超導(dǎo)石墨基盤的制作方法
【專利摘要】超導(dǎo)石墨基盤，上石墨基盤與下石墨基盤的接觸面邊緣處緊密連接，二者連接處中間形成一個(gè)容置腔室，超導(dǎo)材料層置于容置腔室內(nèi)，上石墨基盤與下石墨基盤的整體外部涂有碳化硅層。本產(chǎn)品結(jié)構(gòu)完善，安全可靠。本產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)的多層均熱作用與傳統(tǒng)單層石墨均熱區(qū)別在于中間的超導(dǎo)材料層，超導(dǎo)材料熱導(dǎo)率≥14MW/m?℃，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于石墨的極限值1500W/m-K，熱阻在超導(dǎo)材料層的面積里可以為零，可以實(shí)現(xiàn)上石墨基盤的表面溫差優(yōu)于±0.1℃，甚至達(dá)到0溫差。極大促進(jìn)設(shè)備性能提升，LED產(chǎn)品波長一致性與發(fā)光效率得到顯著提升。
【專利說明】超導(dǎo)石墨基盤
[0001]【技術(shù)領(lǐng)域】本發(fā)明涉及LED (發(fā)光二極管)照明【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的來說是一種用于MOCVD設(shè)備的超導(dǎo)石墨基盤。
[0002]【背景技術(shù)】隨著環(huán)境污染壓力的增加，LED照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)得以興起，2014年諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)將會(huì)促使LED更進(jìn)一步發(fā)展，同時(shí)也顯示出LED對(duì)人類社會(huì)將會(huì)有巨大貢獻(xiàn)。進(jìn)一步提高LED產(chǎn)品質(zhì)量將是未來發(fā)展方向。LED產(chǎn)業(yè)鏈核心設(shè)備同時(shí)也是主要成本之一的MOCVD在得到不斷的發(fā)展。MOCVD關(guān)鍵技術(shù)有三項(xiàng):溫度精度、溫度均勻性、氣體均勻性。其中溫度均勻性就是指承載工藝襯底材料的基盤表面的溫度一致性。基盤材料的熱導(dǎo)率越大，基盤表面溫度一致性越高(見圖1 )，基盤表面溫差相差1°C，做出產(chǎn)品波長相差10納米以上，發(fā)出的光就會(huì)千差萬別。目前全球在這方面均采用熱導(dǎo)率最高的高純石墨作為基盤，石墨的熱導(dǎo)率在150-1500 W/m-K，是現(xiàn)有自然界熱導(dǎo)率最高的材料使得基盤表面溫差在±0.1°C。如何繼續(xù)提高基盤表面溫度一致性是未來重點(diǎn)發(fā)展方向之一。
[0003]
【發(fā)明內(nèi)容】
針對(duì)上述存在的問題，本發(fā)明的目的是提供一種表面溫差接近達(dá)到O溫差的超導(dǎo)石墨基盤。
[0004]本發(fā)明的技術(shù)方案是:超導(dǎo)石墨基盤，包括上石墨基盤、下石墨基盤、超導(dǎo)材料層、碳化硅層，其特征在于:上石墨基盤與下石墨基盤的接觸面邊緣處緊密連接，二者連接處中間形成一個(gè)容置腔室，超導(dǎo)材料層置于容置腔室內(nèi)，上石墨基盤與下石墨基盤的整體外部涂有碳化硅層。
[0005]本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn):本產(chǎn)品結(jié)構(gòu)完善，安全可靠。本產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)的多層均熱作用與傳統(tǒng)單層石墨均熱區(qū)別在于中間的超導(dǎo)材料層，超導(dǎo)材料熱導(dǎo)率彡14MW/m*°C，遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于石墨的極限值1500 W/m-K，熱阻在超導(dǎo)材料層的面積里可以為零，可以實(shí)現(xiàn)上石墨基盤的表面溫差優(yōu)于±0.1°C，甚至達(dá)到O溫差。極大促進(jìn)設(shè)備性能提升，LED產(chǎn)品波長一致性與發(fā)光效率得到顯著提升。
[0006]【專利附圖】

【附圖說明】圖1為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)主視圖。
[0007]圖2為圖1中D-D剖視圖。
[0008]【具體實(shí)施方式】現(xiàn)結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步具體說明。
[0009]如圖1、2所示，上石墨基盤I與下石墨基盤2的接觸面邊緣處緊密連接，二者連接處中間形成一個(gè)容置腔室，超導(dǎo)材料層3置于容置腔室內(nèi)，上石墨基盤I與下石墨基盤2的整體外部涂有碳化硅層4，加熱器5安裝位于下石墨基盤2的下部。
[0010]工作時(shí)，加熱器5將熱量傳導(dǎo)給下石墨基盤2，下石墨基盤2均熱后再傳導(dǎo)到超導(dǎo)材料層3，超導(dǎo)材料層均熱后再將熱量傳導(dǎo)給上石墨基盤I，上石墨基盤I熱量來源很均勻，再經(jīng)過上石墨基盤I均熱，能夠?qū)崿F(xiàn)溫差優(yōu)于±0.1°C，碳化硅層4密封與保護(hù)上下石墨基盤在高溫下不被氧化。
【權(quán)利要求】
1.超導(dǎo)石墨基盤，包括上石墨基盤(I)、下石墨基盤(2)、超導(dǎo)材料層(3)、碳化硅層(4)，其特征在于:上石墨基盤(I)與下石墨基盤(2)的接觸面邊緣處緊密連接，二者連接處中間形成一個(gè)容置腔室，超導(dǎo)材料層(3)置于容置腔室內(nèi)，上石墨基盤(I)與下石墨基盤(2)的整體外部涂有碳化硅層(4)。
【文檔編號(hào)】H01L21/683GK104409388SQ201410585022
【公開日】2015年3月11日 申請(qǐng)日期:2014年10月28日 優(yōu)先權(quán)日:2014年10月28日
【發(fā)明者】陳奕宏 申請(qǐng)人:磐石創(chuàng)新（湖南）新材料有限公司