測試結構和測試方法
【專利摘要】一種測試結構和測試方法，其中，測試結構包括：對稱導電結構，對稱導電結構平行于襯底表面方向的圖形具有第一軸線和第二軸線，第一軸線與第二軸線相互垂直，位于第一軸線兩側的部分對稱導電結構相互對稱，位于第二軸線兩側的部分對稱導電結構相互對稱，且位于第一軸線一側的部分對稱導電結構、與位于第二軸線一側的部分對稱導電結構相同；第一導線、第二導線、第三導線和第四導線，第一導線和第四導線的第一端分別與對稱導電結構沿第一軸線的兩端連接，第二導線和第三導線的第一端分別與對稱導電結構沿第二軸線的兩端連接，第一導線、第二導線、第三導線和第四導線的電阻相同。所述測試結構能夠減少測試探針電阻的難度和測試時間。
【專利說明】測試結構和測試方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體制造【技術領域】，尤其涉及一種測試結構和測試方法。
【背景技術】
[0002]在半導體制程中，常需要通過探針對半導體器件的進行參數測試或可靠度測試，例如電流-電壓(1-V)測試、恒溫電致飄移測試(Isothermal Electro-migration Test),以表征半導體器件的性能和可靠性。
[0003]以采用探針測試半導體器件的電阻為例，請參考圖1，圖1是通過探針測試半導體器件電阻的剖面結構示意圖，包括:器件11，所述器件11形成于半導體襯底(未示出)表面；分別位于所述器件11兩端的第一導線12和第二導線13，所述第一導線12和第二導線13與所述器件11電連接；與所述第一導線12連接的第一襯墊14 ;與所述第二導線13連接的第二襯墊15。設置第一探針16與第一襯墊14相接觸；設置使第二探針17與第二襯墊15相接觸。
[0004]在采用圖1所示測試結構進行測試時，所述第一襯墊14通過第一導線12與器件11的一端電連接，所述第二襯墊15通過第二導線12與器件11的另一端電連接，而第一探針16和第二探針17作為測試工具。通過對第一探針16和第二探針17施加不同偏壓，使第一探針16和第二探針17之間具有電勢差，從而使第一探針16、第一襯墊14、第一導線12、器件11、第二導線13、第二襯墊15和第二探針17之間產生電流。由于第一襯墊14、第一導線12、第二導線13和第二襯墊15的材料均為導電材料，電阻很小，因此能夠被忽略不計，因此通過測試第一探針16和第二探針17之間的電流和電壓，能夠得到器件11的電阻。
[0005]其中，由于所述第一探針16和第二探針17也具有電阻，會對測試結果造成影響。尤其是當所述器件11的內阻也相對較小時，施加于第一探針16和第二探針17之間的電壓較小，而第一探針16和第二探針17之間產生的電流也較小，則所述第一探針16和第二探針17的電阻所占的比重增加，容易導致測試結果產生誤差。
[0006]因此，在采用探針進行測試之前，需要對所述探針的電阻進行測試，以將所述探針電阻考慮進對器件的測試結果中，以消除探針電阻造成的影響。
[0007]然而，采用現有的測試結構對探針電阻進行測試，會使測試難度增加，進而導致測試時間延長。
[0008]更多用于測試探針電阻的測試結構的相關資料請參考
【發(fā)明者】范象泉 申請人:上海華虹宏力半導體制造有限公司