顯示基板的制造方法和顯示基板的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示基板的制造方法和顯示基板。顯示基板的制造方法包括：在襯底基板的上方形成有源層圖形；在所述有源層圖形的上方形成柵極；對所述有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域，所述輕摻雜區(qū)域位于所述柵極的兩側(cè)，所述多晶硅區(qū)域位于所述柵極的下方；通過形成于所述輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對所述輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)，所述輕摻雜漏區(qū)位于所述重摻雜區(qū)域和所述多晶硅區(qū)域之間；在所述重摻雜區(qū)域之上形成源漏極圖形，所述源漏極圖形通過所述第一過孔與所述重摻雜區(qū)域連接。本發(fā)明提高了顯示基板上輕摻雜區(qū)域長度的均勻性以及提高了摻雜效率。
【專利說明】顯示基板的制造方法和顯示基板
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，特別涉及一種顯示基板的制造方法和顯示基板。
【背景技術】
[0002]低溫多晶娃(Low Temperature Poly-silicon,簡稱:LTPS)技術由于具有遷移率聞等優(yōu)點受:到越來越多的重視。隨著顯不技術的發(fā)展，LTPS技術憑借其聞效能和聞清晰的特點，得到了越來越廣泛的應用，特別是對于較高的每英寸所擁有的像素(Pixels perinch，簡稱:PPI)產(chǎn)品。采用LTPS技術制成薄膜晶體管的過程中，需要執(zhí)行將非晶硅(a_Si)轉(zhuǎn)換為多晶硅(P-Si)的工藝。在將a-Si轉(zhuǎn)換為p-Si時，產(chǎn)生的晶界會造成漏電流的增加。為解決上述問題，可在源漏極圖形之間的柵極兩側(cè)設置輕摻雜漏區(qū)(Lightly Doped Drain,簡稱:LDD)，該LDD的作用等同于串聯(lián)一大電阻，從而減小了漏電流的形成，并且該LDD的長度決定了漏電流的大小。
[0003]圖1a為現(xiàn)有技術中制造顯不基板的一種不意圖，如圖1a所不,在制造顯不基板的過程中，首先在襯底基板I上依次形成第一緩沖層2、第二緩沖層3、有源層圖形以及位于有源層圖形之上的第一絕緣層5，而后在第一絕緣層5上形成柵極金屬層，對柵金屬層進行光刻膠涂覆、曝光、顯影和刻蝕，形成柵極6和位于柵極6之上的剩余光刻膠14，由于對柵金屬層進行刻蝕時存在橫向縮進量，因此刻蝕工藝后，剩余光刻膠14的寬度大于柵極6的寬度；以柵極6及位于柵極6上方的剩余光刻膠14為掩體，通過第一絕緣層5對有源層圖形進行重摻雜處理形成重摻雜區(qū)域43和有源層區(qū)域45。圖1b為現(xiàn)有技術中制造顯示基板的另一種示意圖，如圖1b所示，然后對剩余光刻膠14進行灰化(ashing)工藝，去除部分的剩余光刻膠14，形成部分剩余光刻膠15，其中，灰化掉的剩余光刻膠14可包括位于柵極6兩側(cè)上方的剩余光刻膠14以及位于柵極6正上方的一部分剩余光刻膠14 ;再以部分剩余光刻膠15和柵極6為掩體，通過第一絕緣層5對有源層區(qū)域45進行輕摻雜形成輕摻雜漏區(qū)44和多晶硅區(qū)域42。而后，通過剝離工藝去除部分剩余光刻膠15，并在柵極6的上方依次形成源漏極圖形和像素電極，此處不再具體畫出。
[0004]現(xiàn)有技術中，位于柵極6兩側(cè)上方的剩余光刻膠14對應于輕摻雜漏區(qū)44，因此需要通過灰化(ashing)工藝去除位于柵極6兩側(cè)上方的剩余光刻膠14，并通過輕摻雜處理才能形成輕摻雜漏區(qū)44，也就是說，在灰化剩余光刻膠14的過程中，需要根據(jù)輕摻雜漏區(qū)44的長度控制灰化工藝中對剩余光刻膠14的去除量。因此，灰化掉位于柵極6兩側(cè)上方的剩余光刻膠14的多少決定了輕摻雜漏區(qū)44的長度。在通過灰化工藝去除剩余光刻膠14的過程中，受到灰化工藝本身的限制，會出現(xiàn)位于柵極6兩側(cè)上方的剩余光刻膠14的去除量難以控制的問題，這就導致通過灰化工藝難以精確控制輕摻雜漏區(qū)44的長度，從而造成顯示基板上輕摻雜漏區(qū)44的長度不均勻的問題；由于重摻雜處理過程中，摻雜離子是通過第一絕緣層5到達有源層圖形的多晶硅材料中，降低了摻雜速度，從而造成摻雜效率低。

【發(fā)明內(nèi)容】
[0005]本發(fā)明提供一種顯示基板的制造方法和顯示基板，用于實現(xiàn)精確控制輕摻雜區(qū)域的長度以提高輕摻雜區(qū)域長度的均勻性，以及提高摻雜效率。
[0006]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示基板的制造方法，包括:
[0007]在襯底基板的上方形成有源層圖形；
[0008]在所述有源層圖形的上方形成柵極；
[0009]對所述有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域，所述輕摻雜區(qū)域位于所述柵極的兩側(cè)，所述多晶硅區(qū)域位于所述柵極的下方；
[0010]通過形成于所述輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對所述輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)，所述輕摻雜漏區(qū)位于所述重摻雜區(qū)域和所述多晶硅區(qū)域之間；
[0011]在所述重摻雜區(qū)域之上形成源漏極圖形，所述源漏極圖形通過所述第一過孔與所述重摻雜區(qū)域連接。
[0012]可選地，所述對所述有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域包括:
[0013]以所述柵極為掩體，對所述有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域。
[0014]可選地，所述對所述有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域包括:采用混合氣體對所述有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域，所述混合氣體為PH3和H2的混合氣體，PH3和H2的比例為5%至15%，所述混合氣體的壓強為30mTorr至 60mTor;r。
[0015]可選地，所述通過形成于所述輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對所述輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)包括:采用混合氣體通過形成于所述輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對所述輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)，所述混合氣體為PH3和H2的混合氣體，PH3和H2的比例為5%至15%，所述混合氣體的壓強為90mTorr至150mTorr。
[0016]可選地，所述在襯底基板的上方形成有源層圖形之后還包括:
[0017]在所述有源層圖形之上形成第一絕緣層；
[0018]所述對所述有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域之后還包括:
[0019]在所述柵極之上形成第二絕緣層；
[0020]在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上形成所述第一過孔。
[0021]可選地，所述輕摻雜漏區(qū)的長度L3 = L1-L2，其中，LI為所述輕摻雜區(qū)域的長度，L2為所述重摻雜區(qū)域的長度。
[0022]可選地，還包括:
[0023]在所述源漏極圖形之上形成鈍化層；
[0024]在所述鈍化層上形成第二過孔；
[0025]在所述鈍化層之上形成像素電極，所述像素電極通過所述第二過孔與所述源漏極圖形連接。
[0026]可選地，所述在襯底基板的上方形成有源層圖形之前還包括:
[0027]在所述襯底基板上形成第一緩沖層；
[0028]在所述第一緩沖層上形成第二緩沖層。
[0029]可選地，所述在襯底基板的上方形成有源層圖形包括:[0030]在襯底基板的上方形成非晶硅層；
[0031]對所述非晶硅層進行激光退火處理，形成多晶硅層；
[0032]對所述多晶硅層進行構圖工藝，形成所述有源層圖形。
[0033]為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種顯示基板，所述顯示基板采用上述顯示基板的制造方法制成。
[0034]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0035]本發(fā)明提供的顯示基板的制造方法和顯示基板的技術方案中，對有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域，并通過形成于輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)，通過精確控制重摻雜區(qū)域的長度實現(xiàn)了精確控制輕摻雜區(qū)域的長度，從而提高了顯示基板上輕摻雜區(qū)域長度的均勻性；通過第一過孔對輕摻雜區(qū)域進行重摻雜，使得摻雜離子與輕摻雜區(qū)域直接接觸，提高了摻雜速度，從而提高了摻雜效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0036]圖1a為現(xiàn)有技術中制造顯不基板的一種不意圖；
[0037]圖1b為現(xiàn)有技術中制造顯不基板的另一種不意圖；
[0038]圖2為本發(fā)明實施例一提供的一種顯示基板的制造方法的流程圖；
[0039]圖3為本發(fā)明實施例二提供的一種顯示基板的制造方法的流程圖；
[0040]圖4a為實施例二中形成第一緩沖層、第二緩沖層和有源層圖形的示意圖；
[0041]圖4b為實施例二中形成第一絕緣層和柵極的示意圖；
[0042]圖4c為實施例二中形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域的示意圖；
[0043]圖4d為實施例二中形成第二絕緣層的示意圖；
[0044]圖4e為實施例二中形成剩余光刻膠的示意圖；
[0045]圖4f為實施例二中形成第一過孔的示意圖；
[0046]圖4g為實施例二中形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)的示意圖；
[0047]圖4h為實施例二中剝離剩余光刻膠的示意圖；
[0048]圖4i為實施例二中形成源漏極圖形的示意圖；
[0049]圖4j為實施例二中形成鈍化層和第二過孔的示意圖；
[0050]圖4k為實施例二中形成像素電極的示意圖。
【具體實施方式】
[0051]為使本領域的技術人員更好地理解本發(fā)明的技術方案，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明提供的顯示基板的制造方法和顯示基板進行詳細描述。
[0052]圖2為本發(fā)明實施例一提供的一種顯示基板的制造方法的流程圖，如圖2所示，該方法包括:
[0053]步驟101、在襯底基板的上方形成有源層圖形。
[0054]步驟102、在有源層圖形的上方形成柵極。
[0055]步驟103、對有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域，輕摻雜區(qū)域位于柵極的兩側(cè)，多晶硅區(qū)域位于柵極的下方。[0056]步驟104、通過形成于輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)，輕摻雜漏區(qū)位于重摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域之間。
[0057]步驟105、在重摻雜區(qū)域之上形成源漏極圖形，源漏極圖形通過第一過孔與重摻雜區(qū)域連接。
[0058]本實施例提供的顯示基板的制造方法的技術方案中，對有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域，并通過形成于輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)，通過精確控制重摻雜區(qū)域的長度實現(xiàn)了精確控制輕摻雜區(qū)域的長度，從而提高了顯示基板上輕摻雜區(qū)域長度的均勻性；通過第一過孔對輕摻雜區(qū)域進行重摻雜，使得摻雜離子與輕摻雜區(qū)域直接接觸，提高了摻雜速度，從而提高了摻雜效率。進一步地，精確控制輕摻雜區(qū)域的長度還可以有效避免mura不良的產(chǎn)生。
[0059]圖3為本發(fā)明實施例二提供的一種顯示基板的制造方法的流程圖，如圖3所示，該方法包括:
[0060]步驟201、在襯底基板上形成第一緩沖層，在第一緩沖層上形成第二緩沖層。
[0061]步驟202、在襯底基板的上方形成非晶硅層。
[0062]步驟203、對非晶硅層進行激光退火處理，形成多晶硅層。
[0063]步驟204、對多晶硅層進行構圖工藝，形成有源層圖形。
[0064]圖4a為實施例二中形成第一緩沖層、第二緩沖層和有源層圖形的示意圖，如圖4a所示，在襯底基板I上依次沉積第一緩沖層2、第二緩沖層3和非晶硅層；通過準分子激光退火(Excimer Laser Annealer,簡稱:ELA)技術對非晶娃層進行激光退火處理,形成多晶硅層；對多晶硅層進行構圖工藝，形成有源層圖形4。優(yōu)選地，第一緩沖層2的材料為SiN，第二緩沖層3的材料為Si02。其中，在襯底基板I之上形成的第一緩沖層2可有效防止襯底基板I中的Na/K進入有源層圖形4，在有源層圖形4之下形成的第二緩沖層3有利于與有源層圖形4中的多晶硅晶格實現(xiàn)匹配。
[0065]步驟205、在有源層圖形之上形成第一絕緣層。
[0066]步驟206、在第一絕緣層之上形成柵極。
[0067]圖4b為實施例二中形成第一絕緣層和柵極的示意圖，如圖4b所示，在有源層圖形4上依次沉積第一絕緣層5和柵金屬層，對柵金屬層進行構圖工藝形成柵極6。優(yōu)選地，柵極6的材料可包括:Mo、Cu或者Al/Mo。該第一絕緣層5覆蓋第二緩沖層3。
[0068]步驟207、對有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域，輕摻雜區(qū)域位于柵極的兩側(cè)，多晶硅區(qū)域位于柵極的下方。
[0069]圖4c為實施例二中形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域的示意圖，如圖4c所示，以柵極6為掩體，對有源層圖形4進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域41和多晶硅區(qū)域42。其中，對有源層圖形4進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域41和多晶硅區(qū)域42具體可包括:采用混合氣體對有源層圖形4進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域41和多晶硅區(qū)域42。優(yōu)選地，混合氣體為PH3和H2的混合氣體，PH3和H2的比例為5 %至15 %，混合氣體的壓強為30mTorr至60mTorr。如圖4c所示，輕摻雜區(qū)域41的長度為LI。本實施例可通過控制混合氣體的壓強達到控制混合氣體流量的目的。
[0070]步驟208、在柵極之上形成第二絕緣層。
[0071]圖4d為實施例二中形成第二絕緣層的示意圖，如圖4d所示，在柵極6之上沉積第二絕緣層7。
[0072]步驟209、在第一絕緣層和第二絕緣層上形成第一過孔。
[0073]優(yōu)選地，可通過構圖工藝在第一絕緣層和第二絕緣層上形成第一過孔。具體地，步驟209可包括:
[0074]步驟2091、在第二絕緣層上涂覆光刻膠，并對光刻膠進行曝光和顯影以去除部分光刻膠，保留剩余光刻膠。
[0075]圖4e為實施例二中形成剩余光刻膠的示意圖，如圖4e所示，在第二絕緣層7上涂覆光刻膠，并對光刻膠進行曝光和顯影以去除部分光刻膠，保留剩余光刻膠8。
[0076]步驟2092、對第一絕緣層和第二絕緣層進行刻蝕，形成第一過孔。
[0077]圖4f為實施例二中形成第一過孔的示意圖，如圖4f所示，對第一絕緣層5和第二絕緣層7進行刻蝕，形成第一過孔9。其中，優(yōu)選地，刻蝕可以為干法刻蝕。如圖4f所示，第一過孔9的長度為L2。本實施例中，可通過控制光刻膠的曝光量來達到控制第一過孔9的長度的目的。
[0078]步驟210、通過形成于輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)，輕摻雜漏區(qū)位于重摻雜區(qū)域和柵極之間。
[0079]圖4g為實施例二中形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)的示意圖，如圖4g所示，通過第一過孔9對輕摻雜區(qū)域41進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域43和輕摻雜漏區(qū)44，輕摻雜漏區(qū)44位于重摻雜區(qū)域43和多晶硅區(qū)域42之間。在重摻雜過程中，輕摻雜區(qū)域41的與第一過孔9對應的位置形成重摻雜區(qū)域43。由于多晶硅區(qū)域42位于柵極6的正下方，因此，也可以說，輕摻雜漏區(qū)44位于重摻雜區(qū)域43和柵極6之間。
[0080]其中，通過形成于輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)包括:采用混合氣體通過形成于輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)，混合氣體為PH3和H2的混合氣體，PH3和H2的比例為5%至15%,混合氣體的壓強為90mTorr至150mTorr。本實施例可通過控制混合氣體的壓強達到控制混合氣體流量的目的。
[0081]其中，輕摻雜漏區(qū)44的長度L3 = L1-L2，其中，由于第一過孔9的長度與重摻雜區(qū)域43的相等，因此L2也為重摻雜區(qū)域43的長度。由于L3 = L1-L2，因此本實施例可通過控制L2達到控制L3的目的。與現(xiàn)有技術中通過灰化工藝控制輕摻雜漏區(qū)的長度L3相比，本實施例可實現(xiàn)對輕摻雜漏區(qū)的長度L3的精確控制。
[0082]步驟211、去除剩余光刻膠。
[0083]圖4h為實施例二中剝離剩余光刻膠的示意圖，如圖4h所示，剝離剩余光刻膠8。
[0084]步驟212、在重摻雜區(qū)域之上形成源漏極圖形，源漏極圖形通過第一過孔與重摻雜區(qū)域連接。
[0085]圖4i為實施例二中形成源漏極圖形的示意圖，如圖4i所示，沉積源漏極金屬層，對源漏極金屬層進行構圖工藝形成源漏極圖形10，源漏極圖形10填充于第一過孔9中以實現(xiàn)通過第一過孔9與重摻雜區(qū)域43連接。具體地，源漏極圖形10可包括:源極或者漏極。圖4i中，位于柵極6左側(cè)的源漏極圖形10為源極，位于柵極6右側(cè)的源漏極圖形10為漏極。
[0086]步驟213、在源漏極圖形之上形成鈍化層。[0087]步驟214、在鈍化層上形成第二過孔。
[0088]圖4j為實施例二中形成鈍化層和第二過孔的示意圖，如圖4j所示，通過旋涂(spin)工藝在源漏極圖形10上形成鈍化層11，該鈍化層11覆蓋第二絕緣層7。該鈍化層11的材料為樹脂。對鈍化層11進行構圖工藝，形成第二過孔12。第二過孔12位于源漏極圖形10的上方。
[0089]步驟215、在鈍化層之上形成像素電極，像素電極通過第二過孔與源漏極圖形連接。
[0090]圖4k為實施例二中形成像素電極的示意圖，如圖4k所示，在鈍化層11上沉積像素電極材料層，對像素電極材料層進行構圖工藝形成像素電極13，該像素電極13通過第二過孔12與源漏極圖形10連接。具體地，像素電極13填充于第二過孔12中以實現(xiàn)通過第二過孔12與源漏極圖形10連接。此時，像素電極13與作為漏極的源漏極圖形10連接。優(yōu)選地,像素電極13的材料為透明導電材料，例如:該透明導電材料可以為ΙΤ0。
[0091]本實施例中，構圖工藝可包括:光刻膠涂覆、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝。
[0092]本實施例通過六次構圖工藝(即:6mask工藝)制成顯示基板，與現(xiàn)有技術相比無需增加mask工藝次數(shù)，從而在不增加工藝難度的前提下實現(xiàn)了顯示基板的制造過程。
[0093]本實施例提供的顯示基板的制造方法的技術方案中，對有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域，并通過形成于輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)，通過精確控制重摻雜區(qū)域的長度實現(xiàn)了精確控制輕摻雜區(qū)域的長度，從而提高了顯示基板上輕摻雜區(qū)域長度的均勻性；通過第一過孔對輕摻雜區(qū)域進行重摻雜，使得摻雜離子與輕摻雜區(qū)域直接接觸，提高了摻雜速度，從而提高了摻雜效率。進一步地，精確控制輕摻雜區(qū)域的長度還可以有效避免mura不良的產(chǎn)生。
[0094]本發(fā)明實施例三提供了一種顯示基板，該顯示基板采用上述實施例一或者實施例二提供的顯示基板的制造方法制成。具體結(jié)構和制造方法可參考上述實施例一或者實施例二中的描述，此處不再贅述。
[0095]優(yōu)選地，本實施例中，顯示基板可以為LTPS陣列基板。則在制成顯示裝置的過程中，可將該顯示基板與對端基板進行對盒處理以形成顯示裝置，優(yōu)選地，對端基板可以為彩膜基板。
[0096]本實施例提供的顯示基板采用上述顯示基板的制造方法制成，在該制造方法的技術方案中，對有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域，并通過形成于輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)，通過精確控制重摻雜區(qū)域的長度實現(xiàn)了精確控制輕摻雜區(qū)域的長度，從而提高了顯示基板上輕摻雜區(qū)域長度的均勻性；通過第一過孔對輕摻雜區(qū)域進行重摻雜，使得摻雜離子與輕摻雜區(qū)域直接接觸，提高了摻雜速度，從而提高了摻雜效率。進一步地，精確控制輕摻雜區(qū)域的長度還可以有效避免mura不良的產(chǎn)生。
[0097]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領域內(nèi)的普通技術人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權利要求】
1.一種顯示基板的制造方法，其特征在于，包括: 在襯底基板的上方形成有源層圖形； 在所述有源層圖形的上方形成柵極； 對所述有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域，所述輕摻雜區(qū)域位于所述柵極的兩側(cè)，所述多晶硅區(qū)域位于所述柵極的下方； 通過形成于所述輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對所述輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)，所述輕摻雜漏區(qū)位于所述重摻雜區(qū)域和所述多晶硅區(qū)域之間； 在所述重摻雜區(qū)域之上形成源漏極圖形，所述源漏極圖形通過所述第一過孔與所述重摻雜區(qū)域連接。
2.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板的制造方法，其特征在于，所述對所述有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域包括: 以所述柵極為掩體，對所述有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的顯示基板的制造方法，其特征在于，所述對所述有源層圖形進行輕摻 雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域包括:采用混合氣體對所述有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域，所述混合氣體為PH3和H2的混合氣體，PH3和H2的比例為5%至15%,所述混合氣體的壓強為30mTorr至60mTorr。
4.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板的制造方法，其特征在于，所述通過形成于所述輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對所述輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)包括:采用混合氣體通過形成于所述輕摻雜區(qū)域上方的第一過孔對所述輕摻雜區(qū)域進行重摻雜形成重摻雜區(qū)域和輕摻雜漏區(qū)，所述混合氣體為PH3和H2的混合氣體，PH3和H2的比例為5%至15%,所述混合氣體的壓強為90mTorr至150mTorr。
5.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板的制造方法，其特征在于，所述在襯底基板的上方形成有源層圖形之后還包括: 在所述有源層圖形之上形成第一絕緣層； 所述對所述有源層圖形進行輕摻雜形成輕摻雜區(qū)域和多晶硅區(qū)域之后還包括: 在所述柵極之上形成第二絕緣層； 在所述第一絕緣層和所述第二絕緣層上形成所述第一過孔。
6.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板的制造方法，其特征在于，所述輕摻雜漏區(qū)的長度L3 = L1-L2，其中，LI為所述輕摻雜區(qū)域的長度，L2為所述重摻雜區(qū)域的長度。
7.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板的制造方法，其特征在于，還包括: 在所述源漏極圖形之上形成鈍化層； 在所述鈍化層上形成第二過孔； 在所述鈍化層之上形成像素電極，所述像素電極通過所述第二過孔與所述源漏極圖形連接。
8.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板的制造方法，其特征在于，所述在襯底基板的上方形成有源層圖形之前還包括: 在所述襯底基板上形成第一緩沖層； 在所述第一緩沖層上形成第二緩沖層。
9.根據(jù)權利要求1所述的顯示基板的制造方法，其特征在于，所述在襯底基板的上方形成有源層圖形包括: 在襯底基板的上方形成非晶硅層； 對所述非晶硅層進行激光退火處理，形成多晶硅層； 對所述多晶硅層進行構圖工藝，形成所述有源層圖形。
10.一種顯示基板，其特征在于，所述顯示基板采用上述權利要求1至9任一所述的顯示基板的制造方法制成。
【文檔編號】H01L21/77GK103996656SQ201410183483
【公開日】2014年8月20日 申請日期:2014年4月30日 優(yōu)先權日:2014年4月30日
【發(fā)明者】張家祥, 姜曉輝 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方光電科技有限公司