傳輸線路和電子部件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明設(shè)及傳輸線路和具有使用該傳輸線路的諧振器的電子部件。
【背景技術(shù)】
[0002] 在近距離無線通信或移動(dòng)通信中較多使用微波頻段、特別是IGHz~IOGHz的頻 段。對于上述通信中使用的通信裝置強(qiáng)烈要求小型化、薄型化，并且對于該通信裝置中使用 的電子部件也強(qiáng)烈要求小型化、薄型化。
[0003] 通信裝置使用的電子部件中有如帶通濾波器一樣包含諧振器的部件。該諧振器中 有使用分布常數(shù)線路或者使用電感器和電容器的部件等，但是它們都包含傳輸線路。諧振 器中要求無負(fù)載Q值較大，而諧振器的無負(fù)載Q值能夠通過減小諧振器的損失來增大。
[0004] 傳輸線路的損失包括介質(zhì)損耗、導(dǎo)體損耗和福射損耗。信號(hào)頻率越高，趨膚效應(yīng)越 顯著，導(dǎo)體損耗會(huì)顯著增大。諧振器的損失基本上由導(dǎo)體損耗引起。因此，為了增大諧振器 的無負(fù)載Q值，減小導(dǎo)體損耗是有效的。
[0005] 現(xiàn)有的用于IGHz~IOGHz頻段的傳輸線路為組合了導(dǎo)體和電介質(zhì)而成的結(jié)構(gòu)。在 該傳輸線路中，即使如專利文獻(xiàn)1、2中記載的技術(shù)那樣進(jìn)行增大導(dǎo)體表面積等對策，也難 W大幅減小導(dǎo)體損耗。因此，在使用該傳輸線路的諧振器中，增大無負(fù)載Q值是有限度的。
[0006] 另一方面，作為傳播50GHz左右的毫米波段的電磁波的傳輸線路，已知有電介質(zhì) 線路。例如在專利文獻(xiàn)3中記載了一種傳輸線路，其構(gòu)成為在平行配置的2個(gè)平行導(dǎo)體板 之間配置高介電常數(shù)帶，在2個(gè)平行導(dǎo)體板與高介電常數(shù)帶之間配置由低介電常數(shù)材料構(gòu) 成的填充電介質(zhì)。在該傳輸線路中，電磁波的電場分布在填充電介質(zhì)內(nèi)。在專利文獻(xiàn)3中， 記載了實(shí)際制成的傳輸線路在30GHz~60GHz的頻段內(nèi)為低分散的特性。
[0007] 現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0008] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開平4-43703號(hào)公報(bào)
[0009] 專利文獻(xiàn)2 :日本特開平10-13112號(hào)公報(bào)
[0010] 專利文獻(xiàn)3 :日本特開2007-235630號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0011] 如上所述，現(xiàn)有的用于IGHz~IOGHz頻段的傳輸線路為使用采用了由導(dǎo)體制成的 電極的線路的結(jié)構(gòu)。在該傳輸線路中即使如專利文獻(xiàn)1、2中記載的技術(shù)那樣進(jìn)行增大導(dǎo)體 電極的表面積等對策，也難W大幅減小導(dǎo)體損耗。因此，在使用該傳輸線路的諧振器中，增 大無負(fù)載Q值是有限度的。
[0012] 另一方面，如上所述，已知有傳播50GHz左右的毫米波段的電磁波的電介質(zhì)線路， 但是傳播IGHz~IOGHz頻段的電磁波的電介質(zhì)線路并非已知。
[001引 電磁波的波長與頻率成反比。IGHz~IOGHz頻段的電磁波的波長為50GHz左右 的毫米波段的電磁波的波長的5倍~50倍左右。一般而言，現(xiàn)有的電介質(zhì)線路的大小隨 著傳播的電磁波的波長變長而增大。因此，即使假設(shè)要使用現(xiàn)有的電介質(zhì)線路來構(gòu)成用于 IGHz~lOGHz頻段的諧振器等電子部件，也因電子部件大型化而無法實(shí)現(xiàn)實(shí)用的電子部 件。
[0014] 此外，在電介質(zhì)線路中傳播的電磁波的波長因電介質(zhì)的波長縮短效應(yīng)而比在真空 中傳播的電磁波的波長短。然而，在現(xiàn)有的電介質(zhì)線路中，不能獲得大幅的波長縮短效應(yīng)。 例如在專利文獻(xiàn)3中記載了填充電介質(zhì)的相對介電常數(shù)例如為4W下。如果設(shè)相對介電常 數(shù)為4,則波長縮短率為0. 5。因此，即使使用現(xiàn)有的電介質(zhì)線路，也不能因電介質(zhì)的波長縮 短效應(yīng)而實(shí)現(xiàn)電子部件的大幅的小型化。
[0015] 本發(fā)明是鑒于上述問題而完成的，其目的在于提供一種傳輸線路和具有使用該傳 輸線路的諧振器的電子部件，能夠傳播在IGHz~IOGHz范圍內(nèi)的1個(gè)W上頻率的電磁波， 并且獲得較高的無負(fù)載Q值。
[0016]本發(fā)明的傳輸線路，其特征在于，包括：線路部，其由具有第一相對介電常數(shù)的第 一電介質(zhì)構(gòu)成；和周圍電介質(zhì)部，其由具有第二相對介電常數(shù)的第二電介質(zhì)構(gòu)成，上述第一 電介質(zhì)由通式找BaO ? (1 -訝SrO}Ti〇2表示，其中，0. 25 < X《0. 55,上述第二相對介電 常數(shù)比上述第一相對介電常數(shù)小。
[0017] 優(yōu)選在上述第一電介質(zhì)中還包含MnO。在運(yùn)種情況下，第一電介質(zhì)由通式 曰找BaO. (1 _ X)SrO}Ti〇2+(l _ a)MnO表示，其中，0.9800 < a <!.〇〇〇〇,〇. 25 <X《0. 55。
[0018] 優(yōu)選上述第二相對介電常數(shù)為上述第一相對介電常數(shù)的1/10W下。
[0019]本發(fā)明的電子部件包含本發(fā)明的傳輸線路。本發(fā)明的電子部件傳播在IGHz~ IOGHz范圍內(nèi)的1個(gè)W上頻率的電磁波，并且具有諧振器。該諧振器使用本發(fā)明的傳輸線路 構(gòu)成。
[0020] 發(fā)明效果
[0021] 根據(jù)本發(fā)明，其能夠提供一種傳輸線路和具有使用該傳輸線路的諧振器的電子部 件，能夠傳播在IGHz~IOGHz范圍內(nèi)的1個(gè)W上頻率的電磁波，并且獲得較高的無負(fù)載Q 值。
【附圖說明】
[0022] 圖1是表示本發(fā)明的實(shí)施方式設(shè)及的傳輸線路和電子部件的立體圖。
[0023] 圖2是表示圖1所示的電子部件的電路結(jié)構(gòu)的電路圖。
[0024] 符號(hào)說明
[00幼 1 電子部件
[002引 2 傳輸線路
[0027] 3 導(dǎo)體層
[002引 4 導(dǎo)體層
[002引 5 導(dǎo)體層
[0030] 6 導(dǎo)體層
[OOW 7 導(dǎo)體層
[00礎(chǔ) 7a導(dǎo)體層的端部[0033] 10線路部
[0034] 20周圍電介質(zhì)部
[0035] 20a上表面
[0036] 20b下表面
[0037] 20c 側(cè)面
[0038] 20d 側(cè)面
[0039] 20e 側(cè)面
[0040] 20f 側(cè)面
[00川30諧振器
[004引31電感器
[0043] 32 電容器
[0044] 33輸入輸出端子
【具體實(shí)施方式】 [004引（實(shí)施方式）
[0046] 下面，參照附圖對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。首先，參照圖1來說明本發(fā)明 的實(shí)施方式設(shè)及的電介質(zhì)線路和電子部件的結(jié)構(gòu)。圖1是表示本實(shí)施方式設(shè)及的傳輸線路 和電子部件的立體圖。
[0047] 如圖1所示，本實(shí)施方式設(shè)及的電子部件1包含本實(shí)施方式設(shè)及的傳輸線路2。傳 輸線路2具有由第一電介質(zhì)構(gòu)成的線路部10和由第二電介質(zhì)構(gòu)成的周圍電介質(zhì)部20。線 路部10傳播在IGHz~IOGHz范圍內(nèi)的1個(gè)W上頻率的電磁波。周圍電介質(zhì)部20在線路 部10的與電磁波傳播方向正交的截面中存在于線路部10的周圍。
[0048] 周圍電介質(zhì)部20具有位于Z方向兩端的上表面20a和下表面20b、位于X方向兩 端的2個(gè)側(cè)面20c、2(M、W及位于Y方向兩端的2個(gè)側(cè)面20e、20f。
[0049] 特別地，在本實(shí)施方式中，周圍電介質(zhì)部20整體由1個(gè)種類的第二電介質(zhì)構(gòu)成。
[0050] 電子部件1還具有分別配置于周圍電介質(zhì)部20的上表面20a、下表面20b、側(cè)面 20e、20f的導(dǎo)體層3、4、5、6。導(dǎo)體層3在X方向的長度比上表面20a在X方向的長度小。導(dǎo) 體層3在Y方向的長度與上表面20a在Y方向的長度相等。導(dǎo)體層3僅覆蓋上表面20a的 一部分。導(dǎo)體層4在X方向的長度比下表面2化在X方向的長度小。導(dǎo)體層4在Y方向的 長度與下表面2化在Y方向的長度相等。導(dǎo)體層4僅覆蓋下表面20b的一部分。導(dǎo)體層5 覆蓋整個(gè)側(cè)面20e，與導(dǎo)體層3、4電連接。導(dǎo)體層6覆蓋整個(gè)側(cè)面20f，與導(dǎo)體層3、4電連 接。導(dǎo)體層3、4、5、6接地。
[0051] 電子部件1還具有導(dǎo)體層7,其W與導(dǎo)體層4隔開規(guī)定間隔地相對的方式配置在周 圍電介質(zhì)部20的內(nèi)部。周圍電介質(zhì)部20的一部分位于導(dǎo)體層4與導(dǎo)體層7之間。
[0052] 線路部10在Z方向的一端與導(dǎo)體層7連接。導(dǎo)體層7具有在周圍電介質(zhì)部20的 側(cè)面20c露出的端部7a。線路部10在Z方向的另一端與導(dǎo)體層3連接。
[0053] 導(dǎo)體層3、4、5、6、7由Ag、化等金屬構(gòu)成。此外，電子部件1也可W具有由第一電 介質(zhì)構(gòu)成的電介質(zhì)層來替代導(dǎo)體層3。
[0054] 接著，參照圖2的電路圖來說明本實(shí)施方式設(shè)及的電子部件1的電路結(jié)構(gòu)。本實(shí) 施方式設(shè)及的電子部件1包括：具有并聯(lián)連接的電感器31和電容器32的諧振器30、W及 輸入輸出端子33。電感器31的一端和電容器32的一端與輸入輸出端子33電連接。電感 器31的另一端和電容器32的另一端與地電連接。電感器31和電容器32構(gòu)成并聯(lián)諧振電 路。諧振器30具有IGHz~IOGHz范圍內(nèi)的諧振頻率。
[0055] 諧振器30使用傳輸線路2構(gòu)成。更具體地說明，構(gòu)成諧振器30的電感器31由傳 輸線路2的線路部10構(gòu)成。電容器32由圖1所示的導(dǎo)體層4、7和其間的周圍電介質(zhì)部20 的一部分構(gòu)成。