国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      轉(zhuǎn)接板的RDL封裝成形方法與流程

      文檔序號:11214264閱讀:5370來源:國知局
      轉(zhuǎn)接板的RDL封裝成形方法與流程

      本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種轉(zhuǎn)接板的rdl成形方法。



      背景技術(shù):

      高性能極大規(guī)模集成電路發(fā)展亟需先進封裝技術(shù)推動,三維系統(tǒng)級封裝技術(shù)(threedimensionalsysteminpackage,3dsip)因具有高集成度、低功耗、低信號損耗和噪聲、小型化、輕型化等特點,成為新一代的三維高密度集成技術(shù)。硅通孔轉(zhuǎn)接板技術(shù)(though-silicon-viainterposer,tsvinterposer)作為3dsip技術(shù)的主流分支,也已成為國內(nèi)外學(xué)術(shù)界和工業(yè)界最熱門的研究方向,對于推動集成電路行業(yè)發(fā)展具有重要現(xiàn)實意義和戰(zhàn)略意義。

      在基于tsv轉(zhuǎn)接板的3d封裝結(jié)構(gòu)上,微組裝技術(shù)及轉(zhuǎn)接板的可靠性上存在著一些挑戰(zhàn),如采用新的封裝結(jié)構(gòu)和材料,采用大尺寸大功率裸片和小尺寸細(xì)間距芯片。在此基礎(chǔ)上,轉(zhuǎn)接板還需鋪設(shè)再分布層(redistributionlayer,rdl),以此,來增加轉(zhuǎn)接板上的輸入/輸出接口(input/output,io)數(shù)量。rdl是材料頂層或者底層上面的一層金屬,例如鋁(al),亦即,rdl通常鋪設(shè)在轉(zhuǎn)接板正面和/或背面。現(xiàn)有技術(shù)中,由于通常將rdl設(shè)置在轉(zhuǎn)接板正面和/或背面,為了滿足io數(shù)量的需求,通常需要鋪設(shè)多層rdl,由此導(dǎo)致轉(zhuǎn)接板厚度增加,造成了封裝電路的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,集成度低。

      因此,如何提高轉(zhuǎn)接板上的rdl集成程度成為亟待解決的技術(shù)問題。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      因此,本發(fā)明要解決的技術(shù)問題在于如何提高轉(zhuǎn)接板上的rdl集成程度,從而提供一種轉(zhuǎn)接板的rdl成形方法。

      根據(jù)第一方面,本發(fā)明實施例提供了一種轉(zhuǎn)接板的rdl成形方法,包括:

      對轉(zhuǎn)接板的正面進行不完全刻穿的刻蝕得到第一刻蝕紋路;對轉(zhuǎn)接板的背面進行不完全刻穿的刻蝕得到第二刻蝕紋路;導(dǎo)通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路;在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路;分別對第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路進行rdl處理。

      可選地,導(dǎo)通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路包括:聯(lián)通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路;對第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路的聯(lián)通處進行填銅導(dǎo)通。

      可選地,在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路包括:將第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間的填銅至少部分刻蝕形成第三刻蝕紋路。

      可選地,在在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路之后,在分別對第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路進行rdl處理之前,還包括:在第三刻蝕紋路上填充絕緣材料。

      可選地,轉(zhuǎn)接板為硅基轉(zhuǎn)接板。

      可選地,絕緣材料為環(huán)氧樹脂注塑化合物。

      根據(jù)本發(fā)明實施例提供的轉(zhuǎn)接板的rdl成形方法,對轉(zhuǎn)接板的正面以及背面進行不完全刻穿的刻蝕得到第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路,而后,由于導(dǎo)通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路,在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路,由此,在轉(zhuǎn)接板內(nèi)部可以形成rdl線路,相對于現(xiàn)有技術(shù)中,在轉(zhuǎn)接板的正面和/或背面形成rdl線路的方式,本實施例提供的方案在轉(zhuǎn)接板內(nèi)部形成rdl線路,提高了單一轉(zhuǎn)接板的rdl線路數(shù)量,從而能夠提高單一轉(zhuǎn)接板上單位面積上所能承載的io數(shù)量,提高了轉(zhuǎn)接板的集成度。

      作為可選的技術(shù)方案,由于在第三刻蝕紋路的一側(cè)填充絕緣材料,使得轉(zhuǎn)接板內(nèi)部rdl線路有穩(wěn)定的構(gòu)造。

      附圖說明

      為了更清楚地說明本發(fā)明具體實施方式或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對具體實施方式或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實施方式,對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

      在本發(fā)明的描述中,需要說明的是,術(shù)語“第一”、“第二”、“第三”僅用于描述目的,而不能理解為指示或暗示相對重要性。

      圖1為本發(fā)明實施例中一種轉(zhuǎn)接板的rdl成形方法的流程圖。

      圖2為本發(fā)明實施例中一種轉(zhuǎn)接板的正視結(jié)構(gòu)示意圖。

      具體實施方式

      下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。

      為了提高轉(zhuǎn)接板上的rdl集成程度,本實施例提供一種轉(zhuǎn)接板的rdl成形方法,請參考圖1,為該轉(zhuǎn)接板的rdl成形方法流程圖,本實施例中,所稱轉(zhuǎn)接板優(yōu)選為硅基轉(zhuǎn)接板,該轉(zhuǎn)接板的rdl成形方法包括:

      步驟s1,對轉(zhuǎn)接板的正面進行不完全刻穿的刻蝕得到第一刻蝕紋路。請參考圖2,為本實施例的一種轉(zhuǎn)接板的正視結(jié)構(gòu)示意圖,本實施例中,以轉(zhuǎn)接板為硅基轉(zhuǎn)接板為例進行說明。在具體實施例中,可以采用例如光刻的方式對轉(zhuǎn)接板的正面進行刻蝕得到第一刻蝕紋路101。

      步驟s2,對轉(zhuǎn)接板的背面進行不完全刻穿的刻蝕得到第二刻蝕紋路。請參考圖2,在具體實施例中,可以采用例如光刻的方式對轉(zhuǎn)接板的背面進行刻蝕得到第二刻蝕紋路102。本實施例中,第一刻蝕紋路101和第二刻蝕紋路102分別位于轉(zhuǎn)接板相對的兩側(cè)。

      需要說明的是,本實施例中,并不限制步驟s1和步驟s2之間的執(zhí)行先后順序。

      步驟s3,導(dǎo)通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路。在具體實施例中,可以通過填金屬例如填銅的方式來導(dǎo)通第一刻蝕紋路101和第二刻蝕紋路102。

      步驟s4,在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路。本實施例中,在導(dǎo)通第一刻蝕紋路101和第二刻蝕紋路102之后,可以在第一刻蝕紋路101和第二刻蝕紋路102之間進行刻蝕等方式來形成第三刻蝕紋路103。

      步驟s5,對第一刻蝕紋路、第二刻蝕紋路和第三刻蝕紋路進行封裝處理。

      在可選的實施例中,在執(zhí)行步驟s3的操作時,導(dǎo)通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路包括:聯(lián)通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路,對第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路的聯(lián)通處進行填銅導(dǎo)通。本實施例中,所稱聯(lián)通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路是指使得第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間具有通路。具體地,可以對轉(zhuǎn)接板進行例如光刻,使第一刻蝕紋路與第二刻蝕紋路形成通孔,而后對通孔進行電鍍填銅,從而使得第一刻蝕紋路與第二刻蝕紋路導(dǎo)通。本實施例中,聯(lián)通第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路時,可以是第一紋路至少有一處向第二紋路聯(lián)通,也可以至少是第二紋路至少有一處向第一紋路聯(lián)通。

      在可選的實施例中,在執(zhí)行步驟s4的操作時,在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路包括:將第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間的填銅至少部分刻蝕形成第三刻蝕紋路。

      為了使得轉(zhuǎn)接板內(nèi)部rdl線路有穩(wěn)定的構(gòu)造,在可選的實施例中,在將第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間的填銅至少部分刻蝕后,可以在刻蝕的部分填充絕緣材料。在具體實施例中,在第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間形成第三刻蝕紋路之后,在對第一刻蝕紋路、第二刻蝕紋路和第三刻蝕紋路進行封裝處理之前,還包括:在第三刻蝕紋路的一側(cè)填充絕緣材料,第三刻蝕紋路的一側(cè)為第一刻蝕紋路和第二刻蝕紋路之間的被至少部分刻蝕銅的一側(cè)。本實施例中,對第三刻蝕紋路可以使用例如環(huán)氧樹脂注塑化合物(epoxymoldingcompond.,emc)填充,在轉(zhuǎn)接板內(nèi)部形成一個穩(wěn)定的構(gòu)造,從而使得轉(zhuǎn)接板能夠?qū)崿F(xiàn)內(nèi)部rdl線路。

      上述實施例公開的轉(zhuǎn)接板的rdl成形方法,在硅基轉(zhuǎn)接板內(nèi)部通孔中填銅導(dǎo)通,刻蝕部分填銅后再使用絕緣材料填充,形成穩(wěn)定的rdl線路,本發(fā)明提供的實施例,相比于現(xiàn)有技術(shù)中的硅基轉(zhuǎn)接板,通過硅基轉(zhuǎn)接板單位面積的io數(shù)量的增加以提高轉(zhuǎn)接板的集成度。

      顯然,上述實施例僅僅是為清楚地說明所作的舉例,而并非對實施方式的限定。對于所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說,在上述說明的基礎(chǔ)上還可以做出其它不同形式的變化或變動。這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉。而由此所引伸出的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護范圍之中。

      當(dāng)前第1頁1 2 
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1