導電性部件的制造方法、導電性部件、使用了該導電性部件的觸控面板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供具有高導電性和高透明性、同時圖案可見小、且難以因電化學遷移而引起絕緣不良的導電性部件及其制造方法；以及使用了該導電性部件的觸控面板和顯示裝置。該導電性部件的制造方法包括以下工序：在基板上以圖案狀形成包含金屬納米線的導電層和包含光散射性微粒的光散射性層中的任一種的工序；和，在以圖案狀形成的一種層之間形成另一種層的工序。
【專利說明】導電性部件的制造方法、導電性部件、使用了該導電性部件 的觸控面板

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及導電性部件的制造方法、導電性部件、使用了該導電性部件的觸控面 板等。

【背景技術(shù)】
[0002] 作為裝載了觸控面板的液晶顯示屏或有機EL顯示屏等顯示裝置（例如便攜式信 息終端和移動電話）以及集成型太陽能電池等中使用的電極用導電材料，廣泛利用了 ΙΤ0， 但是由于存在銦金屬的儲藏量少、起因于長波長區(qū)域的透過率低的色調(diào)、低電阻化需要高 溫的熱處理、抗彎曲性低等問題，因此正在對ΙΤ0的替代材料進行各種研究。
[0003] 作為替代材料之一，有文獻提出使用了導電性的金屬納米線的導電材料（例如專 利文獻1)，金屬納米線在透明性、低電阻、使用金屬量降低的方面優(yōu)異，因而作為ΙΤ0玻璃 或ΙΤ0膜的替代材料的期望正在提高。
[0004] 但是，金屬納米線為線結(jié)構(gòu)，因而存在霧度值高、高濕熱條件下的耐久性差的問 題。
[0005] 另外，其中特別是在液晶顯示屏、有機EL顯示屏等或觸控面板等顯示裝置之類的 需要圖案化電極的裝置中，在將透明電極圖案化時具有金屬納米線的部分（導電性區(qū)域） 與不具有金屬納米線的部分（非導電性區(qū)域）的霧度值之差大，存在容易看到電極圖案的 可見性的問題。
[0006] 因此，例如在專利文獻2中提出了下述方法：部分性切斷金屬納米線，從而在非導 通部殘留有金屬納米線或其碎片的金屬納米棒，由此減小導通部與非導通部的霧度之差。 另外，例如在專利文獻3中提出了下述方法：利用基于能量射線照射或抗蝕劑的圖案形成 方法，在導電性納米纖維層形成尺寸為無法目視確認的微小針孔,形成非導通部，由此減小 導通部與非導通部的霧度差。
[0007] 此外，例如在專利文獻4中公開了通過等離子體處理或電暈處理將導電性納米纖 維強制氧化而進行絕緣化的方法，為了解決圖案可見的問題，正在積極地進行這些被稱為 不可視（invisible)化或隱形（stealth)化等的技術(shù)開發(fā)。
[0008] 現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0009] 專利文獻
[0010] 專利文獻1 :美國專利公報US2007/0074316號
[0011] 專利文獻2 :美國專利US8018568號
[0012] 專利文獻3 :日本特開2〇1〇-157400號公報
[0013] 專利文獻4 :日本特開2〇1〇_28754〇號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0014] 發(fā)明要解決的課題
[0015] 專利文獻3的利用能量射線的方法中，用于圖案照射能量射線的設(shè)備和能量成本 高，難以實用化。此外，專利文獻4存在無法適用于下述導電膜的問題，該導電膜為：為了賦 予耐氧化性、耐硫化性等環(huán)境耐性或耐熱性而對導電性纖維適用了防腐蝕劑等的導電膜； 或者，以僅僅一部分導電性纖維露出至膜面、而大部分埋入膜中的方式形成的導電膜。本發(fā) 明人對上述專利文獻中記載的技術(shù)進行了深入研究，結(jié)果可知，與完全除去導電性顆粒的 情況相比，這些技術(shù)會發(fā)生容易因電化學遷移（下文中也簡稱為遷移）引起絕緣不良的問 題。但是，若完全除去導電性顆粒，則殘留有霧度的問題。
[0016] 本發(fā)明是鑒于該現(xiàn)有技術(shù)問題而完成的，其提供具有高導電性和高透明性、同時 圖案可見小、且難以因電化學遷移引起絕緣不良的導電性部件、其制造方法、使用了該導電 性部件的觸控面板和顯示裝置。
[0017] 用于解決課題的方案
[0018] 根據(jù)上述課題本發(fā)明人進行了深入研究，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，為了減小具有金屬納米線的 導電性區(qū)域與不具有金屬納米線的非導電性區(qū)域的霧度差，只要在非導電性區(qū)域形成含有 絕緣性的光散射性顆粒的光散射性層即可。另外，未預料到的是，本發(fā)明人還發(fā)現(xiàn)：通過為 該構(gòu)成，難以引起遷移，從而完成了本發(fā)明。
[0019] 能夠解決上述課題的本發(fā)明的導電性部件的制造方法的特征在于，該導電性部件 的制造方法包括以下工序：在基板上以圖案狀形成包含金屬納米線的導電層和包含光散射 性微粒的光散射性層中的任一種的工序；在以圖案狀形成的一種層之間形成另一種層的工 序。
[0020] 優(yōu)選的是，導電層與光散射性層的霧度的比例（光散射性層的霧度/導電層的霧 度）為0.7以上1.3以下。
[0021]另外優(yōu)選的是，導電層和光散射性層包含由下述通式（II)表示的化合物水解和 縮聚而得到的基體。
[0022] M1 (OR1) aR24_a (II)
[0023](通式（II)中，Μ1表示選自Si、Ti和Zr中的元素，R1、!? 2各自獨立地表示氫原子 或烴基，a表示2?4的整數(shù)。）
[0024]另外優(yōu)選的是，金屬納米線的平均短軸長為150mn以下。
[0025]另外優(yōu)選的是，金屬納米線的平均長軸長為Ιμηι?40 μιη。
[0026]另外優(yōu)選的是，構(gòu)成導電層的金屬納米線的含量在導電層中為i.〇mg/m 2? 150. Omg/m2。
[0027]另外優(yōu)選的是，金屬納米線包含銀。
[0028]另外優(yōu)選的是，導電層與光散射性層的厚度之差為較薄的層的厚度的500%以下。 [0029]另外優(yōu)選的是，以圖案狀形成的工序為下述工序：在導電層和光散射性層中的任 一種層上以圖案狀適用光致抗蝕劑，在光致抗蝕劑的開口部適用可溶解一種層的液體。 [00 30]另外優(yōu)選的是，以圖案狀形成的工序為下述工序：在導電層和光散射性層中的任 一種層上以圖案狀施加光致抗蝕劑，在光致抗蝕劑的開口部施加可溶解一種層的液體。
[0031]另外優(yōu)選的是，在施加可溶解一種層的液體后，在光致抗蝕劑的開口部形成另一 種層，將光致抗蝕劑剝離。
[0032]另外優(yōu)選的是，以圖案狀形成的工序為以圖案狀印刷導電層和光散射性層中的任 一種層的工序。
[0033]另外優(yōu)選的是，以圖案狀形成的工序為對導電層和光散射性層中的任一種層進行 圖案曝光、顯影的工序。
[0034]另外優(yōu)選的是，包括：在基板上以圖案狀形成包含金屬納米線的導電層后，在形成 為圖案狀的導電層之間形成包含光散射性微粒的光散射性層。
[0035]另外優(yōu)選的是，包括：在基板上以圖案狀形成包含光散射性微粒的光散射性層后， 在形成為圖案狀的光散射性層之間形成包含金屬納米線的導電層。
[0036] 本發(fā)明的導電性部件的特征在于，該導電性部件具有基板、包含金屬納米線的導 電層、和至少包含光散射性微粒的光散射性層，相對于導電層的單位面積的金屬納米線的 根數(shù)，光散射性層的單位面積的金屬納米線的根數(shù)為5%以下，相對于光散射性層的單位面 積的光散射性微粒的個數(shù)，導電層的單位面積的光散射性微粒的個數(shù)為 5%以下。
[0037]優(yōu)選的是，導電層與光散射性層的霧度的比例（光散射性層的霧度/導電層的霧 度）為0.7以上1.3以下。
[0038] 本發(fā)明的偏振片的特征在于，該偏振片具有本發(fā)明的導電性部件。
[0039] 本發(fā)明的圓偏振片的特征在于，該圓偏振片具有本發(fā)明的導電性部件。
[0040]本發(fā)明的顯示裝置的特征在于，該顯示裝置具有本發(fā)明的導電性部件。
[0041]本發(fā)明的顯示裝置的特征在于，該顯示裝置具有本發(fā)明的偏振片。
[0042]本發(fā)明的顯示裝置的特征在于，該顯示裝置具有本發(fā)明的圓偏振片。
[0043]本發(fā)明的觸控面板的特征在于，該觸控面板具有本發(fā)明的導電性部件。
[0044] 發(fā)明的效果
[0045] 根據(jù)本發(fā)明，能夠提供具有高導電性和高透明性、同時圖案可見小、且難以因電化 學遷移引起絕緣不良的導電性部件及其制造方法、以及使用了該導電性部件的觸控面板和 顯示裝置。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0046] 圖1是不出本發(fā)明的導電性部件的一例的示意圖。
[0047] 圖2是示出本發(fā)明的導電性部件的另一例的示意圖。
[0048]圖3是示出利用了蝕刻掩模的導電性部件的制造方法的一例的示意圖。
[0049]圖4是示出利用了正型光致抗蝕劑的導電性部件的制造方法的一例的示意圖。
[0050] 圖5是示出利用了負型光致抗蝕劑的導電性部件的制造方法的一例的示意圖。
[0051] 圖6是示出利用了負型和正型的光致抗蝕劑的導電性部件的制造方法的一例的 示意圖。
[0052]圖7是示出利用了印刷圖案和掩模圖案的導電性部件的制造方法的一例的示意 圖。
[0053] 圖8是不出利用了印刷圖案的導電性部件的制造方法的一例的示意圖。
[0054] 圖9是示出利用了印刷圖案和負型的光致抗蝕劑的導電性部件的制造方法的一 例的示意圖。
[0055] 圖10是示出利用了印刷圖案和正型的光致抗蝕劑的導電性部件的制造方法的一 例的示意圖。

【具體實施方式】
[0056]下面，基于本發(fā)明的代表性實施方式進行記載，但是只要不超過本發(fā)明的主旨則 本發(fā)明不限定于所記載的實施方式。
[0057]需要說明的是，本說明書中，使用"?"表示的數(shù)值范圍是指將在"?"的前后所記 載的數(shù)值作為下限值和上限值包含在內(nèi)的范圍。
[0058]本說明書中，"光"這一用語不僅包括可見光線，還作為包括紫外線、χ射線、 γ射 線等高能射線、電子射線之類的粒子束等的概念使用。
[0059]本說明書中，為了表示丙烯酸、甲基丙烯酸中任一者或兩者，有時記為甲基）丙 烯酸"；為了表不丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯中任一者或兩者，有時記為"（甲基）丙烯酸酯"。 [0060]另外，只要不特別聲明則含量以質(zhì)量換算表示，只要不特別聲明則質(zhì)量％表示相 對于組合物的總量的比例，"固體成分"表示組合物中的除溶劑外的成分。
[0061]圖1中不出本發(fā)明的導電性部件的一例的示意圖。導電性部件的特征在于，其具 有基板200、包含金屬納米線的導電層100、和至少具有光散射性微粒的光散射性層 述光散射性層150中的上述金屬納米線的根數(shù)相對于導電層 1〇〇的單位面積的金屬納米線 的根數(shù)為5%以下，導電層100的單位面積的光散射性微粒的個數(shù)相對于光散射性層 15〇的 單位面積的光散射性微粒的個數(shù)為5%以下。
[0062]本發(fā)明中，光散射性層15〇具有光散射性微粒。據(jù)認為，通過在光散射性層150中 包含光散射性微粒從而光散射性微粒進行與導電層的金屬納米線同等的光散射，基于該原 因，導電層100與光散射性層150之間的霧度的差異減?。F度的比例接近D。
[0063]導電層和光散射性層形成于基板上，導電層通過形成包含金屬納米線的導電性區(qū) 域、并將該導電性區(qū)域的一部分圖案化而形成；或者通過利用各種印刷方式直接圖案印刷 而形成。光散射性層形成于通過圖案化而形成的導電層之間的部分（非導電性區(qū)域）。此 處，對導電層和光散射性層的形成順序沒有特別限定。例如，光散射性層通過形成包含光散 射性微粒的非導電性區(qū)域、并將該非導電性區(qū)域的一部分圖案化而形成；或者通過利用各 種印刷方式直接圖案印刷而形成，導電層也可以按照形成于通過圖案化除去了光散射性層 的部分（非導電性區(qū)域）的方式進行制造。
[0064]下面，對本發(fā)明中使用的各種部件、制造方法等進行詳細說明。
[0065] 導電層：
[0066] 本發(fā)明的導電層存在于基板上，由金屬納米線和基體構(gòu)成。
[0067](金屬納米線）
[0068]本說明書中，金屬納米線是指具有導電性、且具有長軸方向長度為直徑（短軸方 向長度）的5倍以上（長徑比為5以上）的長形的金屬納米線。可以為實心纖維，也可以 為中空纖維。
[0069]作為上述金屬納米線的材料沒有特別限制，可以根據(jù)目的適宜選擇，例如，優(yōu)選選 自由長式元素周期表（IUPAC1991)的第4周期、第5周期和第6周期組成的組中的至少一種 金屬，更優(yōu)選選自第二主族?第四主族、第一副族?第七副族、第八族中的至少一種金屬， 進一步優(yōu)選選自第二主族、第八族、第一副族、第二副族、第三主族和第四主族中的至少一 種金屬，特別優(yōu)選作為主要成分含有。
[0070] 作為上述金屬，可以舉出例如銅、銀、金、怕、鈕、鎳、錫、鈷、姥、銥、鐵、釕、鋨、猛、 鉬、鎢、鈮、鉭、鈦、鉍、銻、鉛、它們的合金等。這些之中，從導電性優(yōu)異的方面出發(fā)，特別優(yōu)選 銀和銀的合金。
[0071] 作為上述銀的合金中使用的金屬，可以舉出鉬、鋨、鈀、銥、錫、鉍、鎳等。它們可以 單獨使用一種，也可以合用兩種以上。
[0072] 作為上述金屬納米線的形狀沒有特別限制，可以根據(jù)目的適宜選擇，可以為例如 圓柱狀、長方體狀、截面為多邊形的柱狀等任意形狀，在要求高透明性的用途中，優(yōu)選為圓 柱狀或截面的多邊形的角圓滑的截面形狀。
[0073] 此處，上述金屬納米線的截面形狀可以通過將金屬納米線水分散液涂布于基板上 并利用透射型電子顯微鏡（TEM)觀察通過切片機制作的截面切片來調(diào)查。
[0074] 作為上述金屬納米線的平均短軸長度（有時稱為"平均短軸長"、"平均直徑"。）， 優(yōu)選150nm以下、更優(yōu)選5nm?lOOnm、特別優(yōu)選10nm?30nm。
[0075] 關(guān)于上述金屬納米線的平均短軸長度，使用透射型電子顯微鏡（TEM ;日本電子株 式會社制造、JEM_2〇OOFX)觀察300個金屬納米線，由其平均值求出金屬納米線的平均短軸 長度。需要說明的是，上述金屬納米線的短軸在非圓形時的短軸長度將最長的短軸作為短 軸長度。
[0076] 作為上述金屬納米線的平均長軸長度（有時稱為"平均長度"），優(yōu)選Ιμη]以上、 更優(yōu)選5 μ m?40 μ m、進一步優(yōu)選5 μ m?30 μ m。
[0077] 若上述平均長軸長度小于1 μ m，難以形成致密的網(wǎng)絡(luò)，有時無法得到充分的導電 性；若超過40 μ m，則金屬納米線過長，在制造時纏繞，在制造過程中有時產(chǎn)生凝聚物。
[0078] 關(guān)于上述金屬納米線的平均長軸長度，使用例如透射型電子顯微鏡（TEM ;日本電 子株式會社制造、JEM_2〇OOFX)觀察300個金屬納米線，由其平均值求出金屬納米線的平均 長軸長度。需要說明的是，在上述金屬納米線彎曲的情況下，通過圖像解析追蹤金屬納米線 圖像的曲線，并測定軌跡長度，由此求出各金屬納米線的長軸長度。
[0079] 作為金屬納米線的短軸長的變異系數(shù)，優(yōu)選0%?50%、更優(yōu)選0%?40%、特別 優(yōu)選0%?30%。
[0080] 關(guān)于上述變異系數(shù)，測定由上述電子顯微鏡（TEM)圖像隨機選擇的300個金屬納 米線的短軸長（直徑），對這300個金屬納米線計算出標準偏差和平均值，由此求出變異系 數(shù)。
[0081 ] 對上述金屬納米線沒有特別限制，可以利用任意的方法制作，優(yōu)選如下通過在溶 解有鹵化物和分散劑的溶劑中將金屬離子還原來進行制造。另外，從分散性、導電層的經(jīng)時 穩(wěn)定性的方面出發(fā)，優(yōu)選在形成金屬納米線后利用常規(guī)方法進行脫鹽處理。
[0082]另外，作為金屬納米線的制造方法，可以使用日本特開2009-215594號公報、日本 特開2〇〇9-2似88〇號公報、日本特開20〇 9_2"162號公報、日本特開2010-84173號公報、日 本特開2010_86714號公報等中記載的方法。
[0083]作為金屬納米線的制造中使用的溶劑，優(yōu)選親水性溶劑，可以舉出例如水、醇類、 多元醇類、醚類、酮類等，這些可以單獨使用一種，也可以合用兩種以上。
[0084]作為醇類，可以舉出例如甲醇、乙醇、正丙醇、異丙醇、丁醇等。作為多元醇類，可以 舉出例如乙二醇、1，2-丙二醇、丨，3-丙二醇等。作為醚類，可以舉出例如二噁烷、四氫呋喃 等。作為酮類，可以舉出例如丙酮、甲基乙基酮等。在加熱的情況下，其加熱溫度在不超過 所使用的溶劑的沸點的范圍內(nèi)，優(yōu)選25〇 Γ以下、更優(yōu)選20 X：以上2〇0 °c以下、進一步優(yōu)選 30°C以上180°C以下、特別優(yōu)選40°C以上17(TC以下、最優(yōu)選5(TC以上10(TC以下。需要說 明的是，上述沸點是指反應溶劑的蒸氣壓與反應容器中的壓力相等的溫度。通過使上述加 熱溫度為20°C以上，可促進金屬納米線的形成，能夠縮短制造所需的工序時間，因而優(yōu)選。 另外，通過為250°C以下，金屬納米線的短軸長度和長軸長度的單分散性提高，從透明性和 導電性的方面出發(fā)是合適的。需要說明的是，根據(jù)需要可以在顆粒形成過程中變更溫度，途 中的溫度變更有時會產(chǎn)生下述效果：控制核形成、抑制再次生成核、提高選擇成長的促進所 致的單分散性。
[0085]在對上述金屬納米線的制造中使用的溶劑進行加熱時，優(yōu)選添加還原劑來進行。 [0086] 作為上述還原劑沒有特別限制，可以從通常使用的還原劑中適宜選擇，可以舉出 例如硼氫化金屬鹽、氫化鋁鹽、烷醇胺、脂肪族胺、雜環(huán)式胺、芳香族胺、芳烷基胺、醇類、多 元醇類、有機酸類、還原糖類、糖醇類、亞硫酸鈉、肼化合物、糊精、氫醌、羥胺、谷胱甘肽等。 這些之中，特別優(yōu)選還原糖類、作為其衍生物的糖醇類、多元醇類。存在通過上述還原劑而 在功能上還作為分散劑或溶劑發(fā)揮作用的化合物，可以同樣優(yōu)選使用該化合物。
[0087]在上述金屬納米線制造時，優(yōu)選添加分散劑、和鹵化物或鹵化金屬微粒進行。
[0088] 分散劑添加的時機可以為還原劑的添加前，也可以與還原劑同時添加、進而可以 在還原劑之后添加，可以為金屬離子或鹵化金屬微粒的添加前，也可以與金屬離子或鹵化 金屬微粒同時添加、進而可以在金屬離子或鹵化金屬微粒之后添加。
[0089] 關(guān)于添加上述分散劑的階段，可以在制備顆粒前添加，也可以在分散聚合物存在 下添加，還可以在顆粒制備后為了控制分散狀態(tài)而添加。在將分散劑的添加分為2個階段 以上時，其量需要根據(jù)所需金屬線的短軸和長軸的長度而變更。其原因被認為是：根據(jù)分散 劑量的不同，作為金屬納米線的核的金屬顆粒的量或尺寸受到影響，并且根據(jù)作為金屬納 米線的核的金屬顆粒的量或尺寸，金屬納米線的短軸和長軸的長度會受到影響。
[0090] 作為上述分散劑，可以舉出例如含氨基的化合物、含硫輕基的化合物、含硫醚基的 化合物、氨基酸或其衍生物、肽化合物、多糖類、來自多糖類的天然高分子、合成高分子、或 者來自這些物質(zhì)的凝膠等高分子類等。這些之中作為分散劑使用的各種高分子化合物類是 包含于后述聚合物中的化合物。
[0091] 作為適宜用作分散劑的聚合物，優(yōu)選可以舉出例如作為具有保護膠體性的聚合物 的明膠、聚乙烯醇、甲基纖維素、羥丙基纖維素、聚亞烷基胺、聚丙烯酸的部分烷基酯、聚乙 烯基吡咯烷酮、包含聚乙烯基吡咯烷酮結(jié)構(gòu)的共聚物、具有氨基或硫羥基的聚丙烯酸等具 有親水性基團的聚合物。
[0092] 作為分散劑使用的聚合物的通過GPC法測定得到的重均分子量（Mw)優(yōu)選為3〇0〇 以上300000以下、更優(yōu)選為5000以上100000以下。
[0093] 關(guān)于能夠作為上述分散劑使用的化合物的結(jié)構(gòu)，可以參照例如"顏料的事典（顔 料Ο事典）"（伊藤征司郎編、株式會社朝倉書院發(fā)行、2000年）的記載。
[0094] 可以根據(jù)所使用的分散劑的種類而改變所得到的金屬納米線的形狀。
[0095] 作為上述鹵化物，只要是含有溴、氯、碘的化合物則沒有特別限制，可以根據(jù)目的 適宜選擇，優(yōu)選例如溴化鈉、氯化鈉、碘化鈉、溴化鉀、氯化鉀、碘化鉀等堿金屬鹵化物。
[0096]另外，下述起到分散劑作用的鹵化物也同樣可以優(yōu)選使用。
[0097]作為上述鹵化物的代替物，可以使用鹵化銀微粒，也可以一同使用鹵化物和鹵化 銀微粒。
[0098]另外，分散劑和鹵化物也可以使用具有兩者的功能的單一物質(zhì)。即，通過使用具有 作為分散劑的功能的鹵化物，可以用一種化合物表現(xiàn)出分散劑和鹵化物兩者的功能。
[0099]具有作為分散劑的功能的鹵化物可以舉出例如包含氨基和溴化物離子或氯化物 離子、碘化物離子的十六烷基三甲基溴化銨、十六烷基三甲基氯化銨、十六烷基三甲基碘化 銨、十二烷基三甲基溴化銨、十二烷基三甲基氯化銨、十二烷基三甲基碘化銨、硬脂基三甲 基溴化銨、硬脂基三甲基氯化銨、硬脂基三甲基碘化銨、癸基三甲基溴化銨、癸基三甲基氯 化銨、癸基三甲基碘化銨、二甲基二硬脂基溴化銨、二甲基二硬脂基氯化銨、二甲基二硬脂 基碘化銨、二月桂基二甲基溴化銨、二月桂基二甲基氯化銨、二月桂基二甲基碘化銨、二甲 基二棕櫚基溴化銨、二甲基二棕櫚基氯化銨、二甲基二棕櫚基碘化銨、四甲基溴化銨、四甲 基氯化銨、四甲基碘化銨、四乙基溴化銨、四乙基氯化銨、四乙基碘化銨、四丙基溴化銨、四 丙基氯化銨、四丙基碘化銨、四丁基溴化銨、四丁基氯化銨、四丁基碘化銨、甲基三乙基氯化 銨、甲基三乙基溴化銨、甲基三乙基碘化銨、二甲基二乙基溴化銨、二甲基二乙基氯化銨、二 甲基二乙基碘化銨、乙基三甲基溴化銨、乙基三甲基氯化銨、乙基三甲基碘化銨、十六烷基 二甲基溴化銨、十六烷基二甲基氯化銨、十六烷基二甲基碘化銨、十二烷基二甲基溴化銨、 十二烷基二甲基氯化銨、十二烷基二甲基碘化銨、硬脂基二甲基溴化銨、硬脂基二甲基氯化 銨、硬脂基二甲基碘化銨、癸基二甲基溴化銨、癸基二甲基氯化銨、癸基二甲基碘化銨等。它 們可以單獨使用一種，也可以合用兩種以上。
[0100] 作為除去金屬納米線以外的有機物和無機離子等不需要成分的脫鹽處理的方法， 沒有特別限制，可以使用基于離心分離等的金屬納米線的沉降和隨后的上清除去、基于超 濾的濾液除去、以及透析、凝膠過濾等。另外，為了除去不需要成分，還可以適宜添加促進不 需要成分溶出的試劑來進行脫鹽處理。作為促進這樣的不需要成分的溶出的試劑，可以舉 出例如針對氯化銀等鹵化銀的氨、針對各種金屬離子的螯合劑、乙二胺四乙酸二鈉等。
[0101] 上述金屬納米線優(yōu)選盡可能不包含堿金屬離子、堿土金屬離子、鹵化物離子等無 機離子。將上述金屬納米線制成水性分散物時的電導率優(yōu)選lmS/cm以下、更優(yōu)選0. lmS/cm 以下、進一步優(yōu)選0· 05mS/cm以下。
[0102] 將上述金屬納米線制成水性分散物時的20?時的粘度優(yōu)選0.5mPa· s? lOOmPa · s、更優(yōu)選 ImPa · s ?50mPa · s。
[0103] 作為本發(fā)明的上述金屬納米線的長徑比，只要為10以上則沒有特別限制，可以 根據(jù)目的適宜選擇，更優(yōu)選50以上、進一步優(yōu)選100以上、進一步優(yōu)選5000以上、更優(yōu)選 10, 000至100, 000。上述長徑比通常是指纖維狀物質(zhì)的長邊與短邊之比（平均長軸長度/ 平均短軸長度之比）。
[0104] 作為上述長徑比的測定方法沒有特別限制，可以根據(jù)目的適宜選擇，可以舉出例 如利用電子顯微鏡等進行測定的方法等。
[0105] 在利用電子顯微鏡測定上述金屬納米線的長徑比的情況下，只要能夠在電子顯微 鏡的1個視野中確認上述金屬納米線的長徑比是否為10以上即可。另外，通過各自分別測 定上述金屬納米線的平均長軸長度和平均短軸長度，能夠估計上述金屬納米線整體的長徑 比。
[0106]需要說明的是，在上述金屬納米線為管狀（中空纖維）的情況下，作為用于計算出 上述長徑比的直徑，使用該管的外徑。
[0107]此處，上述金屬納米線的平均短軸長度和平均長軸長度例如可以通過使用透射型 電子顯微鏡（TEM)或光學顯微鏡觀察TEM圖像或光學顯微鏡圖像而求出。本發(fā)明中，金屬 納米線的平均短軸長度和平均長軸長度是利用透射型電子顯微鏡（TEM)觀察300個金屬納 米線并由其平均值求出的。
[0108]金屬納米線的含量在導電層中優(yōu)選1. Omg/m2?150. Omg/m2、更優(yōu)選5. Omg/m2? 50mg/m2、特別優(yōu)選 5. Omg/m2 ?25mg/m2。
[0109]另外，上述導電層可以為圖案導電層，該方式中，導電層形成用組合物優(yōu)選為感光 性組合物。感光性組合物可以為負型，也可以為正型。下面，對能夠用于導電層的形成的感 光性組合物的例子進行說明，但不限定于下述例子。
[0110]在上述導電層的形成中，可以與上述金屬納米線一同使用作為基體的、例如（1) 至少含有粘結(jié)劑和光聚合性組合物的感光性組合物、（2)至少含有溶膠凝膠固化物的組合 物。
[0111] 此處，"基體"是指包含金屬納米線或光散射性微粒而形成層的物質(zhì)的總稱。通 過包含基體，導電層中的金屬納米線或光散射性層中的光散射性微粒的分散得以穩(wěn)定地維 持，而且，即使在不藉由粘接層而在基材表面形成導電層或光散射性層的情況下，也可確保 基材與導電層或光散射性層的牢固粘接。本發(fā)明的導電層或光散射性層可以無特別限制地 使用基體，從耐磨耗性、耐熱性和耐濕熱性優(yōu)異的方面考慮，特別優(yōu)選使用將后述的特定醇 鹽化合物水解和縮聚而得到的溶膠凝膠固化物作為基體。
[0112] 粘結(jié)劑：
[0113] 作為粘結(jié)劑，為線性有機高分子聚合物，可以從分子（優(yōu)選以丙烯酸系共聚物、苯 乙烯系共聚物為主鏈的分子）中具有至少1個促進堿溶性的基團（例如羧基、磷酸基、磺酸 基等）的堿溶性樹脂中適宜選擇。
[0114] 這些之中，優(yōu)選可溶于有機溶劑且可溶于堿性水溶液的物質(zhì)，另外，特別優(yōu)選具有 酸解離性基團、通過酸的作用而使酸解離性基團解離時成為堿溶性的物質(zhì)。
[0115] 此處，上述酸解離性基團表示能夠在酸的存在下解離的官能團。
[0116] 上述粘結(jié)劑的制造中可以適用例如基于公知的自由基聚合法的方法。關(guān)于利用上 述自由基聚合法制造堿溶性樹脂時的溫度、壓力、自由基引發(fā)劑的種類及其量、溶劑的種類 等聚合條件，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以容易地設(shè)定，可以實驗性地確定條件。
[0117] 作為上述線性有機高分子聚合物，優(yōu)選側(cè)鏈具有羧酸的聚合物。
[0118] 作為上述側(cè)鏈具有羧酸的聚合物，為例如日本特開昭59-44615號、日本特公昭 54-34327號、日本特公昭58-12577號、日本特公昭 54-25%7號、日本特開昭59-53836號、 日本特開昭59-71048號的各公報中記載的甲基丙烯酸共聚物、丙烯酸共聚物、衣康酸共聚 物、丁烯酸共聚物、馬來酸共聚物、偏酯化馬來酸共聚物等、以及側(cè)鏈具有羧酸的酸性纖維 素衍生物、對具有羥基的聚合物加成了酸酐而得到的聚合質(zhì)等，進而還可以舉出側(cè)鏈具有 (甲基）丙烯?；母叻肿泳酆衔镒鳛閮?yōu)選的物質(zhì)。
[0119] 這些之中，特別優(yōu)選（甲基）丙烯酸芐酯八甲基）丙烯酸共聚物、（甲基）丙烯 酸芐酯八甲基）丙烯酸/其它單體構(gòu)成的多元共聚物。
[0120] 此外，作為有用的物質(zhì)，還可以舉出側(cè)鏈具有（甲基）丙烯?；母叻肿泳酆衔铩?(甲基）丙烯酸八甲基）丙烯酸縮水甘油酯/其它單體構(gòu)成的多元共聚物。該聚合物可以 按照任意的量混合使用。
[0121] 除上述物質(zhì)外，還可以舉出日本特開平7-140654號公報中記載的（甲基）丙稀 酸_2_羥丙酯/聚苯乙烯大分子單體/甲基丙烯酸芐酯/甲基丙烯酸共聚物、2-羥基-3-苯 氧基丙基丙烯酸酯/聚甲基丙烯酸甲酯大分子單體/甲基丙烯酸芐酯/甲基丙稀酸共聚 物、甲基丙烯酸_2-羥乙酯/聚苯乙烯大分子單體/甲基丙烯酸甲酯/甲基丙烯酸共聚物、 甲基丙烯酸-2-羥乙酯/聚苯乙烯大分子單體/甲基丙烯酸芐酯/甲基丙烯酸共聚物等。
[0122] 作為上述堿溶性樹脂中的具體結(jié)構(gòu)單元，（甲基）丙烯酸和能夠與該（甲基）丙 烯酸共聚的其它單體是合適的。
[0123] 作為上述能夠與（甲基）丙烯酸共聚的其它單體，可以舉出例如（甲基）丙搖酸 燒基酯、（甲基）丙痛酸芳基酯、乙煉基化合物等。對于這些單體而言，燒基和芳基的氫原 子可以被取代基取代。
[0124] 作為上述（甲基）丙烯酸烷基酯或（甲基）丙烯酸芳基酯，可以舉出例如（甲基） 丙烯酸甲酯、（甲基）丙烯酸乙酯、（甲基）丙烯酸丙酯、（甲基）丙烯酸丁酯、（甲基）丙 烯酸異丁酯、（甲基）丙烯酸戊酯、（甲基）丙烯酸己酯、（甲基）丙烯酸辛酯、（甲基）丙 烯酸苯酯、（甲基）丙烯酸芐酯、（甲基）丙烯酸甲苯基酯、（甲基）丙烯酸萘酯、（甲基） 丙烯酸環(huán)己酯、（甲基）丙烯酸二環(huán)戊基酯、（甲基）丙烯酸二環(huán)戊烯基酯、（甲基）丙稀酸 二環(huán)戊烯基氧基乙酯、甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸四氫糠基酯、聚甲基丙烯酸甲酯 大分子單體等。它們可以單獨使用一種，也可以合用兩種以上。
[0125] 作為上述乙烯基化合物，可以舉出例如苯乙烯、α -甲基苯乙烯、乙烯基甲苯、丙烯 腈、乙烯基乙酸酯、Ν-乙烯基吡咯烷酮、聚苯乙烯大分子單體、CH2 = CR1!?2 [其中，R1表示氫 原子或碳原子數(shù)為1?5的烷基，R2表示碳原子數(shù)為6以上10以下的芳香族烴環(huán)。]等。 它們可以單獨使用一種，也可以合用兩種以上。
[0126] 從堿溶解速度、膜物性等方面考慮，上述粘結(jié)劑的重均分子量優(yōu)選1，〇〇〇? 500, 000、更優(yōu)選 3, 000 ?300, 000、進一步優(yōu)選 5, 000 ?200, 000。
[0127]此處，上述重均分子量可以通過凝膠色譜法進行測定，使用標準聚苯乙烯校正曲 線求出。
[0128]以包含上述金屬納米線的光聚合性組合物（感光性組合物）的固體成分的總質(zhì)量 為基準，粘結(jié)劑的含星優(yōu)選為5質(zhì)量％?9〇質(zhì)量％、更優(yōu)選1〇質(zhì)量％?85質(zhì)量％、進一步 優(yōu)選2〇質(zhì)量％?80質(zhì)量％。若為上述優(yōu)選的含量范圍，則可實現(xiàn)顯影性與金屬納米線的 導電性的兼顧。
[0129](光聚合性組合物（感光性組合物））
[0130]光聚合性組合物是指賦予導電層通過曝光而形成圖像的功能的化合物、或者提供 可誘發(fā)上述功能的化合物。包括（a)加成聚合性不飽和化合物、和（b)在照射光時產(chǎn)生自 由基的光聚合引發(fā)劑作為基本成分。
[0131] [ (a)加成聚合性不飽和化合物]
[0132] 作為成分（a)的加成聚合性不飽和化合物（下文中也稱為"聚合性化合物"。）是 在自由基的存在下產(chǎn)生加成聚合反應而被高分子化的化合物，通常，使用分子末端具有至 少一個、更優(yōu)選兩個以上、進一步優(yōu)選四個以上、進一步更優(yōu)選六個以上烯鍵式不飽和雙鍵 的化合物。
[0133] 它們具有例如單體、預聚物、即二聚體、三聚體和低聚物、或者這些的混合物等化 學形態(tài)。
[0134]作為這樣的聚合性化合物，已知各種化合物，它們可以作為成分（a)使用。
[0135] 其中，作為特別優(yōu)選的聚合性化合物，從膜強度的方面出發(fā)，特別優(yōu)選三羥甲基丙 烷三（甲基）丙烯酸酯、季戊四醇四（甲基）丙烯酸酯、二季戊四醇六（甲基）丙烯酸酯、 二季戊四醇五（甲基）丙烯酸酯。
[0136] 以包含上述金屬納米線的光聚合性組合物的固體成分的總質(zhì)量為基準，成分（a) 的含量優(yōu)選為2. 6質(zhì)量％以上37. 5質(zhì)量％以下，更優(yōu)選為5. 〇質(zhì)量％以上20. 0質(zhì)量％以 下。
[0137] [(b)光聚合引發(fā)劑]。
[0138] 作為成分（b)的光聚合引發(fā)劑是在照射光時產(chǎn)生自由基的化合物。這樣的光聚合 引發(fā)劑可以舉出通過光照射而產(chǎn)生最終成為酸的酸自由基的化合物、以及產(chǎn)生其它自由基 的化合物等。下面，將前者稱為"光產(chǎn)酸劑"，將后者稱為"光自由基引發(fā)劑"。
[0139] -光產(chǎn)酸劑_
[0M0]作為光產(chǎn)酸劑，可以適宜選擇光陽離子聚合的光引發(fā)劑、光自由基聚合的光引發(fā) 劑、色素類的光脫色劑、光變色劑、或者微抗蝕劑等中使用的通過活性光線或輻射線的照射 而產(chǎn)生酸自由基的公知化合物及其混合物而使用。
[0141]作為這樣的光產(chǎn)酸劑沒有特別限制，可以根據(jù)目的適宜選擇，可以舉出例如 醌二疊氮化合物、具有至少一個二鹵代甲基或三鹵代甲基的三嗪或13,4-噁二唑、萘 醌-1，2_二疊氮-4-磺酰鹵化物、重氮鹽、鱗鹽、锍鹽、碘鑰鹽、酰亞胺磺酸酯、肟磺酸酯、重 氮二砜、二砜、鄰硝基芐基磺酸酯等。這些之中，特別優(yōu)選作為產(chǎn)生磺酸的化合物的酰亞胺 磺酸酯、肟磺酸酯、鄰硝基芐基磺酸酯。
[01=]另外，可以使用向樹脂的主鏈或側(cè)鏈導入了通過活性光線或輻射線的照射而產(chǎn) 生酸自由基的基團或者化合物而得到的化合物，例如為美國專利第3, 849, 137號說明書、 德國專利第3914407號說明書、日本特開昭63- 26653號、日本特開昭55-164824號、曰本 牛寸開昭 62_69263號、日本特開昭63-146〇38號、日本特開昭 63-163452號、日本特開昭 62-153853號、日本特開昭 63-146029號的各公報等中記載的化合物。
[0143]此外，也可以使用美國專利第3, 779, 778號、歐州專利第126, 712號等各說明書中 記載的化合物作為酸自由基引發(fā)劑。
[0144]作為上述三嗪系化合物，可以使用例如日本特開2〇ι?-〇?8636號公報、日本特開 2〇11_254046號公報中記載的化合物。 明中，在光產(chǎn)麵中優(yōu)選產(chǎn)生麵的化合物，從高靈敏度的方面考慮，特別優(yōu) 選下述的肟磺酸酯化合物。
[0146]

【權(quán)利要求】
I. 一種導電性部件的制造方法，其特征在于，該導電性部件的制造方法包括以下工 序： 在基板上以圖案狀形成包含金屬納米線的導電層和包含光散射性微粒的光散射性層 中的任一種的工序； 在以圖案狀形成的一種層之間形成另一種層的工序。
2·如權(quán)利要求1所述的導電性部件的制造方法，其中，所述導電層與所述光散射性層 的霧度的比例、即光散射性層的霧度/導電層的霧度為0. 7以上1. 3以下。
3·如權(quán)利要求1或2所述的導電性部件的制造方法，其中，所述導電層和所述光散射性 層包含由下述通式（Π )表示的化合物水解和縮聚而得到的基體， M1 (OR^aRVa (Π ) 通式（II)中，Μ1表示選自Si、Ti和Zr中的元素，R1、!?2各自獨立地表示氫原子或烴基， a表示2?4的整數(shù)。
4. 如權(quán)利要求1?3的任一項所述的導電性部件的制造方法，其中，所述金屬納米線的 平均短軸長為15〇nm以下。
5. 如權(quán)利要求1?4的任一項所述的導電性部件的制造方法，其中，所述金屬納米線的 平均長軸長為1 μ m?40 μ m。
6. 如權(quán)利要求1?5的任一項所述的導電性部件的制造方法，其中，構(gòu)成所述導電層的 所述金屬納米線的含量在導電層中為1. 〇mg/m2?150. Omg/m2。
7. 如權(quán)利要求1?6的任一項所述的導電性部件的制造方法，其中，所述金屬納米線包 含銀。
8. 如權(quán)利要求1?7的任一項所述的導電性部件的制造方法，其中，所述導電層與所述 光散射性層的厚度之差為較薄的層的厚度的500%以下。
9. 如權(quán)利要求1?8的任一項所述的導電性部件的制造方法，其中，所述以圖案狀形成 的工序為下述工序：在所述導電層和所述光散射性層中的任一種層上以圖案狀適用光致抗 蝕劑，在所述光致抗蝕劑的開口部適用可溶解所述一種層的液體。
10. 如權(quán)利要求1?8的任一項所述的導電性部件的制造方法，其中，所述以圖案狀形 成的工序為下述工序：在所述導電層和所述光散射性層中的任一種層上以圖案狀施加光致 抗蝕劑，在所述光致抗蝕劑的開口部施加可溶解所述一種層的液體。 II. 如權(quán)利要求9或10所述的導電性部件的制造方法，其中，在施加可溶解所述一種層 的液體后，在所述光致抗蝕劑的開口部形成所述另一種層，將所述光致抗蝕劑剝離。
12. 如權(quán)利要求1?8的任一項所述的導電性部件的制造方法，其中，所述以圖案狀形 成的工序為以圖案狀印刷所述導電層和所述光散射性層中的任一種層的工序。
13. 如權(quán)利要求1?8的任一項所述的導電性部件的制造方法，其中，所述以圖案狀形 成的工序為對所述導電層和所述光散射性層中的任一種層進行圖案曝光、顯影的工序。
14. 如權(quán)利要求1?13的任一項所述的導電性部件的制造方法，其中，所述制造方法包 括：在所述基板上以圖案狀形成包含所述金屬納米線的導電層后，在形成為圖案狀的所述 導電層之間形成包含所述光散射性微粒的光散射性層。
15. 如權(quán)利要求1?13的任一項所述的導電性部件的制造方法，其中，所述制造方法包 括：在所述基板上以圖案狀形成包含所述光散射性微粒的光散射性層后，在形成為圖案狀 的所述光散射性層之間形成包含所述金屬納米線的導電層。
16. -種導電性部件，其特征在于， ° 該導電性部件具有基板、包含金屬納米線的導電層、和至少包含光散射性微粒的光散 射性層， 相對于所述導電層的單位面積的所述金屬納米線的根數(shù),所述光散射性層的單位面積 的所述金屬納米線的根數(shù)為5%以下， 相對于所述光散射性層的單位面積的所述光散射性微粒的個數(shù)，所述導電層的單位面 積的所述光散射性微粒的個數(shù)為5%以下。 I7·如權(quán)利要求I6所述的導電性部件，其中，所述導電層與所述光散射性層的霧度的 比例、即光散射性層的霧度/導電層的霧度為〇· 7以上1. 3以下。 I8· -種偏振片，其特征在于，該偏振片具有權(quán)利要求I6或17所述的導電性部件。
19. 一種圓偏振片，其特征在于，該圓偏振片具有權(quán)利要求16或17所述的導電性部件。
20. -種顯示裝置'其特征在于，該顯示裝置具有權(quán)利要求16或1?所述的導電性部件:
21. -種顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置具有權(quán)利要求18所述的偏振片。 °
22. -種顯示裝置，其特征在于，該顯示裝置具有權(quán)利要求19所述的圓偏振片。
23· -種觸控面板，其特征在于，該觸控面板具有權(quán)利要求16或17所述的導電性部件。
【文檔編號】H01B5/14GK104221098SQ201380015341
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2013年2月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月23日
【發(fā)明者】片桐健介 申請人:富士膠片株式會社