1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，包括：
步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有若干柵極疊層，所述柵極疊層包括依次層疊的浮柵、隔離層、控制柵和掩膜層；
步驟S2：在所述半導(dǎo)體襯底和所述柵極疊層上依次形成第一間隙壁材料層和第二間隙壁材料層，以覆蓋所述柵極疊層，其中所述第一間隙壁材料層選用氧化物；
步驟S3：蝕刻所述第二間隙壁材料層，以露出所述半導(dǎo)體襯底上的以及所述掩膜層上部側(cè)壁上的所述第一間隙壁材料層；
步驟S4：蝕刻去除露出的所述第一間隙壁材料層，以在所述柵極疊層的側(cè)壁上形成間隙壁；
步驟S5：沉積停止層，以覆蓋所述間隙壁以及所述掩膜層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一間隙壁材料層與所述第二間隙壁材料層的蝕刻選擇比大于3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S3中，蝕刻所述第二間隙壁材料層之后，露出的所述掩膜層上部側(cè)壁上的所述第一間隙壁材料層的高度為800～1500埃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還進一步包括：
步驟S6：沉積層間介電層，以覆蓋所述柵極疊層；
步驟S7：圖案化所述層間介電層并以所述停止層為蝕刻停止層，以在所述柵極疊層之間形成接觸孔開口。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S1中，在所述半導(dǎo)體襯底上還形成有柵極介電層，所述柵極疊層位于所述柵極介電層的上方。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，去除所述露出的所述第一間隙壁材料層的同時去除露出的所述柵極介電層。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，在所述步驟S4中，選用干法蝕刻或者濕法蝕刻去除露出的所述第一間隙壁材料層。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二間隙壁材料層選用氮化物；
所述停止層選用氮化物。
9.一種基于權(quán)利要求1至8之一所述的方法制備得到的半導(dǎo)體器件。
10.一種電子裝置，包括權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件。