顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種顯示裝置及其制造方法，在顯示面板的上表面上不需要單獨(dú)的觸摸屏，因而可減小厚度和制造成本。該顯示裝置可包括：形成在包括柵極線和與柵極線交叉的數(shù)據(jù)線的像素區(qū)域中的包括柵極電極、半導(dǎo)體層、源極電極和漏極電極的薄膜晶體管；形成在薄膜晶體管上的第一鈍化膜；形成在第一鈍化膜上的第二鈍化膜，其中存在穿過第一和第二鈍化膜的孔，其至少部分地從第一和第二鈍化膜暴露漏極電極；形成在第二鈍化膜和漏極電極上并至少部分地填充該孔的像素電極，其通過該孔與漏極電極連接；形成在第二鈍化膜上的感測(cè)線；與感測(cè)線連接的公共電極；與數(shù)據(jù)線的一端連接的數(shù)據(jù)焊盤；和由與公共電極相同的材料形成的與數(shù)據(jù)焊盤連接的數(shù)據(jù)焊盤電極。
【專利說明】顯示裝置及其制造方法
[0001]本申請(qǐng)要求2013年9月27日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)N0.10-2013-0115382的優(yōu)先權(quán)，在此援引該專利申請(qǐng)作為參考。
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及一種顯示裝置，尤其涉及一種設(shè)置有用于感測(cè)用戶觸摸的感測(cè)電極的顯示裝置及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0003]諸如液晶顯示裝置、等離子體顯示面板和有機(jī)發(fā)光顯示裝置之類的各種顯示裝置已得到發(fā)展。
[0004]傳統(tǒng)的顯示裝置通常包括鼠標(biāo)和鍵盤作為輸入部件。然而，在諸如導(dǎo)航系統(tǒng)、便攜式終端和家用電器這樣的裝置中通常利用使得用戶通過使用他/她的手指或筆直接輸入信息的觸摸屏。
[0005]下文，將詳細(xì)描述應(yīng)用觸摸屏的液晶顯示裝置。
[0006]圖1是圖解現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置的簡(jiǎn)要剖面圖。
[0007]如圖1中所示，現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置包括液晶面板10和觸摸屏20。
[0008]液晶面板10顯不圖像，并包括下基板12、上基板14以及形成在這些基板12和14之間的液晶層16。
[0009]觸摸屏20形成在液晶面板10的上表面上以便感測(cè)用戶的觸摸，并包括觸摸基板22、形成在觸摸基板22的下表面上的第一感測(cè)電極24、和形成在觸摸基板22的上表面上的第二感測(cè)電極26。
[0010]第一感測(cè)電極24在水平方向上布置在觸摸基板22的下表面上，第二感測(cè)電極26在垂直方向上布置在觸摸基板22的上表面上。因此，如果用戶觸摸預(yù)定位置，第一感測(cè)電極24與第二感測(cè)電極26之間的電容在觸摸位置處變化。結(jié)果，電容發(fā)生變化的位置被感測(cè)，由此可感測(cè)用戶的觸摸位置。
[0011]然而，因?yàn)楝F(xiàn)有技術(shù)的上述液晶顯示裝置具有觸摸屏20分離地形成在液晶面板10的上表面上的結(jié)構(gòu)，所以由于觸摸屏20，顯示裝置的整體厚度增加，且制造成本也增加。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0012]因此，本發(fā)明旨在提供一種基本上克服了由于現(xiàn)有技術(shù)的限制和缺點(diǎn)而導(dǎo)致的一個(gè)或多個(gè)問題的顯示裝置及其制造方法。
[0013]本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供一種顯示裝置及其制造方法，其中用于感測(cè)用戶觸摸的感測(cè)電極內(nèi)置在顯示面板中，由此在顯示面板的上表面上不需要單獨(dú)的觸摸屏。因而，減小了厚度和制造成本。
[0014]在下面的描述中將列出本發(fā)明的附加優(yōu)點(diǎn)和特征，通過閱讀說明書，這些優(yōu)點(diǎn)和特征對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來說將是顯而易見的。通過說明書、權(quán)利要求書以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)。
[0015]為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)，如在此具體化和廣義描述的，根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置包括:形成在包括柵極線和與所述柵極線交叉的數(shù)據(jù)線的像素區(qū)域中的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極電極、半導(dǎo)體層、源極電極和漏極電極；形成在所述薄膜晶體管上的第一鈍化膜；形成在所述第一鈍化膜上的第二鈍化膜，所述第一鈍化膜和第二鈍化膜被構(gòu)造成存在穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔，所述孔至少部分地從所述第一鈍化膜和第二鈍化膜暴露所述源極電極和漏極電極；形成在所述第二鈍化膜上并至少部分地填充穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔的像素電極，所述像素電極通過穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔與所述漏極電極連接；形成在所述第二鈍化膜上的感測(cè)線；與所述感測(cè)線連接的公共電極；與所述數(shù)據(jù)線的一端連接的數(shù)據(jù)焊盤；形成在所述數(shù)據(jù)焊盤上并與所述數(shù)據(jù)焊盤連接的第一連接電極；形成在所述第一連接電極上并與所述第一連接電極連接的第二連接電極；和由與所述公共電極相同的材料形成的數(shù)據(jù)焊盤電極，所述數(shù)據(jù)焊盤電極通過所述第一連接電極和第二連接電極與所述數(shù)據(jù)焊盤連接。
[0016]在另一個(gè)實(shí)施方式中，一種制造顯示裝置的方法包括下述步驟:在上面形成有柵極電極和柵極絕緣膜的基板的表面上依次形成第一半導(dǎo)體層和源極/漏極電極層；同時(shí)圖案化所述半導(dǎo)體層和源極/漏極電極層，以在薄膜晶體管區(qū)域中形成第一圖案并在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中形成第二圖案，所述第一圖案包括所述半導(dǎo)體層的第一部分和所述源極/漏極電極層的第一部分，所述第二圖案包括所述半導(dǎo)體層的第二部分和由所述源極/漏極電極層的第二部分形成的數(shù)據(jù)焊盤；依次形成第一鈍化膜和第二鈍化膜，所述第一鈍化膜和第二鈍化膜被構(gòu)造成存在穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔，所述源極/漏極電極層的至少一部分經(jīng)由所述孔從包括所述第一圖案的薄膜晶體管區(qū)域暴露；在所述第二鈍化膜上依次形成第二材料層和第三材料層；通過使用半色調(diào)掩模的圖案化工藝將所述第二材料層和第三材料層圖案化，形成感測(cè)線圖案、像素電極圖案以及與所述數(shù)據(jù)焊盤連接的連接電極圖案；在所述感測(cè)線圖案、像素電極圖案以及連接電極圖案上形成第三鈍化膜；以及在所述第三鈍化膜上形成與所述感測(cè)線圖案連接的公共電極并形成與所述連接電極圖案連接的數(shù)據(jù)焊盤電極。
[0017]在又一個(gè)實(shí)施方式中，一種顯示裝置包括:形成在包括柵極線和與所述柵極線交叉的數(shù)據(jù)線的像素區(qū)域中的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極電極、半導(dǎo)體層、源極電極和漏極電極；形成在所述薄膜晶體管上的第一鈍化膜；形成在所述第一鈍化膜上的第二鈍化膜，所述第一鈍化膜和第二鈍化膜被構(gòu)造成存在穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔，所述孔至少部分地從所述第一鈍化膜和第二鈍化膜暴露所述漏極電極；形成在所述第二鈍化膜和漏極電極上并至少部分地填充穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔的像素電極，所述像素電極通過穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔與所述漏極電極連接；形成在所述第二鈍化膜上的感測(cè)線；與所述感測(cè)線連接的公共電極；與所述數(shù)據(jù)線的一端連接的數(shù)據(jù)焊盤；和由與所述公共電極相同的材料形成的數(shù)據(jù)焊盤電極，所述數(shù)據(jù)焊盤電極與所述數(shù)據(jù)焊盤連接。
[0018]應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明前面的大體性描述和下面的詳細(xì)描述都是例示性的和解釋性的，意在對(duì)要求保護(hù)的本發(fā)明提供進(jìn)一步的解釋。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0019]附圖圖解了本發(fā)明的實(shí)施方式并與說明書一起用于說明本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0020]圖1是圖解現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置的簡(jiǎn)要剖面圖；
[0021]圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的基板的簡(jiǎn)要平面圖；
[0022]圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的下基板的簡(jiǎn)要平面圖；
[0023]圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的剖面圖；
[0024]圖5A到51是圖解根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的基板的制造工藝步驟的簡(jiǎn)要剖面圖；
[0025]圖6A到6C是圖解在根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置中出現(xiàn)底切(undercut)的剖面圖；
[0026]圖7是圖解根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的剖面圖；
[0027]圖8A到8J是圖解根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的基板的制造工藝步驟的簡(jiǎn)要剖面圖；
[0028]圖9是圖解在根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置中殘留的有機(jī)絕緣材料的剖面圖；
[0029]圖10是圖解根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的剖面圖；以及
[0030]圖1lA到IlG是圖解根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的基板的制造工藝步驟的簡(jiǎn)要剖面圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031]現(xiàn)在將詳細(xì)描述本發(fā)明的典型實(shí)施方式，附圖中圖解了這些實(shí)施方式的一些例子。盡可能地在整個(gè)附圖中使用相同的參考標(biāo)記表示相同或相似的部件。
[0032]本文使用術(shù)語“在…上”描述一元件與另一元件直接接觸，或者描述一元件位于另一元件上方(在剖面圖中)且在它們之間存在一個(gè)或多個(gè)插入元件。
[0033]本說明書中公開的諸如“第一”和“第二”這樣的術(shù)語不是指相應(yīng)元件的順序，而是意在將相應(yīng)的元件彼此區(qū)分。
[0034]下文，將參照附圖描述本發(fā)明的實(shí)施方式。
[0035]圖2是圖解根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的基板的簡(jiǎn)要平面圖。為了參考，由圖2中的相應(yīng)箭頭顯示的放大圖是為了顯示其中感測(cè)線600和公共電極700彼此電連接的像素區(qū)域。
[0036]如圖2中所示，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置包括基板100、柵極線200、數(shù)據(jù)線300、薄膜晶體管T、像素電極500、感測(cè)線600、公共電極700、驅(qū)動(dòng)集成電路1、面板內(nèi)柵極(gate in panel) 2、以及觸摸驅(qū)動(dòng)器3。面板內(nèi)柵極2包括與面板集成的柵極驅(qū)動(dòng)電路。
[0037]基板100可由玻璃或透明塑料形成。
[0038]柵極線200在第一方向，例如水平方向上布置在基板100上。柵極線200的一端與面板內(nèi)柵極2連接，面板內(nèi)柵極2通過柵極焊盤215與驅(qū)動(dòng)集成電路I連接。因此，從驅(qū)動(dòng)集成電路I施加的柵極信號(hào)通過柵極焊盤215和面板內(nèi)柵極2傳輸給柵極線200。
[0039]數(shù)據(jù)線300在不同于第一方向的第二方向，例如垂直方向上布置在基板100上。這樣，柵極線200和數(shù)據(jù)線300彼此交叉布置，由此限定多個(gè)像素區(qū)域。數(shù)據(jù)線300的一端通過數(shù)據(jù)焊盤315與驅(qū)動(dòng)集成電路I連接。因此，從驅(qū)動(dòng)集成電路I施加的數(shù)據(jù)信號(hào)通過數(shù)據(jù)焊盤315傳輸給數(shù)據(jù)線300。盡管如圖所示數(shù)據(jù)線300以直線布置，但數(shù)據(jù)線300可以以曲線布置，或者以曲線和/或直線的圖案，如Z字形布置。
[0040]薄膜晶體管T為開關(guān)元件，并形成在多個(gè)像素區(qū)域的每一個(gè)中。盡管未詳細(xì)示出，但薄膜晶體管T包括與柵極線200連接的柵極電極、用作電子移動(dòng)的溝道的半導(dǎo)體層、與數(shù)據(jù)線300連接的源極電極、以及被形成為與源極電極相對(duì)的漏極電極。此薄膜晶體管T可以以現(xiàn)有技術(shù)中公知的各種形式，如頂柵極結(jié)構(gòu)、底柵極結(jié)構(gòu)形成。
[0041]像素電極500被圖案化在多個(gè)像素區(qū)域的每一個(gè)中。此像素電極500與薄膜晶體管T的漏極電極連接。
[0042]因?yàn)楦袦y(cè)線600與公共電極700連接，所以感測(cè)線600用于向觸摸驅(qū)動(dòng)器3傳輸由公共電極700感測(cè)的用戶的觸摸信號(hào)。為了傳輸用戶的觸摸信號(hào)，多條感測(cè)線600與多個(gè)公共電極700成對(duì)地連接。換句話說，多條感測(cè)線600的每一條以一對(duì)一的結(jié)構(gòu)與多個(gè)公共電極700的每一個(gè)連接。
[0043]為了防止感測(cè)線600降低光透射率，感測(cè)線600形成在數(shù)據(jù)線300上方。
[0044]在一個(gè)實(shí)施方式中，感測(cè)線600包括朝向薄膜晶體管T區(qū)域延伸的接觸部600a，由此感測(cè)線600可通過接觸部600a與公共電極700連接。薄膜晶體管T區(qū)域是其中不顯示圖像的區(qū)域，該區(qū)域比數(shù)據(jù)線300寬。因此，如果接觸部600a被形成為在薄膜晶體管T區(qū)域與公共電極700連接，則可在不降低光透射率的情況下實(shí)現(xiàn)感測(cè)線600與公共電極700之間更可靠的連接。換句話說，因?yàn)楦袦y(cè)線600和公共電極700通過預(yù)定接觸孔彼此連接，所以為了它們之間的可靠連接，感測(cè)線600的寬度優(yōu)選為預(yù)定范圍或更大范圍內(nèi)的寬度。因此，接觸部600a被形成為具有比數(shù)據(jù)線300的寬度大的寬度，由此感測(cè)線600和公共電極700可彼此更可靠地連接。
[0045]在其他實(shí)施方式中，感測(cè)線600不包括接觸部600a，感測(cè)線600的至少一部分可與公共電極700電連接。
[0046]為了便于描述，在這樣的裝置環(huán)境下來描述下面的實(shí)施方式，其中感測(cè)線600包括接觸部600a并通過接觸部600a與公共電極700電連接。
[0047]公共電極700用作感測(cè)用戶的觸摸位置的感測(cè)電極。此外，在液晶顯示裝置的情形中，公共電極700用于通過與像素電極500 —起形成電場(chǎng)來驅(qū)動(dòng)液晶。也就是說，公共電極700可與像素電極500 —起形成邊緣場(chǎng)。為此，公共電極700設(shè)置有多個(gè)狹縫710。因此，通過狹縫710在像素電極500與公共電極700之間形成邊緣場(chǎng)，可通過邊緣場(chǎng)調(diào)整液晶的排列方向。換句話說，可實(shí)現(xiàn)邊緣場(chǎng)切換模式液晶顯示裝置。
[0048]此外，為了使公共電極700用作用于感測(cè)用戶的觸摸位置的感測(cè)電極，多個(gè)公共電極700在基板100上以預(yù)定距離彼此間隔開。多個(gè)公共電極700的每一個(gè)以對(duì)應(yīng)于一個(gè)或多個(gè)像素區(qū)域的尺寸形成；特別地，考慮到用戶的觸摸面積，以對(duì)應(yīng)于多個(gè)像素區(qū)域的尺寸形成。
[0049]在驅(qū)動(dòng)集成電路I從時(shí)序控制器(未示出)接收柵極控制信號(hào)之后，驅(qū)動(dòng)集成電路I通過柵極焊盤215和面板內(nèi)柵極2向柵極線200施加?xùn)艠O信號(hào)。
[0050]此外，在驅(qū)動(dòng)集成電路I從時(shí)序控制器(未示出)接收數(shù)據(jù)控制信號(hào)之后，驅(qū)動(dòng)集成電路I通過數(shù)據(jù)焊盤315向數(shù)據(jù)線300施加數(shù)據(jù)信號(hào)。
[0051]面板內(nèi)柵極2將從驅(qū)動(dòng)集成電路I傳輸?shù)臇艠O信號(hào)施加給柵極線200，且面板內(nèi)柵極2可與每個(gè)像素的晶體管的制造工藝一起通過面板內(nèi)柵極(GIP)方法(或稱為“板內(nèi)選通方法”)形成在基板100的左側(cè)和/或右側(cè)的非顯示區(qū)域中。在另一個(gè)實(shí)施方式中，面板內(nèi)柵極2可以以載帶封裝(TCP)或膜上芯片(COF)的結(jié)構(gòu)形成，或者可以以面板內(nèi)柵極2封裝在基板100上的玻上芯片(COG)的結(jié)構(gòu)形成。
[0052]因?yàn)橛|摸驅(qū)動(dòng)器3與感測(cè)線600連接，所以觸摸驅(qū)動(dòng)器3從感測(cè)線600接收用戶的觸摸信號(hào)。觸摸驅(qū)動(dòng)器3通過感測(cè)由用戶觸摸導(dǎo)致的電容變化來檢測(cè)是否存在用戶觸摸并檢測(cè)用戶的觸摸位置。
[0053]圖3是圖解根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施方式的液晶顯示裝置的下基板的簡(jiǎn)要平面圖。除了感測(cè)線600之外，圖3的液晶顯示裝置與圖2的顯示裝置相同。因此，在整個(gè)附圖中將使用相同的參考標(biāo)記指代相同的部件，并將省略對(duì)相同部分的重復(fù)描述。
[0054]如圖3中所示，根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施方式，多條感測(cè)線600以一對(duì)一的結(jié)構(gòu)與多個(gè)公共電極700連接。特別地，多條感測(cè)線600以彼此相同的長(zhǎng)度布置在其中顯示圖像的顯示區(qū)域上。
[0055]根據(jù)圖2的前述顯示裝置，感測(cè)線600的一端通過驅(qū)動(dòng)集成電路I延伸至觸摸驅(qū)動(dòng)器3，感測(cè)線600的另一端與接觸部600a連接。也就是說，根據(jù)圖2，感測(cè)線600延伸至與公共電極700連接的接觸部600a，由此與布置在第一行中的公共電極700連接的感測(cè)線600的長(zhǎng)度長(zhǎng)于與布置在第二行中的公共電極700連接的感測(cè)線600的長(zhǎng)度。
[0056]與此相對(duì)照，根據(jù)圖3的顯示裝置，感測(cè)線600的一端通過驅(qū)動(dòng)集成電路I與觸摸驅(qū)動(dòng)器3連接，感測(cè)線600的另一端延伸至布置在第一行中的公共電極700的頂端。因此，在圖3中，與布置在第一行中的公共電極700連接的感測(cè)線600在顯示區(qū)域中形成為具有與布置在第二行中的公共電極700連接的感測(cè)線600的長(zhǎng)度相同的長(zhǎng)度。
[0057]如果如圖3中所示多條感測(cè)線600以彼此相同的長(zhǎng)度形成在顯示區(qū)域中，則感測(cè)線600的圖案均勻性大于如圖2中所示多條感測(cè)線600以彼此不同的長(zhǎng)度形成在顯示區(qū)域中的情形，由此可提高可視性。
[0058]下文，將通過剖面結(jié)構(gòu)更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置。
[0059]第一個(gè)實(shí)施方式
[0060]圖4是圖解根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的剖面圖，圖解了沿圖2的線A-A, B-B和C-C的剖面。圖2的線A-A圖解了薄膜晶體管區(qū)域，圖2的線B-B圖解了柵極焊盤區(qū)域，圖2的線C-C圖解了數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域。
[0061]如圖4中所示，在基板100上形成有柵極電極210和柵極焊盤215。柵極電極210形成在薄膜晶體管區(qū)域中，柵極焊盤215形成在柵極焊盤區(qū)域中。柵極電極210可從前述柵極線200延伸，柵極焊盤215通過面板內(nèi)柵極2與柵極線200的一端連接。
[0062]在柵極電極210和柵極焊盤215上形成有柵極絕緣膜220。柵極絕緣膜220形成在基板的除了第三接觸孔CH3區(qū)域之外的整個(gè)表面上。
[0063]在柵極絕緣膜220上圖案化有半導(dǎo)體層230和數(shù)據(jù)焊盤315。半導(dǎo)體層230形成在薄膜晶體管區(qū)域中，并可由基于硅的半導(dǎo)體材料或氧化物半導(dǎo)體材料形成。數(shù)據(jù)焊盤315形成在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中，并與前述數(shù)據(jù)線300的一端連接。
[0064]在半導(dǎo)體層230上圖案化有源極電極310和漏極電極320。源極電極310和漏極電極320形成在薄膜晶體管區(qū)域中。源極電極310與數(shù)據(jù)線300連接，漏極電極320在與源極電極310相對(duì)的同時(shí)與源極電極310間隔開。
[0065]在數(shù)據(jù)線300、源極電極310和漏極電極320上形成有第一鈍化膜410。第一鈍化膜410形成在除了薄膜晶體管區(qū)域中的第一接觸孔CHl區(qū)域之外的區(qū)域，且不形成在其中形成有柵極焊盤215的柵極焊盤區(qū)域和其中形成有數(shù)據(jù)焊盤315的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中。第一鈍化膜410可由諸如硅氮化物或硅氧化物這樣的無機(jī)絕緣材料形成。
[0066]在第一鈍化膜410上形成有第二鈍化膜420。第二鈍化膜420形成在薄膜晶體管區(qū)域中。可從柵極焊盤區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域省略(即，不形成)第二鈍化膜420。第二鈍化膜420可由諸如丙烯酸樹脂這樣的包括光學(xué)活性化合物(PAC)的有機(jī)絕緣材料形成。第二鈍化膜420可以以比第一鈍化膜410厚的厚度形成，并可用于使基板平坦化。
[0067]第一鈍化膜410和第二鈍化膜420被構(gòu)造成:存在穿過第一鈍化膜410和第二鈍化膜420的第一接觸孔CHl，第一接觸孔CHl從第一鈍化膜410和第二鈍化膜420至少部分地暴露漏極電極。
[0068]在第二鈍化膜420上圖案化有像素電極500，像素電極500至少部分填充穿過第一鈍化膜410和第二鈍化膜420的第一接觸孔CH1。像素電極500形成在薄膜晶體管區(qū)域中。像素電極500通過第一接觸孔CHl與漏極電極320連接。第一接觸孔CHl由分別形成在第一鈍化膜410和第二鈍化膜420中的孔的組合形成。
[0069]在像素電極500上形成有第三鈍化膜430。第三鈍化膜430形成在基板的除了用于第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4的區(qū)域之外的整個(gè)表面上。第三鈍化膜430可由諸如硅氮化物或硅氧化物這樣的無機(jī)絕緣材料形成。
[0070]在第三鈍化膜430上圖案化有設(shè)置有接觸部600a的感測(cè)線600。感測(cè)線600形成在薄膜晶體管區(qū)域中。
[0071]在感測(cè)線600上形成有第四鈍化膜440。第四鈍化膜440形成在基板的除了用于第二接觸孔CH2、第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4的區(qū)域之外的整個(gè)表面上。第四鈍化膜440可由諸如硅氮化物或硅氧化物這樣的無機(jī)絕緣材料形成。
[0072]在第四鈍化膜440上圖案化有公共電極700、柵極焊盤電極750和數(shù)據(jù)焊盤電極760。公共電極700形成在薄膜晶體管區(qū)域中，柵極焊盤電極750形成在柵極焊盤區(qū)域中，數(shù)據(jù)焊盤電極760形成在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中。
[0073]公共電極700、柵極焊盤電極750和數(shù)據(jù)焊盤電極760通過一道工藝使用一種材料形成在一層上。
[0074]公共電極700被圖案化成其中設(shè)置有多個(gè)狹縫710。公共電極700通過設(shè)置在第四鈍化膜440中的第二接觸孔CH2與感測(cè)線600的接觸部600a連接。
[0075]柵極焊盤電極750通過由分別形成在柵極絕緣膜220、第三鈍化膜430和第四鈍化膜440中的孔的組合形成的第三接觸孔CH3與柵極焊盤215連接。
[0076]數(shù)據(jù)焊盤電極760通過由分別形成在第三鈍化膜430和第四鈍化膜440中的孔的組合形成的第四接觸孔CH4與數(shù)據(jù)焊盤315連接。
[0077]圖5A到51是圖解根據(jù)本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的基板的制造工藝步驟的簡(jiǎn)要剖面圖，其涉及制造圖4中所示的顯示裝置的基板的工藝。
[0078]如圖5A中所示，在基板100上圖案化柵極電極210和柵極焊盤215。柵極電極210形成在薄膜晶體管區(qū)域中，柵極焊盤215形成在柵極焊盤區(qū)域中。
[0079]可在通過濺射方法在基板100上沉積薄膜層之后，通過諸如光刻膠沉積、曝光、顯影、蝕刻和剝離這樣的一系列掩模工藝來圖案化柵極電極210和柵極焊盤215。還可通過薄膜層的沉積和這一系列掩模工藝執(zhí)行后文將描述的用于形成元件的圖案的工藝。
[0080]接著，如圖5B中所示，在柵極電極210和柵極焊盤215上形成柵極絕緣膜220，并在柵極絕緣膜220上圖案化半導(dǎo)體層230。通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法在基板的整個(gè)表面上形成柵極絕緣膜220，半導(dǎo)體層230形成在薄膜晶體管區(qū)域中。
[0081]接著，如圖5C中所示，在半導(dǎo)體層230上圖案化與數(shù)據(jù)線300連接的源極電極310和漏極電極320，并在柵極絕緣膜220上圖案化數(shù)據(jù)焊盤315。
[0082]源極電極310和漏極電極320形成在薄膜晶體管區(qū)域中，數(shù)據(jù)焊盤315形成在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中。
[0083]接著，如圖中所示，在數(shù)據(jù)線300、數(shù)據(jù)焊盤315、源極電極310和漏極電極320上形成第一鈍化膜410。在第一鈍化膜410上圖案化第二鈍化膜420。
[0084]通過PECVD方法在基板的整個(gè)表面上形成第一鈍化膜410。
[0085]第二鈍化膜420形成在薄膜晶體管區(qū)域中。更詳細(xì)地說，在基板的整個(gè)表面上沉積包括光學(xué)活性化合物(PAC)的有機(jī)絕緣材料之后，通過曝光和顯影工藝圖案化第二鈍化膜420。第二鈍化膜420被圖案化為具有用于組成第一接觸孔CHl的孔。
[0086]接著，如圖5E中所示，為了將漏極電極320暴露到外部，蝕刻與第一接觸孔CHl對(duì)應(yīng)的第一鈍化膜410區(qū)域,從而完成第一接觸孔CHl。在此,第一鈍化膜410區(qū)域?qū)?yīng)于在第一鈍化膜410上的由設(shè)置于第二鈍化膜420中的孔暴露的區(qū)域。漏極電極320通過第一接觸孔CHl暴露到外部。還在柵極焊盤區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中蝕刻第一鈍化膜410。
[0087]接著，如圖5F中所示，在第二鈍化膜420上圖案化像素電極500。像素電極500被圖案化在薄膜晶體管區(qū)域中，從而通過第一接觸孔CHl與漏極電極320連接。
[0088]接著，如圖5G中所示，在像素電極500上形成第三鈍化膜430，并在第三鈍化膜430上圖案化設(shè)置有接觸部600a的感測(cè)線600。
[0089]通過PECVD方法在基板的整個(gè)表面上形成第三鈍化膜430，感測(cè)線600被圖案化在薄膜晶體管區(qū)域中。
[0090]接著，如圖5H中所示，在感測(cè)線600上形成第四鈍化膜440之后，形成第二接觸孔CH2、第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4。
[0091]通過PECVD方法在基板的整個(gè)表面上形成第四鈍化膜440。
[0092]通過蝕刻第四鈍化膜440的預(yù)定區(qū)域形成第二接觸孔CH2，感測(cè)線600的接觸部600a通過第二接觸孔CH2暴露到外部。
[0093]通過蝕刻?hào)艠O絕緣膜220、第三鈍化膜430和第四鈍化膜440的預(yù)定區(qū)域形成第三接觸孔CH3。柵極焊盤215通過第三接觸孔CH3暴露到外部。
[0094]通過蝕刻第三鈍化膜430和第四鈍化膜440的預(yù)定區(qū)域形成第四接觸孔CH4。數(shù)據(jù)焊盤315通過第四接觸孔CH4暴露到外部。
[0095]接著，如圖51中所示，在第四鈍化膜440上圖案化公共電極700、柵極焊盤電極750和數(shù)據(jù)焊盤電極760。
[0096]公共電極700被圖案化在薄膜晶體管區(qū)域中，從而在其中設(shè)置有多個(gè)狹縫710。特別地，公共電極700被圖案化為通過第二接觸孔CH2與感測(cè)線600的接觸部600a連接。
[0097]柵極焊盤電極750被圖案化在柵極焊盤區(qū)域中，從而通過第三接觸孔CH3與柵極焊盤215連接。
[0098]數(shù)據(jù)焊盤電極760被圖案化在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中，從而通過第四接觸孔CH4與數(shù)據(jù)焊盤315連接。
[0099]根據(jù)圖5A到圖51的前述方法，當(dāng)在圖5E的工藝過程中蝕刻第一鈍化膜410以便將漏極電極320暴露到外部時(shí)，由于數(shù)據(jù)焊盤315的暴露，數(shù)據(jù)焊盤315的形態(tài)結(jié)構(gòu)可能劣化，如圖6A中所示。由于此原因，如圖6B中所示，當(dāng)根據(jù)圖5H的工藝通過蝕刻第三鈍化膜430和第四鈍化膜440的預(yù)定區(qū)域形成第四接觸孔CH4時(shí)，由于氣體回流而可能產(chǎn)生底切(under cut)。如圖6C中所示，由于這種底切,可產(chǎn)生下述問題，即當(dāng)通過圖51的工藝形成數(shù)據(jù)焊盤電極760時(shí)，數(shù)據(jù)焊盤電極760可能開裂。
[0100]下文，將描述更優(yōu)選的可防止產(chǎn)生底切的顯示裝置及其制造方法。
[0101]第二個(gè)實(shí)施方式
[0102]圖7是圖解根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的剖面圖，圖解了沿圖2的線A-A, B-B和C-C的剖面。圖2的線A-A圖解了薄膜晶體管區(qū)域，圖2的線B-B圖解了柵極焊盤區(qū)域，圖2的線C-C圖解了數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域。
[0103]如圖7中所示，在基板100上圖案化有柵極電極210和柵極焊盤215。柵極電極210形成在薄膜晶體管區(qū)域中，柵極焊盤215形成在柵極焊盤區(qū)域中。柵極電極210可從前述柵極線200延伸，柵極焊盤215通過面板內(nèi)柵極2與柵極線200的一端連接。
[0104]在柵極電極210和柵極焊盤215上形成有柵極絕緣膜220。柵極絕緣膜220形成在基板的除了第三接觸孔CH3區(qū)域之外的整個(gè)表面上。
[0105]在柵極絕緣膜220上圖案化有半導(dǎo)體層230和數(shù)據(jù)焊盤315。半導(dǎo)體層230形成在薄膜晶體管區(qū)域中，并可由基于硅的半導(dǎo)體材料或氧化物半導(dǎo)體材料形成。數(shù)據(jù)焊盤315形成在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中，并與前述數(shù)據(jù)線300的一端連接。
[0106]在半導(dǎo)體層230上圖案化有源極電極310和漏極電極320。源極電極310和漏極電極320形成在薄膜晶體管區(qū)域中。源極電極310與數(shù)據(jù)線300連接，漏極電極320在與源極電極310相對(duì)的同時(shí)與源極電極310間隔開。
[0107]在數(shù)據(jù)線300、數(shù)據(jù)焊盤315、源極電極310和漏極電極320上形成有第一鈍化膜410。也就是說，在第一個(gè)實(shí)施方式中，第一鈍化膜410形成在除了薄膜晶體管區(qū)域中的第一接觸孔CHl之外的區(qū)域且不形成在柵極焊盤區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中。然而，在第二個(gè)實(shí)施方式中，第一鈍化膜410形成在基板的除了用于第一接觸孔CH1、第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4的區(qū)域之外的整個(gè)表面上。第一鈍化膜410可由諸如硅氮化物或硅氧化物這樣的無機(jī)絕緣材料形成。
[0108]在第一鈍化膜410上形成有第二鈍化膜420。第二鈍化膜420形成在薄膜晶體管區(qū)域中。第二鈍化膜420可不形成在柵極焊盤區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中。第二鈍化膜420可由諸如丙烯酸樹脂這樣的包括光學(xué)活性化合物(PAC)的有機(jī)絕緣材料形成。第二鈍化膜420可以以比第一鈍化膜410厚的厚度形成，并可用于使基板平坦化。
[0109]在第二鈍化膜420上圖案化有像素電極500。像素電極500形成在薄膜晶體管區(qū)域中。像素電極500通過第一接觸孔CHl與漏極電極320連接。第一接觸孔CHl由分別形成在第一鈍化膜410和第二鈍化膜420中的孔的組合形成。
[0110]在像素電極500上形成有第三鈍化膜430。第三鈍化膜430形成在基板的除了用于第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4的區(qū)域之外的整個(gè)表面上。第三鈍化膜430可由諸如硅氮化物或硅氧化物這樣的無機(jī)絕緣材料形成。
[0111]在第三鈍化膜430上圖案化有設(shè)置有接觸部600a的感測(cè)線600。感測(cè)線600形成在薄膜晶體管區(qū)域中。
[0112]在感測(cè)線600上形成有第四鈍化膜440。第四鈍化膜440形成在基板的除了用于第二接觸孔CH2、第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4的區(qū)域之外的整個(gè)表面上。第四鈍化膜440可由諸如硅氮化物或硅氧化物這樣的無機(jī)絕緣材料形成。
[0113]在第四鈍化膜440上圖案化有公共電極700、柵極焊盤電極750和數(shù)據(jù)焊盤電極760。公共電極700形成在薄膜晶體管區(qū)域中，柵極焊盤電極750形成在柵極焊盤區(qū)域中，數(shù)據(jù)焊盤電極760形成在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中。
[0114]公共電極700、柵極焊盤電極750和數(shù)據(jù)焊盤電極760通過一道工藝使用一種材料形成在一層上。
[0115]公共電極700被圖案化成在其中設(shè)置有多個(gè)狹縫710。公共電極700通過設(shè)置在第四鈍化膜440中的第二接觸孔CH2與感測(cè)線600的接觸部600a連接。
[0116]柵極焊盤電極750通過由分別形成在柵極絕緣膜220、第一鈍化膜410、第三鈍化膜430和第四鈍化膜440中的孔的組合形成的第三接觸孔CH3與柵極焊盤215連接。
[0117]數(shù)據(jù)焊盤電極760通過由分別形成在第一鈍化膜410、第三鈍化膜430和第四鈍化膜440中的孔的組合形成的第四接觸孔CH4與數(shù)據(jù)焊盤315連接。
[0118]圖8A到8J是圖解根據(jù)本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的基板的制造工藝步驟的簡(jiǎn)要剖面圖，其涉及制造圖7中所示的顯示裝置的基板的工藝。
[0119]首先，如圖8A中所示，在基板100上圖案化柵極電極210和柵極焊盤215。柵極電極210形成在薄膜晶體管區(qū)域中，柵極焊盤215形成在柵極焊盤區(qū)域中。
[0120]可在通過濺射方法在基板100上沉積薄膜層之后，通過諸如光刻膠沉積、曝光、顯影、蝕刻和剝離這樣的一系列掩模工藝圖案化柵極電極210和柵極焊盤215。還可通過薄膜層的沉積和這一系列掩模工藝執(zhí)行后文將描述的用于形成元件的圖案的工藝。
[0121]接著，如圖SB中所示，在柵極電極210和柵極焊盤215上形成柵極絕緣膜220，并在柵極絕緣膜220上圖案化半導(dǎo)體層230。通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法在基板的整個(gè)表面上形成柵極絕緣膜220，半導(dǎo)體層230形成在薄膜晶體管區(qū)域中。
[0122]接著，如圖8C中所示，在半導(dǎo)體層230上圖案化與數(shù)據(jù)線300連接的源極電極310和漏極電極320，并在柵極絕緣膜220上圖案化數(shù)據(jù)焊盤315。
[0123]源極電極310和漏極電極320形成在薄膜晶體管區(qū)域中，數(shù)據(jù)焊盤315形成在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中。
[0124]接著，如圖8D中所示，在數(shù)據(jù)線300、數(shù)據(jù)焊盤315、源極電極310和漏極電極320上形成第一鈍化膜410。在第一鈍化膜410上圖案化第二鈍化膜420。
[0125]通過PECVD方法在基板的整個(gè)表面上形成第一鈍化膜410。
[0126]第二鈍化膜420形成在薄膜晶體管區(qū)域中。更詳細(xì)地說，在基板的整個(gè)表面上沉積包括光學(xué)活性化合物(PAC)的有機(jī)絕緣材料之后，通過曝光和顯影工藝圖案化第二鈍化膜420。第二鈍化膜420被圖案化為具有用于組成第一接觸孔CHl的孔。
[0127]接著，如圖SE中所示，在柵極焊盤區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中的第一鈍化膜410上圖案化蝕刻阻止層800。蝕刻阻止層800是為了在后續(xù)工藝(圖8F的工藝)過程中蝕刻第一鈍化膜410以形成第一接觸孔CHl時(shí)防止數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域被蝕刻。在基板的整個(gè)表面上沉積包括光學(xué)活性化合物(PAC)的有機(jī)絕緣材料之后，通過曝光和顯影工藝圖案化蝕刻阻止層800。
[0128]接著，如圖8F中所示，蝕刻與第一接觸孔CHl區(qū)域?qū)?yīng)的第一鈍化膜410區(qū)域，即蝕刻由設(shè)置于第二鈍化膜420中的孔暴露的第一鈍化膜410區(qū)域，由此完成第一接觸孔CHl，并去除蝕刻阻止層800。
[0129]漏極電極320通過第一接觸孔CHl暴露到外部。
[0130]接著，如圖8G中所示，在第二鈍化膜420上圖案化像素電極500。像素電極500被圖案化在薄膜晶體管區(qū)域中，從而通過第一接觸孔CHl與漏極電極320連接。
[0131]接著，如圖8H中所示，在像素電極500上形成第三鈍化膜430，并在第三鈍化膜430上圖案化設(shè)置有接觸部600a的感測(cè)線600。
[0132]通過PECVD方法在基板的整個(gè)表面上形成第三鈍化膜430，感測(cè)線600被圖案化在薄膜晶體管區(qū)域中。
[0133]接著，如圖81中所示，在感測(cè)線600上形成第四鈍化膜440之后，形成第二接觸孔CH2、第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4。
[0134]通過PECVD方法在基板的整個(gè)表面上形成第四鈍化膜440。
[0135]通過蝕刻第四鈍化膜440的預(yù)定區(qū)域形成第二接觸孔CH2，感測(cè)線600的接觸部600a通過第二接觸孔CH2暴露到外部。
[0136]通過蝕刻?hào)艠O絕緣膜220、第一鈍化膜410、第三鈍化膜430和第四鈍化膜440的預(yù)定區(qū)域形成第三接觸孔CH3。柵極焊盤215通過第三接觸孔CH3暴露到外部。
[0137]通過蝕刻第一鈍化膜410、第三鈍化膜430和第四鈍化膜440的預(yù)定區(qū)域形成第四接觸孔CH4。數(shù)據(jù)焊盤315通過第四接觸孔CH4暴露到外部。
[0138]接著，如圖8J中所示，在第四鈍化膜440上圖案化公共電極700、柵極焊盤電極750和數(shù)據(jù)焊盤電極760。
[0139]公共電極700被圖案化在薄膜晶體管區(qū)域中，從而在其中設(shè)置有多個(gè)狹縫710。特別地，公共電極700被圖案化為通過第二接觸孔CH2與感測(cè)線600的接觸部600a連接。
[0140]柵極焊盤電極750被圖案化在柵極焊盤區(qū)域中，從而通過第三接觸孔CH3與柵極焊盤215連接。
[0141]數(shù)據(jù)焊盤電極760被圖案化在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中，從而通過第四接觸孔CH4與數(shù)據(jù)焊盤315連接。
[0142]根據(jù)圖8A到圖8J的前述方法，因?yàn)閳D案化蝕刻阻止層800以防止在圖SE的工藝過程中柵極焊盤區(qū)域被蝕刻，所以增加了掩模數(shù)量，且組成蝕刻阻止層800的有機(jī)絕緣材料在圖案化蝕刻阻止層800的工藝過程中可能殘留在第一接觸孔CHl區(qū)域中。換句話說，在基板的整個(gè)表面上沉積有機(jī)絕緣材料之后，通過曝光和顯影工藝圖案化蝕刻阻止層800，從而有機(jī)絕緣材料僅殘留在柵極焊盤區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中。此時(shí)，如圖9中所示，有機(jī)絕緣材料900可能會(huì)殘留在第一接觸孔CHl區(qū)域中而沒有被去除。如果有機(jī)絕緣材料殘留在第一接觸孔CHl區(qū)域中，則在圖8F的工藝過程中對(duì)應(yīng)于第一接觸孔CHl區(qū)域的第一鈍化膜410區(qū)域沒有被蝕刻，因而在一定程度上阻止了正確形成第一接觸孔CH1。
[0143]下文，將描述相對(duì)于上述實(shí)施方式來說使用減少數(shù)量的掩模且其中有機(jī)絕緣材料殘留在第一接觸孔CHl區(qū)域的問題被避免的更優(yōu)選的顯示裝置及其制造方法。
[0144]第三個(gè)實(shí)施方式
[0145]圖10是圖解根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的剖面圖，圖解了沿圖2的線A-A, B-B和C-C的剖面。圖2的線A-A圖解了薄膜晶體管區(qū)域，圖2的線B-B圖解了柵極焊盤區(qū)域，圖2的線C-C圖解了數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域。
[0146]如圖10中所示，在基板100上形成有柵極電極210和柵極焊盤215。柵極電極210形成在薄膜晶體管區(qū)域中，柵極焊盤215形成在柵極焊盤區(qū)域中。柵極電極210可從前述柵極線200延伸，柵極焊盤215通過面板內(nèi)柵極2與柵極線200的一端連接。
[0147]在柵極電極210和柵極焊盤215上形成有柵極絕緣膜220。柵極絕緣膜220形成在基板的除了第三接觸孔CH3區(qū)域之外的整個(gè)表面上。
[0148]在柵極絕緣膜220上圖案化有半導(dǎo)體層230。半導(dǎo)體層230形成在薄膜晶體管區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中，并可由基于硅的半導(dǎo)體材料或氧化物半導(dǎo)體材料形成。
[0149]在半導(dǎo)體層230上圖案化有源極電極310、漏極電極320和數(shù)據(jù)焊盤315。源極電極310和漏極電極320形成在薄膜晶體管區(qū)域中的半導(dǎo)體層230上，數(shù)據(jù)焊盤315形成在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中的半導(dǎo)體層230上。此時(shí)，數(shù)據(jù)焊盤315與前述數(shù)據(jù)線300的一端連接。源極電極310與數(shù)據(jù)線300連接，漏極電極320在與源極電極310相對(duì)的同時(shí)與源極電極310間隔開。
[0150]與根據(jù)第一和第二個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置不同，在根據(jù)第三個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的情形中，在按適當(dāng)順序沉積用于形成半導(dǎo)體層230的材料層(未示出)和用于形成源極電極310/漏極電極320的源極/漏極電極層(未示出)之后，因?yàn)橥ㄟ^使用單個(gè)掩模的一道工藝同時(shí)圖案化源極/漏極電極層和材料層，所以除了薄膜晶體管區(qū)域之外，半導(dǎo)體層230甚至還形成在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中的數(shù)據(jù)焊盤315下方。
[0151]此外，在根據(jù)第三個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的情形中，如上所述，因?yàn)樵谟糜谛纬砂雽?dǎo)體層230的材料層上沉積源極/漏極電極層之后使用單個(gè)掩模同時(shí)圖案化源極/漏極電極層和材料層，所以可使半導(dǎo)體層230的尾部(tail)最小化。
[0152]在數(shù)據(jù)線300、源極電極310和漏極電極320上形成有第一鈍化膜410。第一鈍化膜410形成在除了薄膜晶體管區(qū)域中的開口區(qū)域H之外的區(qū)域且不形成在設(shè)置有柵極焊盤215的柵極焊盤區(qū)域和設(shè)置有數(shù)據(jù)焊盤315的數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中。第一鈍化膜410可由諸如硅氮化物或硅氧化物這樣的無機(jī)絕緣材料形成。
[0153]在第一鈍化膜410上形成有第二鈍化膜420。第二鈍化膜420形成在薄膜晶體管區(qū)域中。可在柵極焊盤區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中省略(即，不形成)第二鈍化膜420。第二鈍化膜420可由諸如丙烯酸樹脂這樣的包括光學(xué)活性化合物(PAC)的有機(jī)絕緣材料形成。第二鈍化膜420可以以比第一鈍化膜410厚的厚度形成，并可用于使基板平坦化。
[0154]第一鈍化膜410和第二鈍化膜420被構(gòu)造成:存在穿過第一和第二鈍化膜的孔，該孔從第一鈍化膜410和第二鈍化膜420至少部分地暴露源極電極310和漏極電極320。
[0155]在第二鈍化膜420上圖案化有像素電極500、第一鈍化電極510和第一連接電極520。像素電極500形成在薄膜晶體管區(qū)域中并至少部分填充穿過第一鈍化膜410和第二鈍化膜420的孔。特別地，在根據(jù)第三個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的情形中，在通過開口區(qū)域H暴露的被圖案化的源極/漏極電極層上形成用于形成像素電極500的材料層(未示出)之后，當(dāng)形成薄膜晶體管的溝道時(shí)，部分去除用于形成像素電極500的材料層和源極/漏極電極層。因此，與其中像素電極500通過第一接觸孔CHl與漏極電極320連接的第一和第二個(gè)實(shí)施方式不同，在第三個(gè)實(shí)施方式中，薄膜晶體管的溝道以下述狀態(tài)形成，即在形成溝道之前，用于形成像素電極500的材料層和源極/漏極電極層彼此直接接觸。結(jié)果，第三個(gè)實(shí)施方式具有像素電極500通過穿過第一鈍化膜410和第二鈍化膜420的孔與漏極電極320直接連接的結(jié)構(gòu)。而且，像素電極500與位于柵極電極210的至少一部分上方的漏極電極320的區(qū)域接觸；換句話說，與基板垂直的、穿過漏極電極的所述區(qū)域的平面與柵極電極210的所述部分交叉。根據(jù)此結(jié)構(gòu)，在根據(jù)第三個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置中，比根據(jù)第一和第二個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置更加改善了透射率。
[0156]在源極電極310上方的第二鈍化膜420的區(qū)域上圖案化有第一鈍化電極510，第一鈍化電極510用于在用于形成薄膜晶體管的溝道的蝕刻工藝中防止源極電極310被損壞。
[0157]在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中形成有覆蓋整個(gè)數(shù)據(jù)焊盤315的第一連接電極520。更詳細(xì)地說，第一連接電極520被形成為覆蓋數(shù)據(jù)焊盤315，并延伸至其中數(shù)據(jù)焊盤315未形成在柵極絕緣膜220上的區(qū)域。
[0158]同時(shí)，在形成像素電極500的工藝過程中，輔助電極530保留在對(duì)應(yīng)于第二接觸孔CH2的區(qū)域中，以形成感測(cè)線600，這將在后面描述。
[0159]像素電極500、第一鈍化電極510、第一連接電極520和輔助電極530通過一道工藝使用一種材料形成在一層上。
[0160]在輔助電極530上圖案化有設(shè)置有接觸部600a的感測(cè)線600。在第一鈍化電極510上圖案化有在圖案化感測(cè)線600的工藝過程中與感測(cè)線600 —起形成的第二鈍化電極610，在漏極電極320上方的像素電極500的區(qū)域上圖案化有第三鈍化電極620，在第一連接電極520上圖案化有第二連接電極630。第二連接電極630以與第一連接電極520相同的形狀被圖案化。
[0161 ] 第二鈍化電極610用于與第一鈍化電極510 —起在形成溝道的工藝過程中防止源極電極310被蝕刻，第三鈍化電極620用于在形成溝道的工藝過程中防止像素電極500和漏極電極320被蝕刻。
[0162]第二連接電極630用于與第一連接電極520 —起將數(shù)據(jù)焊盤電極760與數(shù)據(jù)焊盤315連接。
[0163]感測(cè)線600、第二鈍化電極610、第三鈍化電極620和第二連接電極630通過一道工藝使用一種材料形成在一層上。
[0164]在感測(cè)線600、第二鈍化電極610、第三鈍化電極620和第二連接電極630上形成有第四鈍化膜440。也就是說，第四鈍化膜440形成在基板的除了用于第二接觸孔CH2、第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4的區(qū)域之外的整個(gè)表面上。第四鈍化膜440可由諸如硅氮化物或硅氧化物這樣的無機(jī)絕緣材料形成。
[0165]在第四鈍化膜440上圖案化有公共電極700、柵極焊盤電極750和數(shù)據(jù)焊盤電極760。公共電極700形成在薄膜晶體管區(qū)域中，柵極焊盤電極750形成在柵極焊盤區(qū)域中，數(shù)據(jù)焊盤電極760形成在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中。公共電極700至少部分填充穿過第四鈍化膜440的第二接觸孔CH2，從而公共電極700通過第二接觸孔CH2與感測(cè)線600連接。柵極焊盤電極750至少部分填充第三接觸孔CH3，從而柵極焊盤電極750通過第三接觸孔CH3與柵極焊盤215連接。數(shù)據(jù)焊盤電極760至少部分填充第四接觸孔CH4，從而數(shù)據(jù)焊盤電極760通過經(jīng)第四接觸孔CH4暴露的第一連接電極520和第二連接電極630與數(shù)據(jù)焊盤315連接。
[0166]在第三個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置中，第四接觸孔CH4形成在第四鈍化膜440的其中不與數(shù)據(jù)焊盤315交疊而從數(shù)據(jù)焊盤315橫向偏移的區(qū)域中。換句話說，在第三個(gè)實(shí)施方式中，與基板垂直的穿過第四接觸孔CH4的平面不與數(shù)據(jù)焊盤315交叉。因此，在第三個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置中，當(dāng)部分去除第四鈍化膜440以形成第四接觸孔時(shí)，可防止數(shù)據(jù)焊盤315隨第四鈍化膜440 —起被蝕刻，由此可防止在數(shù)據(jù)焊盤315中出現(xiàn)底切。
[0167]公共電極700、柵極焊盤電極750和數(shù)據(jù)焊盤電極760通過一道工藝使用一種材料形成在一層上。
[0168]公共電極700被圖案化成在其中設(shè)置有多個(gè)狹縫710。公共電極700通過設(shè)置在第四鈍化膜440中的第二接觸孔CH2與感測(cè)線600的接觸部600a連接。
[0169]柵極焊盤電極750通過由分別形成在柵極絕緣膜220、第一鈍化膜410、第三鈍化膜430和第四鈍化膜440中的孔的組合形成的第三接觸孔CH3與柵極焊盤215連接。
[0170]數(shù)據(jù)焊盤電極760通過經(jīng)形成在不與數(shù)據(jù)焊盤315交疊而從數(shù)據(jù)焊盤315橫向偏移的區(qū)域中的第四接觸孔CH4暴露的第一連接電極520和第二連接電極630與數(shù)據(jù)焊盤315連接。
[0171]圖1lA到IlJ是圖解根據(jù)本發(fā)明第三個(gè)實(shí)施方式的顯示裝置的基板的制造工藝步驟的簡(jiǎn)要剖面圖，其涉及制造圖10中所示的顯示裝置的基板的工藝。
[0172]如圖1lA中所示，在基板100上圖案化柵極電極210和柵極焊盤215。柵極電極210形成在薄膜晶體管區(qū)域中，柵極焊盤215形成在柵極焊盤區(qū)域中。
[0173]在通過濺射方法在基板100上沉積薄膜層之后，可通過諸如光刻膠沉積、曝光、顯影、蝕刻和剝離這樣的一系列掩模工藝圖案化柵極電極210和柵極焊盤215。還可通過薄膜層的沉積和這一系列掩模工藝執(zhí)行后文將描述的用于形成元件的圖案的工藝。
[0174]接著，如圖1lB中所示，在柵極電極210和柵極焊盤215上形成柵極絕緣膜220，并在柵極絕緣膜220上形成用于形成半導(dǎo)體層230的材料層和用于形成源極和漏極電極的源極/漏極電極層。通過使用單個(gè)掩模的一道工藝圖案化材料層和源極/漏極電極層，由此形成半導(dǎo)體層230和源極/漏極電極層圖案330。在此工藝中，在薄膜晶體管區(qū)域中形成包括半導(dǎo)體層230的第一部分和源極/漏極電極層圖案330的第一部分的第一圖案。在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中形成包括半導(dǎo)體層230的第二部分和由源極/漏極電極層圖案330的第二部分形成的數(shù)據(jù)焊盤315的第二圖案。
[0175]通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法在基板的整個(gè)表面上形成柵極絕緣膜220。
[0176]接著，如圖1lC中所示，在源極/漏極電極層圖案330和數(shù)據(jù)焊盤315上形成第一鈍化膜410，并在第一鈍化膜410上圖案化第二鈍化膜420。
[0177]通過PECVD方法在基板的整個(gè)表面上形成第一鈍化膜410。
[0178]第二鈍化膜420形成在薄膜晶體管區(qū)域中。更詳細(xì)地說，在基板的整個(gè)表面上沉積包括光學(xué)活性化合物(PAC)的有機(jī)絕緣材料之后，通過曝光和顯影工藝圖案化第二鈍化膜420。第二鈍化膜420被圖案化為具有用于部分暴露薄膜晶體管區(qū)域中的第一鈍化膜410的開口區(qū)域H(即，孔)。
[0179]接著，如圖1ID中所示，通過蝕刻去除經(jīng)開口區(qū)域H暴露的第一鈍化膜410以及形成在柵極焊盤區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中的第一鈍化膜410區(qū)域。然后，在基板100的整個(gè)表面上沉積用于形成像素電極500的材料層500a和用于形成感測(cè)線600的材料層600b。結(jié)果，用于形成像素電極500的材料層500a直接形成在源極/漏極電極層圖案330上，由此即使沒有單獨(dú)的接觸孔，像素電極500以與后文將描述的工藝相同的方式與漏極電極320直接接觸。
[0180]接著，如圖1lE中所示，在通過使用半色調(diào)掩模的單個(gè)工藝在除了預(yù)定區(qū)域之外的區(qū)域上圖案化用于形成像素電極500的材料層500a和用于形成感測(cè)線600的材料層600b中的至少之一之后，蝕刻經(jīng)開口區(qū)域H暴露的源極/漏極電極層圖案330的至少一部分，由此形成溝道區(qū)域。通過源極/漏極電極層圖案330的這種蝕刻在半導(dǎo)體層230上形成源極電極310和漏極電極320，由此完成薄膜晶體管。
[0181]在這種情形中，所述預(yù)定區(qū)域是指其中應(yīng)當(dāng)形成感測(cè)線600的區(qū)域和數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域。
[0182]因此，在薄膜晶體管區(qū)域中形成沉積有輔助電極530和感測(cè)線600的圖案、沉積有第一鈍化電極510和第二鈍化電極610的圖案、以及沉積有像素電極500和第三鈍化電極620的圖案，在其中顯示圖像的透射區(qū)域中形成用于像素電極500的圖案，在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中形成沉積有第一連接電極520和第二連接電極630的圖案。
[0183]接著，如圖1lF中所示，在基板100的整個(gè)表面上形成第四鈍化膜440之后，形成第二接觸孔CH2、第三接觸孔CH3和第四接觸孔CH4。
[0184]通過PECVD方法在基板的整個(gè)表面上形成第四鈍化膜440。
[0185]通過蝕刻第四鈍化膜440的預(yù)定區(qū)域形成第二接觸孔CH2，感測(cè)線600的接觸部600a通過第二接觸孔CH2暴露到外部。
[0186]通過蝕刻?hào)艠O絕緣膜220和第四鈍化膜440的預(yù)定區(qū)域形成第三接觸孔CH3，柵極焊盤215通過第三接觸孔CH3暴露到外部。
[0187]通過蝕刻第四鈍化膜440的預(yù)定區(qū)域形成第四接觸孔CH4，第二連接電極630通過第四接觸孔CH4暴露到外部。在一個(gè)實(shí)施方式中，在第四鈍化膜440的其中不與數(shù)據(jù)焊盤315交疊而從數(shù)據(jù)焊盤315橫向偏移的區(qū)域上形成第四接觸孔CH4。結(jié)果，當(dāng)形成第四接觸孔CH4時(shí)可防止數(shù)據(jù)焊盤315被蝕刻，由此可防止出現(xiàn)數(shù)據(jù)焊盤315的底切。
[0188]接著，如圖1lG中所示，在第四鈍化膜440上圖案化公共電極700、柵極焊盤電極750和數(shù)據(jù)焊盤電極760。
[0189]公共電極700被圖案化在薄膜晶體管區(qū)域中，從而在其中設(shè)置有多個(gè)狹縫710。特別地，公共電極700被圖案化為通過第二接觸孔CH2與感測(cè)線600的接觸部600a連接。
[0190]柵極焊盤電極750被圖案化在柵極焊盤區(qū)域中，從而通過第三接觸孔CH3與柵極焊盤215連接。
[0191]數(shù)據(jù)焊盤電極760被圖案化在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中，從而通過與經(jīng)第四接觸孔CH4暴露的第一連接電極520和第二連接電極630的連接而與數(shù)據(jù)焊盤315連接。
[0192]根據(jù)圖1lA到IlG的前述方法，因?yàn)樵谝来纬练e之后通過一道工藝圖案化源極/漏極電極層和用于形成半導(dǎo)體層230的材料層，所以與第一個(gè)實(shí)施方式相比，掩模數(shù)量減少I個(gè)。因?yàn)樵谝来纬练e之后通過一道工藝圖案化用于形成像素電極500的材料層和用于形成感測(cè)線600的材料層，所以與第一個(gè)實(shí)施方式相比，掩模數(shù)量又減少I個(gè)。結(jié)果，可僅使用六個(gè)掩模制造顯示裝置。因此，通過減少制造時(shí)間，可使生產(chǎn)率最大化。
[0193]此外，根據(jù)圖1lA到IlG的方法，因?yàn)榧词共皇褂妙~外的鈍化膜也可解決數(shù)據(jù)焊盤中出現(xiàn)的底切，所以與使用額外鈍化膜來防止出現(xiàn)底切的第二個(gè)實(shí)施方式相比，可減少掩模的數(shù)量，且自然可解決當(dāng)去除額外鈍化膜時(shí)鈍化膜殘留的問題。
[0194]如上所述已描述了組成顯示裝置的基板及其制造方法。本發(fā)明包括可使用前述基板的各種顯示裝置及其制造方法，例如液晶顯示裝置、等離子體顯示面板和有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
[0195]根據(jù)本發(fā)明，可獲得下列優(yōu)點(diǎn)。
[0196]當(dāng)使用公共電極作為用于感測(cè)用戶觸摸的感測(cè)電極時(shí)，與現(xiàn)有技術(shù)不同，在顯示面板上不需要單獨(dú)的觸摸屏，由此厚度減小，簡(jiǎn)化了制造工藝，且降低了制造成本。
[0197]在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在本發(fā)明中可進(jìn)行各種修改和變化，這對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說是顯而易見的。因而，本發(fā)明意在覆蓋落入所附權(quán)利要求書范圍及其等同范圍內(nèi)的對(duì)本發(fā)明的所有修改和變化。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，包括: 形成在包括柵極線和與所述柵極線交叉的數(shù)據(jù)線的像素區(qū)域中的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極電極、半導(dǎo)體層、源極電極和漏極電極； 形成在所述薄膜晶體管上的第一鈍化膜； 形成在所述第一鈍化膜上的第二鈍化膜，所述第一鈍化膜和第二鈍化膜被構(gòu)造成存在穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔； 形成在所述第二鈍化膜上并至少部分地填充穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔的像素電極，所述像素電極通過穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔與所述漏極電極連接； 形成在所述第二鈍化膜上的感測(cè)線； 與所述感測(cè)線連接的公共電極； 與所述數(shù)據(jù)線的一端連接的數(shù)據(jù)焊盤； 形成在所述數(shù)據(jù)焊盤上并與所述數(shù)據(jù)焊盤連接的第一連接電極； 形成在所述第一連接電極上并與所述第一連接電極連接的第二連接電極；和由與所述公共電極相同的材料形成的數(shù)據(jù)焊盤電極，所述數(shù)據(jù)焊盤電極通過所述第一連接電極和第二連接電極與所述數(shù)據(jù)焊盤連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括: 形成在所述感測(cè)線和第二連接電極上的第三鈍化膜，所述第三鈍化膜被構(gòu)造成存在穿過所述第三鈍化膜的第一接觸孔和第二接觸孔，所述第一接觸孔至少部分地被所述公共電極填充，使得所述感測(cè)線通過所述第一接觸孔與所述公共電極連接；所述第二接觸孔至少部分地被所述數(shù)據(jù)焊盤電極填充，使得所述第二連接電極通過所述第二接觸孔與所述數(shù)據(jù)焊盤電極連接，其中所述第二接觸孔形成在所述第三鈍化膜的從所述數(shù)據(jù)焊盤橫向偏移的區(qū)域中。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述像素電極通過穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔與位于所述柵極電極上方的漏極電極的區(qū)域連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第一連接電極由與所述像素電極相同的材料形成，所述第二連接電極由與所述感測(cè)線相同的材料形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述感測(cè)線形成在所述數(shù)據(jù)線上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括由與所述像素電極相同的材料形成的第一鈍化電極，所述第一鈍化電極形成在所述第二鈍化膜和源極電極上。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，還包括與所述感測(cè)線具有相同材料的第二鈍化電極，所述第二鈍化電極形成在所述第一鈍化電極上。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示裝置，還包括與所述感測(cè)線和第二鈍化電極具有相同材料的第三鈍化電極，所述第三鈍化電極形成在所述像素電極上。
9.一種制造顯示裝置的方法，所述方法包括: 在上面形成有柵極電極和柵極絕緣膜的基板的表面上依次形成用于形成半導(dǎo)體層的第一材料層和源極/漏極電極層； 同時(shí)圖案化所述第一材料層和源極/漏極電極層，以在薄膜晶體管區(qū)域中形成第一圖案并在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域中形成第二圖案，所述第一圖案包括所述半導(dǎo)體層的第一部分和所述源極/漏極電極層的第一部分，所述第二圖案包括所述半導(dǎo)體層的第二部分和由所述源極/漏極電極層的第二部分形成的數(shù)據(jù)焊盤； 依次形成第一鈍化膜和第二鈍化膜，所述第一鈍化膜和第二鈍化膜被構(gòu)造成存在穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔，所述源極/漏極電極層的至少一部分經(jīng)由所述孔從包括所述第一圖案的薄膜晶體管區(qū)域暴露； 在所述第二鈍化膜上依次形成第二材料層和第三材料層； 通過使用半色調(diào)掩模的圖案化工藝將所述第二材料層和第三材料層圖案化，形成感測(cè)線圖案、像素電極圖案以及與所述數(shù)據(jù)焊盤連接的連接電極圖案； 在所述感測(cè)線圖案、像素電極圖案以及連接電極圖案上形成第三鈍化膜；以及在所述第三鈍化膜上形成與所述感測(cè)線圖案連接的公共電極并形成與所述連接電極圖案連接的數(shù)據(jù)焊盤電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述第三鈍化膜包括: 將所述第三鈍化膜構(gòu)造成:形成用于連接所述感測(cè)線圖案與所述公共電極的第一接觸孔并形成用于連接所述連接電極圖案與所述數(shù)據(jù)焊盤電極的第二接觸孔，其中所述第二接觸孔形成在所述第三鈍化膜的從所述數(shù)據(jù)焊盤橫向偏移的區(qū)域中。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述感測(cè)線圖案、像素電極圖案以及連接電極圖案包括: 通過部分蝕刻經(jīng)由所述孔暴露的源極/漏極電極層形成源極電極和漏極電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中形成所述感測(cè)線圖案、像素電極圖案以及連接電極圖案包括: 將所述像素電極圖案形成為與位于所述柵極電極上方的漏極電極的區(qū)域連接，所述位于所述柵極電極上方的漏極電極的區(qū)域經(jīng)由所述孔從所述第一鈍化膜和第二鈍化膜暴露。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中形成所述感測(cè)線圖案、像素電極圖案以及連接電極圖案包括: 通過所述第二材料層的圖案化形成第一連接電極，使得所述第一連接電極與所述數(shù)據(jù)焊盤連接； 通過所述第三材料層的圖案化形成第二連接電極，使得所述第二連接電極與所述第一連接電極和數(shù)據(jù)焊盤電極連接； 通過第四材料層的圖案化形成所述感測(cè)線圖案；以及 通過所述第三材料層的圖案化形成所述像素電極圖案。
14.一種顯示裝置，包括: 形成在包括柵極線和與所述柵極線交叉的數(shù)據(jù)線的像素區(qū)域中的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極電極、半導(dǎo)體層、源極電極和漏極電極； 形成在所述薄膜晶體管上的第一鈍化膜； 形成在所述第一鈍化膜上的第二鈍化膜，所述第一鈍化膜和第二鈍化膜被構(gòu)造成存在穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔； 形成在所述第二鈍化膜和漏極電極上并至少部分地填充穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔的像素電極，所述像素電極通過穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔與所述漏極電極連接； 形成在所述第二鈍化膜上的感測(cè)線； 與所述感測(cè)線連接的公共電極； 與所述數(shù)據(jù)線的一端連接的數(shù)據(jù)焊盤；和 由與所述公共電極相同的材料形成的數(shù)據(jù)焊盤電極，所述數(shù)據(jù)焊盤電極與所述數(shù)據(jù)焊盤連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述像素電極通過穿過所述第一鈍化膜和第二鈍化膜的孔與位于所述柵極電極上方的漏極電極的區(qū)域接觸。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，其中所述感測(cè)線形成在所述數(shù)據(jù)線上方。
17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示裝置，還包括由與所述像素電極相同的材料形成的第一鈍化電極，所述第一鈍化電極形成在所述第二鈍化膜和源極電極上。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示裝置，還包括與所述感測(cè)線具有相同材料的第二鈍化電極，所述第二鈍化電極形成在所述第一鈍化電極上。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的顯示裝置，還包括與所述感測(cè)線和第二鈍化電極具有相同材料的第三鈍化電極，所述第三鈍化電極形成在所述像素電極上。
【文檔編號(hào)】H01L27/12GK104516165SQ201410336405
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年7月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月27日
【發(fā)明者】洪玄碩 申請(qǐng)人:樂金顯示有限公司