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      再利用硅片的制絨方法

      文檔序號(hào):7040628閱讀:337來(lái)源:國(guó)知局
      再利用硅片的制絨方法
      【專利摘要】本發(fā)明提供了一種再利用硅片的制絨方法,包括以下步驟:步驟S10:將制絨設(shè)備或濕法刻蝕設(shè)備的工藝槽的頂槽內(nèi)的藥液排空;步驟S20:使再利用硅片經(jīng)過(guò)工藝槽后進(jìn)入堿洗槽進(jìn)行堿洗;步驟S30:使堿洗后的再利用硅片進(jìn)入酸槽。本發(fā)明的技術(shù)方案有效地解決了現(xiàn)有技術(shù)中再利用硅片易出現(xiàn)亮片以及變薄的問(wèn)題。
      【專利說(shuō)明】再利用硅片的制絨方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明涉及電池制造工藝【技術(shù)領(lǐng)域】,具體而言,涉及一種再利用硅片的制絨方法?!颈尘凹夹g(shù)】
      [0002]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中的電池片的制造流程示意圖,如圖1所示,電池片的制造流程主要包括制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、PECVD (等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法)、印刷燒結(jié)以及測(cè)試包裝等步驟。上述步驟的作用具體如下:
      [0003]制絨:通過(guò)硝酸與氫氟酸的混合溶液對(duì)硅片表面進(jìn)行制絨;去除硅片切割時(shí)造成的表面損傷層;在硅片表面形成高低不平的表面及大量的孔洞,增加電池片表面的受光面積,降低反射率,從而提高太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率。
      [0004]擴(kuò)散:在P型襯底娃上擴(kuò)散一層磷層,形成了一層P-N結(jié)。
      [0005]濕法刻蝕:通過(guò)硝酸與氫氟酸的混合溶液對(duì)硅片進(jìn)行刻蝕;刻蝕硅片邊沿P-N結(jié),避免電池片漏電;拋光電池背面,起到鏡面效果,使得陽(yáng)光反射回硅片里面,多次利用。
      [0006]PECVD:利用低溫等離子體作能量源,樣品置于低氣壓下輝光放電的電極上,利用輝光放電(或另加發(fā)熱體)使樣品升溫到預(yù)定的溫度,然后通入適量的反應(yīng)氣體,氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng),在樣品表面形成固態(tài)薄膜。
      [0007]印刷燒結(jié):絲網(wǎng)印刷是利用印版非圖文部分絲網(wǎng)孔封閉而不能透過(guò)油墨、圖文部分絲網(wǎng)孔通透能透過(guò)油墨的原理進(jìn)行印刷的。將絲網(wǎng)張緊并牢固地固定在網(wǎng)框上,采用手工或者光化學(xué)的方法,在絲網(wǎng)上制作出能透過(guò)油墨的圖文部分和網(wǎng)孔封閉不能透過(guò)油墨的非圖文部分。印刷時(shí)將油墨放于印版一側(cè),用刮墨板(刮刀)在絲網(wǎng)印版上的油墨部位施加一定壓力,同時(shí)向絲網(wǎng)的另一端移動(dòng)。在此過(guò)程,油墨在刮刀的擠壓下從圖文部分的絲網(wǎng)通孔中漏至承印物上,從而完成一次印刷。
      [0008]制絨、擴(kuò)散、濕法刻蝕、PECVD以及印刷各個(gè)工序均會(huì)有不合格品產(chǎn)生,上述不合格品稱作再利用硅片,上述再利用硅片需要進(jìn)行再次處理。圖2示出了再利用硅片的制絨方法的流程示意圖。如圖2所示,再利用硅片的制絨方法包括步驟:裝載;使再利用硅片依次通過(guò)制絨槽(其內(nèi)含有HNO3和HF的混合液體)、堿洗槽(其內(nèi)含有KOH液體)以及酸槽(其內(nèi)含有HCL和HF的混合液體);熱風(fēng)干燥。在制絨槽、堿洗槽和酸槽之后還設(shè)有DI水(去離子水)洗槽。
      [0009]再利用硅片經(jīng)過(guò)一次或多次制絨處理后,會(huì)出現(xiàn)不同程度的亮片,而且部分亮片晶格比較明顯,容易造成組件花片。硅片的再利用會(huì)增加電池片的亮片、花片數(shù)量,降低成品電池片的外觀等級(jí)處理,增加生產(chǎn)成本。此外,再利用硅片變的比較薄,容易碎。硅片的二次再利用處理方法會(huì)使電池片轉(zhuǎn)換效率低,不合格比例高。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0010]本發(fā)明旨在提供一種再利用硅片的制絨方法,以解決現(xiàn)有技術(shù)中再利用硅片易出現(xiàn)亮片以及變薄的問(wèn)題。[0011]為了實(shí)現(xiàn)上述目的,根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供了一種再利用硅片的制絨方法,包括以下步驟:步驟Sio:將制絨設(shè)備或濕法刻蝕設(shè)備的工藝槽的頂槽內(nèi)的藥液排空;步驟S20:使再利用硅片經(jīng)過(guò)工藝槽后進(jìn)入堿洗槽進(jìn)行堿洗;步驟S30:使堿洗后的再利用硅片進(jìn)入酸槽。
      [0012]進(jìn)一步地,工藝槽內(nèi)設(shè)有相對(duì)設(shè)置的上滾輪和下滾輪,在步驟SlO中,藥液排空后清洗上滾輪和下滾輪,以去除上滾輪和下滾輪上殘留的藥液。
      [0013]進(jìn)一步地,在步驟S20中,使再利用硅片的制絨面朝下經(jīng)過(guò)上滾輪和下滾輪。
      [0014]進(jìn)一步地,步驟S20和步驟S30之間以及步驟S30之后還包括水洗步驟。
      [0015]進(jìn)一步地,工藝槽內(nèi)置有HNO3和HF的混合溶液。
      [0016]進(jìn)一步地,堿洗槽內(nèi)置有KOH溶液。
      [0017]進(jìn)一步地,制絨設(shè)備的酸槽內(nèi)置有HCL和HF的混合溶液;濕法刻蝕設(shè)備的酸槽內(nèi)置有HF溶液。
      [0018]應(yīng)用本發(fā)明的技術(shù)方案,將制絨設(shè)備或濕法刻蝕設(shè)備的工藝槽內(nèi)的藥液排空,這樣再利用硅片經(jīng)過(guò)工藝槽時(shí),僅與殘留的藥液反應(yīng),或者不與藥液反應(yīng),而是直接進(jìn)入堿洗槽和酸槽。這樣能夠最大程度地保留硅片第一次制絨的絨面效果和硅片的厚度,能夠有效地降低酸的耗量,降低碎片率,提升轉(zhuǎn)換效率,提高成品合格率以及降低電池片的亮片,減少因電池亮片而增加組件外觀花片。
      【專利附圖】

      【附圖說(shuō)明】
      [0019]構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分的說(shuō)明書(shū)附圖用來(lái)提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說(shuō)明用于解釋本發(fā)明,并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。在附圖中:
      [0020]圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)中的電池片的制造流程示意圖;
      [0021]圖2示出了現(xiàn)有技術(shù)中的再利用硅片的制絨方法的流程示意圖;以及
      [0022]圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的再利用硅片的制絨方法的實(shí)施例的流程示意圖。
      【具體實(shí)施方式】
      [0023]需要說(shuō)明的是,在不沖突的情況下,本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互組合。下面將參考附圖并結(jié)合實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明。
      [0024]針對(duì)【背景技術(shù)】中提到的再利用硅片易出現(xiàn)亮片以及變薄的問(wèn)題,發(fā)明人進(jìn)行了一系列的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證后發(fā)現(xiàn)易出現(xiàn)亮片以及變薄的原因如下:
      [0025]硅片經(jīng)過(guò)制絨槽時(shí),通過(guò)硝酸與氫氟酸的混合溶液對(duì)硅片表面進(jìn)行制絨。上述工藝的目的是I)去除硅片切割時(shí)造成的表面損傷層。2)在硅片表面形成高低不平的表面及大量的孔洞,增加電池片表面的受光面積,降低反射率,從而提高太陽(yáng)電池的轉(zhuǎn)換效率。而再利用硅片的制絨方法與硅片第一次制絨方法相同,也需要經(jīng)過(guò)制絨槽,這樣里面的藥液會(huì)損傷絨面,也即使得硅片的高低不平的表面(絨面)逐漸變得平整,進(jìn)而使硅片容易變成類似鏡面效果的亮片。此外,再次或者多次經(jīng)過(guò)制絨槽會(huì)在硅片的絨面進(jìn)行多次反應(yīng),這樣會(huì)減少硅片的厚度,進(jìn)而容易出現(xiàn)變薄的問(wèn)題。
      [0026]針對(duì)上述原因,本申請(qǐng)?zhí)岢隽艘环N有效的解決方案。如圖3所示,再利用硅片的制絨方法的優(yōu)選實(shí)施方式包括以下步驟:[0027]步驟SlO:將制絨設(shè)備或濕法刻蝕設(shè)備的工藝槽(制絨槽或刻蝕槽)內(nèi)的藥液排空;
      [0028]步驟S20:使再利用硅片經(jīng)過(guò)制絨槽后進(jìn)入堿洗槽進(jìn)行堿洗,堿洗用來(lái)清除PN結(jié);
      [0029]步驟S30:使堿洗后的再利用硅片進(jìn)入酸槽。
      [0030]應(yīng)用本優(yōu)選實(shí)施方式中,可以使用制絨設(shè)備或濕法刻蝕設(shè)備進(jìn)行再利用硅片的制絨。工藝槽包括頂槽和底槽,底槽存儲(chǔ)藥液,頂槽內(nèi)的藥液與硅片直接接觸。在本優(yōu)選實(shí)施方式中,將工藝槽的頂槽內(nèi)的藥液排空,這樣再利用硅片經(jīng)過(guò)制絨槽時(shí),僅與殘留的藥液反應(yīng),或者不與藥液反應(yīng),而是直接進(jìn)入堿洗槽和酸槽。這樣能夠最大程度地保留硅片第一次制絨的絨面效果和硅片的厚度,能夠有效地降低酸的耗量,降低碎片率,提升轉(zhuǎn)換效率,提高成品合格率以及降低電池片的亮片,減少因電池亮片而增加組件外觀花片。
      [0031]優(yōu)選地,利用制絨設(shè)備時(shí),酸槽中需要配比一定濃度HF、HCL混合藥液,其中HCL量的濃度要比現(xiàn)有技術(shù)中的高點(diǎn),原因是HCL可以清除硅片表面的金屬雜質(zhì),而HF可以凈化硅片潔凈度。
      [0032]制絨槽內(nèi)設(shè)有相對(duì)設(shè)置的上滾輪和下滾輪,在步驟SlO中,藥液排出后清洗上滾輪和下滾輪,以去除上滾輪和下滾輪上殘留的藥液。在將制絨槽內(nèi)的藥液排出后可以利用清水清洗上滾輪和下滾輪,這樣使得上滾輪和下滾輪上完全沒(méi)有藥液。
      [0033]或者,在步驟SlO中,藥液排出后無(wú)需清洗上滾輪和下滾輪,上滾輪和下滾輪上具有殘留的藥液。這樣,制造再利用硅片時(shí),一些再利用硅片經(jīng)過(guò)時(shí)會(huì)將上滾輪和下滾輪上殘留的藥液攜帶走,這樣也會(huì)使得上滾輪和下滾輪上完全沒(méi)有藥液。
      [0034]為了便于后續(xù)的擴(kuò)散工藝,在步驟S20中,使再利用硅片的制絨面朝下經(jīng)過(guò)上滾輪和下滾輪。此外,經(jīng)過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,當(dāng)上滾輪和下滾輪上具有殘留的藥液時(shí),再利用硅片的制絨面朝上經(jīng)過(guò)堿洗槽和酸槽后,發(fā)現(xiàn)再利用硅片的制絨面上有滾輪印。這樣,影響再利用硅片鍍膜后的顏色美觀,造成表面不合格。主要原因是滾輪上有hf、hno3的混合藥,硅片與滾輪接觸的地方腐蝕過(guò)高,形成滾輪印。而當(dāng)上滾輪和下滾輪上具有殘留的藥液時(shí),再利用硅片的制絨面朝下經(jīng)過(guò)堿洗槽和酸槽后,再利用硅片的制絨面上沒(méi)有滾輪印,主要原因是硅片與下滾輪接觸的面積增大,整張硅片的面積都會(huì)接觸到滾輪,參與藥液反應(yīng)比較均勻。
      [0035]下面結(jié)合具體實(shí)施例進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明的有益效果。
      [0036]實(shí)施例一
      [0037]把制絨設(shè)備的制絨槽(HF、HNO3的混合藥液槽)頂槽藥液排回底槽,保證制絨槽里的上滾輪和下滾輪上沒(méi)有一點(diǎn)的HF、HN03的混合藥液。配比一定濃度的K0H、HF、HCL后,其中KOH槽的電導(dǎo)率在12-15,酸槽的電導(dǎo)率在650-690。再利用硅片直接經(jīng)過(guò)堿洗槽和酸槽后,再利用硅片表面干凈,暗紋正常,片的亮度和正常原硅片制絨后的絨面差不多,擴(kuò)散方阻的均勻性較差5.1%,電池片的效率為17.31%,不合格比例為4.8%。
      [0038]實(shí)施例二
      [0039]更改堿槽的濃度,提高堿槽的電導(dǎo)率為18,把制絨設(shè)備的制絨槽(HF、HN03的混合藥液槽)頂槽藥液排回底槽,保證制絨槽里的上滾輪和下滾輪上有一些HF、HN03的混合藥液。把再利用硅片制絨面朝上,直接經(jīng)過(guò)堿槽、酸槽后,發(fā)現(xiàn)一些再利用硅片的制絨面還是有滾輪印,原因是硅片局部腐蝕過(guò)高,不是硅片在工藝參與化學(xué)反應(yīng)而生成的多孔硅。[0040]根據(jù)實(shí)施例二的實(shí)驗(yàn)條件,制絨設(shè)備運(yùn)行速度設(shè)定為2.1跟蹤再利用的電池片效
      率,數(shù)據(jù)如下:
      【權(quán)利要求】
      1.一種再利用硅片的制絨方法,其特征在于,包括以下步驟: 步驟SlO:將制絨設(shè)備或濕法刻蝕設(shè)備的工藝槽的頂槽內(nèi)的藥液排空; 步驟S20:使再利用硅片經(jīng)過(guò)所述工藝槽后進(jìn)入堿洗槽進(jìn)行堿洗; 步驟S30:使堿洗后的所述再利用硅片進(jìn)入酸槽。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨方法,其特征在于,所述工藝槽內(nèi)設(shè)有相對(duì)設(shè)置的上滾輪和下滾輪,在所述步驟SlO中,所述藥液排空后清洗所述上滾輪和所述下滾輪,以去除所述上滾輪和所述下滾輪上殘留的所述藥液。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨方法,其特征在于,在所述步驟S20中,使所述再利用硅片的制絨面朝下經(jīng)過(guò)所述上滾輪和所述下滾輪。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨方法,其特征在于,所述步驟S20和步驟S30之間以及所述步驟S30之后還包括水洗步驟。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨方法,其特征在于,所述工藝槽內(nèi)置有HNO3和HF的混合溶液。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨方法,其特征在于,所述堿洗槽內(nèi)置有KOH溶液。
      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制絨方法,其特征在于,所述制絨設(shè)備的酸槽內(nèi)置有HCL和HF的混合溶液;所述濕法刻蝕設(shè)備的酸槽內(nèi)置有HF溶液。
      【文檔編號(hào)】H01L21/306GK103730347SQ201410024937
      【公開(kāi)日】2014年4月16日 申請(qǐng)日期:2014年1月10日 優(yōu)先權(quán)日:2014年1月10日
      【發(fā)明者】符昌京, 許明金, 方菊英, 王家道, 王川, 聶文廣, 王慶森, 曾德棟, 邱維運(yùn) 申請(qǐng)人:海南英利新能源有限公司
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