覆晶式led芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種覆晶式LED芯片的制作方法，包含步驟：在襯底上層疊第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；形成第一電極孔；在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面覆蓋導(dǎo)電層，并蝕刻第一電極孔的延伸部；在導(dǎo)電層的正面覆蓋反射層，并蝕刻第一電極孔的延伸部；蝕刻反射層，形成多個第二電極孔，第二電極孔圍繞第一電極孔的周圍均勻分布；成型第一電極和第二電極；在發(fā)射層的正面成型第一導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層的正面成型隔離層；在隔離層上蝕刻第一導(dǎo)電孔和第二導(dǎo)電孔，并在孔中成型導(dǎo)電金屬電極；在隔離層的正面成型第二導(dǎo)電層。其有益效果是：保證LED芯片發(fā)光的均勻，同時有效防止LED芯片漏電，顯著提高產(chǎn)品良率。
【專利說明】覆晶式LED芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及發(fā)光元件【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種覆晶式LED芯片的制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著LED (Light Emitting Diode,發(fā)光二極管)照明技術(shù)的日益發(fā)展，LED在人們?nèi)粘Ｉ钪械膽?yīng)用也越來越廣泛。采用覆晶(Flip Chip)方式進(jìn)行封裝的LED (以下稱覆晶式LED)的固晶方式簡略，擁有更高的信賴度，使得量產(chǎn)可行性大幅晉升，且兼具縮短高溫烘烤的制程時間、高良率、導(dǎo)熱效果佳、高出光量等優(yōu)勢，遂成為業(yè)界竭力開展的技術(shù)。
[0003]LED的發(fā)光是利用正極的電流到達(dá)負(fù)極所完成，電流會以最小的電阻路線由正極到達(dá)負(fù)極，一般電阻值決定于電流路線的遠(yuǎn)近，正極到負(fù)極越近則電阻值越小、正極到負(fù)極越遠(yuǎn)則電阻就越大。然而，現(xiàn)有LED中的電極通常為金屬線狀，這使得單點的一個電流從正極進(jìn)入負(fù)極，并以正極到負(fù)極給電流最近的距離最亮，其它位置將由于距離金屬線較遠(yuǎn)而電阻較大、相對較暗，從而存在發(fā)光不均勻的問題。同時在覆晶式LED芯片的封裝中，必須保證正電極區(qū)與負(fù)電極區(qū)的可靠隔離，防止正負(fù)電極電性導(dǎo)通，為此，現(xiàn)有技術(shù)中一般采用在芯片側(cè)邊走線的方式在不同的正電極或負(fù)電極之間進(jìn)行引線。但在經(jīng)過長期的使用后發(fā)現(xiàn)，該引線方法存在漏電的可能，導(dǎo)致產(chǎn)品的良率下降。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種覆晶式LED芯片的制作方法。
[0005]為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供一種覆晶式LED芯片的制作方法，包含以下步驟:
[0006]在襯底上依次層疊第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；
[0007]采用第一掩模蝕刻發(fā)光層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，形成暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的至少一個第一電極孔，所述第一電極孔在發(fā)光層上均勻分布；
[0008]在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面覆蓋具有高透射率的導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層，并采用第一掩模在該導(dǎo)電層上蝕刻第一電極孔的延伸部；
[0009]在導(dǎo)電層的正面覆蓋具有高反射率的絕緣材料形成反射層，并采用第一掩模在該反射層上蝕刻第一電極孔的延伸部，同時該絕緣材料覆蓋在第一電極孔的孔壁上形成絕緣層；
[0010]采用第二掩模蝕刻反射層，形成暴露導(dǎo)電層的多個第二電極孔，所述第二電極孔圍繞第一電極孔的周圍均勻分布；
[0011]采用金屬導(dǎo)電材料成型經(jīng)由第一電極孔連接至第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一電極、經(jīng)由第二電極孔連接至導(dǎo)電層的第二電極；
[0012]采用金屬導(dǎo)電材料在發(fā)射層的正面成型第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層包括覆蓋第一電極的第一電極區(qū)和覆蓋第二電極的第二電極區(qū)，所述第一電極區(qū)和第二電極區(qū)互不相連，第一導(dǎo)電層暴露出部分的第一電極和第二電極；[0013]采用絕緣材料在第一導(dǎo)電層的正面成型隔離層，所述隔離層覆蓋該覆晶式LED芯片的頂面以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面；
[0014]在隔離層上蝕刻暴露第一電極區(qū)的第一導(dǎo)電孔和暴露第二電極區(qū)的第二導(dǎo)電孔；
[0015]采用金屬導(dǎo)電材料在所述第一導(dǎo)電孔和第二導(dǎo)電孔中成型導(dǎo)電金屬電極；
[0016]采用金屬導(dǎo)電材料在隔離層的正面成型第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層分別與所述導(dǎo)電金屬電極電性相連以形成兩個電極連接點。
[0017]其中，所述絕緣材料包括包括分布式布拉格反射鏡DBR或Si02、SiNx、A1N。
[0018]其中，所述第一電極、第二電極和第一導(dǎo)電層的材質(zhì)為鈦、鉻、鋁和銀中的一種。
[0019]其中，所述第一導(dǎo)電層的厚度為50人?50000人。
[0020]其中，所述第二導(dǎo)電層和導(dǎo)電金屬電極的材質(zhì)為金、銀、鉬、鈦、鉻、鎳、銅和鋁中的一種或多種。
[0021]其中，所述第二導(dǎo)電層的厚度為50A?200000A。
[0022]其中，所述隔離層在該覆晶式LED芯片的頂面的水平方向上暴露于第二導(dǎo)電層之間的長度在整體尺寸中的占比為五分之一至二分之一。
[0023]其中，所述導(dǎo)電層的材質(zhì)為透明導(dǎo)電材料或摻錫氧化銦IT0。
[0024]本發(fā)明采用的另一個技術(shù)方案是:提供一種覆晶式LED芯片的制作方法，包含以下步驟:
[0025]在襯底上依次層疊第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；
[0026]在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面覆蓋具有高透射率的導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層；
[0027]在導(dǎo)電層的正面覆蓋具有高反射率的絕緣材料形成反射層；
[0028]采用第一掩模蝕刻反射層至第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，形成暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的至少一個第一電極孔，所述第一電極孔在反射層上均勻分布；
[0029]采用絕緣材料覆蓋在第一電極孔的孔壁上形成絕緣層；
[0030]采用第二掩模蝕刻反射層，形成暴露導(dǎo)電層的多個第二電極孔，所述第二電極孔圍繞第一電極孔的周圍均勻分布；
[0031]采用金屬導(dǎo)電材料成型經(jīng)由第一電極孔連接至第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一電極、經(jīng)由第二電極孔連接至導(dǎo)電層的第二電極；
[0032]采用金屬導(dǎo)電材料在發(fā)射層的正面成型第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層包括覆蓋第一電極的第一電極區(qū)和覆蓋第二電極的第二電極區(qū)，所述第一電極區(qū)和第二電極區(qū)互不相連，第一導(dǎo)電層暴露出部分的第一電極和第二電極；
[0033]采用絕緣材料在第一導(dǎo)電層的正面成型隔離層，所述隔離層覆蓋該覆晶式LED芯片的頂面以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面；
[0034]在隔離層上蝕刻暴露第一電極區(qū)的第一導(dǎo)電孔和暴露第二電極區(qū)的第二導(dǎo)電孔；
[0035]采用金屬導(dǎo)電材料在所述第一導(dǎo)電孔和第二導(dǎo)電孔中成型導(dǎo)電金屬電極；
[0036]采用金屬導(dǎo)電材料在隔離層的正面成型第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層分別與所述導(dǎo)電金屬電極電性相連以形成兩個電極連接點。[0037]本發(fā)明的有益效果是:通過圍繞第一電極孔的周圍均勻設(shè)置的第二電極孔來保證LED芯片發(fā)光的均勻，同時，通過在覆晶式LED芯片的正面設(shè)置兩層導(dǎo)電層和一層隔離層，可以有效防止LED芯片漏電，顯著提高產(chǎn)品良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0038]圖1至圖10是本發(fā)明的覆晶式LED芯片的制作方法的第一實施方式的制作流程圖，其中圖7為圖6的俯視圖，圖11為圖10的俯視圖。
[0039]主要元件符號說明:
[0040]10、襯底；20、第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；30、發(fā)光層；40、第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；50、導(dǎo)電層；60、反射層；61、絕緣層；70、第一電極孔；71、第一電極；72、第一電極區(qū)；80、第二電極孔；81、第二電極；82、第二電極區(qū)；90、第一導(dǎo)電層；100、隔離層；101、第一導(dǎo)電孔；102、第二導(dǎo)電孔；110、第二導(dǎo)電層；120、導(dǎo)電金屬電極。
【具體實施方式】
[0041]為詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容、構(gòu)造特征、所實現(xiàn)目的及效果，以下結(jié)合實施方式并配合附圖詳予說明。
[0042]請參閱圖1至圖10，圖1至圖5是本發(fā)明的覆晶式LED芯片的制作方法的第一實施方式的制作流程圖，其流程步驟的具體說明如下:
[0043]如圖1所示，在襯底10上依次層疊第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層20、發(fā)光層30和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層40。
[0044]如圖2所示，采用第一掩模蝕刻發(fā)光層30和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層40，形成暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層20的三個第一電極孔70，三個第一電極孔70在發(fā)光層30上均勻分布。
[0045]如圖3所示，在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層40的正面覆蓋具有高透射率的導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層50，并采用第一掩模在導(dǎo)電層50上蝕刻第一電極孔70的延伸部。
[0046]如圖4所示,在導(dǎo)電層50的正面覆蓋具有高反射率的絕緣材料形成反射層60,并米用第一掩模在反射層60上蝕刻第一電極孔70的延伸部，同時該絕緣材料覆蓋在第一電極孔70的孔壁上形成絕緣層61。
[0047]如圖5所示，采用第二掩模蝕刻反射層60，形成暴露導(dǎo)電層50的多個第二電極孔80，所述第二電極孔80圍繞第一電極孔70的周圍均勻分布。
[0048]采用金屬導(dǎo)電材料成型經(jīng)由第一電極孔70連接至第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層20的第一電極71、經(jīng)由第二電極孔80連接至導(dǎo)電層50的第二電極81。
[0049]如圖6和圖7所不,米用金屬導(dǎo)電材料在發(fā)射層60的正面成型第一導(dǎo)電層90,所述第一導(dǎo)電層90包括覆蓋第一電極71的第一電極區(qū)72和覆蓋第二電極81的第二電極區(qū)82，所述第一電極區(qū)72和第二電極區(qū)82互不相連，第一導(dǎo)電層90暴露出部分的第一電極70和第二電極80。
[0050]如圖8所示，采用絕緣材料在第一導(dǎo)電層90的正面成型隔離層100，所述隔離層100覆蓋該覆晶式LED芯片的頂面以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層20和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層40的側(cè)面。
[0051]如圖9所不,在隔離層100上蝕刻暴露第一電極區(qū)72的第一導(dǎo)電孔101和暴露第二電極區(qū)82的第二導(dǎo)電孔102。
[0052]采用金屬導(dǎo)電材料在所述第一導(dǎo)電孔101和第二導(dǎo)電孔102中成型導(dǎo)電金屬電極120。
[0053]如圖10和圖11所示，采用金屬導(dǎo)電材料在隔離層100的正面成型第二導(dǎo)電層110，所述第二導(dǎo)電層110分別與導(dǎo)電金屬電極120電性相連以形成左右兩個電極連接點。
[0054]本實施方式通過圍繞第一電極孔的周圍均勻設(shè)置的第二電極孔來保證LED芯片發(fā)光的均勻，同時，通過在覆晶式LED芯片的正面設(shè)置兩層導(dǎo)電層和一層隔離層，可以有效防止LED芯片漏電，顯著提高產(chǎn)品良率。對于該實施方式中將第一電極孔及第一電極的數(shù)量設(shè)置為三個，僅為方便說明本發(fā)明的技術(shù)方案如何實施，在實際制造中可依據(jù)不用的產(chǎn)品要求設(shè)置不同數(shù)量的第一電極孔及第一電極。
[0055]具體地，在對第一實施方式的一項優(yōu)化改進(jìn)中，所述絕緣材料包括包括分布式布拉格反射鏡DBR或Si02、SiNx、AIN。
[0056]具體地，在對第一實施方式的一項優(yōu)化改進(jìn)中，所述第一電極71、第二電極81和第一導(dǎo)電層90的材質(zhì)為鈦、鉻、招和銀中的一種。第一導(dǎo)電層90的材質(zhì)若為銀,則可達(dá)到
最理想的反射率。
[0057]具體地，在對第一實施方式的一項優(yōu)化改進(jìn)中，所述第一導(dǎo)電層90的厚度為50A ?50000A。
[0058]具體地，在對第一實施方式的一項優(yōu)化改進(jìn)中，所述第二導(dǎo)電層110和導(dǎo)電金屬電極120的材質(zhì)為金、銀、鉬、鈦、鉻、鎳、銅和鋁中的一種或多種。
[0059]具體地，在對第一實施方式的一項優(yōu)化改進(jìn)中，所述第二導(dǎo)電層110的厚度為50 A ?200000A。
[0060]具體地，在對第一實施方式的一項優(yōu)化改進(jìn)中，所述隔離層100在該覆晶式LED芯片的頂面的水平方向上暴露于第二導(dǎo)電層110之間的長度在整體尺寸中的占比為五分之一至二分之一，這樣可進(jìn)一步提高LED芯片封裝的良率，防止封裝后分設(shè)于左右兩側(cè)的第二導(dǎo)電層110之間發(fā)生短路。在第一實施方式中該占比為三分之一，該尺寸落入上述的優(yōu)化尺寸范圍內(nèi)。
[0061]具體地，在對第一實施方式的一項優(yōu)化改進(jìn)中，所述導(dǎo)電層50的材質(zhì)為透明導(dǎo)電材料或摻錫氧化銦IT0。
[0062]本發(fā)明采用的第二實施方式為一種覆晶式LED芯片的制作方法，包含以下步驟:
[0063]在襯底上依次層疊第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；
[0064]在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面覆蓋具有高透射率的導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層；
[0065]在導(dǎo)電層的正面覆蓋具有高反射率的絕緣材料形成反射層；
[0066]采用第一掩模蝕刻反射層至第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，形成暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的至少一個第一電極孔，所述第一電極孔在反射層上均勻分布；
[0067]采用絕緣材料覆蓋在第一電極孔的孔壁上形成絕緣層；
[0068]采用第二掩模蝕刻反射層，形成暴露導(dǎo)電層的多個第二電極孔，所述第二電極孔圍繞第一電極孔的周圍均勻分布；
[0069]采用金屬導(dǎo)電材料成型經(jīng)由第一電極孔連接至第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一電極、經(jīng)由第二電極孔連接至導(dǎo)電層的第二電極；
[0070]采用金屬導(dǎo)電材料在發(fā)射層的正面成型第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層包括覆蓋第一電極的第一電極區(qū)和覆蓋第二電極的第二電極區(qū)，所述第一電極區(qū)和第二電極區(qū)互不相連，第一導(dǎo)電層暴露出部分的第一電極和第二電極；
[0071]采用絕緣材料在第一導(dǎo)電層的正面成型隔離層，所述隔離層覆蓋該覆晶式LED芯片的頂面以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面；
[0072]在隔離層上蝕刻暴露第一電極區(qū)的第一導(dǎo)電孔和暴露第二電極區(qū)的第二導(dǎo)電孔；
[0073]采用金屬導(dǎo)電材料在所述第一導(dǎo)電孔和第二導(dǎo)電孔中成型導(dǎo)電金屬電極；
[0074]采用金屬導(dǎo)電材料在隔離層的正面成型第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層分別與所述導(dǎo)電金屬電極電性相連以形成兩個電極連接點。
[0075]第二實施方式的有益效果與第一實施方式相同，兩者的不同點在于對第一電極孔的蝕刻處理方式上。
[0076]具體地，在對第二實施方式的一項優(yōu)化改進(jìn)中，所述絕緣材料包括包括分布式布拉格反射鏡DBR或Si02、SiNx, AlN0
[0077]具體地，在對第二實施方式的一項優(yōu)化改進(jìn)中，所述第一電極、第二電極和第一導(dǎo)電層的材質(zhì)為鈦、鉻、鋁和銀中的一種。第一導(dǎo)電層的材質(zhì)若為銀，則可達(dá)到最理想的反射率。
[0078]具體地，在對第二實施方式的一項優(yōu)化改進(jìn)中，所述第一導(dǎo)電層的厚度為
50A ?20000A。
[0079]具體地，在對第二實施方式的一項優(yōu)化改進(jìn)中，所述第二導(dǎo)電層和導(dǎo)電金屬電極的材質(zhì)為金、銀、鉬、鈦、鉻、鎳、銅和鋁中的一種或多種。
[0080]具體地，在對第二實施方式的一項優(yōu)化改進(jìn)中，所述第二導(dǎo)電層的厚度為50 人?200000A。
[0081]具體地，在對第二實施方式的一項優(yōu)化改進(jìn)中，所述隔離層在該覆晶式LED芯片的頂面的水平方向上暴露于第二導(dǎo)電層之間的長度在整體尺寸中的占比為五分之一至二分之一，這樣可進(jìn)一步提高LED芯片封裝的良率。
[0082]具體地，在對第二實施方式的一項優(yōu)化改進(jìn)中，所述導(dǎo)電層的材質(zhì)為透明導(dǎo)電材料或摻錫氧化銦IT0。
[0083]以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的【技術(shù)領(lǐng)域】，均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，包含以下步驟: 在襯底上依次層疊第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層； 采用第一掩模蝕刻發(fā)光層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，形成暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的至少一個第一電極孔，所述第一電極孔在發(fā)光層上均勻分布； 在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面覆蓋具有高透射率的導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層，并采用第一掩模在該導(dǎo)電層上蝕刻第一電極孔的延伸部； 在導(dǎo)電層的正面覆蓋具有高反射率的絕緣材料形成反射層，并采用第一掩模在該反射層上蝕刻第一電極孔的延伸部，同時該絕緣材料覆蓋在第一電極孔的孔壁上形成絕緣層；采用第二掩模蝕刻反射層，形成暴露導(dǎo)電層的多個第二電極孔，所述第二電極孔圍繞第一電極孔的周圍均勻分布； 采用金屬導(dǎo)電材料成型經(jīng)由第一電極孔連接至第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一電極、經(jīng)由第二電極孔連接至導(dǎo)電層的第二電極； 采用金屬導(dǎo)電材料在發(fā) 射層的正面成型第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層包括覆蓋第一電極的第一電極區(qū)和覆蓋第二電極的第二電極區(qū)，所述第一電極區(qū)和第二電極區(qū)互不相連，第一導(dǎo)電層暴露出部分的第一電極和第二電極； 采用絕緣材料在第一導(dǎo)電層的正面成型隔離層，所述隔離層覆蓋該覆晶式LED芯片的頂面以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面； 在隔離層上蝕刻暴露第一電極區(qū)的第一導(dǎo)電孔和暴露第二電極區(qū)的第二導(dǎo)電孔； 采用金屬導(dǎo)電材料在所述第一導(dǎo)電孔和第二導(dǎo)電孔中成型導(dǎo)電金屬電極； 采用金屬導(dǎo)電材料在隔離層的正面成型第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層分別與所述導(dǎo)電金屬電極電性相連以形成兩個電極連接點。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，所述絕緣材料包括包括分布式布拉格反射鏡DBR或Si02、SiNx, AlN0
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一電極、第二電極和第一導(dǎo)電層的材質(zhì)為鈦、鉻、招和銀中的一種。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層的厚度為50A~50000Au
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層和導(dǎo)電金屬電極的材質(zhì)為金、銀、鉬、鈦、鉻、鎳、銅和鋁中的一種或多種。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層的厚度為50A~200000A。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，所述隔離層在該覆晶式LED芯片的頂面的水平方向上暴露于第二導(dǎo)電層之間的長度在整體尺寸中的占比為五分之一至二分之一O
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，所述導(dǎo)電層的材質(zhì)為透明導(dǎo)電材料或摻錫氧化銦ITO。
9.一種覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，包含以下步驟: 在襯底上依次層疊第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、發(fā)光層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層；在第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的正面覆蓋具有高透射率的導(dǎo)電材料形成導(dǎo)電層； 在導(dǎo)電層的正面覆蓋具有高反射率的絕緣材料形成反射層； 采用第一掩模蝕刻反射層至第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，形成暴露第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的至少一個第一電極孔，所述第一電極孔在反射層上均勻分布； 采用絕緣材料覆蓋在第一電極孔的孔壁上形成絕緣層； 采用第二掩模蝕刻反射層，形成暴露導(dǎo)電層的多個第二電極孔，所述第二電極孔圍繞第一電極孔的周圍均勻分布； 采用金屬導(dǎo)電材料成型經(jīng)由第一電極孔連接至第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的第一電極、經(jīng)由第二電極孔連接至導(dǎo)電層的第二電極； 采用金屬導(dǎo)電材料在發(fā)射層的正面成型第一導(dǎo)電層，所述第一導(dǎo)電層包括覆蓋第一電極的第一電極區(qū)和覆蓋第二電極的第二電極區(qū)，所述第一電極區(qū)和第二電極區(qū)互不相連，第一導(dǎo)電層暴露出部分的第一電極和第二電極； 采用絕緣材料在第一導(dǎo)電層的正面成型隔離層，所述隔離層覆蓋該覆晶式LED芯片的頂面以及第一導(dǎo)電型半導(dǎo)體層和第二導(dǎo)電型半導(dǎo)體層的側(cè)面； 在隔離層上蝕刻暴露第一電極區(qū)的第一導(dǎo)電孔和暴露第二電極區(qū)的第二導(dǎo)電孔； 采用金屬導(dǎo)電材料在所述第一導(dǎo)電孔和第二導(dǎo)電孔中成型導(dǎo)電金屬電極； 采用金屬導(dǎo)電材料在隔離層的正面成型第二導(dǎo)電層，所述第二導(dǎo)電層分別與所述導(dǎo)電金屬電極電性相連以形成兩個電極連接點。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的覆晶式LED芯片的制作方法，其特征在于，還包括權(quán)利要求2至8任意一項所述附加技術(shù)特征。
【文檔編號】H01L33/00GK103794689SQ201410065683
【公開日】2014年5月14日 申請日期:2014年2月25日 優(yōu)先權(quán)日:2014年2月25日
【發(fā)明者】龐曉東, 王瑞慶, 劉鎮(zhèn), 陳浩明 申請人:深圳市兆明芯科技控股有限公司