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      一種去磷硅玻璃清洗的制造方法

      文檔序號:7084080閱讀:879來源:國知局
      一種去磷硅玻璃清洗的制造方法
      【專利摘要】本實用新型公開了一種去磷硅玻璃清洗機,用于清洗晶硅太陽能電池的硅片,包括用于去除硅片正面的磷硅玻璃的HF酸槽和用于去除硅片背面和邊緣的N型硅的刻蝕槽;所述HF酸槽設于所述刻蝕槽之前。采用本實用新型,硅片先經(jīng)過HF酸槽的去磷硅玻璃處理,然后再經(jīng)過刻蝕槽的去除硅片背面和邊緣的N型硅處理,硅片正面邊緣的PN結(jié)就不會被刻蝕掉,從而不影響電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
      【專利說明】一種去磷硅玻璃清洗機

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實用新型涉及電池【技術(shù)領(lǐng)域】,尤其涉及一種制作晶硅太陽電池的去磷硅玻璃清洗機。

      【背景技術(shù)】
      [0002]太陽能電池是一種有效地吸收太陽輻射能,利用光生伏打效應把光能轉(zhuǎn)換成電能的器件,當太陽光照在半導體P-N結(jié)(P-N Junct1n)上,形成新的空穴-電子對(V_Epair),在P-N結(jié)電場的作用下,空穴由N區(qū)流向P區(qū),電子由P區(qū)流向N區(qū),接通電路后就形成電流。由于是利用各種勢壘的光生伏特效應將太陽光能轉(zhuǎn)換成電能的固體半導體器件,故又稱太陽能電池或光伏電池,是太陽能電池陣電源系統(tǒng)的重要組件。太陽能電池主要有晶硅(Si)電池,三五族半導體電池(GaAs,Cds/Cu2S, Cds/CdTe, Cds/InP, CdTe/Cu2Te),無機電池,有機電池等,其中晶硅太陽能電池居市場主流主導地位。晶硅太陽能電池的基本材料為純度達0.999999、電阻率在10歐?厘米以上的P型單晶硅,包括正面絨面、正面p_n結(jié)、正面減反射膜、正背面電極等部分。
      [0003]晶硅太陽能電池的制造工藝有6個主要步驟,分別為制絨,擴散,去磷硅玻璃和背結(jié),鍍膜,絲網(wǎng)印刷,燒結(jié)。其中去磷硅玻璃和背結(jié)采用化學刻蝕的原理,業(yè)界使用的是去磷硅玻璃鏈式清洗機。該清洗機由7個槽構(gòu)成,分別為刻蝕槽,水槽,堿槽,水槽,HF酸槽,水槽,風干槽。刻蝕槽的作用是去除硅片背面和邊緣的N型硅;HF酸槽的作用是去除硅片正面的磷硅玻璃。
      [0004]磷硅玻璃是硅片擴散后的副產(chǎn)物,是親水的。當硅片通過去磷硅玻璃鏈式清洗機時,部分刻蝕液會從硅片邊緣滲透到硅片的正面,硅片正面邊緣的部分PN結(jié)會被刻蝕掉。因此,電池的開路電壓和短路電流就會受到影響,最終降低電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
      實用新型內(nèi)容
      [0005]本實用新型所要解決的技術(shù)問題在于,提供一種不會降低太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率的去磷硅玻璃清洗機。
      [0006]為了解決上述技術(shù)問題,本實用新型提供了一種去磷硅玻璃清洗機,用于清洗晶娃太陽能電池的娃片,依次包括用于去除娃片正面的磷娃玻璃的HF酸槽和用于去除娃片背面和邊緣的N型硅的刻蝕槽;所述HF酸槽設于所述刻蝕槽之前。
      [0007]作為上述方案的改進,所述HF酸槽和刻蝕槽之間還設有第一堿槽、第一風干槽;
      [0008]所述HF酸槽、第一堿槽、第一風干槽和刻蝕槽依次相連。
      [0009]作為上述方案的改進,所述HF酸槽和第一堿槽之間設有第一水槽。
      [0010]作為上述方案的改進,所述第一堿槽和第一風干槽之間設有第二水槽。
      [0011]作為上述方案的改進,所述HF酸槽、第一水槽、第一堿槽、第二水槽、第一風干槽、刻蝕槽依次相連。
      [0012]作為上述方案的改進,所述去磷硅玻璃清洗機還包括第二堿槽、第二風干槽,所述第二堿槽、第二風干槽設于所述刻蝕槽之后。
      [0013]作為上述方案的改進,所述第二堿槽和刻蝕槽之間還設有第三水槽。
      [0014]作為上述方案的改進,所述第二堿槽和第二風干槽之間還設有第四水槽。
      [0015]作為上述方案的改進,所述HF酸槽、第一水槽、第一堿槽、第二水槽、第一風干槽、刻蝕槽、第三水槽、第二堿槽、第四水槽和第二風干槽依次相連。
      [0016]實施本實用新型,具有如下有益效果:
      [0017]本實用新型提供了一種去磷硅玻璃清洗機,包括用于去除硅片正面的磷硅玻璃的HF酸槽和用于去除硅片背面和邊緣的N型硅的刻蝕槽,所述HF酸槽設于刻蝕槽之前。本實用新型去磷硅玻璃清洗機的HF酸槽設于刻蝕槽之前,硅片先經(jīng)過HF酸槽的去磷硅玻璃處理,然后再經(jīng)過刻蝕槽的去除硅片背面和邊緣的N型硅處理,硅片正面的磷硅玻璃首先被去除掉后,硅片正面處于脫水的狀態(tài)。當硅片再進入刻蝕槽時,刻蝕液不會從硅片邊緣滲透到硅片正面。硅片正面邊緣的PN結(jié)就不會被刻蝕掉,從而不影響電池的光電轉(zhuǎn)換效率。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0018]圖1是現(xiàn)有去磷硅玻璃清洗機的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0019]圖2是本實用新型去磷硅玻璃清洗機的結(jié)構(gòu)示意圖。

      【具體實施方式】
      [0020]為使本實用新型的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚,下面將結(jié)合附圖對本實用新型作進一步地詳細描述。
      [0021]參見圖1,圖1顯示了現(xiàn)有去磷硅玻璃清洗機,該清洗機由7個槽構(gòu)成,分別為刻蝕槽1,水槽2,堿槽3,水槽4,HF酸槽5,水槽6,風干槽7。
      [0022]其中,刻蝕槽I的作用是去除硅片背面和邊緣的N型硅;HF酸槽5的作用是去除硅片正面的磷硅玻璃。
      [0023]磷硅玻璃是硅片擴散后的副產(chǎn)物,是親水的。硅片先經(jīng)過刻蝕槽I再經(jīng)過HF酸槽5,當硅片通過刻蝕槽I時,部分刻蝕液會從硅片邊緣滲透到硅片的正面,硅片正面邊緣的部分PN結(jié)會被刻蝕掉。因此,電池的開路電壓和短路電流就會受到影響,最終降低電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
      [0024]參見圖2,本實用新型提供了一種去磷硅玻璃清洗機,用于清洗晶硅太陽能電池的硅片,依次包括用于去除硅片正面的磷硅玻璃的HF酸槽I和用于去除硅片背面和邊緣的N型娃的刻蝕槽6 ;所述HF酸槽I設于所述刻蝕槽6之前。
      [0025]具體的,所述HF酸槽I和刻蝕槽6之間還設有第一堿槽3、第一風干槽5 ;所述HF酸槽1、第一堿槽3、第一風干槽5和刻蝕槽6依次相連。
      [0026]所述HF酸槽I和第一堿槽3之間設有第一水槽2。
      [0027]所述第一堿槽3和第一風干槽5之間設有第二水槽4。
      [0028]即,所述HF酸槽1、第一水槽2、第一堿槽3、第二水槽4、第一風干槽5、刻蝕槽6依次相連。
      [0029]進一步,作為本實用新型優(yōu)選的實施方式,所述去磷硅玻璃清洗機還包括第二堿槽8、第二風干槽10,所述第二堿槽8、第二風干槽10設于所述刻蝕槽6之后。
      [0030]所述第二堿槽8和刻蝕槽6之間還設有第三水槽7。
      [0031]所述第二堿槽8和第二風干槽10之間還設有第四水槽9。
      [0032]S卩,所述HF酸槽1、第一水槽2、第一堿槽3、第二水槽4、第一風干槽5、刻蝕槽6、第三水槽7、第二堿槽8、第四水槽9和第二風干槽10依次相連。
      [0033]與圖1所示的現(xiàn)有去磷硅玻璃清洗機相比,本實用新型在刻蝕槽6的前端增加了HF酸槽1、第一水槽2、第一堿槽3、第二水槽4、第一風干槽5等五個槽,再將刻蝕槽6后端的HF酸槽和水槽去掉。
      [0034]本實用新型去磷硅玻璃清洗機的HF酸槽I設于刻蝕槽6之前,硅片先經(jīng)過HF酸槽I的去磷硅玻璃處理,然后再經(jīng)過刻蝕槽6的去除硅片背面和邊緣的N型硅處理,即將傳統(tǒng)去磷硅玻璃清洗機的兩個功能改變先后順序。
      [0035]硅片正面的磷硅玻璃首先被去除掉后,硅片正面處于脫水的狀態(tài)。當硅片再進入刻蝕槽6時,刻蝕液不會從硅片邊緣滲透到硅片正面。硅片正面邊緣的PN結(jié)就不會被刻蝕掉,從而不影響電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
      [0036]以上所述是本實用新型的優(yōu)選實施方式,應當指出,對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說,在不脫離本實用新型原理的前提下,還可以做出若干改進和潤飾,這些改進和潤飾也視為本實用新型的保護范圍。
      【權(quán)利要求】
      1.一種去磷硅玻璃清洗機,用于清洗晶硅太陽能電池的硅片,其特征在于,包括用于去除硅片正面的磷硅玻璃的HF酸槽和用于去除硅片背面和邊緣的N型硅的刻蝕槽; 所述HF酸槽設于所述刻蝕槽之前。
      2.如權(quán)利要求1所述的去磷硅玻璃清洗機,其特征在于,所述HF酸槽和刻蝕槽之間還設有第一堿槽、第一風干槽; 所述HF酸槽、第一堿槽、第一風干槽和刻蝕槽依次相連。
      3.如權(quán)利要求2所述的去磷硅玻璃清洗機,其特征在于,所述HF酸槽和第一堿槽之間設有第一水槽。
      4.如權(quán)利要求3所述的去磷硅玻璃清洗機,其特征在于,所述第一堿槽和第一風干槽之間設有第二水槽。
      5.如權(quán)利要求4所述的去磷硅玻璃清洗機,其特征在于,所述HF酸槽、第一水槽、第一堿槽、第二水槽、第一風干槽、刻蝕槽依次相連。
      6.如權(quán)利要求5所述的去磷硅玻璃清洗機,其特征在于,所述去磷硅玻璃清洗機還包括第二堿槽、第二風干槽,所述第二堿槽、第二風干槽設于所述刻蝕槽之后。
      7.如權(quán)利要求6所述的去磷硅玻璃清洗機,其特征在于,所述第二堿槽和刻蝕槽之間還設有第三水槽。
      8.如權(quán)利要求7所述的去磷硅玻璃清洗機,其特征在于,所述第二堿槽和第二風干槽之間還設有第四水槽。
      9.如權(quán)利要求8所述的去磷硅玻璃清洗機,其特征在于,所述HF酸槽、第一水槽、第一堿槽、第二水槽、第一風干槽、刻蝕槽、第三水槽、第二堿槽、第四水槽和第二風干槽依次相連。
      【文檔編號】H01L31/18GK204118040SQ201420404074
      【公開日】2015年1月21日 申請日期:2014年7月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月22日
      【發(fā)明者】方結(jié)彬, 秦崇德, 石強, 何達能, 陳剛 申請人:廣東愛康太陽能科技有限公司
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