改善閃存高溫氧化處理的方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種改善閃存高溫氧化處理的方法，包括：將晶圓從用于放置和傳輸晶圓盒的設(shè)備傳遞至爐體內(nèi)的反應(yīng)腔體；將爐體連接至氣體集成系統(tǒng)，并且利用導(dǎo)管將爐體連接至與氣體集成系統(tǒng)相連的抽真空泵；在爐體內(nèi)的反應(yīng)腔體對晶圓執(zhí)行高溫氧化處理，其中氣體集成系統(tǒng)用于控制反應(yīng)腔體內(nèi)的工藝氣體，并且其中開啟抽真空泵以便在高溫氧化處理的過程中對爐體進行抽真空。在根據(jù)本發(fā)明的改善閃存高溫氧化處理的方法中，通過外加真空排氣功能減少環(huán)境中氯離子的殘留，有效地改善閃存產(chǎn)品的良率。
【專利說明】改善閃存高溫氧化處理的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，更具體地說，本發(fā)明涉及一種改善閃存高溫氧化處理的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]閃存以其便捷，存儲密度高，可靠性好等優(yōu)點成為非揮發(fā)性存儲器中研究的熱點。從二十世紀(jì)八十年代第一個閃存產(chǎn)品問世以來，隨著技術(shù)的發(fā)展和各類電子產(chǎn)品對存儲的需求，閃存被廣泛用于手機，筆記本，掌上電腦和U盤等移動和通訊設(shè)備中。
[0003]閃存為一種非易變性存儲器，其運作原理是通過改變晶體管或存儲單元的臨界電壓來控制門極通道的開關(guān)以達到存儲數(shù)據(jù)的目的，使存儲在存儲器中的數(shù)據(jù)不會因電源中斷而消失，而閃存為電可擦除且可編程的只讀存儲器的一種特殊結(jié)構(gòu)。如今閃存已經(jīng)占據(jù)了非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器的大部分市場份額，成為發(fā)展最快的非揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲器。
[0004]然而，在現(xiàn)有技術(shù)中，閃存廣品的良率很難提聞，由此提聞閃存廣品的良率是值得期待的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在上述缺陷，提供一種能夠閃存產(chǎn)品的良率的方法。
[0006]為了實現(xiàn)上述技術(shù)目的，根據(jù)本發(fā)明，提供了一種改善閃存高溫氧化處理的方法，其包括:
[0007]第一步驟:將晶圓從用于放置和傳輸晶圓盒的設(shè)備傳遞至爐體內(nèi)的反應(yīng)腔體；
[0008]第二步驟:將爐體連接至氣體集成系統(tǒng)，并且利用導(dǎo)管將爐體連接至與氣體集成系統(tǒng)相連的抽真空泵；
[0009]第三步驟:在爐體內(nèi)的反應(yīng)腔體對晶圓執(zhí)行高溫氧化處理，其中氣體集成系統(tǒng)用于控制反應(yīng)腔體內(nèi)的工藝氣體，并且其中開啟抽真空泵以便在高溫氧化處理的過程中對爐體進行抽真空。
[0010]優(yōu)選地，所述改善閃存高溫氧化處理的方法用于在高溫800攝氏度的環(huán)境中以低壓<500mToll生長500A?600A厚度的二氧化硅SiO2薄膜的工藝。
[0011]優(yōu)選地，所述改善閃存高溫氧化處理的方法用于生長作為隔離物的氧化物的閃存制造工藝。
[0012]優(yōu)選地，在高溫氧化處理中發(fā)生了如下化學(xué)反應(yīng):
[0013]SiH2Cl2+2N20 — Si02+2N2+2HC1。
[0014]優(yōu)選地，在高溫氧化處理中發(fā)生了如下化學(xué)反應(yīng):
[0015]4SiH2Cl2+4H20 — (SiH2O) 4 (固體)+8HC1。
[0016]優(yōu)選地，在高溫氧化處理中發(fā)生了如下化學(xué)反應(yīng):
[0017]SiH2Cl2+02 — SiO2 (固體)+2HCl。[0018]在閃存制造的高溫氧化處理中產(chǎn)生了會影響閃存產(chǎn)品的良率的氯離子(Cl_)副產(chǎn)品，相應(yīng)地，在根據(jù)本發(fā)明的改善閃存高溫氧化處理的方法中，通過外加真空排氣功能減少環(huán)境中氯離子的殘留，有效地改善閃存產(chǎn)品的良率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]結(jié)合附圖，并通過參考下面的詳細(xì)描述，將會更容易地對本發(fā)明有更完整的理解并且更容易地理解其伴隨的優(yōu)點和特征，其中:
[0020]圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的改善閃存高溫氧化處理的方法的流程圖。
[0021]圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的改善閃存高溫氧化處理的方法的具體示例的示意圖。
[0022]需要說明的是，附圖用于說明本發(fā)明，而非限制本發(fā)明。注意，表示結(jié)構(gòu)的附圖可能并非按比例繪制。并且，附圖中，相同或者類似的元件標(biāo)有相同或者類似的標(biāo)號。
【具體實施方式】
[0023]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更加清楚和易懂，下面結(jié)合具體實施例和附圖對本發(fā)明的內(nèi)容進行詳細(xì)描述。
[0024]在閃存的制造工藝中，存在需要進行高溫氧化處理以生長氧化物(例如，作為隔離物的氧化物)的工藝步驟。例如，在某些具體閃存工藝中，會需要在高溫800攝氏度的環(huán)境中，以低壓<500mToll，生長500A?600A厚度的二氧化硅SiO2薄膜。
[0025]本發(fā)明的發(fā)明人有利地發(fā)現(xiàn)，在高溫氧化處理會不期望地出現(xiàn)的氯離子(CD副產(chǎn)品，如果不去除氯離子，則最終會影響閃存產(chǎn)品的良率。相應(yīng)地，本發(fā)明的發(fā)明人提出通過外加真空排氣功能減少環(huán)境中氯離子的殘留，以改善閃存產(chǎn)品的良率。
[0026]具體地說，圖1示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的改善閃存高溫氧化處理的方法的流程圖。而且，圖2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的改善閃存高溫氧化處理的方法的具體示例的示意圖。
[0027]例如，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的改善閃存高溫氧化處理的方法可用于在高溫800攝氏度的環(huán)境中以低壓<500mToll生長500A?600A厚度的二氧化硅SiO2薄膜的工藝。
[0028]更具體地說，如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的改善閃存高溫氧化處理的方法包括:
[0029]第一步驟S1:將晶圓從用于放置和傳輸晶圓盒的設(shè)備100 (如圖2所示)傳遞至爐體200內(nèi)的反應(yīng)腔體201 ；
[0030]第二步驟S2:將爐體200連接至氣體集成系統(tǒng)300，并且利用導(dǎo)管400將爐體200連接至與氣體集成系統(tǒng)300相連的抽真空泵500 ；
[0031]第三步驟S3:在爐體200內(nèi)的反應(yīng)腔體201對晶圓執(zhí)行高溫氧化處理，其中氣體集成系統(tǒng)300用于控制反應(yīng)腔體201內(nèi)的工藝氣體，并且其中開啟抽真空泵500以便在高溫氧化處理的過程中對爐體200進行抽真空。
[0032]例如，在具體示例中，在高溫氧化處理中發(fā)生了如下化學(xué)反應(yīng)中的一種或者多種:[0033]SiH2Cl2+2N20 — Si02+2N2+2HC1 ；
[0034]4SiH2Cl2+4H20 — (SiH2O) 4 (固體)+8HC1 ；
[0035]SiH2Cl2+02 — SiO2 (固體)+2HC1。
[0036]以下給出根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的工藝的“實驗一”以及根據(jù)本發(fā)明實施例的“實驗二”，可以看出，通過采用根據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的改善閃存高溫氧化處理的方法，氯離子平均濃度從202.35下降為195.74。
[0037]
【權(quán)利要求】
1.一種改善閃存高溫氧化處理的方法，其特征在于包括: 第一步驟:將晶圓從用于放置和傳輸晶圓盒的設(shè)備傳遞至爐體內(nèi)的反應(yīng)腔體； 第二步驟:將爐體連接至氣體集成系統(tǒng)，并且利用金屬管將爐體連接至與氣體集成系統(tǒng)相連的抽真空泵； 第三步驟:在爐體內(nèi)的反應(yīng)腔體對晶圓執(zhí)行高溫氧化處理，其中氣體集成系統(tǒng)用于控制反應(yīng)腔體內(nèi)的工藝氣體，并且其中開啟抽真空泵以便在高溫氧化處理的過程中對爐體進行抽真空。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的改善閃存高溫氧化處理的方法，其特征在于，所述改善閃存高溫氧化處理的方法用于在高溫800攝氏度的環(huán)境中以低壓〈500 mToll生長500A~600A厚度的二氧化硅SiO2薄膜的工藝。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善閃存高溫氧化處理的方法，其特征在于，所述改善閃存高溫氧化處理的方法用于生長作為隔離物的氧化物的閃存制造工藝。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善閃存高溫氧化處理的方法，其特征在于，在高溫氧化處理中發(fā)生了如下化學(xué)反應(yīng):`
SiH2Cl2+2N20 — Si02+2N2+2HC1。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善閃存高溫氧化處理的方法，其特征在于，在高溫氧化處理中發(fā)生了如下化學(xué)反應(yīng):
4SiH2Cl2+4H20 — (SiH2O) 4(固體)+8HCl。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的改善閃存高溫氧化處理的方法，其特征在于，在高溫氧化處理中發(fā)生了如下化學(xué)反應(yīng):
SiH2Cl2+02 — SiO2 (固體)+2HCl。
【文檔編號】H01L21/8247GK103839893SQ201410097591
【公開日】2014年6月4日 申請日期:2014年3月17日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月17日
【發(fā)明者】李占斌 申請人:上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司