一種增強(qiáng)型高效率聚光太陽(yáng)能電池芯片的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種增強(qiáng)型高效率聚光太陽(yáng)能電池芯片，屬太陽(yáng)能發(fā)電【技術(shù)領(lǐng)域】。包包括負(fù)電極段層，聚光太陽(yáng)能電池基材層，正電極層和有效面積，所述聚光太陽(yáng)能電池基材層一面覆上正電極層，另一面覆上負(fù)電極段層，負(fù)電段極為一“口”字形形狀，負(fù)電極段之內(nèi)的部分為有效面積。本發(fā)明的電池芯片在超過1000倍的聚光倍數(shù)和很強(qiáng)的光線地域條件下，能保證大電流很順暢地通過正電極和負(fù)電極引導(dǎo)出來，而不損壞電池片；從菲涅爾透鏡匯聚過來的焦斑會(huì)在一定時(shí)間段內(nèi)都完全重合地匯聚在聚光太陽(yáng)能電池片的有效面積上；設(shè)定一個(gè)時(shí)間段太陽(yáng)能跟蹤器的電機(jī)工作一次，這樣就極大地減少了給電機(jī)的供電功率，從而更加的節(jié)能；該電池芯片“口”字形形狀負(fù)電極能迅速地將電流導(dǎo)出，減小電流對(duì)其他電池材料中離子的碰撞，同時(shí)該負(fù)電極段的形狀和設(shè)計(jì)有效增大了電池的受光面積，能將電池芯片的轉(zhuǎn)換效率整體提高。
【專利說明】一種增強(qiáng)型高效率聚光太陽(yáng)能電池芯片
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種光伏發(fā)電部件，具體涉及一種增強(qiáng)型高效率聚光太陽(yáng)能電池芯片，屬太陽(yáng)能發(fā)電【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]通常，高倍聚光光伏光電轉(zhuǎn)換接收器所尋求的主要益處是在聚光太陽(yáng)能電池芯片的有效面積上得到從菲涅爾透鏡匯聚的高密度太陽(yáng)輻射光。透鏡的倍數(shù)越高，得到太陽(yáng)輻射光的密度越高，相同面積上使用的聚光太陽(yáng)能電池芯片越少，單位面積上的發(fā)電成本就越低。
[0003]目前通常從菲涅爾透鏡匯聚過來的焦斑都為正方形，該焦斑的形狀和大小也通常和聚光太陽(yáng)能電池片的形狀和大小一致，從而使菲涅爾透鏡匯聚過來的焦斑完全匯聚到聚光太陽(yáng)能電池片上。但是在實(shí)際應(yīng)用中，太陽(yáng)是隨時(shí)在移動(dòng)的，這樣就會(huì)造成一個(gè)時(shí)間段后從菲涅爾透鏡匯聚過來的焦斑不會(huì)完全和聚光太陽(yáng)能電池片的有效面積重合，從而導(dǎo)致轉(zhuǎn)換效率的降低；同時(shí)如果聚光太陽(yáng)能電池片時(shí)時(shí)刻刻都跟隨太陽(yáng)移動(dòng)的話，就必然會(huì)讓跟蹤器時(shí)時(shí)刻刻都跟隨太陽(yáng)移動(dòng)，這樣就會(huì)用很多電來驅(qū)動(dòng)跟蹤器的電機(jī)工作；另外，由于負(fù)電極上的電流是通過電池材料中的離子通過碰撞而產(chǎn)生的，離子離負(fù)電極越遠(yuǎn)，電流到達(dá)負(fù)電極的損 耗就越大，從而降低光電轉(zhuǎn)換效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是提供一種增強(qiáng)型高效率聚光太陽(yáng)能電池芯片，該電池片在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。
[0005]為了實(shí)現(xiàn)上述技術(shù)目的，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是:一種增強(qiáng)型高效率聚光太陽(yáng)能電池芯片，其特征是，它包括負(fù)電極段層，聚光太陽(yáng)能電池基材層，正電極層和有效面積，所述聚光太陽(yáng)能電池基材層一面覆上正電極層，另一面覆上負(fù)電極段層，負(fù)電段極為一“ 口 ”字形形狀，負(fù)電極段之內(nèi)的部分為有效面積。
[0006]所述聚光太陽(yáng)能電池基材層為GalnP/GaAs/Ge三層結(jié)合體。
[0007]所述正電極層面積形狀和聚光太陽(yáng)能電池基材層面積形狀完全一樣。
[0008]所述負(fù)電極段層為“ 口 ”字形形狀的電極層，其中相對(duì)兩面為負(fù)電極段，另外相對(duì)兩面為“一”字形負(fù)電極段，并放置在聚光太陽(yáng)能電池基材層的四個(gè)端面。
[0009]所述其中兩個(gè)相對(duì)負(fù)電極段層的寬度為0.5~2mm，厚度為0.2~1mm，另外兩個(gè)相對(duì)負(fù)電極段的寬度為0.1~Imm,厚度為0.2~1mm。
[0010]所述有效面積為一長(zhǎng)方形形狀，長(zhǎng)和寬之差在0.0f Imm之間。
[0011]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是:1.寬度為0.5^1.5_和厚度為0.2^1mm的負(fù)電極段能夠承受超過10-50安培的額定電流；2。從菲涅爾透鏡匯聚過來的焦斑會(huì)在一定時(shí)間段內(nèi)都完全重合地匯聚在聚光太陽(yáng)能電池片的有效面積上；3.設(shè)定一個(gè)時(shí)間段太陽(yáng)能跟蹤器的電機(jī)工作一次，這樣就極大地減少了給電機(jī)的供電功率，從而更加的節(jié)能；4.該電池芯片“口”字形形狀負(fù)電極段能迅速地將電流導(dǎo)出，減小電流對(duì)其他電池材料中離子的碰撞，同時(shí)該負(fù)電極段的形狀和設(shè)計(jì)有效增大了電池的受光面積，能將電池芯片的轉(zhuǎn)換效率整體提聞。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0012]圖1為一種增強(qiáng)型高效率聚光太陽(yáng)能電池芯片主視圖。
[0013]圖2為一種增強(qiáng)型高效率聚光太陽(yáng)能電池芯片側(cè)視圖。
[0014]圖3為一種增強(qiáng)型高效率聚光太陽(yáng)能電池芯片有效面積和負(fù)電極段示意圖。
[0015]其中:1、負(fù)電極段層，2、聚光太陽(yáng)能電池基材層，3、正電極層，4、有效面積，A、有效面積的長(zhǎng)，B有效面積的寬，L為其中兩相對(duì)負(fù)電極段的寬，W為另外兩相對(duì)負(fù)電極段的寬。
【具體實(shí)施方式】
[0016]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的說明。
[0017]一種增強(qiáng)型高效率聚光太陽(yáng)能電池芯片，如圖1~3所示，聚光太陽(yáng)能電池基材層2—面覆上正電極層3，另一面覆上負(fù)電極段層1，負(fù)電極段之內(nèi)的部分為有效面積4，其中有效面積4的長(zhǎng)為 A,有效面積4的寬為B,長(zhǎng)和寬之差為0.0f Imm之間，負(fù)電極段層I中兩相對(duì)負(fù)電極段的寬為L(zhǎng)，負(fù)電極段層I中另外兩相對(duì)負(fù)電極段的寬為W，寬度較窄的負(fù)電極段將附近的電流迅速地導(dǎo)入寬度較寬的負(fù)電極段上，然后將電池芯片的電流通過寬度較寬的的負(fù)電極段匯入電路回路中。
[0018]聚光太陽(yáng)能電池基材層2通過特殊工藝將正電極3和負(fù)電極段I巧妙地結(jié)合在一起，既能保證大電流很順暢地通過正電極3和負(fù)電極段I引導(dǎo)出來，同時(shí)也能保證各電極和連接線能承受10-50安培的額定電流。
[0019]在聚光太陽(yáng)能電池基材層2上加工負(fù)電極段1，負(fù)電極段I的寬度為0.5~2_，厚度為0.2~1mm，便于大電流的順利導(dǎo)通，負(fù)電極段I的寬度為0.f 1mm，厚度為0.2~Imm上的電流直接匯入到寬度較寬的負(fù)電極段上。
[0020]負(fù)電極段層I為“口”字形形狀電極段，可以有效地增大聚光太陽(yáng)能電池片的相對(duì)受光面積，可以迅速地將電流導(dǎo)出，減小電流對(duì)其他電池材料中離子的碰撞概率,從而提高轉(zhuǎn)換效率。
[0021]具體操作如下:首先將聚光太陽(yáng)能電池芯片有效面積的長(zhǎng)邊保持和東西方向一致，當(dāng)太陽(yáng)從東向西運(yùn)動(dòng)一段時(shí)間段時(shí)，能保證從菲涅爾透鏡匯聚過來的太陽(yáng)光焦斑完全匯聚到聚光太陽(yáng)能電池芯片的有效面積上。
[0022]本發(fā)明中，作為變行實(shí)施例，有效面積的長(zhǎng)和寬可以交換過來設(shè)定制作，聚光太陽(yáng)能電池芯片的正、負(fù)電極段也可以交換過來設(shè)定制作，“ 口”字形形狀的負(fù)電極段寬度可以做為一致寬度和厚度的電極，“口”字形負(fù)電極段中相對(duì)的負(fù)電極段個(gè)數(shù)為5~21個(gè)。故本發(fā)明的權(quán)利保護(hù)范圍以權(quán)利要求書限定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種增強(qiáng)型高效率聚光太陽(yáng)能電池芯片，其特征是，它包括負(fù)電極段層，聚光太陽(yáng)能電池基材層，正電極層和有效面積，所述聚光太陽(yáng)能電池基材層一面覆上正電極層，另一面覆上負(fù)電極段層，負(fù)電段極為一 “ 口 ”字形形狀，負(fù)電極段之內(nèi)的部分為有效面積。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強(qiáng)型聚光太陽(yáng)能電池芯片，其特征是，所述聚光太陽(yáng)能電池基材層為GalnP/GaAs/Ge三層結(jié)合體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強(qiáng)型聚光太陽(yáng)能電池芯片，其特征是，所述正電極層面積形狀和聚光太陽(yáng)能電池基材層面積形狀完全一樣。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強(qiáng)型聚光太陽(yáng)能電池芯片，其特征是，所述負(fù)電極段層為“口”字形形狀的電極層，其中相對(duì)兩面為負(fù)電極段，另外相對(duì)兩面為“一”字形負(fù)電極，并放置在聚光太陽(yáng)能電池基材層的四個(gè)端面。
5.根據(jù)權(quán)利要求1和4所述的一種增強(qiáng)型聚光太陽(yáng)能電池芯片，其特征是，所述其中兩個(gè)相對(duì)負(fù)電極層的寬度為0.5?2mm，厚度為0.2?1mm，另外兩個(gè)相對(duì)負(fù)電極的寬度為0.1?1mm，厚度為0.2?1mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種增強(qiáng)型聚光太陽(yáng)能電池芯片，其特征是，所述有效面積為一長(zhǎng)方形形狀，長(zhǎng)和寬之差在0.0flmm之間。
【文檔編號(hào)】H01L31/0224GK103996722SQ201410258928
【公開日】2014年8月20日 申請(qǐng)日期:2014年6月12日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月12日
【發(fā)明者】王永向 申請(qǐng)人:成都聚合科技有限公司