本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體地，涉及一種壓環(huán)、預(yù)清洗腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備。

背景技術(shù)：

預(yù)清洗技術(shù)已被廣泛地應(yīng)用在半導(dǎo)體制備工藝中，特別是對(duì)于集成電路、硅穿孔等制造工藝。預(yù)清洗的目的是去除晶圓表面上的沾污和雜質(zhì)，以有利于后續(xù)沉積工藝的有效進(jìn)行，保證集成電路器件的整體性能。

常用的預(yù)清洗腔室通常采取電感耦合等離子體(ICP)加工設(shè)備，其基本原理是利用射頻電源產(chǎn)生的高壓交變電場(chǎng)，將工藝氣體(例如氬氣、氦氣、氫氣和氧氣等)激發(fā)形成等離子體，該等離子體中具有高反應(yīng)活性或高能量的離子，這些離子通過化學(xué)反應(yīng)或物理轟擊作用，對(duì)工件表面進(jìn)行雜質(zhì)的去除。

圖1為現(xiàn)有的預(yù)清洗腔室的剖視圖。圖2為現(xiàn)有的承載裝置的剖視圖。請(qǐng)一并參閱圖1和圖2，預(yù)清洗腔室由反應(yīng)腔體1、環(huán)形支撐件2和穹頂狀的絕緣頂蓋4限定而成，在絕緣頂蓋4的外側(cè)環(huán)繞設(shè)置有線圈3，線圈3依次與第一匹配器5和第一射頻電源6電連接，用以激發(fā)預(yù)清洗腔室內(nèi)的工藝氣體形成等離子體。而且，在預(yù)清洗腔室內(nèi)還設(shè)置有用于承載晶片9的基座7，基座7依次與第二匹配器10和第二射頻電源11電連接，用以在晶片9上產(chǎn)生偏壓，從而吸引等離子體朝向晶片9運(yùn)動(dòng)，以去除晶片9表面上的雜質(zhì)。此外，在基座7的邊緣處設(shè)置有絕緣環(huán)8，當(dāng)晶片9置于基座7上時(shí)，該絕緣環(huán)8環(huán)繞在晶片9周圍，且頂端高于晶片9的上表面，以防止晶片9移動(dòng)。

另外，通過向基座7內(nèi)通入冷卻水對(duì)基座7進(jìn)行冷卻，從而間接冷卻晶片9。然而，由于基座7與晶片9之間無傳熱介質(zhì)，而晶片 9的溫度會(huì)在預(yù)清洗的過程中迅速上升，導(dǎo)致工藝后晶片的溫度仍然較高(在某一刻蝕工藝條件下，刻蝕測(cè)得晶片中心與邊緣的溫度為149℃)。過高的晶片溫度會(huì)產(chǎn)生以下問題：

其一，在目前的半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域中，晶片的材質(zhì)為PI、PBO或者BCB等的聚合物，在進(jìn)行預(yù)清洗工藝時(shí)，高能離子的轟擊會(huì)破壞聚合物內(nèi)的C鍵，導(dǎo)致在高溫條件下晶片的化學(xué)性質(zhì)不穩(wěn)定，極易形成碳化合物而釋放出來，并附著在金屬表面，影響晶片質(zhì)量。

其二，由于后續(xù)的沉積工藝對(duì)晶片的溫度要求比較苛刻，這就需要在完成預(yù)清洗工藝之后，先冷卻晶片之后再進(jìn)行沉積工藝，從而造成設(shè)備產(chǎn)能較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種壓環(huán)、預(yù)清洗腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備，其可以避免晶片的溫度過高，從而不僅可以保證晶片質(zhì)量，而且還可以縮短在完成預(yù)清洗工藝之后需要冷卻晶片的時(shí)間，進(jìn)而可以提高設(shè)備產(chǎn)能。

為實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種壓環(huán)，應(yīng)用在預(yù)清洗腔室中，在所述預(yù)清洗腔室內(nèi)設(shè)置有基座，所述基座包括用于承載晶片的承載面；所述壓環(huán)用于利用自身重力壓住晶片上表面的邊緣區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)所述晶片的固定；并且，通過向所述承載面與所述晶片的下表面之間輸送冷卻氣體，來冷卻所述晶片；所述壓環(huán)包括負(fù)重體和絕緣體，其中，所述負(fù)重體采用金屬制作，以在輸送冷卻氣體時(shí)，使所述壓環(huán)的整體重量足以承受所述承載面與所述晶片下表面之間的氣壓；所述絕緣體包覆所述負(fù)重體，以避免等離子體轟擊所述負(fù)重體。

優(yōu)選的，所述絕緣體為環(huán)體，所述負(fù)重體嵌在所述絕緣體內(nèi)。

優(yōu)選的，所述負(fù)重體為環(huán)體，且與所述絕緣體同心設(shè)置；或者，所述負(fù)重體由多個(gè)塊狀體組成，且沿所述絕緣體的周向間隔分布。

優(yōu)選的，所述絕緣體還包括沿其周向間隔分布的多個(gè)壓爪，所述多個(gè)壓爪疊置在所述晶片的邊緣區(qū)域。

優(yōu)選的，所述壓爪的內(nèi)徑自下而上逐漸增大。

優(yōu)選的，所述負(fù)重體為環(huán)體，所述絕緣體為殼體，且嵌套在所述負(fù)重體的外環(huán)表面和上表面；在所述負(fù)重體的內(nèi)環(huán)表面上噴涂絕緣層。

優(yōu)選的，所述負(fù)重體為環(huán)體，所述絕緣體為分別噴涂在所述負(fù)重體的外環(huán)表面、上表面和內(nèi)環(huán)表面上的絕緣層。

優(yōu)選的，所述負(fù)重體還包括沿其周向間隔分布的多個(gè)壓爪，所述多個(gè)壓爪疊置在所述晶片的邊緣區(qū)域。

優(yōu)選的，所述壓爪的內(nèi)徑自下而上逐漸增大。

作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種預(yù)清洗腔室，包括設(shè)置在其內(nèi)的基座，所述基座包括用于承載晶片的承載面，還包括壓環(huán)，所述壓環(huán)采用了本發(fā)明提供的上述的壓環(huán)，用于利用自身重力壓住晶片上表面的邊緣區(qū)域，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)所述晶片的固定；并且，通過向所述承載面與所述晶片的下表面之間輸送冷卻氣體，來冷卻所述晶片。

優(yōu)選的，所述預(yù)清洗腔室還包括絕緣環(huán)，所述絕緣環(huán)環(huán)繞在所述基座的邊緣處，用以遮擋所述基座的外周壁與所述壓環(huán)的內(nèi)環(huán)面之間的間隙；所述絕緣環(huán)的上表面不高于所述承載面。

優(yōu)選的，所述預(yù)清洗腔室還包括冷卻氣路，所述冷卻氣路設(shè)置在所述基座內(nèi)，用于向所述承載面與所述晶片的下表面之間輸送冷卻氣體。

作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，包括預(yù)清洗腔室，在所述預(yù)清洗腔室的頂部設(shè)置有線圈，通過向所述線圈加載射頻功率，來激發(fā)所述預(yù)清洗腔室內(nèi)的反應(yīng)氣體形成等離子體，其特征在于，所述預(yù)清洗腔室采用了本發(fā)明提供的上述預(yù)清洗腔室，并且，通過向所述基座加載射頻偏壓，而使所述等離子體朝向所述晶片運(yùn)動(dòng)。

優(yōu)選的，所述半導(dǎo)體加工設(shè)備包括物理氣相沉積設(shè)備。

本發(fā)明具有以下有益效果：

本發(fā)明提供的壓環(huán)，其包括負(fù)重體和絕緣體，該負(fù)重體采用金屬制作，以在輸送冷卻氣體時(shí)，使壓環(huán)的整體重量足以承受承載面與晶片下表面之間的氣壓；絕緣體包覆負(fù)重體，以避免等離子體轟擊負(fù) 重體。通過將上述壓環(huán)應(yīng)用在預(yù)清洗腔室中，用于利用自身重力壓住晶片上表面的邊緣區(qū)域，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片的固定，從而在向基座的承載面和晶片的下表面之間輸送冷卻氣體時(shí)，可以保證晶片與基座的相對(duì)位置固定，從而可以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片的冷卻，避免晶片的溫度過高，以在保證晶片質(zhì)量的同時(shí)，縮短在完成預(yù)清洗工藝之后需要冷卻晶片的時(shí)間，進(jìn)而提高設(shè)備產(chǎn)能。

本發(fā)明提供的預(yù)清洗腔室，其通過采用本發(fā)明提供的壓環(huán)，可以避免晶片的溫度過高，從而不僅可以保證晶片質(zhì)量，而且還可以縮短在完成預(yù)清洗工藝之后需要冷卻晶片的時(shí)間，進(jìn)而可以提高設(shè)備產(chǎn)能。

本發(fā)明提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備，其通過采用本發(fā)明提供的預(yù)清洗腔室，不僅可以保證晶片質(zhì)量，而且還可以縮短在完成預(yù)清洗工藝之后需要冷卻晶片的時(shí)間，進(jìn)而可以提高設(shè)備產(chǎn)能。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有的預(yù)清洗腔室的剖視圖；

圖2為現(xiàn)有的壓環(huán)的剖視圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的壓環(huán)的安裝示意圖；

圖4A為本發(fā)明實(shí)施例采用的一種壓環(huán)的剖視圖；

圖4B為圖4A中壓環(huán)的仰視圖；

圖5A為本發(fā)明實(shí)施例采用的另一種壓環(huán)的剖視圖；

圖5B為圖5A中壓環(huán)的仰視圖；

圖6A為本發(fā)明實(shí)施例提供的預(yù)清洗腔室的剖視圖；以及

圖6B為圖6A中基座和壓環(huán)的安裝示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來對(duì)本發(fā)明提供的壓環(huán)、預(yù)清洗腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備進(jìn)行詳細(xì)描述。

圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的壓環(huán)的安裝示意圖。請(qǐng)參閱圖3，壓 環(huán)22應(yīng)用在預(yù)清洗腔室(圖中未示出)中，該預(yù)清洗腔室用于采用刻蝕工藝去除晶片表面的雜質(zhì)，其包括基座21和冷卻氣路24。其中，基座21包括用于承載晶片23的承載面(基座21的上表面)。冷卻氣路24設(shè)置在基座21內(nèi)，用于向基座21的承載面與晶片23的下表面之間輸送冷卻氣體，該冷卻氣體可以用作晶片23與基座21的傳熱介質(zhì)，其可以采用氬氣或者氦氣等等。進(jìn)一步說，冷卻氣路24的上端位于基座21的承載面上，冷卻氣路24的下端豎直向下貫穿基座21，并與氣源的管路(圖中未示出)的連接。當(dāng)進(jìn)行預(yù)清洗工藝時(shí)，由氣源提供的冷卻氣體經(jīng)由冷卻氣路流入基座21的承載面與晶片23的下表面之間的間隙，基于熱傳導(dǎo)原理，冷卻氣體會(huì)將晶片23的熱量傳遞至基座21，同時(shí)，由于冷卻氣體被源源不斷地輸送，并重復(fù)上述熱傳導(dǎo)，從而可以達(dá)到降低晶片23的工藝溫度的目的。當(dāng)然，在實(shí)際應(yīng)用中，還可以采用其他任意方式向基座的承載面與晶片的下表面之間輸送冷卻氣體。

壓環(huán)22用于利用自身重力壓住晶片23的邊緣區(qū)域，從而將晶片23固定在基座21上，同時(shí)向晶片23施加一定的壓力，以在借助冷卻氣路24向基座21的承載面和晶片23的下表面之間輸送冷卻氣體時(shí)，可以保證晶片23與基座21的相對(duì)位置固定，避免晶片23被冷卻氣體吹飛。

下面對(duì)壓環(huán)22的具體結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。具體地，圖4A為本發(fā)明實(shí)施例采用的一種壓環(huán)的剖視圖。圖4B為圖4A中壓環(huán)的仰視圖。請(qǐng)一并參閱圖4A和圖4B，壓環(huán)22包括負(fù)重體223和絕緣體222，其中，絕緣體222為環(huán)體，且采用諸如石英或陶瓷等的絕緣材料制作。負(fù)重體223采用金屬制作，且由多個(gè)塊狀體組成，多個(gè)塊狀體內(nèi)嵌在絕緣體222內(nèi)，且沿絕緣體222的周向間隔分布。由于絕緣材料的密度低于金屬密度，例如，石英的密度2.65g/cm3、陶瓷的密度為2.7g/cm3、SUC304不銹鋼的密度7.93g/cm3，因而若僅使用絕緣材料制作壓環(huán)，會(huì)導(dǎo)致壓環(huán)的整體重量無法承受承載面與晶片下表面之間的氣壓，保證晶片23與基座21的相對(duì)位置固定，從而造成在輸送冷卻氣體時(shí)，晶片23很容易被冷卻氣體吹飛。為此，借助采用金屬制 作的負(fù)重體223，可以增加壓環(huán)的整體重量，從而在輸送冷卻氣體時(shí)，使壓環(huán)22的整體重量足以承受承載面與晶片下表面之間的氣壓。

此外，由于負(fù)重體223內(nèi)嵌在絕緣體222內(nèi)，即，絕緣體222包覆負(fù)重體223，這可以在進(jìn)行預(yù)清洗工藝時(shí)，避免等離子體轟擊負(fù)重體223，從而不僅可以避免有金屬顆粒濺射到反應(yīng)腔室的絕緣頂蓋上，形成對(duì)射頻電源的屏蔽，而且還可以避免壓環(huán)22與基座21之間發(fā)生打火現(xiàn)象，進(jìn)而可以提高工藝穩(wěn)定性。

通過將上述壓環(huán)22應(yīng)用在預(yù)清洗腔室中，用于利用自身重力壓住晶片23上表面的邊緣區(qū)域，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片23的固定，從而在向基座21的承載面和晶片23的下表面之間輸送冷卻氣體時(shí)，可以保證晶片23與基座21的相對(duì)位置固定，從而可以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片23的冷卻，避免晶片23的溫度過高，以在保證晶片質(zhì)量的同時(shí)，縮短在完成預(yù)清洗工藝之后需要冷卻晶片的時(shí)間，進(jìn)而提高設(shè)備產(chǎn)能。

需要說明的是，當(dāng)壓環(huán)22壓住晶片23時(shí)，壓環(huán)22的重量完全落在晶片23的邊緣區(qū)域，其重量可以采用以下公式計(jì)算：

P＝mg/S

其中，P為晶片23的下表面與基座21的承載面之間的壓強(qiáng)，單位為Pa；m為壓環(huán)質(zhì)量，單位為kg；g為重力加速度，單位為N/kg；S為在晶片23與基座21之間形成的圓形密封區(qū)域的面積，單位為m²。根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)，以壓強(qiáng)P為800Pa，密封區(qū)域的面積S為0.0625m²(密封區(qū)域的直徑為282mm)，重力加速度g為9.8N/kg，將這些數(shù)據(jù)代入上述公式，得到壓環(huán)22的重量約為5Kg，在這種情況下，負(fù)重體223和絕緣體222的重量之和要至少達(dá)到5kg，才可以滿足在冷卻氣體背吹的壓力下，晶片23相對(duì)于基座21的位置固定。由上可知，可以根據(jù)不同尺寸的晶片的重量，并利用壓環(huán)的重量與冷卻氣體背吹的壓力之間的上述關(guān)系設(shè)計(jì)壓環(huán)的總重量，即，負(fù)重體和絕緣體的重量之和，以確保晶片不會(huì)被冷卻氣體吹飛。

在本實(shí)施例中，絕緣體222還包括沿其周向間隔分布的多個(gè)壓爪221，多個(gè)壓爪221疊置在晶片23的邊緣區(qū)域。具體來說，絕緣體222的內(nèi)徑大于晶片23的直徑，并且壓爪221為在絕緣體222的 內(nèi)環(huán)壁上部形成的凸部，該凸部的下表面的內(nèi)徑小于晶片23的直徑，從而凸部的下表面能夠疊置在晶片23的邊緣區(qū)域。優(yōu)選的，壓爪221的內(nèi)徑自下而上逐漸增大，即，壓爪221的上表面相對(duì)其下表面傾斜，且壓爪221的上表面下端內(nèi)徑Dmax最大，壓爪221的上表面上端內(nèi)徑Dmin最小，這可以在進(jìn)行工藝時(shí)，使更多的離子到達(dá)晶片23的邊緣處，并且壓爪221的上表面相對(duì)其下表面傾斜的角度越小，離子到達(dá)晶片23的邊緣處的數(shù)量越多，從而可以提高晶片23的邊緣處的刻蝕速率，進(jìn)而可以使晶片23邊緣處和中心處的刻蝕速率趨于均勻，從而可以提高工藝均勻性。當(dāng)然，為了保證壓爪221的剛度，壓爪221的上表面相對(duì)其下表面傾斜的角度也不能過小。另外，還可以采用減小壓爪221的厚度H的方法，使更多的離子到達(dá)晶片23的邊緣處，從而可以提高晶片23的邊緣處的刻蝕速率。當(dāng)然，在實(shí)際應(yīng)用中，壓爪還可以采用其他任意結(jié)構(gòu)，以提高晶片的邊緣處的刻蝕速率。

需要說明的是，在本實(shí)施例中，負(fù)重體223由多個(gè)塊狀體組成，但是本發(fā)明并不局限于此，在實(shí)際應(yīng)用中，負(fù)重體還可以采用其他任意結(jié)構(gòu)，例如，負(fù)重體為環(huán)體，且與絕緣體同心設(shè)置，只要負(fù)重體能夠增加壓環(huán)的整體重量即可。

還需要說明的是，在本實(shí)施例中，壓環(huán)22利用壓爪221壓住晶片23的邊緣區(qū)域，但是本發(fā)明并不局限于此，在實(shí)際應(yīng)用中，也可以省去壓爪，而僅利用壓環(huán)22的環(huán)孔周邊部分壓住晶片23的邊緣區(qū)域。

進(jìn)一步需要說明的是，在本實(shí)施例中，絕緣體222為環(huán)體，負(fù)重體223內(nèi)嵌在絕緣體222內(nèi)，但是本發(fā)明并不局限于此，在實(shí)際應(yīng)用中，絕緣體222和負(fù)重體223還可以采用以下兩種結(jié)構(gòu)：

第一種結(jié)構(gòu)，圖5A為本發(fā)明實(shí)施例采用的另一種壓環(huán)的剖視圖。圖5B為圖5A中壓環(huán)的仰視圖。請(qǐng)一并參閱圖5A和圖5B，負(fù)重體223為環(huán)體，絕緣體222為殼體222a，且嵌套在負(fù)重體223的外環(huán)表面和上表面；在負(fù)重體223的內(nèi)環(huán)表面上噴涂絕緣層222b，也就是說，殼體222a和絕緣層222b共同包覆負(fù)重體223。在這種情況下，上述壓爪221應(yīng)與負(fù)重體223連為一體，并同樣被殼體222a 和絕緣層222b共同包覆，這同樣可以避免負(fù)重體223受到等離子體的轟擊。除此之外，壓爪221的其他結(jié)構(gòu)和功能與前述內(nèi)容相同，在此不再贅述。需要說明的是，根據(jù)實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，為了確保工藝品質(zhì)達(dá)到最佳水平，殼體222a和絕緣層222b各自的厚度應(yīng)不小于2mm。

第二種結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)與上述第一種結(jié)構(gòu)的區(qū)別僅在于：絕緣體222為分別噴涂在負(fù)重體223的外環(huán)表面、上表面和內(nèi)環(huán)表面上的絕緣層。也就是說，利用絕緣層代替上述殼體222a包覆負(fù)重體223的外環(huán)表面和上表面，這同樣可以避免負(fù)重體223受到等離子體的轟擊。第二種結(jié)構(gòu)的其他方面與上述第一種結(jié)構(gòu)相同，在此不再贅述。

綜上所述，通過將本發(fā)明實(shí)施例提供的壓環(huán)應(yīng)用在預(yù)清洗腔室中，用于利用自身重力壓住晶片上表面的邊緣區(qū)域，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片的固定，從而在向基座的承載面和晶片的下表面之間輸送冷卻氣體時(shí)，可以保證晶片與基座的相對(duì)位置固定，從而可以實(shí)現(xiàn)對(duì)晶片的冷卻，避免晶片的溫度過高，以在保證晶片質(zhì)量的同時(shí)，縮短在完成預(yù)清洗工藝之后需要冷卻晶片的時(shí)間，進(jìn)而提高設(shè)備產(chǎn)能。

作為另一個(gè)技術(shù)方案，圖6A為本發(fā)明實(shí)施例提供的預(yù)清洗腔室的剖視圖。圖6B為圖6A中基座和壓環(huán)的安裝示意圖。請(qǐng)一并參閱圖6A和圖6B，本發(fā)明實(shí)施例還提供一種預(yù)清洗腔室，其由反應(yīng)腔體31、環(huán)形支撐件32和穹頂狀的絕緣頂蓋34限定而成，并采用感應(yīng)耦合的方式激發(fā)形成等離子體，具體地，在絕緣頂蓋34的外側(cè)環(huán)繞設(shè)置有線圈33，該線圈33采用螺旋結(jié)構(gòu)，且可以為一匝或多匝，并且多匝的線圈33為立體式柱狀螺旋結(jié)構(gòu)。而且，線圈33依次與第一匹配器35和第一射頻電源36電連接，用以激發(fā)預(yù)清洗腔室內(nèi)的工藝氣體形成等離子體。而且，在預(yù)清洗腔室內(nèi)還設(shè)置有基座21和冷卻氣路24。由于二者的結(jié)構(gòu)和功能在本發(fā)明提供的壓環(huán)的上述實(shí)施例中已有了詳細(xì)描述，在此不再贅述。

上述預(yù)清洗腔室還包括壓環(huán)22，該壓環(huán)22采用本發(fā)明實(shí)施例提供的上述壓環(huán)22，并且該壓環(huán)22依次與第二匹配器37和第二射頻電源38電連接，用以在晶片23上產(chǎn)生射頻偏壓，從而使等離子體朝向晶片23運(yùn)動(dòng)，以去除晶片23表面上的雜質(zhì)。在實(shí)際應(yīng)用中，第一 射頻電源36和第二射頻電源38可以分別向線圈33和晶片加載不同頻率的射頻功率，該頻率可以為400KHz、2MHz、13.56MHz、60MHz等。

優(yōu)選的，預(yù)清洗腔室還包括絕緣環(huán)25，該絕緣環(huán)25采用絕緣材料制作，例如石英，其環(huán)繞設(shè)置在基座21的邊緣處，用以遮擋基座21的外周壁與壓環(huán)22的內(nèi)環(huán)面之間的間隙，且絕緣環(huán)25的上表面不高于基座21的承載面。在進(jìn)行工藝時(shí)，壓環(huán)22的整體結(jié)構(gòu)無法完全遮擋基座21邊緣處的金屬部分，該部分容易受到等離子體的轟擊，從而影響工藝結(jié)果。為此，借助絕緣環(huán)25，可以遮擋基座21邊緣處的金屬部分，保證其不會(huì)被等離子體轟擊。同時(shí)，通過使絕緣環(huán)25的上表面不高于基座21的承載面，可以提高邊緣電場(chǎng)的耦合效應(yīng)，從而可以減小晶片邊緣與中心之間的刻蝕速率差異，進(jìn)而可以提高工藝均勻性。

本發(fā)明實(shí)施例提供的預(yù)清洗腔室，其通過采用本發(fā)明實(shí)施例提供的壓環(huán)，可以避免晶片的溫度過高，從而不僅可以保證晶片質(zhì)量，而且還可以縮短在完成預(yù)清洗工藝之后需要冷卻晶片的時(shí)間，進(jìn)而可以提高設(shè)備產(chǎn)能。

作為另一個(gè)技術(shù)方案，本發(fā)明實(shí)施例還提供的一種半導(dǎo)體加工設(shè)備，其包括預(yù)清洗腔室，在該預(yù)清洗腔室的頂部設(shè)置有線圈，通過向該線圈加載射頻功率，來激發(fā)預(yù)清洗腔室內(nèi)的反應(yīng)氣體形成等離子體。而且，預(yù)清洗腔室采用本發(fā)明實(shí)施例提供的上述預(yù)清洗腔室，并且通過向該預(yù)清洗腔室內(nèi)的基座加載射頻偏壓，而使等離子體朝向晶片運(yùn)動(dòng)，以去除晶片表面上的雜質(zhì)。上述半導(dǎo)體加工設(shè)備包括物理氣相沉積設(shè)備。

本發(fā)明實(shí)施例提供的半導(dǎo)體加工設(shè)備通過采用本發(fā)明實(shí)施例提供的上述預(yù)清洗腔室，可以避免晶片的溫度過高，從而不僅可以保證晶片質(zhì)量，而且還可以縮短在完成預(yù)清洗工藝之后需要冷卻晶片的時(shí)間，進(jìn)而可以提高設(shè)備產(chǎn)能。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的 普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。