具透光平板的發(fā)光裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型是關(guān)于一種具透光平板的發(fā)光裝置，其基板上設(shè)有一線路層，且線路層相鄰發(fā)光二極管，以供發(fā)光二極管電性連接至線路層，并將支架設(shè)置于線路層之上，而一透光平板設(shè)置于支架上，并位于該發(fā)光二極管的一出光方向，同時(shí)讓該透光平板與該發(fā)光二極管具有一間距。
【專利說(shuō)明】具透光平板的發(fā)光裝置

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是有關(guān)于一種發(fā)光裝置，其尤指一種具透光平板的發(fā)光裝置。

【背景技術(shù)】
[0002]電燈的發(fā)明可以說(shuō)是徹底地改變了全人類的生活方式，倘若我們的生活沒(méi)有電燈，夜晚或天氣狀況不佳的時(shí)候，一切的工作都將要停擺；倘若受限于照明，極有可能使房屋建筑方式或人類生活方式都徹底改變，全人類都將因此而無(wú)法進(jìn)步，繼續(xù)停留在較落后的年代。相較于一般燈泡，發(fā)光二極管(Light Emitting D1de, LED)具有更加輕量化、壽命長(zhǎng)、省電、切換速度快、單色性及可靠度高等優(yōu)點(diǎn)，所以發(fā)光二極管早已成為日常生活中不可或缺的光電組件。
[0003]近年來(lái)由于材料科技的突飛猛進(jìn)，使得發(fā)光二極管的亮度不斷升高、多彩化及價(jià)格降低，故使得其應(yīng)用領(lǐng)域也愈來(lái)愈廣。其中，以氮化鎵(GaN)為主要制造材料的藍(lán)光二極管不過(guò)問(wèn)世幾年，現(xiàn)在已成為固態(tài)照明(Solid-state lighting, SSL)建造中的重要組件，在節(jié)能省碳的趨勢(shì)持續(xù)上升的情況下，發(fā)光二極管的照明市場(chǎng)逐漸擴(kuò)展，更是取代傳統(tǒng)冷陰極管、鹵素?zé)艋虬谉霟襞莸劝l(fā)光二極管。例如:液晶顯示器的背光模塊。
[0004]現(xiàn)今發(fā)光二極管的制作方式日新月異，因而發(fā)展出正向出光型發(fā)光二極管、覆晶式發(fā)光二極管與垂直式發(fā)光二極管，不管哪一型的發(fā)光二極管，其封裝方式一般是以膠體固定并保護(hù)發(fā)光二極管。然而，一般封裝方式需消耗大量膠體方可提供固定及保護(hù)效果，因而造成發(fā)光裝置于封裝制程上的制造成本居高不下。
[0005]發(fā)光二極管集成式封裝(COB，Chip On Board)為發(fā)光二極管的封裝方式之一。COB封裝是將多顆LED晶粒直接封裝在有絕緣層的金屬印刷電路板上(Metal Core PrintedCircuit Board)上，有別于一般表面黏著組件(SMD，Surface Mounted Device)封裝方式，SMD封裝是透過(guò)支架打件于基板上。COB封裝的特色是可將LED晶粒的熱直接傳導(dǎo)到基板上增加LED散熱效能，且COB封裝讓LED在發(fā)光效果上是以面光源形式發(fā)光，同時(shí)還可以簡(jiǎn)化發(fā)光裝置的整體設(shè)計(jì)。
[0006]然而，當(dāng)COB封裝方式所封裝的晶粒越來(lái)越多時(shí)，晶粒與晶粒距離會(huì)隨著越來(lái)越緊湊，且整體電路的承載功率亦會(huì)隨著越來(lái)越大，當(dāng)LED晶粒放置于有絕緣層的金屬印刷電路板上時(shí)，LED晶粒于發(fā)光后所產(chǎn)生的熱，不易經(jīng)由金屬印刷電路板傳導(dǎo)出去，進(jìn)而讓熱蓄積在LED晶粒上，因而造成LED晶粒的壽命減少或效能降低。
[0007]依據(jù)上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種具透光平板的發(fā)光裝置，其不僅用于固定及保護(hù)發(fā)光二極管，更可增強(qiáng)散熱效果。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0008]本實(shí)用新型的主要目的，在于提供一種具透光平板的發(fā)光裝置，其在于針對(duì)發(fā)光二極管提供保護(hù)并增加散熱效果。
[0009]為了達(dá)到上述所指稱的各目的與功效，本實(shí)用新型揭示了一種具透光平板的發(fā)光裝置，其包含一基板、一線路層、至少四發(fā)光二極管、一支架與一透光平板，該些發(fā)光二極管搭配線路層而設(shè)置于基板上，支架設(shè)置于線路層上并位于該些發(fā)光二極管的一側(cè)，透光平板設(shè)置于支架上，并位于該些發(fā)光二極管的一出光方向，且透光平板與該些發(fā)光二極管之間具有一間距。藉由該些發(fā)光二極管直接設(shè)置于基板上而非設(shè)置于線路層上，該些發(fā)光二極管之間分別具有一晶粒間距，而直接由基板傳導(dǎo)該些發(fā)光二極管發(fā)光時(shí)所產(chǎn)生的熱至外部，因而避免熱蓄積在該些發(fā)光二極管中。
[0010]接上述技術(shù)方案，其中該線路層上設(shè)有一貫穿開(kāi)口并裸露部分該基板，該些發(fā)光二極管設(shè)置于該貫穿開(kāi)口所裸露的部分該基板，該線路層位于該貫穿開(kāi)口的一側(cè)。
[0011]接上述技術(shù)方案，其中該透光平板的一第一邊長(zhǎng)大于該貫穿開(kāi)口的一第二邊長(zhǎng)，該透光平板遮蔽該貫穿開(kāi)口。
[0012]接上述技術(shù)方案，其中該基板與該透光平板之間的距離大于或等于該貫穿開(kāi)口的高度。
[0013]接上述技術(shù)方案，其中該基板與該透光平板之間的距離小于該貫穿開(kāi)口的高度。
[0014]接上述技術(shù)方案，更包含:
[0015]一熒光層，其設(shè)置于該發(fā)光二極管與該透光平板之間并覆蓋該發(fā)光二極管。
[0016]接上述技術(shù)方案，其中該基板為一金屬基板，該基板與該發(fā)光二極管之間設(shè)有一電性絕緣導(dǎo)熱層，該基板與該電性絕緣導(dǎo)熱層傳導(dǎo)該發(fā)光二極管所產(chǎn)生的熱。
[0017]接上述技術(shù)方案，其中該基板為一金屬基板，該基板與該發(fā)光二極管之間設(shè)有一電鍍層。
[0018]接上述技術(shù)方案，其中該發(fā)光二極管為一覆晶式發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管與一電性絕緣導(dǎo)熱層之間更設(shè)有一導(dǎo)電部，以電性連接該發(fā)光二極管與該線路層。
[0019]實(shí)施本實(shí)用新型的有益效果:本實(shí)用新型的具透光平板的發(fā)光二極管，其藉由發(fā)光二極管設(shè)置于基板上并在發(fā)光二極管上方設(shè)置透光平板，以讓發(fā)光二極管透過(guò)透光平板向外照射，同時(shí)由于發(fā)光二極管為直接設(shè)置于基板上，因而直接藉由基板導(dǎo)熱，增強(qiáng)了散熱效果。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0020]下面將結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步說(shuō)明，附圖中:
[0021]圖1:其為本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖2:其為本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的局部俯視圖；
[0023]圖3:其為本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0024]圖4:其為本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的局部俯視圖；
[0025]圖5:其為本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖6:其為本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施例的發(fā)光裝置的局部俯視圖。
[0027]【圖號(hào)對(duì)照說(shuō)明】
[0028]10發(fā)光裝置
[0029]12 基板
[0030]122線路層
[0031]122a第一電性連接部
[0032]122b第二電性連接部
[0033]122c第三電性連接部
[0034]122d第四電性連接部
[0035]124 貫穿開(kāi)口
[0036]126電性絕緣導(dǎo)熱層
[0037]D發(fā)光二極管
[0038]Dll 第一芯片
[0039]D12 第二芯片
[0040]D13第三芯片
[0041]D14第四芯片
[0042]D21 第一芯片
[0043]D22 第二芯片
[0044]D23第三芯片
[0045]D24第四芯片
[0046]LI第一導(dǎo)線
[0047]L2第二導(dǎo)線
[0048]L3第三導(dǎo)線
[0049]16熒光層
[0050]18 支架
[0051]20透光平板
[0052]G晶粒間距
[0053]H 高度
[0054]Pl第一間距
[0055]P2第二間距
[0056]Wl第一邊長(zhǎng)
[0057]W2第二邊長(zhǎng)

【具體實(shí)施方式】
[0058]為使對(duì)本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)特征及所達(dá)成的功效有更進(jìn)一步的了解與認(rèn)識(shí)，用以較佳的實(shí)施例及附圖配合詳細(xì)的說(shuō)明，說(shuō)明如下:
[0059]請(qǐng)參閱圖1與圖2，其為本實(shí)用新型的一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖與發(fā)光裝置的局部俯視圖。如圖1所示，本實(shí)用新型的發(fā)光裝置10包含一基板12、至少四發(fā)光二極管D、一熒光層16、一支架18與一透光平板20。基板122上設(shè)有一線路層122，線路層122設(shè)有一貫穿開(kāi)口 124 ;本實(shí)施例的發(fā)光二極管D包含一第一芯片D11、一第二芯片D12、一第三芯片Di3與一第四芯片D14，皆為一正向型發(fā)光二極管。
[0060]線路層122設(shè)置于基板12上，線路層122為相鄰于發(fā)光二極管D，本實(shí)施例的貫穿開(kāi)口位于基板12的中央，并裸露基板12，且貫穿開(kāi)口 124中更可進(jìn)一步設(shè)置有一電性絕緣導(dǎo)熱層126，發(fā)光二極管D亦設(shè)置于基板12上，且進(jìn)一步設(shè)置于貫穿開(kāi)口 124中，其中電性絕緣導(dǎo)熱層126為陶瓷所構(gòu)成，例如:氧化金屬，即氧化鋁、氧化鈦等。線路層122藉由貫穿開(kāi)口 124而裸露基板12，由于基板12為金屬基板，因而讓發(fā)光二極管D所產(chǎn)生的熱直接由基板12傳導(dǎo)出去，藉此熱對(duì)發(fā)光二極管D的損傷，因而避免發(fā)光二極管D發(fā)生壽命減少或效能降低的情況，而有助于發(fā)光二極管D的長(zhǎng)時(shí)間使用。其中，電性絕緣導(dǎo)熱層126更可由一電鍍層所取代，例如:鍍金、鍍銀、鍍镲、鍍鈕、鍍镲金或鍍镲鈕金。
[0061]如圖2所示，本實(shí)施例的發(fā)光二極管D以第一芯片D11、第二芯片D12、第三芯片D13與第四芯片D14作為舉例，分別經(jīng)由第一導(dǎo)線LI電性連接線路層122的一第一電性連接部122a以及經(jīng)由第二導(dǎo)線L2電性連接線路層122的一第二電性連接部122b，因而讓依序第一芯片D11、第二芯片D12、第三芯片D13與第四芯片D14成數(shù)組排列，但本實(shí)用新型不局限于此，更可設(shè)計(jì)需求改變芯片的分布。第一芯片D11、第二芯片D12、第三芯片D13與第四芯片D14之間分別具有一晶粒間距G，且第一芯片D11、第二芯片D12、第三芯片D13與第四芯片D14之間藉由第三導(dǎo)線L3相互電性連接。支架18位于發(fā)光二極管D的一側(cè)，也就是位于貫穿開(kāi)口 124的一側(cè)，如圖2所示，本實(shí)施例支架18為包圍貫穿開(kāi)口 124，但本實(shí)用新型并不局限于此，更可僅設(shè)于發(fā)光二極管D的至少一側(cè)。該支架18的材料為選自于玻璃、硅膠、環(huán)氧樹(shù)脂或聚碳酸酯。
[0062]熒光層16設(shè)置于發(fā)光二極管D之上，亦即覆蓋于第一芯片D11、第二芯片D12、第三芯片D13與第四芯片D14的頂端以及側(cè)邊，但本實(shí)用新型不局限于此，更可讓熒光層16僅覆蓋于第一芯片D11、第二芯片D12、第三芯片D13與第四芯片D14的頂端。依據(jù)第一芯片D11、第二芯片D12、第三芯片D13與第四芯片D14的類型，熒光層16亦可隨的改變，例如:發(fā)光二極管D為藍(lán)光發(fā)光二極管，熒光層16即包含綠光熒光粉與紅光熒光粉，因此，熒光層16依據(jù)發(fā)光二極管所發(fā)出的藍(lán)光而激發(fā)出綠光與紅光，因而將紅光、綠光、藍(lán)光混合成白光；更者，焚光層16依據(jù)發(fā)光二極管D所發(fā)出的藍(lán)光激發(fā)出黃光，因而將藍(lán)光、黃光混合成暖白光。
[0063]透光平板20設(shè)置支架18上，且位于發(fā)光二極管D的上方，而，透光平板20與發(fā)光二極管D之間具有一第一間距P1，以供用于打線的空間；其中，本實(shí)施例的第一間距Pl大于貫穿開(kāi)口 124的高度，因而提供打線空間。該透光平板20的材料為選自于玻璃、硅膠、環(huán)氧樹(shù)脂、壓克力(PMMA)或聚碳酸酯(PC)。透光平板20的一第一邊長(zhǎng)Wl大于貫穿開(kāi)口 124的一第二邊長(zhǎng)W2，且透光平板20位于發(fā)光二極管D的上方，因而遮蔽貫穿開(kāi)口 124。
[0064]請(qǐng)參閱圖3與圖4，其為本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖與發(fā)光裝置的局部俯視圖。其中圖1與圖3的差異在于圖1的發(fā)光二極管D為正向發(fā)光型發(fā)光二極管，圖3的發(fā)光二極管D為覆晶式發(fā)光二極管。如圖3所示，本實(shí)用新型的發(fā)光二極管D設(shè)置于基板12上，且因本實(shí)施例的發(fā)光二極管D為覆晶式發(fā)光二極管模塊，因此，發(fā)光二極管D的第一芯片D21、第二芯片D22、第三芯片D23與第四芯片24為倒置于基板12上的貫穿開(kāi)口 124中，所以第一芯片D21、第二芯片D22、第三芯片D23與第四芯片24透過(guò)電極而電性連接于線路層122的電性，以連接至外部的電路。其余連接關(guān)相同于前一實(shí)施例，因此本實(shí)施例不再贅述。
[0065]請(qǐng)參閱圖5與圖6，其為本實(shí)用新型的另一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖與發(fā)光裝置的局部俯視圖。其中圖3與圖5的差異在于圖3與圖5皆為覆晶式發(fā)光二極管，圖5為垂直式發(fā)光二極管。如圖5所示，本實(shí)用新型的發(fā)光二極管D的第一芯片D21、第二芯片D22、第三芯片D23與第四芯片24設(shè)置于基板12的貫穿開(kāi)口 124中，且因本實(shí)施例的第一芯片D21、第二芯片D22、第三芯片D23與第四芯片24為覆晶式發(fā)光二極管，因此，第一芯片D21、第二芯片D22、第三芯片D23與第四芯片24透過(guò)底部的電極為電性連接于基板12。第三電性連接部122c與第四電性連接部122d經(jīng)延伸至貫穿開(kāi)口 124中，并在電性絕緣導(dǎo)熱層126之上形成一導(dǎo)電部128，以供第一芯片D21、第二芯片D22、第三芯片D23與第四芯片24電性連接至第三電性連接部122c與第四電性連接部122d，而電性連接至外部電路。
[0066]本實(shí)施例的第一芯片D21、第二芯片D22、第三芯片D23與第四芯片24不需透過(guò)第一導(dǎo)線與第二導(dǎo)線連接外部的電路。如此發(fā)光二極管D與透光平板20之間具有一第二間距P2，其小于貫穿開(kāi)口 124的高度H。其余連接關(guān)系相同于圖1的實(shí)施例，因此本實(shí)施例不再贅述。
[0067]綜上所述，本實(shí)用新型為一種具透光平板的發(fā)光二極管，其藉由發(fā)光二極管設(shè)置于基板上的貫穿開(kāi)口中并在發(fā)光二極管上方設(shè)置透光平板，以讓發(fā)光二極管透過(guò)透光平板向外照射，同時(shí)由于發(fā)光二極管為直接設(shè)置于基板上，因而直接藉由基板導(dǎo)熱。
[0068]應(yīng)當(dāng)理解的是，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，可以根據(jù)上述說(shuō)明加以改進(jìn)或變換，而所有這些改進(jìn)和變換都應(yīng)屬于本實(shí)用新型所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種具透光平板的發(fā)光裝置，其特征在于，其包含: 一基板； 一線路層，其設(shè)置于該基板上； 至少四發(fā)光二極管，其設(shè)置于該基板之上并相鄰該線路層，該些發(fā)光二極管電性連接該線路層； 一支架，其設(shè)置于該線路層之上并位于該些發(fā)光二極管的一側(cè)；以及 一透光平板，其設(shè)置于該支架之上，并位于該發(fā)光二極管的一出光方向，該透光平板與該些發(fā)光二極管具有一間距，其中該些發(fā)光二極管之間分別具有一晶粒間距。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該線路層上設(shè)有一貫穿開(kāi)口并裸露部分該基板，該些發(fā)光二極管設(shè)置于該貫穿開(kāi)口所裸露的部分該基板，該線路層位于該貫穿開(kāi)口的一側(cè)。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該透光平板的一第一邊長(zhǎng)大于該貫穿開(kāi)口的一第二邊長(zhǎng)，該透光平板遮蔽該貫穿開(kāi)口。
4.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該基板與該透光平板之間的距離大于或等于該貫穿開(kāi)口的高度。
5.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該基板與該透光平板之間的距離小于該貫穿開(kāi)口的高度。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，更包含: 一熒光層，其設(shè)置于該發(fā)光二極管與該透光平板之間并覆蓋該發(fā)光二極管。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該基板為一金屬基板，該基板與該發(fā)光二極管之間設(shè)有一電性絕緣導(dǎo)熱層，該基板與該電性絕緣導(dǎo)熱層傳導(dǎo)該發(fā)光二極管所產(chǎn)生的熱。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該基板為一金屬基板，該基板與該發(fā)光二極管之間設(shè)有一電鍍層。
9.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其特征在于，其中該發(fā)光二極管為一覆晶式發(fā)光二極管，該發(fā)光二極管與一電性絕緣導(dǎo)熱層之間更設(shè)有一導(dǎo)電部，以電性連接該發(fā)光二極管與該線路層。
【文檔編號(hào)】H01L25/075GK204257641SQ201420592854
【公開(kāi)日】2015年4月8日 申請(qǐng)日期:2014年10月14日 優(yōu)先權(quán)日:2014年7月31日
【發(fā)明者】邢陳震侖, 洪榮豪, 謝孟庭 申請(qǐng)人:葳天科技股份有限公司