一種高光密度高功率led裝置制造方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種高光密度高功率LED裝置，包括散熱基板和LED發(fā)光芯片，散熱基板上表面的中心區(qū)域設(shè)有絕緣導(dǎo)熱基板，絕緣導(dǎo)熱基板的上表面設(shè)有LED發(fā)光芯片，絕緣導(dǎo)熱基板的上表面還設(shè)有與LED發(fā)光芯片電連接的金屬觸片，散熱基板上表面在中心區(qū)域的周圍設(shè)有絕緣基板，絕緣基板與絕緣導(dǎo)熱基板之間具有間隙，絕緣基板上表面設(shè)有金屬線路層，金屬線路層上表面設(shè)有油漆層，油漆層上設(shè)有與金屬線路層電連接的電路引出位，絕緣導(dǎo)熱基板上表面的金屬觸片通過電路連接線與電路引出位電連接。本實用新型的高光密度高功率LED裝置既能高效散熱，又能實現(xiàn)熱電分離，從而降低了電源制作成本，提高了產(chǎn)品的安全性能，降低了燈具制作難度。
【專利說明】一種高光密度高功率LED裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實用新型涉及一種大功率LED【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種高光密度高功率LED裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有高光密度高功率LED產(chǎn)品(10瓦以上產(chǎn)品每平方毫米功率可以超過5瓦)采用銅板上通過導(dǎo)電銀漿固定垂直熱電一體LED發(fā)光芯片，用以實現(xiàn)LED芯片電氣連接，以及提供散熱通道。此種技術(shù)制作的LED光源熱電不分離，光源安裝后還需要進(jìn)行二次絕緣處理，使得燈具制作難度提升；所有LED發(fā)光芯片只能夠以并聯(lián)的方式連接，電壓只有LED芯片電壓，也就是4V左右，電流則需要達(dá)到20安培或者更高，電源制作成本上升，產(chǎn)品安全性降低。
實用新型內(nèi)容
[0003]本實用新型的目的是提供一種高光密度高功率LED裝置，既能高效散熱，又能實現(xiàn)LED發(fā)光芯片的熱電分離，從而能夠在LED發(fā)光芯片之間實現(xiàn)串、并連接，使得同等功率降低使用電流四分之三以上，從而降低了電源制作成本，提高了產(chǎn)品的安全性能，且不需要進(jìn)行二次絕緣處理，降低了燈具制作難度。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種高光密度高功率LED裝置，包括散熱基板和LED發(fā)光芯片，所述散熱基板上表面的中心區(qū)域設(shè)有絕緣導(dǎo)熱基板，所述絕緣導(dǎo)熱基板的上表面設(shè)有所述LED發(fā)光芯片，所述絕緣導(dǎo)熱基板的上表面還設(shè)有與所述LED發(fā)光芯片電連接的金屬觸片，所述散熱基板上表面在中心區(qū)域的周圍設(shè)有絕緣基板，所述絕緣基板與所述絕緣導(dǎo)熱基板之間具有間隙，所述絕緣基板上表面設(shè)有金屬線路層，所述金屬線路層上表面設(shè)有油漆層，所述油漆層上設(shè)有與所述金屬線路層電連接的電路引出位，所述絕緣導(dǎo)熱基板上表面的金屬觸片通過電路連接線與所述電路引出位電連接。
[0005]通過在散熱基板上設(shè)置絕緣導(dǎo)熱基板，在絕緣導(dǎo)熱基板上設(shè)置LED發(fā)光芯片，從而LED發(fā)光芯片的熱量可以通過絕緣導(dǎo)熱基板傳導(dǎo)至散熱基板進(jìn)行高效散熱，通過在散熱基板上設(shè)置絕緣基板，在絕緣基板上設(shè)置金屬線路層，在金屬線路層上設(shè)置油漆層，在油漆層上設(shè)置電路引出位與金屬線路層電連接，而電路引出位又通過電路連接線與絕緣導(dǎo)熱基板上的金屬觸片電連接，絕緣導(dǎo)熱基板上的金屬觸片又與LED發(fā)光芯片電連接，從而LED發(fā)光芯片可以通過電路連接線、電路引出位與金屬線路層實現(xiàn)電的導(dǎo)通，而熱絕緣導(dǎo)熱基板和絕緣基板之間又有間隙，從而該高光密度高功率LED裝置在保證高效散熱的同時又實現(xiàn)了 LED發(fā)光芯片電的導(dǎo)通，而且LED發(fā)光芯片的熱和電彼此分離，從而能夠在LED發(fā)光芯片之間實現(xiàn)串、并連接，使得同等功率降低使用電流四分之三以上，提升了電源轉(zhuǎn)換效率，從而降低了電源制作成本，降低了產(chǎn)品使用成本，節(jié)約了能源的使用，提高了產(chǎn)品的安全性能，且不需要進(jìn)行二次絕緣處理，簡化了產(chǎn)品后期的制作工藝，降低了燈具制作難度。
[0006]作為本實用新型的進(jìn)一步改進(jìn)，所述LED發(fā)光芯片通過第一共晶層共晶焊接連接在所述絕緣導(dǎo)熱基板上表面，所述絕緣導(dǎo)熱基板通過第二共晶層共晶焊接連接在所述散熱基板上表面。采用共晶焊接的方式使得LED發(fā)光芯片與絕緣導(dǎo)熱基板連接，以及使得絕緣導(dǎo)熱基板與散熱基板連接，能夠使得LED發(fā)光芯片和絕緣導(dǎo)熱基板更加穩(wěn)固，從而可以進(jìn)一步保證高效散熱。
[0007]作為本實用新型的更進(jìn)一步改進(jìn)，所述電路引出位和金屬觸片均分別有多個，所述電路連接線有多條，所述電路引出位、金屬觸片和電路連接線的數(shù)量均相同，所述的多個電路引出位均勻分布在所述LED發(fā)光芯片的周圍，所述的多個金屬觸片分布在所述的多個電路引出位的周圍，且各金屬觸片通過一所述電路連接線垂直連接一所述電路引出位。
[0008]作為本實用新型的更進(jìn)一步改進(jìn)，所述電路引出位有兩個，所述金屬觸片有四個，所述電路連接線有四條，所述的兩個電路引出位、四個金屬觸片和四條電路連接線均位于所述LED發(fā)光芯片的同一側(cè)，各所述電路引出位通過兩條電路連接線連接至兩個金屬觸片，所述的兩個電路引出位位于同一水平線上，所述的四個金屬觸片位于同一水平線上，所述的兩個電路引出位所在水平線與所述的四個金屬觸片所在水平線平行，各所述電路連接線的長度相同。
[0009]通過以下的描述并結(jié)合附圖，本實用新型將變得更加清晰，這些附圖用于解釋本實用新型的實施例。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0010]圖1為本實用新型中的高光密度高功率LED裝置實施例一的示意圖。
[0011]圖2為圖1的側(cè)視圖。
[0012]圖3為本實用新型中的高光密度高功率LED裝置實施例二的示意圖。
[0013]圖4為圖3的側(cè)視圖。
[0014]圖5為本實用新型中的高光密度高功率LED裝置實施例三的示意圖。
[0015]圖6為圖5的側(cè)視圖。
[0016]圖7為高光密度高功率LED裝置的示意圖。
【具體實施方式】
[0017]現(xiàn)在參考附圖描述本實用新型的實施例，附圖中類似的元件標(biāo)號代表類似的元件。
[0018]實施例一
[0019]請參考圖1、圖2和圖7，所述的高光密度高功率LED裝置包括散熱基板1，所述散熱基板I上表面的中心區(qū)域設(shè)有絕緣導(dǎo)熱基板2，所述絕緣導(dǎo)熱基板2的上表面設(shè)有所述LED發(fā)光芯片3，從而LED發(fā)光芯片3的熱量可以通過絕緣導(dǎo)熱基板2傳導(dǎo)至散熱基板I進(jìn)行高效散熱。所述絕緣導(dǎo)熱基板2的上表面還設(shè)有與所述LED發(fā)光芯片3電連接的金屬觸片4。所述散熱基板2上表面在中心區(qū)域的周圍設(shè)有絕緣基板5，所述絕緣基板5與所述絕緣導(dǎo)熱基板2之間具有間隙，所述絕緣基板5上表面設(shè)有金屬線路層6，所述金屬線路層6上表面設(shè)有油漆層7，所述油漆層7上設(shè)有與所述金屬線路層6電連接的電路引出位8，所述絕緣導(dǎo)熱基板2上表面的金屬觸片4通過電路連接線9與所述電路引出位8電連接，即LED發(fā)光芯片3通過電路引出位8和金屬線路層6實現(xiàn)電導(dǎo)通。
[0020]進(jìn)一步說明的是，所述LED發(fā)光芯片3通過第一共晶層10共晶焊接連接在所述絕緣導(dǎo)熱基板2上表面，所述絕緣導(dǎo)熱基板2通過第二共晶層11共晶焊接連接在所述散熱基板I上表面。
[0021]進(jìn)一步說明的是，所述電路引出位8和金屬觸片4均分別有多個，所述電路連接線9有多條，所述電路引出位8、金屬觸片4和電路連接線9的數(shù)量均相同，所述的多個電路引出位8均勻分布在所述LED發(fā)光芯片3的周圍并構(gòu)成方形結(jié)構(gòu)，所述的多個金屬觸片4分布在所述的多個電路引出位8的周圍，且各金屬觸片4通過一所述電路連接線9垂直連接一所述電路引出位8，該方形結(jié)構(gòu)其中兩條相鄰的邊上的電路連接線9均分別按照順時針方向由短變長分布，另兩條相鄰的邊中的其中一條邊上的電路連接線9是按照順時針方向由長變短再變長分布，另一條邊上的電路連接線9是按照順時針方向由短變長再變短分布。
[0022]由于LED發(fā)光芯片3通過絕緣導(dǎo)熱基板2與所述散熱基板I之間實現(xiàn)熱傳遞，達(dá)到散熱的目的，通過電路連接線9與所述金屬線路層6之間實現(xiàn)電導(dǎo)通，絕緣導(dǎo)熱基板2與絕緣基板5之間存在間隙，從而使得LED發(fā)光芯片3的散熱和電導(dǎo)通相互分離，彼此獨立，從而能夠在LED發(fā)光芯片之間實現(xiàn)串、并連接，使得同等功率降低使用電流四分之三以上，提升了電源轉(zhuǎn)換效率，從而降低了電源制作成本，降低了產(chǎn)品使用成本，節(jié)約了能源的使用，提高了產(chǎn)品的安全性能，且不需要進(jìn)行二次絕緣處理，簡化了產(chǎn)品后期的制作工藝，降低了燈具制作難度，還能夠保證LED發(fā)光芯片的高效散熱。
[0023]實施例二
[0024]請參考圖3、圖4和圖7，本實施例與上述實施例一的區(qū)別僅在于:該方形結(jié)構(gòu)的四條邊上的電路連接線9均分別按照順時針方向由短變長分布。本實施例與上述實施例效果相同，在此不贅述。
[0025]實施例三
[0026]請參考圖5、圖6和圖7，本實施例與上述實施例一的區(qū)別僅在于:所述電路引出位8有兩個，所述金屬觸片4有四個，所述電路連接線9有四條，所述的兩個電路引出位8、四個金屬觸片4和四條電路連接線9均位于所述LED發(fā)光芯片3的同一側(cè)，各所述電路引出位8通過兩條電路連接線9連接至兩個金屬觸片4，所述的兩個電路引出位8位于同一水平線上，所述的四個金屬觸片4位于同一水平線上，所述的兩個電路引出位8所在水平線與所述的四個金屬觸片4所在水平線平行，各所述電路連接線9的長度相同。本實施例與上述實施例效果相同，在此不贅述。
[0027]以上結(jié)合最佳實施例對本實用新型進(jìn)行了描述，但本實用新型并不局限于以上揭示的實施例，而應(yīng)當(dāng)涵蓋各種根據(jù)本實用新型的本質(zhì)進(jìn)行的修改、等效組合。
【權(quán)利要求】
1.一種高光密度高功率LED裝置，包括散熱基板和LED發(fā)光芯片，其特征在于:所述散熱基板上表面的中心區(qū)域設(shè)有絕緣導(dǎo)熱基板，所述絕緣導(dǎo)熱基板的上表面設(shè)有所述LED發(fā)光芯片，所述絕緣導(dǎo)熱基板的上表面還設(shè)有與所述LED發(fā)光芯片電連接的金屬觸片，所述散熱基板上表面在中心區(qū)域的周圍設(shè)有絕緣基板，所述絕緣基板與所述絕緣導(dǎo)熱基板之間具有間隙，所述絕緣基板上表面設(shè)有金屬線路層，所述金屬線路層上表面設(shè)有油漆層，所述油漆層上設(shè)有與所述金屬線路層電連接的電路引出位，所述絕緣導(dǎo)熱基板上表面的金屬觸片通過電路連接線與所述電路引出位電連接。
2.如權(quán)利要求1所述的高光密度高功率LED裝置，其特征在于:所述LED發(fā)光芯片通過第一共晶層共晶焊接連接在所述絕緣導(dǎo)熱基板上表面，所述絕緣導(dǎo)熱基板通過第二共晶層共晶焊接連接在所述散熱基板上表面。
3.如權(quán)利要求2所述的高光密度高功率LED裝置，其特征在于:所述電路引出位和金屬觸片均分別有多個，所述電路連接線有多條，所述電路引出位、金屬觸片和電路連接線的數(shù)量均相同，所述的多個電路引出位均勻分布在所述LED發(fā)光芯片的周圍，所述的多個金屬觸片分布在所述的多個電路引出位的周圍，且各金屬觸片通過一所述電路連接線垂直連接一所述電路引出位。
4.如權(quán)利要求2所述的高光密度高功率LED裝置，其特征在于:所述電路引出位有兩個，所述金屬觸片有四個，所述電路連接線有四條，所述的兩個電路引出位、四個金屬觸片和四條電路連接線均位于所述LED發(fā)光芯片的同一側(cè)，各所述電路引出位通過兩條電路連接線連接至兩個金屬觸片，所述的兩個電路引出位位于同一水平線上，所述的四個金屬觸片位于同一水平線上，所述的兩個電路引出位所在水平線與所述的四個金屬觸片所在水平線平行，各所述電路連接線的長度相同。
【文檔編號】H01L33/64GK203967123SQ201420402694
【公開日】2014年11月26日 申請日期:2014年7月21日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月21日
【發(fā)明者】張偉, 肖亮 申請人:廣州市添鑫光電有限公司