停止開關(guān)233、顯示部234 等，在該顯示部234具備第1?第11實施方式所涉及的信息輸入裝置10的任一個。
[0232] 圖30是作為電子設(shè)備示出便攜終端裝置的例子的外觀圖。便攜終端裝置例如是 便攜電話機，具備上側(cè)殼體241、下側(cè)殼體242、連結(jié)部(在此為鉸接部）243、顯示部244,在 該顯示部244具備第1?第11實施方式所涉及的信息輸入裝置10的任一個。
[0233] [效果] 以上說明的第12實施方式所涉及的電子設(shè)備，具備第1?第11實施方式所涉及的信 息輸入裝置10的任一個，因此能夠抑制在顯示部的信息輸入裝置10的視覺辨認(rèn)。
[0234] [實施例] 以下，通過實施例來具體說明本技術(shù)，但本技術(shù)并沒有僅限定于這些實施例。參照附圖 的同時按以下的順序說明本技術(shù)的實施例。
[0235] 1.實施例1 (將激光照射面積設(shè)為小的例子） 2. 實施例2 (將激光照射面積設(shè)為大的例子） 3. 實施例3 (使激光的照射次數(shù)變化的例子） 4. 實施例4 (使激光的能量密度變化的例子） 5. 實施例5 (使激光的照射次數(shù)或能量密度變化的例子） 6. 實施例6 (構(gòu)圖有非導(dǎo)通部的例子） 7. 實施例7 (將最接近距離設(shè)為一定值的例子） 8. 實施例8 (將導(dǎo)電材料覆蓋率設(shè)為一定值的例子） 9. 比較例8 (將導(dǎo)電材料覆蓋率設(shè)為一定值、用濕蝕刻進行了加工的例子） 10. 實施例9 (激光構(gòu)圖的高速度化的一個例子） < 1.實施例1 (將激光照射面積設(shè)為小的例子）> (實施例1-1?1-7) 首先，利用涂敷法在厚度125 μ m的PET片的表面形成包含銀納米線的透明導(dǎo)電層，從 而得到透明導(dǎo)電片。接著，利用4探針法測定了該透明導(dǎo)電片的表面電阻。此外，作為測定 裝置，使用了株式會社三菱化學(xué)ANALYTECH制、Loresta-EP，MCP-T360型。其結(jié)果，表面電 阻為 200 Ω / □。
[0236] 接著，使用圖7所示的激光加工裝置，通過激光加工工序(第1激光加工工序)，對 透明導(dǎo)電片的透明導(dǎo)電層進行了構(gòu)圖。具體而言，經(jīng)由掩模(第1掩模）對透明導(dǎo)電片的透 明導(dǎo)電層照射激光，在透明導(dǎo)電層的表面形成正方形狀的激光照射部，并且使激光照射部 沿X軸方向及Y軸方向移動。
[0237] 作為掩模，使用具有點狀（圓形狀）的多個孔部分開而以隨機圖案設(shè)置在玻璃表面 的遮光層的玻璃掩模。此外，對掩模的結(jié)構(gòu)及激光加工裝置的加工倍率進行了調(diào)整，使得激 光對于透明導(dǎo)電片的照射面積、透明導(dǎo)電層的孔部的直徑的最大值、透明導(dǎo)電層的孔部間 的最接近距離以及透明導(dǎo)電層(透明導(dǎo)電材料）的覆蓋率成為表1所示的值。另外，作為激 光使用UV激光(波長248nm的KrF受激準(zhǔn)分子激光)，在同一位置進行了 4次激光的照射。 此外，將激光強度調(diào)整為200mJ/cm2。
[0238] 通過以上方式，得到作為目的的透明導(dǎo)電片。
[0239] < 2.實施例2 (將激光照射面積設(shè)為大的例子）> (實施例2-1?2-6) 除了調(diào)整了掩模的結(jié)構(gòu)及激光加工裝置的加工倍率，使得激光對于透明導(dǎo)電片的照射 面積、透明導(dǎo)電層的孔部之間直徑的最大值、透明導(dǎo)電層的孔部間的最接近距離以及透明 導(dǎo)電層(透明導(dǎo)電材料）的覆蓋率成為表1所示的值以外，與實施例1-1?1-7相同而得到 透明導(dǎo)電片。
[0240] < 3.實施例3 (使激光的照射次數(shù)變化的例子）> (實施例3-1?3-10) 調(diào)整了掩模的結(jié)構(gòu)及激光加工裝置的加工倍率，使得激光對于透明導(dǎo)電片的照射面 積、透明導(dǎo)電層的孔部的直徑的最大值、透明導(dǎo)電層的孔部間的最接近距離以及透明導(dǎo)電 層(透明導(dǎo)電材料）的覆蓋率成為表1所示的值。另外，對每個樣本使在同一位置的激光的 照射次數(shù)如表1所示地變化。上述以外與實施例1-1?1-7相同而得到透明導(dǎo)電片。
[0241] (圖案視覺辨認(rèn)的評價） 關(guān)于如上所述而得到的透明導(dǎo)電片，對點形狀(孔部形狀）及單位區(qū)段形狀(格子狀）的 圖案視覺辨認(rèn)評價如下。首先，透明導(dǎo)電片的透明導(dǎo)電層側(cè)面經(jīng)由粘著片以與畫面對置的 方式粘合在對角3. 5英寸的液晶顯示器上。接著，在透明導(dǎo)電片的基體材料（PET片)側(cè)，經(jīng) 由粘著片將AR (Anti Reflect:防止反射）膜粘合。隨后，使液晶顯示器進行黑顯示或綠色 顯示，通過目視來觀察顯示面，對點形狀及單位區(qū)段形狀的圖案視覺辨認(rèn)進行了評價。表1 示出其結(jié)果。
[0242] 以下示出點形狀及單位區(qū)段形狀的圖案視覺辨認(rèn)的評價基準(zhǔn)。
[0243] <點形狀的視覺辨認(rèn)> 〇：不能視覺辨認(rèn)點形狀； X :能視覺辨認(rèn)點形狀。
[0244] <單位區(qū)段形狀的視覺辨認(rèn)> 〇：不能視覺辨認(rèn)單位區(qū)段形狀； X :能視覺辨認(rèn)單位區(qū)段形狀。
[0245] 圖31A示出通過顯微鏡觀察實施例1-5的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果。圖31B示出通 過顯微鏡觀察實施例2-1的透明導(dǎo)電片表面的結(jié)果。
[0246] [表 1]
【權(quán)利要求】
1. 一種透明導(dǎo)電元件，具備： 具有表面的基體材料，以及 在所述表面平面地交替設(shè)置的透明導(dǎo)電部及透明絕緣部， 在所述透明導(dǎo)電部及所述透明絕緣部的至少一個，重復(fù)具有隨機圖案的至少1種單位 區(qū)段。
2. 如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電元件，所述透明導(dǎo)電部及所述透明絕緣部的邊界部包 含所述隨機圖案的一部分。
3. 如權(quán)利要求2所述的透明導(dǎo)電元件，關(guān)于所述單位區(qū)段，所述隨機圖案的圖案要素 相切或具有切斷的邊， 所述邊設(shè)在所述透明導(dǎo)電部及所述透明絕緣部的邊界。
4. 如權(quán)利要求1?3的任一項所述的透明導(dǎo)電元件，在所述透明導(dǎo)電部及所述透明絕 緣部的邊界部，重復(fù)具有邊界圖案的單位區(qū)段。
5. 如權(quán)利要求1?4的任一項所述的透明導(dǎo)電元件，所述透明導(dǎo)電部的隨機圖案是分 開而設(shè)置的多個絕緣要素的圖案， 所述透明絕緣部的隨機圖案是分開而設(shè)置的多個導(dǎo)電要素的圖案。
6. 如權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電元件，所述絕緣要素是孔部， 所述導(dǎo)電要素是島部。
7. 如權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電元件，所述絕緣要素及所述導(dǎo)電要素具有點狀。
8. 如權(quán)利要求5所述的透明導(dǎo)電元件，所述絕緣要素具有點狀，所述導(dǎo)電要素間的間 隙部具有網(wǎng)狀。
9. 如權(quán)利要求1?8的任一項所述的透明導(dǎo)電元件，所述透明導(dǎo)電部及所述透明絕緣 部包含金屬線。
10. 如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電元件，在所述透明導(dǎo)電部，透明導(dǎo)電層連續(xù)設(shè)置， 在所述透明絕緣部，重復(fù)具有隨機圖案的至少1種單位區(qū)段。
11. 一種輸入裝置，具備： 具有第1表面及第2表面的基體材料，以及 在所述第1表面及所述第2表面平面地交替設(shè)置的透明導(dǎo)電部及透明絕緣部， 在所述透明導(dǎo)電部及所述透明絕緣部的至少一個，重復(fù)具有隨機圖案的至少1種單位 區(qū)段。
12. -種輸入裝置，具備： 第1透明導(dǎo)電元件，以及 在所述第1透明導(dǎo)電元件的表面設(shè)置的第2透明導(dǎo)電元件， 所述第1透明導(dǎo)電元件及所述第2透明導(dǎo)電元件具備： 具有表面的基體材料，以及 在所述表面平面地交替設(shè)置的透明導(dǎo)電部及透明絕緣部， 在所述透明導(dǎo)電部及所述透明絕緣部的至少一個，重復(fù)具有隨機圖案的至少1種單位 區(qū)段。
13. -種電子設(shè)備，具備： 透明導(dǎo)電元件，包括具有第1表面及第2表面的基體材料以及在所述第1表面及所述 第2表面平面地交替設(shè)置的透明導(dǎo)電部及透明絕緣部， 在所述透明導(dǎo)電部及所述透明絕緣部的至少一個，重復(fù)具有隨機圖案的至少1種單位 區(qū)段。
14. 一種電子設(shè)備，具備： 第1透明導(dǎo)電元件，以及 在所述第1透明導(dǎo)電元件的表面設(shè)置的第2透明導(dǎo)電元件， 所述第1透明導(dǎo)電元件及所述第2透明導(dǎo)電元件具備： 具有第1表面及第2表面的基體材料，以及 在所述第1表面及所述第2表面平面地交替設(shè)置的透明導(dǎo)電部及透明絕緣部， 在所述透明導(dǎo)電部及所述透明絕緣部的至少一個，重復(fù)具有隨機圖案的至少1種單位 區(qū)段。
15. -種透明導(dǎo)電元件的制造方法，經(jīng)由具有隨機圖案的至少1種掩模對基體材料表 面的透明導(dǎo)電層照射光，來反復(fù)形成單位區(qū)段，從而在所述基體材料表面平面地交替形成 透明導(dǎo)電部及透明絕緣部。
16. 如權(quán)利要求15所述的透明導(dǎo)電元件的制造方法，經(jīng)由具有邊界圖案的至少1種掩 模對所述基體材料表面的透明導(dǎo)電層照射光，來反復(fù)形成單位區(qū)段，從而形成所述透明導(dǎo) 電部及所述透明絕緣部的邊界部。
17. 如權(quán)利要求15所述的透明導(dǎo)電元件的制造方法，一邊切換具有隨機圖案的2種掩 模，一邊在所述基體材料表面平面地交替形成透明導(dǎo)電部及透明絕緣部。
18. 如權(quán)利要求17所述的透明導(dǎo)電元件的制造方法，所述具有隨機圖案的2種掩模， 是具有多個遮光要素的隨機圖案的第1掩模，以及具有多個光透射要素的隨機圖案的第2 掩模。
19. 一種透明導(dǎo)電層的加工方法，經(jīng)由具有圖案的至少1種掩模對基體材料表面的透 明導(dǎo)電層照射光，來反復(fù)形成單位區(qū)段，從而在所述基體材料表面平面地交替形成透明導(dǎo) 電部及透明絕緣部。
【文檔編號】H01B5/14GK104054140SQ201380006590
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年1月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年1月24日
【發(fā)明者】井上純一, 水野干久 申請人:迪睿合電子材料有限公司