顯示裝置及其制造方法
【專利摘要】一種顯示裝置及其制造方法。顯示裝置包括：分別在襯底的第一和第二區(qū)域上形成的柵電極和柵墊；在柵電極和柵墊上形成的、設(shè)有暴露柵墊的至少一部分的第一孔的絕緣膜；分別在第一和第二區(qū)域中的絕緣膜上形成的數(shù)據(jù)墊和源和漏電極；在源和漏電極上形成的待與漏電極電連接的像素電極、在數(shù)據(jù)墊上形成的待與數(shù)據(jù)墊電連接且覆蓋數(shù)據(jù)墊的第一保護(hù)電極；在整個(gè)襯底表面上形成的、設(shè)有暴露柵墊的至少一部分的第二孔和暴露第一保護(hù)電極的至少一部分的第三孔的鈍化膜；在鈍化膜上形成的、通過(guò)由第一和第二孔的組合構(gòu)成的第一接觸孔與柵墊連接且通過(guò)由第三孔構(gòu)成的第二接觸孔與第一保護(hù)電極連接的連接電極。第一保護(hù)電極由與像素電極的材料相同的材料形成。
【專利說(shuō)明】顯示裝置及其制造方法
[0001]對(duì)相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
[0002]本申請(qǐng)要求了提交于2013年9月30日的韓國(guó)專利申請(qǐng)第10_2013_0115872號(hào)的優(yōu)先權(quán)，出于所有的目的而將該專利申請(qǐng)通過(guò)引用合并于此，就像在此完全闡述該專利申請(qǐng)一樣。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0003]本發(fā)明涉及顯示裝置，更具體而言涉及顯示裝置的跳線(jumping)結(jié)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0004]已開(kāi)發(fā)了諸如液晶顯示裝置、等離子體顯示板和有機(jī)發(fā)光顯示裝置的各種顯示裝置。
[0005]在顯示裝置中，使用跳線結(jié)構(gòu)來(lái)將在彼此不同的相應(yīng)層上形成的多個(gè)線彼此電連接，從而相同的數(shù)據(jù)可被施加于這些線。
[0006]在下文中，將參考圖1描述一般性跳線結(jié)構(gòu)。圖1是示出了一般性跳線結(jié)構(gòu)、尤其示出了在顯示裝置的墊(pad)區(qū)域中形成的跳線結(jié)構(gòu)的橫截面視圖。
[0007]如圖1中所示，在具有一般性跳線結(jié)構(gòu)的顯示裝置中，在襯底10上圖案化第一線12，并且在包括第一線12的襯底10的整個(gè)表面上形成絕緣膜14。此時(shí)，絕緣膜14設(shè)置有用于部分地暴露第一線12的第一接觸孔CH1。在絕緣膜14上圖案化第二線16，并且在包括第二線16的絕緣膜14的整個(gè)表面上形成鈍化膜18。此時(shí)，鈍化膜18設(shè)置有用于部分地暴露第二線16的第二接觸孔CH2。用于將第一線12與第二線16相連接的連接電極20通過(guò)第一接觸孔CHl與第一線12相連接，并且在鈍化膜18上形成，以便通過(guò)第二接觸孔CH2與第二線16相連接。在彼此不同的相應(yīng)層上形成的第一線12和第二線16通過(guò)連接電極20彼此電連接。
[0008]然而，在如圖1中所示的跳線結(jié)構(gòu)的情形中，在通過(guò)部分地蝕刻鈍化膜18來(lái)形成第二接觸孔CH2以暴露第二線16的過(guò)程中，第二線16也被蝕刻，從而第二線16的形態(tài)劣化。另外，在先前已被執(zhí)行以形成漏極接觸孔(未示出)的蝕刻過(guò)程中，第二線16的形態(tài)可能已經(jīng)劣化。亦即，第二線16的形態(tài)可能受到兩個(gè)蝕刻過(guò)程即用于形成漏極接觸孔的蝕刻過(guò)程和用于形成第二接觸孔CH2的蝕刻過(guò)程的影響。出現(xiàn)如下問(wèn)題:由于第二線16的形態(tài)的劣化，如圖2中所示那樣出現(xiàn)底切(undercut)。而且，還出現(xiàn)如下問(wèn)題:由于如圖3中所示的底切，在第二線16上出現(xiàn)連接電極20斷開(kāi)的區(qū)域。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0009]因而，本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其制造方法，其基本上消除了歸因于相關(guān)技術(shù)的局限和缺點(diǎn)的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。
[0010]本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是提供一種顯示裝置及其制造方法，其中，當(dāng)形成用于在彼此不同的相應(yīng)層上形成的多個(gè)線的電連接的跳線結(jié)構(gòu)時(shí)，可防止出現(xiàn)底切。
[0011]本發(fā)明的額外優(yōu)點(diǎn)和特征將部分地在后面的描述中闡述，部分地將對(duì)于查閱了后面的內(nèi)容的本領(lǐng)域技術(shù)人員而言顯而易見(jiàn)，或者可以從對(duì)本發(fā)明的實(shí)踐中獲悉。本發(fā)明的目標(biāo)和其它優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在書(shū)面描述及其權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的顯示裝置包括:在襯底上形成的柵電極和第一金屬，柵電極在襯底的第一區(qū)域上形成，并且第一金屬在襯底的第二區(qū)域上形成；在柵電極和第一金屬上形成的絕緣膜，絕緣膜設(shè)置有用于暴露第一金屬的至少一部分的第一孔；在第一區(qū)域中的絕緣膜上形成的源電極和漏電極、以及在第二區(qū)域中的絕緣膜上形成的第二金屬；在源電極和漏電極上形成的、待與漏電極電連接的像素電極、以及在第二金屬上形成的、待與第二金屬電連接并且至少部分地覆蓋第二金屬的第一保護(hù)電極；在包括像素電極和第一保護(hù)電極的襯底的整個(gè)表面上形成的鈍化膜，鈍化膜設(shè)置有用于暴露第一金屬的至少一部分的第二孔以及用于暴露第一保護(hù)電極的至少一部分的第三孔；以及在鈍化膜上形成的連接電極，連接電極通過(guò)由第一孔和第二孔的組合構(gòu)成的第一接觸孔與第一金屬相連接、并且通過(guò)由第三孔構(gòu)成的第二接觸孔與第一保護(hù)電極相連接，其中，第一保護(hù)電極由與像素電極的材料相同的材料形成。
[0013]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一保護(hù)電極延伸至絕緣膜上的未形成有第二金屬的區(qū)域，并且第三孔在鈍化膜中形成以暴露第一保護(hù)電極的不與第二金屬重疊的延伸區(qū)域。
[0014]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，該顯示裝置還包括:平坦化膜，平坦化膜在第一區(qū)域中的源電極和漏電極上形成、并且在第二區(qū)域中的第二金屬上形成以部分地暴露第二金屬，其中，像素電極在第一區(qū)域中的平坦化膜上形成，以與漏電極電連接，其中，第一保護(hù)電極在第二區(qū)域中的平坦化膜和未設(shè)置有平坦化膜的第二金屬上形成以至少部分地覆蓋第二金屬，并且其中，第一金屬由與柵電極的材料相同的材料形成，并且第二金屬由與源電極和漏電極的材料相同的材料形成。
[0015]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，平坦化膜由包括光敏化合物(PAC)的丙烯酸樹(shù)脂形成。
[0016]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一金屬被配置為柵墊，并且第二金屬被配置為數(shù)據(jù)墊。
[0017]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，該顯示裝置還包括在第一保護(hù)電極與鈍化膜之間形成的第二保護(hù)電極，其中，連接電極通過(guò)第二保護(hù)電極與第一保護(hù)電極相連接。
[0018]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，該顯示裝置還包括用于接收用戶的觸摸信號(hào)的公共電極以及與公共電極相連接的感測(cè)線，其中，第二保護(hù)電極使用與感測(cè)線的材料相同的材料形成，并且連接電極由與公共電極的材料相同的材料形成。
[0019]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，該顯示裝置還包括用于接收用戶的觸摸信號(hào)的公共電極以及與公共電極相連接的感測(cè)線，其中，連接電極使用與公共電極的材料相同的材料形成。
[0020]根據(jù)各個(gè)實(shí)施例的一種用于制造顯示裝置的方法包括以下步驟:在柵電極和第一金屬上形成柵絕緣膜，其中柵電極在襯底的第一區(qū)域上形成，第一金屬在襯底的第二區(qū)域上形成，柵絕緣膜具有用于暴露第一金屬的至少一部分的第一孔；在第一區(qū)域的柵絕緣膜上形成源電極和漏電極，并且在第二區(qū)域的柵絕緣膜上形成第二金屬；在包括源電極、漏電極和第二金屬的襯底的整個(gè)表面上形成用于形成像素電極的第一材料層；通過(guò)圖案化第一材料層而在第一區(qū)域上形成與漏電極電連接的像素電極，并且在第二區(qū)域中的第二金屬上形成與第二金屬電連接并且覆蓋第二金屬的第一保護(hù)電極；在包括像素電極和第一保護(hù)電極的襯底的整個(gè)表面上形成鈍化膜，鈍化膜設(shè)置有用于暴露第一金屬的至少一部分的第二孔以及用于暴露第一保護(hù)電極的至少一部分的第三孔；以及在第一區(qū)域中的鈍化膜上形成公共電極，并且在第二區(qū)域中的鈍化膜上形成連接電極，連接電極通過(guò)由第一孔和第二孔的組合構(gòu)成的第一接觸孔與第一金屬相連接、并且通過(guò)由第三孔構(gòu)成的第二接觸孔與第一保護(hù)電極相連接。
[0021]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，第一保護(hù)電極延伸至絕緣膜上的未形成有第二金屬的區(qū)域，并且第三孔在鈍化膜中形成以暴露第一保護(hù)電極的不與第二金屬重疊的延伸區(qū)域。
[0022]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在形成第二金屬的步驟與形成第一材料層的步驟之間，該方法還包括如下步驟:在第一區(qū)域中的包括源電極和漏電極的襯底的整個(gè)表面上、并且在第二區(qū)域中的第二金屬上形成平坦化膜以部分地暴露第二金屬，其中，第一保護(hù)電極在第二區(qū)域中的平坦化膜和未形成有平坦化膜的第二金屬上形成以覆蓋第二金屬。
[0023]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，平坦化膜由包括光敏化合物(PAC)的丙烯酸樹(shù)脂形成。
[0024]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，在形成像素電極的步驟與形成鈍化膜的步驟之間，該方法還包括如下步驟:在包括第一保護(hù)電極和像素電極的襯底的整個(gè)表面上形成第二材料層，并且在第一區(qū)域中的像素電極上形成與用于接收用戶的觸摸信號(hào)的公共電極相連接的感測(cè)線，并且通過(guò)圖案化第二材料層而在第二區(qū)域中的第一保護(hù)電極上形成第二保護(hù)電極，其中，連接電極通過(guò)第二保護(hù)電極與第一保護(hù)電極相連接。
[0025]在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中，連接電極和公共電極使用彼此相同的材料同時(shí)地形成。
[0026]為了實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)和其它優(yōu)點(diǎn)并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在本文中體現(xiàn)并且寬泛描述的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，如圖4或圖5中所示，一種顯示裝置包括:在襯底上形成的柵電極和柵墊，柵電極在襯底的第一區(qū)域上形成，并且柵墊在襯底的第二區(qū)域上形成；在柵電極和柵墊上形成的絕緣膜，絕緣膜設(shè)置有用于暴露柵墊的至少一部分的第一孔；在第一區(qū)域中的絕緣膜上形成的源電極和漏電極、以及在第二區(qū)域中的絕緣膜上形成的數(shù)據(jù)墊；在源電極和漏電極上形成的、待與漏電極電連接的像素電極、以及在數(shù)據(jù)墊上形成的、待與數(shù)據(jù)墊電連接并且覆蓋數(shù)據(jù)墊的第一保護(hù)電極；在包括像素電極和第一保護(hù)電極的襯底的整個(gè)表面上形成的鈍化膜，鈍化膜設(shè)置有用于暴露柵墊的至少一部分的第二孔以及用于暴露第一保護(hù)電極的至少一部分的第三孔；以及在鈍化膜上形成的連接電極，連接電極通過(guò)由第一孔和第二孔的組合構(gòu)成的第一接觸孔與柵墊相連接、并且通過(guò)由第三孔構(gòu)成的第二接觸孔與第一保護(hù)電極相連接，其中，第一保護(hù)電極由與像素電極的材料相同的材料形成。
[0027]在本發(fā)明的另一方面中，如圖8或圖9中所示，一種顯示裝置包括:在襯底上形成的柵電極和第一金屬，柵電極在襯底的第一區(qū)域上形成，并且第一金屬在襯底的第二區(qū)域上形成；在柵電極和第一金屬上形成的絕緣膜，絕緣膜設(shè)置有用于暴露第一金屬的至少一部分的第一孔；在第一區(qū)域中的絕緣膜上形成的源電極和漏電極、以及在第二區(qū)域中的絕緣膜上形成的第二金屬；平坦化膜，平坦化膜在第一區(qū)域中的源電極和漏電極上形成、并且在第二區(qū)域中的第二金屬上形成以部分地暴露第二金屬；在第一區(qū)域中的平坦化膜上形成的、待與漏電極電連接的像素電極、以及在第二區(qū)域中的平坦化膜和未設(shè)置有平坦化膜的第二金屬上形成以覆蓋第二金屬的第一保護(hù)電極；在包括像素電極和第一保護(hù)電極的襯底的整個(gè)表面上形成的鈍化膜，鈍化膜設(shè)置有用于暴露第一金屬的至少一部分的第二孔以及用于暴露在平坦化膜上形成的第一保護(hù)電極的至少一部分的第三孔；以及在鈍化膜上形成的連接電極，連接電極通過(guò)由第一孔和第二孔的組合構(gòu)成的第一接觸孔與第一金屬相連接、并且通過(guò)由第三孔構(gòu)成的第二接觸孔與第一保護(hù)電極相連接，其中，第一金屬由與柵電極的材料相同的材料形成，第二金屬由與源電極和漏電極的材料相同的材料形成，并且第一保護(hù)電極由與像素電極的材料相同的材料形成。
[0028]在本發(fā)明的另一方面中，一種用于制造顯示裝置的方法包括:在柵電極和第一金屬上形成柵絕緣膜，其中柵電極在襯底的第一區(qū)域上形成，第一金屬在襯底的第二區(qū)域上形成，柵絕緣膜具有用于暴露第一金屬的至少一部分的第一孔；在第一區(qū)域的柵絕緣膜上形成源電極和漏電極，并且在第二區(qū)域的柵絕緣膜上形成第二金屬；在包括源電極、漏電極和第二金屬的襯底的整個(gè)表面上形成用于形成像素電極的第一材料層；通過(guò)圖案化第一材料層而在第一區(qū)域上形成與漏電極電連接的像素電極，并且在第二區(qū)域中的第二金屬上形成與第二金屬電連接并且覆蓋第二金屬的第一保護(hù)電極；在包括像素電極和第一保護(hù)電極的襯底的整個(gè)表面上形成鈍化膜，鈍化膜設(shè)置有用于暴露第一金屬的至少一部分的第二孔以及用于暴露第一保護(hù)電極的至少一部分的第三孔；以及在第一區(qū)域中的鈍化膜上形成公共電極，并且在第二區(qū)域中的鈍化膜上形成連接電極，連接電極通過(guò)由第一孔和第二孔的組合構(gòu)成的第一接觸孔與第一金屬相連接、并且通過(guò)由第三孔構(gòu)成的第二接觸孔與第一保護(hù)電極相連接。
[0029]應(yīng)理解，本發(fā)明的前面的概括描述和后面的詳細(xì)描述都是示例性的和解釋性的，并且意在提供對(duì)所要求保護(hù)的發(fā)明的進(jìn)一步解釋。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030]包括了附圖以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解，將附圖合并在本申請(qǐng)中并構(gòu)成本申請(qǐng)的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例并且與說(shuō)明書(shū)一起用來(lái)解釋本發(fā)明的原理。在附圖中:
[0031]圖1是示出了在根據(jù)相關(guān)技術(shù)的顯示裝置的墊區(qū)域中形成的跳線結(jié)構(gòu)的橫截面視圖；
[0032]圖2是示出了當(dāng)形成圖1中所示的跳線結(jié)構(gòu)時(shí)底切的出現(xiàn)的橫截面視圖；
[0033]圖3是示出了當(dāng)形成圖1中所示的跳線結(jié)構(gòu)時(shí)可能出現(xiàn)的連接電極的開(kāi)口的橫截面視圖；
[0034]圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)所應(yīng)用于的顯示裝置的橫截面視圖；
[0035]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的改型實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)所應(yīng)用于的顯示裝置的橫截面視圖；
[0036]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)所應(yīng)用于的顯示裝置的橫截面視圖；
[0037]圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的改型實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)所應(yīng)用于的顯示裝置的橫截面視圖；
[0038]圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)所應(yīng)用于的顯示裝置的橫截面視圖；
[0039]圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的改型實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)所應(yīng)用于的顯示裝置的橫截面視圖；以及
[0040]圖1OA至圖1OG是示出了用于制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的顯示裝置的方法的橫截面視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0041]現(xiàn)在將詳細(xì)參考本發(fā)明的示例性實(shí)施例，其例子在附圖中示出。只要可能，將在所有附圖中使用相同的參考標(biāo)號(hào)來(lái)指代相同或相似的部件。
[0042]同時(shí)，本說(shuō)明書(shū)中所公開(kāi)的術(shù)語(yǔ)應(yīng)當(dāng)按下面來(lái)理解。
[0043]當(dāng)某個(gè)結(jié)構(gòu)在另一結(jié)構(gòu)“上”或“下”形成時(shí)，應(yīng)理解，本公開(kāi)包括兩種情形:這些結(jié)構(gòu)彼此相接觸的情形和第三結(jié)構(gòu)插入于上述結(jié)構(gòu)之間的情形。然而，當(dāng)使用術(shù)語(yǔ)“直接在…上”或“直接在…下”時(shí)，該術(shù)語(yǔ)應(yīng)理解為僅限于這些結(jié)構(gòu)彼此相接觸。
[0044]應(yīng)理解，在本說(shuō)明書(shū)中所使用的單數(shù)表達(dá)包括復(fù)數(shù)表達(dá)，除非在上下文中不同地規(guī)定。諸如“第一”和“第二”的術(shù)語(yǔ)意在識(shí)別一個(gè)元件與另一個(gè)元件，并且應(yīng)理解，本發(fā)明的范圍不應(yīng)當(dāng)受這些術(shù)語(yǔ)的限制。
[0045]而且，還應(yīng)理解，諸如“包括”和“具有”的術(shù)語(yǔ)不意在排除一個(gè)或多個(gè)特征、數(shù)字、步驟、操作、元件、部件或它們的組合的存在或可選的可能性。
[0046]在下文中，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的上述實(shí)施例。
[0047]顯示裝置
[0048]第一實(shí)施例
[0049]圖4是示出了包括根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)的顯示裝置的橫截面視圖。
[0050]如圖4中所示，包括根據(jù)第一實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)的顯示裝置包括形成有薄膜晶體管的薄膜晶體管區(qū)域101和形成有跳線結(jié)構(gòu)的跳線區(qū)域102。
[0051]首先，在襯底100上圖案化柵電極104和第一金屬110。在一個(gè)實(shí)施例中，第一金屬110可以是由與柵電極的材料相同的材料形成的柵墊。在下文中，為了便于描述，假設(shè)第一金屬I1是柵墊。
[0052]在薄膜晶體管區(qū)域101中形成柵電極104，并且在跳線區(qū)域102中形成柵墊110。柵電極104可從柵線(未示出)延伸，并且柵墊110可通過(guò)板中柵((Gate In Panel)GIP,未示出)與柵線的一端相連接。板中柵是集成在板中的柵驅(qū)動(dòng)電路。
[0053]在柵電極104和柵墊110上形成柵絕緣膜120。在襯底100的除了用于第一接觸孔CHl的區(qū)域以外的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜120。因而，柵墊110通過(guò)第一接觸孔CHl被部分地暴露。該柵絕緣膜120可通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法來(lái)形成。
[0054]在柵絕緣膜120上圖案化半導(dǎo)體層122和第二金屬130。在一個(gè)實(shí)施例中，第二金屬130可以是由與源電極124a和漏電極124b的材料相同的材料形成的數(shù)據(jù)墊，這將在后面描述。在下文中，為了便于描述，假設(shè)第二金屬130是數(shù)據(jù)墊。
[0055]半導(dǎo)體層122在薄膜晶體管區(qū)域101中形成，并且可由基于硅的半導(dǎo)體材料或氧化物半導(dǎo)體材料形成。數(shù)據(jù)墊130在跳線區(qū)域102中形成，并且與數(shù)據(jù)線(未示出)的一端相連接。
[0056]在半導(dǎo)體層122上圖案化源電極124a和漏電極124b。在薄膜晶體管區(qū)域101中形成源電極124a和漏電極124b。源電極124a與數(shù)據(jù)線相連接，且漏電極124b與源電極124a間隔開(kāi)，同時(shí)面對(duì)源電極124a。
[0057]在數(shù)據(jù)線、源電極124a和漏電極124b上形成第一鈍化膜126。在除了用于第三接觸孔CH3的區(qū)域以外的薄膜晶體管區(qū)域101中形成第一鈍化膜126。在形成有柵墊110和數(shù)據(jù)墊130的跳線區(qū)域102中不形成第一鈍化膜126。第一鈍化膜126可由無(wú)機(jī)絕緣材料比如氮化硅或氧化硅制成。
[0058]在第一鈍化膜126上形成平坦化膜135。平坦化膜135在薄膜晶體管區(qū)域中形成，但是可以不在柵墊I1和數(shù)據(jù)墊130上形成。平坦化膜135可由有機(jī)絕緣材料比如包括光敏化合物(PAC)的丙烯酸樹(shù)脂制成。平坦化膜135以比第一鈍化膜126的厚度更厚的厚度形成，并且可用來(lái)使襯底平坦化。
[0059]在平坦化膜135上圖案化像素電極140a，并且在數(shù)據(jù)墊130上圖案化第一保護(hù)電極140b。換言之，第一保護(hù)電極140b是當(dāng)像素電極140a形成時(shí)與像素電極140a —起在數(shù)據(jù)墊130上形成的，并且由與像素電極140a的材料相同的材料制成。像素電極140a通過(guò)第三接觸孔CH3與漏電極124b相連接。第三接觸孔CH3由分別在第一鈍化膜126和平坦化膜135中形成的孔的組合構(gòu)成。
[0060]在本發(fā)明中，第一保護(hù)電極140b是當(dāng)像素電極140a形成時(shí)與像素電極140a—起在數(shù)據(jù)墊130上形成的，從而防止數(shù)據(jù)墊130被蝕刻。在一個(gè)實(shí)施例中，可使用透明導(dǎo)電材料比如氧化銦錫(ITO)來(lái)形成像素電極140a和第一保護(hù)電極140b。
[0061]在像素電極140a和第一保護(hù)電極140b上形成第二鈍化膜150。在襯底的除了用于第一接觸孔CHl和第二接觸孔CH2的區(qū)域以外的整個(gè)表面上形成第二鈍化膜150。第二鈍化膜150可由無(wú)機(jī)絕緣材料比如氮化硅或氧化硅制成。因而，第一保護(hù)電極140b通過(guò)第二接觸孔CH2被部分地暴露。
[0062]換言之，在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)的情形中，由于在數(shù)據(jù)墊130上形成了第一保護(hù)電極140b，所以在蝕刻第二鈍化膜150以形成第二接觸孔CH2的過(guò)程中數(shù)據(jù)墊130不暴露于外部，從而可防止發(fā)生由數(shù)據(jù)墊130的蝕刻引起的形態(tài)劣化。結(jié)果，可防止出現(xiàn)連接電極160b的開(kāi)口(這將在后面描述)以及底切。在傳統(tǒng)的制造過(guò)程中，如下兩個(gè)蝕刻過(guò)程可影響(例如，損壞)數(shù)據(jù)墊130的形態(tài)，S卩，用于形成第三接觸孔CH3的蝕刻過(guò)程(此時(shí)，第一鈍化膜126也可從數(shù)據(jù)墊130上方被去除，從而暴露數(shù)據(jù)墊130并且影響數(shù)據(jù)墊130的表面形態(tài))以及用于形成第二接觸孔CH2的蝕刻過(guò)程(此時(shí)，第二鈍化膜150也可從數(shù)據(jù)墊130上方被去除，從而再次暴露數(shù)據(jù)墊130并且影響數(shù)據(jù)墊130的表面形態(tài))。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，在蝕刻第二鈍化膜150的過(guò)程中，數(shù)據(jù)墊130可被第一保護(hù)電極140b所保護(hù)。由此，蝕刻第二鈍化膜150的過(guò)程不會(huì)影響數(shù)據(jù)墊130的表面形態(tài)。由此，可防止或者至少相當(dāng)大地降低數(shù)據(jù)墊130的表面形態(tài)的劣化。
[0063]在第二鈍化膜150上圖案化公共電極160a和連接電極160b。在薄膜晶體管區(qū)域101中形成公共電極160a，并且在跳線區(qū)域102中形成連接電極160b。
[0064]更詳細(xì)地，連接電極160b通過(guò)第一接觸孔CHl與柵墊110相連接，并且通過(guò)第二接觸孔CH2與第一保護(hù)電極140b相連接。由于連接電極160b通過(guò)第二接觸孔CH2與第一保護(hù)電極140b相連接并且第一保護(hù)電極140b如上所述與數(shù)據(jù)墊130直接連接,所以連接電極160b也與數(shù)據(jù)墊130相連接。因而，柵墊110通過(guò)連接電極160b與數(shù)據(jù)墊130電連接。
[0065]公共電極160a和連接電極160b通過(guò)相同的過(guò)程在同一層上由相同的材料形成。
[0066]在前述實(shí)施例中，僅第一保護(hù)電極140b在數(shù)據(jù)墊130上形成以防止數(shù)據(jù)墊130被蝕刻。在改型實(shí)施例中，如果根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置包括用于感測(cè)用戶的觸摸的感測(cè)線(其構(gòu)建在顯示板中)，則可在第一保護(hù)電極140b上由與感測(cè)線的材料相同的材料附加地形成第二保護(hù)電極以防止數(shù)據(jù)墊130被蝕刻。在下文中，將參考圖5描述第一實(shí)施例的改型實(shí)施例。
[0067]圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的改型實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)所應(yīng)用于的顯示裝置的橫截面視圖。為了便于描述，將描述與第一實(shí)施例不同的圖5中所示的結(jié)構(gòu)。
[0068]在第二鈍化膜150上圖案化具有接觸部600a的感測(cè)線600。在薄膜晶體管區(qū)域101中形成感測(cè)線600。而且，在跳線區(qū)域102中的第一保護(hù)電極140b上由與感測(cè)線600的材料相同的材料形成第二保護(hù)電極170。
[0069]由于感測(cè)線600與公共電極160a相連接，所以感測(cè)線600用來(lái)將由公共電極160a感測(cè)到的用戶的觸摸信號(hào)傳遞至觸摸驅(qū)動(dòng)器(未示出)。為了傳遞用戶的觸摸信號(hào)，多個(gè)感測(cè)線600與多個(gè)公共電極160a成對(duì)地連接。換言之，該多個(gè)感測(cè)線600分別與該多個(gè)公共電極160a —對(duì)一地連接。為了防止透光率由于感測(cè)線600而降低，感測(cè)線600被形成為與數(shù)據(jù)線重疊。
[0070]根據(jù)該實(shí)施例，由于在跳線區(qū)域102中的第一保護(hù)電極140b上形成了第二保護(hù)電極170，所以第二保護(hù)電極170通過(guò)第二接觸孔CH2被暴露，并且連接電極160b通過(guò)第二接觸孔CH2與第二保護(hù)電極170相連接。因而，連接電極160b通過(guò)保護(hù)電極140b和第二保護(hù)電極170與數(shù)據(jù)墊130相連接，從而柵墊110通過(guò)連接電極160b與數(shù)據(jù)墊130電連接。
[0071]在感測(cè)線600上形成第三鈍化膜155。在薄膜晶體管區(qū)域101內(nèi)在襯底的除了用于第四接觸孔CH4的區(qū)域以外的整個(gè)表面上形成第三鈍化膜155。第三鈍化膜155可由無(wú)機(jī)絕緣材料比如氮化硅或氧化硅制成。
[0072]在第一實(shí)施例的改型實(shí)施例的情形中，盡管通過(guò)與用于形成感測(cè)線600的過(guò)程不同的單獨(dú)過(guò)程來(lái)形成像素電極140a和第一保護(hù)電極140b，但是在另一改型實(shí)施例中，可通過(guò)單個(gè)過(guò)程、通過(guò)使用一個(gè)掩模以減少掩模數(shù)目來(lái)將感測(cè)線600與像素電極140a和第一保護(hù)電極140b —起形成。在此情形中，由于感測(cè)線600直接在像素電極140a上形成，第二鈍化膜150在感測(cè)線600上形成，并且公共電極160a在第二鈍化膜150上形成，所以第三鈍化膜155被省略。
[0073]第二實(shí)施例
[0074]圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)所應(yīng)用于的顯示裝置的橫截面視圖。
[0075]如圖6中所示，在包括根據(jù)第二實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)的顯示裝置中，在襯底100上圖案化柵電極104和第一金屬110。在一個(gè)實(shí)施例中，第一金屬110可以是由與柵電極的材料相同的材料形成的柵墊。在下文中，為了便于描述，假設(shè)第一金屬110是柵墊。
[0076]在薄膜晶體管區(qū)域101中形成柵電極104，并且在跳線區(qū)域102中形成柵墊110。柵電極104可從柵線(未示出)延伸，并且柵墊110通過(guò)板中柵(GIP，未示出)與柵線的一端相連接。板中柵是集成在板中的柵驅(qū)動(dòng)電路。
[0077]在柵電極104和柵墊110上形成柵絕緣膜120。在襯底100的除了用于第一接觸孔CHl的區(qū)域以外的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜120。因而，柵墊110通過(guò)第一接觸孔CHl被部分地暴露。該柵絕緣膜120可通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法來(lái)形成。
[0078]在柵絕緣膜120上圖案化半導(dǎo)體層122和第二金屬130。在一個(gè)實(shí)施例中，第二金屬130可以是由與源電極124a和漏電極124b的材料相同的材料形成的數(shù)據(jù)墊，這將在后面描述。在下文中，為了便于描述，假設(shè)第二金屬130是數(shù)據(jù)墊。
[0079]半導(dǎo)體層122在薄膜晶體管區(qū)域101中形成，并且可由基于硅的半導(dǎo)體材料或氧化物半導(dǎo)體材料制成。數(shù)據(jù)墊130在跳線區(qū)域102中形成，并且與數(shù)據(jù)線(未示出)的一端相連接。
[0080]在半導(dǎo)體層122上圖案化源電極124a和漏電極124b。在薄膜晶體管區(qū)域101中形成源電極124a和漏電極124b。源電極124a與數(shù)據(jù)線相連接，且漏電極124b與源電極124a間隔開(kāi)，同時(shí)面對(duì)源電極124a。
[0081]在數(shù)據(jù)線、源電極124a和漏電極124b上形成第一鈍化膜126。在除了用于第三接觸孔CH3的區(qū)域以外的薄膜晶體管區(qū)域101中形成第一鈍化膜126。在形成有柵墊110和數(shù)據(jù)墊130的跳線區(qū)域102中不形成第一鈍化膜126。第一鈍化膜126可由無(wú)機(jī)絕緣材料比如氮化硅或氧化硅制成。
[0082]在第一鈍化膜126上形成平坦化膜135。平坦化膜135在薄膜晶體管區(qū)域中形成，但是可以不在柵墊I1和數(shù)據(jù)墊130上形成。平坦化膜135可由有機(jī)絕緣材料比如包括光敏化合物(PAC)的丙烯酸樹(shù)脂制成。平坦化膜135以比第一鈍化膜126的厚度更厚的厚度形成，并且可用來(lái)使襯底平坦化。
[0083]在平坦化膜135上圖案化像素電極140a，并且在數(shù)據(jù)墊130上圖案化第一保護(hù)電極140b。換言之，第一保護(hù)電極140b是當(dāng)像素電極140a形成時(shí)使用與像素電極140a的材料相同的材料在跳線區(qū)域102中的數(shù)據(jù)墊130上形成的。
[0084]像素電極140a通過(guò)第三接觸孔CH3與漏電極124b相連接。第三接觸孔CH3由分別在第一鈍化膜126和平坦化膜135中形成的孔的組合構(gòu)成。
[0085]在本發(fā)明中，在跳線區(qū)域102中的數(shù)據(jù)墊130上形成由與像素電極140a的材料相同的材料形成的第一保護(hù)電極140b，從而防止數(shù)據(jù)墊130被蝕刻。
[0086]更詳細(xì)地，第一保護(hù)電極140b延伸至未形成有數(shù)據(jù)墊130的區(qū)域，同時(shí)完全覆蓋柵絕緣膜120上的數(shù)據(jù)墊130。
[0087]在像素電極140a和第一保護(hù)電極140b上形成第二鈍化膜150。在襯底的除了用于第一接觸孔CHl和第二接觸孔CH2的區(qū)域以外的整個(gè)表面上形成第二鈍化膜150。第二鈍化膜150可由無(wú)機(jī)絕緣材料比如氮化硅或氧化硅制成。此時(shí)，在與第一實(shí)施例不同的第二實(shí)施例中，第二鈍化膜150被形成為使得第二接觸孔CH2不與數(shù)據(jù)墊130重疊。
[0088]換言之，在根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)的情形中，由于通過(guò)蝕刻不與數(shù)據(jù)墊130重疊的第二鈍化膜150來(lái)形成第二接觸孔CH2，所以在形成第二接觸孔CH2的過(guò)程中數(shù)據(jù)墊130上的第一保護(hù)電極140b不暴露于外部，從而可防止發(fā)生由數(shù)據(jù)墊130的蝕刻引起的形態(tài)劣化。結(jié)果，可防止出現(xiàn)連接電極160b的開(kāi)口(這將在后面描述)以及底切。
[0089]第一保護(hù)電極140b通過(guò)第二接觸孔CH2被暴露。
[0090]在第二鈍化膜150上圖案化公共電極160a和連接電極160b。在薄膜晶體管區(qū)域101中形成公共電極160a，并且在跳線區(qū)域102中形成連接電極160b。
[0091]更詳細(xì)地，連接電極160b通過(guò)第一接觸孔CHl與柵墊110相連接，并且通過(guò)第二接觸孔CH2與第一保護(hù)電極140b相連接。由于連接電極160b通過(guò)第二接觸孔CH2與第一保護(hù)電極140b相連接并且第一保護(hù)電極140b如上所述與數(shù)據(jù)墊130直接連接,所以連接電極160b也與數(shù)據(jù)墊130相連接。因而，柵墊110通過(guò)連接電極160b與數(shù)據(jù)墊130電連接。
[0092]公共電極160a和連接電極160b通過(guò)相同的過(guò)程在同一層上由相同的材料形成。
[0093]在前述第二實(shí)施例中，僅第一保護(hù)電極140b在數(shù)據(jù)墊130上形成以防止數(shù)據(jù)墊130被蝕刻。在改型實(shí)施例中，如果根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置包括用于感測(cè)用戶的觸摸的感測(cè)線(其構(gòu)建在顯示板中)，則如圖7中所示，可在第一保護(hù)電極140b上由與感測(cè)線的材料相同的材料附加地形成第二保護(hù)電極170以防止數(shù)據(jù)墊130被蝕刻。由于除了第二保護(hù)電極170以外的其它元件與圖6的描述相同，并且第二保護(hù)電極170與圖5中所示的第二保護(hù)電極170相同，所以將省略它們的詳細(xì)描述。
[0094]第三實(shí)施例
[0095]圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)所應(yīng)用于的顯示裝置的橫截面視圖。
[0096]如圖8中所示，在包括根據(jù)第三實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)的顯示裝置中，在襯底100上圖案化柵電極104和第一金屬110。在一個(gè)實(shí)施例中，第一金屬110可以是由與柵電極的材料相同的材料形成的柵墊。在下文中，為了便于描述，假設(shè)第一金屬110是柵墊。
[0097]在薄膜晶體管區(qū)域101中形成柵電極104，并且在跳線區(qū)域102中形成柵墊110。柵電極104可從柵線(未示出)延伸，并且柵墊110通過(guò)板中柵(GIP，未示出)與柵線的一端相連接。板中柵是集成在板中的柵驅(qū)動(dòng)電路。
[0098]在柵電極104和柵墊110上形成柵絕緣膜120。在襯底100的除了用于第一接觸孔CHl的區(qū)域以外的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜120。因而，柵墊110通過(guò)第一接觸孔CHl被部分地暴露。該柵絕緣膜120可通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法來(lái)形成。
[0099]在柵絕緣膜120上圖案化半導(dǎo)體層122和第二金屬130。在一個(gè)實(shí)施例中，第二金屬130可以是由與源電極124a和漏電極124b的材料相同的材料形成的數(shù)據(jù)墊，這將在后面描述。在下文中，為了便于描述，假設(shè)第二金屬130是數(shù)據(jù)墊。
[0100]半導(dǎo)體層122在薄膜晶體管區(qū)域101中形成，并且可由基于硅的半導(dǎo)體材料或氧化物半導(dǎo)體材料制成。數(shù)據(jù)墊130在跳線區(qū)域102中形成，并且與數(shù)據(jù)線(未示出)的一端相連接。
[0101]在半導(dǎo)體層122上圖案化源電極124a和漏電極124b。在薄膜晶體管區(qū)域101中形成源電極124a和漏電極124b。源電極124a與數(shù)據(jù)線相連接，且漏電極124b與源電極124a間隔開(kāi)，同時(shí)面對(duì)源電極124a。
[0102]在數(shù)據(jù)線、源電極124a和漏電極124b上形成第一鈍化膜126。在除了用于第三接觸孔CH3的區(qū)域以外的薄膜晶體管區(qū)域101中形成第一鈍化膜126。在形成有柵墊110和數(shù)據(jù)墊130的跳線區(qū)域102中不形成第一鈍化膜126。第一鈍化膜126可由無(wú)機(jī)絕緣材料比如氮化硅或氧化硅制成。
[0103]在薄膜晶體管區(qū)域101之內(nèi)的第一鈍化膜126上并且在跳線區(qū)域102之內(nèi)的數(shù)據(jù)墊130上形成平坦化膜135。在此情形中，在數(shù)據(jù)墊130上形成平坦化膜135以部分地暴露數(shù)據(jù)墊130。平坦化膜135可由有機(jī)絕緣材料比如包括光敏化合物(PAC)的丙烯酸樹(shù)脂制成。平坦化膜135以比第一鈍化膜126的厚度更厚的厚度形成，并且可用來(lái)使襯底平坦化。
[0104]在平坦化膜135上圖案化像素電極140a，并且在數(shù)據(jù)墊130和平坦化膜135上圖案化第一保護(hù)電極140b。換言之，在薄膜晶體管區(qū)域101內(nèi)的平坦化膜135上圖案化像素電極140a，并且在跳線區(qū)域102內(nèi)的數(shù)據(jù)墊130和平坦化膜135上形成第一保護(hù)電極140b。此時(shí)，第一保護(hù)電極140b是當(dāng)像素電極140a形成時(shí)與像素電極140a—起形成的。更詳細(xì)地，第一保護(hù)電極140b延伸至平坦化膜135上的不與數(shù)據(jù)墊130重疊的區(qū)域，同時(shí)至少部分地(例如，完全地)覆蓋數(shù)據(jù)墊130。
[0105]像素電極140a通過(guò)第三接觸孔CH3與漏電極124b相連接。第三接觸孔CH3由分別在第一鈍化膜126和平坦化膜135中形成的孔的組合構(gòu)成。
[0106]在像素電極140a和第一保護(hù)電極140b上形成第二鈍化膜150。在襯底的除了用于第一接觸孔CHl和第二接觸孔CH2的區(qū)域以外的整個(gè)表面上形成第二鈍化膜150。第二鈍化膜150可由無(wú)機(jī)絕緣材料比如氮化硅或氧化硅制成。此時(shí)，第二接觸孔CH2通過(guò)蝕刻用于在平坦化膜135上形成的第二鈍化膜150的區(qū)域來(lái)形成，并且可被形成為不與數(shù)據(jù)墊130重疊。
[0107]換言之，在根據(jù)本發(fā)明的第三實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)的情形中，由于通過(guò)蝕刻用于在平坦化膜135上形成的第二鈍化膜150的區(qū)域來(lái)形成第二接觸孔CH2，所以在形成第二接觸孔CH2的過(guò)程中與數(shù)據(jù)墊130接觸的第一保護(hù)電極140b的區(qū)域不暴露于外部。因而，可防止發(fā)生由數(shù)據(jù)墊130的蝕刻引起的形態(tài)劣化，從而可防止出現(xiàn)連接電極160b的開(kāi)口(這將在后面描述)以及底切。
[0108]第一保護(hù)電極140b通過(guò)第二接觸孔CH2被部分地暴露于平坦化膜135上。
[0109]在第二鈍化膜150上圖案化公共電極160a和連接電極160b。在薄膜晶體管區(qū)域101中形成公共電極160a，并且在跳線區(qū)域102中形成連接電極160b。
[0110]更詳細(xì)地，連接電極160b通過(guò)第一接觸孔CHl與柵墊110相連接，并且通過(guò)第二接觸孔CH2與第一保護(hù)電極140b相連接。由于連接電極160b通過(guò)第二接觸孔CH2與第一保護(hù)電極140b相連接并且第一保護(hù)電極140b如上所述與數(shù)據(jù)墊130直接連接,所以連接電極160b也與數(shù)據(jù)墊130相連接。因而，柵墊110通過(guò)連接電極160b與數(shù)據(jù)墊130電連接。
[0111]公共電極160a和連接電極160b通過(guò)相同的過(guò)程在同一層上由相同的材料形成。
[0112]在前述第三實(shí)施例中，僅第一保護(hù)電極140b在數(shù)據(jù)墊130上形成以防止數(shù)據(jù)墊130被蝕刻。在改型實(shí)施例中，如果根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置包括用于感測(cè)用戶的觸摸的感測(cè)線(其構(gòu)建在顯示板中)，則如圖9中所示，可在第一保護(hù)電極140b上由與感測(cè)線的材料相同的材料附加地形成第二保護(hù)電極170以防止數(shù)據(jù)墊130被蝕刻。由于除了第二保護(hù)電極170以外的其它元件與圖8的描述相同，并且第二保護(hù)電極170與圖5中所示的第二保護(hù)電極170相同，所以將省略它們的詳細(xì)描述。
[0113]根據(jù)前述實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)可用于根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置內(nèi)的各個(gè)部分。例如，根據(jù)前述實(shí)施例的跳線結(jié)構(gòu)可用于包括在驅(qū)動(dòng)集成電路(未示出)中的墊部，或者可用在板中柵(GIP)中。
[0114]上面已描述了構(gòu)成顯示裝置的襯底，且本發(fā)明包括可使用前述襯底的各種顯示裝置，例如，液晶顯示裝置、等離子體顯示板和有機(jī)發(fā)光顯示裝置。
[0115]顯示裝置的制造方法
[0116]在下文中，將參考圖10描述用于制造根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置的方法。
[0117]圖1OA至圖1OG是示出了用于制造根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的顯示裝置的方法的橫截面視圖，并且涉及制造圖4中所示的顯示裝置的過(guò)程步驟。
[0118]首先，如圖1OA中所示，在襯底100上限定待設(shè)置有薄膜晶體管的薄膜晶體管區(qū)域101和待設(shè)置有跳線結(jié)構(gòu)的跳線區(qū)域102。在襯底100上圖案化柵電極104和第一金屬110。在一個(gè)實(shí)施例中，第一金屬110可以是由與柵電極104的材料相同的材料形成的柵墊。在下文中，為了便于描述，假設(shè)第一金屬110是柵墊。
[0119]在薄膜晶體管區(qū)域101中形成柵電極104，并且在跳線區(qū)域102中形成柵墊110。
[0120]可在通過(guò)例如濺射方法在襯底100上沉積薄膜層之后通過(guò)一系列掩模過(guò)程比如光致抗蝕劑沉積、曝光、顯影、蝕刻和剝離來(lái)圖案化柵電極104和柵墊110。也可通過(guò)薄膜層的沉積和該系列掩模過(guò)程來(lái)執(zhí)行形成元件的圖案的過(guò)程(這將在下文中描述)。
[0121]接下來(lái)，如圖1OB中所示，在柵電極104和柵墊110上形成柵絕緣膜120，并且在柵絕緣膜120上圖案化半導(dǎo)體層122。通過(guò)等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)方法在襯底100的整個(gè)表面上形成柵絕緣膜120，并且在薄膜晶體管區(qū)域101中形成半導(dǎo)體層122。
[0122]接下來(lái)，如圖1OC中所示，在半導(dǎo)體層122上圖案化與數(shù)據(jù)線(未示出)相連接的源電極124a和漏電極124b，并且在柵絕緣膜120上圖案化第二金屬130。在一個(gè)實(shí)施例中，第二金屬130可以是由與源電極124a和漏電極124b的材料相同的材料形成的數(shù)據(jù)墊。在下文中，為了便于描述，假設(shè)第二金屬130是數(shù)據(jù)墊。
[0123]在薄膜晶體管區(qū)域101中形成源電極124a和漏電極124b，并且在跳線區(qū)域102中形成數(shù)據(jù)墊130。
[0124]接下來(lái)，如圖1OD中所示，在數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)墊130、源電極124a和漏電極124b上形成第一鈍化膜126，并且在第一鈍化膜126上圖案化平坦化膜135。之后，第一鈍化膜126和平坦化膜135被部分地去除，以形成用于將漏電極124b暴露于外部的第三接觸孔CH3。當(dāng)部分地去除第一鈍化膜126時(shí)，第一鈍化膜126也在跳線區(qū)域102中被去除，如圖1OD中所
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[0125]通過(guò)PECVD方法在襯底的整個(gè)表面上形成第一鈍化膜126。
[0126]在薄膜晶體管區(qū)域101中形成平坦化膜135。更詳細(xì)地，在將包括光敏化合物(PAC)的有機(jī)絕緣材料沉積在襯底的整個(gè)表面上之后，通過(guò)曝光和顯影過(guò)程來(lái)圖案化平坦化膜135。
[0127]接下來(lái)，在包括平坦化膜135和數(shù)據(jù)墊130的襯底的整個(gè)表面上形成金屬材料層(未示出)，然后將該金屬材料層圖案化以在平坦化膜135上形成像素電極140a并且在數(shù)據(jù)墊130上形成第一保護(hù)電極140b，如圖1OE中所示。像素電極140a在薄膜晶體管區(qū)域101中被圖案化為通過(guò)第三接觸孔CH3與漏電極124b相連接。
[0128]在本發(fā)明的情形中，如上所述，在跳線區(qū)域102中的數(shù)據(jù)墊130上形成的第一保護(hù)電極140b防止數(shù)據(jù)墊130被蝕刻。在一個(gè)實(shí)施例中，用于形成像素電極140a和第一保護(hù)電極140b的金屬材料層可由透明導(dǎo)電材料比如氧化銦錫(ITO)形成。
[0129]接下來(lái)，如圖1OF中所示，在第二鈍化膜150在包括像素電極140a和第一保護(hù)電極140b的襯底的整個(gè)表面上形成之后，將在跳線區(qū)域102中形成的第二鈍化膜150部分地去除以形成用于部分地暴露柵墊的第一接觸孔CHl以及用于部分地暴露在數(shù)據(jù)墊130上形成的第一保護(hù)電極140b的第二接觸孔CH2。
[0130]通過(guò)PECVD方法在襯底的整個(gè)表面上形成第二鈍化膜150。
[0131]如上所述，在傳統(tǒng)的制造過(guò)程中，如下兩個(gè)蝕刻過(guò)程可影響(例如，損壞)數(shù)據(jù)墊130的形態(tài)，即，用于形成第三接觸孔CH3的蝕刻過(guò)程(此時(shí)，第一鈍化膜126也可從數(shù)據(jù)墊130上方被去除，從而暴露數(shù)據(jù)墊130并且影響數(shù)據(jù)墊130的表面形態(tài))以及用于形成第二接觸孔CH2的蝕刻過(guò)程(此時(shí)，第二鈍化膜150也可從數(shù)據(jù)墊130上方被去除，從而再次暴露數(shù)據(jù)墊130并且影響數(shù)據(jù)墊130的表面形態(tài))。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，在蝕刻第二鈍化膜150的過(guò)程中，數(shù)據(jù)墊130可被第一保護(hù)電極140b所保護(hù)。由此，蝕刻第二鈍化膜150的過(guò)程不會(huì)影響數(shù)據(jù)墊130的表面形態(tài)。由此，可防止或者至少相當(dāng)大地降低數(shù)據(jù)墊130的表面形態(tài)的劣化。
[0132]接下來(lái)，如圖1OG中所示，在第二鈍化膜150上形成公共電極160a和連接電極160b。此時(shí)，連接電極160b由與公共電極160a的材料相同的材料形成。
[0133]公共電極160a可在薄膜晶體管區(qū)域101中被圖案化為在其中具有多個(gè)狹縫(未示出)。
[0134]連接電極160b通過(guò)第一接觸孔CHl與柵墊110相連接，并且通過(guò)第二接觸孔CH2與第一保護(hù)電極140b相連接。由于連接電極160b通過(guò)第二接觸孔CH2與第一保護(hù)電極140b相連接并且第一保護(hù)電極140b與數(shù)據(jù)墊130直接連接，所以連接電極160b也與數(shù)據(jù)墊130相連接。因而，柵墊110通過(guò)連接電極160b與數(shù)據(jù)墊130電連接。
[0135]在前述實(shí)施例中，僅第一保護(hù)電極140b在數(shù)據(jù)墊130上形成以防止數(shù)據(jù)墊130被蝕刻。在改型實(shí)施例中，如果根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置包括用于感測(cè)用戶的觸摸的感測(cè)線600 (其構(gòu)建在顯示板中)，則如圖5中所示，可在第一保護(hù)電極140b上由與感測(cè)線600的材料相同的材料附加地形成第二保護(hù)電極170以防止數(shù)據(jù)墊130被蝕刻。此時(shí)，第二保護(hù)電極170可當(dāng)感測(cè)線600形成時(shí)與感測(cè)線600 —起形成。可通過(guò)在襯底100的整個(gè)表面上形成用于形成感測(cè)線600的材料層并然后圖案化相應(yīng)的材料層來(lái)形成第二保護(hù)電極170和感測(cè)線600。
[0136]而且，為了減少掩模數(shù)目，當(dāng)感測(cè)線600和第二保護(hù)電極170形成時(shí)，感測(cè)線600和第二保護(hù)電極170可與像素電極140a和第一保護(hù)電極140b —起形成。在此情形中，直接在像素電極140a上形成感測(cè)線600，在感測(cè)線600上形成第二鈍化膜150，并且在第二鈍化膜150上形成公共電極160a。
[0137]而且，在前述實(shí)施例中，在與數(shù)據(jù)墊130重疊的區(qū)域中形成第二接觸孔CH2。然而，在改型實(shí)施例中，如圖6和圖7中所示，可在不與數(shù)據(jù)墊130重疊的區(qū)域中形成第二接觸孔CH2。為此，第一保護(hù)電極140b延伸至跳線區(qū)域102中的未形成有數(shù)據(jù)墊130的區(qū)域，同時(shí)至少部分地(例如，完全地)覆蓋柵絕緣膜120上的數(shù)據(jù)墊130。
[0138]而且，在前述實(shí)施例中，在跳線區(qū)域102中不形成平坦化膜135。然而，在改型實(shí)施例中，如圖8和圖9中所示，可在跳線區(qū)域102內(nèi)的數(shù)據(jù)墊130上形成平坦化膜135以部分地暴露數(shù)據(jù)墊130。根據(jù)該實(shí)施例，在跳線區(qū)域102內(nèi)的平坦化膜135上圖案化第一保護(hù)電極140b，并且在第一保護(hù)電極140b上形成第二鈍化膜150。此時(shí)，第二接觸孔CH2通過(guò)蝕刻用于在平坦化膜135上形成的第二鈍化膜150的區(qū)域來(lái)形成，并且可被形成為不與數(shù)據(jù)墊130重疊。
[0139]根據(jù)該實(shí)施例，由于用于在平坦化膜135上形成的第二鈍化膜150的區(qū)域被蝕刻以形成第二接觸孔CH2，所以在形成第二接觸孔CH2的過(guò)程中第一保護(hù)電極140b的與數(shù)據(jù)墊130接觸的區(qū)域不暴露于外部。因而，可防止發(fā)生由數(shù)據(jù)墊130的蝕刻引起的形態(tài)劣化，從而可防止出現(xiàn)連接電極160b的開(kāi)口以及底切。
[0140]根據(jù)如上所述的本發(fā)明，可獲得以下優(yōu)點(diǎn)。
[0141]由于當(dāng)用于第一金屬與第二金屬之間的電連接的跳線結(jié)構(gòu)形成時(shí)第二金屬未被蝕刻，所以可防止發(fā)生第二金屬的形態(tài)劣化，從而可防止出現(xiàn)用于將第一金屬與第二金屬相連接的連接電極的開(kāi)口以及底切。例如，在傳統(tǒng)的制造過(guò)程中，如下兩個(gè)蝕刻過(guò)程可影響(例如，損壞)第二金屬的形態(tài)，即，用于形成用于接觸漏電極的接觸孔的蝕刻過(guò)程(此時(shí)，第一鈍化膜也可從第二金屬上方被去除，從而暴露第二金屬并且影響第二金屬的表面形態(tài))以及用于形成用于接觸第二金屬的接觸孔的蝕刻過(guò)程(此時(shí)，第二鈍化膜也可從第二金屬上方被去除，從而再次暴露第二金屬并且影響第二金屬的表面形態(tài))。根據(jù)各個(gè)實(shí)施例，在蝕刻第二鈍化膜的過(guò)程中第二金屬可由保護(hù)電極保護(hù)。由此，蝕刻第二鈍化膜的過(guò)程不會(huì)影響第二金屬的表面形態(tài)。由此，可防止或者至少相當(dāng)大地降低第二金屬的表面形態(tài)的劣化。
[0142]而且，根據(jù)本發(fā)明，由于防止了出現(xiàn)連接電極的開(kāi)口，所以可防止出現(xiàn)柵線或數(shù)據(jù)線的缺陷，從而可提高顯示裝置的可靠性。
[0143]對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員顯而易見(jiàn)的是，在不背離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，可在本發(fā)明中作出各種改型和變化。因此，本發(fā)明意在涵蓋對(duì)本發(fā)明的改型和變化，只要它們落入所附權(quán)利要求及其等價(jià)物的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種顯示裝置，包括: 在襯底上形成的柵電極和第一金屬，所述柵電極在所述襯底的第一區(qū)域上形成，并且所述第一金屬在所述襯底的第二區(qū)域上形成； 在所述柵電極和所述第一金屬上形成的絕緣膜，所述絕緣膜設(shè)置有用于暴露所述第一金屬的至少一部分的第一孔； 在所述第一區(qū)域中的所述絕緣膜上形成的源電極和漏電極、以及在所述第二區(qū)域中的所述絕緣膜上形成的第二金屬； 在所述源電極和所述漏電極上形成的、待與所述漏電極電連接的像素電極、以及在所述第二金屬上形成的、待與所述第二金屬電連接并且至少部分地覆蓋所述第二金屬的第一保護(hù)電極； 在包括所述像素電極和所述第一保護(hù)電極的所述襯底的整個(gè)表面上形成的鈍化膜，所述鈍化膜設(shè)置有用于暴露所述第一金屬的至少一部分的第二孔以及用于暴露所述第一保護(hù)電極的至少一部分的第三孔；以及 在所述鈍化膜上形成的連接電極，所述連接電極通過(guò)由所述第一孔和所述第二孔的組合構(gòu)成的第一接觸孔與所述第一金屬相連接、并且通過(guò)由所述第三孔構(gòu)成的第二接觸孔與所述第一保護(hù)電極相連接， 其中，所述第一保護(hù)電極由與所述像素電極的材料相同的材料形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一保護(hù)電極延伸至所述絕緣膜上的未形成有所述第二金屬的區(qū)域，并且所述第三孔在所述鈍化膜中形成以暴露所述第一保護(hù)電極的不與所述第二金屬重疊的延伸區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括: 平坦化膜，所述平坦化膜在所述第一區(qū)域中的所述源電極和所述漏電極上形成、并且在所述第二區(qū)域中的所述第二金屬上形成以部分地暴露所述第二金屬， 其中，所述像素電極在所述第一區(qū)域中的所述平坦化膜上形成，以與所述漏電極電連接， 其中，所述第一保護(hù)電極在所述第二區(qū)域中的所述平坦化膜和未設(shè)置有所述平坦化膜的所述第二金屬上形成以至少部分地覆蓋所述第二金屬，并且 其中，所述第一金屬由與所述柵電極的材料相同的材料形成，并且所述第二金屬由與所述源電極和所述漏電極的材料相同的材料形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述平坦化膜由包括光敏化合物的丙烯酸樹(shù)脂形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述第一金屬被配置為柵墊，并且所述第二金屬被配置為數(shù)據(jù)墊。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括在所述第一保護(hù)電極與所述鈍化膜之間形成的第二保護(hù)電極，其中，所述連接電極通過(guò)所述第二保護(hù)電極與所述第一保護(hù)電極相連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置，還包括用于接收用戶的觸摸信號(hào)的公共電極以及與所述公共電極相連接的感測(cè)線，其中，所述第二保護(hù)電極使用與所述感測(cè)線的材料相同的材料形成，并且所述連接電極由與所述公共電極的材料相同的材料形成。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，還包括用于接收用戶的觸摸信號(hào)的公共電極以及與所述公共電極相連接的感測(cè)線，其中，所述連接電極使用與所述公共電極的材料相同的材料形成。
9.一種用于制造顯示裝置的方法，所述方法包括以下步驟: 在柵電極和第一金屬上形成柵絕緣膜，其中所述柵電極在襯底的第一區(qū)域上形成，所述第一金屬在所述襯底的第二區(qū)域上形成，所述柵絕緣膜具有用于暴露所述第一金屬的至少一部分的第一孔； 在所述第一區(qū)域的所述柵絕緣膜上形成源電極和漏電極，并且在所述第二區(qū)域的所述柵絕緣膜上形成第二金屬； 在包括所述源電極、所述漏電極和所述第二金屬的所述襯底的整個(gè)表面上形成用于形成像素電極的第一材料層； 通過(guò)圖案化所述第一材料層而在所述第一區(qū)域上形成與所述漏電極電連接的所述像素電極，并且在所述第二區(qū)域中的所述第二金屬上形成與所述第二金屬電連接并且覆蓋所述第二金屬的第一保護(hù)電極； 在包括所述像素電極和所述第一保護(hù)電極的所述襯底的整個(gè)表面上形成鈍化膜，所述鈍化膜設(shè)置有用于暴露所述第一金屬的至少一部分的第二孔以及用于暴露所述第一保護(hù)電極的至少一部分的第三孔；以及 在所述第一區(qū)域中的所述鈍化膜上形成公共電極，并且在所述第二區(qū)域中的所述鈍化膜上形成連接電極，所述連接電極通過(guò)由所述第一孔和所述第二孔的組合構(gòu)成的第一接觸孔與所述第一金屬相連接、并且通過(guò)由所述第三孔構(gòu)成的第二接觸孔與所述第一保護(hù)電極相連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述方法，其中，所述第一保護(hù)電極延伸至所述絕緣膜上的未形成有所述第二金屬的區(qū)域，并且所述第三孔在所述鈍化膜中形成以暴露所述第一保護(hù)電極的不與所述第二金屬重疊的延伸區(qū)域。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，在形成所述第二金屬的步驟與形成所述第一材料層的步驟之間，還包括如下步驟:在所述第一區(qū)域中的包括所述源電極和所述漏電極的所述襯底的整個(gè)表面上、并且在所述第二區(qū)域中的所述第二金屬上形成平坦化膜以部分地暴露所述第二金屬，其中，所述第一保護(hù)電極在所述第二區(qū)域中的所述平坦化膜和未形成有所述平坦化膜的所述第二金屬上形成以覆蓋所述第二金屬。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述平坦化膜由包括光敏化合物的丙烯酸樹(shù)脂形成。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，在形成所述像素電極的步驟與形成所述鈍化膜的步驟之間，還包括如下步驟:在包括所述第一保護(hù)電極和所述像素電極的所述襯底的整個(gè)表面上形成第二材料層，并且在所述第一區(qū)域中的所述像素電極上形成與用于接收用戶的觸摸信號(hào)的所述公共電極相連接的感測(cè)線，并且通過(guò)圖案化所述第二材料層而在所述第二區(qū)域中的所述第一保護(hù)電極上形成第二保護(hù)電極，其中，所述連接電極通過(guò)所述第二保護(hù)電極與所述第一保護(hù)電極相連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，所述連接電極和所述公共電極使用彼此相同的材料同時(shí)地形成。
【文檔編號(hào)】H01L21/768GK104517971SQ201410508590
【公開(kāi)日】2015年4月15日 申請(qǐng)日期:2014年9月28日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】洪玄碩, 安貞恩, 姜寅 申請(qǐng)人:樂(lè)金顯示有限公司