技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制備方法、電子裝置。所述方法包括步驟S1：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成有若干柵極疊層，所述柵極疊層包括依次層疊的浮柵、隔離層、控制柵和掩膜層；步驟S2：在所述半導(dǎo)體襯底和所述柵極疊層上依次形成第一間隙壁材料層和第二間隙壁材料層，以覆蓋所述柵極疊層，其中所述第一間隙壁材料層選用氧化物；步驟S3：蝕刻所述第二間隙壁材料層，以露出所述半導(dǎo)體襯底上的以及所述掩膜層上部側(cè)壁上的所述第一間隙壁材料層；步驟S4：蝕刻去除露出的所述第一間隙壁材料層，以在所述柵極疊層的側(cè)壁上形成間隙壁；步驟S5：沉積停止層，以覆蓋所述間隙壁以及所述掩膜層。所述方法進(jìn)一步提高了NOR閃存的良率和性能。

技術(shù)研發(fā)人員：張翼英;陳卓凡
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司
文檔號(hào)碼：201510666124
技術(shù)研發(fā)日：2015.10.15
技術(shù)公布日：2017.05.03