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      標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置以及標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的制作方法

      文檔序號(hào):7090092閱讀:403來源:國知局
      標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置以及標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的制作方法
      【專利摘要】本實(shí)用新型提供了一種標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置以及標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面,包括:保護(hù)蓋、滑軌和滑塊,所述保護(hù)蓋分為內(nèi)保護(hù)蓋與外保護(hù)蓋,在所述外保護(hù)蓋的內(nèi)表面上設(shè)置有滑軌,所述內(nèi)保護(hù)蓋的外表面上設(shè)置有滑塊,所述滑塊能夠沿所述滑軌滑動(dòng),實(shí)現(xiàn)所述外保護(hù)蓋的升降;滑軌和滑塊的接觸面積與現(xiàn)有技術(shù)中的金屬絲與接觸孔相比大幅增加,避免受到外力時(shí)保護(hù)裝置發(fā)生傾斜,從而防止滑軌彎曲造成內(nèi)保護(hù)蓋與外保護(hù)蓋錯(cuò)位,提高保護(hù)裝置的使用壽命。
      【專利說明】標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置以及標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面

      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體生產(chǎn)中的搬運(yùn)裝置,具體涉及一種標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置。

      【背景技術(shù)】
      [0002]半導(dǎo)體晶片從生產(chǎn)制造到運(yùn)送,都需要在密封無塵的條件下進(jìn)行。傳統(tǒng)以潔凈室生產(chǎn)晶片的方式是將生產(chǎn)設(shè)備置于潔凈室內(nèi)。然而建設(shè)一級(jí)潔凈室需要昂貴的建設(shè)成本,并且還需要額外的運(yùn)營及凈化服務(wù)成本以維護(hù)該設(shè)施。為了提高生產(chǎn)效率,降低半導(dǎo)體廠的建設(shè)和運(yùn)營費(fèi)用,標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面(SMIF,Standard Mechanical Interface)技術(shù)得以應(yīng)用和推廣。
      [0003]SMIF技術(shù)的概念是將潔凈室直接設(shè)置于設(shè)備中,通過將晶片封閉在一個(gè)潔凈的環(huán)境中,同時(shí)放寬對(duì)這個(gè)封閉環(huán)境以外的潔凈度要求來防止產(chǎn)品被污染。SMIF —般包括晶片盒(pod)、裝載端口以及潔凈室,晶片盒是用來封閉在制造過程中存儲(chǔ)和運(yùn)輸半導(dǎo)體晶片的集裝箱,裝載端口是用來打開晶片盒的輸入輸出裝置,潔凈室是通過工藝系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)裝置整合的潔凈空間。同時(shí),SMF還包括有標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面保護(hù)蓋(SMF Cover),用于防止晶片盒打開時(shí)顆粒(particle)對(duì)晶片的影響。
      [0004]通常,保護(hù)蓋包含有內(nèi)保護(hù)蓋與外保護(hù)蓋,不工作時(shí),內(nèi)保護(hù)蓋位于外保護(hù)蓋之中,外保護(hù)蓋的內(nèi)表面上設(shè)置有兩根直徑為3mm的金屬絲,內(nèi)保護(hù)蓋的外表面上設(shè)置有接觸孔,金屬絲位于所述接觸孔內(nèi),在工作狀態(tài)時(shí),通過馬達(dá)的作用帶動(dòng)金屬絲在接觸孔內(nèi)移動(dòng),使得外保護(hù)蓋上升,逐漸移至內(nèi)保護(hù)蓋頂端。
      [0005]在半導(dǎo)體廠,很多主機(jī)臺(tái)以及附屬機(jī)臺(tái)都有2個(gè)或2個(gè)以上的SMIF。通過SMIF打開pod傳送晶片,最大程度降低particle,使傳送變得方便而又快捷。但是,有很多SMIF在被小推車撞擊后,SMIF Cover發(fā)生傾斜,但它不會(huì)馬上停下,而是等到被卡住時(shí)才會(huì)停下,這種情況下金屬絲彎曲后導(dǎo)致內(nèi)保護(hù)蓋與外保護(hù)蓋錯(cuò)位,外保護(hù)蓋不能再移動(dòng),進(jìn)而導(dǎo)致整個(gè)SMIF停機(jī),嚴(yán)重影響了產(chǎn)能。
      [0006]每個(gè)SMIF Cover的價(jià)格大概是2600美元,而且它沒有單獨(dú)的部件去更換,比如滑輪或者金屬絲,壞了只能整體更換。更換每一個(gè)SMIF Cover的時(shí)間大概在半個(gè)小時(shí),每次更換完還需要做調(diào)試,大概需要半個(gè)小時(shí)。所以如果SMIF Cover壞掉的話,機(jī)臺(tái)至少需要停機(jī)一個(gè)小時(shí)以上,并且前提是有新的SMIF Cover可以更換。
      [0007]因此,亟需提供一種SMIF Cover,以提高承受外力的能力,防止發(fā)生傾斜而導(dǎo)致滑輪斷裂。
      實(shí)用新型內(nèi)容
      [0008]本實(shí)用新型的目的在于提供一種標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置以及標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中SMIF Cover受到外力撞擊發(fā)生傾斜導(dǎo)致滑輪斷裂的問題。
      [0009]為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實(shí)用新型提供一種標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置,其包括:保護(hù)蓋、滑軌和滑塊,所述保護(hù)蓋分為內(nèi)保護(hù)蓋與外保護(hù)蓋,在所述外保護(hù)蓋的內(nèi)表面上設(shè)置有滑軌,所述內(nèi)保護(hù)蓋的外表面上設(shè)置有滑塊,所述滑塊能夠沿所述滑軌滑動(dòng),實(shí)現(xiàn)所述外保護(hù)蓋的升降。
      [0010]可選的,所述滑軌兩側(cè)的中部向內(nèi)形成凹陷。進(jìn)一步的,所述滑軌在寬度方向上的截面呈工字型。
      [0011]可選的,所述滑軌與所述外保護(hù)蓋接觸的表面的寬度大于與之相對(duì)的遠(yuǎn)離外保護(hù)蓋的表面的寬度。進(jìn)一步的,所述滑軌的整體厚度為2mm?4mm,所述滑軌兩側(cè)向內(nèi)凹陷部分的厚度為0.4mm?0.6mm ;與所述滑軌的遠(yuǎn)離保護(hù)蓋的表面相比,所述滑軌兩側(cè)向內(nèi)凹陷部分的深度為Imm?3mm。
      [0012]可選的,所述滑塊是中空結(jié)構(gòu),并具有一開口,所述滑塊的邊緣兩側(cè)分別嵌于所述滑軌的凹陷處。進(jìn)一步的,所述滑塊在寬度方向上的截面呈凹字型。
      [0013]可選的,所述滑塊的尺寸與所述滑軌的尺寸相匹配。
      [0014]可選的,所述滑塊開口部分的寬度為5mm?7mm。
      [0015]相應(yīng)的,本發(fā)明還提供一種標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面,使用上述的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置。
      [0016]與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型提供的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置,通過在外保護(hù)蓋的內(nèi)表面上設(shè)置滑軌,在內(nèi)保護(hù)蓋的外表面上設(shè)置滑塊,滑塊沿滑軌滑動(dòng)實(shí)現(xiàn)外保護(hù)蓋的升降,滑軌和滑塊的接觸面積與現(xiàn)有技術(shù)中的金屬絲與接觸孔相比大幅增加,避免受到外力時(shí)保護(hù)裝置發(fā)生傾斜,從而防止滑軌彎曲造成內(nèi)保護(hù)蓋與外保護(hù)蓋錯(cuò)位,提高保護(hù)裝置的使用壽命。

      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0017]圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例所提供的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0018]圖2為本實(shí)用新型一實(shí)施例所提供的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置中滑軌的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0019]圖3為本實(shí)用新型一實(shí)施例所提供的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置中滑塊的結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0020]圖4為本實(shí)用新型一實(shí)施例所提供的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置中滑軌的平面示意圖。
      [0021]圖5為本實(shí)用新型一實(shí)施例所提供的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置中滑塊的平面示意圖。

      【具體實(shí)施方式】
      [0022]為使本實(shí)用新型的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂,下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的【具體實(shí)施方式】做詳細(xì)的說明。
      [0023]本實(shí)用新型可以利用多種替換方式實(shí)現(xiàn),下面通過較佳的實(shí)施例來加以說明,當(dāng)然本實(shí)用新型并不局限于該具體實(shí)施例,本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所熟知的一般的替換無疑涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍內(nèi)。
      [0024]其次,本實(shí)用新型利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)的描述,在詳述本實(shí)用新型實(shí)施例時(shí),為了便于說明,示意圖不依一般比例局部放大,不應(yīng)以此作為對(duì)本實(shí)用新型的限定。
      [0025]請(qǐng)參考圖1,其為本實(shí)用新型一實(shí)施例所提供的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖1所示,所述標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置包括:保護(hù)蓋、滑軌和滑塊,所述保護(hù)蓋分為內(nèi)保護(hù)蓋10與外保護(hù)蓋20,在所述外保護(hù)蓋10的內(nèi)表面上設(shè)置有滑軌30,所述內(nèi)保護(hù)蓋20的外表面上設(shè)置有滑塊40,所述滑塊40能夠沿所述滑軌30滑動(dòng),實(shí)現(xiàn)所述外保護(hù)蓋10的升降,即所述外保護(hù)蓋10從位于所述內(nèi)保護(hù)蓋20的外圍上升至所述內(nèi)保護(hù)蓋20的頂端,或者所述外保護(hù)蓋10從所述內(nèi)保護(hù)蓋20的頂端下降至所述內(nèi)保護(hù)蓋20的外圍,從而防止晶片盒打開時(shí)顆粒對(duì)晶片的影響。
      [0026]請(qǐng)參考圖2,其為本實(shí)用新型一實(shí)施例所提供的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置中滑軌的結(jié)構(gòu)示意圖,如圖2所示,滑軌30兩側(cè)的中部向內(nèi)形成凹陷101與102,本實(shí)施例中,所述滑軌30在寬度方向上的截面呈工字型,即滑軌30由長(zhǎng)條形結(jié)構(gòu)的中部向內(nèi)凹陷形成,凹陷301與302均為方形凹陷,且位于同一水平面上。在其他實(shí)施例中,所述滑軌30也可以為其他本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的形狀,但是其兩側(cè)的中部需要向內(nèi)形成凹陷,方便與后面敘述的滑塊相配合。
      [0027]其中,所述滑軌30與所述外保護(hù)蓋10接觸的表面的寬度大于與之相對(duì)的遠(yuǎn)離外保護(hù)蓋10的表面的寬度,所述滑軌30的具體尺寸請(qǐng)參考圖4,遠(yuǎn)離所述外保護(hù)蓋的表面的寬度Wl為9mm?Ilmm ;與所述外保護(hù)蓋相接觸的表面的寬度W2為Ilmm?13mm ;整體厚度H為2mm?4mm ;所述滑軌上半部分Hl的厚度為Imm?2mm ;所述滑軌下半部分的厚度H2為0.5mm?1.5mm ;所述滑軌兩側(cè)向內(nèi)凹陷部分的厚度H3為0.3mm?0.7mm ;相對(duì)于所述滑軌的遠(yuǎn)離所述外保護(hù)蓋的表面,所述滑軌兩側(cè)向內(nèi)凹陷部分的深度SI為Imm?3_,相對(duì)于所述滑軌與所述外保護(hù)蓋相接觸的表面,所述滑軌兩側(cè)向內(nèi)凹陷部分的深度S2為2_?4mm。可以理解的是,本實(shí)施例只是給出了滑軌30比較適合的尺寸范圍,所述滑軌30的尺寸適用但并不局限于該范圍,需要根據(jù)外保護(hù)蓋的尺寸以及實(shí)際的需求來最終確定。
      [0028]請(qǐng)參考圖3,其為本實(shí)用新型一實(shí)施例所提供的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置中滑塊的結(jié)構(gòu)示意圖,所述滑塊40是中空結(jié)構(gòu),并具有一開口 400,所述滑塊40經(jīng)由開口 400卡在滑軌30上,所述滑塊40的邊緣兩側(cè)401與402分別嵌于所述滑軌30的凹陷301與302內(nèi),使得所述滑塊40能夠在所述滑軌30上滑動(dòng)。所述滑塊40的內(nèi)側(cè)與滑軌完全接觸,與現(xiàn)有技術(shù)相比,其接觸面積增大,可以避免受到外力時(shí)保護(hù)裝置發(fā)生傾斜。本實(shí)施例中,所述滑塊40在寬度方向上的截面呈凹字型,與所述工字型的滑軌30相匹配,需要說明的是,如果所述滑軌30設(shè)置為其他形狀,所述滑塊40的形狀則進(jìn)行相應(yīng)的改動(dòng)。
      [0029]所述滑塊40的尺寸與所述滑軌30的尺寸相匹配,請(qǐng)參照?qǐng)D5,在圖3所述的滑軌30的尺寸的基礎(chǔ)上,所述滑塊內(nèi)框的寬度Al為9mm?Ilmm ;內(nèi)框的高度BI為1.1mm?2.1mm ;開口部分的寬度A2為5mm?7mm ;在開口附近,所述滑塊邊緣201的寬度A3為Imm?3mm,所述滑塊邊緣202的寬度A4為2mm?4mm ;所述滑塊外框的寬度A5為Ilmm?13mm ;所述滑塊在長(zhǎng)邊沒有開口的一側(cè)的厚度B2為0.5mm?1.5mm ;所述滑塊在長(zhǎng)邊有開口的一側(cè)的厚度B3為0.2mm?0.6mm??梢岳斫獾氖?,本實(shí)施例只是給出了所述滑塊40的具體的尺寸范圍,如果所述滑軌30的尺寸發(fā)生變化,則所述滑塊40的尺寸隨之發(fā)明變化,并且,所述滑塊40與所述滑軌30的尺寸與所述保護(hù)蓋的尺寸有直接關(guān)系,必須與所述保護(hù)蓋的尺寸相匹配。
      [0030]根據(jù)本實(shí)用新型的另一面,還提供一種標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面(SMIF),所述SMIF包括晶片盒(pod)、裝載端口、潔凈室以及如上所述的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置。晶片盒是用來封閉在制造過程中存儲(chǔ)和運(yùn)輸半導(dǎo)體晶片的集裝箱。裝載端口是用來打開晶片盒的輸入輸出裝置。潔凈室是通過工藝系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)裝置整合的潔凈空間。標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置包括保護(hù)蓋、滑軌和滑塊,所述保護(hù)蓋包括內(nèi)保護(hù)蓋與外保護(hù)蓋,所述外保護(hù)蓋的內(nèi)表面上設(shè)置有滑軌,所述內(nèi)保護(hù)蓋的外表面上設(shè)置有滑塊,所述滑塊能夠沿所述滑軌滑動(dòng),實(shí)現(xiàn)所述外保護(hù)蓋的升降,用于防止晶片盒打開時(shí)顆粒對(duì)晶片的影響。
      [0031]綜上所述,本實(shí)用新型提供的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置,通過在外保護(hù)蓋的內(nèi)表面上設(shè)置滑軌,在內(nèi)保護(hù)蓋的外表面上設(shè)置滑塊,滑塊沿滑軌滑動(dòng)實(shí)現(xiàn)外保護(hù)蓋的升降,滑軌和滑塊的接觸面積與現(xiàn)有技術(shù)中的金屬絲與接觸孔相比大幅增加,避免受到外力時(shí)保護(hù)裝置發(fā)生傾斜,從而防止滑軌彎曲造成內(nèi)保護(hù)蓋與外保護(hù)蓋錯(cuò)位,提高保護(hù)裝置的使用壽命O
      [0032]上述描述僅是對(duì)本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的描述,并非對(duì)本實(shí)用新型范圍的任何限定,本實(shí)用新型領(lǐng)域的普通技術(shù)人員根據(jù)上述揭示內(nèi)容做的任何變更、修飾,均屬于權(quán)利要求書的保護(hù)范圍。
      【權(quán)利要求】
      1.一種標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置,其特征在于,包括保護(hù)蓋、滑軌和滑塊,所述保護(hù)蓋分為內(nèi)保護(hù)蓋與外保護(hù)蓋,在所述外保護(hù)蓋的內(nèi)表面上設(shè)置有滑軌,所述內(nèi)保護(hù)蓋的外表面上設(shè)置有滑塊,所述滑塊能夠沿所述滑軌滑動(dòng),實(shí)現(xiàn)所述外保護(hù)蓋的升降。
      2.如權(quán)利要求1所述的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置,其特征在于,所述滑軌兩側(cè)的中部向內(nèi)形成凹陷。
      3.如權(quán)利要求2所述的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置,其特征在于,所述滑軌在寬度方向上的截面呈工字型。
      4.如權(quán)利要求3所述的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置,其特征在于,所述滑軌與所述外保護(hù)蓋接觸的表面的寬度大于與之相對(duì)的遠(yuǎn)離外保護(hù)蓋的表面的寬度。
      5.如權(quán)利要求4所述的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置,其特征在于,所述滑軌的整體厚度為2mm?4mm ;所述滑軌兩側(cè)向內(nèi)凹陷部分的厚度為0.4mm?0.6mm ;與所述滑軌的遠(yuǎn)離外保護(hù)蓋的表面相比,所述滑軌兩側(cè)向內(nèi)凹陷部分的深度為Imm?3_。
      6.如權(quán)利要求2所述的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置,其特征在于,所述滑塊是中空結(jié)構(gòu),并具有一開口,所述滑塊的邊緣兩側(cè)分別嵌于所述滑軌的凹陷處。
      7.如權(quán)利要求6所述的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置,其特征在于,所述滑塊在寬度方向上的截面呈凹字型。
      8.如權(quán)利要求7所述的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置,其特征在于,所述滑塊的尺寸與所述滑軌的尺寸相匹配。
      9.如權(quán)利要求8所述的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置,其特征在于,所述滑塊開口部分的寬度為5mm?7mm。
      10.一種標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面,包括如權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)的標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面的保護(hù)裝置。
      【文檔編號(hào)】H01L21/68GK204243013SQ201420546190
      【公開日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年9月22日 優(yōu)先權(quán)日:2014年9月22日
      【發(fā)明者】丁杰 申請(qǐng)人:中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
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