串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻,包括筒裝外殼,在外殼的面板上固定有電流接線柱C1和C2以及電位接線柱P1和P2通過導(dǎo)線與外殼內(nèi)的線繞電阻R連接,線繞電阻R是由溫度系數(shù)相反的繞制電阻R1和電阻R2串聯(lián)組成,根據(jù)溫度系數(shù)的大小,截取相應(yīng)長度的卡瑪絲,分別繞制在電阻骨架上,兩只電阻中間串接點(diǎn)以及線繞電阻R與瓷絕緣套連接點(diǎn)均采用銀焊接,通過科學(xué)配對(duì)有效串聯(lián)使得線繞電阻R的溫度系數(shù)α趨于零,電阻骨架的上、下端面分別與外殼之間由錫密封焊層隔絕。采用本發(fā)明的技術(shù)方案,串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻性能可靠,穩(wěn)定性好,精度高,能在寬溫度范圍和寬濕度范圍內(nèi)保持±0.005%高精度技術(shù)特性,可在現(xiàn)場(chǎng)開展高精度檢定和校準(zhǔn)工作,大大降低了檢測(cè)成本。
【專利說明】串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于電子元件,具體設(shè)及串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻。
【背景技術(shù)】
[0002] 目前國內(nèi)外生產(chǎn)的中值標(biāo)準(zhǔn)電阻的阻值一般是在1 Q-100000 Q,主要是單電阻結(jié) 構(gòu),溫度系數(shù)大,溫度范圍窄,盡管精度很高,但保證精度的環(huán)境條件要求很高,在室外時(shí)由 于溫差的變化無法保證電阻的阻值精度,需要在恒溫室內(nèi)恒溫油槽或空氣槽條件下測(cè)量, 不便于到現(xiàn)場(chǎng)開展高精度檢定和校準(zhǔn)工作。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003] 本發(fā)明的目的在于提供一種阻值為1Q-100000Q的中值標(biāo)準(zhǔn)電阻,該電阻穩(wěn)定 性好,精度高,能在(20 + 10) °C寬溫度范圍、(25%?75%) RH寬濕度范圍內(nèi)保持±0. 005%高 精度技術(shù)特性,可在現(xiàn)場(chǎng)開展高精度檢定和校準(zhǔn)工作,從而大大降低檢測(cè)成本。
[0004] 為達(dá)到上述目的,本發(fā)明串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻包括筒狀外殼,在外殼的面板上固 定有電流接線柱C1和C2、電位接線柱P1和P2,其特征是;在外殼內(nèi)固定設(shè)有電阻骨架和瓷 絕緣套,在電阻骨架上設(shè)置有線繞電阻R,在電阻骨架的周圍包有絕緣材料;所述線繞電阻 R是由溫度系數(shù)相反的繞制電阻R1和繞制電阻R2串聯(lián)組成,所述電阻R1和R2是根據(jù)溫度 系數(shù)的大小,截取相應(yīng)長度的卡瑪絲,分別繞制在電阻骨架上,兩只電阻中間的串接點(diǎn)采用 銀焊接;所述電流接線柱C1和C2及電位接線柱P1和P2由紫銅辮子線通過瓷絕緣套與線 繞電阻R采用銀焊連接;所述電阻骨架的上、下端面分別與外殼之間由錫密封焊層隔絕。
[0005] 所述線繞電阻R是由正溫度系數(shù)的繞制電阻R1和負(fù)溫度系數(shù)的繞制電阻R2串聯(lián) 組成。
[0006] 所述線繞電阻R是由負(fù)溫度系數(shù)的繞制電阻R1和正溫度系數(shù)的繞制電阻R2串聯(lián) 組成。
[0007] 所述電流接線柱C1和C2、電位接線柱P1和P2及導(dǎo)電片均由紫銅椿加工而成,并 在接觸面鍛銀;電流、電位連接導(dǎo)線是由多股紫銅絲制成的辮子線。
[000引所述瓷絕緣套是陶瓷材料制成。
[0009] 所述外殼是黃銅制成,外殼的圓筒外表面鍛有一層銘。
[0010] 所述電阻骨架是黃銅制成,在電阻骨架的周圍包有絕緣材料。
[0011] 在上述技術(shù)方案中,是采用兩只正、負(fù)溫度系數(shù)的電阻串聯(lián)制作串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn) 電阻。系選用正溫度系數(shù)或負(fù)溫度系數(shù)的卡瑪絲繞制在電阻骨架上形成R1電阻,再根據(jù)科 學(xué)配對(duì),采用負(fù)溫度系數(shù)或正溫度系數(shù)的卡瑪絲繞制在電阻骨架上形成R2電阻,兩只電阻 中間串接點(diǎn)W及線繞電阻R兩端與瓷絕緣套連接點(diǎn)均采用銀焊接。本發(fā)明的技術(shù)方案具有 W下有益效果;第一,采用兩只電阻串聯(lián),電阻穩(wěn)定性好,精度高;第二,采用兩只正負(fù)溫度 系數(shù)的電阻串聯(lián)配對(duì),總溫度系數(shù)a趨于零,加上電阻絲為卡瑪絲其0值很小,從而有效 保證串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻在寬溫度范圍(20 + 10) °C和寬濕度范圍(25%?75%)RH內(nèi)保持 ±0. 005%高精度技術(shù)特性;第S,采用精磨電阻絲增大阻值的方法,可對(duì)R1和R2做到精細(xì) 調(diào)整,保證串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻精度控制在±0.005% W內(nèi);第四,將電阻骨架與外殼采用 錫密封焊層隔絕,確保電阻絲與外界空氣、水份隔絕,保證串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻年穩(wěn)定性小 于lOppm,確保電阻阻值穩(wěn)定可靠.。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0012] 圖1是本發(fā)明串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻的結(jié)構(gòu)示意圖; 圖2是本發(fā)明串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻的面板結(jié)構(gòu)示意圖; 圖3是本發(fā)明串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻的電路原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0013] 下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻作進(jìn)一步詳細(xì)說明。構(gòu)成本 申請(qǐng)的附圖用來提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,本發(fā)明的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本 發(fā)明,并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的不當(dāng)限定。
[0014] 由圖1、圖2可見,本實(shí)施例的串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻,包括筒狀外殼1,在外殼1的 面板5上固定有電流接線柱C1和C2、電位接線柱P1和P2,在外殼1內(nèi)固定安裝有電阻骨 架2和瓷絕緣套3,在電阻骨架2上設(shè)置有線繞電阻R,在電阻骨架2的周圍包有絕緣材料。 線繞電阻R是由溫度系數(shù)相反的繞制電阻R1和繞制電阻R2串聯(lián)組成,電阻R1和R2是根 據(jù)溫度系數(shù)的大小,截取相應(yīng)長度的卡瑪絲,分別繞制在電阻骨架2上,兩只電阻中間的串 接點(diǎn)采用銀焊接;電流接線柱C1和C2及電位接線柱P1和P2由紫銅辮子線通過瓷絕緣套 3與線繞電阻R采用銀焊連接。電阻骨架2的上、下端面分別與外殼1之間由錫密封焊層4 隔絕。在本實(shí)施例中,線繞電阻R由R1和R2分別根據(jù)溫度系數(shù)的大小截取相應(yīng)長度的卡 瑪絲先后繞制在電阻骨架2上,兩只電阻中間串接點(diǎn)采用銀焊接,線繞電阻R兩端與瓷絕緣 套銀焊接,通過紫銅辮子線從瓷絕緣套上分別引出電流、電位端到C1、P1和C2、P2接線柱 上。在本實(shí)施例中,外殼1是黃銅制成,外殼1的圓筒外表面鍛有一層銘。電阻骨架2是是 黃銅制成,在電阻骨架2的外表面周圍包有一層絕緣材料。電流接線柱C1和C2、電位接線 柱P1和P2及導(dǎo)電片均由紫銅椿加工而成,并在接觸面鍛銀;電流、電位連接導(dǎo)線是由多股 紫銅絲制成的辮子線。瓷絕緣套3是陶瓷材料制成。
[0015] 圖3是本實(shí)施例串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻的電路原理圖。電 路由電阻R1和R2串聯(lián)組成電阻R,串聯(lián)電阻R的溫度系數(shù)應(yīng)為 漢=魯巧+馬巧,療=4角爲(wèi)U1為繞制電阻R1的溫度系數(shù),曰2為繞制電阻R2的 K K K K 溫度系數(shù))。在本實(shí)施例中,通過測(cè)量一組卡瑪絲的溫度系數(shù),分別選取正、負(fù)溫度系數(shù)的卡 瑪絲各1根,其長度取決于溫度系數(shù)a的大小,保證串聯(lián)電阻R溫度系數(shù)a趨于零,然后 將選取好的卡瑪絲分別先后繞制在電阻骨架上,中間串接點(diǎn)W及電阻R兩端與瓷絕緣套連 接點(diǎn)均采用銀焊。本實(shí)施例中,線繞電阻R是由正溫度系數(shù)的繞制電阻R1和負(fù)溫度系數(shù)的 繞制電阻R2串聯(lián)組成,也可W是由負(fù)溫度系數(shù)的繞制電阻R1和正溫度系數(shù)的繞制電阻R2 串聯(lián)組成。
[0016] 在本實(shí)施例中,通過對(duì)裸電阻R值及溫度系數(shù)的測(cè)量,在溫度系數(shù)a趨于零的同 時(shí)控制電阻R的精度在±0. 005% W內(nèi),采用精磨電阻絲增大阻值的方法,達(dá)到精細(xì)調(diào)整的 目的,精磨的電阻絲部分采用絕緣處理。
[0017] 在本實(shí)施例中,通過對(duì)裸電阻R的測(cè)量和精細(xì)調(diào)整后,電阻骨架2的上、下端面分 別與電阻外殼密合并采用錫密封焊層4隔絕,確保電阻絲與外界空氣、水份隔絕,從而保證 電阻的年穩(wěn)定性小于lOppm。采用本實(shí)施例的技術(shù)方案,電阻精度非常高,其精度可控制在 ±0.005%^內(nèi),由于電阻R的溫度系數(shù)a、0很小,串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻可在寬溫度范圍 (20 + 10) °C和寬濕度范圍(25%?75%)RH保持±0. 005%高精度技術(shù)特性,便于現(xiàn)場(chǎng)開展高 精度檢定和校準(zhǔn)工作。本實(shí)施例中的串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻廣泛應(yīng)用于電磁類量值傳遞,儀 器儀表檢測(cè)等計(jì)量領(lǐng)域。
[0018] W上所述,僅是本發(fā)明的實(shí)施例,并非對(duì)本發(fā)明作任何限制,凡是根據(jù)本發(fā)明技術(shù) 實(shí)質(zhì)對(duì)W上實(shí)施例所作的任何簡單修改、變更W及等效方法的變化,均仍屬于本發(fā)明技術(shù) 方案的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻,包括筒狀外殼(1),在外殼(1)的面板(5)上固定有電流 接線柱C1和C2、電位接線柱P1和P2,其特征是:在外殼(1)內(nèi)固定設(shè)有電阻骨架(2)和瓷 絕緣套(3),在電阻骨架(2)上設(shè)置有線繞電阻R,在電阻骨架(2)的周圍包有絕緣材料;所 述線繞電阻R是由溫度系數(shù)相反的繞制電阻R1和繞制電阻R2串聯(lián)組成,所述電阻R1和 R2是根據(jù)溫度系數(shù)的大小,截取相應(yīng)長度的卡瑪絲,分別繞制在電阻骨架(2)上,兩只電阻 中間的串接點(diǎn)采用銀焊接;所述電流接線柱C1和C2及電位接線柱P1和P2由紫銅辮子線 通過瓷絕緣套(3)與線繞電阻R采用銀焊連接;所述電阻骨架(2)的上、下端面分別與外殼 (1)之間由錫密封焊層(4)隔絕。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻,其特征是:所述線繞電阻R是由 正溫度系數(shù)的繞制電阻R1和負(fù)溫度系數(shù)的繞制電阻R2串聯(lián)組成。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻,其特征是:所述線繞電阻R是由 負(fù)溫度系數(shù)的繞制電阻R1和正溫度系數(shù)的繞制電阻R2串聯(lián)組成。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻,其特征是:所述電流接線柱C1和 C2、電位接線柱P1和P2及導(dǎo)電片均由紫銅棒加工而成,并在接觸面鍍銀;電流、電位連接導(dǎo) 線是由多股紫銅絲制成的辮子線。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻,其特征是:所述瓷絕緣套(3)是陶 瓷材料制成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻,其特征是:所述外殼(1)是黃銅制 成,外殼(1)的圓筒外表面鍍有一層絡(luò)。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種串聯(lián)型中值標(biāo)準(zhǔn)電阻,其特征是:所述電阻骨架(2)是黃 銅制成,在電阻骨架(2)的周圍包有絕緣材料。
【文檔編號(hào)】H01C1/16GK104485187SQ201410771623
【公開日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年12月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月15日
【發(fā)明者】朱立無, 程旺苗, 方聯(lián)歐, 程方斌 申請(qǐng)人:安慶市計(jì)量測(cè)試所