用于錨定定縫隙填充金屬的方法和材料的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明的一方面包括一種電子器件的制造方法。根據(jù)一種實施方式，所述方法包括提供具有與導(dǎo)電性表面區(qū)域相鄰的電介質(zhì)氧化物表面區(qū)域的襯底，以化學(xué)方式結(jié)合錨定化合物與所述電介質(zhì)氧化物表面區(qū)域從而形成錨定層，使用導(dǎo)電性表面區(qū)域使金屬開始生長，以及使金屬生長從而使所述錨定層還與金屬結(jié)合。所述錨定化合物具有至少一個能夠與氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團并且具有至少一個能夠與金屬形成化學(xué)鍵的官能團。本發(fā)明的另一方面為一種電子器件。本發(fā)明的第三方面為含有所述錨定化合物的溶液。
【專利說明】用于錨定定縫隙填充金屬的方法和材料

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本申請涉及2007年12月21日提交的Artur K0LICS的名稱為"用于非傳導(dǎo)性層 上的非電鍍層的活化溶液"的美國專利申請S/N 12/334, 460,該美國專利申請的全部內(nèi)容 通過引用并入本文。

【背景技術(shù)】
[0002] 本發(fā)明屬于諸如集成電路之類的電子器件的制造；更具體地，本發(fā)明涉及改善電 子器件的縫隙填充金屬和電介質(zhì)之間的粘附的方法和組合物。
[0003] 無電沉積是常用于制造電子器件的工藝。該工藝對于需要沉積金屬層的應(yīng)用特 別重要，所述沉積金屬層例如將縫隙金屬沉積在含有金屬表面區(qū)域和介質(zhì)表面區(qū)域的襯底 上，所述介質(zhì)表面區(qū)域例如鑲嵌器件和/或雙嵌入式器件的結(jié)構(gòu)。這種工藝還在諸如形成 與集成電路的金屬觸點形成電連接之類的應(yīng)用中使用。無電沉積工藝可易于在一些催化表 面或活化表面上進行。與催化表面或活化表面的粘附是令人滿意的。類似地，用于將金屬沉 積在金屬表面的化學(xué)氣相沉積工藝也可具有令人滿意的粘附作用。然而，通過無電沉積工 藝沉積的金屬和通過化學(xué)氣相沉積工藝沉積的金屬可能較差地附著在電介質(zhì)表面。因此， 沉積的金屬可能僅僅附著或者容納在襯底的金屬表面區(qū)域。相比于和電介質(zhì)表面的接觸， 這種表面可能只提供一小部分的接觸表面區(qū)域，且金屬與襯底的整體粘附可能不足以用于 隨后的處理。
[0004] 本領(lǐng)域需要改善諸如縫隙填充金屬之類的金屬與用于制造多種電子器件的電介 質(zhì)表面的粘附的方法和材料。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 本發(fā)明涉及電子器件，更具體地，本發(fā)明涉及電子器件的金屬化。本發(fā)明提供一種 或一種以上用于諸如制造包括集成電路在內(nèi)的半導(dǎo)體器件之類的制造電子器件的溶液和 方法的改良。
[0006] 本發(fā)明一方面包括制造電子器件的方法。根據(jù)一種實施方式，所述方法包括提供 具有與導(dǎo)電性表面區(qū)域相鄰的電介質(zhì)氧化物表面區(qū)域的襯底，以化學(xué)方式結(jié)合錨定化合物 和電介質(zhì)氧化物表面區(qū)域從而形成錨定層，通過使用導(dǎo)電性表面區(qū)域使金屬開始生長，以 及使金屬生長以使錨定層還與所述金屬結(jié)合。所述錨定化合物具有至少一個能夠與所述電 介質(zhì)氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團，并且具有至少一個能夠與所述金屬形成化學(xué)鍵的官 能團。本發(fā)明另一方面為電子器件。本發(fā)明的第三方面為含有錨定化合物的溶液。
[0007] 應(yīng)當(dāng)理解的是，本發(fā)明不限于其在下文列舉的或在附圖中說明的構(gòu)造細節(jié)和組件 配置方面的應(yīng)用。本發(fā)明還能夠具有其他實施方式，并且能夠以各種不同方式實踐和執(zhí)行。 此外，應(yīng)當(dāng)理解的是，本文使用的措辭和術(shù)語是為了描述本發(fā)明，而不應(yīng)視為限制本發(fā)明。
[0008] 因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員會理解的是，作為本發(fā)明公開內(nèi)容的基礎(chǔ)的構(gòu)思可易于用 作設(shè)計實施本發(fā)明各方面的其他結(jié)構(gòu)、方法和系統(tǒng)的基礎(chǔ)。因此，重要的是，應(yīng)該理解在不 背離本發(fā)明的主旨和范圍的情況下，權(quán)利要求包括這些等同的概念。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0009] 圖1為根據(jù)本發(fā)明的實施方式處理的襯底的橫截面的側(cè)視圖；
[0010] 圖2為根據(jù)本發(fā)明的實施方式處理的襯底的橫截面的側(cè)視圖；
[0011] 圖3為根據(jù)本發(fā)明的實施方式處理的襯底的橫截面的側(cè)視圖；
[0012] 本領(lǐng)域技術(shù)人員理解出于簡明的目的舉例說明圖中的元件，圖中的元件不一定按 比例繪制。例如，相對于其他元件，可放大圖中的一些元件的尺寸以便于理解本發(fā)明的實施 方式。

【具體實施方式】
[0013] 本發(fā)明涉及電子器件，更具體地，本發(fā)明涉及電子器件的金屬化。本發(fā)明試圖克服 制造電子器件，例如制造使用集成電路的半導(dǎo)體器件中的一個或多個問題。
[0014] 就下文定義的術(shù)語而言，應(yīng)當(dāng)使用這些定義，除非在權(quán)利要求書或者本發(fā)明說明 書的其他地方給出了不同定義。無論是否明確說明，本文中所有數(shù)值被定義為由術(shù)語"約" 修飾。術(shù)語"約"通常是指本領(lǐng)域普通技術(shù)人員認為的等同于所述的值的，產(chǎn)生基本相同的 性質(zhì)、功能、結(jié)果等的數(shù)字范圍。由較低值和較高值表示的數(shù)字范圍被定義為包括該數(shù)字 范圍內(nèi)的所有數(shù)字以及該數(shù)字范圍內(nèi)的所有子范圍。例如，范圍10至15包括，但不限于， 10, 10. 1，10. 47, 11，11. 75 至 12. 2, 12. 5, 13 至 13. 8, 14, 14. 025,和 15。
[0015] 本文使用的術(shù)語"金屬"是指元素周期表中的金屬元素和/或含有與至少一種其 他元素混合的一種或一種以上金屬元素的金屬合金；所述金屬和所述金屬合金具有元素周 期表中的金屬元素的一般性質(zhì)，例如高導(dǎo)電性。
[0016] 術(shù)語化學(xué)元素的"化合價"在本文定義為可與目標元素的原子或片斷結(jié)合的單 價原子的最大數(shù)目，或者可根據(jù) International Union of Pure and Applied Chemist Compendium of Chemical Terminology,第二版（1997)用該元素的原子代替的單價原子的 最大數(shù)目。
[0017] 本文使用的術(shù)語"錨定化合物"是指具有一個或一個以上與氧化物表面形成化學(xué) 鍵的官能團以及一個或一個以上與金屬或金屬合金形成化學(xué)鍵的官能團的分子或離子，所 述金屬或金屬合金具有適于用作電子器件中的縫隙填充金屬的性質(zhì)。
[0018] 本發(fā)明的實施方式和實施方式的實踐將主要在處理半導(dǎo)體晶片（例如用于制造 集成電路的硅片）的以下內(nèi)容中討論。以下討論主要涉及使用金屬化層的硅電子器件，所 述金屬化層具有在諸如用于制造柵極觸點的金屬層之類的氧化物電介質(zhì)結(jié)構(gòu)上或該氧化 物電介質(zhì)結(jié)構(gòu)中形成的金屬層。然而，應(yīng)當(dāng)理解的是，根據(jù)本發(fā)明的實施方式可用于其他半 導(dǎo)體器件、多種金屬層以及不同于硅的半導(dǎo)體晶片。
[0019] 在對附圖的以下描述中，當(dāng)標明附圖共有的基本相同的元件或工藝時使用相同的 數(shù)字標記。
[0020] 本發(fā)明一方面包括制造電子器件的方法。參考圖1、圖2和圖3,其中顯示了通過 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式的方法處理的襯底的橫截面?zhèn)纫晥D。根據(jù)本發(fā)明的 一種實施方式，所述方法包括提供襯底101。如圖1所示，襯底101包括底部110和位于底 部110上的電介質(zhì)氧化物115。電介質(zhì)氧化物115具有一個或一個以上在其中形成的通道 和/或一個或一個以上在其中形成的溝槽120。上述一個或一個以上通道和/或一個或一 個以上溝槽120暴露諸如金屬觸點之類的導(dǎo)電性區(qū)域130。電介質(zhì)氧化物115與諸如金屬 觸點之類的導(dǎo)電性區(qū)域130相鄰。金屬觸點130可與諸如用于半導(dǎo)體電路之類的金屬觸點 基本相同。作為本發(fā)明的一種或一種以上實施方式的一個選擇，導(dǎo)電性區(qū)域可為娃化物，例 如，但不限于，用于半導(dǎo)體電路觸點的鎳鉬硅化物。
[0021] 如圖2所示，所述方法還包括化學(xué)結(jié)合錨定化合物與電介質(zhì)氧化物表面區(qū)域從而 形成錨定層135?？傮w上，所述錨定化合物具有至少一個能夠與氧化物表面形成化學(xué)鍵的官 能團并且具有至少一個能夠與縫隙填充金屬形成化學(xué)鍵的官能團。所述錨定化合物具有合 適的性質(zhì)并且在使錨定化合物基本只與電介質(zhì)氧化物形成化學(xué)鍵的條件下應(yīng)用所述錨定 化合物以在電介質(zhì)115上形成錨定層135,而不與金屬觸點130成鍵。因此，錨定層135存 在于電介質(zhì)115上，但是不在金屬觸點130上。錨定層135包括來自電介質(zhì)氧化物層115 與錨定化合物反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物。
[0022] 所述方法還包括通過使用表示為金屬觸點130的導(dǎo)電性表面區(qū)域使金屬生長以 及使金屬生長以通過縫隙填充金屬140填充所述一個或一個以上溝槽和/或一個或一個以 上通道，從而使錨定化合物還與接觸電介質(zhì)氧化物表面區(qū)域的金屬結(jié)合。
[0023] 在制造電子器件的方法的一種或一種以上的實施方式中，選擇性地沉積縫隙填充 金屬140。任選地，縫隙填充金屬140可通過諸如無電沉積之類的工藝被選擇性地沉積，或 者縫隙填充金屬140可通過諸如化學(xué)氣相沉積之類的工藝被選擇性地沉積。更具體地，縫 隙填充金屬在電介質(zhì)115中已形成的通道或溝槽底部的諸如金屬觸點130之類的金屬觸點 處開始生長?？p隙填充金屬繼續(xù)生長以從下向上填充所述通道和/或溝槽。
[0024] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，通過將襯底與錨定層135放入無電沉積 溶液中完成縫隙填充金屬140的無電沉積。配制所述無電沉積溶液以形成金屬、金屬合 金或金屬復(fù)合層。對適于本發(fā)明的一種或一種以上實施方式的無電沉積工藝的描述可在 Kolics等人的美國專利6, 794, 288以及Kolics等人的美國專利6, 911，076中找到；所有 這些專利的全部內(nèi)容通過引用并入本文。
[0025] 應(yīng)當(dāng)注意，圖1、圖2和圖3不是按比例繪制的。更具體地，為了舉例說明，放大了錨 定層120的厚度。此外，圖3顯示了具有作為縫隙填充金屬的金屬層140的電子器件103。 并且，圖3顯示平面型表面以形成嵌入式金屬化結(jié)構(gòu)。
[0026] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述方法包括使用錨定化合物，所述錨 定化合物包括無機的含氧陰離子、胺、亞胺、氰化物或其組合。本發(fā)明的一種實施方式或其 他實施方式使用具有可與用于縫隙填充的金屬的離子形成復(fù)合物的官能團和/或強烈吸 附于縫隙填充金屬上的官能團的錨定化合物。本發(fā)明的在縫隙填充金屬中使用鈷的實施方 式包括使用具有可與鈷的離子形成復(fù)合物的官能團和/或強烈吸附于鈷上的官能團的錨 定化合物。
[0027] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述方法包括使用包括無機的含氧陰離 子的錨定化合物，所述無機的含氧陰離子具有通式Α χ0，，其中，A為化學(xué)元素，0為氧，X為 整數(shù)，Y為整數(shù)，且Z為整數(shù)。用于本發(fā)明的一種或一種以上實施方式的無機的含氧陰離子 的實例包括，但不限于，磷酸鹽和亞磷酸鹽。
[0028] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述方法包括使用具有以下通式的錨定 化合物： (R「0)v_nMGn，其中 Μ為鍺、鉿、銦、娃、鉭、錫、鈦或鶴； G為能夠與所述金屬形成化學(xué)鍵的官能團； 札-0為能夠與所述氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團，〇為氧； V為Μ的化合價；以及 η為從1到V - 1的整數(shù)。 根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式，札為烷基，Μ為硅，G為烷基胺。
[0029] 本發(fā)明的一種或一種以上實施方式包括使用上述通式的其中6"包括例如，但不限 于胺、亞胺、環(huán)氧基、羥基、羧基、羧酸鹽、磷酸鹽、膦酸鹽或其組合的基團的錨定化合物。任 選地，本發(fā)明的一種或一種以上實施方式包括使用其中6"包括磺酸鹽、硼酸鹽、碳酸鹽、碳 酸氫鹽或其組合的錨定化合物。本發(fā)明的一種或一種以上實施方式包括使用其中（Ri-O)^ 包括甲氧基、乙氧基、丙氧基或其組合的錨定化合物。本發(fā)明的一種或一種以上實施方式包 括使用其中（Ri-O)^包括甲氧基、乙氧基、丙氧基或其組合且G包括胺、亞胺、環(huán)氧基、羥基、 羧基、羧酸鹽、磷酸鹽、膦酸鹽或其組合的錨定化合物。
[0030] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述方法包括使用包括單烷氧基硅烷或 雙烷氧基硅烷以及胺基、亞胺基、羧酸鹽基團、氰化物基團、磷酸鹽基團、亞磷酸鹽基團、膦 酸鹽基團和環(huán)氧基中的至少一種的錨定化合物。
[0031] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述方法還包括在以化學(xué)方式結(jié)合錨定 化合物和電介質(zhì)氧化物115之前使諸如金屬觸點130之類的金屬化觸點的表面基本不含氧 化物。這個額外的步驟是任選的，可僅用于易受氧化物形成影響的金屬化觸點。除去金屬 化位點中的氧化物，這樣，隨后的結(jié)合錨定化合物和電介質(zhì)氧化物的步驟不會結(jié)合錨定化 合物與金屬化觸點上形成的氧化物。
[0032] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式的方法還可包括熱處理以更加完全地結(jié) 合錨定層和電介質(zhì)。所述熱處理可包括在將所述襯底暴露于所述錨定化合物的過程中和/ 或之后加熱所述襯底。根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述熱處理在縫隙填充金 屬開始生長之前進行。
[0033] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，適合用作電介質(zhì)氧化物115的電介質(zhì)氧 化物的實例包括，但不限于，氧化鋁（A1 203)，二氧化硅（Si02)，摻雜碳的二氧化硅（SiOC)， 基于氧化硅的低k電介質(zhì)以及諸如SiOCH，SiON，SiOCN和SiOCHN之類的硅氧化物。用于本 發(fā)明的實施方式的可選氧化物包括，但不限于，五氧化二鉭（Ta 205)和二氧化鈦（Ti02)。任 選地，根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式的電介質(zhì)氧化物可為在不同材料上形成的表 面氧化物，如在例如，但不限于氮化鋁、氮化硅、碳氮化硅和碳化硅之類的材料上形成的硅 氧化物。
[0034] 本發(fā)明的一種或一種以上實施方式可包括使用多種縫隙填充金屬。適于本發(fā)明 的一種或一種以上實施方式的縫隙填充金屬的實例包括，但不限于，包括鈷、銅、金、銥、鎳、 鋨、鈀、鉬、錸、釕、銠、銀、錫、鋅、無電鍍合金或其混合物的金屬。根據(jù)本發(fā)明的一種實施方 式，所述縫隙填充金屬包括鈷。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，所述縫隙填充金屬包括鈷，且 所述金屬觸點包括鎳鉬硅化物。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，所述縫隙填充金屬包括鈷，所 述金屬觸點包括鎳鉬硅化物，且所述錨定化合物包括含氧陰離子。
[0035] 多種化合物可用于根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式的錨定化合物。根據(jù)本 發(fā)明的一種實施方式，以液體或以液體溶液的組分的形式通過使用濕式化學(xué)工藝將所述錨 定化合物涂敷于襯底。根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，將所述錨定化合物溶于液 體中，所述液體例如，但不限于水、水溶性溶劑、二甲亞砜、甲酰胺、乙腈、乙醇或其混合物。 鑒于本發(fā)明的公開內(nèi)容，適于本發(fā)明的實施方式的其他水溶性溶劑對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人 員而言是清楚的。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，以氣體或蒸氣的形式通過使用干化學(xué)處理 或使用基本干燥的化學(xué)工藝將錨定化合物涂敷于襯底。更具體地，根據(jù)本發(fā)明的一種或一 種以上實施方式，在使錨定化合物與襯底的電介質(zhì)氧化物結(jié)合的條件下以氣體形式將錨定 化合物涂敷于襯底。任選地，上述氣相錨定化合物可與另一氣體混合，所述氣體例如，但不 限于基本惰性的載體氣體。
[0036] 在本發(fā)明的另一實施方式中，在約10°C至約95°C的溫度下，通過將襯底浸泡在錨 定化合物或含有錨定化合物的溶液中以使錨定化合物與氧化物表面結(jié)合持續(xù)約30秒至約 600秒的時間來形成錨定層135。根據(jù)另一實施方式，在約50°C至約70°C的溫度下，將襯底 浸泡在含有錨定化合物的溶液中以使錨定化合物與氧化物表面結(jié)合約60秒至約180秒。
[0037] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述方法包括提供具有金屬化觸點和電 介質(zhì)氧化物的襯底。所述電介質(zhì)氧化物具有通向金屬化觸點的通道。所述方法包括通過將 電介質(zhì)氧化物暴露于錨定化合物和/或含有錨定化合物的溶液來使錨定化合物與電介質(zhì) 氧化物結(jié)合以在電介質(zhì)氧化物上形成錨定層。所述方法還包括使用金屬化觸點使縫隙填充 金屬開始選擇性生長。任選地，縫隙填充金屬的選擇性生長可通過使用例如，但不限于如下 工藝完成：原子層沉積、化學(xué)氣相沉積和無電沉積。使縫隙填充金屬生長，這樣，由與電介質(zhì) 氧化物結(jié)合的錨定化合物形成的錨定層還與鄰近或接觸電介質(zhì)氧化物的縫隙填充金屬結(jié) 合。選擇錨定化合物和得到的錨定層，這樣，它們不會顯著地引起縫隙填充金屬生長。更具 體地，縫隙填充金屬的生長由溝槽和/或通道底部的金屬觸點開始的生長引起。在完成縫 隙填充之后可使用平面化工藝。根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述縫隙填充金 屬為包括鈷或鈷合金的金屬。
[0038] 本發(fā)明的另一方面包括例如，但不限于集成電路的電子器件。再參考圖3。根據(jù) 本發(fā)明的一種實施方式，所述電子器件包括諸如半導(dǎo)體晶片之類的底部110、金屬化觸點 130、具有通向金屬化觸點130的通道120的電介質(zhì)氧化物115、基本填充通道120的從金屬 化觸點130長出的縫隙填充金屬140,以及以化學(xué)方式結(jié)合在電介質(zhì)氧化物115的表面與填 充金屬140之間的錨定層135。所述電子器件在金屬化觸點130與縫隙填充金屬140的界 面之間基本沒有錨定層。
[0039] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述錨定層為來自氧化物表面與具有下 述通式的錨定化合物的反應(yīng)以及縫隙填充金屬與具有下述通式的錨定化合物的反應(yīng)的化 學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物： (R「0)v_nMGn，其中 Μ為鍺、鉿、銦、娃、鉭、錫、鈦或鶴； G為能夠與所述金屬形成化學(xué)鍵的官能團； 札-0為能夠與所述氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團，0為氧； V為Μ的化合價；以及 η為從1到V - 1的整數(shù)。 根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式，&為燒基，Μ為娃，且G為燒基胺。作為本發(fā)明的一種或 一種以上實施方式的選擇，G包括胺、亞胺、環(huán)烷基、羥基、羧基、羧酸鹽、磷酸鹽、膦酸鹽或其 組合。作為本發(fā)明的一種或一種以上實施方式的選擇，&-為烷基。
[0040] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述錨定化合物包括單烷氧基硅烷或雙 烷氧基硅烷以及選自由胺基、亞胺基、羧酸鹽基團、氰化物基團、磷酸鹽基團、亞磷酸鹽基 團、膦酸鹽基團和環(huán)氧基組成的組中的至少一個。
[0041] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述錨定化合物具有上述通式，其中，Gn 包括例如，但不限于胺、亞胺、環(huán)氧基、羥基、羧基、羧酸鹽、磷酸鹽、膦酸鹽或其組合之類的 基團。根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述錨定化合物具有上述通式，其中，6"包 括磺酸鹽、硼酸鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽或其組合。根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所 述錨定化合物具有上述通式，其中，（Ri-O)^包括甲氧基、乙氧基、丙氧基或其組合。根據(jù)本 發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述錨定化合物具有上述通式，其中，（&-〇)h包括甲氧 基、乙氧基、丙氧基或其組合且G包括胺、亞胺、環(huán)氧基、羥基、羧基、羧酸鹽、磷酸鹽、膦酸鹽 或其組合。
[0042] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述錨定層為來自氧化物表面與所述錨 定化合物的反應(yīng)以及所述縫隙填充金屬與所述錨定化合物的反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物，所述錨 定化合物包括無機的含氧陰離子、胺、亞胺、氰化物或其組合。本發(fā)明的一種或一種以上實 施方式使用具有可與用于縫隙填充的金屬的離子形成復(fù)合物的官能團和/或強烈吸附于 縫隙填充金屬上的官能團的錨定化合物。在縫隙填充金屬中使用鈷的本發(fā)明的實施方式包 括使用具有可與鈷的離子形成復(fù)合物的官能團和/或強烈吸附于鈷上的官能團的錨定化 合物。
[0043] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述錨定層為來自氧化物表面與所述錨 定化合物的反應(yīng)以及所述縫隙填充金屬與所述錨定化合物的反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物，所述錨 定化合物包括無機的含氧陰離子，所述無機的含氧陰離子具有通式Α χ0，，其中，A為化學(xué)元 素，〇為氧，X為整數(shù)，Y為整數(shù)，且Z為整數(shù)。用于本發(fā)明的一種或一種以上實施方式的無 機的含氧陰離子的實例包括，但不限于，磷酸鹽和亞磷酸鹽。
[0044] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，諸如電介質(zhì)氧化物115之類的電介質(zhì)氧 化物包括例如，但不限于以下氧化物：氧化鋁（A1 203)，二氧化硅（Si02)，摻雜碳的二氧化硅 (SiOC)，基于氧化硅的低k電介質(zhì)以及諸如SiOCH，SiON，SiOCN和SiOCHN等硅氧化物。用于 本發(fā)明的實施方式的可選氧化物包括，但不限于，五氧化二鉭（Ta 205)和二氧化鈦（Ti02)。 任選地，根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式的電介質(zhì)氧化物可為在不同材料上形成的 表面氧化物，如在例如，但不限于氮化鋁、氮化硅、碳氮化硅和碳化硅之類的材料上形成的 氧化物。
[0045] 本發(fā)明的一種或一種以上實施方式可包括使用多種縫隙填充金屬。適于本發(fā)明 的一種或一種以上實施方式的縫隙填充金屬的實例包括，但不限于，包括鈷、銅、金、銥、鎳、 鋨、鈀、鉬、錸、釕、銠、銀、錫、鋅、無電鍍合金或其混合物的金屬。根據(jù)本發(fā)明的一種實施方 式，所述縫隙填充金屬包括鈷。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，所述縫隙填充金屬包括鈷，且 所述金屬觸點包括鎳鉬硅化物。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，所述縫隙填充金屬包括鈷，所 述金屬觸點包括鎳鉬硅化物，且所述錨定化合物包括含氧陰離子。
[0046] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，上述制造電子器件的方法和上述電子器 件包括使用液體溶液結(jié)合錨定化合物和氧化物電介質(zhì)以形成錨定層。所述錨定化合物具有 至少一個能夠與所述氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團，并且所述錨定化合物具有至少一個 能夠與所述金屬形成化學(xué)鍵的官能團。
[0047] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述溶液包括具有下列通式的錨定化合 物： (R「0)v_nMGn，其中 Μ為鍺、鉿、銦、娃、鉭、錫、鈦或鶴； G為能夠與所述金屬形成化學(xué)鍵的官能團； 札-0為能夠與所述氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團，〇為氧； V為Μ的化合價；以及 η為從1到V - 1的整數(shù)。 根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式，&為燒基，Μ為娃，且G為燒基胺。作為本發(fā)明的一種或 一種以上實施方式的選擇，G包括胺、亞胺、環(huán)烷基、羥基、羧基、羧酸鹽、磷酸鹽、膦酸鹽或其 組合。作為本發(fā)明的一種或一種以上實施方式的選擇，&-為烷基。
[0048] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，溶液中的錨定化合物包括單烷氧基硅烷 或雙烷氧基硅烷以及來自由胺基、亞胺基、羧酸鹽基團、氰化物基團、磷酸鹽基團、亞磷酸鹽 基團、膦酸鹽基團和環(huán)氧基組成的組中的至少一種的錨定化合物。
[0049] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述錨定化合物具有上述通式，其中，Gn 包括例如，但不限于胺、亞胺、環(huán)氧基、羥基、羧基、羧酸鹽、磷酸鹽、膦酸鹽或其組合的基團。 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述錨定化合物具有上述通式，其中，G n包括磺酸 鹽、硼酸鹽、碳酸鹽、碳酸氫鹽或其組合。根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述錨定 化合物具有上述通式，其中，（Ri-O)^包括甲氧基、乙氧基、丙氧基或其組合。根據(jù)本發(fā)明的 一種或一種以上實施方式，所述錨定化合物具有上述通式，其中，（Ri-O)^包括甲氧基、乙 氧基、丙氧基或其組合且G包括胺、亞胺、環(huán)氧基、羥基、羧基、羧酸鹽、磷酸鹽、膦酸鹽或其 組合。
[0050] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述溶液包括錨定化合物，所述錨定化 合物包括無機的含氧陰離子、胺、亞胺、氰化物或其組合。本發(fā)明的一種或一種以上其他實 施方式中，所述溶液包括具有與用于所述縫隙填充的金屬的離子形成復(fù)合物的官能團和/ 或強烈吸附于所述縫隙填充金屬上的官能團的錨定化合物。對于在縫隙填充金屬中使用鈷 的本發(fā)明實施方式來說，所述溶液包括具有可與鈷的離子形成復(fù)合物的官能團和/或強烈 吸附于鈷上的官能團的錨定化合物。
[0051] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述溶液包括錨定化合物，所述錨定化 合物包括具有通式A x0廣的無機含氧陰離子，其中，A為化學(xué)元素，0為氧，X為整數(shù)，Y為整 數(shù)，Z為整數(shù)。用于本發(fā)明的一種或一種以上實施方式的無機含氧陰離子的一些實例包括， 但不限于，磷酸鹽和亞磷酸鹽。
[0052] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述溶液包括一定量的任選的水溶性溶 齊?; 一定量的錨定化合物，所述錨定化合物具有至少一個能夠與所述氧化物表面形成化學(xué) 鍵的官能團，并且所述錨定化合物具有至少一個能夠與所述縫隙填充金屬形成化學(xué)鍵的官 能團；以及一定量的水。根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述溶液包括溶劑和錨定 劑而不含水溶性溶劑。根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述錨定化合物包括無機 含氧陰離子，例如但不限于，磷酸鹽、亞磷酸鹽、胺、亞胺、氰化物或其組合或者可與金屬離 子形成復(fù)合物的官能團和/或強烈吸附于縫隙填充金屬上的官能團。
[0053] 根據(jù)本發(fā)明的一種或一種以上實施方式，所述溶液包括一定量的錨定化合物?？?體而言，所述錨定化合物具有至少一個能夠與所述氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團，并且 所述錨定化合物具有至少一個能夠與所述縫隙填充金屬形成化學(xué)鍵的官能團。在本發(fā)明的 另一實施方式中，所述溶液包括一定量的水溶性溶劑、一定量的錨定化合物和一定量的水。 [0054] 用于本發(fā)明的實施方式的錨定化合物可具有多種化學(xué)組成。對于至少一個能夠與 所述氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團，以及至少一個能夠與所述金屬形成化學(xué)鍵的官能團 而言有很多選擇。本發(fā)明的一些實施方式可包括具有兩個或三個或三個以上能夠與所述氧 化物表面形成化學(xué)鍵的官能團的錨定化合物。類似地，本發(fā)明的一些實施方式可包括具有 兩個或三個或三個以上能夠與所述縫隙填充金屬形成化學(xué)鍵的官能團的錨定化合物。任選 地，可以選擇包括不同類型的能夠與所述氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團的錨定化合物。 可以選擇包括不同類型的能夠與所述金屬形成化學(xué)鍵的官能團的錨定化合物。本發(fā)明的實 施方式還可使用不同類型的錨定化合物的混合物。
[0055] 根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式，所述錨定化合物包括烷氧基硅烷，例如用于與所述 氧化物表面形成化學(xué)鍵的單烷氧基硅烷，例如雙烷氧基硅烷，以及例如三烷氧基硅烷。所述 錨定化合物還包括一個或一個以上極性基團，例如，但不限于，與所述縫隙填充金屬形成化 學(xué)鍵的胺基、亞胺基、羧酸鹽基團、磷酸鹽基團、膦酸鹽基團和環(huán)氧基。任選地，根據(jù)本發(fā)明 的一些實施方式的錨定化合物可包括不同極性基團或不同極性基團的混合物。就本發(fā)明的

【具體實施方式】而言，選擇錨定化合物的類型和量使溶液對氧化物表面提供有效量的錨定化 合物以提高氧化物和縫隙填充金屬之間的結(jié)合。
[0056] 就本發(fā)明的另一實施方式而言，所述溶液包括具有通式的錨定化合 物，其中，Μ為鍺、鉿、銦、硅、鉭、錫、鈦或鎢；G為能夠與所述縫隙填充金屬形成化學(xué)鍵的官 能團成-〇為能夠與所述氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團，〇為氧；V為Μ的化合價；以及η 為從1到V - 1的整數(shù)。本發(fā)明的一種實施方式具有包括一種或一種以上極性基團的G，例 如，但不限于，胺、亞胺、環(huán)氧基、羥基、羧基、羧酸鹽、磷酸鹽、膦酸鹽、磺酸鹽、硼酸鹽、碳酸 鹽、碳酸氫鹽或其組合。優(yōu)選地，&為有機基團，例如烷基，且RrO為烷氧基，例如甲氧基、 乙氧基和丙氧基。就本發(fā)明的另一實施方式而言，（Ri-O)^包括一種或一種以上基團，例 如，但不限于，甲氧基、乙氧基、丙氧基及其組合，且G n包括一種或一種以上基團，例如，但不 限于，胺、亞胺、環(huán)氧基、羥基、羧基、羧酸鹽、磷酸鹽、膦酸鹽和其組合。在另一優(yōu)選實施方式 中，&為烷基，Μ為硅，G為烷基胺。
[0057] 本發(fā)明的另一實施方式為包括用于無電沉積的組分和錨定化合物的溶液。用于無 電沉積的組分可包括，但不限于，用于無電沉積的溶劑、還原劑，以及用于無電沉積縫隙填 充金屬的一種或一種以上金屬的離子和/或復(fù)合物。典型的無電沉積溶液和無電沉積溶液 的組分的描述在Kolics等的僅共同擁有的美國專利6, 794, 288和美國專利6, 911，076中 找到；這些專利的所有內(nèi)容通過引用并入本文。其他無電沉積溶液和無電沉積溶液的組分 的描述也可在其他科學(xué)文獻和專利文獻中得到。
[0058] 所述錨定化合物具有至少一個能夠與所述氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團，并且 所述錨定化合物具有至少一個能夠與所述縫隙填充金屬形成化學(xué)鍵的官能團。根據(jù)本發(fā)明 的一種或一種實施方式的包含在具有用于無電沉積的組分的溶液中的錨定化合物的具體 情況和實例在上文描述了。
[0059] 根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式，溶液包括用于無電沉積的組分和錨定化合物。所述 錨定化合物具有通式（凡-〇) v_nMGn，其中 Μ為鍺、鉿、銦、娃、鉭、錫、鈦或鶴； G為能夠與所述金屬形成化學(xué)鍵的官能團； 札-0為能夠與所述氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團，〇為氧； V為Μ的化合價；以及 η為從1到V - 1的整數(shù)。
[0060] 根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式，溶液包括用于無電沉積的組分和錨定化合物。所述 錨定化合物包括無機的含氧陰離子、磷酸鹽、亞磷酸鹽、膦酸鹽、胺、亞胺、氰化物或其組合。
[0061] 根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式，溶液包括用于無電沉積的組分和錨定化合物。所述 錨定化合物包括無機的含氧陰離子、胺、亞胺、氰化物、與所述縫隙填充金屬的離子形成復(fù) 合物的官能團、強烈吸附于所述縫隙填充金屬上的官能團或其組合。
[0062] 根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式，溶液包括用于無電沉積的組分和錨定化合物。所述 錨定化合物包括無機的含氧陰離子，所述無機的含氧陰離子具有通式Αχ0，，其中，Α為化學(xué) 元素，0為氧，X為整數(shù)，Y為整數(shù)，且Z為整數(shù)。
[0063] 根據(jù)本發(fā)明的一種實施方式，溶液包括用于無電沉積的組分和錨定化合物。所述 錨定化合物包括單烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷或三烷氧基硅烷以及下列基團中的至少一 種：胺基、亞胺基、羧酸鹽基團、磷酸鹽基團、膦酸鹽基團和環(huán)氧基。
[0064] 在前述內(nèi)容中，已經(jīng)通過【具體實施方式】對本發(fā)明進行了描述。然而，本領(lǐng)域普通技 術(shù)人員知曉可在不背離權(quán)利要求所述的本發(fā)明的范圍的條件下作出各種改良和改變。因 此，說明書和附圖被認為是為了舉例說明而不是意于限制，所有上述改變包括在本發(fā)明的 范圍之內(nèi)。
[0065] 關(guān)于特定實施方式的益處、其他優(yōu)勢和問題的解決已在上文描述。然而，益處、優(yōu) 勢或問題解決方法以及可帶來任何將要發(fā)生的或會變得明顯的益處、優(yōu)勢或解決方法的任 何要素不被理解為任一或所有權(quán)利要求的關(guān)鍵的、必需的或基本的特征或要素。
[0066]本文使用的術(shù)語"包括"（"comprises, " "comprising, "）、"包 含including，"）、"具有has，" " having，"）、"至少一個 / 一種"或其任何變 體意在覆蓋非排除性的包含。例如，包括一系列要素的工藝、方法、物品或設(shè)備不是必然地 僅僅限定于那些要素，還可包括沒有明確列出的或者這些工藝、方法、物品或設(shè)備固有的其 他要素。此外，除非明確地進行相反說明，否則，"或"（"or"）是指包含的或者以及不是排 他性的或者。例如，以下任何一種均符合條件A或B :A為真（或存在）且B為假（或不存 在）、A為假（或不存在）且B為真（或存在），以及A和B均為真（或存在）。
【權(quán)利要求】
1. 一種電子器件的制造方法，所述方法包括： 提供具有電介質(zhì)氧化物表面區(qū)域的襯底，所述電介質(zhì)氧化物表面區(qū)域與導(dǎo)電性表面區(qū) 域相鄰； 以化學(xué)方式結(jié)合錨定化合物與所述電介質(zhì)氧化物表面區(qū)域，從而形成錨定層； 通過使用所述導(dǎo)電性表面區(qū)域使金屬開始生長并使所述金屬生長以使所述錨定層與 所述金屬結(jié)合。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述錨定化合物具有至少一個能夠與所述氧化物 表面形成化學(xué)鍵的官能團，并且所述錨定化合物具有至少一個能夠與所述金屬形成化學(xué)鍵 的官能團。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述錨定化合物包括無機的含氧陰離子、胺、亞胺、 氰化物、與所述金屬的離子形成復(fù)合物的官能團、強烈吸附在所述金屬上的官能團或其組 合。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述錨定化合物包括無機的含氧陰離子，所述含氧 陰離子具有通式Ax0廣，其中，A為化學(xué)元素，0為氧，X為整數(shù)，Y為整數(shù)，Z為整數(shù)。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述錨定化合物包括磷酸鹽、亞磷酸鹽或膦酸鹽。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述錨定化合物包括單烷氧基硅烷、二烷氧基硅烷 或三烷氧基硅烷以及下列基團中的至少一種：胺基、亞胺基、羧酸鹽基團、氰化物基團、磷酸 鹽基團、亞憐酸鹽基團、勝酸鹽基團和環(huán)氧基。
7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述錨定化合物具有通式，其中， Μ為鍺、鉿、銦、娃、鉭、錫、鈦或鶴； G為能夠與所述金屬形成化學(xué)鍵的官能團； 札-0為能夠與所述氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團，〇為氧； V為Μ的化合價；以及 η為從1到V - 1的整數(shù)。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其中，&為烷基，Μ為硅，G為烷基胺。
9. 如權(quán)利要求1所述的方法，所述方法還包括在以化學(xué)方式結(jié)合錨定化合物與所述電 介質(zhì)氧化物之前，使金屬化觸點的表面基本上無氧化物。
10. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述電介質(zhì)氧化物為在不同材料上形成的表面氧 化物。
11. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，以化學(xué)方式結(jié)合錨定化合物與所述電介質(zhì)氧化物 表面區(qū)域是使用包括所述錨定化合物的氣體的干式化學(xué)工藝。
12. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，以化學(xué)方式結(jié)合錨定化合物與所述電介質(zhì)氧化物 表面區(qū)域是使用包括所述錨定化合物的液體溶液的濕式化學(xué)工藝。
13. 如權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述液體溶液還包括二甲亞砜、甲酰胺、乙腈、乙 醇或其混合物。
14. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述氧化物表面包括選自Si02, SiOC，SiOCH，SiON ，SiOCN, SiOCHN, Ta205，和 Ti02 中的至少一種。
15. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述縫隙填充金屬包括鈷、銅、金、銥、鎳、鋨、鈀、 鉬、錸、釕、銠、銀、錫、鋅、無電鍍合金或其混合物。
16. -種電子器件，其通過使用權(quán)利要求1所述的方法制造。
17. -種電子器件，所述電子器件包括： 金屬化觸點； 具有通向所述金屬化觸點的通道和/或溝槽的電介質(zhì)氧化物； 從所述金屬化觸點長出的縫隙填充金屬；以及 由錨定化合物形成的錨定層，所述錨定化合物以化學(xué)方式結(jié)合在所述電介質(zhì)氧化物與 所述縫隙填充金屬之間。
18. 如權(quán)利要求17所述的電子器件，其中，所述錨定層包括來自所述電介質(zhì)氧化物與 所述錨定化合物的反應(yīng)以及所述縫隙填充金屬與所述錨定化合物的反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物， 所述錨定化合物包括無機的含氧陰離子、胺、亞胺、氰化物或其組合。
19. 如權(quán)利要求17所述的電子器件，其中，所述錨定層包括來自所述電介質(zhì)氧化物與 所述錨定化合物的反應(yīng)以及所述縫隙填充金屬與所述錨定化合物的反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物， 所述錨定化合物包括能與用于所述縫隙填充金屬的金屬的離子形成復(fù)合物的官能團和/ 或強烈吸附于所述縫隙填充金屬上的官能團。
20. 如權(quán)利要求17所述的電子器件，其中，所述縫隙填充金屬包括鈷，所述錨定層包括 來自所述電介質(zhì)氧化物與所述錨定化合物的反應(yīng)以及所述縫隙填充金屬與所述錨定化合 物的反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物，所述錨定化合物包括可與鈷離子形成復(fù)合物的官能團和/或強 烈吸附于鈷上的官能團。
21. 如權(quán)利要求17所述的電子器件，其中，所述錨定層為來自所述電介質(zhì)氧化物與錨 定化合物的反應(yīng)以及所述縫隙填充金屬與錨定化合物的反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物，所述錨定化 合物包括無機的含氧陰離子，所述無機的含氧陰離子具有通式Α χΟ，，其中，A為化學(xué)元素，0 為氧，X為整數(shù)，Y為整數(shù)，且Z為整數(shù)。
22. 如權(quán)利要求17所述的電子器件，其中，所述錨定層包括來自所述電介質(zhì)氧化物與 所述錨定化合物的反應(yīng)以及所述縫隙填充金屬與所述錨定化合物的反應(yīng)的化學(xué)反應(yīng)產(chǎn)物， 所述錨定化合物具有通式（&-〇) v_nMGn，其中 Μ為鍺、鉿、銦、娃、鉭、錫、鈦或鶴； G為能夠與所述金屬形成化學(xué)鍵的官能團； 札-0為能夠與所述氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團，〇為氧； V為Μ的化合價；以及 η為從1到V - 1的整數(shù)。
23. 如權(quán)利要求17所述的電子器件，其中，所述電介質(zhì)氧化物包括A1203, Si02, SiOC，Si OCH, SiON, SiOCN, SiOCHN, Ta205 和 Ti02 中的至少一種。
24. 如權(quán)利要求17所述的電子器件，其中，所述縫隙填充金屬包括鈷、銅、鎳、鎢、硼、磷 及其混合物中的至少一種。
25. 如權(quán)利要求22所述的電子器件，其中，所述錨定層包括 (VnMGn，G包括胺、亞胺、環(huán)氧基、羥基、羧基、羧酸鹽、磷酸鹽、膦酸鹽或其組合。
26. -種增強氧化物表面和縫隙填充金屬之間的結(jié)合的溶液，所述溶液包括： 任選地，一定量的水溶性溶劑； 一定量的錨定化合物，所述錨定化合物具有至少一個能夠與所述氧化物表面形成化學(xué) 鍵的官能團并且具有至少一個能夠與所述縫隙填充金屬形成化學(xué)鍵的官能團；以及 一定量的水。
27. 如權(quán)利要求26所述的溶液，其中，所述錨定化合物包括無機的含氧陰離子、磷酸 鹽、亞磷酸鹽、膦酸鹽、胺、亞胺、氰化物或其組合。
28. 如權(quán)利要求26所述的溶液，其中，所述錨定化合物包括無機的含氧陰離子、胺、亞 胺、氰化物、與所述縫隙填充金屬的離子形成復(fù)合物的官能團、強烈吸附于所述縫隙填充金 屬上的官能團或其組合。
29. 如權(quán)利要求26所述的溶液，其中，所述錨定化合物包括無機的含氧陰離子，所述無 機的含氧陰離子具有通式Ax0廣，其中，A為化學(xué)元素，0為氧,X為整數(shù),Y為整數(shù)，且Z為整 數(shù)。
30. 如權(quán)利要求26所述的溶液，其中，所述錨定化合物包括磷酸鹽、膦酸鹽或亞磷酸 鹽。
31. 如權(quán)利要求26所述的溶液，其中，所述錨定化合物具有至少一個能夠與所述氧化 物表面形成化學(xué)鍵的官能團并且具有至少一個能夠與所述金屬形成化學(xué)鍵的官能團。
32. 如權(quán)利要求26所述的溶液，其中，所述錨定化合物包括單烷氧基硅烷、二烷氧基硅 烷或三烷氧基硅烷以及下列基團中的至少一種：胺基、亞胺基、羧酸鹽基團、磷酸鹽基團、膦 酸鹽基團和環(huán)氧基。
33. -種溶液，所述溶液包括： 溶劑； 錨定化合物，所述錨定化合物具有至少一個能夠與氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團并 且具有至少一個能夠與縫隙填充金屬形成化學(xué)鍵的官能團； 用于無電沉積的還原劑；以及 用于縫隙填充金屬的無電沉積的一種或一種以上金屬的離子。
34. 如權(quán)利要求33所述的溶液，其中，所述錨定化合物具有通式，其中 Μ為鍺、鉿、銦、娃、鉭、錫、鈦或鶴； G為能夠與所述金屬形成化學(xué)鍵的官能團； 札-0為能夠與所述氧化物表面形成化學(xué)鍵的官能團，〇為氧； V為Μ的化合價；以及 η為從1到V - 1的整數(shù)。
35. 如權(quán)利要求33所述的溶液，其中，所述錨定化合物包括無機的含氧陰離子、磷酸 鹽、亞磷酸鹽、膦酸鹽、胺、亞胺、氰化物或其組合。
36. 如權(quán)利要求33所述的溶液，其中，所述錨定化合物包括無機的含氧陰離子、胺、亞 胺、氰化物、與所述縫隙填充金屬的離子形成復(fù)合物的官能團、強烈吸附于所述縫隙填充金 屬上的官能團或其組合。
37. 如權(quán)利要求33所述的溶液，其中，所述錨定化合物包括無機的含氧陰離子，所述無 機的含氧陰離子具有通式Αχ0廣，其中，Α為化學(xué)元素，0為氧,X為整數(shù),Υ為整數(shù)，且Ζ為整 數(shù)。
38. 如權(quán)利要求33所述的溶液，其中，所述錨定化合物包括單烷氧基硅烷、二烷氧基硅 烷或三烷氧基硅烷以及下列基團中的至少一種：胺基、亞胺基、羧酸鹽基團、磷酸鹽基團、膦
【文檔編號】H01L21/28GK104160483SQ201380010792
【公開日】2014年11月19日 申請日期:2013年2月22日 優(yōu)先權(quán)日:2012年2月24日
【發(fā)明者】阿爾圖爾·科利奇 申請人:朗姆研究公司