一種提升頻率特性的贗配高電子遷移率晶體管及制作方法
【專利摘要】本發(fā)明是一種贗配高電子遷移率晶體管的制作方法，本發(fā)明是在普通的雙凹槽工藝的基礎上進行的，利用介質(zhì)層(11)將空洞層(15)隔成兩個區(qū)域，再利用介質(zhì)層(14)將被隔成的兩個空洞區(qū)域都封閉，最后利用干法的各向異性刻蝕將介質(zhì)層(14)刻蝕，但仍然剩余部分的介質(zhì)層(14)將空洞區(qū)域封閉。制作方法，利用MBE的方法形成InGaAs/AlGaAs/GaAs異質(zhì)結材料，利用干法及濕法形成凹槽，利用等離子體增強化學汽相、蒸發(fā)方法形成介質(zhì)層，制成雙凹槽砷化鎵贗配高電子遷移率晶體管。優(yōu)點：減小柵寄生電容，提高器件的頻率特性。
【專利說明】一種提升頻率特性的贗配高電子遷移率晶體管及制作方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及的是一種提升頻率特性的贗配高電子遷移率晶體管及制作方法，具體地說是一種砷化鎵銦/砷化鎵鋁/砷化鎵贗配高電子遷移率晶體管及其制造方法，屬于半導體【技術領域】。
【背景技術】
[0002]隨著科技的發(fā)展，各種微波應用系統(tǒng)迫切需要適用于高頻率特性的電子器件，基于化合物半導體的電子器件在微波系統(tǒng)中發(fā)揮著不可替代的作用。Triquint公司應用
0.35 μ m光刻機，通過介質(zhì)生長的“側墻技術”縮小柵腳尺寸，從而制作出低成本的8_毫米波段應用器件。但是要進一步提升器件的頻率特性，就需要在此基礎上進一步降低寄生電容。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明提出的是一種提升頻率特性的贗配高電子遷移率晶體管及制作方法，其目的旨在克服現(xiàn)有技術所存在的上述缺陷，大幅度的提高器件的頻率特性。
[0004]本發(fā)明的技術解決方案是:贗配高電子遷移率晶體管，其結構是緩沖層位于襯底和InGaAs溝道層之間，低摻雜砷化鎵層在InGaAs溝道層及AlGaAs勢壘層上；高摻雜砷化鎵層在低摻雜砷化鎵層上；高摻雜砷化鎵層上的源電極和與源電極間有漏電極；源電極和漏電極之間去除高摻雜砷化鎵層提供A凹槽；該A凹槽及高摻雜砷化鎵層表面提供介A介質(zhì)層、B介質(zhì)層、C介質(zhì)層、D介質(zhì)層、E介質(zhì)層；在A凹槽中去除低摻雜砷化鎵層以提供B凹槽；柵電極金屬位于E介質(zhì)層及B凹槽上。
[0005]其制作方法，包括以下工藝步驟:
1)在襯底上采用MBE和/或者任何其他合適的方法依次形成緩沖層溝道及勢壘層、低摻雜砷化鎵層、高摻雜砷化鎵層；
2)在高摻雜砷化鎵層上形成第一歐姆接觸區(qū)作為源電極；
3)在高摻雜砷化鎵層上與第一歐姆接觸區(qū)間距間形成第二歐姆接觸區(qū)作為漏電極；
4)在源電極和漏電極之間利用干法或者濕法刻蝕的方法去除高摻雜砷化鎵層形成一A凹槽；
5)在源電極與漏電極之間的表面淀積A介質(zhì)層、B介質(zhì)層、C介質(zhì)層、D介質(zhì)層、E介質(zhì)層，A介質(zhì)層、B介質(zhì)層、C介質(zhì)層、D介質(zhì)層、E介質(zhì)層的淀積方法包括等離子體增強化學汽相淀積PECVD、電子束蒸發(fā)；
6)利用干法刻蝕形成介質(zhì)窗口及空洞，為了將空洞的尺寸擴大，可利用濕法刻蝕B介質(zhì)層、D介質(zhì)層；
7)淀積F介質(zhì)層，F(xiàn)介質(zhì)層縮小介質(zhì)窗口的尺寸、F介質(zhì)層封閉空洞(15)的外邊緣，F(xiàn)介質(zhì)層的淀積方法為離子體增強化學汽相淀積PECVD ；
8)利用干法刻蝕F介質(zhì)層，介質(zhì)窗口位置的F介質(zhì)層刻蝕至A凹槽表面，刻蝕后F介質(zhì)層后，空洞仍然被封閉；
9)濕法刻蝕介質(zhì)窗口處的低摻雜砷化鎵層，形成B凹槽；
10)可選擇電子束蒸發(fā)柵電極金屬。
[0006]本發(fā)明的優(yōu)點:通過生長多層介質(zhì)層，在干法刻蝕柵腳介質(zhì)工藝時中間的疏松介質(zhì)層自動形成合適的側蝕量；疏松介質(zhì)層分兩層生長，與單層疏松介質(zhì)層比較，在同樣的空洞大小尺寸下，兩層疏松介質(zhì)能通過生長介質(zhì)層將空洞封閉，防止柵制作工藝的不穩(wěn)定。側墻介質(zhì)層的生長縮小了柵腳的尺寸，極大的降低光刻小柵腳尺寸的成本，同時T型柵柵帽的下端形成一定的真空空洞，因此T型棚的寄生電容大大的減小，大幅度的提聞器件的頻率特性。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0007]圖1A是普通雙凹槽砷化鎵PHEMT的剖面圖。
[0008]圖1B是A器件31，是單層疏松介質(zhì)時，未經(jīng)過柵腳線寬縮小流程的雙凹槽砷化鎵PHEMT剖面圖。
[0009]圖1C是B器件32，是在A器件31的基礎上，通過淀積介質(zhì)縮小柵腳尺寸的剖面，空洞15的邊緣未能封閉，存在工藝隱患。
[0010]圖1D是器件33，是在器件32的基礎上，通過生長兩層疏松介質(zhì)，縮小柵腳線寬、保證空洞尺寸大小，并且封閉了空洞15，保證器件無工藝隱患。
[0011]圖2A是利用掩膜將第一次凹槽的位置裸露的剖面圖。
[0012]圖2B是將圖2A中裸露的位置刻蝕去除到一定程度的剖面圖。
[0013]圖2C是2A、2B中去除A掩膜41后淀積多層介質(zhì)層的剖面圖。
[0014]圖2D是利用掩膜將特定位置的介質(zhì)裸露的剖面圖。
[0015]圖2E是利用干法刻蝕去除特定位置的介質(zhì)的剖面圖。
[0016]圖2F是去除B掩膜42，并生長F介質(zhì)層14的剖面圖。
[0017]圖2G是刻蝕F介質(zhì)層14后的剖面圖。
[0018]圖2H是利用掩膜將特定位置裸露的剖面圖。
[0019]圖21是利用濕法刻蝕形成第二次凹槽的剖面圖。
[0020]圖2J是淀積了柵金屬的剖面圖。
[0021]圖2K是去除C掩膜43的剖面圖。
[0022]圖中的I是襯底、2是緩沖層、3是AlGaAs勢壘層、4是低摻雜砷化鎵層、5是高摻雜砷化嫁層、6是源電極、7是漏電極、8是A凹槽、9是A介質(zhì)層、10是B介質(zhì)層、11是C介質(zhì)層、12是D介質(zhì)層、13是E介質(zhì)層、14是F介質(zhì)層、15是空洞、16是B凹槽、17是柵電極金屬，41是A掩模、42是B掩模、43是C掩模，31是A器件、32是B器件、33是C器件。
【具體實施方式】
[0023]一個C器件33的實施例，如圖1D所示，
贗配高電子遷移率晶體管，其結構是緩沖層2位于襯底I和溝道層之間，低摻雜砷化鎵層4在InGaAs溝道層及AlGaAs勢壘層3上；高摻雜砷化鎵層5在低摻雜砷化鎵層4上；高摻雜砷化鎵層5上的源電極6和與源電極間有漏電極7 ;源電極6和漏電極7之間去除高摻雜砷化鎵層5提供A凹槽8 ;該A凹槽8及高摻雜砷化鎵層5表面提供A介質(zhì)層9、B介質(zhì)層10、C介質(zhì)層11、D介質(zhì)層12、E介質(zhì)層13 ;在A凹槽8中去除低摻雜砷化鎵層4以提供B凹槽16 ;柵電極金屬17位于E介質(zhì)層13及B凹槽16上。
[0024]所述的InGaAs溝道層及AlGaAs勢壘層3為砷化鎵銦及砷化鎵鋁材料，砷化鎵銦及砷化鎵鋁分別是由于它們相對于砷化鎵的高電子遷移率及高勢壘而被選為溝道層及勢壘層的材料，一般地，砷化鎵銦中銦的含量越高，其電子遷移率則越高，砷化鎵鋁的勢壘同樣隨鋁含量的增加而提高。但是，因為和砷化鎵材料晶格匹配的需要，InGaAs溝道層中銦的組分最好在0.2^0.35之間，而InGaAs勢壘層中鋁的組分也不能超過0.34 ；InGaAs溝道層厚度為5納米到20納米，InGaAs勢壘層厚度為20納米左右，有時候為了提升器件的頻率特性，可適當?shù)慕档退鼈兊暮穸取５蛽诫s砷化鎵層4是為了調(diào)節(jié)柵電極及漏電極的之間的電場大小及分布，具體作用可參考相關文獻。高摻雜砷化鎵帽層5用于制作源漏電極，為了獲得良好的歐姆接觸電阻，其摻雜濃度為5 X IO18CnT3以上。[0025]所述的A介質(zhì)層9、B介質(zhì)層10、C介質(zhì)層11、D介質(zhì)層12、E介質(zhì)層13上各開有介質(zhì)窗口，且B介質(zhì)層10、D介質(zhì)層12上形成空洞15。
[0026]在帽層5上提供歐姆接觸電極6作為源電極，歐姆接觸電極7作為漏電極，源電極6和漏電極7可以是AuGeNi或者任何其它可與帽層形成歐姆接觸的合適的材料，源電極6和漏電極7上的金屬優(yōu)選的采用電子束蒸發(fā)形成，并在400°C的高溫下快速退火50s左右，在快速退火過程中需氮氣(N2)或者任何其它合適的惰性氣體保護源電極6和漏電極7的金屬不被氧化。如前所述，源電極6和漏電極7的間距一般為1.5微米到4微米。
[0027]制作方法
在源歐姆接觸電極和漏歐姆接觸電極之間的帽層層上制作A凹槽8，A凹槽8的形成可采用干法或者濕法刻蝕的方法，優(yōu)選的刻蝕方法為干法刻蝕，包括反應離子刻蝕(RIE)和電感耦合等離子體刻蝕(ICP)，干法刻蝕砷化鎵的方法可采用三氯化硼及六氟化硫(BC13/SF6的混合氣體(該法利用的較為廣泛，這里不詳細介紹)。凹槽的寬度、源側側壁與源電極的距離、漏側側壁與漏電極的距離根據(jù)實際需要而定，并取決于制造中光刻所能達到的精度，如前所述，凹槽深度即為帽層的厚度，一般在50納米至200納米的范圍內(nèi)。
[0028]在帽層5及凹槽表面(低摻雜砷化鎵層4表面)的淀積多層介質(zhì)層，其中A介質(zhì)層9 一般根據(jù)砷化鎵表面的需要而選為氮化硅(SiN)；
B介質(zhì)層10為疏松介質(zhì),可使用但不限于氮化娃SiN或氧化娃SiO2 ；
C介質(zhì)層11為致密介質(zhì),其致密度可和A介質(zhì)層9 一樣，也可根據(jù)需要而不一樣，但是和B介質(zhì)層10的介質(zhì)要有所區(qū)別；D介質(zhì)層12為疏松介質(zhì)，可使用但不限于氮化硅SiN或氧化硅SiO2 ;E介質(zhì)層13為致密介質(zhì)，其致密度可和A介質(zhì)層9、C介質(zhì)層11 一樣，也可根據(jù)需要而不一樣，但是和B介質(zhì)層10、D介質(zhì)層12的介質(zhì)要有所區(qū)別。五層介質(zhì)層淀積的方法包括電子束蒸發(fā)、等離子體增強化學汽相淀積(PECVD)，優(yōu)選的采用等離子體增強化學汽相淀積技術。
[0029]A介質(zhì)層9、B介質(zhì)層10、C介質(zhì)層11、D介質(zhì)層12、E介質(zhì)層13的厚度最好分別為20到50納米、50到80納米、20到50納米、50到80納米、50到100納米。
[0030]所述的E介質(zhì)層13之上生長F介質(zhì)層14，且介質(zhì)窗口的尺寸縮小、空洞15的外邊緣被封閉；空洞15置在柵電極金屬17下。[0031]所述的A凹槽8內(nèi)有B凹槽16。
[0032]在A介質(zhì)層9上凹槽以內(nèi)利用干法刻蝕的方法形成一介質(zhì)窗口，介質(zhì)窗口寬度、所處的位置取決于不同的應用目的。介質(zhì)窗口完成后，淀積F介質(zhì)層14，淀積后又將其刻蝕，利用淀積和刻蝕的差異，在空洞15邊緣遺留下部分F介質(zhì)層14，從而縮小介質(zhì)窗口的寬度，并且空洞15被封閉?？涛gF介質(zhì)層14后再利用介質(zhì)材料為掩膜并采用濕法刻蝕的方法制作第二次凹槽。第二次凹槽是處于介質(zhì)窗口之下的，并且其寬度基本取決于介質(zhì)窗口的寬度(還可濕法刻蝕的方法及條件選擇有關)。通過介質(zhì)窗口，將柵電極金屬17淀積在第二次凹槽的表面，并且部分金屬被淀積在C介質(zhì)層11的表面靠近介質(zhì)窗口的邊緣處，因此柵電極金屬17形成了 “T”型的結構，柵電極金屬可選擇Ti/Pt/Au、Ti/Al，淀積的方法可選擇電子束蒸發(fā)。
[0033]對照圖2A-2K，包括在帽層上形成A凹槽8、并在A凹槽上淀積A介質(zhì)層9、B介質(zhì)層
10、C介質(zhì)層11，利用干法對不同致密程度介質(zhì)刻蝕速率的不同，在介質(zhì)窗口處B介質(zhì)層10上自動形成一定的側蝕量，再利用介質(zhì)層的輔助作用形成“T”型的柵電極金屬17。如前所述，在襯底I上采用MBE或者其他任何合適的生長方法依次外延生長形成緩沖層2、InGaAs溝道層及AlGaAs勢壘層(3)，低摻雜層4，高摻雜層5，并在高摻雜層5上形成源歐姆接觸電極6和漏歐姆接觸電極7。
[0034]對帽層上的凹槽進行構圖，以便刻蝕形成A凹槽8。
[0035]如圖2A所示，在器件的表面形成A掩模41，以便對器件不需要形成凹槽的地方進行保護，A掩模41優(yōu)選的材料為光刻膠，其厚度在I微米左右，以便起到阻擋刻蝕的作用；如圖2B所示，利用前面所述的刻蝕方法對帽層5進行刻蝕并刻蝕至帽層底部，使得凹槽8的深度和帽層的厚度相等。
[0036]A凹槽8刻蝕形成后，去除掩模41，如圖2C所示，去除A掩模41，并在A凹槽的表面淀積介質(zhì)層A介質(zhì)層9、B介質(zhì)層10、C介質(zhì)層11、D介質(zhì)層12、E介質(zhì)層13,可選的介質(zhì)層材料包括氮化娃SiN、氧化娃SiO2中的一種,淀積介質(zhì)層A介質(zhì)層9、B介質(zhì)層10、C介質(zhì)層11、D介質(zhì)層12、E介質(zhì)層13的方法優(yōu)選地采用等離子體增強化學汽相淀積的方法，各介質(zhì)層的厚度必須精確地控制，A介質(zhì)層9、B介質(zhì)層10、C介質(zhì)層11的厚度如前所述分別為20到50納米、50到80納米、20到50納米、50到80納米、50到100納米。介質(zhì)淀積完成后，如圖2D，在E介質(zhì)層13表面形成B掩膜42，以便對不需要形成介質(zhì)窗口的地方進行保護，B掩模42優(yōu)選的材料為光刻膠，其厚度在500納米左右，這里要形成的介質(zhì)窗口一般寬度較窄，因此光刻膠B掩模42不能過厚，避免出現(xiàn)光刻膠窗口寬度過窄和光刻分辨率之間的矛盾。如圖2D所示，光刻膠窗口形成后，利用干法刻蝕對A介質(zhì)層9、B介質(zhì)層10、C介質(zhì)層11、D介質(zhì)層12、E介質(zhì)層13進行一次性刻蝕，B介質(zhì)層10、D介質(zhì)層12由于較疏松，其干法刻蝕的速率是比其他兩層更快的，因此就形成了如圖2E所示的形貌，在B介質(zhì)層10、D介質(zhì)層12上有一定的側蝕。側蝕量的大小可根據(jù)應用的需要而調(diào)整A介質(zhì)層9、B介質(zhì)層10、C介質(zhì)層11、D介質(zhì)層12、E介質(zhì)層13進行一次性刻蝕的致密程度，一般地說，側蝕量越大，對器件的頻率特性提高程度越大，通?？刹捎脻穹涛g的辦法增加側蝕量，由于濕法刻蝕介質(zhì)的速率對介質(zhì)的疏松情況的敏感程度要遠遠大于干法，因此該法可較為方便的解決側蝕量不夠的問題。濕法腐蝕液可選擇但不限于緩沖氫氟酸溶液(Β0Ε)，可根據(jù)應用的需要適當將其與水混合兌稀至合適的濃度。[0037]干法刻蝕出介質(zhì)窗口后(如前所述，有必要的情況下可在干法刻蝕完成后增加濕法刻蝕的步驟)，去除圖2E中的B掩膜42，并且淀積F介質(zhì)層14，如圖2F。F介質(zhì)層14的作用為:縮小介質(zhì)窗口的寬度、封閉空洞15形成真空空洞。如前所述，如果A介質(zhì)層9、B介質(zhì)層10、C介質(zhì)層11、D介質(zhì)層12、E介質(zhì)層13合并成如圖1B的三層介質(zhì)層，F(xiàn)介質(zhì)層14將不能很好的封閉空洞14，如圖1C所示，如此一來后續(xù)的工藝將會有較大的隱患。因此，將圖1B中的B介質(zhì)層10分成圖2F中的B介質(zhì)層10、D介質(zhì)層12兩層，在圖2F中的B介質(zhì)層10、D介質(zhì)層12中間有一層C介質(zhì)層11起到了 “隔板”的作用，F(xiàn)介質(zhì)層14能淀積在C介質(zhì)層11的上下兩側，對封閉空洞15起到了很好的作用。
[0038]F介質(zhì)層14淀積后，利用ICP刻蝕臺的各項異性特性，將F介質(zhì)層14刻蝕，但是在空洞15的邊緣有比分的F介質(zhì)層14遺留下來。再次在D介質(zhì)層13表面形成C掩膜43，以便對不需要淀積柵金屬的地方進行保護，C掩模43優(yōu)選的材料為光刻膠，掩膜窗口必須在介質(zhì)窗口正上方，且為了將這個介質(zhì)窗口都覆蓋上柵金屬，掩膜窗口的尺寸要比干法刻蝕后的介質(zhì)窗口尺寸大，如圖2H。
[0039]B凹槽16的制作是在介質(zhì)窗口形成后進行的，準確的說，B凹槽16是以A介質(zhì)層9作為掩膜，如圖21。B凹槽16刻蝕的深度和低摻雜層4的厚度是一致的，它的制作一般采用濕法刻蝕的方法，這是由于低摻雜層4的底部與溝道層的距離過小，干法刻蝕的辦法不可避免的會對溝道層帶來一定的損傷，從而影響器件。濕法刻蝕溶液可選擇但不限于檸檬酸和雙氧水的混合液(CA/H202)，該腐蝕液的研究文獻眾多，這里不再詳述。
[0040]B凹槽16完成以后，在C掩膜43的保護下，只對介質(zhì)窗口附近的范圍內(nèi)進行柵金屬的淀積，柵金屬的結構形成了“T”型這一應用廣泛的結構。柵金屬結構形成后，用柵剝離技術去除C掩膜43，最終完成C器件33的制作。
[0041]本發(fā)明提供了一種雙凹槽砷化鎵(GaAs) PHEMT。該PHEMT包括:以砷化鎵作為襯底，形成在襯底上的由砷化鎵鋁/砷化鎵(AlGaAs/GaAs)超晶格結構構成的緩沖層，緩沖層上具有砷化鎵銦/硅平面摻雜/砷化鎵鋁(InGaAs/Si δ /AlGaAs,稱之為溝道/平面摻雜/勢壘層)的結構，其上依次為低摻雜砷化鎵層及制作歐姆電極的高摻雜砷化鎵帽層。制作在帽層上的兩個歐姆接觸區(qū)作為源電極及漏電極，它們之間隔開一定的距離。在源電極與漏電極之間的帽層上形成一定寬度的凹槽，并在源漏電極及寬槽上覆蓋上致密/疏松/致密的三明治結構氮化硅SiN介質(zhì)；在凹槽以內(nèi)正上方的位置開出一定寬度的介質(zhì)窗口，并在介質(zhì)窗口內(nèi)再次形成與之相應大小的凹槽。柵電極金屬通過介質(zhì)口覆蓋在砷化鎵鋁勢壘層上，由此形成金屬-半導體的肖特基勢壘接觸。
【權利要求】
1.贗配高電子遷移率晶體管，其特征是緩沖層位于襯底和InGaAs溝道層之間，低摻雜砷化鎵層(4 )在InGaAs溝道層及AlGaAs勢壘層(3 )上；高摻雜砷化鎵層(5 )在低摻雜砷化鎵層(4)上；高摻雜砷化鎵層(5)上的源電極(6)和與源電極間有漏電極(7);源電極(6)和漏電極(7 )之間去除高摻雜砷化鎵層(5 )提供A凹槽(8 );該A凹槽(8 )及高摻雜砷化鎵層(5)表面提供介A介質(zhì)層(9)、B介質(zhì)層(10)、C介質(zhì)層(11)、D介質(zhì)層(12)、E介質(zhì)層(13);在A凹槽(8)中去除低摻雜砷化鎵層(4)以提供B凹槽(16);柵電極金屬(17)位于E介質(zhì)層(13)及B凹槽(16)上。
2.如權利要求1所述的贗配高電子遷移率晶體管，其特征是所述的InGaAs溝道層的厚度為5納米-20納米，AlGaAs勢壘層厚度為20納米。
3.如權利要求1所述的贗配高電子遷移率晶體管，其特征是所述的源電極(6)與漏電極(7)之間的間距為1.5微米-4微米。
4.如權利要求1所述的贗配高電子遷移率晶體管，其特征是所述的介質(zhì)層(9)是致密氮化硅SiN，A介質(zhì)層(9)厚度20-50納米；B介質(zhì)層(10)包括疏松的氮化硅SiN、二氧化硅SiO2, C介質(zhì)層(10 )厚度50-80納米；C介質(zhì)層(11)是致密氮化硅SiN, C介質(zhì)層(11)厚度20-50納米；D介質(zhì)層(12)包括疏松的氮化硅SiN、二氧化硅SiO2, D介質(zhì)層(12)厚度50到80納米；E介質(zhì)層(13)是致密氮化硅SiN，E介質(zhì)層(13)厚度50-100納米。
5.如權利要求4所述的贗配高電子遷移率晶體管，其特征是所述的A介質(zhì)層(9)、B介質(zhì)層(10)、C介質(zhì)層(11)、D介質(zhì)層(12)、E介質(zhì)層(13)上各開有介質(zhì)窗口，且B介質(zhì)層(10)、D介質(zhì)層(12)上形成空洞(15)。
6.如權利要求1或5所述的贗配高電子遷移率晶體管，其特征是所述的F介質(zhì)層(14)生長于E介質(zhì)層(13)之上，且介質(zhì)窗口 的尺寸縮小、空洞(15)的外邊緣被封閉。
7.如權利要求1所述的贗配高電子遷移率晶體管，其特征是所述的B凹槽(16)位于A凹槽(8)內(nèi)。
8.如權利要求5所述的一種贗配高電子遷移率晶體管，其特征是所述的空洞(15)置在柵電極金屬(17)下。
9.如權利要求1的一種贗配高電子遷移率晶體管的制作方法，其特征是該方法包括以下工藝步驟: 1)在襯底(I)上采用MBE和/或者任何其他合適的方法依次形成緩沖層(2)溝道及勢壘層(3 )、低摻雜砷化鎵層(4 )、高摻雜砷化鎵層(5 ); 2)在高摻雜砷化鎵層(5)上形成第一歐姆接觸區(qū)(6)作為源電極； 3)在高摻雜砷化鎵層(5)上與第一歐姆接觸區(qū)(6)間距間形成第二歐姆接觸區(qū)(7)作為漏電極； 4)在源電極和漏電極之間利用干法或者濕法刻蝕的方法去除高摻雜砷化鎵層(5)形成一 A凹槽(8)； 5)在源電極(5)與漏電極(6)之間的表面淀積A介質(zhì)層(9)、B介質(zhì)層(10)、C介質(zhì)層(11)、D介質(zhì)層(12)、E介質(zhì)層(13)，A介質(zhì)層(9)、B介質(zhì)層(10)、C介質(zhì)層(11)、D介質(zhì)層(12)、E介質(zhì)層(13)的淀積方法包括等離子體增強化學汽相淀積PECVD、電子束蒸發(fā)； 6)利用干法刻蝕形成介質(zhì)窗口及空洞(15)，為了將空洞(15)的尺寸擴大，利用濕法刻蝕B介質(zhì)層(10)、D介質(zhì)層(12);7)淀積F介質(zhì)層(14),F介質(zhì)層(14)縮小介質(zhì)窗口的尺寸、F介質(zhì)層(14)封閉空洞(15)的外邊緣，F(xiàn)介質(zhì)層(14)的淀積方法為離子體增強化學汽相淀積PECVD ； 8)利用干法刻蝕F介質(zhì)層(14)，介質(zhì)窗口位置的F介質(zhì)層(14)刻蝕至A凹槽(8)表面，刻蝕后F介質(zhì)層(14)后，空洞(15)仍然被封閉； 9)濕法刻蝕介質(zhì)窗口處的低摻雜砷化鎵層(4),形成B凹槽(16)； 10)可選擇電子束蒸發(fā)柵電 極金屬(17)。
【文檔編號】H01L21/28GK103887335SQ201410063717
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2014年2月25日 優(yōu)先權日:2014年2月25日
【發(fā)明者】章軍云, 朱赤 申請人:中國電子科技集團公司第五十五研究所