技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種ESD保護器件和半導體裝置，涉及半導體技術(shù)領(lǐng)域。ESD保護器件包括：襯底結(jié)構(gòu)，其包括襯底以及在襯底上的至少兩個半導體鰭片，所述至少兩個半導體鰭片包括分離的第一和第二鰭片，該襯底結(jié)構(gòu)包括橫向相鄰并具有不同導電類型的第一和第二摻雜區(qū)，第一摻雜區(qū)包括襯底的第一部分和其上的第一鰭片的第一區(qū)域，第二摻雜區(qū)包括襯底的第二部分及其上的第一鰭片的第二區(qū)域和其上的第二鰭片；第一柵極結(jié)構(gòu)，在第一區(qū)域的表面的一部分和第二區(qū)域的表面的至少一部分上；第一高摻雜區(qū)，位于第一區(qū)域中，導電類型與第一摻雜區(qū)相同，摻雜濃度高于第一摻雜區(qū)；第二高摻雜區(qū)，位于第二鰭片中，導電類型與第二摻雜區(qū)相同，摻雜濃度高于第二摻雜區(qū)。

技術(shù)研發(fā)人員：李勇
受保護的技術(shù)使用者：中芯國際集成電路制造（上海）有限公司;中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2016.03.29
技術(shù)公布日：2017.10.10