電子部件及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明的目的在于提高線圈部件的焊盤電極與其下層的內(nèi)部端子電極的接合強(qiáng)度。其中，線圈部件（1）具備設(shè)置在基板（10）上的薄膜線圈層（11）、設(shè)置在薄膜線圈層（11）的表面的焊盤電極（12a～12d）。薄膜線圈層（11）具備分別連接于螺旋形導(dǎo)體（16,17）的相對應(yīng)的一端的內(nèi)部端子電極（24a～24d）、覆蓋內(nèi)部端子電極（24a～24d）的第4絕緣層（15d）、形成在絕緣層（15d）并露出內(nèi)部端子電極（24a～24d）的開口（ha～hd）。開口（ha～hd）具有在俯視圖中比相對應(yīng)的內(nèi)部端子電極的周緣更向外側(cè)突出的部分，由此，內(nèi)部端子電極（24a～24d）的上面（TS）和側(cè)面（SS）均從相對應(yīng)的開口（ha～hd）露出。焊盤電極（12a～12d）在開口（ha～hd）的內(nèi)部與內(nèi)部端子電極（24a～24d）的上面（TS）和側(cè)面（SS）均相抵接。
【專利說明】電子部件及其制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子部件及其制造方法，特別涉及共模濾波器等線圈部件及其制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002]電子部件之一的共模濾波器作為差分傳輸線的噪聲應(yīng)對部件而被廣泛使用。隨著近年來的制造技術(shù)的進(jìn)步，共模濾波器也作為非常小型的表面安裝型貼片部件來提供，在內(nèi)含的線圈圖案中使用非常小型.窄間隔化的圖案。
[0003]另外，在所謂薄膜型的共模濾波器中，已知的有通過電鍍來形成厚的外部端子電極的共模濾波器(例如參照專利文獻(xiàn)I)。在這種共模濾波器中，在連接外部端子電極與平面線圈圖案的情況下，連接于平面線圈圖案的內(nèi)周端或外周端的內(nèi)部端子電極連接于外部端子電極。絕緣層介于外部端子電極與內(nèi)部端子電極之間，通過設(shè)置在絕緣層的開口，外部端子電極與內(nèi)部端子電極的上面在平面上相連接。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:日本特開2011-14747號公報


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明所要解決的技術(shù)問題
[0008]伴隨著近年來的貼片尺寸的小型化，內(nèi)部端子電極的面積也逐漸變得非常小。若要將外部端子電極連接于這樣小的面積的內(nèi)部端子電極，則會有兩者接合強(qiáng)度不足夠且由于熱沖擊等而容易發(fā)生電連接不良的問題。這樣的問題在上述共模濾波器中較顯著，但是其并不僅限于共模濾波器而是在各種各樣的電子部件的端子電極連接上會引起的問題，該問題的解決受到期待。
[0009]因此，本發(fā)明的目的在于提供能夠提高外部端子電極與內(nèi)部端子電子電極的接合強(qiáng)度的電子部件及其制造方法。
[0010]解決技術(shù)問題的手段
[0011]為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所涉及的電子部件，其特征在于，具備:包含第I端子電極的導(dǎo)體層、覆蓋所述導(dǎo)體層的絕緣層、以所述第I端子電極的上面的至少一部分和側(cè)面的至少一部分位于其內(nèi)部的方式形成在所述絕緣層的開口、以及設(shè)置在所述絕緣層上且通過所述開口而與所述第I端子電極的所述上面和所述側(cè)面均相連接的第2端子電極。
[0012]根據(jù)本發(fā)明，由于第2端子電極與第I端子電極的上面和側(cè)面均相連接，因此能夠提高第I端子電極與第2端子電極的接合強(qiáng)度。因此，能夠提供可靠性高的電子部件。
[0013]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述開口具有在俯視圖中比所述第I端子電極的周緣更向外側(cè)突出的擴(kuò)張部分。在此情況下，優(yōu)選地，所述開口延伸設(shè)置至所述絕緣層的邊緣。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠容易形成使第I端子電極的上面和側(cè)面均位于其內(nèi)部的開口。
[0014]優(yōu)選地，本發(fā)明所涉及的電子部件還具備基板、以及設(shè)置在所述基板上且具有所述導(dǎo)體層和所述絕緣層的薄膜線圈層，所述導(dǎo)體層還包含連接于所述第I端子電極的平面線圈圖案，所述第I端子電極是所述薄膜線圈層的內(nèi)部端子電極，所述第2端子電極是設(shè)置在所述薄膜線圈層的表面的外部端子電極。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠在電子部件即線圈部件中提高外部端子電極與內(nèi)部端子電極的接合強(qiáng)度，能夠提高端子電極的連接可靠性。
[0015]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述內(nèi)部端子電極具有與所述基板的長邊方向(第I方向)相平行的第I側(cè)面、以及與垂直于所述長邊方向的方向(第2方向)相平行的第2側(cè)面至少各一個，特別優(yōu)選地，所述第I和第2側(cè)面均位于所述開口的所述內(nèi)部。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠增加第I端子電極與第2端子電極的側(cè)面所形成的接觸，能夠進(jìn)一步提高接觸可靠性。
[0016]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述薄膜線圈層具有交替地多次層疊所述導(dǎo)體層與所述絕緣層而成的層疊構(gòu)造，形成在所述多個絕緣層當(dāng)中的最上層的絕緣層的開口以對應(yīng)于該開口的第I端子電極的所述上面和所述側(cè)面均位于其內(nèi)部的方式形成。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于開口不會變深，因此能夠切實(shí)地將第2端子電極填充在開口的內(nèi)部，能夠提高連接可靠性。
[0017]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述薄膜線圈層具有交替地多次層疊所述導(dǎo)體層和所述絕緣層而成的層疊構(gòu)造，形成在所述多個絕緣層的各個的開口以對應(yīng)于該開口的第I端子電極的所述上面和所述側(cè)面均位于其內(nèi)部的方式形成。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于開口變深，因此能夠擴(kuò)大第2端子電極與第I端子電極的側(cè)面的接觸面積，能夠進(jìn)一步提高兩者的接合強(qiáng)度。
[0018]另外，本發(fā)明所涉及的電子部件的制造方法，其特征在于，具備:形成包含第I端子電極的導(dǎo)體層的工序、形成覆蓋所述導(dǎo)體層的絕緣層的工序、以所述第I端子電極的上面的至少一部分和側(cè)面的至少一部分露出的方式在所述絕緣層形成開口的工序、以及在所述絕緣層上設(shè)置第2端子電極并且通過所述開口而將所述第2端子電極與所述第I端子電極的所述上面和所述側(cè)面均相連接的工序。
[0019]根據(jù)本發(fā)明，能夠?qū)⒌?端子電極與第I端子電極的上面和側(cè)面均相連接，能夠提高第I端子電極與第2端子電極的接合強(qiáng)度。因此，能夠制造可靠性高的電子部件。
[0020]優(yōu)選地，上述電子部件的制造方法具備在基板上形成包含平面線圈圖案的薄膜線圈層的工序、以及在所述薄膜線圈層形成外部端子電極的工序，形成所述薄膜線圈層的工序包含形成所述導(dǎo)體層、所述絕緣層和所述開口的工序，所述第I端子電極是連接于所述平面線圈圖案的內(nèi)部端子電極，所述第2端子電極是所述外部端子電極。根據(jù)該制造方法，由于不經(jīng)過特別的工序，僅通過稍微擴(kuò)大形成在絕緣層的開口的范圍而讓內(nèi)部端子電極的側(cè)面露出，因此加工容易，由此能夠提高外部端子電極與內(nèi)部端子電極的接合強(qiáng)度。因此，能夠制造可靠性高的線圈部件。
[0021]優(yōu)選地，本發(fā)明的另一個側(cè)面所涉及的電子部件具備基板、設(shè)置在所述基板上的薄膜線圈層、以及設(shè)置在所述薄膜線圈層的上面的外部端子電極，所述薄膜線圈層具備包含平面線圈圖案和第I內(nèi)部端子電極的第I導(dǎo)體層、覆蓋所述第I導(dǎo)體層的第I絕緣層、以所述第I內(nèi)部端子電極的至少上面位于其內(nèi)部的方式形成在所述第I絕緣層的第I開口、包含設(shè)置在所述第I絕緣層上且通過所述第I開口而連接于所述第I內(nèi)部端子電極的上面的第2內(nèi)部端子電極的第2導(dǎo)體層、覆蓋所述第2導(dǎo)體層的第2絕緣層、以及以所述第2內(nèi)部端子電極的上面和側(cè)面均位于其內(nèi)部的方式形成在所述第2絕緣層的第2開口，所述外部端子電極設(shè)置在所述第2絕緣層上且通過所述第2開口而與所述第2內(nèi)部端子電極的所述上面和所述側(cè)面均相連接。
[0022]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述第I開口使所述第I內(nèi)部端子電極的側(cè)面也位于其內(nèi)部，所述外部端子電極通過所述第2和第I開口而連接于所述第I內(nèi)部端子電極的所述側(cè)面。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于開口變深，因此能夠擴(kuò)大外部端子電極與內(nèi)部端子電極的側(cè)面的接觸面積，能夠進(jìn)一步提高兩者的接合強(qiáng)度。
[0023]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述平面線圈圖案是螺旋形導(dǎo)體，該螺旋形導(dǎo)體的外周端連接于所述第I內(nèi)部端子電極。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠切實(shí)地連接螺旋形導(dǎo)體的外周端與外部端子電極。
[0024]在本發(fā)明中，優(yōu)選地，所述平面線圈圖案是螺旋形導(dǎo)體，所述薄膜線圈層還包含設(shè)置在所述第2導(dǎo)體層的引出導(dǎo)體、貫通所述第I絕緣層的通孔導(dǎo)體，所述引出導(dǎo)體的一端連接于所述第2內(nèi)部端子電極，所述引出導(dǎo)體的另一端經(jīng)由所述通孔導(dǎo)體而連接于所述螺旋形導(dǎo)體的內(nèi)周端。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠切實(shí)地連接螺旋形導(dǎo)體的內(nèi)周端與外部端子電極。
[0025]發(fā)明的效果
[0026]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供可以提高通過形成在絕緣層的開口而相互連接的第I端子電極與第2端子電極的接合強(qiáng)度的電子部件及其制造方法。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0027]圖1是表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的線圈部件I (電子部件)的構(gòu)造的概略立體圖。
[0028]圖2是詳細(xì)表示線圈部件I的層構(gòu)造的概略分解立體圖。
[0029]圖3是分解各層來表示的俯視圖。
[0030]圖4是表示外部端子電極即焊盤電極與內(nèi)部端子電極的連接關(guān)系的圖，Ca)為俯視圖，(b)為沿著(a)的A-A’線的大致截面圖。
[0031]圖5是表示線圈部件I的制造方法的流程圖。
[0032]圖6是表示形成有多個線圈部件I的磁性晶片(基板)的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。
[0033]圖7 (a)?(d)是表示形成在絕緣層15d的開口 ha?hd的形狀的變形例的俯視圖。
[0034]圖8是本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的線圈部件2的構(gòu)造并且是分解各層來表示的俯視圖。
[0035]圖9是線圈部件2的一部分截面圖并且是對應(yīng)于沿著圖4 (a)的A-A’線的圖的示意圖。
[0036]符號說明:
[0037]I線圈部件(電子部件)
[0038]10 基板
[0039]1a ?1d 側(cè)面
[0040]11薄膜線圈層
[0041]12，12a?12d焊盤電極(外部端子電極)
[0042]13磁性樹脂層
[0043]14通孔磁性體
[0044]15a?15d絕緣層
[0045]16螺旋形導(dǎo)體
[0046]16a 內(nèi)周端
[0047]16b外周端
[0048]17螺旋形導(dǎo)體
[0049]17a內(nèi)周端
[0050]17b外周端
[0051]18,19接觸孔導(dǎo)體
[0052]20, 21引出導(dǎo)體
[0053]24a?24d內(nèi)部端子電極
[0054]ha ?hd 開口
[0055]SS, SSl?SS3內(nèi)部端子電極的側(cè)面
[0056]TS內(nèi)部端子電極的上面

【具體實(shí)施方式】
[0057]以下，一邊參照附圖一邊就本發(fā)明的優(yōu)選的實(shí)施方式進(jìn)行說明。
[0058]圖1是表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式所涉及的線圈部件的構(gòu)造的概略立體圖。
[0059]如圖1所示，本實(shí)施方式所涉及的線圈部件I是共模濾波器，并具備基板10、包含設(shè)置在基板10的一個主面(上面)的共模濾波元件的薄膜線圈層11、設(shè)置在薄膜線圈層11的主面(上面)的第I?第4焊盤(pad)電極12a?12d、以及設(shè)置在除了焊盤電極12a?12d的形成位置以外的薄膜線圈層11的主面的磁性樹脂層13。
[0060]線圈部件I是大致長方體狀的表面安裝型貼片(chip)部件，并具有與長邊方向(X方向)相平行的2個側(cè)面10a, 10b、以及與長邊方向相垂直的其他2個側(cè)面10c, 1d0第I?第4焊盤電極12a?12d以設(shè)置在線圈部件I的角部且在線圈部件I的外周面也具有露出面的方式形成。其中，第I焊盤電極12a在側(cè)面1a和側(cè)面1c均具有露出面，第2焊盤電極12b在側(cè)面1b和側(cè)面1c均具有露出面。另外，第3焊盤電極12c在側(cè)面1a和側(cè)面1d均具有露出面，第4焊盤電極12d在側(cè)面1b和側(cè)面1d均具有露出面。再有，在安裝時上下反轉(zhuǎn)，將焊盤電極12a?12d側(cè)朝向下來使用。
[0061]基板10確保線圈部件I的機(jī)械強(qiáng)度，并且起到作為共模濾波器的閉磁路的作用。作為基板10的材料，可以使用例如燒結(jié)鐵氧體等的磁性陶瓷材料。另外，可以根據(jù)所要求的特性使用非磁性材料。雖然沒有特別限定，但貼片尺寸為0605型(0.6X0.5X0.5(_))時，基板10的厚度可以為0.1?0.3mm左右。
[0062]薄膜線圈層11是包含設(shè)置在基板10與磁性樹脂層13之間的共模濾波元件的層。雖然詳細(xì)在后面敘述，但薄膜線圈層11具有交替地層疊絕緣層和導(dǎo)體圖案而形成的多層構(gòu)造。如此，本實(shí)施方式所涉及的線圈部件I是所謂的薄膜型，與具有在磁芯卷繞了導(dǎo)線的構(gòu)造的卷線型有區(qū)別。
[0063]磁性樹脂層13是構(gòu)成線圈部件I的安裝面(底面)的層，與基板10 —起保護(hù)薄膜線圈層11，起到作為線圈部件I的閉磁路的作用。其中，磁性樹脂層13的機(jī)械強(qiáng)度比基板10小，因而在強(qiáng)度面起到輔助的作用的程度。作為磁性樹脂層13，可以使用含有鐵氧體粉的環(huán)氧樹脂(復(fù)合鐵氧體)。雖然沒有特別限定，但在貼片尺寸是0605型時，磁性樹脂層13的厚度為0.02?0.1mm左右。
[0064]圖2是詳細(xì)地表示線圈部件I的層構(gòu)造的大致分解立體圖。另外，圖3是分解線圈部件I的各層來表示的平面圖。
[0065]如圖2所示，薄膜線圈層11具備從基板10側(cè)向磁性樹脂層13側(cè)依次層疊的第I?第4絕緣層15a?15d、形成在第I絕緣層15a上的包含是平面線圈圖案的第I螺旋形導(dǎo)體16和內(nèi)部端子電極24a?24d的第I導(dǎo)體層、形成在第2絕緣層15b上的包含是平面線圈圖案的第2螺旋形導(dǎo)體17和內(nèi)部端子電極24a?24d的第2導(dǎo)體層、以及形成在第3絕緣層15c上的包含第I和第2引出導(dǎo)體20，21和內(nèi)部端子電極24a?24d的第3導(dǎo)體層。在第4絕緣層15d上設(shè)置有焊盤電極12a?12d，不形成內(nèi)部端子電極等導(dǎo)體圖案。
[0066]第I?第4絕緣層15a?15d使設(shè)置在不同導(dǎo)體層的導(dǎo)體圖案絕緣，并且起到確保形成有導(dǎo)體圖案的平面的平坦性的作用。特別地，第I絕緣層15a吸收基板10的表面的凹凸，起到提高螺旋形導(dǎo)體圖案的加工精度的作用。作為絕緣層15a?15d的材料，優(yōu)選使用電和磁的絕緣性上優(yōu)異且微細(xì)加工容易的樹脂，雖然沒有特別限定，但可以使用聚酰亞胺樹脂或環(huán)氧樹脂。
[0067]第I螺旋形導(dǎo)體16的內(nèi)周端16a經(jīng)由貫通第2和第3絕緣層15b，15c的第I接觸孔導(dǎo)體18、第I引出導(dǎo)體20和第I內(nèi)部端子電極24a而連接于第I焊盤電極12a。另外，第I螺旋形導(dǎo)體16的外周端16b經(jīng)由第2內(nèi)部端子電極24b而連接于第2焊盤電極12b。
[0068]第2螺旋形導(dǎo)體17的內(nèi)周端17a經(jīng)由貫通第3絕緣層15c的第2接觸孔導(dǎo)體19、第2引出導(dǎo)體21和第4內(nèi)部端子電極24d而連接于第4焊盤電極12d。另外，第2螺旋形導(dǎo)體17的外周端17b經(jīng)由第3內(nèi)部端子電極24c而連接于第3焊盤電極12c。
[0069]第I和第2螺旋形導(dǎo)體16，17具有實(shí)質(zhì)上相同的平面形狀，而且在俯視圖中設(shè)置在相同位置。由于第I和第2螺旋形導(dǎo)體16，17重合，因此在兩者之間產(chǎn)生強(qiáng)的磁耦合。第I螺旋形導(dǎo)體16從其內(nèi)周端16a向外周端16b是逆時針的，第2螺旋形導(dǎo)體17從其外周端17b向內(nèi)周端17a同樣是逆時針的，因而由從第I焊盤電極12a向第2焊盤電極12b流動的電流所產(chǎn)生的磁通的方向與由從第3焊盤電極12c向第4焊盤電極12d流動的電流所產(chǎn)生的磁通的方向相同，整體的磁通增強(qiáng)。通過以上的結(jié)構(gòu)，薄膜線圈層11內(nèi)的導(dǎo)體圖案構(gòu)成共模濾波器。
[0070]第I和第2螺旋形導(dǎo)體16，17的外形均為圓形螺旋。圓形螺旋形導(dǎo)體由于高頻信號成分的衰減小，因而可以優(yōu)選作為高頻用電感來使用。再有，本實(shí)施方式的螺旋形導(dǎo)體16，17是長圓的，但可以是正圓的，也可以是橢圓的。另外，還可以是大致矩形的。
[0071]在是第I?第4絕緣層15a?15d的中央?yún)^(qū)域且第I和第2螺旋形導(dǎo)體16，17的內(nèi)側(cè)，設(shè)置有貫通第I?第4絕緣層15a?15d的開口 hg，在開口 hg的內(nèi)部，設(shè)置有用于形成磁路的通孔磁性體14。通孔磁性體14優(yōu)選由與磁性樹脂層13相同的材料構(gòu)成且與其一體地形成。
[0072]第I和第2引出導(dǎo)體20，21形成在第3絕緣層15c上。第I引出導(dǎo)體20的一端連接于接觸孔導(dǎo)體18的上端，另一端連接于內(nèi)部端子電極24a。另外，第2引出導(dǎo)體21的一端連接于接觸孔導(dǎo)體19的上端，另一端連接于內(nèi)部端子電極24d。
[0073]在構(gòu)成薄膜線圈層11的表層的第4絕緣層15d上分別設(shè)置有第I?第4焊盤電極12a?12d。第I?第4焊盤電極12a?12d是外部端子電極，分別連接于內(nèi)部端子電極24a?24d。再有，在本說明書中，“焊盤電極”與通過使用倒裝芯片(flip chip)鍵合來對CiuAu等金屬球進(jìn)行熱壓接而形成的電極不同，是指通過鍍覆處理而形成的厚膜鍍覆電極。焊盤電極的厚度與磁性樹脂層13的厚度同等或其以上，可以為0.02?0.1mm左右。S卩，焊盤電極12a?12d的厚度比薄膜線圈層11內(nèi)的導(dǎo)體圖案要厚，特別是具有薄膜線圈層11內(nèi)的螺旋形導(dǎo)體圖案的5倍以上的厚度。
[0074]第I?第4焊盤電極12a?12d的平面形狀實(shí)質(zhì)上是相同的。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，線圈部件I的底面的焊盤電極圖案具有對稱性，因而能夠提供在安裝的方向性上無制約且外表美觀的端子電極圖案。
[0075]在第4絕緣層15d上，與第I?第4焊盤電極12a?12d —起形成有磁性樹脂層
13。磁性樹脂層13以埋在焊盤電極12a?12d的周圍的方式設(shè)置。與磁性樹脂層13相抵接的焊盤電極12a?12d的側(cè)面優(yōu)選是無邊緣的曲面形狀。磁性樹脂層13在形成焊盤電極12a?12d后通過流入復(fù)合鐵氧體的膏體而形成，但若此時在焊盤電極12a?12d的側(cè)面有邊緣起作用的角部，則在焊盤電極的周圍不完全填充有膏體，容易處于包含氣泡的狀態(tài)。然而，在焊盤電極12a?12d的側(cè)面是曲面的情況下，有流動性的樹脂一直遍布到角落，因而能夠形成不含氣泡的致密的磁性樹脂層13。而且，磁性樹脂層13與焊盤電極12a?12d的密接性提高，因而能夠提高對焊盤電極12a?12d的增強(qiáng)性。
[0076]在第2絕緣層15b還設(shè)置有與第I?第4內(nèi)部端子電極24a?24d相對應(yīng)的開口ha?hd和與第I接觸孔導(dǎo)體18相對應(yīng)的開口 he。開口 ha?he是為了確保上下導(dǎo)體層間的電連接而設(shè)置的開口。形成在第2絕緣層15b上的內(nèi)部端子電極24a?24d的一部分埋入到設(shè)置在其正下方的第2絕緣層15b的開口 ha?hd的內(nèi)部(參照圖4 (b))，由此與第I絕緣層15a上的內(nèi)部端子電極24a?24d電連接。再有，在第I絕緣層15a不設(shè)置與內(nèi)部端子電極相對應(yīng)的開口 ha?hd。
[0077]在第3絕緣層15c，除了開口 ha?he，還設(shè)置有與第2接觸孔導(dǎo)體19相對應(yīng)的開口 hf。形成在第3絕緣層15c上的內(nèi)部端子電極24a?24d的一部分埋入到設(shè)置在其正下方的第3絕緣層15c的開口 ha?hd (參照圖4 (b))，由此與第2絕緣層15b上的內(nèi)部端子電極24a?24d電連接。
[0078]在第4絕緣層15d設(shè)置有開口 ha?hd,但不設(shè)置與第I和第2接觸孔導(dǎo)體18，19相對應(yīng)的開口 he, hf。焊盤電極12a?12d的一部分埋入到第4絕緣層15d的開口 ha?hd的內(nèi)部。由此，第3絕緣層15c上的內(nèi)部端子電極24a?24d的上面經(jīng)由形成在第4絕緣層15d的開口 ha?hd而與相對應(yīng)的焊盤電極12a?12d相連接。
[0079]形成在第2和第3絕緣層15b，15c的開口 ha?hd的尺寸比形成在其正下方的內(nèi)部端子電極24a?24d的尺寸小一圈。在圖3中，在設(shè)置在絕緣層15b?15d的各個的開口 ha?hd的周圍所形成的虛線表示相對應(yīng)的內(nèi)部端子電極24a?24d的大小(投影面)。如圖所示，僅內(nèi)部端子電極24a?24d的上面從開口 ha?hd露出。相對于此，形成在第4絕緣層15d的開口 ha?hd具有比形成在其正下方的內(nèi)部端子電極24a?24d的周緣(輪廓)更向外側(cè)突出的擴(kuò)張部分。因此，不僅內(nèi)部端子電極24a?24d的上面而且內(nèi)部端子電極24a?24d的側(cè)面也從開口 ha?hd露出。
[0080]圖4是表示焊盤電極12a?12d與內(nèi)部端子電極24a?24d的連接關(guān)系的圖，(a)為俯視圖，(b)為沿著(a)的A-A’線的大致截面圖。
[0081]如圖4 (a)所示，內(nèi)部端子電極24a?24d從形成在第4絕緣層15d的開口 ha?hd露出，由點(diǎn)劃線表示的焊盤電極12a?12d覆蓋相對應(yīng)的內(nèi)部端子電極24a?24d。與圖3同樣，虛線表示內(nèi)部端子電極24a?24d的實(shí)際尺寸，另外，陰影線表示從開口 ha?hd露出的內(nèi)部端子電極24a?24d。如圖所示，例如開口 ha從Y方向的內(nèi)側(cè)向外側(cè)(A — A’方向)延伸并到達(dá)邊緣，并且向比內(nèi)部端子電極24a的周緣更向外側(cè)突出。再有，像這樣的切口形狀也包含在開口中。
[0082]由此，如圖4 (b)所示，內(nèi)部端子電極24a不僅其上面TS而且直到與X方向相平行的側(cè)面SS也處于從開口 ha露出的狀態(tài)。S卩，形成在第4絕緣層15d的開口 ha的底面具有臺階。分別形成在第2和第3絕緣層15b，15c的開口 ha?hd是僅內(nèi)部端子電極24a?24d的上面露出的小的開口。
[0083]若在這樣的開口 ha的上方形成焊盤電極12a，則焊盤電極12a的一部分埋入到開口 ha的內(nèi)部，且焊盤電極12a與內(nèi)部端子電極24a的上面TS和側(cè)面SS均相抵接，因而能夠提高焊盤電極12a與內(nèi)部端子電極24a的接合強(qiáng)度。再有，對于內(nèi)部端子電極24b?24d也是同樣的。
[0084]焊盤電極12a?12d與內(nèi)部端子電極24a?24d相比是非常大的電極塊，因而由于熱膨脹等影響而容易在內(nèi)部端子電極24a?24d之間發(fā)生剝離。但是，本實(shí)施方式所涉及的線圈部件1，其內(nèi)部端子電極24a?24d的上面TS和側(cè)面SS均位于絕緣層15d的開口 ha?hd的內(nèi)部，且焊盤電極12a?12d在相對應(yīng)的開口的內(nèi)部與內(nèi)部端子電極24a?24d的上面和側(cè)面均相抵接，因而能夠提高焊盤電極與小的內(nèi)部端子電極的接合強(qiáng)度，能夠提高連接可靠性。
[0085]接著，就線圈部件I的制造方法作詳細(xì)說明。在線圈部件I的制造中，實(shí)施如下量產(chǎn)處理，即在一塊大的磁性基板(磁性晶片)上形成多個共模濾波元件(線圈導(dǎo)體圖案)后，通過將各元件切斷成一個個而制造多個貼片部件。
[0086]圖5是表示線圈部件I的制造方法的流程圖。另外，圖6是表示形成有多個線圈部件I的磁性晶片的結(jié)構(gòu)的概略俯視圖。
[0087]在線圈部件I的制造中，首先準(zhǔn)備磁性晶片(步驟S11)，將多個共模濾波元件在磁性晶片的表面形成布局有多個共模濾波元件的薄膜線圈層11 (步驟S12)。
[0088]薄膜線圈層11在形成絕緣層后能夠通過重復(fù)在絕緣層的表面形成導(dǎo)體圖案的工序來形成。以下，就薄膜線圈層11的形成工序作詳細(xì)說明。
[0089]在薄膜線圈層11的形成中，首先形成絕緣層15a后，在絕緣層15a上形成第I螺旋形導(dǎo)體16和內(nèi)部端子電極24a?24d。接著，在絕緣層15a上形成絕緣層15b后，在絕緣層15b上形成第2螺旋形導(dǎo)體17和內(nèi)部端子電極24a?24d。接著，在絕緣層15b上形成絕緣層15c后，在絕緣層15c上形成第I和第2引出導(dǎo)體20，21和內(nèi)部端子電極24a?24d。
[0090]在此，各絕緣層15a?15d能夠通過在基底面旋涂感光性樹脂或粘貼感光性樹脂薄膜，并對其曝光和顯影而形成。特別地，在第I絕緣層15a形成有開口 hg，在第2絕緣層15b形成有開口 ha?he、hg,在第3絕緣層15c形成有開口 ha?hg,在第4絕緣層15d形成有開口 ha?hd和開口 hg。另外,如圖6所示,形成在第4絕緣層15d的開口 ha?hd相對于在Y方向上相鄰接的2個元件形成為共用的開口 hh。
[0091]對于導(dǎo)體圖案材料優(yōu)選使用Cu。導(dǎo)體圖案可以通過由蒸鍍法或?yàn)R射法形成基底導(dǎo)體層后，在其上形成圖案化后的抗蝕層，對其實(shí)施電鍍，并除去抗蝕層和不需要的基底導(dǎo)體層來形成。在為了降低直流電阻而在想進(jìn)一步提高第I和第2螺旋形導(dǎo)體16，17的縱橫比(aspect rat1)的情況下，只要在除去抗蝕層和不需要的基底導(dǎo)體層后進(jìn)行利用大電流的電鍍即可。
[0092]此時，用于形成接觸孔導(dǎo)體18，19的開口(貫通孔)he, hf的內(nèi)部由鍍覆材料填埋，由此形成有接觸孔導(dǎo)體18，19。另外，用于形成內(nèi)部端子電極24a?24d的開口 ha?hd的內(nèi)部也由鍍覆材料填埋，由此就形成有內(nèi)部端子電極24a?24d。
[0093]接著，在薄膜線圈層11的表層即絕緣層15d上形成焊盤電極12a?12d的集合體即焊盤電極12 (步驟S13)。焊盤電極12的形成方法首先在絕緣層15d的整個面由濺射法形成基底導(dǎo)體層。作為基底導(dǎo)體層的材料可以使用Cu等。其后，通過粘附干膜、并進(jìn)行曝光和顯影，從而選擇性地除去位于要形成焊盤電極12a?12d以及第I和第2引出導(dǎo)體20，21的位置的干膜，形成干膜層，并露出基底導(dǎo)體層。再有，焊盤電極的形成并不限定于使用干膜的方法。
[0094]通過再進(jìn)行電鍍并使基底導(dǎo)體層的露出部分生長，從而形成厚的焊盤電極12a?12d的集合體。此時，形成在絕緣層15d的開口 ha?hd的內(nèi)部由鍍覆材料填埋，由此焊盤電極12a?12d與內(nèi)部端子電極24a?24d電連接。
[0095]其后，通過除去干膜層并對整個面實(shí)施蝕刻來除去不需要的基底導(dǎo)體層，從而完成大致柱狀的焊盤電極12。此時，如圖6所示大致柱狀的焊盤電極12在X方向和Y方向上相鄰接的4個貼片部件形成為共用電極。焊盤電極12被后述的切割鋸4分割，由此，就形成了對應(yīng)于各元件的一個個焊盤電極12a?12d。
[0096]接著，在形成有焊盤電極12的磁性晶片上填充復(fù)合鐵氧體的膏體并使其固化，形成磁性樹脂層13 (步驟S14)。另外，通過將復(fù)合鐵氧體的膏體也填充在開口 hg的內(nèi)部，從而同時形成通孔磁性體14。此時，為了切實(shí)地形成磁性樹脂層13而填充了大量的膏體，由此，焊盤電極12處于埋沒在磁性樹脂層13內(nèi)的狀態(tài)。因此，直至焊盤電極12的上面露出為止研磨磁性樹脂層13并制成規(guī)定的厚度，并且使表面平滑化(步驟S15)。對于磁性晶片也以制成規(guī)定的厚度的方式進(jìn)行研磨(步驟S15)。
[0097]其后，通過磁性晶片的切割而對各共模濾波元件進(jìn)行單片化(貼片化)(步驟S16)。此時，如圖6所示，在X方向上延伸的切斷線Dl和在Y方向上延伸的切斷線D2通過焊盤電極12的中央，所得到的焊盤電極12a?12d的切斷面露出于線圈部件I的側(cè)面。焊盤電極12a?12d的2個側(cè)面在安裝時成為焊角(solder fillet)的形成面，因而能夠提高焊接安裝時的固著強(qiáng)度。再有，也有不使用側(cè)面的安裝形態(tài)(LGA等)，焊盤的形狀可以為根據(jù)安裝的形狀。
[0098]接著，在進(jìn)行貼片部件的滾筒研磨來除去邊緣后(步驟S17)，進(jìn)行電鍍(步驟S18)，由此完成圖1所示的焊盤電極12a?12d。如此，通過對貼片部件的外表面進(jìn)行滾筒研磨，從而能夠制造難以產(chǎn)生貼片欠缺等破損的線圈部件。另外，由于對露出于貼片部件外周面的焊盤電極12a?12d的表面進(jìn)行電鍍處理，因此能夠?qū)⒑副P電極12a?12d的表面做成平滑面。
[0099]如以上說明所述，根據(jù)本實(shí)施方式所涉及的線圈部件I的制造方法，能夠簡便且低成本地制造可以提高通過形成在絕緣層的開口而相互連接的第I端子電極與第2端子電極的接合強(qiáng)度的小型的電子部件。另外，由于在外部電極端子即焊盤電極12a?12d的周圍形成磁性樹脂層13，因此能夠增強(qiáng)焊盤電極12a?12d，并且能夠防止焊盤電極12a?12d的剝離等。另外，本實(shí)施方式所涉及的線圈部件I的制造方法是通過鍍覆來形成焊盤電極12a?12d，因此能夠提供加工精度比例如通過濺射法形成的情況更高且更穩(wěn)定的外部端子電極。此外,能夠謀求工時的削減和低成本化。
[0100]圖7 (a)?(d)是表示形成在絕緣層15d的開口 ha?hd的形狀的變形例的俯視圖。
[0101]圖7 (a)所示的絕緣層15d的開口 ha?hd是不在Y方向上而在X方向上設(shè)置有開口的擴(kuò)張部分的構(gòu)造。因此，在各個開口 ha?hd露出內(nèi)部端子電極的與Y方向相平行的側(cè)面。根據(jù)該構(gòu)造，與圖4所示的開口 ha?hd同樣地能夠提高焊盤電極12a?12d與內(nèi)部端子電極24a?24d的接合強(qiáng)度。
[0102]圖7 (b)所示的圖案是在X方向和Y方向上均設(shè)置有開口的擴(kuò)張部分的構(gòu)造，并且是圖4 (a)的開口圖案與圖7 (a)的開口圖案的單純的合成圖案。因此，內(nèi)部端子電極的與X方向相平行的側(cè)面和與Y方向相平行的側(cè)面均從各開口露出。另外，圖7 (C)是在包含圖7 (b)擴(kuò)張部分的角部整體形成大的開口的圖。因此，內(nèi)部端子電極的與X方向相平行的側(cè)面和與Y方向相平行的側(cè)面均從各開口露出。根據(jù)該構(gòu)造，能夠進(jìn)一步提高焊盤電極12a?12d與內(nèi)部端子電極24a?24d的接合強(qiáng)度。
[0103]圖7(d)所示的開口圖案是在X方向和Y方向上均設(shè)置有開口的擴(kuò)張部分的構(gòu)造，比圖7 (c)還要更擴(kuò)展。在圖7 (c)中，僅擴(kuò)張部分向絕緣層的外側(cè)(外周側(cè))擴(kuò)展，但在圖7 (d)中向絕緣層的外側(cè)和內(nèi)側(cè)均擴(kuò)展。根據(jù)該構(gòu)造，內(nèi)部端子電極的側(cè)面整體露出，因而能夠進(jìn)一步提高焊盤電極與內(nèi)部端子電極的接合強(qiáng)度。
[0104]圖8是本發(fā)明的第2實(shí)施方式所涉及的線圈部件的構(gòu)造，并且是分解各層來表示的俯視圖。另外，圖9是線圈部件2的一部分截面圖，并且是對應(yīng)于沿著圖4 (a)的A-A’線的圖的圖。
[0105]如圖8所示，本實(shí)施方式所涉及的線圈部件2的特征在于不僅在第4絕緣層15d上而且還在第2和第3絕緣層15b，15c上設(shè)置大的開口 ha?hd。
[0106]如圖9所示，焊盤電極12a深埋到形成在絕緣層15b?15d的各個并在層疊方向上連續(xù)的開口 ha內(nèi)，不僅連接于形成在絕緣層15c上的內(nèi)部端子電極24a的上面TS和側(cè)面SSl而且連接于形成在絕緣層15b上的內(nèi)部端子電極24a的側(cè)面SS2以及形成在絕緣層15a上的內(nèi)部端子電極24a的側(cè)面SS3，因而能夠進(jìn)一步提高焊盤電極12a與內(nèi)部端子電極24a的接合強(qiáng)度。
[0107]本發(fā)明并不限定于以上的實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的宗旨的范圍內(nèi)可以添加各種各樣的變更，不言而喻，這些也包含于本發(fā)明中。
[0108]例如，在上述實(shí)施方式中，在焊盤電極的周圍填充磁性樹脂層，但在本發(fā)明中不限定于磁性樹脂，也可以是無磁性的單單絕緣體層。另外，還可以省略通孔磁性體14。
[0109]另外，在上述實(shí)施方式中，以焊盤電極12a?12d作為與內(nèi)部端子電極相連接的外部端子電極為例進(jìn)行列舉，但是本發(fā)明并不限定于焊盤電極，可以以具有其他形狀或構(gòu)造的外部端子電極為對象。此外，并不限定于上述內(nèi)部端子電極與外部端子電極的關(guān)系，也可以適用于內(nèi)部端子電極彼此的連接。另外，線圈導(dǎo)體的形狀也不限定于螺旋圖案，可以以各種各樣的平面線圈圖案為對象。
[0110]另外，在上述實(shí)施方式中，以由絕緣層15a?15d構(gòu)成的3導(dǎo)體層構(gòu)造的薄膜線圈層11為例進(jìn)行列舉，但是在本發(fā)明中絕緣層的層疊數(shù)可以是幾個，不限定于3導(dǎo)體層構(gòu)造。另外，在上述實(shí)施方式中，以共模濾波器作為線圈部件為例進(jìn)行列舉，但是本發(fā)明并不限定于共模濾波器，可以適用于其它各種各樣的線圈部件，此外可以適用于線圈部件以外的各種各樣的電子部件。
【權(quán)利要求】
1.一種電子部件，其特征在于: 具備: 導(dǎo)體層，其包含第I端子電極； 絕緣層，其覆蓋所述導(dǎo)體層； 開口，其以所述第I端子電極的上面的至少一部分和側(cè)面的至少一部分位于其內(nèi)部的方式形成在所述絕緣層；以及 第2端子電極，其設(shè)置在所述絕緣層上，并通過所述開口而與所述第I端子電極的所述上面和所述側(cè)面均相連接。
2.如權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于: 所述開口具有在俯視圖中比所述第I端子電極的周緣更向外側(cè)突出的擴(kuò)張部分。
3.如權(quán)利要求1所述的電子部件，其特征在于: 還具備基板、以及設(shè)置在所述基板上且具有所述導(dǎo)體層和所述絕緣層的薄膜線圈層， 所述導(dǎo)體層還包含連接于所述第I端子電極的平面線圈圖案， 所述第I端子電極是所述薄膜線圈層的內(nèi)部端子電極， 所述第2端子電極是設(shè)置在所述薄膜線圈層的表面的外部端子電極。
4.如權(quán)利要求3所述的電子部件，其特征在于: 所述內(nèi)部端子電極具有與所述基板的長邊方向相平行的第I側(cè)面、以及與所述長邊方向相垂直的第2側(cè)面至少各一個，所述第I側(cè)面和所述第2側(cè)面中的至少一個位于所述開口的所述內(nèi)部。
5.如權(quán)利要求4所述的電子部件，其特征在于: 所述第I側(cè)面和所述第2側(cè)面均位于所述開口的所述內(nèi)部。
6.如權(quán)利要求3~5中的任一項所述的電子部件,其特征在于: 所述薄膜線圈層具有交替地多次層疊所述導(dǎo)體層和所述絕緣層而成的層疊構(gòu)造， 形成在所述多個絕緣層當(dāng)中的最上層的絕緣層的開口以對應(yīng)于該開口的第I端子電極的所述上面和所述側(cè)面均位于其內(nèi)部的方式形成。
7.如權(quán)利要求3~5中的任一項所述的電子部件，其特征在于: 所述薄膜線圈層具有交替地多次層疊所述導(dǎo)體層和所述絕緣層而成的層疊構(gòu)造，形成在所述多個絕緣層的各個的所有開口以對應(yīng)于該開口的第I端子電極的所述上面和所述側(cè)面均位于其內(nèi)部的方式形成。
8.一種電子部件的制造方法，其特征在于: 具備: 形成包含第I端子電極的導(dǎo)體層的工序； 形成覆蓋所述導(dǎo)體層的絕緣層的工序； 以所述第I端子電極的上面的至少一部分和側(cè)面的至少一部分露出的方式在所述絕緣層形成開口的工序；以及 在所述絕緣層上設(shè)置第2端子電極，并且通過所述開口而將所述第2端子電極與所述第I端子電極的所述上面和所述側(cè)面均相連接的工序。
9.如權(quán)利要求8所述的電子部件的制造方法，其特征在于: 具備在基板上形成包含平面線圈圖案的薄膜線圈層的工序、以及在所述薄膜線圈層上形成外部端子電極的工序； 形成所述薄膜線圈層的工序包含形成所述導(dǎo)體層、所述絕緣層和所述開口的工序，所述第I端子電極是連接于所述平面線圈圖案的內(nèi)部端子電極，所述第2端子電極是所述外部端子電極。
10.一種電子部件，其特征在于: 具備基板、設(shè)置在所述基板上的薄膜線圈層、設(shè)置在所述薄膜線圈層的上面的外部端子電極； 所述薄膜線圈層具備:包含平面線圈圖案和第I內(nèi)部端子電極的第I導(dǎo)體層、覆蓋所述第I導(dǎo)體層的第I絕緣層、以所述第I內(nèi)部端子電極的至少上面位于其內(nèi)部的方式形成在所述第I絕緣層的第I開口、包含設(shè)置在所述第I絕緣層上且通過所述第I開口而連接于所述第I內(nèi)部端子電極的上面的第2內(nèi)部端子電極的第2導(dǎo)體層、覆蓋所述第2導(dǎo)體層的第2絕緣層、以及以所述第2內(nèi)部端子電極的上面和側(cè)面均位于其內(nèi)部的方式形成在所述第2絕緣層的第2開口； 所述外部端子電極設(shè)置在所述第2絕緣層上且通過所述第2開口而與所述第2內(nèi)部端子電極的所述上面和所述側(cè)面相連接。
11.如權(quán)利要求10所述的電子部件，其特征在于: 所述第I開口使所述第I內(nèi)部端子電極的側(cè)面也位于其內(nèi)部，所述外部端子電極通過所述第2和第I開口而連接于所述第I內(nèi)部端子電極的所述側(cè)面。
12.如權(quán)利要求10或11所述的電子部件，其特征在于: 所述平面線圈圖案是螺旋形導(dǎo)體，該螺旋形導(dǎo)體的外周端連接于所述第I內(nèi)部端子電極。
13.如權(quán)利要求10或11所述的電子部件，其特征在于: 所述平面線圈圖案是螺旋形導(dǎo)體，所述薄膜線圈層還包含設(shè)置在所述第2導(dǎo)體層的引出導(dǎo)體、以及貫通所述第I絕緣層的通孔導(dǎo)體，所述引出導(dǎo)體的一端連接于所述第2內(nèi)部端子電極，所述引出導(dǎo)體的另一端經(jīng)由所述通孔導(dǎo)體而連接于所述螺旋形導(dǎo)體的內(nèi)周端。
【文檔編號】H01F17/00GK104078192SQ201410122632
【公開日】2014年10月1日 申請日期:2014年3月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年3月28日
【發(fā)明者】渡邊文男, 石川直純, 神山浩 申請人:Tdk株式會社