基板處理方法以及基板處理裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種不管基板的表面狀態(tài)如何都能夠利用沖洗液的液膜呈浸液狀覆蓋基板的整個(gè)表面的基板處理方法以及基板處理裝置?；逄幚矸椒òňo接著進(jìn)行藥液工序進(jìn)行并向旋轉(zhuǎn)的基板的表面供給沖洗液的沖洗工序，所述沖洗工序包括高速?zèng)_洗工序和在該高速?zèng)_洗之后進(jìn)行的減速?zèng)_洗工序，所述減速?zèng)_洗工序包括積液工序，在該積液工序中，在比所述高速?zèng)_洗工序時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度低的旋轉(zhuǎn)速度的范圍內(nèi)使所述基板的旋轉(zhuǎn)速度減小，并以比所述高速?zèng)_洗工序時(shí)的最大供給流量大的流量向所述基板的表面供給沖洗液，以在所述基板的表面上形成浸液狀的沖洗液的液膜。
【專利說明】基板處理方法以及基板處理裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及基板處理方法以及基板處理裝置。成為處理對(duì)象的基板包括例如半導(dǎo)體晶片、液晶顯示裝置用基板、等離子體顯示器用基板、FED(Field Emiss1n Display:場(chǎng)致發(fā)射顯示器)用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太陽(yáng)電池用基板等。

【背景技術(shù)】
[0002]在半導(dǎo)體裝置和液晶表示裝置的制造工序中，例如對(duì)基板一張一張進(jìn)行處理的單張式的基板處理裝置具有:旋轉(zhuǎn)卡盤，將基板保持為大致水平，并使該基板旋轉(zhuǎn)；噴嘴，用于向通過該旋轉(zhuǎn)卡盤旋轉(zhuǎn)的基板的表面的中央部噴出處理液。
[0003]在利用了這種基板處理裝置的基板處理中，例如依次進(jìn)行向旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的基板的表面供給藥液的藥液處理、以及向旋轉(zhuǎn)狀態(tài)的基板的表面供給沖洗液的沖洗處理。然后，向基板的表面供給異丙醇(isopropyl alcohol:IPA)液。在基板的旋轉(zhuǎn)速度為零或低速的狀態(tài)下供給IPA液，由于對(duì)IPA液僅作用零或小的離心力，所以維持IPA液滯留在基板的表面上而形成液膜的狀態(tài)(以下將這樣的液體的狀態(tài)稱為“浸液狀”。)。在基板的表面的沖洗液被IPA液置換后，使基板的旋轉(zhuǎn)加速，由此IPA液的液膜從基板的表面被甩掉，基板得以干燥。
[0004]在這樣的一系列的處理中，在日本特開2009-295910號(hào)公報(bào)以及日本特開2009-212408號(hào)公報(bào)中，提出如下方法，即，在執(zhí)行沖洗處理之后且在保持IPA液的液膜之前，在基板的表面呈浸液狀保持沖洗液的液膜(浸液沖洗)。在這些各公報(bào)中，在一邊使基板以規(guī)定的液體處理旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)一邊執(zhí)行沖洗處理后，一邊從噴嘴持續(xù)噴出沖洗液一邊使基板的旋轉(zhuǎn)速度從液體處理旋轉(zhuǎn)速度下降至低速。此時(shí)，對(duì)供給到基板上的沖洗液僅作用小的離心力，因此，沖洗液滯留在基板的表面上而在基板的整個(gè)表面呈浸液狀保持沖洗液的液膜。
[0005]接著，通過IPA液置換該沖洗液的液膜所包含的沖洗液，來(lái)在基板的整個(gè)表面呈浸液狀保持IPA液的液膜。從沖洗液的液膜形成IPA液的液膜，結(jié)果，不僅容易進(jìn)行IPA液的液膜形成，而且還能夠節(jié)省IPA液。
[0006]但是，在前述的各公報(bào)記載的方法中，因基板的表面狀態(tài)的不同，有時(shí)沖洗液的液膜未形成在基板的整個(gè)表面上，基板的表面的至少一部分露出。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種不管基板的表面狀態(tài)如何都能夠利用沖洗液的液膜呈浸液狀覆蓋基板的整個(gè)表面的基板處理方法以及基板處理裝置。
[0008]本發(fā)明提供一種基板處理方法，
[0009]該基板處理方法包括:
[0010]藥液工序，向旋轉(zhuǎn)的基板的表面供給藥液，對(duì)所述基板的表面進(jìn)行藥液處理，
[0011]沖洗工序，緊接著所述藥液工序進(jìn)行，通過向旋轉(zhuǎn)的所述基板的表面供給沖洗液，來(lái)利用所述沖洗液沖洗掉在所述基板的表面上附著的藥液，并形成沖洗液的液膜；
[0012]所述沖洗工序包括高速?zèng)_洗工序和在該高速?zèng)_洗之后進(jìn)行的減速?zèng)_洗工序，
[0013]所述減速?zèng)_洗工序包括積液工序，在該積液工序中，在比所述高速?zèng)_洗工序時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度低的旋轉(zhuǎn)速度的范圍內(nèi)使所述基板的旋轉(zhuǎn)速度減小，并以比所述高速?zèng)_洗工序時(shí)的最大供給流量大的流量向所述基板的表面供給沖洗液，以在所述基板的表面上形成浸液狀的沖洗液的液膜。
[0014]根據(jù)該方法，在高速?zèng)_洗工序后執(zhí)行的減速?zèng)_洗工序中，比高速?zèng)_洗工序?qū)嵤┢陂g的最大供給流量大的流量的沖洗液被向基板的表面供給。該大流量的沖洗液從基板中央部被擠向基板周緣部，并遍及到基板周緣部。由此，不管基板的表面狀態(tài)如何，都能夠在基板的表面確實(shí)地形成覆蓋基板的整個(gè)表面的浸液狀的沖洗液的液膜。
[0015]優(yōu)選所述積液工序中的沖洗液的供給流量被設(shè)定為4.0(升/分鐘)以上。在該情況下，能夠更確實(shí)地形成浸液狀的沖洗液的液膜。
[0016]另外，優(yōu)選在所述積液工序中，以11.0(rpm/秒)以下的減速梯度使所述基板的旋轉(zhuǎn)速度減小。如果積液工序中的基板的旋轉(zhuǎn)的減速梯度在11.0 (rpm/秒)以下，則在積液工序中，作用于沖洗液的液膜上的離心力緩緩減小，結(jié)果，能夠維持在作用于基板周緣部的沖洗液的朝向基板中央部的力被抑制的狀態(tài)。由此，能夠?qū)p速?zèng)_洗工序中的沖洗液的液膜更確實(shí)地維持在覆蓋基板的整個(gè)表面的狀態(tài)。
[0017]所述減速?zèng)_洗工序還可以包括急減速工序，該急減速工序緊接著所述高速?zèng)_洗工序來(lái)執(zhí)行，使所述基板的旋轉(zhuǎn)速度以比所述積液工序時(shí)的減速梯度陡峭的梯度減小。
[0018]根據(jù)該方法，由于在使基板的旋轉(zhuǎn)速度減小的減速?zèng)_洗工序中包括使基板的旋轉(zhuǎn)速度以陡峭的梯度減速的工序，所以能縮短使基板的旋轉(zhuǎn)速度減速至形成浸液狀的液膜的速度所需的時(shí)間。
[0019]另外，優(yōu)選所述急減速工序的執(zhí)行時(shí)間在1.0秒以下。在急減速工序中，作用于沖洗液的液膜上的離心力急劇減小的結(jié)果，對(duì)基板周緣部的沖洗液作用有朝向基板中央部的強(qiáng)的力。但是，當(dāng)急減速工序的執(zhí)行時(shí)間在1.0秒以下時(shí)，沖洗液幾乎不會(huì)從基板的周緣部向中央部移動(dòng)。由此，能夠更確實(shí)地防止在急減速工序中或急減速工序后使基板表面露出。
[0020]優(yōu)選在所述急減速工序中，使所述基板的旋轉(zhuǎn)速度減小到200rpm以下。由于在急減速工序中使基板的旋轉(zhuǎn)速度減小到200rpm以下，所以在之后的積液工序中，能夠以平緩的減速梯度使基板減速。由此，能夠縮短整個(gè)減速?zèng)_洗工序的執(zhí)行時(shí)間。
[0021]另外，優(yōu)選所述急減速工序中的沖洗液的供給流量在4.0(升/分鐘)以上。在該情況下，供給到基板的表面上的沖洗液從基板中央部被擠向周緣部，沖洗液遍及到周緣部。由此，能夠更確實(shí)地將減速?zèng)_洗工序中的沖洗液的液膜維持在覆蓋基板的整個(gè)表面的狀態(tài)。
[0022]在本發(fā)明的一實(shí)施方式中，所述急減速工序中的沖洗液的供給流量可以被設(shè)定為與所述高速?zèng)_洗工序時(shí)的沖洗液的供給流量相同的流量。
[0023]另外，在本發(fā)明的其他實(shí)施方式中，所述急減速工序中的沖洗液的供給流量可以被設(shè)定為與所述積液工序中的沖洗液的供給流量相同的流量。
[0024]另外，該基板處理方法還可以包括低表面張力液置換工序，在該低表面張力液置換工序中，利用低表面張力液置換通過所述積液工序形成的浸液狀的沖洗液的液膜。在該情況下，能夠在基板的表面未露出的狀態(tài)下對(duì)沖洗工序結(jié)束的基板執(zhí)行低表面張力液置換工序。
[0025]本發(fā)明為一種基板處理裝置，具有:
[0026]基板保持單元,保持基板，
[0027]基板旋轉(zhuǎn)單元，使被所述基板保持單元保持的所述基板旋轉(zhuǎn)，
[0028]藥液供給單元，用于向由所述基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板的表面供給藥液，
[0029]沖洗液供給單元，用于向由所述基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板的表面供給沖洗液，
[0030]控制單元,對(duì)所述基板旋轉(zhuǎn)單元、所述藥液供給單元以及所述沖洗液供給單元進(jìn)行控制，來(lái)執(zhí)行藥液工序和沖洗工序，其中，在所述藥液工序中，一邊使所述基板以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，一邊向所述基板的表面供給藥液，來(lái)對(duì)所述基板的表面進(jìn)行藥液處理，所述沖洗工序緊接著所述藥液工序來(lái)進(jìn)行，在所述沖洗工序中，通過向旋轉(zhuǎn)的基板的表面供給沖洗液，利用所述沖洗液沖洗掉在所述基板的表面上附著的藥液，并形成該沖洗液的液膜；
[0031]所述沖洗工序包括高速?zèng)_洗工序和在該高速?zèng)_洗之后進(jìn)行的減速?zèng)_洗工序，
[0032]所述控制單元在所述減速?zèng)_洗工序中，在比所述高速?zèng)_洗工序時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度低的旋轉(zhuǎn)速度的范圍內(nèi)使所述基板的旋轉(zhuǎn)速度減小，并以比所述高速?zèng)_洗工序時(shí)的最大供給流量大的流量向所述基板的表面供給沖洗液，由此執(zhí)行在所述基板的表面上形成浸液狀的沖洗液的液膜的積液工序。
[0033]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在高速?zèng)_洗工序后執(zhí)行的減速?zèng)_洗工序中，比高速?zèng)_洗工序?qū)嵤┢陂g的最大供給流量大的流量的沖洗液被向基板的表面供給。該大流量的沖洗液的從基板中央部被擠向基板周緣部而遍及至基板周緣部。由此，不管基板的表面狀態(tài)如何，都能確實(shí)在基板的表面形成覆蓋基板的整個(gè)表面的浸液狀的沖洗液的液膜。
[0034]本發(fā)明中的前述或其他目的、特征以及效果通過參照附圖進(jìn)行的下述的實(shí)施方式的說明就更加清楚。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0035]圖1是示意性地表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的基板處理裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
[0036]圖2是表示圖1所示的基板處理裝置的電氣結(jié)構(gòu)的框圖。
[0037]圖3是表示通過圖1所示的基板處理裝置執(zhí)行的清洗處理的處理例的工序圖。
[0038]圖4是表示圖3的處理例所包含的各工序中的基板的旋轉(zhuǎn)速度的變化的圖。
[0039]圖5是表示圖4的沖洗工序中的基板的旋轉(zhuǎn)速度的變化以及DIW的供給流量的圖。
[0040]圖6是表不第一浸液試驗(yàn)的試驗(yàn)結(jié)果的圖。
[0041]圖7是表示第二浸液試驗(yàn)的試驗(yàn)結(jié)果的圖。
[0042]圖8A是表示本發(fā)明的第一變形例的圖。
[0043]圖8B是表示本發(fā)明的第二變形例的圖。
[0044]圖9A是表示本發(fā)明的第三變形例的圖。
[0045]圖9B是表示本發(fā)明的第四變形例的圖。
[0046]圖9C是表不本發(fā)明的第五變形例的圖。
[0047]圖10是表示本發(fā)明的第六變形例的圖。

【具體實(shí)施方式】
[0048]圖1是示意性地表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的基板處理裝置I的結(jié)構(gòu)的圖。
[0049]該基板處理裝置I是用于對(duì)半導(dǎo)體晶片等的基板W的表面(處理對(duì)象面)實(shí)施清洗處理的單張型的裝置。
[0050]基板處理裝置I在通過隔壁(未圖示)劃分出來(lái)的處理室2內(nèi)包括:旋轉(zhuǎn)卡盤(基板保持單元)3，保持基板W并使基板W旋轉(zhuǎn)；藥液噴嘴4，用于向被旋轉(zhuǎn)卡盤3保持的基板W的表面(上表面)供給藥液；沖洗液噴嘴(沖洗液供給單元)5，用于向被旋轉(zhuǎn)卡盤3保持的基板W的表面供給作為沖洗液的一例的DIW(去離子水)；有機(jī)溶媒噴嘴(有機(jī)溶媒供給單元)6,用于供給作為低表面張力液的一例的異丙醇(isopropyl alcohol:IPA)液等的有機(jī)溶媒。
[0051]作為旋轉(zhuǎn)卡盤3，采用例如夾持式的旋轉(zhuǎn)卡盤。具體地說，旋轉(zhuǎn)卡盤3具有:旋轉(zhuǎn)馬達(dá)(基板旋轉(zhuǎn)單元)7 ;旋轉(zhuǎn)軸(未圖示)，與該旋轉(zhuǎn)馬達(dá)7的驅(qū)動(dòng)軸一體化；圓板狀的旋轉(zhuǎn)基座8，大致水平地安裝在旋轉(zhuǎn)軸的上端上；多個(gè)夾持構(gòu)件9，以幾乎等角度間隔設(shè)置在旋轉(zhuǎn)基座8的周緣部的多個(gè)位置。多個(gè)夾持構(gòu)件9將基板W夾持為大致水平的姿勢(shì)。在該狀態(tài)下，當(dāng)旋轉(zhuǎn)馬達(dá)7被驅(qū)動(dòng)時(shí)，旋轉(zhuǎn)基座8借助旋轉(zhuǎn)馬達(dá)7的驅(qū)動(dòng)力圍繞規(guī)定的旋轉(zhuǎn)軸線(鉛垂軸線)Al旋轉(zhuǎn)，基板W以保持大致水平的姿勢(shì)的狀態(tài)與該旋轉(zhuǎn)基座8 —起圍繞旋轉(zhuǎn)軸線Al旋轉(zhuǎn)。
[0052]此外，作為旋轉(zhuǎn)卡盤3，并不限于夾持式的旋轉(zhuǎn)卡盤，例如也可以采用真空吸附式的旋轉(zhuǎn)卡盤，即，通過對(duì)基板W的背面(下表面)進(jìn)行真空吸附，將基板W保持為水平的姿勢(shì)，進(jìn)而，在該狀態(tài)下圍繞旋轉(zhuǎn)軸線Al旋轉(zhuǎn)，使旋轉(zhuǎn)卡盤所保持的基板W旋轉(zhuǎn)。
[0053]藥液噴嘴4是例如以連續(xù)流的狀態(tài)噴出藥液的直線型噴嘴，在旋轉(zhuǎn)卡盤3的上方以其噴出口朝向基板W的上表面的旋轉(zhuǎn)中心附近的方式被固定配置。藥液噴嘴4與供給來(lái)自藥液供給源的藥液的藥液供給管10連接。在藥液供給管10的途中部安裝有用于對(duì)從藥液噴嘴4供給藥液/停止供給藥液進(jìn)行切換的藥液閥11。作為藥液，使用例如稀氫氟酸(DHF)、濃氫氟酸(concHF)、氟硝酸(氫氟酸和硝酸(HNO3)的混合液)、或氟化氨溶液等。
[0054]沖洗液噴嘴5是例如以連續(xù)流的狀態(tài)噴出DIW的直線型噴嘴，在旋轉(zhuǎn)卡盤3的上方以其噴出口朝向基板W的上表面的旋轉(zhuǎn)中心附近的方式被固定配置。沖洗液噴嘴5與供給來(lái)自DIW供給源的DIW的沖洗液供給管12連接。在沖洗液供給管12的途中部安裝有:沖洗液閥(沖洗液供給單元)13，用于對(duì)從沖洗液噴嘴5供給DIW和停止供給DIW進(jìn)行切換；流量調(diào)整閥14，用于調(diào)節(jié)沖洗液供給管的開度，對(duì)從沖洗液噴嘴5噴出的DIW的流量進(jìn)行調(diào)整。
[0055]有機(jī)溶媒噴嘴6是例如以連續(xù)流的狀態(tài)噴出IPA液的直線型噴嘴，在旋轉(zhuǎn)卡盤3的上方以其噴出口朝向基板W的上表面的旋轉(zhuǎn)中心附近的方式被固定配置。有機(jī)溶媒噴嘴6與供給來(lái)自IPA液供給源的IPA液的有機(jī)溶媒供給管15連接。在有機(jī)溶媒供給管15的途中部安裝有用于對(duì)從有機(jī)溶媒噴嘴6供給IPA液和停止供給IPA液進(jìn)行切換的有機(jī)溶媒閥16。
[0056]此外，藥液噴嘴4、沖洗液噴嘴5以及有機(jī)溶媒噴嘴6各自無(wú)需相對(duì)于旋轉(zhuǎn)卡盤3固定配置，例如，也可以采用掃描噴嘴的方式，即，例如安裝于在旋轉(zhuǎn)卡盤3的上方并在水平面內(nèi)能夠擺動(dòng)的臂部上，通過該臂部的擺動(dòng)掃描基板W的上表面上的藥液等的著落位置。
[0057]圖2是基板處理裝置I的電氣結(jié)構(gòu)的框圖。
[0058]基板處理裝置I具有包含微型計(jì)算機(jī)的結(jié)構(gòu)的控制裝置(控制單元)20?？刂蒲b置20根據(jù)預(yù)先設(shè)定的程序控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)7等的動(dòng)作。進(jìn)而，控制裝置20對(duì)藥液閥11、沖洗液閥13、有機(jī)溶媒閥16等的開閉動(dòng)作進(jìn)行控制，且對(duì)流量調(diào)整閥14的開度進(jìn)行控制。
[0059]圖3是表示通過基板處理裝置I執(zhí)行的清洗處理的處理例的工序圖。圖4是表示清洗處理所包含的各工序中的基板W的旋轉(zhuǎn)速度的變化的圖。另外，圖5是表示沖洗工序中的基板W的旋轉(zhuǎn)速度的變化的圖。以下，參照?qǐng)D1?圖5對(duì)清洗處理的處理例進(jìn)行說明。
[0060]在清洗處理時(shí)，控制搬送機(jī)械手(未圖示)，向處理室2(參照?qǐng)D1)內(nèi)搬入未處理的基板W(步驟SI)。作為該基板W的一例，能夠舉出在表面(應(yīng)形成器件的面)形成有氧化月吳的娃晶片?；錡也可以是大型基板(例如外徑為450_的圓形基板)。基板W以其表面朝向上方的狀態(tài)被交接給旋轉(zhuǎn)卡盤3。
[0061]當(dāng)在旋轉(zhuǎn)卡盤3上保持有基板W時(shí)，控制裝置20控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)7使基板W開始旋轉(zhuǎn)(步驟S2)?；錡被上升到預(yù)先設(shè)定的液體處理速度(在300?1200rpm的范圍內(nèi)，例如如圖4所示,為1200rpm),并被維持在該藥液體處理速度。
[0062]當(dāng)基板W的旋轉(zhuǎn)速度到達(dá)藥液體處理速度時(shí)，接著，控制裝置20開始執(zhí)行藥液工序(步驟S3)。具體地說，控制裝置20打開藥液閥11，從藥液噴嘴4噴出藥液。此時(shí)從藥液噴嘴4噴出藥液的噴出流量被設(shè)定在例如2.0 (升/分鐘)。從藥液噴嘴4噴出的藥液被供給到基板的上表面的中央部，受到由基板W的旋轉(zhuǎn)帶來(lái)的離心力的作用在基板W的上表面上向基板W的周緣流動(dòng)。由此，在基板W的整個(gè)上表面上供給有藥液，利用藥液對(duì)基板W實(shí)施藥液處理。
[0063]當(dāng)從開始噴出藥液起經(jīng)過了預(yù)先設(shè)定的藥液處理時(shí)間(例如約180秒)時(shí)，控制裝置20關(guān)閉藥液閥11，停止從藥液噴嘴4噴出藥液。在使用稀氫氟酸、濃氫氟酸、氟硝酸、氟化氨溶液等作為藥液的情況下，藥液處理后的基板W的表面示出疏水性。
[0064]接著，控制裝置20開始執(zhí)行沖洗工序(步驟S4)。如圖4所示，沖洗工序(S4)緊接著藥液工序(S3)進(jìn)行，并包括:高速?zèng)_洗工序(旋轉(zhuǎn)沖洗工序。步驟S41)，一邊使基板W以上述的液體處理速度(沖洗處理速度)旋轉(zhuǎn)一邊向基板W的上表面供給沖洗液；減速?zèng)_洗工序(步驟S42)，使基板W的旋轉(zhuǎn)速度從上述的液體處理速度(例如1200pm)減小到浸液速度(在O?20rpm的范圍內(nèi)，例如如圖4所示為1rpm);浸液沖洗工序(步驟S43)，在基板W的整個(gè)上表面呈浸液狀保持DIW的液膜。另外，如圖5所示，減速?zèng)_洗工序(S42)包括:急減速工序(步驟S421)，使基板W的旋轉(zhuǎn)速度以陡峭的減速梯度減速；積液工序(步驟S422)，使急減速后的基板W以平緩的減速梯度減速。以下對(duì)沖洗工序(步驟S4)具體說明。
[0065]當(dāng)藥液閥11關(guān)閉后，控制裝置20 —邊將基板W的旋轉(zhuǎn)速度維持在上述的液體處理速度，一邊打開沖洗液閥13，開始從沖洗液噴嘴5向基板W的旋轉(zhuǎn)中心附近噴出DIW。由此，開始執(zhí)行步驟S41的高速?zèng)_洗工序(S41)。此時(shí)，通過流量調(diào)整閥14的調(diào)整，從沖洗液噴嘴5供給DIW的供給流量被設(shè)定在例如2.0 (升/分鐘)。
[0066]供給到基板W的上表面的中心部附近的DIW受到由基板W的旋轉(zhuǎn)產(chǎn)生的離心力的作用，在基板W的上表面上向基板W的周緣部流動(dòng)，從而基板W的整個(gè)上表面被DIW的液膜覆蓋。此時(shí)的從沖洗液噴嘴5供給DIW的供給流量比較大，因此，能夠確實(shí)沖洗掉在基板W的上表面上附著的藥液。
[0067]當(dāng)從開始從沖洗液噴嘴5噴出DIW起經(jīng)過了預(yù)先設(shè)定的高速?zèng)_洗時(shí)間(例如4.5秒)時(shí)，控制裝置20開始執(zhí)行急減速工序(S421)。具體地說，控制裝置20 —邊將從沖洗液噴嘴5噴出DIW的噴出流量維持在2.0 (升/分鐘)，一邊控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)7，使以液體處理速度(1200rpm)旋轉(zhuǎn)的基板W急減速至約lOOrpm。急減速工序(S421)的執(zhí)行時(shí)間(下面敘述的急減速時(shí)間)被設(shè)定為例如1.0秒，急減速工序(S421)中的減速梯度例如為約1000(rpm/分)。此外，急減速工序(S421)的執(zhí)行時(shí)間也可以設(shè)定為1.0秒以下。另外，基板W的急減速工序(S421)后的基板W的旋轉(zhuǎn)速度也可以是200rpm左右。
[0068]在急減速工序(S421)中，由于基板W的旋轉(zhuǎn)的減速梯度陡峭，所以作用在DIW的液膜上的離心力急劇下降，結(jié)果，對(duì)基板W的周緣部的DIW作用有朝向基板W的中央部的強(qiáng)的力。但是，由于急減速工序(S421)的執(zhí)行時(shí)間被設(shè)定為短時(shí)間1.0秒以下，所以DIW幾乎不從基板W的周緣部向中央部移動(dòng)。其結(jié)果，在基板W的急減速時(shí)，在基板W的周緣部不會(huì)露出基板W的上表面(表面)。由此，能夠一邊維持基板W的整個(gè)上表面由DIW的液膜覆蓋的狀態(tài)，一邊使基板W的旋轉(zhuǎn)速度減小到10rpm左右。
[0069]當(dāng)從基板W開始減速起經(jīng)過了急減速時(shí)間(例如1.0秒)時(shí)，控制裝置20開始執(zhí)行積液工序(S422)。在積液工序(S422)中，在比高速?zèng)_洗工序(S41)的旋轉(zhuǎn)速度(1200rpm)低的旋轉(zhuǎn)速度的范圍內(nèi)使基板W的旋轉(zhuǎn)速度減小。S卩，在積液工序(S422)中，從急減速工序(S421)后的旋轉(zhuǎn)速度10rpm開始以規(guī)定的平緩的減速梯度(例如4.5 (rpm/秒))使基板W的旋轉(zhuǎn)速度減小，并使基板W的旋轉(zhuǎn)速度減少至浸液速度(約O?20rpm)，在基板W的表面形成浸液狀的DIW的液膜。具體地說，控制裝置20控制流量調(diào)整閥14，使從沖洗液噴嘴5噴出DIW的噴出流量增加至4.0 (升/分鐘)，并且控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)7，使基板W的減速梯度變?yōu)槠骄彽臏p速梯度(例如4.5 (rpm/秒))，使基板W的旋轉(zhuǎn)速度減小。執(zhí)行積液工序(S422)的執(zhí)行時(shí)間(以下敘述的平緩減速時(shí)間)被設(shè)定為例如20秒，利用該執(zhí)行時(shí)間，基板W的旋轉(zhuǎn)速度從10rpm減速至lOrpm。此外，說明了積液工序(S422)中的減速梯度為4.5 (rpm/秒)的情況，但只要在11.0 (rpm/秒)以下即可。另外，使積液工序(S422)中的DIW的供給流量為4.0(升/分鐘)，但只要在4.0 (升/分鐘)以上即可。
[0070]另外，在積液工序(S422)中，在急減速工序(S421)結(jié)束后，立即使向基板W供給的DIW的流量增加至4.0 (升/分鐘)。因此，在從急減速工序(S421)向積液工序(S422)轉(zhuǎn)移時(shí)，能夠確實(shí)防止基板W的上表面露出。
[0071]在積液工序(S422)中，由于基板W的旋轉(zhuǎn)的減速梯度平緩，所以作用于DIW的液膜上的離心力緩緩減小，結(jié)果，作用于基板W的周緣部的DIW上的朝向基板中央部的力減小。緊接著基板W的周緣部的DIW受到朝向基板W的中央部的強(qiáng)的力的急減速工序(S421)，執(zhí)行基板W的周緣部的DIW受到的力被減小的積液工序(S422)，因此，在急減速工序(S421)中被促進(jìn)的、DIW的液膜朝向基板W的中央部的移動(dòng)在積液工序(S422)中得到抑制。
[0072]另外，在積液工序(S422)中，由于以比高速?zèng)_洗工序(S41)實(shí)施期間的最大供給流量(2.0 (升/分鐘))更大的流量(4.0 (升/分鐘))向基板W供給DIW，因此，供給到基板W的中央部上的DIW從基板W的中央部被擠向周緣部，確實(shí)地遍及到周緣部。
[0073]如上所述，在高速?zèng)_洗工序(S41)的初始階段，為了從基板W的表面確實(shí)地除去藥液，供給比較大流量的DIW。在積液工序(S422)中，相比高速?zèng)_洗工序(S41)中的最大流量的DIW，將更大的流量的DIW向基板W供給。因此，在積液工序(S422)的整個(gè)期間，能夠在基板W的整個(gè)表面維持DIW的液膜。
[0074]通過上述，在減速?zèng)_洗工序(S42)中，在急減速工序(S421)的整個(gè)期間、以及積液工序(S422)的整個(gè)期間，能夠?qū)⒒錡的整個(gè)上表面維持在由DIW的液膜覆蓋的狀態(tài)。
[0075]當(dāng)基板W的旋轉(zhuǎn)速度減少到浸液速度(約O?20rpm)時(shí)，控制裝置20控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)7，并將基板W的旋轉(zhuǎn)速度維持在該浸液速度。由此，執(zhí)行在基板W的整個(gè)上表面呈浸液狀保持DIW的液膜的浸液沖洗工序(S43)。
[0076]當(dāng)從基板W的旋轉(zhuǎn)速度下降至浸液速度(約O?20rpm)起經(jīng)過了預(yù)先設(shè)定的浸液沖洗時(shí)間(例如2.6秒)時(shí)，控制裝置20關(guān)閉沖洗液閥13，停止從沖洗液噴嘴5噴出DIW。
[0077]接著，控制裝置20開始執(zhí)行IPA液置換工序(步驟S5)。具體地說，控制裝置20將基板W的旋轉(zhuǎn)速度維持在浸液速度，并打開有機(jī)溶媒閥16，從有機(jī)溶媒噴嘴6向基板W的旋轉(zhuǎn)中心附近噴出IPA液。此時(shí)的從有機(jī)溶媒噴嘴6噴出IPA液的噴出流量被設(shè)定為例如0.1 (升/分鐘)。向基板W的上表面供給IPA液，由此，基板W的上表面的DIW的液膜所包含的DIW逐漸被IPA液置換。其結(jié)果，在基板W的上表面上呈浸液狀保持覆蓋基板W的整個(gè)上表面的IPA液的液膜。
[0078]當(dāng)從開始噴出IPA液起經(jīng)過了預(yù)先設(shè)定的IPA浸液時(shí)間(例如約10秒)時(shí)，控制裝置20 —邊持續(xù)噴出IPA液，一邊控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)7，使基板W從浸液速度例如以四個(gè)階段(lOrpm—50rpm—75rpm— lOOrpm— 100rpm)加速至高旋轉(zhuǎn)速度(例如約 100rpm)?？刂蒲b置20在基板W到達(dá)高旋轉(zhuǎn)速度后，在從開始噴出IPA液起經(jīng)過了 IPA處理時(shí)間(例如約20秒)后，關(guān)閉有機(jī)溶媒閥16，停止從有機(jī)溶媒噴嘴6噴出IPA液。
[0079]當(dāng)停止噴出IPA液時(shí)，控制裝置20執(zhí)行干燥工序(步驟S6)。S卩，控制裝置20將基板W的旋轉(zhuǎn)速度維持在lOOOrpm。由此，在基板W上附著的IPA液被甩掉，基板W得以干燥。
[0080]當(dāng)干燥工序(S6)進(jìn)行預(yù)先設(shè)定的干燥時(shí)間時(shí)，控制裝置20控制旋轉(zhuǎn)馬達(dá)7，使旋轉(zhuǎn)卡盤3的旋轉(zhuǎn)(基板W的旋轉(zhuǎn))停止(步驟S7)。由此，結(jié)束對(duì)I張基板W的清洗處理，并由搬送機(jī)械手將處理完的基板W從處理室2搬出(步驟S8)。
[0081]接著，對(duì)浸液試驗(yàn)進(jìn)行說明。圖6是表示第一浸液試驗(yàn)的試驗(yàn)結(jié)果的圖。圖7是表示第二浸液試驗(yàn)的試驗(yàn)結(jié)果的圖。在第一以及第二浸液試驗(yàn)中，使用基板處理裝置I執(zhí)行上述的圖3?圖5所示的處理例。
[0082]第一浸液試驗(yàn)是用于研究急減速工序(S421)的最佳條件的試驗(yàn)。在第一浸液試驗(yàn)中，執(zhí)行向基板W的中央部以2.0(升/分鐘)的供給流量供給DIW的高速?zèng)_洗工序(S41)，在基板W的表面上形成DIW的液膜。然后，一邊向基板W的中央部以2.0 (升/分鐘)的供給流量供給DIW，一邊使基板W的旋轉(zhuǎn)速度從1200rpm減速至lOOrpm。此外，作為試料的基板W，使用在表面上形成有氧化膜的硅晶片(外徑為450mm)，作為藥液使用稀氫氟酸。使執(zhí)行急減速工序(S421)的執(zhí)行時(shí)間在1.0秒(Is)、5.0秒(5s)以及10.0秒(1s)之間變化，通過目視觀察急減速工序(S421)中的在基板W的表面上的DIW的液膜的狀態(tài)。在圖6中示出其結(jié)果。
[0083]如圖6所示，在急減速工序(S421)的執(zhí)行時(shí)間(減速秒數(shù))為1.0秒的情況下，急減速中的DIW的液膜維持在覆蓋基板W的整個(gè)上表面的狀態(tài)(0K:良好)。
[0084]另一方面，在急減速工序(S421)的執(zhí)行時(shí)間為5.0秒的情況下，基板W的上表面上的除了周緣部之外的大致整個(gè)區(qū)域由DIW的液膜覆蓋，但是在基板W的周緣部，上表面(表面)局部露出。也就是說，基板W的上表面并沒有被DIW的液膜完全覆蓋。
[0085]另外，在急減速工序(S421)的執(zhí)行時(shí)間為10.0秒的情況下，在基板W的上表面的中央部保持有DIW的液膜，但是在基板W的周緣部，DIff的液膜呈放射狀擴(kuò)展，基板W的上表面(表面)露出。換言之，從在基板W的中央部保持的大致圓形的DIW的液膜的外緣向徑向延伸的多個(gè)DIW的條紋保持在基板W的周緣部(在本說明書中，將狀態(tài)稱為“液膜產(chǎn)生龜裂”)。不言而喻，在該情況下，基板W的上表面也未被DIW的液膜完全覆蓋。
[0086]第二浸液試驗(yàn)是用于研究積液工序(S422)的最佳條件的試驗(yàn)。在第二浸液試驗(yàn)中，執(zhí)行向基板W的中央部以2.0(升/分鐘)的供給流量供給DIW的高速?zèng)_洗工序(S41)，在基板W的表面上形成DIW的液膜。然后，緊接著實(shí)施急減速工序S421，使基板W的旋轉(zhuǎn)速度急減速至200rpm。然后，一邊向基板W的中央部供給DIW，一邊使基板W的旋轉(zhuǎn)速度從200rpm減速至lOrpm。此外,作為試料的基板W使用在表面上形成有氧化膜的娃晶片(外徑為450mm),作為藥液采用稀氫氟酸。
[0087]使積液工序(S422)的執(zhí)行時(shí)間在1.0秒(Is)、5.0秒(5s) ,10.0秒(1s) ,15.0秒(15s)、18.0秒(18s)以及20.0秒(20s)之間變化。另外，在積液工序(S422)中使向基板W供給的供給流量在2.0 (升/分鐘)、2.8 (升/分鐘)以及4.0 (升/分鐘)之間變化。并且，通過目視觀察積液工序(S422)中的在基板W的上表面上的DIW的液膜的狀態(tài)。在圖7中示出其結(jié)果。
[0088]如圖7所示，在使向基板W供給的供給流量為2.0 (升/分鐘)或2.8 (升/分鐘)時(shí)，不管積液工序(S422)的執(zhí)行時(shí)間的長(zhǎng)短，基板W的整個(gè)上表面都沒有被DIW的液膜完全覆蓋，在基板W的周緣部，DIff的液膜產(chǎn)生龜裂。
[0089]在使向基板W供給的供給流量為4.0 (升/分鐘)時(shí)，在執(zhí)行積液工序(S422)的執(zhí)行時(shí)間為18.0秒以上的情況下，基板W的整個(gè)上表面維持在由DIW的液膜覆蓋的狀態(tài)(OK:良好)。
[0090]另一方面，即向基板W供給的供給流量為4.0 (升/分鐘)，在執(zhí)行積液工序(S422)的執(zhí)行時(shí)間為15.0秒以下的情況下，基板W的整個(gè)上表面也沒有被DIW的液膜完全覆蓋，在基板W的周緣部，DIff的液膜產(chǎn)生龜裂。
[0091]這樣，在積液工序(S422)中，在向基板W供給的供給流量為與高速?zèng)_洗工序(S41)時(shí)的最大供給流量大致相同的2.0 (升/分鐘)的情況下，即使減速時(shí)間設(shè)定得比較長(zhǎng)(例如18秒)，基板W上的DIW的液膜也產(chǎn)生龜裂。另一方面，在積液工序(S422)中，在將向基板W供給的供給流量設(shè)定為比高速?zèng)_洗工序(S41)時(shí)的最大供給流量2.0 (升/分鐘)更大的4.0 (升/分鐘)時(shí)，能夠避免基板W的DIW的液膜產(chǎn)生龜裂。
[0092]如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式，減速?zèng)_洗工序(S42)包括急減速工序(S421)和積液工序(S422)，緊接著急減速工序(S421)執(zhí)行積液工序(S422)。
[0093]在急減速工序(S421)中，由于基板W的旋轉(zhuǎn)的減速梯度陡峭，所以作用于DIW的液膜上的離心力急劇下降。其結(jié)果，對(duì)基板W的周緣部的DIW作用有朝向基板W的中央部的強(qiáng)的力。但是，由于將執(zhí)行急減速工序(S421)的執(zhí)行時(shí)間設(shè)定為時(shí)間1.0秒以下，所以DIW幾乎不從基板W的周緣部向中央部移動(dòng)，因此，在基板W的急減速時(shí)，基板W的上表面(表面)不會(huì)在基板W的周緣部露出。由此，能夠一邊將基板W的整個(gè)上表面維持在由DIW的液膜覆蓋的狀態(tài)，一邊使基板W的旋轉(zhuǎn)速度下降至浸液速度(1rpm)。
[0094]在積液工序(S422)中，由于基板W的旋轉(zhuǎn)的減速梯度平緩，所以作用于DIW的液膜的離心力緩緩減小。其結(jié)果，作用于基板W的周緣部的DIW上的朝向基板中央部的力減小。緊接著基板W的周緣部的DIW受到朝向基板W的中央部的強(qiáng)的力的急減速工序
(S421)，執(zhí)行基板W的周緣部的DIW受到的力被減小的積液工序(S422)。因此，在急減速工序(S421)中被促進(jìn)的、DIW的液膜朝向基板W的中央部的移動(dòng)在積液工序(S422)得到抑制。
[0095]另外，在積液工序(S422)中，由于向基板W供給的DIW的流量是比高速?zèng)_洗工序(S41)時(shí)的最大供給流量(2.0(升/分鐘))更大的大流量(4.0(升/分鐘))。因此，供給到基板W的中央部上的DIW從基板W的中央部被擠向周緣部。由此，能夠使DIW確實(shí)遍及到周緣部。
[0096]因此，即使在基板W的表面的示出疏水性且基板W為大型基板的情況下，也能在減速?zèng)_洗工序(S42)的整個(gè)期間，幾乎不會(huì)使基板W的上表面(表面)露出，使整個(gè)上表面由DIff的液膜覆蓋。即，能夠一邊維持覆蓋基板W的整個(gè)上表面的DIW的液膜，一邊使基板的旋轉(zhuǎn)速度減速至浸液速度。因此，能夠呈浸液狀保持覆蓋基板W的整個(gè)上表面的DIW的液膜。
[0097]此時(shí)，即使將減速?zèng)_洗工序(S42)的執(zhí)行時(shí)間設(shè)定為短時(shí)間，也能在減速?zèng)_洗工序(S42)后，呈浸液狀保持覆蓋基板W的整個(gè)上表面的DIW的液膜。換言之，即使在基板W的表面示出疏水性且基板W為大型基板的情況下，也能在短時(shí)間內(nèi)形成覆蓋基板W的整個(gè)上表面的DIW的(浸液狀的)液膜。
[0098]以上對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明也能夠通過其他方式來(lái)實(shí)施。
[0099]例如，在前述的實(shí)施方式中，通過使沖洗液噴嘴5噴出的噴出流量不同，來(lái)在積液工序(S422)的執(zhí)行中增大向基板W供給DIW的供給流量，但是，也可以通過從與沖洗液噴嘴5不同的噴嘴噴出DIW，來(lái)在積液工序(S422)的執(zhí)行中增大向基板W供給DIW的供給流量。
[0100]在圖8A的變形例中，設(shè)置用于向基板W的中心部供給DIW的噴嘴51，該噴嘴51與沖洗液噴嘴5相互獨(dú)立。噴嘴51是例如將作為沖洗液的DIW以連續(xù)流的狀態(tài)噴出的直線型噴嘴，在旋轉(zhuǎn)卡盤3(參照?qǐng)D1)的上方以噴出口朝向基板W的旋轉(zhuǎn)中心附近的方式被固定配置。向噴嘴51供給來(lái)自DIW供給源的DIW。
[0101]當(dāng)開始執(zhí)行積液工序(S422)時(shí)，一邊將從沖洗液噴嘴5噴出DIW的噴出量維持在與此前相同的流量，一邊開始從噴嘴51噴出DIW。由此，在積液工序(S422)的執(zhí)行中，不僅來(lái)自沖洗液噴嘴5的DIW供給至基板W的中央部，而且來(lái)自噴嘴51的DIW也供給至基板W的中央部。因此，在積液工序(S422)的執(zhí)行中，實(shí)現(xiàn)向基板W供給DIW的供給流量增大。
[0102]在圖8B的變形例中，使用在處理室2(參照?qǐng)D1)的頂棚壁面配置的頂棚噴嘴61，在執(zhí)行積液工序(S422)時(shí)向基板W的上表面供給DIW。該頂棚噴嘴61用于對(duì)能夠擺動(dòng)地支撐噴嘴的臂部和用于將基板W的上表面之上的空間從其周圍遮蔽的遮蔽構(gòu)件噴出作為清洗水的DIW。頂棚噴嘴61例如是以連續(xù)流的狀態(tài)噴出DIW的直線型噴嘴，在旋轉(zhuǎn)卡盤3(參照?qǐng)D1)的上方以噴出口朝向基板W的旋轉(zhuǎn)中心附近的方式被固定配置。向頂棚噴嘴61供給來(lái)自DIW供給源的DIW。
[0103]當(dāng)開始執(zhí)行積液工序(S422)時(shí)，一邊將從沖洗液噴嘴5噴出DIW的噴出量維持在與此前相同的流量，一邊從頂棚噴嘴61開始噴出DIW。由此，在積液工序(S422)的執(zhí)行中，不僅來(lái)自沖洗液噴嘴5的DIW供給至基板W的中央部，而且來(lái)自頂棚噴嘴61的DIW供給至基板W的中央部。因此，在積液工序(S422)的執(zhí)行中，實(shí)現(xiàn)向基板W供給DIW的供給流量增大。
[0104]在圖8A以及圖8B的變形例中，以將作為沖洗液的DIW僅向基板W的中央部供給的情況為例進(jìn)行了說明，但是，也可以不僅將DIW供給到基板W的中央部，而且還將DIW供給到基板W的周緣部。在圖9A?圖9C示出該情況的變形例。
[0105]圖9A的變形例與圖8A不同之處在于，設(shè)置有用于向基板W的周緣部供給DIW的噴嘴71。噴嘴71例如是將作為沖洗液的DIW以連續(xù)流的狀態(tài)噴出的直線型噴嘴，在旋轉(zhuǎn)卡盤3(參照?qǐng)D1)的上方以噴出口朝向基板W的周緣部的方式被固定配置。向噴嘴71供給來(lái)自DIW供給源的DIW。在積液工序(S422)的執(zhí)行中，不僅將來(lái)自沖洗液噴嘴5的DIW向基板W的中央部供給，而且，將來(lái)自噴嘴71的DIW向基板W的周緣部供給。因此，在積液工序(S422)的執(zhí)行中，實(shí)現(xiàn)向基板W供給DIW的供給流量增大。
[0106]圖9B的變形例與圖9A不同之處在于，設(shè)置沖洗液噴嘴81來(lái)取代沖洗液噴嘴5，該沖洗液噴嘴81具有上述的掃描噴嘴的形式，噴出作為沖洗液的DIW。另外，在圖9B中，設(shè)置噴嘴82來(lái)取代噴嘴71，該噴嘴82具有上述的掃描的形式，噴出DIW。向沖洗液噴嘴81以及噴嘴82分別供給來(lái)自DIW供給源的DIW。
[0107]在積液工序(S422)之前，沖洗液噴嘴81配置在其噴出口朝向基板W的旋轉(zhuǎn)中心附近的位置。另外，噴嘴82配置在其噴出口朝向基板W的周緣部的位置。在積液工序(S422)的執(zhí)行中，與圖9A的情況同樣，不僅來(lái)自沖洗液噴嘴81的DIW供給至基板W的中央部，而且來(lái)自噴嘴82的DIW供給至基板W的周緣部。
[0108]圖9C的變形例與圖9A不同之處在于，設(shè)置沖洗液噴嘴91來(lái)取代沖洗液噴嘴5，該沖洗液噴嘴91具有上述的掃描噴嘴的形式，且具有兩個(gè)噴出口 92、93。噴出口 92、93分別設(shè)置為朝向下方的狀態(tài)。來(lái)自DIW供給源的DIW經(jīng)由閥(未圖示)分別供給至沖洗液噴嘴91，在閥打開的狀態(tài)下，從噴出口 92、93分別向下方噴出DIW。
[0109]在積液工序(S422)之前，沖洗液噴嘴91與基板W的上表面相向配置。在該狀態(tài)下，噴出口 92與基板W的中央部相向，且噴出口 93與基板W的周緣部相向。在積液工序
(S422)的執(zhí)行中，不僅從噴出口 92噴出的DIW供給至基板W的中央部，而且從噴出口 93噴出的DIW供給至基板W的周緣部。
[0110]另外，在前述的實(shí)施方式中，說明了在積液工序(S422)中以規(guī)定的平緩的減速梯度使基板W的旋轉(zhuǎn)速度減小的情況。積液工序(S422)中的基板W的旋轉(zhuǎn)速度的減小方式還包含如圖10所示那樣的呈階梯狀減小的方式。
[0111]另外，說明了急減速工序(S421)中的向基板W供給DIW的供給流量被設(shè)定為與高速?zèng)_洗工序時(shí)的供給流量相同的流量的情況，但是，急減速工序(S421)中的沖洗液的供給流量可以設(shè)定為與積液工序(S422)時(shí)的供給流量相同的流量。
[0112]另外，說明了急減速工序(S421)執(zhí)行結(jié)束時(shí)的基板W的旋轉(zhuǎn)速度為10rpm的情況，但只要在200rpm以下即可。
[0113]另外，作為沖洗液，舉例說明了使用DIW的情況。但是，沖洗液并不限于DIW，也可以采用碳酸水、電解離子水、臭氧水、稀釋濃度(例如10?10ppm左右)的鹽酸水溶液、還原水(含氫水)等作為沖洗液。
[0114]另外，作為低表面張力液的一例，除了 IPA液以外，還可以使用例如甲醇、乙醇、丙酮、以及HFE (氫氟醚)等有機(jī)溶媒。
[0115]另外，本發(fā)明的基板處理裝置I并不限于從基板W的表面除去硅氧化膜的清洗處理中的沖洗后的處理，也能廣泛使用于沖洗后的處理。其中，本發(fā)明的效果在基板W的表面示出疏水性的情況下特別顯著被發(fā)揮。作為對(duì)表面示出疏水性的基板W的處理，除了除去硅氧化膜的處理以外，還能例示除去抗蝕劑的處理。
[0116]對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了詳細(xì)說明的，但這些只不過是用于使本發(fā)明的技術(shù)內(nèi)容明確的具體例，應(yīng)該理解，本發(fā)明并不限于這些具體例，本發(fā)明的范圍由僅由權(quán)利要求書來(lái)限定。
[0117]本申請(qǐng)對(duì)應(yīng)于在2013年9月26日向日本特許廳提出的特愿2013-200424號(hào)以及在2014年8月22日向日本特許廳提出的特愿2014-169334號(hào)對(duì)應(yīng)，這些申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用編入本申請(qǐng)。
【權(quán)利要求】
1.一種基板處理方法， 包括: 藥液工序，向旋轉(zhuǎn)的基板的表面供給藥液，對(duì)所述基板的表面進(jìn)行藥液處理， 沖洗工序，緊接著所述藥液工序進(jìn)行，通過向旋轉(zhuǎn)的所述基板的表面供給沖洗液，利用所述沖洗液沖洗掉在所述基板的表面上附著的藥液，并形成沖洗液的液膜；其特征在于，所述沖洗工序包括高速?zèng)_洗工序和在該高速?zèng)_洗之后進(jìn)行的減速?zèng)_洗工序， 所述減速?zèng)_洗工序包括積液工序，在該積液工序中，在比所述高速?zèng)_洗工序時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度低的旋轉(zhuǎn)速度的范圍內(nèi)使所述基板的旋轉(zhuǎn)速度減小，并以比所述高速?zèng)_洗工序時(shí)的最大供給流量大的流量向所述基板的表面供給沖洗液，以在所述基板的表面上形成浸液狀的沖洗液的液膜。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，所述積液工序中的沖洗液的供給流量被設(shè)定為4.0 (升/分鐘)以上。
3.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法，其特征在于，在所述積液工序中，以11.0 (rpm/秒)以下的減速梯度使所述基板的旋轉(zhuǎn)速度減小。
4.如權(quán)利要求1所述的基板處理方法，其特征在于，所述減速?zèng)_洗工序還包括急減速工序，該急減速工序緊接著所述高速?zèng)_洗工序來(lái)執(zhí)行，使所述基板的旋轉(zhuǎn)速度以比所述積液工序時(shí)的減速梯度陡峭的梯度減小。
5.如權(quán)利要求4所述的基板處理方法，其特征在于，所述急減速工序的執(zhí)行時(shí)間在1.0秒以下。
6.如權(quán)利要求4或5所述的基板處理方法，其特征在于，在所述急減速工序中，使所述基板的旋轉(zhuǎn)速度減小到200rpm以下。
7.如權(quán)利要求4或5所述的基板處理方法，其特征在于，所述急減速工序中的沖洗液的供給流量被設(shè)定為4.0 (升/分鐘)以上。
8.如權(quán)利要求4或5所述的基板處理方法，其特征在于，所述急減速工序中的沖洗液的供給流量被設(shè)定為與所述高速?zèng)_洗工序時(shí)的沖洗液的供給流量相同的流量。
9.如權(quán)利要求4或5所述的基板處理方法，其特征在于，所述急減速工序中的沖洗液的供給流量被設(shè)定為與所述積液工序時(shí)的沖洗液的供給流量相同的流量。
10.如權(quán)利要求1或2所述的基板處理方法，其特征在于，還包括低表面張力液置換工序，在該低表面張力液置換工序中，利用低表面張力液置換通過所述積液工序形成的浸液狀的沖洗液的液膜。
11.一種基板處理裝置， 具有: 基板保持單元，保持基板， 基板旋轉(zhuǎn)單元，使被所述基板保持單元保持的所述基板旋轉(zhuǎn)， 藥液供給單元，用于向由所述基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板的表面供給藥液， 沖洗液供給單元，用于向由所述基板旋轉(zhuǎn)單元旋轉(zhuǎn)的基板的表面供給沖洗液， 控制單元，對(duì)所述基板旋轉(zhuǎn)單元、所述藥液供給單元以及所述沖洗液供給單元進(jìn)行控制，來(lái)執(zhí)行藥液工序和沖洗工序，其中，在所述藥液工序中，一邊使所述基板以規(guī)定的旋轉(zhuǎn)速度旋轉(zhuǎn)，一邊向所述基板的表面供給藥液，來(lái)對(duì)所述基板的表面進(jìn)行藥液處理，所述沖洗工序緊接著所述藥液工序來(lái)進(jìn)行，在所述沖洗工序中，通過向旋轉(zhuǎn)的基板的表面供給沖洗液，來(lái)利用所述沖洗液沖洗掉在所述基板的表面上附著的藥液，并形成該沖洗液的液膜；其特征在于， 所述沖洗工序包括高速?zèng)_洗工序和在該高速?zèng)_洗之后進(jìn)行的減速?zèng)_洗工序， 所述控制單元在所述減速?zèng)_洗工序中，在比所述高速?zèng)_洗工序時(shí)的旋轉(zhuǎn)速度低的旋轉(zhuǎn)速度的范圍內(nèi)使所述基板的旋轉(zhuǎn)速度減小，并以比所述高速?zèng)_洗工序時(shí)的最大供給流量大的流量向所述基板的表面供給沖洗液，由此執(zhí)行在所述基板的表面上形成浸液狀的沖洗液的液膜的積液工序。
【文檔編號(hào)】H01L21/02GK104517807SQ201410493910
【公開日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月26日
【發(fā)明者】吉住明日香, 樋口鲇美 申請(qǐng)人:斯克林集團(tuán)公司