半導(dǎo)體器件、集成電路及半導(dǎo)體器件的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件、集成電路及半導(dǎo)體器件的制造方法。半導(dǎo)體器件包括在具有第一主表面的半導(dǎo)體襯底中的晶體管。該晶體管包括源區(qū)、漏區(qū)、溝道區(qū)、漂移區(qū)以及鄰近溝道區(qū)的至少兩個(gè)側(cè)的柵電極。溝道區(qū)和漂移區(qū)沿平行于第一主表面的第一方向被布置在源區(qū)和漏區(qū)之間。半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括在柵電極之下并且與柵電極絕緣的導(dǎo)電層。
【專利說明】半導(dǎo)體器件、集成電路及半導(dǎo)體器件的制造方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域，尤其涉及一種半導(dǎo)體器件、集成電路及半導(dǎo)體器件的 制造方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 在汽車行業(yè)和工業(yè)電子中通常被采用的功率晶體管要求低的導(dǎo)通狀態(tài)電阻 (on-state resistance，!?。。)，同時(shí)確保高的電壓阻斷能力。例如，M0S(金屬氧化物半導(dǎo)體， metal oxide semicon化ctor)功率晶體管應(yīng)該能夠根據(jù)應(yīng)用要求阻斷幾十至幾百或數(shù)千 伏（V)的漏極至源極電壓Vd,。在通常的約2V至20V的柵-源電壓時(shí)，M0S功率晶體管通常 地可導(dǎo)通高達(dá)數(shù)百安培（A)的非常大的電流。
[0003] 在橫向功率器件中電流流動(dòng)主要發(fā)生在與半導(dǎo)體襯底的第一主表面平行處，橫向 功率器件對(duì)其中集成了另外的部件（比如開關(guān)、橋和控制電路）的集成電路是有用的。
[0004] 根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，存在有結(jié)合制造垂直功率器件的過程的集成方案，該垂直功率器 件包括具有另外的部件（比如邏輯電路）的溝槽。通常地，場(chǎng)板（field plate)布置在溝槽 的較低部分中，并且柵電極布置在溝槽的較高部分中。在該種垂直功率器件中，電流流通主 要相對(duì)于半導(dǎo)體襯板的第一表面垂直地發(fā)生。
[0005] 亟需發(fā)展可利用已知的集成方案制造的另外的橫向晶體管的構(gòu)思。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 根據(jù)實(shí)施例，半導(dǎo)體器件包括在具有第一主表面的半導(dǎo)體襯底中的晶體管。該晶 體管包括源區(qū)、漏區(qū)、溝道區(qū)、漂移區(qū)W及與溝道區(qū)鄰近的至少兩個(gè)側(cè)的柵電極，溝道區(qū)和 漂移區(qū)沿平行于第一主表面的第一方向被布置在源區(qū)和漏區(qū)之間。半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括 在柵電極之下并且與該柵電極絕緣的導(dǎo)電層。
[0007] 根據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，集成電路包括在具有第一主表面的半導(dǎo)體襯底中的第一晶體 管和第二晶體管。第一晶體管包括第一源區(qū)、第一漏區(qū)、第一溝道區(qū)、第一漂移區(qū)、與第一溝 道區(qū)鄰近的至少兩個(gè)側(cè)的第一柵電極，第一溝道區(qū)和第一漂移區(qū)沿平行于第一主表面的第 一方向被布置在第一源區(qū)和第一漏區(qū)之間。第二晶體管包括第二源區(qū)、第二漏區(qū)、第二溝道 區(qū)、第二漂移區(qū)、第二柵電極和她連第二漂移區(qū)的第二場(chǎng)板。第二溝道區(qū)和第二漂移區(qū)沿第 二方向被布置在第二源區(qū)和第二漏區(qū)之間，該第二方向相對(duì)于第一主表面垂直地延伸。
[0008] 根據(jù)進(jìn)一步的實(shí)施例，制造半導(dǎo)體器件的方法包括在具有第一主表面的半導(dǎo)體襯 底中形成晶體管。形成晶體管的步驟包括形成源區(qū)、形成漏區(qū)、形成溝道區(qū)、形成漂移區(qū)W 及她連溝道區(qū)的至少兩個(gè)側(cè)形成柵電極。溝道區(qū)和漂移區(qū)沿平行于第一主表面的第一方向 被布置在源區(qū)和漏區(qū)之間。形成半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括形成導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層的部分被布 置在柵電極之下并且與該柵電極絕緣。
[0009] 通過閱讀下面的【具體實(shí)施方式】和通過查看附圖，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將能認(rèn)識(shí)其他 的特征和優(yōu)點(diǎn)。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0010] 附圖被包括W提供對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例的進(jìn)一步理解，而且附圖被包括在本說明書 中并構(gòu)成本說明書的一部分?！緦＠綀D】

【附圖說明】了本發(fā)明實(shí)施例，并且和【具體實(shí)施方式】一起用于解 釋原理。通過參考下面的【具體實(shí)施方式】，能更好地理解并將容易領(lǐng)會(huì)本發(fā)明的其他的實(shí)施 例和眾多預(yù)期優(yōu)點(diǎn)。附圖中的元件不一定相對(duì)彼此是按比例的。類似的附圖標(biāo)記表示對(duì)應(yīng) 的類似部分。
[0011] 圖1示出了一種根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的剖視圖，該剖視圖平行于半導(dǎo)體襯底 的第一主表面取得；
[0012] 圖2示出了圖1所說明的半導(dǎo)體器件的剖視圖；
[0013] 圖3A和圖3B示出了圖1所示的半導(dǎo)體器件的另外的剖視圖；
[0014] 圖4A示出了一個(gè)集成電路的剖視圖，該剖視圖沿平行于半導(dǎo)體襯底的第一主表 面的平面取得；
[0015] 圖4B示出了圖4A所示的集成電路的一部分的剖視圖；
[0016] 圖5A至圖甜說明了一種制造半導(dǎo)體器件的方法的剖視圖W及用于描述制造半導(dǎo) 體器件方法的對(duì)應(yīng)的掩模；
[0017] 圖6示出了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖擬及
[0018] 圖7示出了一種依照實(shí)施例制造集成電路的方法的流程圖。

【具體實(shí)施方式】
[0019] 在下面【具體實(shí)施方式】中引用了附圖，其構(gòu)成本發(fā)明的一部分，并且其中通過例 舉本發(fā)明可W實(shí)施的具體實(shí)施例的方式被示出。對(duì)此，方向性術(shù)語(yǔ)例如"頂（top)"、"底 〇3〇ttom)"、"前府ont)"、"后化ack)"、"前向（leading)"、"背向（trailing)"等是用于參 照附圖所描述的方向使用。由于本發(fā)明的實(shí)施例的部件可在多個(gè)不同的方向上設(shè)置，所W 方向性術(shù)語(yǔ)是W例證為目的而絕不是為了限制本發(fā)明。應(yīng)當(dāng)理解的是，不脫離本發(fā)明權(quán)利 要求限定的范圍，可利用本發(fā)明的其他實(shí)施例或者對(duì)本發(fā)明作出結(jié)構(gòu)或邏輯上的修改。
[0020] 實(shí)施例的描述不是為了限定。特別的是，在下文中描述的實(shí)施例的元件可與不同 實(shí)施例的元件相結(jié)合。
[002。 在下面描述中使用的術(shù)語(yǔ)"晶片（wafer)"、"襯底（substrate)"或"半導(dǎo)體襯底 (semicon化ctor substrate)"可包括任何具有半導(dǎo)體表面的基于半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)。晶片和結(jié) 構(gòu)應(yīng)被理解為包括娃、娃晶絕緣體（SOI)、藍(lán)寶石娃片（SOS)、慘雜半導(dǎo)體和未慘雜半導(dǎo)體、 由基底半導(dǎo)體基礎(chǔ)支撐的娃的外延層，W及其他半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體不必是娃基的。半導(dǎo) 體也可W是娃-錯(cuò)、錯(cuò)或者神化嫁。根據(jù)其他實(shí)施例，通常地，碳化娃（SiC)或氮化嫁（GaN) 可形成半導(dǎo)體襯底材料。
[002引如在本說明書中使用的術(shù)語(yǔ)"橫向（lateral)和水平化orizontal)"旨在描述平 行于半導(dǎo)體襯底或者半導(dǎo)體本體的第一表面的方向。該可W是例如晶片或裸片的表面。
[0023] 如在本說明書中使用的術(shù)語(yǔ)"垂直（vertical)"旨在描述被布置為垂直于半導(dǎo)體 襯底或半導(dǎo)體本體的第一表面的方向。
[0024] 如本文所用，術(shù)語(yǔ)"具有 Oiaving)"，"包括（corrtaining、including、comprising)" 等是開放式術(shù)語(yǔ)，表示所陳述的元件或特征的存在，但并不排除其它的要素或特征。冠詞"一 (a或an)"和"該（the)"旨在不僅包括單數(shù)也包括復(fù)數(shù)，除非上下文另有明確說明。
[002引附圖和說明書中說明了緊接慘雜類型"n"或"P"之后的用或"+ "表示的相對(duì) 慘雜濃度。例如，"rT"表示慘雜濃度低于"n"慘雜區(qū)的慘雜濃度，同時(shí)"n+"慘雜區(qū)的慘雜 濃度高于"n"慘雜區(qū)的慘雜濃度。具有相同的相對(duì)慘雜濃度的慘雜區(qū)不一定具有相同的絕 對(duì)慘雜濃度。例如，兩個(gè)不同的"n"慘雜部位可具有相同或者不同的絕對(duì)慘雜濃度。為了 更好的理解，在附圖和說明書中往往慘雜區(qū)被表示為"P"或"n"的慘雜。顯然可W理解的 是該種表示絕不是為了限制。只要能夠?qū)崿F(xiàn)所描述的功能，可W是任意的慘雜類型。另外， 在所有的實(shí)施例中，慘雜類型可W反轉(zhuǎn)。
[0026] 如在本說明書中所用，術(shù)語(yǔ)"禪接（coupled)"和/或"電禪接（electrically coupled)"并不意味著表示該元件必須直接禪接在一起一可W在"禪接"或"電禪接"元 件之間提供中間元件。術(shù)語(yǔ)"電連接（electrically connected)"旨在描述電連接在一起 的元件之間的低電阻電連接。
[0027] 圖1示出了根據(jù)實(shí)施例的半導(dǎo)體器件1的剖視圖。圖1的剖視圖是沿平行于半導(dǎo) 體襯底的第一主表面的平面取得。圖1所示的半導(dǎo)體器件包括源區(qū)201、漏區(qū)205、溝道區(qū) 220和漂移區(qū)260。源區(qū)210、漏區(qū)205和漂移區(qū)260可用第一導(dǎo)電類型的慘雜劑（例如n 型慘雜劑）進(jìn)行慘雜。源區(qū)和漏區(qū)20U205的慘雜濃度可高于漂移區(qū)260的慘雜濃度。溝 道區(qū)220被布置在源區(qū)201和漂移區(qū)260之間。溝道區(qū)220可用第二導(dǎo)電類型的慘雜劑 (例如P型慘雜劑）進(jìn)行慘雜。漂移區(qū)260可被布置在溝道區(qū)220和漏區(qū)205之間。源區(qū) 201、溝道區(qū)220、漂移區(qū)260和漏區(qū)205沿平行于半導(dǎo)體襯底的第一主表面的第一方向被布 置。
[002引當(dāng)向柵電極210施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，在溝道區(qū)220中形成的溝道的導(dǎo)電性由柵極 電壓控制。柵電極210通過絕緣的柵極介電材料211 (比如氧化娃）與溝道區(qū)220絕緣。通 過控制在溝道區(qū)220中形成的溝道的導(dǎo)電性，從源區(qū)201經(jīng)由在溝道區(qū)220中形成的溝道 和漂移區(qū)260流向漏區(qū)205的電流可被控制。根據(jù)實(shí)施例，晶體管可進(jìn)一步包括場(chǎng)板250， 場(chǎng)板250被布置為與漂移區(qū)260鄰近。場(chǎng)板250通過絕緣的場(chǎng)介電層251 (比如氧化娃） 與漂移區(qū)260絕緣。
[0029] 如上所述，當(dāng)晶體管被接通時(shí)，反型層（inversion layer)在溝道區(qū)220和絕緣的 柵極介電材料211之間的界限處形成。因此，經(jīng)由漂移區(qū)260從源區(qū)201到漏區(qū)205,晶體 管為導(dǎo)通狀態(tài)。當(dāng)晶體管被關(guān)閉時(shí)，在溝道區(qū)220和絕緣的柵極介電材料211之間的界限 處沒有導(dǎo)電溝道形成，所W沒有電流流通。此外，在關(guān)閉狀態(tài)下可向場(chǎng)板250施加適當(dāng)?shù)碾?壓。在關(guān)閉狀態(tài)下，場(chǎng)板250耗盡來自漂移區(qū)260的電荷載流子（charge carrier),所W半 導(dǎo)體器件1的擊穿電壓特性被改進(jìn)了。與不具有場(chǎng)板的器件相比較，在包括場(chǎng)板250的半 導(dǎo)體器件1中，漂移區(qū)260的慘雜濃度可增加而不退化擊穿電壓特性。由于漂移區(qū)260的 較高的慘雜濃度，導(dǎo)通電阻RDS。。進(jìn)一步被減少，從而改進(jìn)了器件特性。
[0030] 半導(dǎo)體器件1可進(jìn)一步包括體接觸區(qū)280,體接觸區(qū)280可用第二導(dǎo)電類型進(jìn)行慘 雜。此外，半導(dǎo)體器件1包括圍繞橫向晶體管的陣列的隔離溝槽292。絕緣材料291被布置 在隔離溝槽292的側(cè)壁處。此外，導(dǎo)電填充290被布置在隔離溝槽292之內(nèi)。
[0031] 圖2說明了半導(dǎo)體器件1沿著圖1中標(biāo)為1-1'的直線的剖視圖。圖2的剖視圖 被取得是為了橫穿柵電極210和場(chǎng)板250。半導(dǎo)體器件1被形成于包括基極層15的半導(dǎo)體 襯底10中，基極層15例如是用第一導(dǎo)電類型進(jìn)行慘雜的，例如通過較低慘雜濃度的第一慘 雜類型的區(qū)域疊加而成的n+進(jìn)行慘雜。用第二導(dǎo)電類型的慘雜劑進(jìn)行慘雜的襯底材料的 部分16布置在基極層15之上。對(duì)應(yīng)地，被慘雜的襯底部分和阱（well)被形成，W便提供 包括重慘雜區(qū)201a的源區(qū)201,重慘雜區(qū)201a與源電極202接觸。此外，體接觸區(qū)280包 括與體接觸插塞281接觸的重慘雜區(qū)280a。體接觸部分280把溝道區(qū)220連接至合適的電 位（例如源極電位），W避免在該部分處能夠另外形成的寄生雙極型晶體管。
[0032] 柵電極210被布置在柵極溝槽213中。柵極溝槽213被布置在半導(dǎo)體襯底10的 第一主表面110中直至層16的底側(cè)。此外，場(chǎng)板250被布置在場(chǎng)板溝槽253中，場(chǎng)板溝槽 253可與柵極溝槽213延伸至相同的深度。隔離溝槽292可與柵極溝槽213和場(chǎng)板溝槽253 延伸至相同的深度。填充在隔離溝槽292中的材料290可W是與場(chǎng)板250的材料和布置在 柵電極210之下的半導(dǎo)體襯底10中的材料270相同的材料。
[0033] 導(dǎo)電材料270被布置在柵極溝槽213中。導(dǎo)電材料270的一部分被布置在柵電極 210之下的半導(dǎo)體襯底10中，并且通過絕緣材料211與柵電極210絕緣而且通過絕緣材料 271與周圍的半導(dǎo)體材料絕緣。根據(jù)實(shí)施例，導(dǎo)電層270的部分她連第一主表面110布置。 導(dǎo)電層270通過連接插塞272禪接至合適的電位。從而，可避免另外地能夠在此位置形成 的寄生M0S晶體管。例如，導(dǎo)電層270可禪接至源端273。漏區(qū)205可禪接至漏電極206。
[0034] 圖3A示出了半導(dǎo)體器件沿著圖1中標(biāo)為的直線的另外的剖視圖。圖3A 的剖視圖被取得是為了橫穿溝道區(qū)220和漂移區(qū)260。
[00巧]如圖3A所示，體接觸區(qū)280在第H方向上延伸，該第H方向平行于第一主表面110 并且相對(duì)于第一方向垂直。同樣地，源區(qū)201沿第H方向延伸。源區(qū)201的一部分被布置 在導(dǎo)電層270的部分之間，該導(dǎo)電層270被布置在柵極溝槽213中。溝道區(qū)220被布置在 鄰近的柵電極210的部分之間。溝道區(qū)220包括用第二導(dǎo)電類型慘雜的慘雜襯底部分。漂 移區(qū)260布置在鄰近的場(chǎng)板溝槽253之間。
[0036] 圖3B示出了半導(dǎo)體器件分別地在相對(duì)于I和I'之間或者II和II'之間的方向 垂直的方向上，沿著圖1中標(biāo)為III-III'的直線的剖視圖。如圖3B所示，溝道區(qū)220具有 脊的形狀，該脊具有寬度di。例如，該脊可具有頂側(cè)220a和兩個(gè)側(cè)壁22化。側(cè)壁22化可 相對(duì)于主表面110垂直地或者W大于75°的角度延伸。根據(jù)如圖3所示的實(shí)施例，柵電極 210可被布置與該脊的至少兩個(gè)側(cè)鄰近。此外，柵電極210還可W鄰近該脊的頂側(cè)220a。根 據(jù)另一個(gè)實(shí)施例，柵電極210可僅鄰近該脊的兩個(gè)側(cè)壁22化。如圖3B進(jìn)一步所示，導(dǎo)電材 料270被布置在柵極溝槽213的較低部分中。
[0037] 如參考圖1至圖3B所示，半導(dǎo)體器件1包括在具有第一主表面110的半導(dǎo)體襯底 10中形成的晶體管5。晶體管5包括源區(qū)201、漏區(qū)205、溝道區(qū)220、漂移區(qū)260 W及在平 行于第一主表面110的第一方向上延伸的柵電極210。柵電極210被布置為與溝道區(qū)220 的至少兩個(gè)側(cè)鄰近，并且溝道區(qū)220和漂移區(qū)260沿第一方向被布置在源區(qū)201和漏區(qū)205 之間。半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括導(dǎo)電層270。導(dǎo)電層270的部分被布置在柵電極210之下的 半導(dǎo)體襯底10中，并且與柵電極210絕緣。根據(jù)進(jìn)一步的實(shí)施例，半導(dǎo)體器件1可包括鄰 近漂移區(qū)260布置的場(chǎng)板250。
[0038] 因此，溝道區(qū)220具有在第一方向上延伸的第一脊222的形狀。根據(jù)實(shí)施例，而且 漂移區(qū)260可具有沿第一方向延伸的第二脊的形狀。如圖1所示，第二脊262可具有與第 一脊222的寬度di不同的寬度d2。
[0039] 根據(jù)實(shí)施例，溝道區(qū)220的寬度di為di《2x Id，其中Id表示耗盡區(qū)（cbpletion zone)的長(zhǎng)度，耗盡區(qū)在柵絕緣層211和溝道區(qū)220之間的界面處形成。例如，耗盡區(qū)的寬 度可確定如下：
[0040]

【權(quán)利要求】
1. 一種半導(dǎo)體器件，其包括在具有第一主表面的半導(dǎo)體襯底中的晶體管，所述晶體管 包括： 源區(qū)； 漏區(qū)； 溝道區(qū)； 漂移區(qū)；W及 柵電極，其與所述溝道區(qū)的至少兩個(gè)側(cè)鄰近，所述溝道區(qū)和所述漂移區(qū)沿平行于所述 第一主表面的第一方向被布置在所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間， 所述半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括在所述柵電極之下并且與所述柵電極絕緣的導(dǎo)電層。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述導(dǎo)電層的部分被布置成與所述第一主表面鄰近。
3. 如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述導(dǎo)電層的所述部分和所述柵電極被布置在形成于所述半導(dǎo)體襯底的所述第 一主表面中的柵極溝槽中。
4. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述導(dǎo)電層和所述源區(qū)連接至源端。
5. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，進(jìn)一步包括 被布置成與所述漂移區(qū)相鄰的場(chǎng)板。
6. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述溝道區(qū)具有在所述第一方向上延伸的第一脊的形狀。
7. 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述漂移區(qū)的部分具有沿所述第一方向延伸的第二脊的形狀。
8. 如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述第二脊具有與所述第一脊的寬度不同的寬度。
9. 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件， 其中所述第一脊的寬度d為；d《2x Id，其中Id表示在所述第一脊和所述柵電極之間 的界面處形成的耗盡區(qū)的長(zhǎng)度。
10. 如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體器件， 其中s/d〉2.0,其中S表示沿第一方向測(cè)得的所述第一脊的長(zhǎng)度，W及其中d表示所述 第一脊的寬度。
11. 一種集成電路，其包括在具有第一主表面的半導(dǎo)體襯底中的第一晶體管和第二晶 體管，所述第一晶體管包括： 第一源區(qū)； 第一漏區(qū)； 第一溝道區(qū)； 第一漂移區(qū)； 第一柵電極，其與所述第一溝道區(qū)的至少兩個(gè)側(cè)鄰近，所述第一溝道區(qū)和所述第一漂 移區(qū)沿平行于所述第一主表面的第一方向被布置成在所述第一源區(qū)和所述第一漏區(qū)之間， 所述第二晶體管包括： 第二源區(qū)； 第二漏區(qū)； 第二溝道區(qū)； 第二漂移區(qū)； 第二柵電極，W及 第二場(chǎng)板，其與所述第二漂移區(qū)鄰近， 所述第二溝道區(qū)和所述第二漂移區(qū)沿第二方向被布置在所述第二源區(qū)和所述第二漏 區(qū)之間，所述第二方向相對(duì)于所述第一主表面垂直地延伸。
12. 如權(quán)利要求11所述的集成電路，進(jìn)一步包括 導(dǎo)電層，其中所述導(dǎo)電層的部分被布置在所述第一柵電極之下的所述半導(dǎo)體襯底中并 且與所述第一柵電極絕緣。
13. 如權(quán)利要求12所述的集成電路， 其中所述導(dǎo)電層的另一部分被布置成與所述第一主表面鄰近。
14. 如權(quán)利要求12所述的集成電路， 所述導(dǎo)電層和所述第一源區(qū)連接至源端。
15. 如權(quán)利要求12所述的集成電路， 其中所述導(dǎo)電層的所述部分和所述柵電極被布置在形成于所述半導(dǎo)體襯底的所述第 一主表面中的柵極溝槽中。
16. -種制造半導(dǎo)體器件的方法，包括在具有具有第一主表面的半導(dǎo)體襯底中形成晶 體管，其中形成所述晶體管的步驟包括： 形成源區(qū)； 形成漏區(qū)； 形成溝道區(qū)； 形成漂移區(qū)；W及 形成與所述溝道區(qū)的至少兩個(gè)側(cè)鄰近的柵電極，所述溝道區(qū)和所述漂移區(qū)沿平行于所 述第一主表面的第一方向被布置在所述源區(qū)和所述漏區(qū)之間， 并且其中形成所述半導(dǎo)體器件進(jìn)一步包括形成導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層的部分被布置在所 述柵電極之下并且與所述柵電極絕緣。
17. 如權(quán)利要求16所述的方法，進(jìn)一步包括 在所述第一主表面中形成溝槽， 并且其中形成所述導(dǎo)電層的所述部分的步驟包括在所述溝槽中形成導(dǎo)電材料。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法，進(jìn)一步包括 回蝕刻所述溝槽中的所述導(dǎo)電材料的所述部分。
19. 如權(quán)利要求18所述的方法，其中形成所述柵電極的步驟包括： 在所述導(dǎo)電層的所述部分之上形成絕緣層，所述絕緣層對(duì)所述溝槽的側(cè)壁加襯；W及 在所述絕緣層之上形成柵極導(dǎo)電層。
【文檔編號(hào)】H01L21/336GK104465767SQ201410469693
【公開日】2015年3月25日 申請(qǐng)日期:2014年9月15日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月16日
【發(fā)明者】A·梅瑟, T·施勒塞爾, T·邁爾 申請(qǐng)人:英飛凌科技股份有限公司